JP2000321714A - Near field optical recording medium and near field optical recording method - Google Patents
Near field optical recording medium and near field optical recording methodInfo
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Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光源の波長よりも
微小なサイズのビームスポット径を有するエバネッセン
ト光を用いた記録・再生・消去が可能な近接場光記録媒
体及び近接場光記録方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a near-field optical recording medium and a near-field optical recording method capable of recording, reproducing and erasing using evanescent light having a beam spot diameter smaller than the wavelength of a light source. .
【0002】[0002]
【従来の技術】光メモリの記録密度の向上を目的とし
て、超解像技術、ピットエッジ記録、V溝方式等様々な
試みが行われている。しかし、これらはいずれもヒート
モード記録方式を用いているため、記録の高密度化は限
界に達している。近年、ヒートモード記録方式の限界を
破ると期待されているのが、光エネルギーをそのまま光
記録に用いるフォトンモード記録である。フォトンモー
ド記録では、波長多重、偏光多重が可能となるため同一
ピット内に複数個の記録を行うことができ、より高密度
化を達成することができる。2. Description of the Related Art Various attempts have been made to improve the recording density of an optical memory, such as a super-resolution technique, pit edge recording, and a V-groove method. However, since all of them use the heat mode recording method, the increase in recording density has reached its limit. In recent years, photon mode recording that uses optical energy as it is for optical recording is expected to break the limits of the heat mode recording method. In photon mode recording, wavelength multiplexing and polarization multiplexing can be performed, so that a plurality of recordings can be performed in the same pit, and higher density can be achieved.
【0003】しかしながら、波長多重の場合、吸収波長
の異なる多数個のフォトクロミック材料を得ることは困
難であり、高々5倍程度の記録密度の向上しか期待され
ない。偏光多重の場合も2倍程度の記録密度の向上しか
望めない。また、フォトケミカルホールバーニングの場
合は、100倍以上の多重化が可能であるが、77K以
下の低温を必要とするという欠点を有している。[0003] However, in the case of wavelength multiplexing, it is difficult to obtain a large number of photochromic materials having different absorption wavelengths, and it is expected that the recording density is improved at most about 5 times. In the case of polarization multiplexing, the recording density can be improved only about twice. Further, in the case of photochemical hole burning, multiplexing of 100 times or more is possible, but there is a disadvantage that a low temperature of 77K or less is required.
【0004】これらを克服するために、記録方式にST
Mによる電界効果と電磁波照射を用いること(特開平2
−98849号公報参照)或いはエバネッセント光によ
る光磁気記録(E. Betzig et al., Appl. Phys. Lett.,
61,142(1992)参照)が提案されている。In order to overcome these problems, the recording method has been changed to ST.
M using electric field effect and electromagnetic wave irradiation
-98849) or magneto-optical recording using evanescent light (E. Betzig et al., Appl. Phys. Lett.,
61, 142 (1992)).
【0005】しかしながら、これらの方式は、電界を印
加するための電極又は光磁気記録のための磁石が必要で
あり、装置が複雑になるという欠点を有している。[0005] However, these methods have a disadvantage that an electrode for applying an electric field or a magnet for magneto-optical recording is required, and the apparatus becomes complicated.
【0006】このような問題を解決するものとして、特
開平6−267071号公報には、波長よりも微小なサ
イズのエバネッセント光を記録・再生・消去光源とし、
例えば下記構造式で表されるジアリールエテン誘導体等
の、熱不可逆性を有するフォトクロミック材料の高分子
分散媒体を、光記録媒体として用いる書き換え可能光記
録方法が記載されている。To solve such a problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-267071 discloses an evanescent light having a size smaller than a wavelength as a recording / reproducing / erasing light source.
For example, a rewritable optical recording method using a polymer dispersion medium of a photochromic material having thermal irreversibility such as a diarylethene derivative represented by the following structural formula as an optical recording medium is described.
【0007】[0007]
【化3】 Embedded image
【0008】この特開平6−267071号公報記載の
方法によれば、電極或いは磁石を用いることなく、高密
度記録を行うことができる。According to the method described in JP-A-6-267071, high-density recording can be performed without using electrodes or magnets.
【0009】即ち、電極或いは磁石を用いることなく、
エバネッセント光により光記録を行うには、記録媒体自
身が他の物理的・化学的摂動がなくてもその光源によっ
てのみ可逆的に2状態間で色変化し、なおかつ両状態が
熱的に安定であることが必要である。特開平6−267
071号公報では、このような媒体を光記録媒体とし、
波長よりも微小なサイズのエバネッセント光を記録・再
生・消去光源として用いることで、電極や磁石を用いる
ことなく、現状の記録ピットサイズの1/10〜1/1
00のサイズの記録ピットの形成を可能とし、記録密度
を現状の100〜10000倍に向上させたものであ
る。That is, without using electrodes or magnets,
In order to perform optical recording by evanescent light, the recording medium itself reversibly changes color between the two states only by its light source without any other physical or chemical perturbation, and both states are thermally stable. It is necessary to be. JP-A-6-267
No. 071 discloses such a medium as an optical recording medium,
By using evanescent light of a size smaller than the wavelength as a recording / reproducing / erasing light source, it is possible to use 1/10 to 1/1 of the current recording pit size without using electrodes or magnets.
A recording pit having a size of 00 can be formed, and the recording density is improved to 100 to 10,000 times the current level.
【0010】また、特開平9−241254号公報に
は、下記構造式で表されるアダマンチル基を有するジヘ
テロアリールエテン系化合物と、これを用いた光記録媒
体が記載されている。この化合物を溶媒に溶かして塗布
・乾燥して得られる膜はアモルファス状であるため、バ
インダー樹脂を使用することなく光記録媒体の記録層を
形成できる旨説明されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-241254 describes a diheteroarylethene compound having an adamantyl group represented by the following structural formula and an optical recording medium using the same. It is described that since a film obtained by dissolving this compound in a solvent and coating and drying is amorphous, a recording layer of an optical recording medium can be formed without using a binder resin.
【0011】[0011]
【化4】 Embedded image
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】光記録媒体の記録層の
記録密度を高めるためには、まず、第一に光照射による
吸光度、屈折率等の状態量の変化が大きいことが重要で
ある。また、記録層内のフォトクロミック材料分子の存
在密度を高めることも極めて重要な要件となる。更に、
記録層表面の平坦度を高めることにより、照射光の散乱
が減少し記録密度を向上させることができることも期待
できる。In order to increase the recording density of the recording layer of the optical recording medium, first, it is important that the amount of state change such as absorbance and refractive index caused by light irradiation is large. It is also an extremely important requirement to increase the density of photochromic material molecules in the recording layer. Furthermore,
By increasing the flatness of the recording layer surface, it can be expected that scattering of irradiation light is reduced and the recording density can be improved.
【0013】特に、エバネッセント光を用いて情報の記
録・再生を行う場合、エバネッセント光発生源から媒体
の記録層までの距離が、光源波長の1/4以下と非常に
近接している必要があり、この点から記録媒体の表面平
滑度が高いことが望まれる。In particular, when information is recorded / reproduced using evanescent light, the distance from the evanescent light source to the recording layer of the medium needs to be very close to 1/4 or less of the wavelength of the light source. From this point, it is desired that the surface smoothness of the recording medium is high.
