JP2000276104A - Display element and liquid crystal element - Google Patents
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of Gas Discharge Display Tubes (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、特にフ
ラットパネルディスプレイ、プロジェクションディスプ
レイ、プリンター等に用いられるライトバルブに使用さ
れる液晶素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly to a liquid crystal device used for a light valve used in a flat panel display, a projection display, a printer, and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、ネマチック液晶素子におい
て、画素毎にトランジスタ(例えば薄膜トランジスタ
(TFT))のようなアクティブ素子を配置した、アク
ティブマトリクスタイプの液晶素子の開発が行われてい
る。現在、このアクティブマトリクスタイプの液晶素子
に用いられるネマチック液晶のモードとしては、例えば
M.シャット(M.Schadt)とW.ヘルフリッヒ
(W.Helfrich)著、Applied Phy
sics Letters、第18巻、第4号(197
1年2月15日発行)第127頁〜第128頁において
示されたツイステッドネマチック(Twisted N
ematic)モードが広く用いられている。また、最
近では横方向電圧を利用したインプレインスイッチング
(In−Plain Switching)モードが発
表されており、ツイステッドネマチックモード液晶ディ
スプレイの欠点であった視野角特性の改善がなされてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, in a nematic liquid crystal element, an active matrix type liquid crystal element in which an active element such as a transistor (for example, a thin film transistor (TFT)) is arranged for each pixel has been developed. At present, as a mode of a nematic liquid crystal used in the active matrix type liquid crystal element, for example, M.P. M. Schadt and W.S. Applied Phys by W. Helfrich
sics Letters, Vol. 18, No. 4 (197
Twisted Nermatic (Twisted N) shown on pages 127 to 128
e) mode is widely used. Also, recently, an in-plane switching mode using a lateral voltage has been announced, and the viewing angle characteristics which have been a drawback of the twisted nematic mode liquid crystal display have been improved.
【0003】その他、上述したTFT等のアクティブ素
子を用いない、ネマチック液晶素子の代表例として、ス
ーパーツイステッドネマチック(Super Twis
ted Nematic)モードがある。このように、
ネマチック液晶を用いた液晶素子は様々なモードが存在
するが、そのいずれのモードの場合にも液晶の応答速度
が数十ミリ秒以上かかってしまうという問題があった。In addition, as a typical example of a nematic liquid crystal element which does not use an active element such as a TFT described above, a super twisted nematic (Super Twist) is used.
ted Nematic) mode. in this way,
A liquid crystal element using a nematic liquid crystal has various modes, but in any of the modes, there is a problem that a response speed of the liquid crystal takes several tens of milliseconds or more.
【0004】上記のような従来型のネマチック液晶素子
の欠点を改善するものとして、液晶が双安定性を示す素
子(SSFLC/Surface Stabilize
dFLC)がクラーク(Clark)及びラガウェル
(Lagerwall)により提案されている(特開昭
56−107216号公報、米国特許第4367924
号明細書)。この双安定性を示す液晶としては、一般に
カイラルスメクチックC相を示す強誘電性液晶が用いら
れている。この強誘電性液晶では、電圧印加の際に液晶
分子の自発分極に電圧が作用し、分子の反転スイッチン
グがなされるため、非常に速い応答速度が得られる上に
メモリ性のある双安定状態を発現させることができる。
さらに、視野角特性も優れていることから、高速、高精
細、大面積の表示素子或いはライトバルブとして適して
いると考えられる。As an improvement over the above-mentioned drawbacks of the conventional nematic liquid crystal element, an element in which the liquid crystal exhibits bistability (SSFLC / Surface Stabilize) is used.
dFLC) has been proposed by Clark and Lagerwell (JP-A-56-107216, U.S. Pat. No. 4,367,924).
Specification). As the liquid crystal exhibiting the bistability, a ferroelectric liquid crystal exhibiting a chiral smectic C phase is generally used. In this ferroelectric liquid crystal, when a voltage is applied, a voltage acts on the spontaneous polarization of the liquid crystal molecules, and the molecules undergo inversion switching, so that a very fast response speed is obtained and a bistable state with memory properties is obtained. Can be expressed.
Further, since the viewing angle characteristics are excellent, it is considered that the display element is suitable as a high-speed, high-definition, large-area display element or a light valve.
【0005】一方、最近では液晶が3安定状態を示す反
強誘電性液晶が注目されている。この反強誘電性液晶も
強誘電性液晶同様に、液晶分子の自発分極の作用により
分子の反転スイッチングがなされるため、非常に速い応
答速度が得られる。この液晶材料は、電圧無印加時には
液晶分子は互いに自発分極を打ち消し合うような分子配
列構造を取るため、電圧を印加しない状態では実質的に
自発分極は存在しないことが特徴となっている。On the other hand, recently, antiferroelectric liquid crystals exhibiting a tristable state of liquid crystal have been receiving attention. In the antiferroelectric liquid crystal, as in the case of the ferroelectric liquid crystal, reversal switching of molecules is performed by the action of spontaneous polarization of liquid crystal molecules, so that a very fast response speed can be obtained. This liquid crystal material is characterized in that there is substantially no spontaneous polarization when no voltage is applied since the liquid crystal molecules have a molecular arrangement structure in which the spontaneous polarization cancels each other when no voltage is applied.
【0006】こうした自発分極による反転スイッチング
を行う強誘電性液晶や反強誘電性液晶は、いずれもスメ
クチック液晶相を示す液晶である。すなわち、従来、ネ
マチック液晶が抱えていた応答速度に関する問題点を解
決できるという意味において、スメクチック液晶を用い
た液晶素子の実現が期待されている。A ferroelectric liquid crystal and an antiferroelectric liquid crystal that perform inversion switching by such spontaneous polarization are liquid crystals exhibiting a smectic liquid crystal phase. That is, the realization of a liquid crystal element using a smectic liquid crystal is expected in the sense that the problem relating to the response speed of the conventional nematic liquid crystal can be solved.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記したように、高速
応答性能など次世代のディスプレイ等に自発分極を有す
るスメクチック液晶が期待されているが、特に上述の双
安定状態や3安定状態を用いるモードでは、一画素内で
の階調表示を実現することが原理的に困難であった。As described above, a smectic liquid crystal having spontaneous polarization is expected for a next-generation display or the like having a high-speed response performance. In particular, a mode using the above-mentioned bistable state or tristable state is expected. In such a case, it was theoretically difficult to realize gradation display within one pixel.
【0008】そこで、近年、カイラルスメクチック相を
示す液晶(カイラルスメクチック液晶)を用いて階調制
御を行うモードとして、「ショートピッチタイプの強誘
電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無しき
い値反強誘電性液晶」などが提案されているが、いずれ
も実用に十分なレベルに至っているものはない。In recent years, as a mode for controlling gradation using a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase (chiral smectic liquid crystal), a “short-pitch type ferroelectric liquid crystal” and a “polymer stable ferroelectric liquid crystal” have been proposed. And "thresholdless antiferroelectric liquid crystal" have been proposed, but none of them has reached a level sufficient for practical use.
【0009】一方、液晶素子では従来型の素子(ネマチ
ック相を用いるモード)の液晶部分の応答速度を単に高
速化させるだけでは、人間に感じる動画高速応答特性が
得られないことが最近の研究(信学技法EID96−4
p.19など)から明らかになってきている。これらの
研究結果では、人間が動画表示が高速であると感じる手
法として、シャッターを用いて時間開口率を50%以下
にする方式、または2倍速表示方式を用いることにより
動画質改善に効果的であるとの結論が得られている。On the other hand, recent studies have shown that simply increasing the response speed of a liquid crystal portion of a conventional type device (mode using a nematic phase) in a liquid crystal device does not provide a high-speed response characteristic to a moving image as perceived by a human ( Religious Technique EID96-4
p. 19). According to these research results, as a method for human beings to perceive high-speed moving image display, using a method of reducing the time aperture ratio to 50% or less by using a shutter or a 2 × speed display method is effective in improving moving image quality. It is concluded that there is.
【0010】しかしながら、従来型のネマチック相を用
いるモードでは液晶の応答速度が不十分であるため、上
述の動画表示方法を用いることができないことはもとよ
り、これまで提案されている高速応答のカイラルスメク
チック液晶素子、さらに上述した「ショートピッチタイ
プの強誘電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、
「無しきい値反強誘電性液晶」などを用いて上述の高速
での良好な動画表示を実現するためには、いずれのスメ
クチックモードを用いても駆動方法や周辺回路が複雑に
なるという欠点を持っており、コストアップの要因とな
っていた。また、完全に時間開口率を50%以下と設定
した場合、表示素子全体の明るさそのものが50%以下
となってしまい、表示輝度の低下を招くのは明らかであ
る。However, in the conventional mode using the nematic phase, the response speed of the liquid crystal is insufficient, so that the above-described moving image display method cannot be used, and also the chiral smectic of the high speed response that has been proposed so far. Liquid crystal element, furthermore, the above-mentioned "short pitch type ferroelectric liquid crystal", "polymer stable ferroelectric liquid crystal",
In order to achieve the high-speed and good moving image display described above using “thresholdless antiferroelectric liquid crystal”, the disadvantage that the driving method and peripheral circuits become complicated no matter which smectic mode is used. It had a cost increase. In addition, when the time aperture ratio is completely set to 50% or less, it is clear that the brightness of the entire display element becomes 50% or less, which causes a reduction in display luminance.
【0011】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、その課題とするところは、表示素子、特
に液晶素子であって、実用的な明るさを確保しつつ高速
応答且つ階調制御が可能であり、複雑な回路を用いなく
とも動画質が向上した安価な液晶素子を提供することに
ある。また、本発明は、表示素子、液晶素子における消
費電力の削減を図ることを目的とする。The present invention has been made in view of such a problem, and an object thereof is to provide a display element, particularly a liquid crystal element, which has a high response speed and a high level while ensuring practical brightness. It is an object of the present invention to provide an inexpensive liquid crystal element capable of adjusting the tone and improving moving image quality without using a complicated circuit. Another object of the present invention is to reduce power consumption in a display element and a liquid crystal element.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記した本発明の課題
は、以下の構成によって達成される。The object of the present invention described above is achieved by the following constitution.
