JP2000307025A - Electronic component, manufacturing method thereof, and electronic component mounted body - Google Patents
Electronic component, manufacturing method thereof, and electronic component mounted bodyInfo
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品を配線基板にはんだ付けにより実装
する場合、インターポーザー基板と配線基板との熱膨張
係数の差による応力によってはんだ層等にクラックが発
生し、接続信頼性が低下するという課題を解決し、接続
信頼性に優れた電子部品とその製造方法および電子部品
実装体を提供することを目的とする。
【解決手段】 LSIチップ11をインターポーザー基
板12に搭載する電子部品13の接続部14を、電極1
5と応力緩和構造体16および中継金属層17より構成
し、中継金属層17の断面形状を台形状とするとともに
応力緩和構造体16に接する面の面積をその反対面の面
積より小さく構成することにより、電子部品13を配線
基板に実装する際、はんだ層等におけるクラックの発生
を防止し、電子部品実装体の接続信頼性を向上させるこ
とができる。
(57) [Problem] To mount an electronic component on a wiring board by soldering, a crack is generated in a solder layer or the like due to a stress due to a difference in thermal expansion coefficient between the interposer board and the wiring board, and connection reliability is increased. It is an object of the present invention to provide an electronic component excellent in connection reliability, a method of manufacturing the electronic component, and an electronic component mounted body. A connecting portion of an electronic component for mounting an LSI chip on an interposer substrate is connected to an electrode.
5 and the stress relief structure 16 and the relay metal layer 17. The cross-sectional shape of the relay metal layer 17 is trapezoidal, and the area of the surface in contact with the stress relief structure 16 is smaller than the area of the opposite surface. Accordingly, when the electronic component 13 is mounted on the wiring board, the occurrence of cracks in the solder layer or the like can be prevented, and the connection reliability of the electronic component mounted body can be improved.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、互いに異なる熱膨
張係数を有する電子部品と配線基板とを接続する場合、
その熱膨張係数の差によって発生する歪み応力を緩和し
て接続不良等を防止することができる構成を有する電子
部品とその製造方法および電子部品実装体に関する。な
お、本発明に関わる電子部品には半導体パッケージ、コ
ンデンサ、抵抗、コイル、各種センサ、およびスイッチ
等の機構部品や回路基板、さらにMCM、HIC等の回
路モジュールが含まれ、本発明に関する技術を応用する
ことが可能である。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method of connecting electronic parts having different thermal expansion coefficients to a wiring board.
The present invention relates to an electronic component having a configuration capable of relieving a strain stress generated by a difference in thermal expansion coefficient and preventing a connection failure and the like, a method of manufacturing the electronic component, and an electronic component mounted body. The electronic components according to the present invention include mechanical components and circuit boards such as semiconductor packages, capacitors, resistors, coils, various sensors, and switches, and circuit modules such as MCMs and HICs. It is possible to
【0002】[0002]
【従来の技術】以下、本発明に関わる従来の電子部品の
一つとして半導体パッケージの例について説明する。従
来からパッケージタイプの半導体装置としてパッケージ
の四つの側面から入出力リード線を引き出すプラスチッ
クQFP(クワッドフラットパッケージ)が良く用いら
れているが、各分野における電子機器の多機能化、高性
能化に応じて半導体装置等の電子部品の大規模集積化が
進行するにともない、その入出力端子数の増加とともに
QFPのパッケージ形状も増大して行かざるを得なかっ
た。この解決のために半導体チップのデザインルールの
超微細化を進めるとともに、そのリードピッチを狭くす
ることによって、多種類に亘る電子機器の小型化や薄型
化に対応してきた。2. Description of the Related Art An example of a semiconductor package as one of conventional electronic components according to the present invention will be described below. Conventionally, plastic QFPs (quad flat packages) that lead input / output leads from four sides of a package are often used as package-type semiconductor devices. With the progress of large-scale integration of electronic components such as semiconductor devices, the number of input / output terminals has been increased and the package shape of the QFP has been inevitably increased. To solve this problem, the design rules of the semiconductor chip have been made ultra-fine, and the lead pitch has been narrowed to cope with the miniaturization and thinning of a wide variety of electronic devices.
【0003】しかし、400ピンを超える規模のLSI
になるとピッチを狭くしても、はんだ付けの量産性等の
問題から充分に対応しきれなくなってきた。さらに半導
体パッケージ等の電子部品を配線基板に実装する際に避
けて通れない問題として両者が有する熱膨張係数の相違
がある。この異なる熱膨張係数を持つ電子部品の多数の
入出力リードと配線基板上の多数の電極端子とを信頼性
良く接続することは極めて困難であった。またプラスチ
ックQFPの大型化に伴う長い入出力リードは信号の伝
送速度を低下させるという課題を抱えていた。However, an LSI having a scale exceeding 400 pins
Therefore, even if the pitch is narrowed, it has become impossible to sufficiently cope with problems such as mass productivity of soldering. Another problem that cannot be avoided when electronic components such as a semiconductor package are mounted on a wiring board is a difference in thermal expansion coefficient between the two components. It has been extremely difficult to reliably connect a large number of input / output leads of an electronic component having different coefficients of thermal expansion to a large number of electrode terminals on a wiring board. In addition, a long input / output lead associated with an increase in the size of the plastic QFP has a problem that the signal transmission speed is reduced.
【0004】このようなプラスチックQFPが抱える多
くの課題を解決するために最近、QFPに代わって半導
体パッケージの裏面に球状の接続端子を2次元のアレイ
状に配置したBGA(ボール・グリッド・アレイ)や同
じくパッケージの裏面に多数の平らな電極をアレイ状に
配置して実装するLGA(ランド・グリッド・アレイ)
またはCSP(チップ・サイズ・パッケージ)と呼ばれ
るいずれもQFPのようなリードピンを持たない半導体
装置が注目を集めている。In order to solve many problems of such a plastic QFP, recently, instead of the QFP, a ball grid array (BGA) in which spherical connection terminals are arranged in a two-dimensional array on the back surface of a semiconductor package. And an LGA (land grid array) in which many flat electrodes are arranged in an array on the back of the package and mounted
In addition, a semiconductor device called a CSP (chip size package), which does not have a lead pin such as a QFP, has attracted attention.