【0014】しかしながら、上記特開平6−26707
1号公報では、このような記録密度向上のための配慮が
なされていない。つまり、薄膜での透明性(アモルファ
ス性)を確保するためにバインダーを使用しており、フ
ォトクロミック材料が約20倍に希釈されているため、
εが低くなり実用性に問題があった。However, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-26707 describes
In Japanese Patent Laid-Open No. 1-2003, no consideration is given to such improvement in recording density. In other words, since a binder is used to ensure transparency (amorphousness) in a thin film, and the photochromic material is diluted about 20 times,
ε was low and there was a problem in practicality.
【0015】特開平9−241254号公報では、同公
報に記載されるアダマンチル基を有するジヘテロアリー
ルエテン系化合物は、溶媒に溶かして塗布・乾燥して得
られる膜がアモルファス状であるため、バインダー樹脂
を使用することなく光記録媒体の記録層を形成できると
されているが、ここに記載されるアダマンチル基を有す
る化合物は、ガラス転移点が40℃と低い。このような
化合物を用いて形成した光記録媒体の記録層は、高温高
湿下では記録後のピット部分の相が変化するため信号が
不鮮明になり、正確に情報を読み出すことができなくな
る恐れがある。According to Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-241254, a diheteroarylethene compound having an adamantyl group described in the publication is dissolved in a solvent, coated and dried, and the film obtained is amorphous. It is said that a recording layer of an optical recording medium can be formed without using a resin, but the compound having an adamantyl group described herein has a low glass transition point of 40 ° C. In a recording layer of an optical recording medium formed using such a compound, under high temperature and high humidity, the phase of a pit portion after recording changes, so that a signal becomes unclear and information may not be accurately read. is there.
【0016】本発明は上記従来の問題点を解決し、より
一層の高密度記録が可能で、かつ光記録媒体としての実
用上充分な耐久性を備えた光記録媒体、および光記録方
法を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides an optical recording medium and an optical recording method capable of performing higher-density recording and having sufficient durability for practical use as an optical recording medium. The purpose is to do.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明の近接場光記録媒
体は、光源の波長よりも微小なサイズのビームスポット
径を有するエバネッセント光を用いた記録・再生・消去
が可能な近接場光記録媒体において、該光記録媒体の記
録層が、ガラス転移点55℃以上のフォトクロミック材
料を主体とする、アモルファス状の層よりなることを特
徴とする。A near-field optical recording medium according to the present invention is a near-field optical recording medium capable of recording / reproducing / erasing using evanescent light having a beam spot diameter smaller than the wavelength of a light source. The medium is characterized in that the recording layer of the optical recording medium is an amorphous layer mainly composed of a photochromic material having a glass transition point of 55 ° C. or higher.
【0018】本発明の近接場光記録方法は、このような
本発明の近接場光記録媒体を用い、該近接場光記録媒体
の記録層の全面に予め紫外線を照射して該記録層に含ま
れるフォトクロミック材料を閉環体にした後、光源の波
長よりも微小なサイズのビームスポット径を有するエバ
ネッセント光によって該フォトクロミック材料を開環さ
せることにより信号を記録することを特徴とする。In the near-field optical recording method of the present invention, the near-field optical recording medium of the present invention is used, and the entire surface of the recording layer of the near-field optical recording medium is irradiated with ultraviolet rays in advance to be included in the recording layer. After the photochromic material is closed, a signal is recorded by opening the photochromic material with evanescent light having a beam spot diameter smaller than the wavelength of the light source.
【0019】本発明の近接場光記録媒体は、エバネッセ
ント光を用いた記録・再生・消去が可能で、記録層がア
モルファス状のフォトクロミック材料を主体とし、該フ
ォトクロミック材料のガラス転移点が55℃以上と比較
的高い点が特徴である。The near-field optical recording medium of the present invention is capable of recording / reproducing / erasing using evanescent light, has a recording layer mainly composed of an amorphous photochromic material, and has a glass transition point of 55 ° C. or higher. And a relatively high point.
【0020】フォトクロミック材料がアモルファス状で
あれば、記録層表面にフォトクロミック材料分子の結晶
に由来する凹凸が発生せず、表面の平坦性に優れ、照射
光の散乱が防止される。また、結晶による異方性が解消
される。この結果として、スポット径の小さい光記録が
可能となる。If the photochromic material is amorphous, no irregularities due to the crystal of the photochromic material molecules are generated on the surface of the recording layer, the surface is excellent in flatness, and scattering of irradiation light is prevented. In addition, the anisotropy due to the crystal is eliminated. As a result, optical recording with a small spot diameter becomes possible.
【0021】また、フォトクロミック材料のガラス転移
点が55℃以上であれば、通常の使用において考えられ
る環境下での、記録済み光記録媒体の信号劣化は避けら
れるものと思われる。このガラス転移点は60℃以上で
あればより一層好ましい。When the glass transition point of the photochromic material is 55 ° C. or higher, it is considered that signal deterioration of the recorded optical recording medium in an environment conceivable in normal use can be avoided. The glass transition point is more preferably 60 ° C. or higher.
【0022】なお、本発明の近接場光記録媒体における
記録層は、フォトクロミック材料を「主体とする」もの
であるが、これは記録層の約80重量%以上、好ましく
は90重量%以上がフォトクロミック材料から形成され
ていることを意味する。さらに好ましくは、記録層は実
質的にフォトクロミック材料のみから形成される。即
ち、記録層におけるフォトクロミック材料以外の成分と
しては、各種添加剤や色素、後述するバインダーなどが
挙げられるが、フォトクロミック材料の存在密度を上げ
て、εを向上させるという点からは、できるだけフォト
クロミック材料以外の成分を含まない方が好ましい。The recording layer in the near-field optical recording medium of the present invention is mainly composed of a photochromic material, which is about 80% by weight or more, preferably 90% by weight or more of the recording layer. It means that it is formed from a material. More preferably, the recording layer is formed substantially only of the photochromic material. That is, as components other than the photochromic material in the recording layer, various additives and dyes, a binder described later, and the like can be cited. From the viewpoint of increasing the density of the photochromic material and improving ε, as much as possible other than the photochromic material It is preferable not to include the component of
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail.
【0024】まず、本発明で用いるフォトクロミック材
料について説明する。First, the photochromic material used in the present invention will be described.
【0025】本発明の近接場光記録媒体に好ましいフォ
トクロミック材料としては、ジヘテロアリールエテン系
化合物が挙げられる。中でも、ヘテロアリール部にピロ
ール環、チオフェン環、フラン環又はセレノフェン環を
有するものがより好ましい。As a preferred photochromic material for the near-field optical recording medium of the present invention, a diheteroarylethene-based compound can be mentioned. Among them, those having a pyrrole ring, a thiophene ring, a furan ring or a selenophene ring in the heteroaryl moiety are more preferred.
【0026】特に、本発明に係るジヘテロアリールエテ
ン系化合物としては、下記一般式(I)で示される化合
物が好ましい。Particularly, as the diheteroarylethene compound according to the present invention, a compound represented by the following general formula (I) is preferable.