【0013】即ち本発明の表示素子は、複数画素を個々
に制御して画像を表示する表示素子であって、1フレー
ムが少なくとも2つのフィールドに分割され、第一のフ
ィールドにおいて画素毎に表示情報に応じた第一の輝度
で画像を表示し、1フレームの残りのフィールドにおい
て画素毎に上記第一の輝度よりも一定の割合で小さい第
二の輝度で実質的に上記第一のフィールドで表示した画
像と同一の画像を表示し、上記第一の輝度で表示する期
間が、上記第二の輝度で表示する期間よりも長く設定さ
れていることを特徴とする。That is, the display element of the present invention is a display element for displaying an image by individually controlling a plurality of pixels. One frame is divided into at least two fields, and the display information is displayed for each pixel in the first field. , And display in the first field substantially at the second luminance that is smaller than the first luminance at a fixed rate for each pixel in the remaining fields of one frame. The period in which the same image as the displayed image is displayed at the first luminance is set longer than the period in which the image is displayed at the second luminance.
【0014】また本発明の液晶素子は、複数画素を個々
に制御して画像を表示する液晶素子であり、液晶と、該
液晶を狭持して対向すると共に少なくとも一方の液晶と
の界面に一軸配向処理が施された一対の基板と、画素毎
に液晶を駆動する電極と、少なくとも一方の基板の外側
に配置した偏光板とを備えた液晶素子であって、1フレ
ームが少なくとも2つのフィールドに分割され、第一の
フィールドにおいて画素毎に表示情報に応じた第一の輝
度で画像を表示し、1フレームの残りのフィールドにお
いて画素毎に上記第一の輝度よりも一定の割合で小さい
第二の輝度で実質的に上記第一のフィールドで表示した
画像と同一の画像を表示し、上記第一の輝度で表示する
期間が、上記第二の輝度で表示する期間よりも長く設定
されていることを特徴とする。Further, the liquid crystal element of the present invention is a liquid crystal element for displaying an image by individually controlling a plurality of pixels. A liquid crystal element including a pair of substrates subjected to an alignment process, electrodes for driving liquid crystal for each pixel, and a polarizing plate disposed outside at least one of the substrates, wherein one frame covers at least two fields. In the first field, an image is displayed at a first luminance corresponding to the display information for each pixel in the first field, and the second luminance which is smaller than the first luminance at a constant rate for each pixel in the remaining fields of one frame. The same image as the image displayed in the first field is displayed at the luminance of the first luminance, and the period of displaying at the first luminance is set to be longer than the period of displaying at the second luminance. That And butterflies.
【0015】特に、上記本発明の液晶素子としては、上
記液晶がカイラルスメクチック液晶であり、電圧無印加
時には、上記液晶の平均分子軸が単安定化された第一の
状態を示し、第一の極性の電圧印加時には、上記液晶の
平均分子軸が印加電圧値に応じた角度で上記第一の状態
から一方の側にチルトし、上記第一の極性とは逆極性の
第二の極性の電圧印加時には、上記液晶の平均分子軸が
印加電圧値に応じた角度で上記第一の状態から上記第一
の極性の電圧印加時にチルトした側とは逆側にチルト
し、上記第一の極性の電圧印加時と第二の極性の電圧印
加時のそれぞれの液晶の平均分子軸の最大チルト状態に
おける上記第一の状態からのチルトの角度が互いに異な
るものが好ましい。In particular, in the liquid crystal device of the present invention, the liquid crystal is a chiral smectic liquid crystal, and when no voltage is applied, the liquid crystal exhibits a first state in which the average molecular axis of the liquid crystal is monostable. When a polarity voltage is applied, the average molecular axis of the liquid crystal tilts from the first state to one side at an angle corresponding to the applied voltage value, and a second polarity voltage having a polarity opposite to the first polarity. At the time of application, the average molecular axis of the liquid crystal tilts at an angle corresponding to the applied voltage value from the first state to the side opposite to the side tilted when the voltage of the first polarity is applied, and has the first polarity. It is preferable that the tilt angle from the first state in the maximum tilt state of the average molecular axis of each liquid crystal when a voltage is applied and when the voltage of the second polarity is applied is different from each other.
【0016】さらには、上記第一のフィールドにおい
て、各画素の液晶が、表示情報に応じた値の第一の極性
の電圧印加によって、該電圧値に応じた角度で第一の状
態からチルトして第一の透過率を呈し、第一のフレーム
の残りのフィールドにおいて、各画素の液晶が、表示情
報に応じた値の第二の極性の電圧印加によって、該電圧
値に応じた角度で第一の状態から上記第一の極性の電圧
印加時にチルトした側とは逆側にチルトして第二の透過
率を呈し、各画素の液晶が上記第一の状態で第三の透過
率を呈し、上記第一の透過率の最大値と第三の透過率と
の間で連続的に透過率を変化させることによって階調表
示を行う素子が好ましい。Further, in the first field, the liquid crystal of each pixel is tilted from the first state at an angle corresponding to the voltage value by applying a first polarity voltage having a value corresponding to display information. In the remaining fields of the first frame, the liquid crystal of each pixel is turned at the angle corresponding to the voltage value by applying a second polarity voltage having a value corresponding to the display information. From one state, the liquid crystal of each pixel exhibits a third transmittance in the first state by tilting to a side opposite to the side tilted when the voltage of the first polarity is applied, to exhibit a second transmittance. An element that performs gradation display by continuously changing the transmittance between the maximum value of the first transmittance and the third transmittance is preferable.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の表示素子においては、高
輝度(第一の輝度)で表示するフィールドと低輝度(第
二の輝度)で表示するフィールドにより画像を形成し、
これら両フィールドでそれぞれ輝度は異なるが実質的に
は同じ内容の画像を表示することにより、人間が高速で
感じられる動画像を得ることができ、さらに、0でない
低輝度のフィールドの設定により表示の明るさを大きく
損なうことのない動画表示を実現することができる。特
に、第二の輝度を第一の輝度の1/5以下に設定するこ
とにより、高速動画質効果がよりよく得られる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a display device according to the present invention, an image is formed by a field displayed at high luminance (first luminance) and a field displayed at low luminance (second luminance).
By displaying an image having substantially the same content but different in luminance in each of these fields, a moving image that can be perceived at high speed by a human can be obtained. It is possible to realize moving image display without significantly reducing brightness. In particular, by setting the second luminance to 1/5 or less of the first luminance, a high-speed moving image quality effect can be better obtained.
【0018】上記表示素子は、外光を光学変調して画像
を表示するタイプの素子やEL素子、プラズマディスプ
レイのような自発光タイプの素子の形で用いられる。The display element is used in the form of an element for displaying an image by optically modulating external light, an EL element, or a self-luminous element such as a plasma display.
【0019】特に、液晶素子には好ましく適用される。
液晶素子の場合、例えば、透過型に構成した液晶素子に
外部光源を設けた液晶装置とし、液晶素子の各画素を表
示情報に応じた透過率となるように光学変調し、第一の
フィールドにおいて第一の照度で上記光源を点灯し、残
るフィールドでは第一の照度よりも低い第二の照度で点
灯することにより、上記した高速動画質と明るい表示を
実現することができる。 このような装置においても、
第二の照度が第一の照度の1/5以下となるように設定
することが好ましい。Particularly, it is preferably applied to a liquid crystal element.
In the case of a liquid crystal element, for example, a liquid crystal device in which an external light source is provided in a liquid crystal element configured as a transmission type, and each pixel of the liquid crystal element is optically modulated to have a transmittance according to display information, and in a first field, By turning on the light source at the first illuminance and turning on the second illuminance lower than the first illuminance in the remaining fields, the above-described high-speed moving image quality and bright display can be realized. Even in such a device,
It is preferable that the second illuminance is set to be 1/5 or less of the first illuminance.
【0020】さらに本発明では、本発明の効果を最も好
適に得る形態として、前記したような電圧無印加時に液
晶が単安定状態を呈するようなカイラルスメクチック液
晶を用いた液晶素子が挙げられる。Further, in the present invention, a liquid crystal element using a chiral smectic liquid crystal in which the liquid crystal exhibits a monostable state when no voltage is applied as described above is a mode for obtaining the effects of the present invention most preferably.
【0021】以下、本発明の好ましい実施形態である、
カイラルスメクチック液晶を用いた液晶素子におけるカ
イラルスメクチック相の配向状態及びスイッチング過程
について、従来型のSSFLCタイプと対比しながら図
面に沿って説明する。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.
The alignment state and switching process of a chiral smectic phase in a liquid crystal element using a chiral smectic liquid crystal will be described with reference to the drawings in comparison with a conventional SSFLC type.
【0022】尚、以下に説明するモデルにおいては、液
晶分子と該液晶分子の位置の範囲となり得る仮想コー
ン、スメクチック層法線、平均一軸配向処理軸の関係に
基づいて説明しているが、当該液晶分子は液晶素子内で
は複数存在し、例えば基板法線方向である程度ツイスト
しており、光学的には(例えば偏光顕微鏡観察によれ
ば)平均分子軸の挙動として観察される。即ち、上述し
た本発明で規定する平均分子軸は実質的には単独の液晶
分子の挙動に相応する。In the model described below, the description is made based on the relationship between the liquid crystal molecules and the virtual cone, the smectic layer normal line, and the average uniaxial alignment processing axis which can be in the range of the positions of the liquid crystal molecules. A plurality of liquid crystal molecules exist in the liquid crystal element, and are twisted to some extent in the normal direction of the substrate, for example, and are optically observed as a behavior of an average molecular axis (for example, by observation with a polarizing microscope). That is, the average molecular axis defined in the present invention substantially corresponds to the behavior of a single liquid crystal molecule.
【0023】SSFLCでは、SmC*相(カイラルス
メクチックC相)において、液晶分子を2状態に安定化
させることによって、双安定性即ちメモリ性を発現させ
ている。このメモリ状態に関して図1及び図2に示すモ
デルを用いて説明する。In the SSFLC, bistability, that is, memory properties is exhibited by stabilizing liquid crystal molecules in two states in an SmC * phase (chiral smectic C phase). This memory state will be described with reference to the models shown in FIGS.
