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JP2000315845A - Circuit board - Google Patents

Circuit board

Info

Publication number
JP2000315845A
JP2000315845A JP12147699A JP12147699A JP2000315845A JP 2000315845 A JP2000315845 A JP 2000315845A JP 12147699 A JP12147699 A JP 12147699A JP 12147699 A JP12147699 A JP 12147699A JP 2000315845 A JP2000315845 A JP 2000315845A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
insulating material
resin
particles
organic insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12147699A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Miyamoto
昌宏 宮本
Nobuyuki Ito
信幸 伊藤
Akio Hiraharu
晃男 平春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP12147699A priority Critical patent/JP2000315845A/en
Publication of JP2000315845A publication Critical patent/JP2000315845A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産性、絶縁特性に優れ、しかも低誘電率か
つ低誘電正接の絶縁材からなる基板を有し、高周波領域
で用いることができる回路基板を提供すること。 【解決手段】 TGAによる10重量%減量温度が14
0〜300℃の範囲にあり、かつ誘電率が3.5以下で
ある絶縁材からなる絶縁層を少なくとも一層有する回路
基板が提供される。
(57) [Problem] To provide a circuit board which has excellent productivity and insulating properties, has a substrate made of an insulating material having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and can be used in a high frequency region. SOLUTION: The weight loss temperature by TGA is 14% by weight.
A circuit board having at least one insulating layer made of an insulating material having a temperature in a range of 0 to 300 ° C. and a dielectric constant of 3.5 or less is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、生産性、絶縁特性
に優れ、しかも低誘電率かつ低誘電正接の有機絶縁材か
らなる基板を有し、高周波領域で用いることができる回
路基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board which has excellent productivity and insulating properties, has a substrate made of an organic insulating material having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and can be used in a high frequency range.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子回路基板の基板として使用するため
に、ガラス繊維織布基材にエポキシ樹脂あるいはポリイ
ミドなどの熱硬化性樹脂を含浸乾燥して得たプリプレグ
を所定枚数重ね合わせ、これを加熱加圧成形した積層板
が製造されている。これら積層板の誘電率は、4.9〜
5.1と高いため、これを基板とする回路基板の静電容
量が大きくなり、その結果基板上に形成されている回路
間でクロストークが発生する等高周波を取り扱う回路基
板としては不適であった。誘電率の低い回路基板用積層
板を得る方法として、熱硬化性樹脂中に中空ガラス粒子
を充填することが提案されている(特開昭56−492
56号公報、特開昭56−49257号公報、特開平5
−1387974号公報、特開平8−46309号公報
参照)。中空ガラス粒子の内部には、空気、窒素などの
気体が存在し、この気体が低誘電率であることから、積
層板全体が低誘電率化する。
2. Description of the Related Art A predetermined number of prepregs obtained by impregnating and drying a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyimide on a woven glass fiber base material are laminated and heated for use as a substrate of an electronic circuit board. Pressure molded laminates have been manufactured. The dielectric constant of these laminates is between 4.9 and
Since it is high at 5.1, the capacitance of a circuit board using this as a substrate becomes large, and as a result, it is not suitable as a circuit board for handling high frequencies such as occurrence of crosstalk between circuits formed on the board. Was. As a method for obtaining a circuit board laminate having a low dielectric constant, it has been proposed to fill hollow glass particles in a thermosetting resin (JP-A-56-492).
No. 56, JP-A-56-49257, JP-A-5-49257
1387974 and JP-A-8-46309). Gases such as air and nitrogen are present inside the hollow glass particles, and since the gas has a low dielectric constant, the dielectric constant of the entire laminate is reduced.

【0003】しかしながら、従来知られている熱硬化性
樹脂中に中空ガラス粒子を充填する方法は、中空ガラス
粒子が樹脂との親和性が悪く、樹脂中に均一に分散する
ことが難しく、製造された積層板は、内部にボイドが発
生しやすい。内部にボイドが発生した積層板を回路基板
の基板として使用すると、基板の機械的強度が著しく劣
化するので実用的でない。
However, the method of filling hollow glass particles into a thermosetting resin, which is conventionally known, has a poor affinity for the hollow glass particles and makes it difficult to uniformly disperse the same in the resin. In the laminated board, voids are easily generated inside. It is not practical to use a laminate having voids formed therein as a substrate of a circuit board, because the mechanical strength of the substrate is significantly deteriorated.

【0004】また、回路基板の高密度化に伴い、回路が
形成された基板を積層した多層回路基板が最近開発され
ているが、この場合も絶縁性を損なわずに基板のさらな
る低誘電率化が要請されている。また、多層回路基板の
場合、各基板の表面に形成された回路の接触を避け、回
路間を絶縁するために基板間に絶縁層を設けることや、
単層あるいは複層の回路基板に半導体素子を実装したと
きに回路基板と半導体素子間の空隙に封止材層を設ける
ことが行われているが、この封止材層に対しても基板と
同様な絶縁性と低誘電率が要請されている。
Further, with the increase in the density of circuit boards, a multilayer circuit board in which boards on which circuits are formed has been recently developed, but also in this case, the dielectric constant of the board can be further reduced without impairing the insulating property. Has been requested. Also, in the case of a multilayer circuit board, an insulating layer is provided between the boards to avoid contact of circuits formed on the surface of each board and to insulate between circuits,
When a semiconductor element is mounted on a single-layer or multi-layer circuit board, a sealing material layer is provided in a gap between the circuit board and the semiconductor element. Similar insulating properties and low dielectric constant are required.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、生産
性、絶縁特性に優れ、しかも低誘電率かつ低誘電正接の
有機絶縁材からなる基板を有する回路基板を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、高周波数領域で用いる
ことができ信頼性の高い回路基板を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a circuit board having a substrate made of an organic insulating material having excellent productivity and insulating properties, and having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent. It is another object of the present invention to provide a highly reliable circuit board that can be used in a high frequency range.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記の
回路基板が提供されて、本発明の上記目的が達成され
る。 (1)TGAによる10重量%減量温度が140〜30
0℃の範囲にあり、かつ誘電率が3.5以下である有機
絶縁材からなる基板を少なくとも一層有することを特徴
とする回路基板。 (2)有機絶縁材が連続相を形成している有機高分子を
含有していることを特徴とする上記(1)に記載の回路
基板。 (3)有機高分子が熱硬化性樹脂であることを特徴とす
る上記(2)に記載の回路基板。 (4)有機絶縁材が連続相を形成している有機高分子中
に分散した架橋樹脂粒子を含有していることを特徴とす
る上記(2)または(3)に記載の回路基板。 (5)架橋樹脂粒子が中空構造を有する中空粒子である
ことを特徴とする上記(4)に記載の回路基板。 (6)有機絶縁材が基材と複合していることを特徴とす
る上記(1)〜(5)のいずれかに記載の回路基板。 (7)基板の片面または両面に回路が形成された導電部
が設けられていることを特徴とする上記(1)〜(6)
のいずれかに記載の回路基板。 (8)基板が複数存在しており、有機絶縁材からなる絶
縁層が基板間に設けられていることを特徴とする上記
(1)〜(7)のいずれかに記載の回路基板。
According to the present invention, the following circuit board is provided to achieve the above object of the present invention. (1) A 10% weight loss temperature by TGA is 140 to 30
A circuit board comprising at least one board made of an organic insulating material having a temperature of 0 ° C. and a dielectric constant of 3.5 or less. (2) The circuit board according to the above (1), wherein the organic insulating material contains an organic polymer forming a continuous phase. (3) The circuit board according to (2), wherein the organic polymer is a thermosetting resin. (4) The circuit board as described in (2) or (3) above, wherein the organic insulating material contains crosslinked resin particles dispersed in an organic polymer forming a continuous phase. (5) The circuit board according to (4), wherein the crosslinked resin particles are hollow particles having a hollow structure. (6) The circuit board according to any one of the above (1) to (5), wherein the organic insulating material is composited with the base material. (7) The above (1) to (6), wherein a conductive portion having a circuit formed on one or both surfaces of the substrate is provided.
The circuit board according to any one of the above. (8) The circuit board according to any one of (1) to (7), wherein a plurality of substrates are present, and an insulating layer made of an organic insulating material is provided between the substrates.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳述する。本発明
の回路基板は、TGAによる10重量%減量温度が14
0〜300℃、好ましくは150〜290℃、より好ま
しくは190〜280℃の範囲にあり、かつ誘電率が
3.5以下、好ましくは3.4以下である有機絶縁材か
らなる基板を少なくとも一層有する。本発明の回路基板
の上記基板を構成する上記有機絶縁材は、有機高分子を
含有し、それが有機絶縁材中で連続相を形成しているこ
とが好ましい。そして、連続相を形成している有機高分
子中に架橋樹脂粒子が分散していることがさらに好まし
い。このような有機絶縁材は、架橋樹脂粒子を含有する
有機絶縁材用組成物を成形、加工して得ることができ
る。なお、上記架橋樹脂粒子における「架橋樹脂」と
は、架橋構造を有し、かつDSCで測定したガラス転移
温度(Tg)が好ましくは10℃以上、より好ましくは
50℃以上の樹脂を意味する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail. The circuit board of the present invention has a 10% weight loss temperature by TGA of 14%.
0 to 300 ° C., preferably 150 to 290 ° C., more preferably 190 to 280 ° C., and at least one substrate made of an organic insulating material having a dielectric constant of 3.5 or less, preferably 3.4 or less. Have. The organic insulating material constituting the substrate of the circuit board of the present invention preferably contains an organic polymer, which forms a continuous phase in the organic insulating material. Further, it is more preferable that the crosslinked resin particles are dispersed in the organic polymer forming the continuous phase. Such an organic insulating material can be obtained by molding and processing a composition for an organic insulating material containing crosslinked resin particles. The “crosslinked resin” in the above crosslinked resin particles means a resin having a crosslinked structure and having a glass transition temperature (Tg) measured by DSC of preferably 10 ° C. or more, more preferably 50 ° C. or more.