【0005】これらの半導体装置は、チップキャリアの
外部接続電極がチップキャリアの裏面に格子状に配置さ
れているため、半導体装置を小型化でき、多くの電子部
品類を高密度実装することができるために電子機器の小
型化にも大いに寄与することが可能となった。またリー
ドレスであるために半導体装置と配線基板との接続距離
を短くすることができ、信号処理速度を向上させること
ができる。In these semiconductor devices, since the external connection electrodes of the chip carrier are arranged in a lattice on the back surface of the chip carrier, the semiconductor device can be reduced in size and many electronic components can be mounted at a high density. This has made it possible to greatly contribute to the miniaturization of electronic devices. In addition, since it is leadless, the connection distance between the semiconductor device and the wiring board can be shortened, and the signal processing speed can be improved.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構造を有する従来のBGAでもパッケージを配線
基板に搭載し、半田付けを行う際、熱膨張係数差による
パッケージの破壊や接続不良という問題に関しては解決
することはできず、また熱衝撃試験などの信頼性試験に
耐えることができないという課題を有している。例えば
セラミックを主材とするチップキャリアとガラス繊維と
樹脂よりなる配線基板との熱膨張係数の差が非常に大き
いため、接続部分に大きな応力が発生し、接続信頼性が
低下する。However, even in a conventional BGA having the above-mentioned structure, when a package is mounted on a wiring board and soldering is performed, there is a problem of package destruction or connection failure due to a difference in thermal expansion coefficient. Cannot be solved and cannot withstand a reliability test such as a thermal shock test. For example, since a difference in thermal expansion coefficient between a chip carrier mainly composed of ceramic and a wiring substrate made of glass fiber and resin is very large, a large stress is generated in a connection portion, and connection reliability is reduced.
【0007】図6は半導体装置等の電子部品を配線基板
に接続する場合の従来の接続構造を示すものであり、L
SIチップ1をセラミックキャリア2に搭載した電子部
品3の電極4と配線基板5の電極6とがはんだ層7によ
って接続されている。このような接続構造においては電
子部品3のセラミックキャリア2および合成樹脂等より
なる配線基板5の熱膨張係数の差が大きく、したがって
電子部品3の寸法Lが大きいほどその接続部に大きな応
力が発生し、接続部を破壊させる危険性が大となり、し
たがって電子部品または配線基板に使用し得る材料に大
きな制約を受けていた。FIG. 6 shows a conventional connection structure for connecting an electronic component such as a semiconductor device to a wiring board.
The electrode 4 of the electronic component 3 having the SI chip 1 mounted on the ceramic carrier 2 and the electrode 6 of the wiring board 5 are connected by a solder layer 7. In such a connection structure, the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic carrier 2 of the electronic component 3 and the wiring board 5 made of synthetic resin or the like is large. Therefore, as the dimension L of the electronic component 3 increases, a greater stress is generated at the connection portion. However, the danger of breaking the connection part is increased, and therefore, the material that can be used for the electronic component or the wiring board is greatly restricted.
【0008】本発明は上記課題を解決するものであり、
電子部品と配線基板とを導電性を有する応力緩和機構体
を介して高い信頼性を備えて接続し、電子部品と配線基
板との熱膨張係数の差異に起因する接続部分の不良、特
にはんだ層のクラック発生を防止することができる電子
部品とその製造方法およびその電子部品を配線基板やパ
ッケージ、回路モジュール等に搭載することにより、接
続信頼性に優れた電子部品実装体を提供することを目的
とする。[0008] The present invention is to solve the above problems,
The electronic component and the wiring board are connected with high reliability via a stress relaxation mechanism having conductivity, and a defective connection portion due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the electronic component and the wiring board, particularly a solder layer Electronic component capable of preventing the occurrence of cracks, a method of manufacturing the electronic component, and mounting the electronic component on a wiring board, package, circuit module, or the like to provide an electronic component mounted body having excellent connection reliability. And
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、電子部品の構成基材の一つである基板の表
面に設けられた電極の上面に導電性を有する応力緩和構
造体を形成し、前記応力緩和構造体の表面に、応力緩和
構造体の表面に接する面の面積がその反対側の面の面積
より小さい面積を有する中継金属層を設けたものであ
り、したがって本発明によれば、電子部品が配線基板に
実装された場合、外部環境において急激な温度変化が生
じても両者の熱膨張係数の差によって発生した機械的ス
トレスを電子部品の表面または配線基板の表面に設けら
れた応力緩和機構体が吸収すると同時に中継金属層の小
さい面積を有する部分が応力緩和構造体と接続し、中継
金属層の大きい面積を有する部分をはんだ層に接続する
ことにより、はんだ層への応力集中を回避してクラック
発生を防止し、電子部品と配線基板との接続部における
不良の発生を防止することができる。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a stress relaxation structure having conductivity on the upper surface of an electrode provided on the surface of a substrate which is one of constituent substrates of an electronic component. Formed on the surface of the stress relieving structure, a relay metal layer having an area of a surface in contact with the surface of the stress relieving structure having an area smaller than an area of an opposite surface thereof. According to the above, when an electronic component is mounted on a wiring board, mechanical stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the two components is applied to the surface of the electronic component or the surface of the wiring board even when a sudden temperature change occurs in an external environment. A portion having a small area of the relay metal layer is connected to the stress relaxation structure at the same time as the provided stress relaxation mechanism absorbs, and a portion having a large area of the relay metal layer is connected to the solder layer. To avoid stress concentration to prevent cracking, it is possible to prevent the occurrence of defects in the connection portion between the electronic component and the wiring board.