【0024】図1はSSFLCタイプの素子における液
晶分子及び液晶の層構造(スメクチック層の構造)につ
いて模式的に示した図である。当該素子においては、図
1(a)及び(b)に示すように、基板11及び12間
に狭持された液晶13の部分において、液晶分子14
は、基板11または12の界面付近では各基板の一軸配
向処理方向Rに沿って基板から所定のプレチルト角αで
立ち上がり(本例では両基板の一軸配向処理方向Rが平
行であり且つ同方向、即ち基板に対して同方向に液晶分
子を立ち上がらせるような設定とした)、基板11及び
12間で基板法線に対して傾斜角δをなすシェブロン構
造のスメクチック層16を形成している。FIG. 1 is a diagram schematically showing a liquid crystal molecule and a layer structure of a liquid crystal (a structure of a smectic layer) in an SSFLC type device. In the device, as shown in FIGS. 1A and 1B, the liquid crystal molecules 14 are sandwiched between the substrates 11 and 12 by the liquid crystal molecules 14.
Rises at a predetermined pretilt angle α from the substrates along the uniaxial orientation direction R of each substrate near the interface between the substrates 11 and 12 (in this example, the uniaxial orientation directions R of both substrates are parallel and the same direction, That is, a setting is made such that the liquid crystal molecules rise in the same direction with respect to the substrate), and a smectic layer 16 having a chevron structure forming an inclination angle δ with respect to the substrate normal between the substrates 11 and 12 is formed.
【0025】一方、液晶分子14は、電圧印加により2
Θ(Θ:液晶材料に固有の物性であるコーン角)の頂角
を有する仮想コーン15の壁面の2位置間でスイッチン
グし且つ電圧無印加の状態で、当該2位置の近傍で安定
的に存在する。尚、同図(a)及び(b)に示すスメク
チック層16がシェブロン構造をなす配向状態は、それ
ぞれ、基板間の液晶分子14のプレチルトの方向とスメ
クチック層16のシェブロン構造の折れ曲がり方向の関
係により種別されるもので、(a)の配向状態をC1配
向、(b)の配向状態をC2配向と呼ぶ。On the other hand, the liquid crystal molecules 14
Switching between two positions on the wall surface of the virtual cone 15 having an apex angle of Θ (Θ: cone angle which is a physical property inherent to the liquid crystal material), and stably exists near the two positions in a state where no voltage is applied when no voltage is applied. I do. In addition, the alignment state in which the smectic layer 16 forms a chevron structure shown in FIGS. 6A and 6B depends on the relationship between the direction of the pretilt of the liquid crystal molecules 14 between the substrates and the bending direction of the chevron structure of the smectic layer 16. The orientation state of (a) is called C1 orientation, and the orientation state of (b) is called C2 orientation.
【0026】ここで、図1に示すSSFLCの配向状態
では、C1配向状態及びC2配向状態共に一般的にΘ>
δの関係を満たすことで、電圧無印加時に基板11及び
12間でシェブロン構造のスメクチック層16のキンク
位置(基板間中央の折れ曲がり部分)を含むほぼ全厚み
方向で、液晶分子14が仮想コーン15内で安定的に2
位置をとることができ、双安定状態が発現する。Here, in the SSFLC orientation state shown in FIG. 1, both the C1 orientation state and the C2 orientation state are generally
By satisfying the relationship of δ, the liquid crystal molecules 14 are formed in the virtual cone 15 in substantially the entire thickness direction including the kink position of the smectic layer 16 having the chevron structure (the bent portion at the center between the substrates) between the substrates 11 and 12 when no voltage is applied. Stable within 2
Position and a bistable state develops.
【0027】図2(a)及び(b)は、それぞれ図1
(a)及び(b)に示すC1配向状態とC2配向状態の
それぞれにおける仮想コーン15の底面17上への液晶
分子の射影を示すものであり、液晶分子が14a及び1
4bの双安定状態(射影18a、18b)をとることを
示している。FIGS. 2A and 2B respectively show FIGS.
9A and 9B show projections of liquid crystal molecules onto the bottom surface 17 of the virtual cone 15 in the C1 alignment state and the C2 alignment state shown in FIGS.
4b shows a bistable state (projections 18a, 18b).
【0028】液晶が上記のような双安定性の配向状態を
呈する素子では、一対のクロスニコル下の偏光板のう
ち、双安定状態の一方の平均分子軸(液晶分子の位置)
に偏光軸を合わせて、双安定状態間のスイッチングを行
い、黒(暗状態)及び白(明状態)の表示を行う。この
スイッチングは、例えば一方の状態から他方の状態のド
メインの生成により、即ちドメインウォールの生成及び
消滅を伴ってなされる。但し、このようなスイッチング
メカニズムを用いて表示を行う場合、基本的には黒及び
白の2値表示しかできず、黒白間の階調(中間調)の表
示は困難である。In an element in which the liquid crystal exhibits a bistable alignment state as described above, one of the pair of polarizing plates under crossed Nicols has one average molecular axis in the bistable state (position of liquid crystal molecules).
, The switching between the bistable states is performed, and the display in black (dark state) and white (bright state) is performed. This switching is performed, for example, by generating a domain from one state to the other state, that is, accompanied by generation and disappearance of a domain wall. However, when display is performed using such a switching mechanism, basically, only binary display of black and white can be performed, and it is difficult to display a gray scale (halftone) between black and white.
【0029】これに対し、本発明の液晶素子において
は、カイラルスメクチック液晶を用いた素子において階
調表示を実現すべく、図1及び図2に示すようなメモリ
性(双安定性)を消失させ、印加電圧によって液晶分子
の位置が連続的に可変となるようにしたものである。こ
の設定のため、本発明においては好ましくは等方相(I
so)−コレステリック相(Ch)−SmC*、或い
は、Iso−SmC*の相転移系列を示す液晶材料を用
いる。On the other hand, in the liquid crystal device of the present invention, in order to realize gradation display in the device using the chiral smectic liquid crystal, the memory property (bistability) as shown in FIGS. 1 and 2 is lost. The position of the liquid crystal molecules is made continuously variable by an applied voltage. Due to this setting, in the present invention, the isotropic phase (I
A liquid crystal material exhibiting a phase transition series of (so) -cholesteric phase (Ch) -SmC * or Iso-SmC * is used.
【0030】図3(a)に、液晶素子において、少なく
とも降温下でCh−SmA−SmC*相転移系列を示す
液晶材料の層(スメクチック層)構造の形成過程を、図
3(b)に少なくとも降温下でCh−SmC*相転移系
列を示す液晶材料の層構造形成過程を示す。同図におい
て、矢印Rは素子における平均一軸配向処理軸の方向で
ある。液晶分子14は、電圧を印加した際に仮想コーン
15域の壁面に沿ってスイッチングし得ることとする。FIG. 3A shows a process of forming a layer (smectic layer) structure of a liquid crystal material exhibiting a Ch-SmA-SmC * phase transition sequence at least at a reduced temperature in a liquid crystal device. 4 shows a process of forming a layer structure of a liquid crystal material exhibiting a Ch-SmC * phase transition series at a lower temperature. In the figure, the arrow R indicates the direction of the average uniaxial orientation processing axis in the device. The liquid crystal molecules 14 can be switched along the wall surface of the virtual cone 15 when a voltage is applied.
【0031】ここで、”平均一軸配向処理軸”とは、素
子を構成する両基板の液晶に接する面において一軸配向
処理が施され、その方向(例えばラビング方向)が平行
で同一方向であるか互いに逆方向(反平行)である場
合、並びに一方の基板にのみ一軸配向処理が施されてい
る場合では、その一軸配向処理の軸自体に相当し、両基
板において一軸配向処理が施された方向(例えばラビン
グ方向)が互いにクロスしている場合には、両方の一軸
配向処理軸の中心方向の軸、即ちクロス角の1/2の方
向に相当する。また、平均一軸配向処理軸の”方向”と
は、例えば当該配向処理がなされた基板近傍における液
晶分子の基板に対して立ち上がっている、即ちプレチル
トを生じる側への方向であり、一方の基板にのみ一軸配
向処理が施されている場合及び両基板において一軸配向
処理が施され、その方向(例えばラビング方向)が平行
で同一方向である場合は、その処理方向自体であり、両
基板に互いに平行で逆方向の処理が施されている(反平
行)場合、いずれか一方の基板での処理方向であり、両
基板において一軸配向処理が施された方向(例えばラビ
ング方向)が互いにクロスしている場合では、その中心
軸の方向である。Here, the “average uniaxial alignment processing axis” means that the uniaxial alignment processing is performed on the surfaces of both substrates constituting the element which are in contact with the liquid crystal, and the directions (for example, rubbing directions) are parallel and the same direction. When the directions are opposite to each other (anti-parallel) and when only one of the substrates has been subjected to the uniaxial orientation processing, it corresponds to the axis itself of the uniaxial orientation processing, and the direction in which the uniaxial orientation processing has been applied to both substrates. When the rubbing directions (for example, rubbing directions) cross each other, they correspond to the axes in the center direction of both the uniaxial orientation processing axes, that is, half the cross angle. Further, the “direction” of the average uniaxial alignment processing axis is, for example, a direction in which liquid crystal molecules stand up with respect to the substrate in the vicinity of the substrate on which the alignment processing has been performed, that is, a direction to a side where pretilt occurs, and When only uniaxial orientation processing is performed and when uniaxial orientation processing is performed on both substrates and the direction (for example, the rubbing direction) is parallel and the same direction, the processing direction itself is used, and the two substrates are parallel to each other. In the case where the processing in the opposite direction is performed (anti-parallel), the processing direction is on one of the substrates, and the direction (for example, the rubbing direction) on which the uniaxial alignment processing is performed on both substrates crosses each other. In that case, it is the direction of its central axis.
【0032】図3(a)に示すように、相転移系列中に
SmA相を有する液晶材料の場合、SmA相においてス
メクチック層法線方向(紙面横方向矢印LN)と一軸配
向処理方向が一致するように液晶分子14が配列しスメ
クチック層構造を形成する。そして、SmC*相では、
液晶分子14はスメクチック層法線方向LNからチルト
し、仮想コーン15のエッジ近傍もしくはその若干内側
の位置で安定化する。As shown in FIG. 3A, in the case of a liquid crystal material having an SmA phase in the phase transition series, the direction of the normal direction of the smectic layer (horizontal arrow LN) and the direction of the uniaxial alignment process in the SmA phase coincide. Thus, the liquid crystal molecules 14 are arranged to form a smectic layer structure. And in the SmC * phase,
The liquid crystal molecules 14 tilt from the smectic layer normal direction LN and stabilize near the edge of the virtual cone 15 or at a position slightly inside the edge.