【0008】上記有機絶縁材用組成物に含有される架橋
樹脂粒子は、 (i)誘電率が4以下、好ましくは3以下、より好まし
くは2.5以下、特に好ましくは2.0以下である。架
橋樹脂粒子の誘電率が上記範囲を満たすことにより、上
記有機絶縁材用組成物から形成される有機絶縁材が低誘
電率となる。さらに上記架橋樹脂粒子は、下記特性を有
することが好ましい。 (ii)平均粒子径が0.03〜10μm、好ましくは
0.1〜2μm、より好ましくは0.2〜1μmである
こと。 (iii)粒子に含まれる平均金属イオン濃度が50pp
m以下、好ましくは40ppm以下、より好ましくは2
0ppm以下であること。 (iv)TGA(熱重量分析)による10重量%減量温度
が、好ましくは200℃以上、より好ましくは220〜
400℃、特に好ましくは250〜380℃であるこ
と。 (v)誘電正接(tanδ)が好ましくは0.1以下、
より好ましくは0.05以下、特には0.01以下であ
ること。 上記(ii)の特性を有することにより、組成物中に架橋
樹脂粒子を微分散させやすくなる。(iii)の特性を有
することにより上記(i)および(v)の特性を満たす
ことが容易となる。(iV)の特性を有することは架橋樹
脂粒子が耐熱性に優れていることを示し、本発明の有機
絶縁材用組成物の成形加工時およびはんだ使用時に熱を
加えても架橋樹脂粒子に実質的な変化を生じさせないよ
うすることができる。そして(v)の特性を有すること
により、有機絶縁材が低誘電正接となり、それを用いた
回路基板の高周波領域での使用時に発熱が少ないものと
することができる。
The crosslinked resin particles contained in the composition for an organic insulating material have the following characteristics: (i) a dielectric constant of 4 or less, preferably 3 or less, more preferably 2.5 or less, and particularly preferably 2.0 or less. . When the dielectric constant of the crosslinked resin particles satisfies the above range, the organic insulating material formed from the composition for an organic insulating material has a low dielectric constant. Further, the crosslinked resin particles preferably have the following characteristics. (Ii) The average particle size is 0.03 to 10 μm, preferably 0.1 to 2 μm, more preferably 0.2 to 1 μm. (Iii) The average metal ion concentration contained in the particles is 50 pp
m, preferably 40 ppm or less, more preferably 2 ppm or less.
0 ppm or less. (Iv) A 10% weight loss temperature by TGA (thermogravimetric analysis) is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 220 to 200 ° C.
400 ° C, particularly preferably 250 to 380 ° C. (V) a dielectric loss tangent (tan δ) of preferably 0.1 or less;
More preferably 0.05 or less, especially 0.01 or less. Having the property (ii) facilitates fine dispersion of the crosslinked resin particles in the composition. Having the characteristic (iii) facilitates satisfying the characteristics (i) and (v). Having the property of (iV) indicates that the crosslinked resin particles have excellent heat resistance, and the crosslinked resin particles are substantially heated even when heat is applied during the forming process of the composition for an organic insulating material of the present invention and when using solder. Can be prevented from causing a significant change. By having the characteristic (v), the organic insulating material has a low dielectric loss tangent, and it is possible to reduce heat generation when a circuit board using the same is used in a high frequency region.

【0009】上記(iii)における金属イオンは、有機
絶縁材の絶縁性、誘電率、誘電正接等に影響を与える金
属イオンであり、例えばNa、K、Li、Fe、Ca、
Cu、Al、Mn、Sn等を挙げることができる。架橋
樹脂粒子中の金属イオン濃度を上記(iii)に記載した
如くにするには、下記〜の方法があり、これらの方
法を単独であるいは2つ以上を組み合わせて使用するこ
とができる。 架橋樹脂粒子を製造するための重合に用いる乳化剤、
開始剤として、金属イオンを含まないものを使用する。 重合に用いる重合溶媒としての水は、イオン交換水
等、金属イオンの少ないものを使用する。 重合後に、限外濾過や遠心分離機を用いて精製する。 重合後に、酸・塩凝固し、イオン交換水等金属イオン
の少ない洗浄水で洗浄する。 なお、架橋樹脂粒子中の塩素イオン濃度は、耐腐食性の
観点から、好ましくは50ppm以下、より好ましくは
40ppm以下、特に好ましくは20ppm以下であ
る。架橋樹脂粒子を製造するに当たって、重合に用いる
乳化剤は、アンモニウム塩タイプのアニオン乳化剤、ノ
ニオン乳化剤、有機酸塩タイプのカチオン乳化剤が好適
に用いられる。また、開始剤は、有機過酸化物、アゾ化
合物、アンモニウム塩タイプの過硫酸塩が好適に用いら
れる。
The metal ion in the above (iii) is a metal ion that affects the insulating property, dielectric constant, dielectric loss tangent, etc. of the organic insulating material. For example, Na, K, Li, Fe, Ca,
Cu, Al, Mn, Sn and the like can be mentioned. In order to make the metal ion concentration in the crosslinked resin particles as described in the above (iii), there are the following methods, and these methods can be used alone or in combination of two or more. An emulsifier used for polymerization for producing crosslinked resin particles,
An initiator containing no metal ion is used. As a water used as a polymerization solvent for the polymerization, water having a small amount of metal ions such as ion-exchanged water is used. After the polymerization, purification is performed using ultrafiltration or a centrifuge. After the polymerization, acid and salt are coagulated and washed with washing water having a small amount of metal ions such as ion exchange water. The chlorine ion concentration in the crosslinked resin particles is preferably 50 ppm or less, more preferably 40 ppm or less, particularly preferably 20 ppm or less from the viewpoint of corrosion resistance. In producing the crosslinked resin particles, an ammonium salt type anionic emulsifier, a nonionic emulsifier, and an organic acid salt type cationic emulsifier are suitably used as the emulsifier used for the polymerization. As the initiator, an organic peroxide, an azo compound or an ammonium salt type persulfate is suitably used.

【0010】本発明に用いられる架橋樹脂粒子は、中空
構造を有する中空粒子(以下「中空架橋樹脂粒子」とも
いう)であることが好ましい。中空架橋樹脂粒子は、誘
電率が小さい空気あるいは窒素などの気体を含むことに
なり、低誘電率とすることが容易である。しかも重合体
等との親和性が良いので、中空架橋樹脂粒子を含有する
後述する有機絶縁材用組成物を成形、加工して得られる
有機絶縁材にはボイドが発生せず有機絶縁材の機械的強
度を損なうことがない。中空架橋樹脂粒子は、上記架橋
樹脂粒子の特性(i)〜(v)を充足すると共に、さら
に低誘電率化の観点から、下記の特性を充足することが
好ましい。 (vi)内径が外径の0.1〜0.9倍、より好ましく
は0.2〜0.9倍、特に好ましくは0.3〜0.9倍
であること。 (vii)中空架橋樹脂粒子の平均比重が0.5〜1.
2、より好ましくは0.6〜1.1、特に好ましくは
0.65〜1.0であること。
The crosslinked resin particles used in the present invention are preferably hollow particles having a hollow structure (hereinafter also referred to as “hollow crosslinked resin particles”). The hollow crosslinked resin particles contain a gas having a small dielectric constant, such as air or nitrogen, and can easily have a low dielectric constant. In addition, since it has good affinity with polymers and the like, the organic insulating material obtained by molding and processing an organic insulating material composition containing hollow cross-linked resin particles described below does not generate voids and the mechanical properties of the organic insulating material are reduced. There is no loss of target strength. The hollow crosslinked resin particles preferably satisfy the properties (i) to (v) of the crosslinked resin particles, and further satisfy the following properties from the viewpoint of further lowering the dielectric constant. (Vi) The inner diameter is 0.1 to 0.9 times, more preferably 0.2 to 0.9 times, particularly preferably 0.3 to 0.9 times the outer diameter. (Vii) The average specific gravity of the hollow crosslinked resin particles is 0.5 to 1.
2, more preferably 0.6 to 1.1, particularly preferably 0.65 to 1.0.

【0011】なお、本発明において誘電率及び誘電正接
(tanδ)は、JIS C6481に従い、周波数1
6Hzで測定された値である。
In the present invention, the dielectric constant and the dielectric loss tangent (tan δ) are set at a frequency of 1 according to JIS C6481.
0 is a value measured at 6 Hz.

【0012】架橋樹脂粒子のポリマーとしては、上記条
件(i)を満たし、好ましくはさらに上記条件(ii)〜
(iv)を満たすものであれば、特に制限されず、付加重
合、重縮合等によって製造されるポリマーから適宜選択
して用いることができる。なかでも、架橋性単量体1〜
100重量%、好ましくは2〜80重量%、より好まし
くは5〜60重量%と、非架橋性単量体0〜99重量
%、好ましくは20〜98重量%、より好ましくは40
〜95とを重合して得られるポリマーの粒子が好まし
い。ここで、架橋性単量体と非架橋性単量体との合計量
は100重量%である。
The polymer of the crosslinked resin particles satisfies the above condition (i), and preferably further satisfies the above conditions (ii) to (iv).
There is no particular limitation as long as it satisfies (iv), and it can be appropriately selected from polymers produced by addition polymerization, polycondensation and the like. Among them, crosslinking monomers 1
100% by weight, preferably 2 to 80% by weight, more preferably 5 to 60% by weight, and non-crosslinkable monomer 0 to 99% by weight, preferably 20 to 98% by weight, more preferably 40% by weight.
To 95 are preferable. Here, the total amount of the crosslinkable monomer and the non-crosslinkable monomer is 100% by weight.