【0027】[0027]
【化5】 Embedded image
【0028】なお、本明細書中で、置換基として例示す
る以下の鎖状のアルキル基、アルコキシ基、およびアル
キルチオ基は、いずれも直鎖であっても分岐であっても
良い。The following chain alkyl, alkoxy and alkylthio groups exemplified as substituents in the present specification may be straight-chain or branched.
【0029】上記構造(a),(b)において、R1と
しては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基ま
たはブチル基などの炭素数1〜4の、置換されていても
よい鎖状または環状のアルキル基;メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、およびブトキシ基などの炭素数1
〜4の、置換されていてもよいアルコキシ基が挙げられ
る。なお、「置換されていてもよい」における「置換
基」としては、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原
子、または炭素数1〜6のアルコキシ基などが挙げられ
る。好ましくは、R1は炭素数1〜3の鎖状アルキル基
または炭素数1〜3のアルコキシ基である。In the above structures (a) and (b), R 1 is specifically an optionally substituted chain having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group. Or cyclic alkyl group having 1 carbon atom such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group and butoxy group
And 4 alkoxy groups which may be substituted. As the “substituent” in “may be substituted”, a halogen atom such as a fluorine atom and a chlorine atom, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the like can be mentioned. Preferably, R 1 is a chain alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms.
【0030】R2としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、オクチル基、デシル基などの炭素数
1〜20の、置換されていてもよいアルキル基;メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、オクチ
ルオキシ基、デシルオキシ基などの炭素数1〜20の、
置換されていてもよいアルコキシ基;メチルチオ基、エ
チルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、オクチル
チオ基、デシルチオ基などの炭素数1〜20の、置換さ
れていてもよいアルキルチオ基;炭素数4の5員環であ
る2−チオフェニル基や2−フラニル基、フェニル基、
ナフチル基などの炭素数4〜20の、置換されていても
よい芳香族環基(複素環基を含む)が挙げられる。芳香
族環基以外の基に対する、「置換されていてもよい」に
おける「置換基」としては、フッ素原子、塩素原子など
のハロゲン原子、または炭素数1〜6のアルコキシ基な
どが挙げられる。芳香族環に対する「置換されていても
よい」における置換基については、後述する部分構造
(a’)の項で述べる。好ましくは、R2は置換されて
いてもよい芳香族環基(複素環基を含む)である。R 2 is an optionally substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, an octyl group, a decyl group; a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group; A group having 1 to 20 carbon atoms such as a group, a butoxy group, an octyloxy group, and a decyloxy group;
An optionally substituted alkoxy group; an optionally substituted alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, such as a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group, a butylthio group, an octylthio group, and a decylthio group; A 2-thiophenyl group, a 2-furanyl group, a phenyl group,
Examples thereof include an optionally substituted aromatic ring group (including a heterocyclic group) having 4 to 20 carbon atoms, such as a naphthyl group. Examples of the “substituent” in “optionally substituted” for a group other than the aromatic ring group include a halogen atom such as a fluorine atom and a chlorine atom, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Substituents for “optionally substituted” on the aromatic ring will be described later in the section of the partial structure (a ′). Preferably, R 2 is an optionally substituted aromatic ring group (including a heterocyclic group).
【0031】R3としては、水素原子;メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、t−アミル基、t−ヘキ
シル基などの炭素数1〜10の、置換されていてもよい
環状または鎖状のアルキル基;メトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基、t−ヘキシルオキシ基などの炭素数1
〜10の置換されていてもよいアルコキシ基が挙げられ
る。なお、「置換されていてもよい」における「置換
基」としては、フッ素原子、塩素原子などのハロゲン原
子、または炭素数1〜6のアルコキシ基などが挙げられ
る。好ましくは、R3は炭素数1〜3の鎖状アルキル基
または炭素数1〜3のアルコキシ基である。R 3 is a hydrogen atom; an optionally substituted cyclic or chain having 1 to 10 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a t-amyl group and a t-hexyl group. Alkyl group; having 1 carbon atom such as methoxy, ethoxy, butoxy, t-hexyloxy, etc.
And 10 to 10 optionally substituted alkoxy groups. As the “substituent” in “may be substituted”, a halogen atom such as a fluorine atom and a chlorine atom, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the like can be mentioned. Preferably, R 3 is a chain alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms.
【0032】R4としては、水素原子;t−ブチル基、
t−アミル基、t−ヘキシル基、シクロヘキシル基など
の、第3級または第4級炭素原子を有する炭素数4〜8
個の、鎖状または環状のアルキル基;トリフルオロメチ
ル基、テトラフルオロエチル基、パーフルオロエチル
基、パーフルオロプロピル基、ジ(トリフルオロメチ
ル)フェニルメチル基などの、フッ素原子および/また
はフェニル基で置換された、炭素数1〜10のアルキル
基;ビニル基、メチルビニル基、メチルエチルビニル基
などの、炭素数4〜8個のアルケニル基;トリフルオロ
メチルジフェニルビニル基、ジフェニルビニル基など
の、フッ素原子および/またはフェニル基で置換された
炭素数2〜15のアルケニル基;t−ブトキシ基、t−
アミルオキシ基、t−ヘキシルオキシ基などの、第3級
または第4級炭素原子を有する、炭素数4〜8個のアル
コキシ基;トリフルオロメトキシ基、テトラフルオロエ
トキシ基、パーフルオロエトキシ基、パーフルオロプロ
ピル基、ジ(トリフルオロメチル)フェニルメトキシ基
などの、フッ素原子および/またはフェニル基で置換さ
れた、炭素数1〜15のアルコキシ基;t−ブチルチオ
基、t−アミルチオ基、t−ヘキシルチオ基などの、第
3級または第4級炭素原子を有する、炭素数4〜8個の
アルキルチオ基;トリフルオロメチルチオ基、テトラフ
ルオロエチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、パ
ーフルオロプロピルチオ基、ジ(トリフルオロメチル)
フェニルメチルチオ基などの、フッ素原子および/また
はフェニル基で置換された、炭素数1〜10のアルキル
チオ基;フェニル基、ナフチル基、チオフェン基、イン
ドール基などの、置換されていてもよい芳香族環基(複
素環基を含む);フェノキシ基、ナフトキシ基などの、
置換されていてもよいアリールオキシ基;チオフェンオ
キシ基、インドールオキシ基などの、置換されていても
よいヘテロアリールオキシ基;フェニルチオ基、ナフチ
ルチオ基などの、置換されていてもよいアリールチオ
基;チオフェンチオ基、インドールチオ基などの、置換
されていてもよいヘテロアリールチオ基;などが挙げら
れる。なお、芳香族環基(複素環基を含む)、即ち、
(ヘテロ)アリール基、(ヘテロ)アリールオキシ基、
(ヘテロ)アリールチオ基に対する、「置換されていて
もよい」における「置換基」としては、フッ素原子、塩
素原子などのハロゲン原子、または炭素数1〜6アルキ
ル基、または炭素数1〜6のアルコキシ基などが挙げら
れる。R 4 is a hydrogen atom; a t-butyl group;
C 4-8 having a tertiary or quaternary carbon atom, such as a t-amyl group, a t-hexyl group, a cyclohexyl group, etc.