【0033】一方、本発明で好適に用いられる図3
(b)に示すようにSmA相を含まない相転移系列で
は、例えばCh相からSmC*相に相転移する過程で、
液晶分子14はスメクチック層法線方向LNに対して傾
くように、且つ平均一軸配向処理方向Rから若干傾くよ
うに配列しスメクチック層構造が形成される。On the other hand, FIG. 3 preferably used in the present invention
As shown in (b), in the phase transition series that does not include the SmA phase, for example, during the phase transition from the Ch phase to the SmC * phase,
The liquid crystal molecules 14 are arranged so as to be inclined with respect to the normal direction LN of the smectic layer and slightly inclined from the average uniaxial alignment processing direction R to form a smectic layer structure.
【0034】そして本発明では、液晶分子14がSmC
*相内の使用温度域で、仮想コーン15のエッジ部より
内側の位置で安定化するように調整される。ここで「仮
想コーン15のエッジより内側の位置で安定化」する場
合として、スメクチック層がシェブロン構造または斜め
ブックシェルフ構造等となる傾斜角を有する構造が考え
られるが、完全なブックシェルフ構造であった場合でも
プレチルト角が高い場合や、基板界面の極性相互作用が
強くバルク分子がねじれている場合等はコーンエッジの
内側で安定化することがある。また、エレクトロクリニ
ック効果が顕著な材料では、電界によって仮想コーンエ
ッジのさらに外側にまで分子が傾斜することになるが、
本発明の液晶素子は、電界印加時の分子配向方向と層法
線方向とのズレ角が、電界無印加時の分子配向と層法線
方向とのズレ角より大きいこと、即ち例えば電界無印加
時の液晶分子の方向とクロスニコルの一方の偏光軸とを
一致させ最暗状態とした場合、正負いずれの極性の電圧
の印加時においても液晶の光軸がずれ、複屈折を発現さ
せていることを特徴とするため、こうした電圧印加によ
って液晶分子が仮想コーンのエッジの外側にまで分子が
傾斜する材料に関しても、本発明では適用可能である。In the present invention, the liquid crystal molecules 14 are SmC
* Adjusted to stabilize at a position inside the edge of virtual cone 15 within the operating temperature range within the phase. Here, as a case of “stabilizing at a position inside the edge of the virtual cone 15”, a structure in which the smectic layer has an inclination angle such as a chevron structure or an oblique bookshelf structure is considered, but a complete bookshelf structure is used. Even in the case where the pretilt angle is high, the polar interaction at the substrate interface is strong, and the bulk molecules are twisted, the stabilization may occur inside the cone edge. In the case of a material with a remarkable electroclinic effect, the electric field causes molecules to tilt further outside the virtual cone edge,
In the liquid crystal device of the present invention, the deviation angle between the molecular alignment direction and the layer normal direction when an electric field is applied is larger than the deviation angle between the molecular alignment direction and the layer normal direction when no electric field is applied, that is, for example, when no electric field is applied. When the direction of the liquid crystal molecules at the time coincides with one of the polarization axes of crossed Nicols and the state is the darkest, the optical axis of the liquid crystal is shifted even when a voltage of either positive or negative polarity is applied, and birefringence is developed. Because of this feature, the present invention is also applicable to a material in which liquid crystal molecules are tilted to the outside of the edge of the virtual cone by the application of such a voltage.
【0035】ここで、本発明の一態様として、シェブロ
ン構造または斜めブックシェルフ等の層傾斜角を有する
場合に関して、モデルを利用して図4を用いて詳述す
る。図4(a)は図3(b)と同様にSmA相を含まな
い相転移系列における液晶分子の配列の変化を示してお
り、例えばCh相からSmC*相に相転移する過程で
(特にSmC*相への転移温度直下で)、液晶分子14
はスメクチック層法線方向LNに対して傾くように配列
しスメクチック層構造が形成される。Here, as one embodiment of the present invention, a case having a layer inclination angle such as a chevron structure or an oblique bookshelf will be described in detail with reference to FIG. 4 using a model. FIG. 4A shows a change in the arrangement of liquid crystal molecules in a phase transition series not including the SmA phase, as in FIG. 3B. For example, during the phase transition from the Ch phase to the SmC * phase (particularly, SmC phase). * Just below the phase transition temperature), liquid crystal molecules 14
Are arranged so as to be inclined with respect to the normal direction LN of the smectic layer to form a smectic layer structure.
【0036】但し、図4(a)ではSmC*相内の、例
えば高温側(TEMP1)と低温側(TEMP2)におい
てコーン角Θ(仮想コーン15の頂角の1/2)に違い
が存在する。However, in FIG. 4A, the difference in cone angle コ ー ン (1 / of the vertex angle of the virtual cone 15) in the SmC * phase, for example, between the high temperature side (TEMP 1 ) and the low temperature side (TEMP 2 ). Exists.
【0037】ここで、高温側TEMP1におけるコーン
角をΘ1、低温側TEMP2におけるコーン角をΘ2と
し、Θ1<Θ2なる関係を満たすような材料を用いる時、
通常の場合、これら各温度におけるスメクチック層の層
間隔d1及びd2間にはd1>d2 なる関係が成立する。従
って、仮に温度TEMP1においてブックシェルフ構造
の層構造を有しているとした場合、温度TEMP2では
少なくとも関係式δ=cos-1(d2/d1)を満たす層
傾斜角δを有することになる。Here, the high temperature side TEMP1Cone in
角1, Low temperature side TEMPTwoThe cone angle atTwoWhen
Θ1<ΘTwoWhen using a material that satisfies the relationship
Normally, the smectic layer at each of these temperatures
Interval d1And dTwoD in between1> DTwo Is established. Obedience
Tentatively, temperature TEMP1Bookshelf structure in
Temperature TEMPTwoThen
At least the relational expression δ = cos-1(DTwo/ D1) Fill layer
Will have a tilt angle δ.
【0038】よって、温度TEMP2においてはシェブ
ロン構造または斜めブックシェルフ構造を形成すること
になる。これらのうちシェブロン構造をとる場合の層構
造及びc−ダイレクタの様子及び仮想コーン底面への射
影を図4(b)及び(c)に示す(符号は図2と同
様)。同図に示されるとおり、通常の双安定型SSFL
Cと同様に、ラビング方向と層傾斜角の関係からC1,
C2を定義することができる。以上述べた原理により、
液晶分子14が、仮想コーン15のエッジより内側の位
置で安定化するように調整される。Therefore, at the temperature TEMP 2 , a chevron structure or an oblique bookshelf structure is formed. 4 (b) and 4 (c) show the layer structure, c-director state, and projection on the bottom surface of the virtual cone when the chevron structure is used. As shown in the figure, a normal bistable SSFL
Similarly to C, from the relationship between the rubbing direction and the layer inclination angle, C1,
C2 can be defined. According to the principle described above,
The liquid crystal molecules 14 are adjusted so as to be stabilized at a position inside the edge of the virtual cone 15.
【0039】図3(a)及び(b)、図4(a)のいず
れの場合も、例えば図1及び図2に示すような液晶分子
14がシェブロン構造の双安定配向状態、即ち基板と実
質的に平行な2状態で安定になるべきであるが、図3
(b)、図4(a)に示す場合、一軸配向処理の束縛力
が強くなり、この2状態のうちの一方のみが安定とな
り、メモリ性が消失することになる。また、図3
(b)、図4(a)に示すCh−SmC*相転移の際
(SmC*相への転移温度直下)、図5に示すように2
通りの異なった層法線方向(LN 1及びLN 2)を示すス
メクチック層構造が形成することが考えられる。この
時、カイラルスメクチック液晶を狭持するセルの上下一
対の基板の一軸配向処理の状態(処理方向等の条件、配
向材料等)が完全に対称であれば上記図5に示すような
2つのスメクチック層構造が均等な割合で形成される。3 (a) and 3 (b) and FIG. 4 (a)
In such a case, for example, liquid crystal molecules as shown in FIGS.
14 is a bistable orientation state of a chevron structure, that is,
It should be stable in two qualitatively parallel states.
(B), the binding force of the uniaxial orientation treatment in the case shown in FIG.
Becomes stronger, and only one of these two states becomes stable.
As a result, the memory property is lost. FIG.
(B), Ch-SmC shown in FIG.*During phase transition
(SmC*Just below the phase transition temperature), as shown in FIG.
Different layer normal directions (LN 1And LN Two)
It is conceivable that a mectic layer structure is formed. this
The top and bottom of the cell holding the chiral smectic liquid crystal
The state of uniaxial orientation processing of a pair of substrates (conditions such as
If the material is completely symmetric, as shown in FIG.
Two smectic layer structures are formed at an equal ratio.
【0040】そして、本発明の液晶素子においては、図
5に示す2つの層構造のうち一方の層構造のみに揃え
る、即ち平均一軸配向処理軸とスメクチック層法線方向
のズレ方向が一定となるようにし、図4(b)または
(c)に示すように電圧無印加の状態で液晶分子14を
仮想コーン15の一エッジの内側に安定化させ、そのメ
モリ性を消失させたSmC*相の配向状態を得ている。In the liquid crystal device of the present invention, only one of the two layer structures shown in FIG. 5 is aligned, that is, the direction of deviation between the average uniaxial alignment processing axis and the normal direction of the smectic layer is constant. As shown in FIG. 4 (b) or (c), the liquid crystal molecules 14 are stabilized inside one edge of the virtual cone 15 in the state where no voltage is applied, and the memory property of the SmC * phase is lost. The orientation state has been obtained.