【0013】好ましく用いられる上記中空架橋樹脂粒子
の製造方法としては特に制限はないが、例えば下記
(I)〜(VIII)の方法を挙げることができる(特公平
4−68324号公報等参照)。 (I)ポリマー粒子中に発泡剤を含有させ、この発泡剤
を発泡させた後に、架橋モノマーを吸収、重合する方
法。 (II)ポリマーにブタン等の揮発性物質を封入し、この
揮発性物質をガス化して中空化した後に、架橋モノマー
を吸収、重合して作る方法。 (III)ポリマーを溶融し、これに空気等の気体ジェッ
トを吹き込み、気泡を封入した後に、架橋モノマーを吸
収、重合する方法。 (IV)ポリマー粒子の内部にアルカリ膨潤性の物質を浸
透させて、アルカリ膨潤性の物質を膨潤させた後に、架
橋モノマーを吸収、重合する方法。 (V)水中油型の架橋性モノマーエマルジョンを調製
し、重合する方法。 (VI)ポリマー粒子をシードとして、架橋性単量体を含
む特定組成の単量体を吸収した後、重合、架橋する二段
重合方法。 (VII)架橋性モノマーの重合収縮により製造する方
法。 (VIII)架橋性ポリマー粒子を噴霧乾燥させる方法。
The method of producing the hollow crosslinked resin particles preferably used is not particularly limited, and examples thereof include the following methods (I) to (VIII) (see Japanese Patent Publication No. 4-68324). (I) A method in which a foaming agent is contained in polymer particles, and after the foaming agent is foamed, a crosslinking monomer is absorbed and polymerized. (II) A method in which a volatile substance such as butane is sealed in a polymer, the volatile substance is gasified and hollowed out, and then a crosslinking monomer is absorbed and polymerized. (III) A method in which a polymer is melted, a gas jet such as air is blown into the polymer, air bubbles are enclosed, and then a crosslinking monomer is absorbed and polymerized. (IV) A method in which an alkali-swellable substance is permeated into polymer particles to swell the alkali-swellable substance, and then absorbs and polymerizes a crosslinking monomer. (V) A method in which an oil-in-water type crosslinkable monomer emulsion is prepared and polymerized. (VI) A two-stage polymerization method in which a polymer particle is used as a seed to absorb and then polymerize and crosslink a monomer having a specific composition including a crosslinkable monomer. (VII) A method of producing by crosslinking polymerization of a crosslinkable monomer. (VIII) A method of spray-drying the crosslinkable polymer particles.

【0014】上記方法のなかで、上記(VI)の二段重合方
法が好ましい。二段重合方法(VI)は、下記の態様で行う
ことが好ましい。即ち、(a)架橋性単量体(以下「重
合性単量体(a)」ともいう)1〜50重量%、(b)
非架橋性の不飽和カルボン酸1〜40重量%および/ま
たはその他の親水性単量体5〜99重量%からなる親水
性単量体(以下、「重合性単量体(b)」ともいう)1
〜99重量%、ならびに(c)非架橋性の共重合可能な
その他の重合性単量体(以下、「重合性単量体(c)」
ともいう)0〜85重量%よりなる重合性単量体成分1
00重量部を、これら重合性単量体成分[(a)、
(b)、(c)]を重合して得られるポリマーとは異な
るポリマーシード(以下、「異種ポリマー」ともいう)
1〜100重量部の存在下において水中に分散し、次い
で前記重合性単量体成分を重合させる方法が好ましい
(特開昭62−127336号公報参照)。
Among the above methods, the two-stage polymerization method (VI) is preferred. The two-stage polymerization method (VI) is preferably performed in the following manner. That is, (a) 1 to 50% by weight of a crosslinkable monomer (hereinafter also referred to as “polymerizable monomer (a)”),
A hydrophilic monomer comprising 1 to 40% by weight of a non-crosslinkable unsaturated carboxylic acid and / or 5 to 99% by weight of another hydrophilic monomer (hereinafter, also referred to as "polymerizable monomer (b)") ) 1
To 99% by weight, and (c) other non-crosslinkable copolymerizable monomer (hereinafter referred to as "polymerizable monomer (c)").
Polymerizable monomer component 1 comprising 0 to 85% by weight
00 parts by weight of these polymerizable monomer components [(a),
(B), a polymer seed different from the polymer obtained by polymerizing (c)] (hereinafter also referred to as “heterogeneous polymer”)
It is preferable to disperse in water in the presence of 1 to 100 parts by weight, and then polymerize the polymerizable monomer component (see JP-A-62-227336).

【0015】なお、上記態様で得られた中空架橋樹脂粒
子をシードポリマーとして、上記重合性単量体(a)、
(b)および(c)から選ばれた少なくとも1種をシー
ド重合することにより、本発明に用いられる少なくとも
2層の重合体層を有する中空架橋樹脂粒子を製造するこ
ともできる(特開平2−140271号公報および同2
−140272号公報参照)。
[0015] The hollow crosslinked resin particles obtained in the above embodiment are used as a seed polymer, and the above polymerizable monomer (a),
By subjecting at least one selected from (b) and (c) to seed polymerization, hollow crosslinked resin particles having at least two polymer layers used in the present invention can also be produced (Japanese Unexamined Patent Publication No. 140271 and 2
-140272).

【0016】上記重合性単量体(a)としては、特に制
限はないが、例えばジビニルベンゼン、エチレングリコ
ールジメタクリレート、1,3−ブチレングリコールジ
メタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリ
レート、アリルメタクリレート等のジビニル系単量体、
あるいはトリビニル系単量体を挙げることができる。な
かでもジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタク
リレートおよびトリメチロールプロパントリメタクリレ
ートが好ましい。上記重合性単量体(b)としては、特
に制限はないが、例えばビニルピリジン、グリシジルア
クリレート、グリシジルメタクリレート、メチルアクリ
レート、メチルメタクリレート、アクリロニトリル、ア
クリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−メ
チロールメタクリルアミド、アクリル酸、メタクリル
酸、イタコン酸、フマル酸、スチレンスルホン酸ナトリ
ウム、酢酸ビニル、ジメチルアミノエチルメタクリレー
ト、ジエチルアミノエチルメタクリレート、2−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメ
タクリレート等のビニル系単量体を挙げることができ
る。なかでも、メタクリル酸、イタコン酸、アクリル酸
が好ましい。上記重合性単量体(c)としては、ラジカ
ル重合性を有するものであれば特に制限されず、スチレ
ン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ハロゲ
ン化スチレン等の芳香族ビニル単量体;プロピオン酸ビ
ニル等のビニルエステル類;エチルメタクリレート、ブ
チルアクリレート、ブチルメタクリレート、2−エチル
ヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレ
ート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート
等のエチレン性不飽和カルボン酸アルキルエステル;フ
ェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド等のマレ
イミド化合物;ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレ
フィン等を挙げることができる。なかでも、スチレンが
好ましい。
The polymerizable monomer (a) is not particularly restricted but includes, for example, divinylbenzene, ethylene glycol dimethacrylate, 1,3-butylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate and allyl methacrylate. Monomer,
Alternatively, a trivinyl monomer can be used. Among them, divinylbenzene, ethylene glycol dimethacrylate and trimethylolpropane trimethacrylate are preferred. The polymerizable monomer (b) is not particularly limited. For example, vinyl pyridine, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, methyl acrylate, methyl methacrylate, acrylonitrile, acrylamide, N-methylol acrylamide, N-methylol methacrylamide, acrylic Examples include vinyl monomers such as acid, methacrylic acid, itaconic acid, fumaric acid, sodium styrenesulfonate, vinyl acetate, dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, and 2-hydroxypropyl methacrylate. it can. Of these, methacrylic acid, itaconic acid and acrylic acid are preferred. The polymerizable monomer (c) is not particularly limited as long as it has radical polymerizability, and aromatic vinyl monomers such as styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, and halogenated styrene; Vinyl esters such as vinyl propionate; ethylenically unsaturated carboxylic acid alkyl esters such as ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, lauryl acrylate, and lauryl methacrylate; phenylmaleimide, cyclohexylmaleimide Maleimide compounds; conjugated diolefins such as butadiene and isoprene. Of these, styrene is preferred.

【0017】上記異種ポリマーは、少なくとも上記重合
性単量体(a)〜(c)を重合して得られるポリマーと
は、異なるポリマーである。ここで、「異なる」とは、
重合単量体の種類が異なる場合、共重合単量体が同じで
あっても分子量が異なる場合、共重合単量体が同じであ
っても共重合割合が異なる場合等を含む広い概念であ
る。
The different polymer is different from a polymer obtained by polymerizing at least the polymerizable monomers (a) to (c). Here, "different" means
This is a broad concept that includes different types of polymerization monomers, different molecular weights even when the copolymerization monomers are the same, and different copolymerization ratios even when the same copolymerization monomers are used. .

【0018】このような異種ポリマーとしては、特に制
限はないが、例えばポリスチレン、カルボキシ変性ポリ
スチレン、カルボキシ変性スチレン−ブタジエンコポリ
マー、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−ア
クリルエステルコポリマー、スチレン−メタクリルエス
テルコポリマー、スチレン−アクリルエステルコポリマ
ー、メタクリルエステルコポリマー、カルボキシ変性
(スチレン−アクリルエステル)コポリマー、カルボキ
シ変性(スチレン−メタクリルエステル)コポリマー等
を挙げることができる。なかでも好ましい異種ポリマー
は、ポリスチレンおよびスチレン成分を50重量%以上
含むスチレンコポリマーである。
The heterogeneous polymer is not particularly limited. For example, polystyrene, carboxy-modified polystyrene, carboxy-modified styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-acrylester copolymer, styrene-methacrylester copolymer, styrene- Acrylic ester copolymers, methacrylic ester copolymers, carboxy-modified (styrene-acrylic ester) copolymers, carboxy-modified (styrene-methacrylic ester) copolymers and the like can be mentioned. Among them, a preferred heteropolymer is a polystyrene and a styrene copolymer containing 50% by weight or more of a styrene component.

【0019】中空架橋樹脂粒子の架橋の程度は、加熱、
加圧して、絶縁板を成形する際に、中空架橋樹脂粒子が
粒子の形態を保つ程度に架橋していることが好ましい。
The degree of crosslinking of the hollow crosslinked resin particles is determined by heating,
When pressurizing to form the insulating plate, it is preferable that the hollow crosslinked resin particles are crosslinked so as to maintain the shape of the particles.