A chain or cyclic alkyl group; a fluorine atom and / or a phenyl group such as a trifluoromethyl group, a tetrafluoroethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, and a di (trifluoromethyl) phenylmethyl group An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; an alkenyl group having 4 to 8 carbon atoms such as a vinyl group, a methylvinyl group and a methylethylvinyl group; a trifluoromethyldiphenylvinyl group and a diphenylvinyl group An alkenyl group having 2 to 15 carbon atoms substituted with a fluorine atom and / or a phenyl group; a t-butoxy group, a t-
An alkoxy group having a tertiary or quaternary carbon atom and having 4 to 8 carbon atoms, such as an amyloxy group and a t-hexyloxy group; a trifluoromethoxy group, a tetrafluoroethoxy group, a perfluoroethoxy group, a perfluoro group A C1-C15 alkoxy group substituted by a fluorine atom and / or a phenyl group such as a propyl group or a di (trifluoromethyl) phenylmethoxy group; a t-butylthio group, a t-amylthio group, a t-hexylthio group An alkylthio group having a tertiary or quaternary carbon atom and having 4 to 8 carbon atoms; a trifluoromethylthio group, a tetrafluoroethylthio group, a pentafluoroethylthio group, a perfluoropropylthio group, a di ( Trifluoromethyl)
A C1-C10 alkylthio group substituted with a fluorine atom and / or a phenyl group such as a phenylmethylthio group; an optionally substituted aromatic ring such as a phenyl group, a naphthyl group, a thiophene group and an indole group; Groups (including heterocyclic groups); such as phenoxy groups and naphthoxy groups,
Optionally substituted aryloxy group; optionally substituted heteroaryloxy group such as thiophenoxy group and indoleoxy group; optionally substituted arylthio group such as phenylthio group and naphthylthio group; thiophenthio A heteroarylthio group which may be substituted, such as a group or an indolethio group; Note that an aromatic ring group (including a heterocyclic group), that is,
(Hetero) aryl group, (hetero) aryloxy group,
The “substituent” in “optionally substituted” for the (hetero) arylthio group is a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. And the like.
【0033】前記部分構造(a)は、好ましくは下記構
造(a’)である。The partial structure (a) is preferably the following structure (a ′).
【0034】[0034]
【化6】 Embedded image
【0035】上記構造(a’)において、R5およびR
6としては、各々独立に、R4として前記した基がすべ
て挙げられる。また、R5およびR6の内、水素原子で
はない基の結合位置は、チオフェン環に対してパラ位で
あることが好ましい。R5およびR6がいずれも水素原
子ではない場合は、いずれか一方がチオフェン環に対し
てパラ位に結合していることが好ましい。In the above structure (a ′), R 5 and R
As 6 each independently includes all the groups described above as R 4 . Further, in R 5 and R 6 , the bonding position of a group that is not a hydrogen atom is preferably para to the thiophene ring. When neither R 5 nor R 6 is a hydrogen atom, it is preferable that one of them is bonded to the thiophene ring at the para position.
【0036】本発明におけるジヘテロアリールエテン系
化合物として、特に好ましくは一般式(I)におけるX
およびYがいずれも部分構造(b)であるもの、Xが部
分構造(a’)でYが部分構造(b)であるもの(但
し、同一分子中のR4、R5およびR6がすべて水素原
子になることはない)、またはXおよびYがいずれも部
分構造(a’)であるもの(但し、同一分子中のR5お
よびR6がすべて水素原子になることはない)、のいず
れかである。As the diheteroarylethene compound in the present invention, particularly preferably, X in the general formula (I)
And Y both have a partial structure (b), X has a partial structure (a ′) and Y has a partial structure (b) (provided that R 4 , R 5 and R 6 in the same molecule are all X and Y both have a partial structure (a ′) (however, R 5 and R 6 in the same molecule cannot all be hydrogen atoms) Is.
【0037】本発明の近接場光記録媒体において、記録
層に使用するジヘテロアリールエテン系化合物は、ガラ
ス転移点が55℃以上、好ましくは60℃以上のアモル
ファス状であり、アモルファス状であるためには、前記
一般式(I)において、部分構造(a’)が有するR
5もしくはR6、または部分構造(b)が有する
R 4、の少なくとも一方が、比較的嵩高い基であること
が好ましい。In the near-field optical recording medium of the present invention,
The diheteroarylethene compound used for the layer is
Am transition point of 55 ° C or higher, preferably 60 ° C or higher
In order to be fuzzy and amorphous,
In the general formula (I), R represented by the partial structure (a ′)
5Or R6Or the partial structure (b) has
R 4, At least one of which is a relatively bulky group
Is preferred.
【0038】しかし、この基が嵩高い基であっても、本
発明に不適当である場合があり、例えば分子量が大きす
ぎると、記録層中のフォトクロミック材料分子の存在密
度が低くなり、またガラス転移点が低下する傾向がある
ため、光記録媒体として好ましくない。However, even if this group is a bulky group, it may be unsuitable for the present invention. For example, if the molecular weight is too large, the density of photochromic material molecules in the recording layer will be low, and Since the transition point tends to decrease, it is not preferable as an optical recording medium.
【0039】これらを考慮した結果、R4、R5、およ
びR6は、水素原子か、または以下に例示する基から選
ばれることが特に好ましい。但し、一つの化合物が有す
るR 4、R5、およびR6が全て水素原子になることは
ない。As a result of considering these, R4, R5, And
And R6Is selected from a hydrogen atom and the groups exemplified below.
It is particularly preferred that it is removed. However, one compound has
R 4, R5, And R6Are all hydrogen atoms
Absent.
【0040】[0040]
【化7】 Embedded image
【0041】[0041]
【化8】 Embedded image
【0042】本発明におけるジヘテロアリールエテン系
化合物の具体例としては、下記化合物(A)〜(M)が
挙げられる。Specific examples of the diheteroarylethene compound in the present invention include the following compounds (A) to (M).
【0043】[0043]
【化9】 Embedded image
【0044】[0044]
【化10】 Embedded image
【0045】[0045]
【化11】 Embedded image
【0046】[0046]
【化12】 Embedded image
【0047】[0047]
【化13】 Embedded image
【0048】本発明では、このようなジヘテロアリール
エテン系化合物等のフォトクロミック材料を用いて、基
板上にアモルファス状の該フォトクロミック材料を含む
記録層を形成する。In the present invention, an amorphous recording layer containing the photochromic material is formed on a substrate by using such a photochromic material such as a diheteroarylethene compound.