【0041】次いで、本発明の液晶素子の配向状態、即
ち図5に示すようなSmC*相での層構造の一方を優先
的に形成した配向状態を有するセルにおいて、電圧に対
する液晶分子21の反転挙動のモデル(素子の上面、側
面、コーン底面への射影)について図6を参照して説明
する。尚、図6ではパラレルラビングセル(両基板に平
行且つ同一方向のラビング処理を施したセル)における
C2配向状態を用いて電界に対する反転挙動を説明する
が、C1配向、斜めブックシェルフ配向、アンチパラレ
ルセルでの配向等も同様の考え方で議論することができ
る。Next, in a cell having an alignment state of the liquid crystal element of the present invention, that is, an alignment state in which one of the layer structures in the SmC * phase is preferentially formed as shown in FIG. 5, the inversion of the liquid crystal molecules 21 with respect to the voltage. A behavior model (projection on the top surface, side surface, and bottom surface of the cone) of the element will be described with reference to FIG. In FIG. 6, the inversion behavior with respect to the electric field is described using the C2 orientation state in a parallel rubbing cell (a cell in which rubbing treatment is performed in the same direction parallel to both substrates). The cell orientation and the like can be discussed in the same way.
【0042】図6では、電圧印加の状態における、セル
上方から見た場合の挙動(I)、セル断面方向での挙動
(II)、SmC*相での仮想コーン底面への射影(I
II)のそれぞれを示している。Iの場合は、セル断面
方向の液晶分子の平均的な分子軸を示していることにな
る。In FIG. 6, the behavior (I) when viewed from above the cell, the behavior in the cell sectional direction (II), and the projection of the SmC * phase onto the virtual cone bottom (I
II). In the case of I, it indicates the average molecular axis of the liquid crystal molecules in the cell cross-sectional direction.
【0043】先ず、図6(b)に示すように電圧無印加
時においては液晶分子14(仮想コーンの底面17での
射影18は平均一軸配向処理方向(矢印R)とは若干ず
れて配向している。液晶の自発分極19は基板間で実質
的に略同様の方向を向いているここで、電圧無印加時の
液晶分子の位置に偏光軸の一方(P)を一致させたクロ
スニコル(d)下にセルを配置し、液晶を透過する光量
を最低の状態(最小透過率)にして暗状態(黒状態)を
表示する。First, as shown in FIG. 6B, when no voltage is applied, the liquid crystal molecules 14 (the projections 18 on the bottom surface 17 of the virtual cone are oriented slightly deviated from the average uniaxial orientation direction (arrow R)). The spontaneous polarization 19 of the liquid crystal is oriented substantially in the same direction between the substrates. Here, one of the polarization axes (P) coincides with the position of the liquid crystal molecule when no voltage is applied. d) A cell is arranged below, and a dark state (black state) is displayed by setting the amount of light transmitted through the liquid crystal to a minimum state (minimum transmittance).
【0044】そして、この配向状態に対し、電圧を印加
した時には図6(a),(c)に示すように、液晶分子
14は、電圧無印加時の位置に対して電圧Eの極性に応
じた方向に自発分極19が揃いチルト(スイッチング)
する。電圧無印加時の液晶分子位置を基準としたチルト
の角度(IIを参照)は印加電圧の大きさ(電圧の絶対
値)に応じたものとなるが、図6(a),(c)に示す
ように一方の極性の電圧を加えた場合(正極性の電圧印
加の場合)のチルトの角度と、他方の極性の電圧を加え
た場合(負極性の電圧印加の場合)のチルトの角度は、
電圧の極性が逆であれば同じ電圧絶対値であっても大き
く異なっている。When a voltage is applied to this alignment state, as shown in FIGS. 6A and 6C, the liquid crystal molecules 14 move in accordance with the polarity of the voltage E with respect to the position where no voltage is applied. Tilt (switching) with spontaneous polarization 19 aligned in different directions
I do. The tilt angle (see II) based on the liquid crystal molecule position when no voltage is applied depends on the magnitude of the applied voltage (absolute value of the voltage). As shown, the tilt angle when a voltage of one polarity is applied (in the case of applying a positive voltage) and the tilt angle when a voltage of the other polarity is applied (in the case of applying a negative voltage) are as follows. ,
If the polarities of the voltages are opposite, even if they have the same absolute voltage value, they are greatly different.
【0045】ここで、液晶に第一の極性の電圧を加えた
場合に液晶が呈する透過率を第一の透過率、液晶に第二
の極性の電圧を加えた場合に液晶が呈する透過率を第二
の透過率、電圧無印加の状態での透過率を第三の透過率
とする。尚、本発明において「透過率」とは「光透過
率」を示すものである。Here, the transmittance exhibited by the liquid crystal when a voltage of the first polarity is applied to the liquid crystal is the first transmittance, and the transmittance exhibited by the liquid crystal when the voltage of the second polarity is applied to the liquid crystal. The second transmittance and the transmittance when no voltage is applied are defined as a third transmittance. In the present invention, “transmittance” indicates “light transmittance”.
【0046】図6の場合、電圧を印加していない場合に
おいて既に分子はスメクチック層法線方向からは傾いた
方向に位置して単安定化しており、且つ正負それぞれに
十分大きな電界を印加した場合には、図6(a)或いは
(c)の状態からさらに基板界面近傍分子の自発分極の
向きもバルク部分同様に電界方向を向くよう分子配列し
ようとする結果、ほぼ全てのセル中分子がコーンエッジ
上に存在することとなり電圧無印加時の位置を基準とし
て最大のチルト状態が得られる。それにより、層法線軸
を対称軸とした分子位置にほぼねじれのないユニフォー
ムな配向状態が形成される。そして、液晶分子の最大チ
ルト状態は、一方の極性の電圧印加による電圧無印加時
の位置を基準とした最大チルトの状態におけるチルトの
角度と、他方の極性の電圧印加による最大チルトの状態
におけるチルトの角度が異なるように、図6では正極性
電圧印加時での最大チルト状態での角度が負極性電圧印
加時での最大チルト状態での角度より大きくなるように
調整される。In the case of FIG. 6, when no voltage is applied, the molecules are already monostable in a direction inclined from the normal direction of the smectic layer, and when a sufficiently large electric field is applied to each of the positive and negative sides. In FIG. 6A or FIG. 6C, the molecules are arranged so that the direction of the spontaneous polarization of the molecules near the substrate interface is also directed to the electric field direction similarly to the bulk portion. Since it exists on the edge, the maximum tilt state can be obtained based on the position when no voltage is applied. As a result, a uniform orientation state with almost no twist at the molecular position with the layer normal axis as the symmetry axis is formed. The maximum tilt state of the liquid crystal molecules is defined as a tilt angle in a maximum tilt state based on a position when no voltage is applied by applying a voltage of one polarity and a tilt angle in a maximum tilt state by applying a voltage of the other polarity. In FIG. 6, the angle in the maximum tilt state when the positive voltage is applied is adjusted to be larger than the angle in the maximum tilt state when the negative voltage is applied.
【0047】ここで、例えば液晶の有する屈折率異方性
Δn、セル厚をdとし、Δndを可視光の2分の1波長
近傍に設定した場合、図6(c)に示すような正極性の
印加電圧時には、電圧(絶対値)が大きくなるに伴い、
液晶素子からの出射光量、即ち素子を透過する光量が連
続的に変化して大きくなり、同図のような配向状態とな
り所定のチルト状態が得られる。そして、当該チルト状
態(第一の透過率の最大値状態)で電圧無印加時の透過
光量と最も異なる(正極性の電圧印加の範囲で最も異な
る)光量、最大透過光量を得ることができる。Here, for example, when the refractive index anisotropy Δn of the liquid crystal and the cell thickness are d and Δnd is set near half the wavelength of visible light, the positive polarity as shown in FIG. At the applied voltage of, as the voltage (absolute value) increases,
The amount of light emitted from the liquid crystal element, that is, the amount of light passing through the element continuously changes and increases, and the alignment state as shown in the figure is obtained, and a predetermined tilt state is obtained. Then, in the tilt state (the maximum value of the first transmittance), it is possible to obtain the maximum amount of transmitted light and the amount of light that is the most different from the amount of light transmitted when no voltage is applied (most different in the range of positive voltage application).
【0048】一方、図6(a)に示すように、負の電圧
を印加した時には、液晶素子を透過する光量は上昇する
が、その光学応答量は微小であり、所定の電圧(正極性
の電圧側と同じ絶対値の電圧)で液晶分子が所定のチル
ト状態となった際(第二の透過率の最大値状態)に、電
圧無印加時の透過光量と最も異なる(負極性の電圧印加
の範囲で最も異なる)透過光量、即ち最大透過光量とな
る。但し、当該負極性電圧印加時の最大透過光量と図6
(b)に示す電圧無印加時の透過光量との差は、図6
(c)の場合の正極性電圧印加時の最大透過光量と圧無
印加時の透過光量との差に比較して小さく、即ち正極性
の電圧印加時に、当該液晶素子における最大の透過光量
を得ることができる。On the other hand, as shown in FIG. 6 (a), when a negative voltage is applied, the amount of light transmitted through the liquid crystal element increases, but the optical response amount is very small and a predetermined voltage (positive polarity) is applied. When the liquid crystal molecules are in a predetermined tilt state at the same absolute value as the voltage side (the second maximum transmittance state), the amount of transmitted light is the most different from the amount of transmitted light when no voltage is applied (negative voltage applied). ), That is, the maximum transmitted light amount. However, the maximum transmitted light amount when the negative voltage was applied and FIG.
The difference from the transmitted light amount when no voltage is applied shown in FIG.
In the case (c), the difference between the maximum transmitted light amount when the positive voltage is applied and the transmitted light amount when no pressure is applied, that is, the maximum transmitted light amount in the liquid crystal element is obtained when the positive voltage is applied. be able to.