【0010】請求項1に記載の発明は、基板表面に設け
られた電極と、前記電極の上面に形成された導電性を有
する応力緩和構造体と、前記応力緩和構造体の表面に設
けられた中継金属層とを具備し、前記応力緩和構造体の
表面に接する中継金属層の面の面積をその反対側の面の
面積より小さい形状としたものであり、熱衝撃試験の際
に熱膨張係数の差異によって生じるストレスを応力緩和
機構体によって吸収させ、また配線基板上のはんだ層に
接する中継金属層の面積をその反対側の面の面積より大
きくすることにより、電子部品や電子部品と配線基板と
の接続部、特にはんだ層に破壊が生じることがなくな
り、半導体装置や電子機器の信頼性を向上させることが
できる。According to a first aspect of the present invention, there is provided an electrode provided on a substrate surface, a conductive stress relaxation structure formed on an upper surface of the electrode, and a stress relief structure provided on the surface of the stress relaxation structure. A relay metal layer, wherein the area of the surface of the relay metal layer in contact with the surface of the stress relaxation structure is smaller than the area of the surface on the opposite side, and the coefficient of thermal expansion during the thermal shock test The stress caused by the difference between the two is absorbed by the stress relaxation mechanism, and the area of the relay metal layer in contact with the solder layer on the wiring board is made larger than the area of the opposite side, so that the electronic component or the electronic component and the wiring board Breakage does not occur in the connection portion with the semiconductor device, particularly in the solder layer, and the reliability of the semiconductor device and the electronic device can be improved.
【0011】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の電子部品に関し、応力緩和構造体の表面と接する中継
金属層の表面積を、応力緩和構造体の表面積と同等また
はそれ以上の面積を有するように形成したものであり、
請求項1に関する実施の形態において記載した効果をさ
らに向上させることができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein the surface area of the relay metal layer in contact with the surface of the stress relaxation structure is equal to or greater than the surface area of the stress relaxation structure. Is formed to have
The effects described in the embodiment according to claim 1 can be further improved.
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の電子部品に関し、導電性を有する応力緩和構造体を、
電極の露出する全表面を被覆するように設けたものであ
り、熱衝撃時の基板と電極との接合信頼性を向上するこ
とができる。According to a third aspect of the present invention, in the electronic component according to the first aspect, a stress relaxation structure having conductivity is provided.
This is provided so as to cover the entire exposed surface of the electrode, so that the reliability of bonding between the substrate and the electrode at the time of thermal shock can be improved.
【0013】請求項4に記載の発明は、請求項1に記載
の電子部品に関し、中継金属層として銅箔を用いたもの
であり、はんだ層および応力緩和構造体との接合強度に
優れるため、半導体装置や電子機器の信頼性を向上させ
ることができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein a copper foil is used as the relay metal layer, and since the bonding strength with the solder layer and the stress relaxation structure is excellent, The reliability of a semiconductor device or an electronic device can be improved.
【0014】請求項5に記載の発明は、請求項1、2ま
たは3に記載の電子部品に関し、応力緩和構造体を導電
性接着剤より形成したものであり、比較的簡単な工法に
より、また安価に製造することができる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first, second, or third aspect, wherein the stress relaxation structure is formed of a conductive adhesive, and is formed by a relatively simple method. It can be manufactured at low cost.
【0015】請求項6に記載の発明は、絶縁体よりなる
基板上に設けられている複数の電極をそれぞれ覆うよう
に導電性樹脂組成物よりなる応力緩和構造体の前駆体を
選択的に形成する工程と、前記応力緩和構造体の前駆体
の上面に金属箔を配置した後、加熱して前記応力緩和構
造体の前駆体を硬化する工程と、前記金属箔の上面に感
光性レジストを貼着した後、露光マスクを介してレジス
トに所定のパターンを露光する工程と、レジストの未露
光部分を現像除去する工程と、露光済みレジストをマス
クとして前記金属箔をサイドエッチングすることにより
応力緩和構造体の上面に断面が逆台形状の中継金属層を
設ける工程とを有する電子部品の製造方法であり、比較
的容易な工法により応力緩和構造体上に断面が逆台形状
の中継金属層を有する電子部品を形成することができ
る。According to a sixth aspect of the present invention, a precursor of a stress relaxation structure made of a conductive resin composition is selectively formed so as to cover a plurality of electrodes provided on a substrate made of an insulator. And placing a metal foil on the top surface of the stress relief structure precursor, and then heating and curing the stress relief structure precursor, and applying a photosensitive resist on the top surface of the metal foil. After the exposure, a step of exposing a predetermined pattern to the resist through an exposure mask, a step of developing and removing an unexposed portion of the resist, and a stress relaxation structure by side-etching the metal foil using the exposed resist as a mask Providing a relay metal layer having an inverted trapezoidal cross section on the upper surface of the body, comprising a relay metal layer having an inverted trapezoidal cross section on the stress relaxation structure by a relatively easy method. It can be formed that electronic components.
【0016】請求項7に記載の発明は、絶縁体よりなる
基板上に設けられている複数の電極をそれぞれ覆うよう
に導電性樹脂組成物よりなる応力緩和構造体の前駆体を
選択的に形成することにより部品基板を得る第1の工程
と、離型性基板の上面に、絶縁体よりなる基板上に配置
された複数の電極と同様のパターン配置を有する断面が
台形状である中継金属層を形成して転写版を得る第2の
工程と、第1の工程で得られた部品基板と第2の工程で
得られた転写版とを位置合わせして貼着した後、加熱し
て前記導電性樹脂組成物よりなる応力緩和構造体の前駆
体を硬化させた後、前記離型性基板を剥離することによ
り前記台形状の中継金属層を前記応力緩和構造体の上面
に転写する第3の工程とを有する電子部品の製造方法で
あり、部品基板と転写版とを予め別工程で作成するため
に、無駄がなく製品の歩留まりを向上することができ
る。According to a seventh aspect of the present invention, a precursor of a stress relaxation structure made of a conductive resin composition is selectively formed to cover a plurality of electrodes provided on a substrate made of an insulator. A first step of obtaining a component substrate by performing the above process, and a relay metal layer having a trapezoidal cross section having the same pattern arrangement as a plurality of electrodes disposed on the substrate made of an insulator on the upper surface of the release substrate Forming a transfer plate to form a transfer plate, and positioning and attaching the component substrate obtained in the first step and the transfer plate obtained in the second step, and then heating the plate. After curing the precursor of the stress relieving structure made of the conductive resin composition, the third substrate is transferred to the upper surface of the stress relieving structure by transferring the trapezoidal relay metal layer by peeling the releasable substrate. And a method for manufacturing an electronic component, comprising: In order to create and copy version in advance in a separate process, it is possible to improve the yield of the product there is no waste.