【0049】記録層におけるフォトクロミック材料がア
モルファス状であるためには、記録層が透明である必要
がある。すなわち結晶化部分があると記録層に不透明な
部分が存在することになる。このことは、さらに正確に
は、記録層のX線回折図により確認できる。例えば光記
録媒体より剥離した記録層粉末のX線回折図を測定した
場合、アモルファス状のフォトクロミック材料は、長距
離秩序がなくなり短距離秩序だけが残っている状態であ
るため、入射X線の散乱によるハロー図形が見られる。In order for the photochromic material in the recording layer to be amorphous, the recording layer needs to be transparent. That is, if there is a crystallized portion, an opaque portion exists in the recording layer. This can be confirmed more accurately by the X-ray diffraction diagram of the recording layer. For example, when the X-ray diffraction pattern of the recording layer powder separated from the optical recording medium is measured, since the amorphous photochromic material has a state in which long-range order has disappeared and only short-range order remains, scattering of incident X-rays has occurred. You can see the halo figure by.
【0050】本発明の近接場光記録媒体における記録層
の形成方法としては、特に制限はないが、一般的には塗
布法や蒸着法等にて成膜することができる。The method for forming the recording layer in the near-field optical recording medium of the present invention is not particularly limited, but generally it can be formed by a coating method, a vapor deposition method or the like.
【0051】塗布法の場合、前述のジヘテロアリールエ
テン系化合物等のフォトクロミック材料を、四塩化炭
素、ベンゼン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、
テトラクロロエタン等の溶媒に分散ないし溶解させて、
バーコート、ロールコート、スピンコート等の塗布手段
で、基板上に塗布することにより成膜することができ
る。In the case of a coating method, a photochromic material such as the above-mentioned diheteroarylethene-based compound is used by adding carbon tetrachloride, benzene, cyclohexane, methyl ethyl ketone,
Dispersed or dissolved in a solvent such as tetrachloroethane,
A film can be formed by applying the composition on a substrate by a coating means such as bar coating, roll coating, and spin coating.
【0052】この時、バインダーを実質的に用いること
なく成膜するのが望ましい。仮に、バインダーを用いた
場合には、その使用量を該フォトクロミック材料に対し
て5重量%以下とすることが好ましい。即ち前述したよ
うに、本発明の好適化合物であるジヘテロアリールエテ
ン系化合物を用いる特徴は、実質的にバインダーを用い
ることなく記録層を成膜できることにあり、これによ
り、フォトクロミック材料分子としてのジヘテロアリー
ルエテン系化合物の存在密度が高く、高密度の記録が可
能な光記録媒体が得られる。At this time, it is desirable to form the film without using a binder substantially. If a binder is used, the amount of the binder used is preferably 5% by weight or less based on the photochromic material. That is, as described above, the feature of using the diheteroarylethene-based compound, which is a preferred compound of the present invention, is that the recording layer can be formed substantially without using a binder, whereby the dichromate as a photochromic material molecule can be formed. An optical recording medium having a high density of the heteroarylethene compound and capable of recording at a high density can be obtained.
【0053】本発明の近接場光記録媒体における、記録
層の光学濃度(OD値)は、膜厚100nmに対し通常
0.4以上、好ましくは0.6以上である。In the near-field optical recording medium of the present invention, the optical density (OD value) of the recording layer is usually 0.4 or more, preferably 0.6 or more for a film thickness of 100 nm.
【0054】本発明の近接場光記録媒体に使用される基
板としては、使用する光に対して透明又は不透明のいず
れでも良い。基板の材質としては、ガラス、プラスチッ
ク、紙、板状又は箔状の金属など一般の記録材料の支持
体が挙げられ、これらのうちプラスチックが種々の点か
ら好適である。プラスチックとしては、アクリル樹脂、
メタアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、
ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサ
ルホン樹脂等が挙げられる。The substrate used for the near-field optical recording medium of the present invention may be either transparent or opaque to the light used. Examples of the material of the substrate include supports of general recording materials such as glass, plastic, paper, plate-like or foil-like metal, and among these, plastic is suitable from various points. As plastic, acrylic resin,
Methacrylic resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride resin,
Examples include nitrocellulose, polyethylene resin, polypropylene resin, polycarbonate resin, polyimide resin, and polysulfone resin.
【0055】このような基板上に形成する記録層の膜厚
は0.05〜1μm、特に0.1〜0.6μmとするの
が好ましい。The thickness of the recording layer formed on such a substrate is preferably 0.05 to 1 μm, particularly preferably 0.1 to 0.6 μm.
【0056】なお、記録層の成膜に当り、バインダーを
用いる場合、バインダーとしてはポリエステル樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ塩化
ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリメタクリル酸メチ
ル、ポリ酢酸ビニル、酢酸セルロース、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂等を用いることができる。When a binder is used for forming the recording layer, the binder may be polyester resin, polystyrene resin, polyvinyl butyral resin, polyvinylidene chloride, polyvinyl chloride, polymethyl methacrylate, polyvinyl acetate, or cellulose acetate. ,Epoxy resin,
A phenol resin or the like can be used.
【0057】また、基板上に記録層を形成する場合、必
要に応じて、反射層、下引き層、保護層などを設けるこ
とができる。When a recording layer is formed on a substrate, a reflective layer, an undercoat layer, a protective layer, and the like can be provided as necessary.
【0058】このようにして成膜される記録層は、フォ
トクロミック材料のアモルファス層であるため、その表
面が極めて平滑であるが、特に、本発明においては、近
接場光記録媒体としての用途から、この記録層の表面
は、平坦度(Ra)が3nm以下、好ましくは、1nm
以下の平滑性に優れたものであることが好ましい。The recording layer formed in this way is an amorphous layer of a photochromic material, and therefore has a very smooth surface. In particular, in the present invention, the recording layer is used for a near-field optical recording medium. The surface of the recording layer has a flatness (Ra) of 3 nm or less, preferably 1 nm.
It is preferable to have the following excellent smoothness.
【0059】なお、本発明の光記録媒体を用いて近接場
光記録を行うためには、エバネッセント光発生源から記
録媒体の表面までの距離が数百nm程度であるため、記
録媒体表面の凹凸差は100nm以下であることが好ま
しい。In order to perform near-field optical recording using the optical recording medium of the present invention, since the distance from the evanescent light source to the surface of the recording medium is about several hundreds of nanometers, the surface of the recording medium must be uneven. The difference is preferably 100 nm or less.
【0060】本発明の近接場光記録媒体に対する近接場
光記録方法は、このような本発明の近接場光記録媒体を
用い、この光記録媒体の記録層の全面に予め紫外線を照
射して該記録層に含まれるフォトクロミック材料を閉環
体にした後、光源の波長よりも微小なサイズのビームス
ポット径を有するエバネッセント光によって該フォトク
ロミック材料を開環させることにより信号を記録するこ
とを特徴とする。In the near-field optical recording method for a near-field optical recording medium of the present invention, the near-field optical recording medium of the present invention is used, and the entire surface of the recording layer of the optical recording medium is irradiated with ultraviolet rays in advance. After the photochromic material contained in the recording layer is closed, a signal is recorded by opening the photochromic material with evanescent light having a beam spot diameter smaller than the wavelength of the light source.
【0061】以下に本発明の近接場光記録方法を、図面
を参照してより具体的に説明する。Hereinafter, the near-field optical recording method of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings.
【0062】図1は、本発明に好適な記録・再生・消去
装置の一例を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a recording / reproducing / erasing apparatus suitable for the present invention.