【0020】このような方法により、特に上記で詳述し
た(VI)の方法により、平均粒子径が−20%〜+20%
の範囲内の粒子が70重量%以上を占める粒子径の均一
な粒子が得られる。この粒子を用いると本発明の目的が
1段と優れて達成され、好ましい。
According to such a method, particularly according to the method (VI) described in detail above, the average particle diameter is -20% to + 20%.
Particles having a particle size of 70% by weight or more and having a uniform particle size are obtained. The use of these particles achieves the object of the present invention more excellently and is preferred.

【0021】有機絶縁材用組成物は、上述した架橋樹脂
粒子と共に、何らかの方法、例えば熱硬化、架橋剤によ
る硬化、放射線や光(以下、両者合わせて単に「光」と
もいう)による硬化、あるいは溶融押出成形等の方法に
より所望の形状の成形体に成形し得る有機化合物を含有
する。このような有機化合物としては熱硬化性樹脂、熱
可塑性樹脂、未加硫ゴム、光硬化性化合物等を挙げるこ
とができる。以下、このような有機化合物を便宜上「樹
脂」と称する。
The composition for an organic insulating material may be combined with the above-mentioned crosslinked resin particles together with the above-mentioned crosslinked resin particles by any method, for example, heat curing, curing with a crosslinking agent, radiation or light (hereinafter, also referred to simply as “light”). Contains an organic compound that can be formed into a desired shape by a method such as melt extrusion. Examples of such an organic compound include a thermosetting resin, a thermoplastic resin, an unvulcanized rubber, and a photocurable compound. Hereinafter, such an organic compound is referred to as “resin” for convenience.

【0022】上記熱硬化性樹脂としては、イミド樹脂、
フェノール樹脂、シアネート樹脂、シアン酸エステル樹
脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリカル
ボジドイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂
(BT樹脂)などを挙げることができるが、これらに限
定されない。
As the thermosetting resin, an imide resin,
Examples include, but are not limited to, phenolic resins, cyanate resins, cyanate ester resins, epoxy resins, unsaturated polyester resins, polycarbodiimide resins, bismaleimide triazine resins (BT resins).

【0023】上記熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン
樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ1−ブテン樹脂、ポリ
4−メチル−1−ペンテン樹脂等のポリオレフィン樹
脂;ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナ
フタレート樹脂等のポリエステル樹脂;ナイロン6、ナ
イロン66等のポリアミド樹脂;ポリ四フッカエチレン
樹脂、ポリ三フッカエチレン樹脂等のフッ素樹脂;その
他ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリメチル
(メタ)アクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エーテルスルフォン樹脂等を挙げることができるが、こ
れらに限定されない。
Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins such as polyethylene resin, polypropylene resin, poly-1-butene resin and poly-4-methyl-1-pentene resin; polyester resins such as polyethylene terephthalate resin and polyethylene naphthalate resin; nylon 6, polyamide resin such as nylon 66; fluororesin such as polytetrafluoroethylene resin and polytrifuckerethylene resin; other polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, polymethyl resin
Examples include (meth) acrylate resins, polycarbonate resins, polyethersulfone resins, and the like, but are not limited thereto.

【0024】上記未加硫ゴムとしては、ポリブタジエン
ゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、ブチルゴム、ク
ロロプレンゴム、ブタジエン・スチレンゴム、ブタジエ
ン・アクリロニトリルゴム、アクリルゴム、フッ素ゴ
ム、シリコーンゴム、およびこれらの混合物・複合物等
を挙げることができるが、これらに限定されない。
Examples of the unvulcanized rubber include polybutadiene rubber, natural rubber, polyisoprene rubber, butyl rubber, chloroprene rubber, butadiene / styrene rubber, butadiene / acrylonitrile rubber, acrylic rubber, fluorine rubber, silicone rubber, and mixtures thereof. Although a composite etc. can be mentioned, it is not limited to these.

【0025】光硬化性化合物としては、(メタ)アクリ
レート系モノマー、芳香族ビニル系モノマー等を挙げる
ことができ、好ましい具体例としてエチレングリコール
ジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキ
サ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ
(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン等が挙げられ
る。
Examples of the photocurable compound include (meth) acrylate monomers, aromatic vinyl monomers and the like. Preferred specific examples thereof include ethylene glycol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, divinylbenzene and the like.

【0026】なかでも、好ましい樹脂は熱硬化性樹脂で
あり、特にエポキシ樹脂の使用が好ましい。上記エポキ
シ樹脂の具体例としては、それ自体公知のビフェニル型
エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂、およびこれらの組み合わせを挙げる
ことができる。
Among them, a preferred resin is a thermosetting resin, and the use of an epoxy resin is particularly preferred. Specific examples of the epoxy resin include known biphenyl-type epoxy resins, cresol novolak-type epoxy resins,
Phenol novolak epoxy resins, bisphenol A epoxy resins, and combinations thereof.

【0027】なお、上記未加硫ゴムは、熱硬化性樹脂あ
るいは熱可塑性樹脂に添加してもよい。未加硫ゴムを添
加することで、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を用
いた有機絶縁材用組成物から形成される有機絶縁材に柔
軟性を付与することができる。
The unvulcanized rubber may be added to a thermosetting resin or a thermoplastic resin. By adding the unvulcanized rubber, flexibility can be imparted to the organic insulating material formed from the composition for an organic insulating material using a thermosetting resin or a thermoplastic resin.

【0028】本発明の有機絶縁材用組成物において、架
橋樹脂粒子の樹脂への配合量は、本発明の有機絶縁材用
組成物から得られる有機絶縁材が十分な低誘電率および
絶縁特性を有すること、有機絶縁材からなる基板を有す
る回路基板をドリルなどで機械加工するときに治具の磨
耗が少ないことなどを考慮して、樹脂100重量部に対
して、好ましくは1〜200重量部、より好ましくは5
〜150重量部、さらに好ましくは10〜100重量部
となるような量割合で配合される。
In the composition for an organic insulating material of the present invention, the amount of the crosslinked resin particles mixed with the resin is such that the organic insulating material obtained from the composition for an organic insulating material of the present invention has a sufficient low dielectric constant and insulating properties. Considering that a jig is less worn when machining a circuit board having a substrate made of an organic insulating material with a drill or the like, preferably 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin. , More preferably 5
-150 parts by weight, more preferably 10-100 parts by weight.

【0029】本発明の有機絶縁材用組成物は、樹脂及び
架橋樹脂粒子の他に必要に応じて他の成分を含有するこ
とができる。樹脂が熱硬化性樹脂の場合、熱硬化性樹脂
の種類に応じたそれ自体公知の硬化剤、硬化助剤が配合
される。これら硬化剤、硬化助剤の種類の選択は、当業
者が容易に行なうことができる。樹脂が未加硫ゴムの場
合、未加硫ゴムの種類に応じたそれ自体公知の加硫剤、
加硫助剤あるいは架橋剤、架橋助剤が配合される。これ
ら加硫剤、加硫助剤あるいは架橋剤、架橋助剤の種類の
選択も、当業者が容易に行なうことができる。樹脂が光
硬化性化合物の場合、光重合開始剤、光増感剤等が配合
される。また、本発明の有機絶縁材用組成物には、本発
明の目的の達成を損なわない範囲で、酸化防止剤、難燃
剤、難燃助剤、離型剤、カップリング剤、顔料、染料等
を配合することができる。
The composition for an organic insulating material of the present invention can contain other components as required in addition to the resin and the crosslinked resin particles. When the resin is a thermosetting resin, a known curing agent and a curing aid according to the type of the thermosetting resin are blended. Those skilled in the art can easily select the types of these curing agents and curing assistants. When the resin is an unvulcanized rubber, a vulcanizing agent known per se according to the type of the unvulcanized rubber,
A vulcanization aid, a crosslinking agent, and a crosslinking aid are blended. Those skilled in the art can easily select the type of the vulcanizing agent, vulcanizing aid or crosslinking agent, and crosslinking aid. When the resin is a photocurable compound, a photopolymerization initiator, a photosensitizer and the like are blended. In addition, the composition for an organic insulating material of the present invention includes an antioxidant, a flame retardant, a flame retardant auxiliary, a release agent, a coupling agent, a pigment, a dye, etc. as long as the object of the present invention is not impaired. Can be blended.

【0030】有機絶縁材用組成物の調製は、用いる樹脂
の種類により適切に行われる。樹脂が熱硬化性樹脂の場
合は、熱硬化性樹脂を溶解する不活性な溶剤を用いてワ
ニスとして調製されることが好ましい。いかなる溶剤が
適切であるかは、熱硬化性樹脂の種類により異なるが、
従来公知の熱硬化性樹脂のワニスを調製する場合と同様
の溶剤を用いることができる。架橋樹脂粒子は、水分散
体でも乾燥粉体でもよいが、乾燥粉体の中空架橋樹脂粒
子を熱硬化性樹脂ワニスに配合することが好ましい熱硬
化性樹脂が固体の場合、シート状に調製してもよい。シ
ート状とするには、上記ワニスの溶剤を蒸発させるか、
各成分をロールを用いて実質上硬化反応が生じない温度
で溶融混練した後、ロール圧延してシート状とすること
ができる。
The preparation of the composition for an organic insulating material is appropriately performed depending on the type of the resin used. When the resin is a thermosetting resin, it is preferably prepared as a varnish using an inert solvent that dissolves the thermosetting resin. Which solvent is appropriate depends on the type of thermosetting resin,
The same solvent as used in preparing a conventionally known thermosetting resin varnish can be used. The crosslinked resin particles may be an aqueous dispersion or a dry powder, but it is preferable to blend the hollow crosslinked resin particles of the dry powder into a thermosetting resin varnish. You may. To form a sheet, the solvent of the varnish is evaporated or
Each component is melt-kneaded at a temperature at which a curing reaction does not substantially occur using a roll, and then roll-rolled into a sheet.