【0017】請求項8に記載の発明は、請求項7に記載
の電子部品の製造方法に関し、離型性基板の少なくとも
その表面を金属に対して離型性と還元性とを有する物質
で構成したものであり、転写版からの中継金属層の剥離
性を向上するとともに中継金属層の表面の酸化膜形成を
抑制することができる。An eighth aspect of the present invention relates to the method of manufacturing an electronic component according to the seventh aspect, wherein at least a surface of the releasable substrate is made of a substance having releasability and reducing property to metal. It is possible to improve the releasability of the relay metal layer from the transfer plate and to suppress the formation of an oxide film on the surface of the relay metal layer.
【0018】請求項9に記載の発明は、請求項1から5
のいずれかに記載の電子部品を配線基板上に実装したも
のであり、過酷な環境条件において使用される電子機器
に応用可能な電子部品実装体を提供することができる。According to the ninth aspect of the present invention, there are provided the first to fifth aspects.
The electronic component described in any one of the above is mounted on a wiring board, and an electronic component mounted body applicable to an electronic device used under severe environmental conditions can be provided.
【0019】請求項10に記載の発明は、請求項9に記
載の電子部品実装体に関し、電子部品を形状の異なる複
数の電子部品で構成したものであり、如何なる形状を有
する電子部品を実装する場合においても優れた接続信頼
性を備えた電子部品実装体を得ることが可能となる。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the electronic component package according to the ninth aspect, wherein the electronic component comprises a plurality of electronic components having different shapes, and the electronic component having any shape is mounted. Even in such a case, it is possible to obtain an electronic component mounted body having excellent connection reliability.
【0020】請求項11に記載の発明は、請求項9に記
載の電子部品実装体に関し、応力緩和構造体と中継金属
層を電子部品と配線基板の少なくとも一方の上に設けた
ものであり、電子部品実装体を構成する電子部品と配線
基板の如何なる態様においても自由な製造工程を選択す
ることができ、効率よくかつ安価に製造することができ
る。An eleventh aspect of the present invention relates to the electronic component package according to the ninth aspect, wherein the stress relaxation structure and the relay metal layer are provided on at least one of the electronic component and the wiring board. In any aspect of the electronic component and the wiring board constituting the electronic component package, a free manufacturing process can be selected, and efficient and inexpensive manufacturing can be achieved.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0022】(実施の形態1)図1(a)は本発明の第
1の実施の形態における電子部品の全体構成を、図1
(b)はその一部を拡大して示したものである。図1
(a)に示すようにLSIチップ11を搭載するインタ
ーポーザー基板12よりなる電子部品13の底面には配
線基板等に接続するための接続端子(接続部)14が設
けられている。この接続端子14は図1(b)に示すよ
うに、インターポーザー基板12の表面に形成され、イ
ンターポーザー基板12の他の面にフェースボンディン
グされているLSIチップの電極パッド(図示せず)と
接続している電極15と、銅ペースト等よりなる導電性
樹脂組成物から形成された応力緩和構造体16およびそ
の表面に形成されているはんだ付け可能な中継金属層1
7より構成されている。(Embodiment 1) FIG. 1A shows the overall configuration of an electronic component according to a first embodiment of the present invention.
(B) is an enlarged view of a part thereof. FIG.
As shown in FIG. 1A, connection terminals (connection portions) 14 for connection to a wiring board or the like are provided on the bottom surface of an electronic component 13 composed of an interposer substrate 12 on which an LSI chip 11 is mounted. As shown in FIG. 1B, the connection terminals 14 are formed on the surface of the interposer substrate 12 and are connected to electrode pads (not shown) of an LSI chip face-bonded to the other surface of the interposer substrate 12. Connected electrode 15, stress relief structure 16 formed from a conductive resin composition made of copper paste or the like, and solderable relay metal layer 1 formed on its surface
7.
【0023】本発明の特徴とするところは中継金属層1
7の形状にあり、図1(b)より明らかなように応力緩
和構造体16に接続している面の面積がその反対面の面
積より小さく形成されている点である。このように中継
金属層17を台形状に形成することにより、電子部品1
3を配線基板等に実装した場合、温度上昇時、電子部品
13および配線基板の熱膨張係数の差によって発生する
応力を応力緩和構造体16が有する弾性によって吸収
し、電子部品の破壊や配線基板からの配線導体の剥離と
いう不良の発生、また従来の中継金属層の形状に起因す
るはんだ層へのクラック発生等を回避することができ
る。また中継金属層17は図1(c)に示すように応力
緩和構造体16aの表面に接続する面の面積を応力緩和
構造体16の表面積より大きく形成した17aとして接
続部14aを構成することも可能である。The feature of the present invention is that the relay metal layer 1
1 and the area connected to the stress relieving structure 16 is smaller than the area on the opposite side, as is clear from FIG. 1B. By forming the relay metal layer 17 in a trapezoidal shape in this way, the electronic component 1
In the case where 3 is mounted on a wiring board or the like, when the temperature rises, the stress generated due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the electronic component 13 and the wiring board is absorbed by the elasticity of the stress relieving structure 16, and the electronic component is broken or It is possible to avoid the occurrence of a defect such as peeling of the wiring conductor from the wiring, the occurrence of cracks in the solder layer due to the conventional shape of the relay metal layer, and the like. Further, as shown in FIG. 1C, the connection portion 14a may be configured such that the relay metal layer 17 has a surface area connected to the surface of the stress relieving structure 16a larger than the surface area of the stress relieving structure 16a. It is possible.