【0063】波長よりも微小なサイズの光源は、微小電
極用キャピラリー(波長よりも微小なサイズの孔径を有
するもの、例えば、孔径0.5μm以下、好ましくは孔
径0.2μm以下、より好ましくは孔径0.1μm以
下)10、He−Neレーザ光1、Arレーザ光2、或
いは半導体レーザ光をハーフミラー3を介してガラスフ
ァイバー4により導入するか、EL素子を微小電極用キ
ャピラリー10中に構築することにより得ることができ
る。A light source having a size smaller than the wavelength is a capillary for a microelectrode (having a pore size smaller than the wavelength, for example, 0.5 μm or less, preferably 0.2 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. 0.1 μm or less) 10, He-Ne laser light 1, Ar laser light 2, or semiconductor laser light is introduced by glass fiber 4 via half mirror 3, or an EL element is built in microelectrode capillary 10. Can be obtained.
【0064】記録・再生・消去には、近視野光走査顕微
鏡(フォトンSTM)の原理を採用する。即ち、記録に
は上記光源を電歪素子5中に装着し、位置制御回路7で
まずZ軸方向から記録媒体9へ接近させ(通常0.1μ
m以下の距離)、その後、X、Y軸方向へ走査し、入力
情報に従い光源をON・OFFして記録する。この記録
により、媒体9の吸光度の変化が誘起される。For recording, reproduction and erasing, the principle of a near-field optical scanning microscope (photon STM) is adopted. That is, for recording, the light source is mounted in the electrostrictive element 5, and the position control circuit 7 first approaches the recording medium 9 from the Z-axis direction (normally 0.1 μm).
Then, scanning is performed in the X- and Y-axis directions, and the light source is turned ON / OFF in accordance with the input information and recorded. This recording induces a change in the absorbance of the medium 9.
【0065】再生は、以下のように行う。光源は上記と
同様のものを用いる。ただし、同一キャピラリー10中
に記録用とは異なった波長の光を導入して用いてもよ
い。再生用光源を強度変調する、或いはZ軸方向におい
て位置変調することにより記録面からの反射光(この場
合は、記録面の下に反射膜をつける。)或いは透過光を
記録面前面或いは後面に置いた光電変換素子6により検
出する。また、このような変調をせずに直接検出しても
よい。記録により、吸光度の変化した部分からの反射光
或いは透過光は変化していることから、記録されたピッ
トとされていないピットとの違い、即ち記録情報は、反
射光或いは透過光強度の違いから読み取ることができ
る。8は、この読み取りのための読取信号処理回路であ
る。Reproduction is performed as follows. A light source similar to the above is used. However, light having a different wavelength from that for recording may be introduced into the same capillary 10 for use. By modulating the intensity of the reproducing light source or modulating the position in the Z-axis direction, reflected light from the recording surface (in this case, a reflective film is provided below the recording surface) or transmitted light is transmitted to the front or rear surface of the recording surface. It is detected by the photoelectric conversion element 6 placed. Alternatively, detection may be directly performed without performing such modulation. Since the reflected light or transmitted light from the portion where the absorbance has changed by recording has changed, the difference between the recorded pits and the pits that have not been recorded, that is, the recorded information is based on the difference in reflected light or transmitted light intensity. Can be read. Reference numeral 8 denotes a read signal processing circuit for reading.
【0066】消去は、紫外光を用いて行う。Erasing is performed using ultraviolet light.
【0067】以上のように、フォトクロミック材料を記
録材料とし、光源の波長よりも微小なサイズのビームス
ポット径を有するエバネッセント光を記録・再生・消去
光源として用いることにより、ビームスポット径のサイ
ズが0.1μmであれば現行の光記録の100倍の密
度、またそれが0.01μmであれば現行の光記録の1
0000倍の密度の記録が可能となる。しかも、本発明
では記録層がフォトクロミック材料のアモルファス層で
あるため、フォトクロミック材料分子の存在密度が高
く、表面の平滑性に優れた記録層に対して高密度記録を
行える。As described above, by using the photochromic material as the recording material and using the evanescent light having the beam spot diameter smaller than the wavelength of the light source as the recording / reproducing / erasing light source, the size of the beam spot diameter becomes zero. .1 .mu.m, 100 times the density of the current optical recording, and 0.01 .mu.m, 1 times the density of the current optical recording.
Recording at a density of 0000 times becomes possible. Moreover, in the present invention, since the recording layer is an amorphous layer of a photochromic material, high density recording can be performed on a recording layer having a high density of photochromic material molecules and excellent surface smoothness.
【0068】[0068]
【実施例】以下に、製造例、実施例及び比較例を挙げて
本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を
超えない限り、以下の実施例に限定されるものではな
い。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Production Examples, Examples, and Comparative Examples. However, the present invention is not limited to the following Examples unless it exceeds the gist thereof. .
【0069】製造例1Production Example 1
【0070】[0070]
【化14】 Embedded image
【0071】上記化合物(i)1.4g(2.99mm
ol)にニトロベンゼン15mlを加えて氷水で冷却
し、Cl2CHOCH3 0.3ml(3mmol)を
加えた。ここにAlCl3 403mg(3mmol)
をすりつぶして加え、クロロホルムで抽出し、ヘキサン
−クロロホルム(1:1)の溶媒でカラム分離し、上記
化合物(ii)を得た。反応収率は70%であった。The above compound (i) 1.4 g (2.99 mm
ol), 15 ml of nitrobenzene was added, the mixture was cooled with ice water, and 0.3 ml (3 mmol) of Cl 2 CHOCH 3 was added. Here, 403 mg (3 mmol) of AlCl 3
Was added by grinding, extracted with chloroform, and subjected to column separation with a solvent of hexane-chloroform (1: 1) to obtain the above compound (ii). The reaction yield was 70%.
【0072】次に、ブロモジフェニルメタン27.4g
(100mmol)とトリフェニルホスフィン28.8
g(110mmol)を、ベンゼン250mlに溶かし
て16時間加熱環流した。放冷後、析出した沈殿を濾過
し、白色固体(iii)を得た。反応収率は30%であっ
た。Next, 27.4 g of bromodiphenylmethane
(100 mmol) and triphenylphosphine 28.8
g (110 mmol) was dissolved in 250 ml of benzene and heated under reflux for 16 hours. After cooling, the deposited precipitate was filtered to obtain a white solid (iii). The reaction yield was 30%.
【0073】得られた化合物(iii) 1.06g
(2.09mmol)をTHF(テトラヒドロフラン)
に溶かし、アルゴンガス雰囲気下0℃で、n−ブチルリ
チウム1.3ml(2.09mmol)を1滴ずつ滴下
した。20分攪拌した後、化合物(ii) 1g(2.0
2mmol)を加え、24時間室温で攪拌した。1.06 g of the obtained compound (iii)
(2.09 mmol) in THF (tetrahydrofuran)
, And 1.3 ml (2.09 mmol) of n-butyllithium was added dropwise at 0 ° C under an argon gas atmosphere. After stirring for 20 minutes, 1 g of compound (ii) (2.0 g)
2 mmol) and stirred at room temperature for 24 hours.