【0031】樹脂が熱可塑性樹脂または未加硫ゴムの場
合は、それ自体よく知られている方法により、未加硫ゴ
ムおよび架橋樹脂粒子、さらには必要な成分、所望によ
り配合される添加剤を、溶融、混練することにより調製
することができる。溶融、混練に際して使用される装置
としては、ニーダー、1軸押出機、2軸押出機、バンバ
リーミキサーなどのそれ自体公知の混練装置を用いるこ
とができる。
When the resin is a thermoplastic resin or an unvulcanized rubber, the unvulcanized rubber and the crosslinked resin particles, as well as necessary components and additives to be added as required, are mixed by a method known per se. , Melted and kneaded. As a device used for melting and kneading, a kneading device known per se such as a kneader, a single-screw extruder, a twin-screw extruder, and a Banbury mixer can be used.

【0032】樹脂が光硬化性化合物の場合、不活性溶媒
を用いてあるいは用いずに、各成分が溶解したワニスと
して調製される。
When the resin is a photocurable compound, it is prepared as a varnish in which each component is dissolved, with or without using an inert solvent.

【0033】本発明の有機絶縁材用組成物は、基材を含
んだものとして調製することができる。基材としては、
ガラス繊維およびその織布、ポリアミド繊維およびその
織布あるいはその不織布、ポリエステル繊維およびその
織布あるいはその不織布、テフロン繊維およびその不織
布など、ならびにこれら繊維の混抄不織布および混抄織
布などを挙げることができる。上記織布、不織布はシー
ト状である。有機絶縁材の用途によって、適切な基材が
選択されるが、プリント配線板等の回路基板に用いる場
合は、ガラス繊維織布が好ましく用いられる。樹脂が熱
硬化性樹脂の場合、上記基材、好ましくは織布にワニス
を含浸させた後、乾燥してBステージ化したプリプレグ
として基材を含んだ有機絶縁材用組成物を調製すること
ができる。また、樹脂が熱可塑性樹脂あるいは未加硫ゴ
ムの場合、架橋樹脂粒子や他の成分を溶融混練するとき
に、上記基材、好ましくはシート状でない繊維を添加す
ることにより、基材を含んだ有機絶縁材用組成物を調製
することができる。
The composition for an organic insulating material of the present invention can be prepared as containing a base material. As a substrate,
Glass fibers and their woven fabrics, polyamide fibers and their woven fabrics or their nonwoven fabrics, polyester fibers and their woven fabrics or their nonwoven fabrics, Teflon fibers and their nonwoven fabrics, etc., as well as mixed nonwoven fabrics and mixed woven fabrics of these fibers, etc. . The woven fabric and the nonwoven fabric are in a sheet shape. An appropriate base material is selected depending on the use of the organic insulating material, but when used for a circuit board such as a printed wiring board, a glass fiber woven fabric is preferably used. When the resin is a thermosetting resin, after impregnating the base material, preferably woven fabric with varnish, it is possible to prepare a composition for an organic insulating material including the base material as a prepreg dried and B-staged. it can. Further, when the resin is a thermoplastic resin or unvulcanized rubber, when melt-kneading the crosslinked resin particles and other components, the base material, preferably by adding a non-sheet-like fiber, containing the base material A composition for an organic insulating material can be prepared.

【0034】このようにして調製された本発明の有機絶
縁材用組成物を、その用途に応じて、成形、加工するこ
とにより、有機絶縁材が得られる。組成物に含有される
樹脂が熱硬化性樹脂の場合、その種類に応じて加熱し
て、所望の形状に硬化することにより有機絶縁材を得る
ことができる。上記樹脂が熱可塑性樹脂の場合、押出成
形、射出成形等の方法で所望の形状の絶縁材を得ること
ができる。また、例えば押出成形によりシート状あるい
はフィルム状に成形した後、真空成形、圧空成形等の熱
成形を施して所望の形状とすることもできるし、熱可塑
性樹脂が放射線架橋性の場合、シートあるいはフィルム
の強度上昇の目的で放射線を照射してもよい。上記樹脂
が未加硫ゴムの場合、加硫剤あるいは架橋剤を用いて加
硫するときは加熱することにより有機絶縁材を得ること
ができる。樹脂が光硬化性化合物の場合、光照射するこ
とにより有機絶縁材が形成される。
The thus prepared composition for an organic insulating material of the present invention is molded and processed according to the intended use to obtain an organic insulating material. When the resin contained in the composition is a thermosetting resin, the organic insulating material can be obtained by heating according to the type and curing the resin into a desired shape. When the resin is a thermoplastic resin, an insulating material having a desired shape can be obtained by a method such as extrusion molding or injection molding. Further, for example, after forming into a sheet or film shape by extrusion molding, it can be subjected to thermoforming such as vacuum forming, pressure forming or the like to obtain a desired shape, and when the thermoplastic resin is radiation-crosslinkable, the sheet or Radiation may be applied for the purpose of increasing the strength of the film. When the resin is an unvulcanized rubber, when vulcanizing with a vulcanizing agent or a crosslinking agent, an organic insulating material can be obtained by heating. When the resin is a photocurable compound, an organic insulating material is formed by light irradiation.

【0035】本発明に係わる基板を構成する有機絶縁材
は、上述したように連続相をなす有機高分子を含有して
いる。この連続相をなす有機高分子は、上述した有機絶
縁材用組成物に含有される樹脂に由来する。そして連続
相をなす有機高分子中に架橋樹脂粒子が微分散している
ことが好ましい。
The organic insulating material constituting the substrate according to the present invention contains the organic polymer forming the continuous phase as described above. The organic polymer forming the continuous phase is derived from the resin contained in the composition for an organic insulating material described above. Preferably, the crosslinked resin particles are finely dispersed in the organic polymer forming the continuous phase.

【0036】有機絶縁材の誘電率は3.5以下であり、
好ましくは3.4以下である。また、誘電正接は0.0
5以下であることが好ましく、より好ましくは0.01
以下、特に好ましくは0.005以下である。また、有
機絶縁材のTGAによる10重量%減量温度は、140
〜300℃、好ましくは150〜290℃、特に好まし
くは190〜280℃の範囲にある。この温度範囲にあ
ると、特に樹脂が熱硬化性樹脂である場合、有機絶縁材
の生産性が一段と優れるので好ましい。
The dielectric constant of the organic insulating material is 3.5 or less,
Preferably it is 3.4 or less. The dielectric loss tangent is 0.0
5 or less, more preferably 0.01 or less.
Or less, particularly preferably 0.005 or less. The temperature at which the organic insulating material is reduced by 10% by weight by TGA is 140%.
-300 ° C, preferably 150-290 ° C, particularly preferably 190-280 ° C. It is preferable to be within this temperature range, particularly when the resin is a thermosetting resin, because the productivity of the organic insulating material is further excellent.

【0037】かくして本発明に係わる有機絶縁材は、絶
縁性に優れ、低誘電率かつ低誘電正接であるので、LS
I等の半導体素子を搭載するための回路基板を構成する
基板として好適である。本発明の回路基板は、上記有機
絶縁材からなる基板を一層以上有する。通常、基板の片
面または両面には回路が形成された金属箔、好ましくは
銅箔または金メッキした銅箔からなる導電部が設けられ
ている。
Thus, the organic insulating material according to the present invention has excellent insulating properties, a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent.
It is suitable as a board that constitutes a circuit board for mounting a semiconductor element such as I. The circuit board of the present invention has one or more substrates made of the above-mentioned organic insulating material. Usually, a conductive portion made of a metal foil on which a circuit is formed, preferably a copper foil or a gold-plated copper foil is provided on one or both surfaces of the substrate.

【0038】本発明の回路基板に基板が複数存在する場
合、基板上に設けられている回路間の絶縁のための基板
間の絶縁層が上記有機絶縁材からなることが好ましい。
また、本発明の回路基板に半導体素子を実装(例えばフ
リップ実装)したときの半導体素子と回路基板間の空隙
に設けられる封止材層が上記有機絶縁材からなることが
好ましい。本発明の回路基板は、それを構成する基板、
基板間の絶縁層、および半導体素子を実装したときの半
導体素子と回路基板間の空隙に設けられる封止材層のす
べてが上記有機絶縁材からなることが好ましい。
When a plurality of substrates are present on the circuit substrate of the present invention, it is preferable that an insulating layer between the substrates provided on the substrate for insulation between circuits is made of the above-mentioned organic insulating material.
Further, it is preferable that a sealing material layer provided in a gap between the semiconductor element and the circuit board when the semiconductor element is mounted on the circuit board of the present invention (for example, flip mounting) is made of the organic insulating material. The circuit board of the present invention is a board constituting the circuit board,
It is preferable that all of the insulating layer between the substrates and the sealing material layer provided in the gap between the semiconductor element and the circuit board when the semiconductor element is mounted are made of the organic insulating material.

【0039】このように、本発明の回路基板は、それを
構成する基板が上記有機絶縁材からなり、好ましくは上
記絶縁層および封止材層の少なくともいずれかが上記有
機絶縁材からなる。また、本発明の回路基板の誘電正接
は、0.05以下であることが好ましく、より好ましく
は0.01以下であり、特に好ましくは0.005以下
である。
As described above, in the circuit board of the present invention, the substrate constituting the circuit board is made of the organic insulating material, and preferably, at least one of the insulating layer and the sealing material layer is made of the organic insulating material. The dielectric loss tangent of the circuit board of the present invention is preferably 0.05 or less, more preferably 0.01 or less, and particularly preferably 0.005 or less.