【0024】なお、応力緩和構造体16は例えば銅粉、
銀粉等の導電性フィラーと合成樹脂材料との混合物より
なる導電性接着剤より形成することができるので図1
(c)に示すようにその形状を自由な構造16aとする
ことができる。The stress relaxation structure 16 is made of, for example, copper powder,
Since it can be formed from a conductive adhesive made of a mixture of a conductive filler such as silver powder and a synthetic resin material, FIG.
As shown in (c), the shape can be a free structure 16a.
【0025】(実施の形態2)つぎに本発明の第2の実
施に形態について説明する。図2は本発明の第2の実施
の形態における電子部品の構成を示すものであり、その
基本的構成は上記第1の実施の形態と同様であるが、導
電性を有する応力緩和構造体16bがインターポーザー
基板12上の電極15の露出している全表面を覆うよう
に設けられており、したがってインターポーザー基板1
2上の接続部14bは電極15が接する面積に応力緩和
構造体16bが接する面積が加わり、接続部14bのイ
ンターポーザー基板12に対する接着強度を向上させて
いる。(Embodiment 2) Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 shows a configuration of an electronic component according to a second embodiment of the present invention. The basic configuration is the same as that of the first embodiment, but the conductive stress relaxation structure 16b has the same configuration. Is provided so as to cover the entire exposed surface of the electrode 15 on the interposer substrate 12,
The connection portion 14b on the top 2 has an area where the stress relief structure 16b is in contact with the area where the electrode 15 is in contact, thereby improving the adhesion strength of the connection portion 14b to the interposer substrate 12.
【0026】(実施の形態3)つぎに本発明の第3の実
施の形態について説明する。図3は本発明の第3の実施
の形態における電子部品の製造方法を示す工程断面図で
あり、まず図3(a)に示すようにその一つの表面にL
SIチップを搭載するための電極パッド(図示せず)と
スルーホール導体で接続されてもう一つの面に形成され
ている複数の電極15を備えたセラミックまたは合成樹
脂等よりなるインターポーザー基板12の上面に図3
(b)に示すように、それぞれ応力緩和機能を有する導
電性接着剤を選択的に印刷することにより電極15上に
応力緩和構造体16の前駆体を形成する。つぎにこの応
力緩和構造体16の上面に銅箔21を配置した後、加熱
することにより前駆体を完全に硬化させる(図3
(c))。つぎに図3(d)に示すように、この銅箔の
上面に感光性レジスト22を設け、露光マスク23を介
して感光性レジストに露光したのち、現像処理を施し、
感光性レジスト22の未露光部分を除去する。つぎに図
3(e)に示すように、感光性レジスト22を介して選
択された条件下で銅箔21をエッチングすることによ
り、図3(f)に示すように応力緩和構造体16上の銅
箔21のそれぞれ側面がサイドエッチングされてその断
面の形状が逆台形状を呈した中継金属層17を応力緩和
構造体16上に形成することができる。この工程の後、
LSIチップ11がインターポーザー基板12の反対面
に搭載される。(Embodiment 3) Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a process sectional view showing a method of manufacturing an electronic component according to a third embodiment of the present invention. First, as shown in FIG.
An interposer substrate 12 made of ceramic or synthetic resin or the like having a plurality of electrodes 15 formed on another surface connected to electrode pads (not shown) for mounting an SI chip and through-hole conductors. Figure 3 on the top
As shown in (b), a precursor of the stress relaxation structure 16 is formed on the electrode 15 by selectively printing a conductive adhesive having a stress relaxation function. Next, after arranging the copper foil 21 on the upper surface of the stress relaxation structure 16, the precursor is completely cured by heating (FIG. 3).
(C)). Next, as shown in FIG. 3D, a photosensitive resist 22 is provided on the upper surface of the copper foil, and after exposing the photosensitive resist through an exposure mask 23, a developing process is performed.
Unexposed portions of the photosensitive resist 22 are removed. Next, as shown in FIG. 3E, the copper foil 21 is etched under the selected conditions via the photosensitive resist 22, thereby forming the stress relief structure 16 on the stress relief structure 16 as shown in FIG. The relay metal layer 17 in which the side surface of each of the copper foils 21 is side-etched and the cross-sectional shape of the copper foil 21 has an inverted trapezoidal shape can be formed on the stress relaxation structure 16. After this step,
The LSI chip 11 is mounted on the opposite surface of the interposer substrate 12.
【0027】なお、図3に示す本実施の形態では電極1
5の表面上のみに形成した応力緩和構造体16はその断
面が方形または矩形状で示されているが、応力緩和構造
体16の印刷工程において、電極15の表面上だけでな
く、電極15の周辺のインターポーザー基板12上には
み出た形状に(図2参照)、また応力緩和構造体16自
体の形状を台形状に(図1(c)参照)形成することも
電子部品の設計上の必要性に応じて可能である。In the present embodiment shown in FIG.
Although the cross section of the stress relief structure 16 formed only on the surface of the electrode 5 is shown in a square or rectangular shape, in the printing process of the stress relief structure 16, not only on the surface of the electrode 15 but also on the electrode 15 It is also necessary for the design of the electronic component to form the shape protruding on the peripheral interposer substrate 12 (see FIG. 2) and the shape of the stress relaxation structure 16 itself into a trapezoidal shape (see FIG. 1C). It is possible according to gender.
【0028】(実施の形態4)つぎに本発明の第4の実
施の形態について説明する。図4は本発明の第4の実施
の形態における電子部品の製造方法を示す工程断面図で
あり、図4(a)、(b)は第1の工程、図4(c)〜
図4(f)は第2の工程、図4(g)、(h)は第3の
工程である。(Embodiment 4) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention. FIGS. 4A and 4B illustrate a first process, and FIGS.
FIG. 4F shows the second step, and FIGS. 4G and 4H show the third step.
【0029】まず図4(a)、(b)に示す第1の工程
において、絶縁体よりなるインターポーザー基板12上
に複数の電極15を形成し(図(a))、その上面に図
4(b)に示すように応力緩和構造体16の前駆体を載
置することにより、図3に示す前半工程で得られるもの
と同様の部品基板24を形成する。First, in a first step shown in FIGS. 4A and 4B, a plurality of electrodes 15 are formed on an interposer substrate 12 made of an insulator (FIG. 4A), and FIG. By mounting the precursor of the stress relaxation structure 16 as shown in (b), a component substrate 24 similar to that obtained in the first half step shown in FIG. 3 is formed.