【0074】ジエチルエーテルで抽出し、クロロホルム
溶媒カラムにて分離精製した。Extraction was performed with diethyl ether, and separation and purification were performed using a chloroform solvent column.
【0075】実施例1 製造例1にて得られた下記化合物(前記例示化合物
(D)。ガラス転移点は75℃)のヘキサン溶液(10
0mg/10ml)をガラス基板上に滴下し、スピンコ
ート法により薄膜形成した。Example 1 A hexane solution (10%) of the following compound (Exemplified Compound (D) having a glass transition point of 75 ° C.) obtained in Production Example 1
0 mg / 10 ml) was dropped on a glass substrate, and a thin film was formed by spin coating.
【0076】[0076]
【化15】 Embedded image
【0077】スピンコート条件は回転数1000rpm
で5分間、その後回転数3000rpmで10秒間と
し、膜厚350nmのアモルファス膜よりなる記録層を
成膜した。この記録層の膜厚100nmあたりのOD値
は0.7であった。The spin coating conditions were as follows: rotation speed 1000 rpm
For 5 minutes and then at a rotation speed of 3000 rpm for 10 seconds to form a 350 nm thick amorphous recording layer. The OD value per 100 nm of the film thickness of this recording layer was 0.7.
【0078】形成されたアモルファス膜の平均表面粗さ
(Ra)をAFM(走査型トンネル顕微鏡)で測定した
ところ、1nm以下であった。また得られた記録層に
は、不透明な部分はなく全面透明であった。The average surface roughness (Ra) of the formed amorphous film was measured by AFM (scanning tunneling microscope) and found to be 1 nm or less. The obtained recording layer was entirely transparent without any opaque portions.
【0079】次に、このようにして作成された光記録媒
体を用いて記録・再生・消去を行った。Next, recording, reproduction, and erasing were performed using the optical recording medium thus prepared.
【0080】光記録は以下のように行った。まず、記録
層全面に紫外光(366nm)を照射して、青色に着色
させた。次いで、近接場顕微鏡(NSOM(near
field scanning optical mi
croscope):Topometrix社製、TM
X2100Aurora)にセットし、He−Neレー
ザ光からの632.8nmの光を1分間照射した。その
後、レーザー光強度を1/20にして、全面スキャンし
た。その結果、約80nm径のスポットが記録されてい
るのが確認された。これらの書き込みスポットは、紫外
光(366nm)照射により消去された。Optical recording was performed as follows. First, the entire surface of the recording layer was irradiated with ultraviolet light (366 nm) to be colored blue. Next, a near-field microscope (NSOM (near
field scanning optical mi
(crossscope): TM manufactured by Topometrix, Inc.
X2100 Aurora) and irradiated with 632.8 nm light from a He-Ne laser beam for 1 minute. Thereafter, the entire surface was scanned with the laser light intensity reduced to 1/20. As a result, it was confirmed that a spot having a diameter of about 80 nm was recorded. These writing spots were erased by irradiation with ultraviolet light (366 nm).
【0081】なお、この光記録媒体について、温度80
℃、湿度85%で200時間保持する高湿高温下での保
存安定性試験を行った後、上記と同様に記録・再生・消
去を行ったところ、正常に信号スポットが検出され、同
様に消去可能であった。The temperature of the optical recording medium is 80
After conducting a storage stability test under high humidity and high temperature of 200 ° C. and a humidity of 85% for 200 hours, recording, reproduction and erasing were performed in the same manner as above, and a signal spot was normally detected and erased similarly. It was possible.
【0082】実施例2 製造例1に準じて、下記構造式で表されるビス(2,4
−ジメチル−5−(4−t−ブチル)フェニルチオフェ
ン−3−イル)ペルフルオロシクロペンテン(前記例示
化合物(A)。ガラス転移点は70℃)を合成した。Example 2 In accordance with Production Example 1, bis (2,4
-Dimethyl-5- (4-t-butyl) phenylthiophen-3-yl) perfluorocyclopentene (the above exemplified compound (A); glass transition point was 70 ° C).
【0083】[0083]
【化16】 Embedded image
【0084】この化合物(A)を用いて、実施例1と同
様にガラス基板上に成膜したところ、膜厚350nmの
アモルファス膜よりなる記録層を成膜した。この記録層
の膜厚100nmあたりのOD値は0.65であった。When this compound (A) was used to form a film on a glass substrate in the same manner as in Example 1, a 350 nm thick amorphous recording layer was formed. The OD value per 100 nm of the film thickness of this recording layer was 0.65.
【0085】形成されたアモルファス膜の平均表面粗さ
(Ra)をAFM(走査型トンネル顕微鏡)で測定した
ところ、1nm以下であった。また得られた記録層に
は、不透明な部分はなく全面透明であった。When the average surface roughness (Ra) of the formed amorphous film was measured by AFM (scanning tunneling microscope), it was 1 nm or less. The obtained recording layer was entirely transparent without any opaque portions.
【0086】次に、この光記録媒体を用いて実施例1と
同様に記録・再生・消去を行った。その結果、図2
(a)に示す如く、約80nm径のスポットが記録され
ているのが確認された。Next, recording, reproduction and erasing were performed in the same manner as in Example 1 using this optical recording medium. As a result, FIG.
As shown in (a), it was confirmed that a spot having a diameter of about 80 nm was recorded.
【0087】次いで、もう一度同様の書き込み操作を別
の場所で行い、読み出しを行った。その結果、図2
(b)に示す如く、2つ目の微小スポット(約80nm
径)の書き込みが達成された。Next, the same write operation was performed once again at another place, and read was performed. As a result, FIG.
As shown in (b), the second minute spot (about 80 nm)
Diameter) writing was achieved.
【0088】これらの書き込みスポットは、紫外光(3
66nm)照射により消去された。These writing spots are made of ultraviolet light (3
66 nm).
【0089】なお、実施例1と同様に行った高湿高温下
での保存安定性試験後も、正常に信号記スポットが検出
され、同様に消去可能であった。After the storage stability test under high humidity and high temperature conducted in the same manner as in Example 1, the signal recording spot was normally detected and the erasure was possible.
【0090】比較例1 実施例1における化合物(D)の代わりに、下記構造式
で表される、ガラス転移点40℃のペルフルオロシクロ
ペンテン系フォトクロミック化合物を用いて、実施例1
と同様にガラス基板上に成膜したところ、該化合物から
なるアモルファス層が得られたが、この記録層の膜厚1
00nmあたりのOD値は0.035と低く、実施例1
の1/20であった。Comparative Example 1 A perfluorocyclopentene-based photochromic compound having a glass transition point of 40 ° C. represented by the following structural formula was used in place of the compound (D) in Example 1.
When a film was formed on a glass substrate in the same manner as in the above, an amorphous layer made of the compound was obtained.
The OD value per 00 nm was as low as 0.035.
Was 1/20.
【0091】[0091]
【化17】 Embedded image
【0092】次いで、この光記録媒体を用いて実施例1
と同様に、得られた層に対して光記録を行ったところ、
感度は低く、約80nm径のスポットが記録されている
のが確認されたが、実施例1と同様に高温高湿下での保
存安定性試験を行った後、記録スポットを観察したとこ
ろ、スポット形状が変形しており、正常に検出すること
ができなかった。Next, Example 1 was performed using this optical recording medium.