【0040】本発明の回路基板において、該回路基板を
構成する基板が複数存在する場合の基板間の絶縁層とし
て上記有機絶縁材を用いる場合、その厚みは、従来の回
路基板の場合と同じく、通常20〜100μm、好まし
くは40〜90μm、より好ましくは50〜70μmで
ある。回路基板に半導体素子を実装したときの半導体素
子と回路基板間の空隙に設けられる封止材層として上記
絶縁材を用いる場合、その厚みは、従来の回路基板の場
合と同じく、該空隙の厚みと一致させることが好まし
い。これら基板間の絶縁層あるいは封止材層に用いられ
る樹脂としては、熱硬化性樹脂、特にはエポキシ樹脂が
好ましい。これら絶縁層、封止材層の形成方法は、従来
行われている方法を採用することができる。例えば、特
開平10−289969号公報に記載される方法を採用
することができる。
In the circuit board of the present invention, when the organic insulating material is used as an insulating layer between the substrates when there are a plurality of substrates constituting the circuit board, the thickness thereof is the same as that of the conventional circuit board. It is usually from 20 to 100 μm, preferably from 40 to 90 μm, more preferably from 50 to 70 μm. When the insulating material is used as a sealing material layer provided in a gap between the semiconductor element and the circuit board when the semiconductor element is mounted on the circuit board, the thickness is the same as that of the conventional circuit board. It is preferable to match with. As a resin used for the insulating layer or the sealing material layer between these substrates, a thermosetting resin, particularly an epoxy resin, is preferable. As a method for forming the insulating layer and the sealing material layer, a conventionally used method can be adopted. For example, a method described in JP-A-10-289969 can be adopted.

【0041】本発明の回路基板の構成は、上記有機絶縁
材からなる基板を一層以上有すること、そして好ましく
は上記絶縁層および封止材層の少なくともいずれかが上
記有機絶縁材からなること以外は、従来知られている回
路基板と実質上同じである。例えば本発明の回路基板が
多層リジッドプリント配線板のときは、基板は、樹脂と
して熱硬化性樹脂、特にはエポキシ樹脂が好ましく用い
られ、しかも基材、特にはガラス織布が補強のために複
合した有機絶縁材からなることが好ましい。このような
多層リジッドプリント配線板は、多くの場合4層以上で
あり、場合によっては10層以上であり、コンピュータ
分野、携帯電話等の通信分野に用いられる。多層リジッ
ドプリント配線板の各基板の厚みは、通常20〜100
μm、好ましくは40〜90μm、より好ましくは50
〜70μmである。多層プリント配線板全体の総厚み
は、通常1〜10mm、好ましくは1.5〜8mm、よ
り好ましくは2〜6mmである。また、基材として紙を
用い、樹脂としてフェノール樹脂を用いたものは、単層
の片面あるいは両面リジッドプリント配線板として用い
ることができる。さらに、本発明の回路基板がフレキシ
ブルプリント配線板のときは、基板(フィルム)の樹脂
として、イミド樹脂やポリエステル樹脂が好ましく用い
られる。フィルムの厚みは、通常25〜50μmであ
る。
The structure of the circuit board of the present invention is as follows. Is substantially the same as a conventionally known circuit board. For example, when the circuit board of the present invention is a multilayer rigid printed wiring board, the board is preferably made of a thermosetting resin, particularly an epoxy resin, and furthermore, a base material, especially a glass woven fabric is used for reinforcement. It is preferable to use an organic insulating material. Such a multilayer rigid printed wiring board often has four or more layers, and sometimes has ten or more layers, and is used in the field of communications such as a computer field and a mobile phone. The thickness of each substrate of the multilayer rigid printed wiring board is usually 20 to 100
μm, preferably 40 to 90 μm, more preferably 50 μm
7070 μm. The total thickness of the entire multilayer printed wiring board is usually 1 to 10 mm, preferably 1.5 to 8 mm, more preferably 2 to 6 mm. Further, those using paper as the base material and phenol resin as the resin can be used as a single-layered single-sided or double-sided rigid printed wiring board. Further, when the circuit board of the present invention is a flexible printed wiring board, an imide resin or a polyester resin is preferably used as the resin of the substrate (film). The thickness of the film is usually 25 to 50 μm.

【0042】上記リジッドプリント配線板、フレキシブ
ルプリント配線板は、公知の方法を用いて製造すること
ができる。
The above-mentioned rigid printed wiring board and flexible printed wiring board can be manufactured by a known method.

【0043】[0043]

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。なお、実施例中の%および部は、特に断ら
ない限り、重量基準である。また、実施例および比較例
の各種測定は、下記の方法により行った。 (1)金属イオン濃度:原子吸光法によりナトリウムと
カリウムの金属イオン量を測定した。なお、ナトリウム
とカリウム以外の金属イオン量は検出限界以下であっ
た。 (2)平均粒子径:電子顕微鏡により100個の粒子の
粒子径を計測し、その平均値を求めた。 (3)熱減量温度:窒素雰囲気下、10℃/分の昇温条
件でTGAにより、10重量%減量温度を測定した。 (4)誘電率・誘電正接:JIS C 6481に準拠し
て周波数106Hzで測定した。 (5)はんだ耐熱性:260℃の半田浴上に浮かべ、ふ
くれ発生までの時間を測定した。 (6)絶縁抵抗:プレッシャークッカー(121℃)6
時間処理後、JIS C6481に準拠して測定した。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples. The percentages and parts in the examples are on a weight basis unless otherwise specified. Various measurements in the examples and comparative examples were performed by the following methods. (1) Metal ion concentration: The amount of metal ions of sodium and potassium was measured by an atomic absorption method. The amounts of metal ions other than sodium and potassium were below the detection limit. (2) Average particle size: The particle size of 100 particles was measured with an electron microscope, and the average value was determined. (3) Thermal weight loss temperature: A 10% weight loss temperature was measured by TGA under a nitrogen atmosphere at 10 ° C./min. (4) Dielectric constant and dielectric loss tangent: Measured at a frequency of 10 6 Hz in accordance with JIS C6481. (5) Solder heat resistance: Floating on a 260 ° C. solder bath and the time until blistering was measured. (6) Insulation resistance: Pressure cooker (121 ° C) 6
After the time treatment, the measurement was performed according to JIS C6481.

【0044】製造例1 スチレン70部、ブタジエン27部、イタコン酸3部お
よびt−ドデシルメルカプタン12部に、蒸留水200
部に反応性乳化剤SE10N(アデカ製)0.5部およ
び過硫酸アンモニウム1.0部を溶かした水溶液を撹拌
しながら、75℃で8時間重合してポリマー粒子を得
た。このポリマー粒子の平均粒子径は0.24μm、ト
ルエン不溶解分は6%、GPCによる数平均分子量は
5,000、重量平均分子量と数平均分子量の比(Mw
/Mn)は2.6であった。次に、このポリマー粒子を
種ポリマーとして用いて、以下の重合を行った。即ち、
このポリマー粒子10部、ポリオキシエチレンノニルフ
ェニルエーテル0.1部、ラウリル硫酸アンモニウム
0.4部および過硫酸アンモニウム0.5部を蒸留水9
00部に分散した。これにメチルメタクリレート50
部、ジビニルベンゼン40部、α−メチルスチレン10
部およびトルエン20部の混合物を加えて、75℃で5
時間重合したところ、重合収率98%でトルエンを粒子
内部に含むカプセル粒子の分散液が得られた。この分散
液に対してスチームストリップ処理を行った後、ポリマ
ー粒子を透過型電子顕微鏡で観察してところ、このポリ
マー粒子は中央部が透けており、完全な球形の中空微粒
子であった。この粒子の平均外径は0.44μm、平均
内径は0.3μm、比重は0.72であった。また、得
られたポリマー微粒子の平均金属イオン濃度は5pp
m、10重量%熱減量温度は320℃であった。得られ
た架橋樹脂微粒子について、スプレードライ処理を行
い、架橋樹脂粒子粉末Aを得た。得られた架橋樹脂粒子
粉末Aを、後述する実施例1で調製した樹脂ワニス(3
03.2重量部)に100重量部配合して包埋し、誘電
率を測定し、Maxwell Modelにて架橋樹脂
粒子Aの誘電率を算出したところ、誘電率は1.9であ
った。
Production Example 1 Distilled water (200 parts) was added to 70 parts of styrene, 27 parts of butadiene, 3 parts of itaconic acid and 12 parts of t-dodecyl mercaptan.
The resulting mixture was polymerized at 75 ° C. for 8 hours while stirring an aqueous solution in which 0.5 part of a reactive emulsifier SE10N (manufactured by Adeka) and 1.0 part of ammonium persulfate were dissolved to obtain polymer particles. The polymer particles have an average particle size of 0.24 μm, a toluene-insoluble content of 6%, a number average molecular weight by GPC of 5,000, and a ratio of weight average molecular weight to number average molecular weight (Mw
/ Mn) was 2.6. Next, the following polymerization was carried out using the polymer particles as a seed polymer. That is,
10 parts of the polymer particles, 0.1 part of polyoxyethylene nonyl phenyl ether, 0.4 part of ammonium lauryl sulfate and 0.5 part of ammonium persulfate were mixed with 9 parts of distilled water.
Dispersed in 00 parts. Methyl methacrylate 50
Parts, divinylbenzene 40 parts, α-methylstyrene 10
And a mixture of 20 parts of toluene at 75 ° C. for 5 hours.
After polymerization for a period of time, a dispersion of capsule particles containing toluene inside the particles was obtained with a polymerization yield of 98%. After this dispersion was subjected to a steam strip treatment, the polymer particles were observed with a transmission electron microscope. The polymer particles were transparent at the center and were perfectly spherical hollow fine particles. The average outer diameter of the particles was 0.44 μm, the average inner diameter was 0.3 μm, and the specific gravity was 0.72. The average metal ion concentration of the obtained polymer fine particles was 5 pp.
m, the weight loss temperature at 10% by weight was 320 ° C. The obtained crosslinked resin fine particles were spray-dried to obtain crosslinked resin particle powder A. The obtained crosslinked resin particle powder A was coated with the resin varnish (3) prepared in Example 1 described later.
(03.2 parts by weight), embedded in 100 parts by weight, the dielectric constant was measured, and the dielectric constant of the crosslinked resin particle A was calculated by Maxwell Model. As a result, the dielectric constant was 1.9.