【0030】一方、第2の工程において図4(c)に示
すように、その表面が銅等の金属箔に対して離型性と還
元性を有する材質、例えば炭素皮膜またはBN皮膜で構
成された離型性基板25の表面に銅箔26を仮貼着し、
図4(d)に示すようにエッチングレジスト27を介し
て銅箔26に対し選択的なエッチングを行うことによ
り、図4(e)に見られるような台形状の中継金属層2
8を形成することができる。エッチング後エッチングレ
ジスト27を溶解除去し、反転させることにより図4
(f)に示すところの台形状の中継金属層28が形成さ
れた転写版29が得られる。On the other hand, in the second step, as shown in FIG. 4 (c), the surface thereof is made of a material having releasability and reducing property against a metal foil such as copper, for example, a carbon film or a BN film. Copper foil 26 is temporarily attached to the surface of the release substrate 25
By selectively etching the copper foil 26 via the etching resist 27 as shown in FIG. 4D, the trapezoidal relay metal layer 2 as shown in FIG.
8 can be formed. After the etching, the etching resist 27 is dissolved and removed, and the resultant is inverted.
A transfer plate 29 having a trapezoidal relay metal layer 28 as shown in FIG.
【0031】つぎに図4(g)、(h)に示す第3の工
程において、第1の工程で得られた部品基板24と第2
の工程で得られた転写版29を位置合わせしたのち、加
熱して応力緩和構造体16の前駆体を硬化させて中継金
属層28を強固に接着させたのち、離型性基板25を剥
離し、インターポーザー基板12の反対面にLSIチッ
プ11を実装することにより、図4(h)に示す電子部
品を得ることができる。Next, in the third step shown in FIGS. 4G and 4H, the component board 24 obtained in the first step and the second
After aligning the transfer plate 29 obtained in the step, the precursor of the stress relieving structure 16 is cured by heating and the relay metal layer 28 is firmly bonded, and then the release substrate 25 is peeled off. By mounting the LSI chip 11 on the opposite surface of the interposer substrate 12, the electronic component shown in FIG. 4H can be obtained.
【0032】(実施の形態5)つぎに本発明の第5の実
施の形態について図5を参照して説明する。図5(a)
〜(c)は本実施の形態における電子部品実装体の構造
を示す一部断面図であり、実施の形態1または2におい
て説明した構造を有するいずれかの電子部品を配線基板
上に実装したものである。まず図5(a)に示すように
LSIチップ11を搭載したインターポーザー基板12
の電極15上に本発明に関わる応力緩和構造体16と台
形状の中継金属層17よりなる接続部14が設けられた
電子部品31が、配線基板32上に形成されている電極
端子33にはんだ層34によって接続されて電子部品実
装体を構成している。このはんだ層34の形状は配線基
板32上の電極端子33のサイズ、形状またははんだ付
け方法によって変化させることができ、図5(b)に示
すように小さい面積の電極端子33aに対しては逆台形
状の断面を有するはんだ層34aとなり、また図5
(c)に示すように中継金属層17の露出している面積
より大きい面積を有する電極端子33bに対しては台形
状の断面を有するはんだ層34bを形成する。しかし図
5に示す各図より明らかなように、中継金属層17の断
面形状において常に大きい面積を有する端面ははんだ層
34に接続し、小さい面積を有する端面は応力緩和構造
体16に接続された構造となっている。(Embodiment 5) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 (a)
(C) is a partial cross-sectional view showing the structure of the electronic component mounted body according to the present embodiment, in which one of the electronic components having the structure described in Embodiment 1 or 2 is mounted on a wiring board. It is. First, as shown in FIG. 5A, an interposer substrate 12 on which an LSI chip 11 is mounted
The electronic component 31 having the connection portion 14 formed of the stress relaxation structure 16 and the trapezoidal relay metal layer 17 according to the present invention on the electrode 15 is soldered to the electrode terminal 33 formed on the wiring board 32. They are connected by the layer 34 to constitute an electronic component mounted body. The shape of the solder layer 34 can be changed depending on the size and shape of the electrode terminals 33 on the wiring board 32 or the soldering method, and the shape is reversed for the electrode terminals 33a having a small area as shown in FIG. As a result, the solder layer 34a has a trapezoidal cross section.
As shown in (c), a solder layer 34b having a trapezoidal cross section is formed on the electrode terminal 33b having an area larger than the exposed area of the relay metal layer 17. However, as is clear from the drawings shown in FIG. 5, the end face having a large area in the cross-sectional shape of the relay metal layer 17 was always connected to the solder layer 34, and the end face having a small area was connected to the stress relaxation structure 16. It has a structure.
【0033】一方、電子部品実装体において電子部品と
配線基板との熱膨張係数差によって生じる歪み応力は、
中継金属層17の両端面に同じ大きさで分散して発生す
る(中継金属層の両端面が同じ面積を有している場合)
が、台形状に形成された中継金属層17の両端面に発生
するそれぞれ単位面積あたりの歪み応力密度は、中継金
属層17の小さい面積側では大きくなり、大きい面積側
では小さくなる。したがって、歪み応力が大きく集中す
る中継金属層17の端面に応力緩和構造体を配置してい
るために、その大きい歪み応力を応力緩和構造体の弾性
によって吸収することにより電子部品の破壊や接続部の
断線等を防止することができ、また比較的歪み応力を吸
収しにくいはんだ層との接続面に、中継金属層17の大
きい面積を有する端面を配置しているために、はんだ層
にかかる歪み応力を軽減でき、はんだ層にクラック等が
発生することを防止することができる。On the other hand, the strain stress caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the electronic component and the wiring board in the electronic component package is
Dispersion occurs at the same size on both end surfaces of the relay metal layer 17 (when both end surfaces of the relay metal layer have the same area).