Similarly to the above, when optical recording was performed on the obtained layer,
The sensitivity was low, and it was confirmed that a spot having a diameter of about 80 nm was recorded. However, after performing a storage stability test under high temperature and high humidity as in Example 1, the recorded spot was observed. The shape was deformed and could not be detected normally.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上詳述した通り本発明によれば、ガラ
ス転移点55℃以上の、アモルファス状のフォトクロミ
ック材料を記録層に用いることにより、波長よりも微小
なサイズのエバネッセント光を用いて記録・再生・消去
可能であり、また記録後の信号の劣化が少ない近接場光
記録媒体を提供することができる。As described in detail above, according to the present invention, by using an amorphous photochromic material having a glass transition point of 55 ° C. or higher for a recording layer, recording is performed using evanescent light having a size smaller than the wavelength. It is possible to provide a near-field optical recording medium that can be reproduced / erased and has little deterioration of a signal after recording.
【0094】しかも、アモルファス状であることによ
り、フォトクロミック材料分子の存在密度が高く、表面
の平滑性に優れ、非常に高密度記録が可能な近接場光記
録媒体及び近接場光記録方法が提供される。また、該フ
ォトクロミック材料のガラス転移点が55℃以上である
ことにより、通常の使用において考えられる環境下で
の、記録済み光記録媒体の信号劣化は避けられ、安定に
維持されるものと推定される。Moreover, the near-field optical recording medium and the near-field optical recording method, which are amorphous, have a high density of photochromic material molecules, have excellent surface smoothness, and are capable of extremely high-density recording. You. Further, it is presumed that the glass transition point of the photochromic material is 55 ° C. or higher, so that signal deterioration of the recorded optical recording medium in an environment conceivable in normal use is avoided and the photochromic material is stably maintained. You.
【図1】本発明に好適な記録・再生・消去装置の一例を
示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a recording / reproducing / erasing apparatus suitable for the present invention.
【図2】実施例1における記録スポットのNSOM光学
像である。FIG. 2 is an NSOM optical image of a recording spot in Example 1.
1 He−Neレーザ 2 Arレーザ 3 ハーフミラー 4 ガラスファイバー 5 電歪素子(X、Y、Z軸制御用) 6 光電変換素子(検出器) 7 位置制御回路 8 読出信号処理回路 9 記録媒体 10 微小電極用キャピラリー Reference Signs List 1 He-Ne laser 2 Ar laser 3 Half mirror 4 Glass fiber 5 Electrostrictive element (for X, Y, Z axis control) 6 Photoelectric conversion element (detector) 7 Position control circuit 8 Readout signal processing circuit 9 Recording medium 10 Micro Capillary for electrode
Claims (12)
スポット径を有するエバネッセント光を用いた記録・再
生・消去が可能な近接場光記録媒体において、 該光記録媒体の記録層が、ガラス転移点55℃以上のフ
ォトクロミック材料を主体とする、アモルファス状の層
よりなることを特徴とする近接場光記録媒体。1. A near-field optical recording medium capable of recording / reproducing / erasing using evanescent light having a beam spot diameter smaller than the wavelength of a light source, wherein a recording layer of the optical recording medium has a glass transition. A near-field optical recording medium comprising an amorphous layer mainly composed of a photochromic material having a temperature of 55 ° C. or higher.
材料が、ガラス転移点55℃以上のジヘテロアリールエ
テン系化合物であることを特徴とする近接場光記録媒
体。2. The near-field optical recording medium according to claim 1, wherein the photochromic material is a diheteroarylethene-based compound having a glass transition point of 55 ° C. or higher.
エテン系化合物が、ヘテロアリール部にピロール環、チ
オフェン環、フラン環又はセレノフェン環を有すること
を特徴とする近接場光記録媒体。3. The near-field optical recording medium according to claim 2, wherein the diheteroarylethene compound has a pyrrole ring, a thiophene ring, a furan ring, or a selenophene ring in a heteroaryl portion.
リールエテン系化合物が下記一般式(I)で表される化
合物であることを特徴とする近接場光記録媒体。 【化1】 4. The near-field optical recording medium according to claim 2, wherein the diheteroarylethene-based compound is a compound represented by the following general formula (I). Embedded image
るXおよびYの少なくとも一方が下記構造(a’)であ
ることを特徴とする近接場光記録媒体。 【化2】 5. The near-field optical recording medium according to claim 4, wherein at least one of X and Y in the general formula (I) has the following structure (a ′). Embedded image
るXおよびYの両方が前記構造(b)であることを特徴
とする近接場光記録媒体。6. The near-field optical recording medium according to claim 4, wherein both X and Y in the general formula (I) have the structure (b).
るXが前記構造(a’)であり、Yが前記構造(b)で
ある(但し、同一分子中のR4、R5およびR6がすべ
て水素原子になることはない)ことを特徴とする近接場
光記録媒体。7. The method according to claim 5, wherein X in the general formula (I) is the structure (a ′) and Y is the structure (b) (provided that R 4 , R 5 and R 6 is not a hydrogen atom).
るXおよびYの両方が前記構造(a’)である(但し、
同一分子中のR5およびR6がすべて水素原子になるこ
とはない)ことを特徴とする近接場光記録媒体。8. The method according to claim 5, wherein both X and Y in the general formula (I) have the structure (a ′) (provided that:
R 5 and R 6 in the same molecule are not all hydrogen atoms).
て、フォトクロミック材料のガラス転移点が60℃以上
であることを特徴とする近接場光記録媒体。9. The near-field optical recording medium according to claim 1, wherein the glass transition point of the photochromic material is 60 ° C. or higher.
いて、前記記録層は、アモルファス状の前記ジヘテロア
リールエテン系化合物を含み、かつ実質的にバインダー
なしに形成された層であることを特徴とする近接場光記
録媒体。10. The recording layer according to claim 1, wherein the recording layer is a layer containing the amorphous diheteroarylethene-based compound and formed substantially without a binder. Characteristic near-field optical recording medium.
おいて、前記記録層の光学濃度(OD値)が、その膜厚
を100nmとしたとき0.4以上であることを特徴と
する近接場光記録媒体。11. The near-field according to claim 1, wherein the optical density (OD value) of the recording layer is 0.4 or more when the film thickness is 100 nm. Optical recording medium.
記載の近接場光記録媒体を用い、該近接場光記録媒体の
記録層の全面に予め紫外線を照射して該記録層に含まれ
るフォトクロミック材料を閉環体にした後、光源の波長
よりも微小なサイズのビームスポット径を有するエバネ
ッセント光によって該フォトクロミック材料を開環させ
ることにより信号を記録することを特徴とする近接場光
記録方法。12. The near-field optical recording medium according to claim 1, wherein the entire surface of the recording layer of the near-field optical recording medium is irradiated with ultraviolet rays in advance and is included in the recording layer. A near-field optical recording method, comprising: forming a ring of a photochromic material; and recording a signal by opening the photochromic material with evanescent light having a beam spot diameter smaller than the wavelength of a light source.
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