【0045】製造例2 スチレン97部、アクリル酸3部およびt−ドデシルメ
ルカプタン12部に、蒸留水200部に反応性乳化剤S
E10N(アデカ製)1.0部および過硫酸アンモニウ
ム1.0部を溶かした水溶液を撹拌しながら、75℃で
8時間重合してポリマー粒子を得た。このポリマー粒子
の平均粒子径は0.18μm、トルエン不溶解分は6
%、GPCによる数平均分子量は6,000、重量平均
分子量と数平均分子量の比(Mw/Mn)は4.0であ
った。次に、このポリマー粒子を種ポリマーとして用い
て、以下の重合を行った。即ち、このポリマー粒子10
部、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル0.3
部、ラウリル硫酸アンモニウム0.2部およびα、α’
−アゾビスイソブチロニトリル1部を蒸留水900部に
分散した。これにスチレン80部、ジビニルベンゼン2
0部、の混合物を加えて、75℃で5時間重合したとこ
ろ、重合収率98%で架橋粒子の分散液が得られた。こ
の分散液に対してスチームストリップ処理を行った後、
ポリマー粒子を透過型電子顕微鏡で観察したところ、完
全な球形の中空微粒子であった。この粒子の平均粒子径
は0.40μmであった。また、得られた架橋樹脂粒子
の平均金属イオン濃度は3ppm、10重量%熱減量温
度は350℃、ガラス転移温度は200℃以上であっ
た。得られた架橋樹脂粒子について、スプレードライ処
理を行い、架橋樹脂粒子粉末Bを得た。得られた架橋樹
脂粒子粉末Bを、後述する実施例1で調製した樹脂ワニ
ス(303.2重量部)に100重量部配合して包埋
し、誘電率を測定し、Maxwell Modelにて
架橋樹脂粒子Bの誘電率を算出したところ、誘電率は
2.1であった。
Production Example 2 Reactive emulsifier S was added to 97 parts of styrene, 3 parts of acrylic acid and 12 parts of t-dodecyl mercaptan, and 200 parts of distilled water.
While stirring an aqueous solution in which 1.0 part of E10N (manufactured by Adeka) and 1.0 part of ammonium persulfate were dissolved, polymerization was carried out at 75 ° C. for 8 hours to obtain polymer particles. The average particle size of the polymer particles is 0.18 μm, and the
%, The number average molecular weight by GPC was 6,000, and the ratio (Mw / Mn) between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 4.0. Next, the following polymerization was carried out using the polymer particles as a seed polymer. That is, the polymer particles 10
Parts, polyoxyethylene nonyl phenyl ether 0.3
Part, ammonium lauryl sulfate 0.2 part and α, α ′
1 part of azobisisobutyronitrile was dispersed in 900 parts of distilled water. 80 parts of styrene and 2 parts of divinylbenzene
0 parts, and the mixture was polymerized at 75 ° C. for 5 hours. As a result, a dispersion of crosslinked particles was obtained with a polymerization yield of 98%. After performing a steam strip process on this dispersion,
Observation of the polymer particles with a transmission electron microscope revealed complete spherical hollow fine particles. The average particle size of the particles was 0.40 μm. The obtained crosslinked resin particles had an average metal ion concentration of 3 ppm, a 10% by weight heat loss temperature of 350 ° C, and a glass transition temperature of 200 ° C or more. The obtained crosslinked resin particles were spray-dried to obtain crosslinked resin particle powder B. 100 parts by weight of the obtained crosslinked resin particle powder B was blended and embedded in the resin varnish (303.2 parts by weight) prepared in Example 1 described below, the dielectric constant was measured, and the crosslinked resin was measured using Maxwell Model. When the dielectric constant of the particle B was calculated, the dielectric constant was 2.1.

【0046】製造例3 スチレン96部、メタクリル酸4部およびt−ドデシル
メルカプタン5部に、蒸留水200部に反応性乳化剤S
E10N(アデカ製)0.3部および過硫酸アンモニウ
ム1.0部を溶かした水溶液を撹拌しながら、75℃で
8時間重合してポリマー粒子を得た。このポリマー粒子
の平均粒子径は0.3μm、トルエン不溶解分は6%、
GPCによる数平均分子量は8,000、重量平均分子
量と数平均分子量の比(Mw/Mn)は3.2であっ
た。次に、このポリマー粒子を種ポリマーとして用い
て、以下の重合を行った。即ち、このポリマー粒子10
部、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル0.3
部、ラウリル硫酸アンモニウム0.2部およびα、α’
−アゾビスイソブチロニトリル1部を蒸留水900部に
分散した。これにスチレン90部、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート10部、の混合物を加えて、7
5℃で5時間重合したところ、重合収率98%で架橋樹
脂粒子の分散液が得られた。この分散液に対してスチー
ムストリップ処理を行った後、架橋樹脂粒子を透過型電
子顕微鏡で観察してところ、完全な球形の中空微粒子で
あった。この粒子の平均粒子径は0.67μmであっ
た。また、得られたポリマー微粒子の平均金属イオン濃
度は2ppm、10重量%熱減量温度は330℃であっ
た。得られた架橋樹脂粒子について、スプレードライ処
理を行い、架橋樹脂粒子粉末Cを得た。得られた架橋樹
脂粒子粉末Cを、後述する実施例1で調製した樹脂ワニ
ス(303.2重量部)に100重量部配合して包埋
し、誘電率を測定し、Maxwell Modelにて
架橋樹脂粒子Cの誘電率を算出したところ、誘電率は
2.1であった。
Production Example 3 Reactive emulsifier S was added to 96 parts of styrene, 4 parts of methacrylic acid and 5 parts of t-dodecyl mercaptan, and 200 parts of distilled water.
While stirring an aqueous solution in which 0.3 part of E10N (manufactured by Adeka) and 1.0 part of ammonium persulfate were dissolved, polymerization was carried out at 75 ° C. for 8 hours to obtain polymer particles. The average particle size of the polymer particles is 0.3 μm, the toluene-insoluble content is 6%,
The number average molecular weight by GPC was 8,000, and the ratio (Mw / Mn) of the weight average molecular weight to the number average molecular weight was 3.2. Next, the following polymerization was carried out using the polymer particles as a seed polymer. That is, the polymer particles 10
Parts, polyoxyethylene nonyl phenyl ether 0.3
Part, ammonium lauryl sulfate 0.2 part and α, α ′
1 part of azobisisobutyronitrile was dispersed in 900 parts of distilled water. To this, a mixture of 90 parts of styrene and 10 parts of trimethylolpropane trimethacrylate was added, and
After polymerization at 5 ° C. for 5 hours, a dispersion of crosslinked resin particles was obtained with a polymerization yield of 98%. After this dispersion was subjected to a steam strip treatment, the crosslinked resin particles were observed with a transmission electron microscope to find that the particles were completely spherical hollow fine particles. The average particle size of the particles was 0.67 μm. Moreover, the average metal ion concentration of the obtained polymer fine particles was 2 ppm, and the 10% by weight heat loss temperature was 330 ° C. The obtained crosslinked resin particles were spray-dried to obtain crosslinked resin particle powder C. The obtained crosslinked resin particle powder C was blended with 100 parts by weight of the resin varnish (303.2 parts by weight) prepared in Example 1 described below and embedded, the dielectric constant was measured, and the crosslinked resin was measured with Maxwell Model. When the dielectric constant of the particle C was calculated, the dielectric constant was 2.1.

【0047】製造例4 製造1において、乳化剤のラウリル硫酸アンモニウムに
替えてラウリル硫酸ナトリウム0.4部および、過硫酸
アンモニウムに替えて過硫酸ナトリウム0.5部、かつ
メチルメタクリレート50部、ジビニルベンゼン40
部、α−メチルスチレン10部を用いる代わりにメチル
メタクリレート100部用いる以外は同様にして、非架
橋樹脂粒子を得た。非架橋樹脂粒子の平均粒子径は0.
50μm、平均金属イオン濃度は500ppm、10重
量%熱減量温度は180℃、ガラス転移温度は103℃
であった。得られた非架橋樹脂粒子について、スプレー
ドライ処理を行い、非架橋樹脂粒子粉末Dを得た。得ら
れた非架橋樹脂粒子粉末Dを、後述する実施例1で調製
した樹脂ワニス(303.2重量部)に100重量部配
合して包埋し、誘電率を測定し、Maxwell Mo
delにて非架橋樹脂粒子Dの誘電率を算出したとこ
ろ、誘電率は4.3であった。
Production Example 4 In Production 1, 0.4 parts of sodium lauryl sulfate was used instead of ammonium lauryl sulfate as an emulsifier, 0.5 parts of sodium persulfate was used instead of ammonium persulfate, and 50 parts of methyl methacrylate and 40 parts of divinylbenzene were used.
And non-crosslinked resin particles were obtained in the same manner except that 100 parts of methyl methacrylate was used instead of 10 parts of α-methylstyrene. The average particle size of the non-crosslinked resin particles is 0.
50 μm, average metal ion concentration is 500 ppm, 10% by weight heat loss temperature is 180 ° C., glass transition temperature is 103 ° C.
Met. The obtained non-crosslinked resin particles were spray-dried to obtain non-crosslinked resin particle powder D. 100 parts by weight of the obtained non-crosslinked resin particle powder D was blended and embedded in the resin varnish (303.2 parts by weight) prepared in Example 1 described later, the dielectric constant was measured, and Maxwell Mo was measured.
When the dielectric constant of the non-crosslinked resin particles D was calculated by del, the dielectric constant was 4.3.