However, the strain stress density per unit area generated on both end surfaces of the trapezoidal relay metal layer 17 increases on the small area side of the relay metal layer 17 and decreases on the large area side. Therefore, since the stress relaxation structure is arranged on the end face of the relay metal layer 17 where the strain stress is largely concentrated, the large strain stress is absorbed by the elasticity of the stress relaxation structure, thereby destructing the electronic component and reducing the connection portion. In addition, since the end surface having a large area of the relay metal layer 17 is disposed on the connection surface with the solder layer that is relatively hard to absorb the strain stress, the strain applied to the solder layer can be prevented. The stress can be reduced, and the occurrence of cracks or the like in the solder layer can be prevented.
【0034】つぎに上述したはんだ層34の形状は、電
子部品および配線基板の材質(すなわち熱膨張係数
差)、形状または電極間ピッチ等によってクラック等の
不良が最も発生しにくい条件として任意に設定すること
ができる。Next, the shape of the above-mentioned solder layer 34 is arbitrarily set as a condition under which a defect such as a crack is most unlikely to occur due to the material (namely, thermal expansion coefficient difference), the shape, the pitch between electrodes, etc. of the electronic component and the wiring board. can do.
【0035】また本発明に関わる電子部品実装体におい
て配線基板に搭載される電子部品は、複数個搭載するこ
とも可能であり、同様の効果を得ることができる。In the electronic component package according to the present invention, a plurality of electronic components can be mounted on the wiring board, and the same effect can be obtained.
【0036】さらに本発明においては応力緩和構造体と
中継金属層を電子部品側に形成した例について説明した
が、これらを配線基板側に形成した場合についても同様
の効果を得ることが可能である。Further, in the present invention, the example in which the stress relaxation structure and the relay metal layer are formed on the electronic component side has been described, but the same effect can be obtained when these are formed on the wiring board side. .
【0037】このように上述した本発明の各実施の形態
によれば、LSIチップを搭載した大型サイズの半導体
装置や、さらに半導体チップを複数個搭載したMCM
(マルチチップモジュール)等の大型電子部品または円
筒形のチップ抵抗、チップコンデンサ等に代表される小
型電子部品などを配線基板上に多数個実装した場合でも
高い接続信頼性を得ることができる。As described above, according to each embodiment of the present invention, a large-sized semiconductor device on which an LSI chip is mounted, and an MCM on which a plurality of semiconductor chips are mounted
High connection reliability can be obtained even when a large number of large electronic components such as a (multi-chip module) or small electronic components typified by cylindrical chip resistors and chip capacitors are mounted on a wiring board.
【0038】[0038]
【発明の効果】上記実施の形態より明らかなように本発
明は、電子部品を配線基板上に実装して接続する部分の
電子部品の電極上面に、予め導電性を有する応力緩和構
造体と中継金属層を設けておくものであり、とくにその
中継金属層の断面形状を台形状とし、小さい面積を有す
る端面を応力緩和構造体と接続し、大きい面積を有する
端面を配線基板の電極端子上のはんだ層に接続するよう
にしたものであり、電子部品と配線基板との半田付け
時、または電子部品実装体の熱衝撃試験の際において
も、熱膨張係数の差異によって発生する歪み応力による
電子部品または電子部品と配線基板との接続部、特には
んだ層にクラック等が生じることがなくなり、本発明に
関わる電子部品実装体を搭載した電子機器の信頼性を著
しく向上させることが可能となる。As is apparent from the above embodiment, the present invention provides a stress relief structure having a conductive property in advance on the upper surface of an electrode of an electronic component at a portion where the electronic component is mounted on a wiring board and connected. A metal layer is provided, in particular, the cross-sectional shape of the relay metal layer is trapezoidal, the end face having a small area is connected to the stress relaxation structure, and the end face having a large area is on the electrode terminal of the wiring board. It is designed to be connected to a solder layer, and when soldering an electronic component to a wiring board or during a thermal shock test of a mounted electronic component, an electronic component due to a strain stress generated due to a difference in thermal expansion coefficient. Alternatively, cracks and the like do not occur in the connection portion between the electronic component and the wiring board, particularly in the solder layer, and the reliability of the electronic device equipped with the electronic component mounted body according to the present invention can be significantly improved. The ability.
【図1】(a)は本発明の第1の実施の形態における電
子部品の断面図 (b)は同第1の実施の形態における電子部品の一部拡
大断面図 (c)は同第1の実施の形態における他の電子部品の一
部拡大断面図1A is a sectional view of an electronic component according to a first embodiment of the present invention; FIG. 1B is a partially enlarged sectional view of the electronic component according to the first embodiment; Partial enlarged sectional view of another electronic component according to the embodiment.
【図2】本発明の第2の実施の形態における電子部品の
一部拡大断面図FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of an electronic component according to a second embodiment of the present invention.
【図3】(a)〜(f)は本発明の第3の実施の形態に
おける電子部品の製造方法を示す工程断面図FIGS. 3A to 3F are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electronic component according to a third embodiment of the present invention.
【図4】(a)〜(h)は本発明の第4の実施の形態に
おける電子部品の製造方法を示す工程断面図FIGS. 4A to 4H are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】(a)〜(c)は本発明の第5の実施の形態に
おけるそれぞれ異なる接続部を有する電子部品実装体の
一部拡大図FIGS. 5A to 5C are partially enlarged views of an electronic component package having different connection portions according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】従来の電子部品実装体の断面図FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional electronic component mounted body.