【0049】ここで、例えば図6(d)に示すような一
対の偏光板を用いる場合、正極性電圧印加時における液
晶分子14の最大チルトの状態における、電圧無印加時
の液晶分子14の位置を基準としたチルトの角度が45
°以下である場合には、液晶分子14が仮想コーン15
のエッジにある時、即ち最大チルトの状態(第一の透過
率の最大値状態)において、正極性電圧印加時での最大
透過光量が得られる。一方、上記チルトの角度が45°
より大きい場合には、液晶分子14が仮想コーン15の
エッジの内側にある時において、正極性電圧印加の際の
最大透過光量が得られる。負極性電圧印加時は、上記い
ずれの場合でも最大チルト状態(第二の透過率の最大値
状態)で負極性電圧印加の際の最大透過光量が得られ
る。Here, for example, when a pair of polarizing plates as shown in FIG. 6D is used, the position of the liquid crystal molecules 14 when no voltage is applied in the state of maximum tilt of the liquid crystal molecules 14 when a positive voltage is applied. The tilt angle is 45
° or less, the liquid crystal molecules 14
, That is, in the state of maximum tilt (the state of the maximum value of the first transmittance), the maximum amount of transmitted light when the positive voltage is applied is obtained. On the other hand, the tilt angle is 45 °
If it is larger, the maximum amount of transmitted light when a positive voltage is applied is obtained when the liquid crystal molecules 14 are inside the edge of the virtual cone 15. When a negative voltage is applied, the maximum transmitted light amount when the negative voltage is applied is obtained in the maximum tilt state (the second transmittance maximum value state) in any of the above cases.
【0050】上述したような液晶分子のスイッチング挙
動を示す素子の電圧(V)−光透過率(T)特性の例、
特に正極性電圧印加の際に液晶分子が最大チルト状態と
なるときに最大透過率が得られる場合の素子の例を図7
に示す。正極性の電圧印加時にはその電圧値に沿って液
晶分子のチルトにより透過率が上昇し、電圧V1以上で
最大透過率T1を示す。一方、負極性の電圧印加時に
は、その電圧値に沿って液晶分子がチルトし、若干の透
過率が上昇するが、電圧−V1以下でT1より遙かに小さ
い最大透過率T2に飽和する。Examples of the voltage (V) -light transmittance (T) characteristics of an element exhibiting the switching behavior of liquid crystal molecules as described above,
In particular, FIG. 7 shows an example of an element in which a maximum transmittance is obtained when liquid crystal molecules are in a maximum tilt state when a positive voltage is applied.
Shown in When a positive voltage is applied, the transmittance increases due to the tilt of the liquid crystal molecules along the voltage value, and shows a maximum transmittance T 1 at a voltage V 1 or higher. On the other hand, when a negative voltage is applied, the liquid crystal molecules tilt along the voltage value, and the transmittance slightly increases. However, when the voltage is −V 1 or less, the maximum transmittance T 2, which is much smaller than T 1 , is saturated. I do.
【0051】本発明の液晶素子の図6に示すようなスイ
ッチング動作及び図7に示すような特性を、一般的なT
FTを備えたアクティブマトリクスタイプの液晶素子に
適用し、交流的な駆動波形を印加し、液晶部分を光シャ
ッターとして機能させ、一極性の電圧印加期間(例えば
図7に示す正極性側の電圧印加による光学応答特性を利
用する期間)と逆極性の電圧印加期間(例えば図7に示
す負極性側の電圧印加による光学応答特性を利用する期
間)を組み合わせることで、時間開口率を50%以下に
する方式と同様の効果を得ることができる。こうして複
雑な周辺回路等を用いることなく、動画質の向上した液
晶素子を実現することが可能となる。The switching operation of the liquid crystal device of the present invention as shown in FIG. 6 and the characteristics as shown in FIG.
The present invention is applied to an active matrix type liquid crystal element having an FT, applying an AC drive waveform, causing the liquid crystal portion to function as an optical shutter, and applying a unipolar voltage (for example, a positive voltage application shown in FIG. The time aperture ratio is reduced to 50% or less by combining the voltage application period of the opposite polarity (for example, the period of using the optical response characteristic by applying the voltage on the negative polarity side shown in FIG. 7). In this case, the same effect as that of the method can be obtained. Thus, a liquid crystal element with improved moving image quality can be realized without using complicated peripheral circuits and the like.
【0052】特に、第一の極性(図6の場合、正極性)
の電圧印加時における液晶分子(平均分子軸)の最大チ
ルト状態の角度と、第二の極性(図6の場合、負極性)
の電圧印加時における液晶分子(平均分子軸)の最大チ
ルト状態の角度との比については、好ましくは5以上と
し、そして第一の極性(正極性)の電圧印加時における
液晶分子(平均分子軸)の所定のチルト状態での液晶素
子からの最大透過光量(例えば図7の特性でのT1にお
ける透過光量)と、第二の極性(負極性)の電圧印加時
における液晶分子(平均分子軸)の最大チルト状態での
液晶素子からの最大透過光量(例えば図7の特性でのT
2における透過光量)の比について好ましくは5以上に
調整する(即ち、第二の透過率の最大値と第三の透過率
との差が第一の透過率の最大値と第三の透過率との差の
1/5以下)ことで、動画質向上の効果が最も顕著に得
られる。In particular, the first polarity (in the case of FIG. 6, positive polarity)
Angle of maximum tilt state of liquid crystal molecules (average molecular axis) when voltage is applied and second polarity (negative polarity in FIG. 6)
The ratio of the liquid crystal molecules (average molecular axis) to the angle of the maximum tilt state when the voltage is applied is preferably 5 or more, and the liquid crystal molecules (average molecular axis) when the first polarity (positive) voltage is applied. maximum and transmitted light quantity (quantity of transmitted light for example in T 1 of the at characteristic of FIG. 7), the liquid crystal molecules (average molecular axis when a voltage is applied to the second polarity (negative polarity) from the liquid crystal element at a predetermined tilt state of) ) In the maximum tilt state (for example, T in the characteristic of FIG. 7).
2 ) is preferably adjusted to 5 or more (ie, the difference between the maximum value of the second transmittance and the third transmittance is the maximum value of the first transmittance and the third transmittance). 1 / or less of the difference), the most remarkable effect of improving the moving image quality can be obtained.
【0053】次いで、本発明の液晶素子の配向状態にお
ける液晶分子の反転メカニズムについて説明する。Next, the mechanism of inversion of liquid crystal molecules in the alignment state of the liquid crystal device of the present invention will be described.
【0054】図1及び図2に示すSSFLCでの液晶分
子の配向状態では、液晶分子14が双安定状態間をスイ
ッチングするためには、所定の高さのエネルギー障壁を
超えることが必要であり、このエネルギー障壁の存在が
双安定性の起源となっている。これに対し、本発明の液
晶素子における、例えば図5に示すような配向状態で
は、液晶分子14がSSFLCでの双安定ポテンシャル
の一方側に近い位置で極端に安定化された状態となって
いる。これにより、安定状態が一つしか存在せず、印加
電圧の大きさに応じた安定状態がアナログ的に存在し、
且つ印加電圧と安定な分子位置が一対一で対応するた
め、連続的且つドメインの生成を伴わない反転が実現で
きる。In the state of alignment of liquid crystal molecules in the SSFLC shown in FIGS. 1 and 2, in order for the liquid crystal molecules 14 to switch between bistable states, it is necessary to exceed an energy barrier having a predetermined height. The existence of this energy barrier is the origin of bistability. On the other hand, in the liquid crystal element of the present invention, in the alignment state as shown in FIG. 5, for example, the liquid crystal molecules 14 are extremely stabilized at a position close to one side of the bistable potential in SSFLC. . As a result, only one stable state exists, and a stable state corresponding to the magnitude of the applied voltage exists in an analog manner.
In addition, since the applied voltage and the stable molecular position correspond one-to-one, inversion can be realized continuously and without domain generation.
【0055】上記エネルギー障壁(ポテンシャル)の状
態のモデルを図8及び図9に示す。FIGS. 8 and 9 show models of the state of the energy barrier (potential).
【0056】図8(a)及び(b)はSSFLCにおけ
る双安定配向状態でのポテンシャルの状態をC1配向状
態、C2配向状態のそれぞれについて示したものであ
る。A1及びA2は双安定状態のそれぞれの状態のポテ
ンシャルを示す。これらの図より明らかなように、C1
配向、C2配向によって上記ポテンシャルの状態が若干
異なってくる。SSFLCにおいてC1配向である場
合、液晶−基板界面での液晶分子の開き角はC2配向で
ある場合よりも大きくなるため(図2(a)及び(b)
における基板界面付近の射影参照)、エネルギー障壁の
高さも高くなる。FIGS. 8A and 8B show potential states in the bistable orientation state in the SSFLC for the C1 orientation state and the C2 orientation state, respectively. A1 and A2 indicate the potential of each state of the bistable state. As is clear from these figures, C1
The state of the potential slightly differs depending on the orientation and the C2 orientation. In the case of CSF orientation in SSFLC, the opening angle of liquid crystal molecules at the liquid crystal-substrate interface is larger than that in the case of C2 orientation (FIGS. 2A and 2B).
), The height of the energy barrier is also increased.
【0057】一方、図9(a)及び(b)には、本発明
の液晶素子における配向状態でのポテンシャルの状態を
C1配向状態、C2配向状態のそれぞれについて示した
ものである。B1は、電圧無印加での液晶分子のポテン
シャル(図6(b)の場合)、B2は一方の極性の電圧
の印加による最大チルトでの液晶分子のポテンシャル
(図6(c)の場合)を、B3は他方の極性の電圧の印
加による最大チルトでの液晶分子のポテンシャル(図6
(a)の場合)を示す。On the other hand, FIGS. 9A and 9B show the potential states in the alignment state in the liquid crystal element of the present invention for the C1 alignment state and the C2 alignment state, respectively. B1 is the potential of the liquid crystal molecules when no voltage is applied (in the case of FIG. 6B), and B2 is the potential of the liquid crystal molecules at the maximum tilt by applying a voltage of one polarity (in the case of FIG. 6C). , B3 are the potentials of the liquid crystal molecules at the maximum tilt due to the application of the voltage of the other polarity (FIG. 6).
(Case (a)).