【0048】以上製造したポリマー微粒子A〜Dの組成
および物性を表1に示す。
Table 1 shows the composition and physical properties of the polymer fine particles A to D produced as described above.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】表1における略号は下記の通りである。 ST: スチレン、BD:ブタジエン、TA:イタコン
酸、AA:アクリル酸、 MA:メタクリル酸、DVB:ジビニルベンゼン、 TMPMA:トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト MMA:メチルメタクリル酸、AMS:α−メチルスチ
レン
The abbreviations in Table 1 are as follows. ST: Styrene, BD: Butadiene, TA: Itaconic acid, AA: Acrylic acid, MA: Methacrylic acid, DVB: Divinylbenzene, TMPMA: Trimethylolpropane trimethacrylate MMA: Methyl methacrylic acid, AMS: α-methylstyrene

【0051】実施例1〜3 エポキシ樹脂 Ep−1001(商品名、 油化シェルエ
ポキシ社製、エポキシ当量:480)100重量部に、
ジシアンジアミド3重量部、触媒として2−エチル−4
−メチルイミダゾール0.2重量部および溶媒としてエ
チルカルビトールを200重量部添加し、樹脂ワニスを
調製した。上記の樹脂ワニスに上記製造例1〜3で得ら
れた架橋樹脂粒子乾燥粉末A〜Cを100重量部配合
し、このワニスをガラス繊維織布(坪量:215g)に
含浸乾燥して樹脂量50重量%の1層のプリプレグ
(a)を得た。さらにその両外側に銅箔(厚さ18μ
m)を重ね、温度170℃、圧力40Kg/cm2で60
分間加熱加圧成形し、板厚0.2mmの銅張り絶縁板を
得た。得られた銅張り絶縁板(回路基板)の特性を表2に
示す。また、作製した絶縁板から銅箔が付着しないよう
に測定サンプルを切り出し10重量%減量温度を測定し
た。測定結果を表2に示す。
Examples 1 to 3 100 parts by weight of epoxy resin Ep-1001 (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., epoxy equivalent: 480)
3 parts by weight of dicyandiamide, 2-ethyl-4 as a catalyst
-Methyl imidazole 0.2 part by weight and ethyl carbitol 200 parts by weight as a solvent were added to prepare a resin varnish. 100 parts by weight of the dry powders A to C of the crosslinked resin particles obtained in Production Examples 1 to 3 were mixed with the resin varnish, and the varnish was impregnated and dried in a glass fiber woven fabric (basis weight: 215 g) to dry the resin. One layer of prepreg (a) of 50% by weight was obtained. Furthermore, copper foil (thickness 18μ)
m) at a temperature of 170 ° C. and a pressure of 40 kg / cm 2 .
The molded body was heated and pressed for one minute to obtain a copper-clad insulating plate having a thickness of 0.2 mm. Table 2 shows the properties of the obtained copper-clad insulating plate (circuit board). Further, a measurement sample was cut out from the produced insulating plate so that the copper foil did not adhere, and the 10% by weight temperature was measured. Table 2 shows the measurement results.

【0052】実施例4 実施例4のプリプレグ(a)を8枚重ね、さらにその両
外側に銅箔(厚さ18μm)を重ね、実施例4の条件で
加熱、加圧成形して、板厚1.6mmの絶縁板を得た。
特性を表2に示す。また、作製した絶縁板から銅箔が付
着しないように測定サンプルを切り出し10重量%減量
温度を測定した。測定結果を表2に示す。
Example 4 Eight prepregs (a) of Example 4 were stacked, and copper foil (thickness: 18 μm) was further stacked on both outer sides thereof. A 1.6 mm insulating plate was obtained.
Table 2 shows the characteristics. Further, a measurement sample was cut out from the produced insulating plate so that the copper foil did not adhere, and the 10% by weight temperature was measured. Table 2 shows the measurement results.

【0053】比較例1、2 実施例1において、架橋樹脂粒子粉末Aの代わりに、中
空球形ガラス粉(平均粒子径10μm)、非架橋樹脂粒
子粉末Dをそれぞれ用いる以外は、実施例1と同様にし
て、銅張り絶縁板を得た。得られた絶縁板の特性を表2
に示す。また、実施例1と同様にして測定された10重
量%減量温度を表2に示す。
Comparative Examples 1 and 2 In the same manner as in Example 1, except that hollow spherical glass powder (average particle diameter: 10 μm) and non-crosslinked resin particle powder D were used instead of crosslinked resin particle powder A, respectively. Thus, a copper-clad insulating plate was obtained. Table 2 shows the characteristics of the obtained insulating plate.
Shown in Table 2 shows the 10% weight loss temperature measured in the same manner as in Example 1.

【0054】比較例3 実施例4において、ポリマー粒子粉末Aに代えて、非架
橋樹脂微粒子粉末Dを用いる以外は、実施例4と同様に
して、銅張り絶縁板を得た。得られた絶縁板の特性を表
2に示す。また、実施例1と同様にして測定された10
重量%減量温度を表2に示す。
Comparative Example 3 A copper-clad insulating plate was obtained in the same manner as in Example 4, except that the non-crosslinked resin fine particle powder D was used instead of the polymer particle powder A. Table 2 shows the properties of the obtained insulating plate. In addition, 10 measured in the same manner as in Example 1.
Table 2 shows the weight percent weight loss temperature.

【0055】[0055]

【表2】 [Table 2]

【0056】表2に示される結果から、実施例1〜4の
銅張り絶縁板(回路基板)は、はんだ耐熱性に優れ、絶
縁抵抗が高く、誘電率および誘電正接が小さく、電気特
性に優れ、回路基板を構成する基板として好適であるこ
とが明らかである。また、絶縁板の作製の際、成形・加
工性が良好であった。一方、比較例1〜3の銅張り絶縁
板は、誘電率が大であり、しかも絶縁抵抗が小さく、誘
電正接が大であり、基板としての電気特性に劣る。
From the results shown in Table 2, the copper-clad insulating plates (circuit boards) of Examples 1 to 4 have excellent solder heat resistance, high insulation resistance, low dielectric constant and dielectric loss tangent, and excellent electrical characteristics. It is clear that this is suitable as a board constituting a circuit board. In addition, during the production of the insulating plate, the formability and workability were good. On the other hand, the copper-clad insulating plates of Comparative Examples 1 to 3 have a large dielectric constant, a low insulation resistance, a large dielectric loss tangent, and are inferior in electrical characteristics as a substrate.

【0057】[0057]

【発明の効果】本発明の回路基板は、それを構成する基
板が絶縁特性に優れ、低誘電率かつ低誘電正接である有
機絶縁材からなるので、高周波領域用として用いること
ができ、半導体素子搭載後の使用時にクロストークが少
ない、発熱が少ない等の信頼性に優れる。また、有機絶
縁材は成形・加工性に優れるので、生産性に優れる。
The circuit board of the present invention can be used for a high-frequency region because the board constituting the circuit board is made of an organic insulating material having excellent insulating properties and a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent. Excellent reliability such as low crosstalk and low heat generation when used after mounting. Further, since the organic insulating material is excellent in moldability and workability, it is excellent in productivity.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F072 AA02 AA04 AA07 AA08 AB05 AB06 AB09 AB28 AB29 AD05 AD09 AD13 AD23 AD38 AD45 AG03 AH02 AH21 AJ01 AJ04 AK05 AK14 AL13 AL14 4J002 AA001 AA012 AC011 AC021 BC012 BC122 BG012 BG042 BG052 BG072 CC031 CD051 CD061 CF211 CM021 CM041 5E346 AA12 AA15 AA26 BB01 CC04 CC08 CC09 DD02 EE09 HH05 HH08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4F072 AA02 AA04 AA07 AA08 AB05 AB06 AB09 AB28 AB29 AD05 AD09 AD13 AD23 AD38 AD45 AG03 AH02 AH21 AJ01 AJ04 AK05 AK14 AL13 AL14 4J002 AA001 AA012 AC011 AC021 BC012 BG012 BG012 BG012 BG012 BG012 CD061 CF211 CM021 CM041 5E346 AA12 AA15 AA26 BB01 CC04 CC08 CC09 DD02 EE09 HH05 HH08

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 TGAによる10重量%減量温度が14
0〜300℃の範囲にあり、かつ誘電率が3.5以下で
ある有機絶縁材からなる基板を少なくとも一層有するこ
とを特徴とする回路基板。
1. The temperature at which a 10% weight loss by TGA is 14
A circuit board comprising at least one substrate made of an organic insulating material having a temperature in a range of 0 to 300 ° C. and a dielectric constant of 3.5 or less.
【請求項2】 有機絶縁材が連続相を形成している有機
高分子を含有していることを特徴とする請求項1に記載
の回路基板。
2. The circuit board according to claim 1, wherein the organic insulating material contains an organic polymer forming a continuous phase.
【請求項3】 有機高分子が熱硬化性樹脂であることを
特徴とする請求項2に記載の回路基板。
3. The circuit board according to claim 2, wherein the organic polymer is a thermosetting resin.
【請求項4】 有機絶縁材が連続相を形成している有機
高分子中に分散した架橋樹脂粒子を含有していることを
特徴とする請求項2または3に記載の回路基板。
4. The circuit board according to claim 2, wherein the organic insulating material contains crosslinked resin particles dispersed in an organic polymer forming a continuous phase.
【請求項5】 架橋樹脂粒子が中空構造を有する中空粒
子であることを特徴とする請求項4に記載の回路基板。
5. The circuit board according to claim 4, wherein the crosslinked resin particles are hollow particles having a hollow structure.
【請求項6】 有機絶縁材が基材と複合していることを
特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の回路基板。
6. The circuit board according to claim 1, wherein the organic insulating material is composited with the base material.
【請求項7】 基板の片面または両面に回路が形成され
た導電部が設けられていることを特徴とする請求項1〜
6のいずれかに記載の回路基板。
7. The substrate according to claim 1, wherein a conductive portion having a circuit formed on one or both surfaces of the substrate is provided.
7. The circuit board according to any one of 6.
【請求項8】 基板が複数存在しており、有機絶縁材か
らなる絶縁層が基板間に設けられていることを特徴とす
る請求項1〜7のいずれかに記載の回路基板。
8. The circuit board according to claim 1, wherein there are a plurality of boards, and an insulating layer made of an organic insulating material is provided between the boards.
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