1,11 LSIチップ 2 セラミックキャリア 3,13,31 電子部品 4,6,15,33,33a,33b 電極 5,32 配線基板 7,34,34a,34b はんだ層 12 インターポーザー基板 14,14a,14b 接続部 16,16a,16b 応力緩和構造体 17,17a,17b,28 中継金属層 21,26 銅箔 22 感光性レジスト 23 露光マスク 24 部品基板 25 離型性基板 27 エッチングレジスト 29 転写版 1,11 LSI chip 2 ceramic carrier 3,13,31 electronic component 4,6,15,33,33a, 33b electrode 5,32 wiring board 7,34,34a, 34b solder layer 12 interposer board 14,14a, 14b Connection part 16, 16a, 16b Stress relaxation structure 17, 17a, 17b, 28 Relay metal layer 21, 26 Copper foil 22 Photosensitive resist 23 Exposure mask 24 Component substrate 25 Releasable substrate 27 Etching resist 29 Transfer plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板垣 峰広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 畠中 秀夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AB05 CC22 GG20 5E336 AA04 AA11 BB01 BB02 CC34 CC36 CC44 CC52 CC53 CC58 EE03 EE08 GG05 GG30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Minehiro Itagaki 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 5E319 AA03 AB05 CC22 GG20 5E336 AA04 AA11 BB01 BB02 CC34 CC36 CC44 CC52 CC53 CC58 EE03 EE08 GG05 GG30
Claims (11)
の上面に形成された導電性を有する応力緩和構造体と、
前記応力緩和構造体の表面に設けられた中継金属層とを
具備し、前記応力緩和構造体の表面に接する前記中継金
属層の面の面積が前記中継金属層の反対側の面の面積よ
り小さいことを特徴とする電子部品。An electrode provided on a substrate surface; a conductive stress relaxation structure formed on an upper surface of the electrode;
A relay metal layer provided on the surface of the stress relaxation structure, wherein the area of the surface of the relay metal layer in contact with the surface of the stress relaxation structure is smaller than the area of the surface on the opposite side of the relay metal layer. An electronic component, characterized in that:
層の表面積が、前記応力緩和構造体の表面積と同等また
はそれ以上の面積を有することを特徴とする請求項1に
記載の電子部品。2. The electronic component according to claim 1, wherein a surface area of the relay metal layer in contact with a surface of the stress relaxation structure has an area equal to or larger than a surface area of the stress relaxation structure.
の露出する全表面を被覆するように設けられていること
を特徴とする請求項1に記載の電子部品。3. The electronic component according to claim 1, wherein the stress relaxation structure having conductivity is provided so as to cover the entire exposed surface of the electrode.
する請求項1に記載の電子部品。4. The electronic component according to claim 1, wherein the relay metal layer is a copper foil.
されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに
記載の電子部品。5. The electronic component according to claim 1, wherein the stress relaxation structure is formed of a conductive adhesive.
複数の電極をそれぞれ覆うように導電性樹脂組成物より
なる応力緩和構造体の前駆体を選択的に形成する工程
と、前記応力緩和構造体の前駆体の上面に金属箔を配置
した後、加熱して前記応力緩和構造体の前駆体を硬化す
る工程と、前記金属箔の上面に感光性レジストを貼着し
た後、露光マスクを介して前記レジストに所定のパター
ンを露光する工程と、前記レジストの未露光部分を現像
除去する工程と、露光済みレジストをマスクとして前記
金属箔をサイドエッチングすることにより前記応力緩和
構造体の上面に断面が逆台形状の中継金属層を設ける工
程とを有する電子部品の製造方法。6. A step of selectively forming a precursor of a stress relaxation structure made of a conductive resin composition so as to respectively cover a plurality of electrodes provided on a substrate made of an insulator; After arranging the metal foil on the top surface of the precursor of the structure, heating and curing the precursor of the stress relaxation structure, and after adhering a photosensitive resist on the top surface of the metal foil, the exposure mask A step of exposing a predetermined pattern to the resist, a step of developing and removing an unexposed part of the resist, and a step of side-etching the metal foil using the exposed resist as a mask to form an upper surface of the stress relaxation structure. Providing a relay metal layer having an inverted trapezoidal cross section.
複数の電極をそれぞれ覆うように導電性樹脂組成物より
なる応力緩和構造体の前駆体を選択的に形成することに
より部品基板を得る第1の工程と、離型性基板の上面に
前記絶縁体よりなる基板上に配置された前記複数の電極
と同様のパターン配置を有する断面が台形状である中継
金属層を形成して転写版を得る第2の工程と、第1の工
程で得られた部品基板と第2の工程で得られた転写版と
を位置合わせして貼着した後、加熱して前記導電性樹脂
組成物よりなる応力緩和構造体の前駆体を硬化させた
後、前記離型性基板を剥離することにより前記台形状の
中継金属層を前記応力緩和構造体の上面に転写する第3
の工程とを有する電子部品の製造方法。7. A component substrate is obtained by selectively forming a precursor of a stress relaxation structure made of a conductive resin composition so as to cover a plurality of electrodes provided on a substrate made of an insulator, respectively. A first step of forming a relay metal layer having a trapezoidal cross section having a pattern similar to that of the plurality of electrodes disposed on the substrate made of the insulator on an upper surface of the release substrate; And the component substrate obtained in the first step and the transfer plate obtained in the second step are aligned and adhered, and then heated to obtain the conductive resin composition. After curing the precursor of the stress relaxation structure, the release substrate is peeled off to transfer the trapezoidal relay metal layer to the upper surface of the stress relaxation structure.
And a method for manufacturing an electronic component.
属に対して離型性と還元性とを有する物質で構成されて
いることを特徴とする請求項7に記載の電子部品の製造
方法。8. The method for manufacturing an electronic component according to claim 7, wherein at least the surface of the releasable substrate is made of a substance having releasability and reducing property for metal. .
部品が配線基板上に実装されていることを特徴とする電
子部品実装体。9. An electronic component mounted body, wherein the electronic component according to claim 1 is mounted on a wiring board.
部品であることを特徴とする請求項9に記載の電子部品
実装体。10. The electronic component package according to claim 9, wherein the electronic component is a plurality of electronic components having different shapes.
部品と配線基板の少なくとも一方の上に設けられている
ことを特徴とする請求項9に記載の電子部品実装体。11. The electronic component package according to claim 9, wherein the stress relaxation structure and the relay metal layer are provided on at least one of the electronic component and the wiring board.
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---|---|---|---|
JP11115884A JP2000307025A (en) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Electronic component, manufacturing method thereof, and electronic component mounted body |
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