【0058】上述のSSFLCの場合で示したようなC
1配向、C2配向という双安定状態間のエネルギー障壁
の高さが異なる配向状態のそれぞれに対し、双安定状態
の一方を安定化させた場合にはそれぞれの駆動特性が異
なったものになってしまう。特にエネルギー障壁の高い
C1配向状態においては、図9(a)に示すように、双
安定ポテンシャルの一方(B1)が極端に安定化された
状態とした場合においても、双安定状態が2つ残ったま
ま、或いは一方が準安定状態(B2もポテンシャルのレ
ベルは高いが周囲に比して安定)となってしまう状態が
発生する。これにより電圧印加による応答の際、ある一
定のポテンシャルに達するまでは印加電圧の大きさに応
じた安定状態がアナログ的に存在し、且つ印加電圧と安
定な分子位置が一対一で対応するため、連続的且つドメ
インの生成を伴わない反転が実現できるものの、ある一
定のポテンシャルを超えた際に不連続な配向状態を形成
する、即ちドメインウォールの生成を伴った不連続な反
転挙動となることがある。As shown in the case of SSFLC described above, C
When one of the bistable states is stabilized for each of the alignment states having different energy barrier heights between the bistable states of 1 orientation and C2 orientation, the respective driving characteristics are different. . In particular, in the C1 orientation state having a high energy barrier, as shown in FIG. 9A, two bistable states remain even when one of the bistable potentials (B1) is extremely stabilized. There remains a state in which one or both of them are in a metastable state (B2 also has a higher potential level but is more stable than the surroundings). Thus, when responding by applying a voltage, a stable state corresponding to the magnitude of the applied voltage exists in an analog manner until a certain potential is reached, and since the applied voltage and the stable molecular position correspond one-to-one, Although continuous inversion without generation of domains can be realized, a discontinuous orientation state is formed when a certain potential is exceeded, that is, a discontinuous inversion behavior accompanied by generation of domain walls may occur. is there.
【0059】これに対し、C2配向状態では、双安定の
SSFLCである場合のエネルギー障壁が低いことか
ら、図9(b)に示すように、一方(B1)が極端に安
定化された状態とした場合にもB2の状態まで連続的且
つドメインの生成を伴わない反転が実現できている。さ
らに、これらの図からC1配向の方が駆動電圧が高くな
り易いことが理解できる。On the other hand, in the C2 orientation state, since the energy barrier in the case of bistable SSFLC is low, as shown in FIG. 9B, one of (B1) is in an extremely stabilized state. In this case, inversion can be realized continuously up to the state of B2 without generation of a domain. Furthermore, it can be understood from these figures that the driving voltage is more likely to be higher in the C1 orientation.
【0060】以上述べた点から、本発明の液晶素子にお
ける配向状態については、アナログ階調性能及び低駆動
電圧化の観点から、平行ラビングしたセルにおいてはC
2配向を用いることが望ましい。或いは、C1配向及び
C2配向が混在している配向状態の場合は、これらの特
性ばらつきを最小限に抑えるためにもプレチルト角が低
いことが望ましい。或いは、反平行ラビングであること
が望ましい。From the above-mentioned points, regarding the alignment state in the liquid crystal element of the present invention, from the viewpoint of analog gradation performance and low driving voltage, C
It is desirable to use two orientations. Alternatively, in the case of an orientation state in which the C1 orientation and the C2 orientation are mixed, it is desirable that the pretilt angle be low in order to minimize variations in these characteristics. Alternatively, antiparallel rubbing is desirable.
【0061】上述したような図6(a)〜(c)、図9
に示すような、電圧無印加の状態で液晶分子14を仮想
コーン15の一エッジの内側に安定化させ、そのメモリ
性を消失させたSmC*相での配向状態及び電圧印加時
のスイッチング挙動を示し、図7に示すような光学応答
特性を示す液晶素子は、例えば適切な液晶材料を用い、
セルの設計を調整し、さらに液晶材料のCh−SmC*
相転移の過程においてセル内の内部電位に偏りを持たせ
るような処理を施すことによって実現される。FIGS. 6A to 6C and FIG.
As shown in (1), the liquid crystal molecules 14 are stabilized inside one edge of the virtual cone 15 in a state where no voltage is applied, and the alignment state in the SmC * phase and the switching behavior at the time of voltage application where the memory property is lost are shown. A liquid crystal element having an optical response characteristic as shown in FIG.
The cell design was adjusted and the liquid crystal material Ch-SmC *
This is realized by performing a process for giving a bias to the internal potential in the cell during the phase transition.
【0062】上記カイラルスメクチック液晶材料として
は、例えばそれらがフェニルピリミジン骨格、ビフェニ
ル骨格、フェニルシクロヘキサンエステル骨格を有する
炭化水素系の液晶材料のようにカイラルスメクチック相
の温度範囲の中でスメクチック層の層間隔dが変化し
(カイラルスメクチック相の上限温度での層間隔dtcが
最大の値である(d<dtc、d:カイラルスメクチック
相の温度範囲内での層間隔))、セル内でのシェブロン
構造を有する材料の場合は、3°<δ<Θ(δ:液晶材
料のセル内での基板法線に対するスメクチック層の傾斜
角、Θ:前述した液晶材料固有のコーン角、即ち仮想コ
ーンの頂角の1/2)となるように成分を適宜選択して
配合した液晶組成物を用いることもできる。The chiral smectic liquid crystal material includes, for example, a hydrocarbon-based liquid crystal material having a phenylpyrimidine skeleton, a biphenyl skeleton, and a phenylcyclohexane ester skeleton, in which the interlayer spacing of the smectic layer is within the temperature range of the chiral smectic phase. d changes (the layer interval d tc at the maximum temperature of the chiral smectic phase is the maximum value (d <d tc , d: the layer interval within the temperature range of the chiral smectic phase)), and the chevron in the cell In the case of a material having a structure, 3 ° <δ <Θ (δ: the inclination angle of the smectic layer with respect to the substrate normal in the cell of the liquid crystal material, Δ: the cone angle inherent to the liquid crystal material described above, ie, the top of the virtual cone It is also possible to use a liquid crystal composition in which components are appropriately selected and blended so that the angle is 1 /).
【0063】また、ナフタレン骨格を有する炭化水素系
の液晶材料やポリフッ素系の液晶材料のようにカイラル
スメクチック相の温度範囲の中で層間隔dがほぼ一定で
あり、セル内でδ≦3°となる材料であって、高温側か
らカイラルスメクチック相への相転移温度直下でのΘに
対しカイラルスメクチック相の温度範囲の中での温度降
下に伴いΘが大きくなるような成分配合を行った液晶組
成物を用いる。Further, like a hydrocarbon-based liquid crystal material having a naphthalene skeleton or a polyfluorine-based liquid crystal material, the layer interval d is substantially constant within the temperature range of the chiral smectic phase, and δ ≦ 3 ° in the cell. A liquid crystal that has a component blend such that Θ just below the phase transition temperature from the high temperature side to the chiral smectic phase increases with the temperature drop in the temperature range of the chiral smectic phase Use the composition.
【0064】液晶材料のカイラルスメクチック相でのΘ
は、スイッチングによる最大光量の状態と最小光量の状
態間のコントラスト、例えば図7に示すような特性下で
の最大透過率T1をより高くするために22.5°以上
となることが理想的である。また、Θが非常に大きい場
合には、逆極性への電界印加による単安定状態からのチ
ルト、即ち図6(a)の側へのチルトも大きな角度にな
り、例えば図7の逆極性電圧印加の際の最大透過率T2
も大きくなり、実質的な時間開口率が100%になって
しまう恐れがある。従って、Θは30°未満が好まし
い。また、Θの温度による変化が大きいと、クロスニコ
ル下の偏光板間で設定された最暗状態が一定に保たれな
い恐れがある。このため、液晶素子の駆動温度範囲でΘ
の温度による最大変化幅は3°以下に設定することが好
ましい。Θ in the chiral smectic phase of the liquid crystal material
Ideally, the contrast between the maximum light amount state and the minimum light amount state by switching, for example, 22.5 ° or more in order to further increase the maximum transmittance T 1 under the characteristics as shown in FIG. It is. When Θ is very large, the tilt from the monostable state due to the application of the electric field to the opposite polarity, that is, the tilt toward the side of FIG. 6A also becomes a large angle. Transmittance T 2 at the time of
And the actual time aperture ratio may become 100%. Therefore, Θ is preferably less than 30 °. Further, if the change in temperature due to the temperature Δ is large, the darkest state set between the polarizing plates under the crossed Nicols may not be kept constant. For this reason, in the driving temperature range of the liquid crystal element,
Is preferably set to 3 ° or less.
【0065】尚、一般のSmC*相を示す材料と同様に
液晶分子がスメクチック層の法線からチルトすることに
よって層間隔が減少する、即ち低温側ほどコーン角Θが
大きくなる材料の場合、低温になるに連れて層間隔の減
少要因が大きくなるのであるが、例えばポリフッ素系液
晶材料の場合のように自発的にブックシェルフ層構造を
とる液晶材料であった場合、低温側ほどバルクで測定さ
れる層間隔が長くなるというこの材料固有の特徴によっ
て層間隔dの変化が極めて小さくなることが、シェブロ
ン構造をとりづらい理由と考えられている。この場合、
界面分子は一軸配向規制力によってラビング方向を向
き、バルクの分子はチルト角の温度特性に応じてラビン
グ方向からずれた方向へと配向する場合がある。この時
電界印加によって界面近傍分子もラビング方向からずれ
た方向へと配向する。As in the case of a general SmC * phase material, the liquid crystal molecules are tilted from the normal of the smectic layer to reduce the layer interval. However, when the liquid crystal material has a bookshelf layer structure spontaneously as in the case of a polyfluorinated liquid crystal material, for example, the bulk is measured at lower temperatures. It is considered that the change in the layer spacing d is extremely small due to the characteristic of the material that the layer spacing becomes longer, which is a reason why it is difficult to obtain a chevron structure. in this case,
The interfacial molecules may be oriented in the rubbing direction by the uniaxial orientation regulating force, and the bulk molecules may be oriented in a direction deviated from the rubbing direction depending on the temperature characteristics of the tilt angle. At this time, molecules near the interface are also oriented in a direction deviated from the rubbing direction by the application of an electric field.
【0066】一方、図5に示すように発現される2つの
層構造のうち一方の層構造のみに揃え、即ち平均一軸配
向処理軸とスメクチック層法線方向のズレ方向が一定と
なるようにするための素子内の内部電位の偏りの持たせ
方として、 1)Ch−SmC*相転移の際、またはIso−SmC*
相転移の際に一対の基板間に正負いずれかのDC電圧を
印加する。 2)上下一対の基板に異なる材料からなる配向膜(配向
制御膜)を用いる。 3)上下一対の基板の配向膜の処理法(膜の形成条件、
ラビング強度、UV照射等の処理条件)を変える。 4)上下一対の基板の配向膜の下地に設ける層の膜種ま
たは膜厚を変える。など、様々な方法が考えられるが、
いずれの手段を用いても良い。On the other hand, as shown in FIG. 5, only one of the two layer structures developed is aligned, that is, the deviation direction between the average uniaxially oriented axis and the normal direction of the smectic layer is made constant. For imparting a bias of the internal potential in the device for: 1) Ch-SmC * phase transition or Iso-SmC *
During the phase transition, a positive or negative DC voltage is applied between the pair of substrates. 2) An alignment film (alignment control film) made of different materials is used for a pair of upper and lower substrates. 3) A method for treating an alignment film on a pair of upper and lower substrates (film formation conditions,
(Treatment conditions such as rubbing intensity and UV irradiation) are changed. 4) The type or thickness of a layer provided under the alignment film of the pair of upper and lower substrates is changed. There are various methods such as
Either means may be used.
【0067】特に1)によるDC印加条件としては、D
Cを長時間印加することによって配向膜自体が永久双極
子を有する変化(エレクトレット化)を避けるために、
DCはCh−SmC*相転移近傍において、層方向を一
方向に揃えるのに必要且つ最小限の印加時間にとどめて
おくことが好ましい。具体的には100mV以上10V
以下の範囲でのDC電圧を印加することが好ましい。In particular, as the DC application condition according to 1), D
In order to avoid a change (electretization) in which the alignment film itself has a permanent dipole by applying C for a long time,
In the vicinity of the Ch-SmC * phase transition, it is preferable that the DC be applied for a minimum time necessary for aligning the layers in one direction. Specifically, 100mV or more and 10V
It is preferable to apply a DC voltage in the following range.
【0068】上述したような液晶材料及び上記2)〜
4)で設定される配向膜及び液晶材料中のイオンはTF
T駆動に悪影響を及ぼさないよう極力低減しておくこと
が望ましい。The liquid crystal material as described above and the above 2) to
The ions in the alignment film and the liquid crystal material set in 4) are TF
It is desirable to reduce as much as possible so as not to adversely affect the T drive.
【0069】本発明の液晶素子において、電圧無印加時
の液晶分子(平均分子軸)の単安定化のためには一軸配
向規制力が大きいことが必要となる。この配向規制力に
関して、コレステリック液晶を用いて配向規制力を評価
する方法が内田ら(Liquid Crystals,
5,p.1127(1989))によって提案されてい
る。即ち、コレステリック相でのらせんピッチと配向規
制力とのトルクバランスによって決定される「実効ねじ
れ角」を評価することにより配向規制力が評価できる。
本発明でもこの考えを用いてこの一軸配向規制力を以下
のように定義する。In the liquid crystal device of the present invention, a large uniaxial alignment regulating force is required for monostable liquid crystal molecules (average molecular axis) when no voltage is applied. Regarding this alignment regulating force, a method of evaluating the alignment regulating force using a cholesteric liquid crystal is disclosed in Uchida et al. (Liquid Crystals,
5, p. 1127 (1989)). That is, the orientation regulating force can be evaluated by evaluating the “effective twist angle” determined by the torque balance between the helical pitch in the cholesteric phase and the orientation regulating force.
In the present invention, this uniaxial orientation regulating force is defined as follows using this idea.
【0070】本発明の液晶素子においてCh相が存在す
る場合、Ch相におけるコレステリックピッチをp、及
びセル厚をdgとすると、配向規制力が存在しない場
合、セル内でのねじれ角をφとすると、dg/p=φ/
2πの関係となる。また、上下基板において平行に一軸
配向規制されており、配向規制力が無限大である場合に
はφはゼロになる。尚、このφの値は内田等の報告と同
様に、偏光顕微鏡下において旋光性を測定することによ
り容易に評価できる。すなわち、セル中では配向規制力
によって本来のピッチpより大きい仮想ピッチp*(=
2π・dg/φ)を有しており、p*=pの時配向規制力
はゼロ、p*=無限大の時配向規制力も無限大であると
言い換えることができる。In the liquid crystal device of the present invention, when the Ch phase exists, the cholesteric pitch in the Ch phase is p, and the cell thickness is d g. In the absence of the alignment control force, the twist angle in the cell is φ. Then, d g / p = φ /
The relationship is 2π. Further, when the uniaxial orientation is regulated in parallel on the upper and lower substrates, and the orientation regulating force is infinite, φ becomes zero. The value of φ can be easily evaluated by measuring the optical rotation under a polarizing microscope as in the report by Uchida et al. That is, in the cell, the virtual pitch p * (= larger than the original pitch p) due to the alignment regulating force.
2π · d g / φ) has a, p * = alignment regulating force when p can be in other words zero, p * = alignment regulating force at the time of infinity also is infinite.
【0071】本発明では単安定化のためには少なくとも
p*≧2×pとなることが好ましい。p*≧10×pとな
ることがより好ましい。これらの値となるようなことを
考慮して上記2)〜4)の条件で、一軸配向処理条件
(ラビング条件等)、配向膜厚、配向膜種、焼成条件等
を適宜調整することが好ましい。In the present invention, it is preferable that at least p * ≧ 2 × p for monostabilization. It is more preferable that p * ≧ 10 × p. It is preferable to appropriately adjust the uniaxial alignment processing conditions (rubbing conditions, etc.), the alignment film thickness, the alignment film type, the firing conditions, etc. under the above conditions 2) to 4) in consideration of these values. .
【0072】本発明の液晶素子では、三角波印加時の電
圧−透過率曲線を求めた場合においてヒステリシスが存
在する場合がある。但し、実際のTFTを備えた素子の
場合のように交流波形により駆動される場合には、三角
波印加時のように白状態から中間調状態へと連続的に光
学変調されることはないため、特に問題になることはな
い。即ち、印加される極性に応じて常に白黒の反転をし
ながら光学変調されることから、例えば白から中間調へ
と光学変調される際には、白状態から黒の配向状態を経
由した後中間調の配向状態へと変調されるため、交流を
印加した際には一方の極性では常に黒側にリセットされ
た後に書き込むという駆動が実現されているため、前状
態の履歴の影響をかなりの程度抑制することができる。In the liquid crystal device of the present invention, when a voltage-transmittance curve at the time of applying a triangular wave is obtained, hysteresis may exist. However, when driven by an AC waveform as in the case of an element having an actual TFT, optical modulation is not continuously performed from a white state to a halftone state as in the case of applying a triangular wave. There is no particular problem. That is, since the optical modulation is always performed while inverting the black and white in accordance with the applied polarity, for example, when the optical modulation is performed from white to a halftone, the white state passes through the black alignment state and then the intermediate state. Because of the modulation to the key alignment state, when AC is applied, one polarity is always reset to the black side and writing is performed, so the influence of the history of the previous state is considerably affected. Can be suppressed.
【0073】以下、本発明の液晶素子の実施形態を挙げ
てその構成を説明する。図10は本発明の液晶素子の一
実施形態の1画素の構成を模式的に示す断面図である。
同図に示す液晶素子80は、一対のガラス、プラスチッ
ク等透明性の高い材料からなる基板81a,81b間に
液晶層85、好ましくはカイラルスメクチック液晶を狭
持してなる。Hereinafter, the structure of the liquid crystal device of the present invention will be described with reference to embodiments. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of one pixel of one embodiment of the liquid crystal element of the present invention.
The liquid crystal element 80 shown in the figure has a liquid crystal layer 85, preferably a chiral smectic liquid crystal, sandwiched between a pair of substrates 81a and 81b made of a highly transparent material such as glass and plastic.
【0074】基板81a,81bには、それぞれ液晶層
85に電圧を印加するためのIn2O3、ITO等の材料
からなる電極82a、82bが設けられている。上記電
極は、単純マトリクスタイプの場合には、例えばストラ
イプ状に形成され、互いに交差してマトリクス電極構造
を形成している。また、本発明に好ましいアクティブマ
トリクスタイプの場合には、一方の基板に画素毎に画素
電極をドット状に配置し、各画素電極にTFTやMIM
(Metal−Insulator−Metal)等の
アクティブ素子(スイッチング素子)を接続し、他方の
基板には一面或いは所定のパターン状に共通電極を設け
てアクティブマトリクス電極構造を形成する。The substrates 81a and 81b are provided with electrodes 82a and 82b made of a material such as In 2 O 3 or ITO for applying a voltage to the liquid crystal layer 85, respectively. In the case of a simple matrix type, the electrodes are formed, for example, in a stripe shape, and cross each other to form a matrix electrode structure. In the case of the active matrix type, which is preferable for the present invention, pixel electrodes are arranged in a dot pattern for each pixel on one substrate, and a TFT or MIM
An active element (switching element) such as a metal-insulator-metal is connected, and a common electrode is provided on the other substrate on one surface or in a predetermined pattern to form an active matrix electrode structure.
【0075】電極82a,82b上には、必要に応じて
これらの電極間でのショートを防止する等の機能を持た
せたSiO2、TiO2、Ta2O5等の材料からなる絶縁
膜83a、83bがそれぞれ設けられる。On the electrodes 82a and 82b, an insulating film 83a made of a material such as SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 having a function of preventing a short circuit between the electrodes if necessary. , 83b are provided.
【0076】さらに、絶縁膜83a,83b上には、液
晶層85に接し、その配向状態を制御するべく機能する
配向膜84a,84bが設けられている。かかる配向膜
84a、84bの少なくとも一方には一軸配向処理が施
されている。かかる膜としては、例えば、ポリイミド、
ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール
等の有機材料を溶液塗工した膜の表面にラビング処理を
施したもの、或いはSiO等の酸化物、窒化物を基板に
対し斜め方向から所定の角度で蒸着した無機材料の斜法
蒸着膜を用いることができる。Further, on the insulating films 83a and 83b, alignment films 84a and 84b which are in contact with the liquid crystal layer 85 and function to control the alignment state are provided. At least one of the alignment films 84a and 84b is subjected to a uniaxial alignment process. As such a film, for example, polyimide,
A rubbing treatment is applied to the surface of a film obtained by applying a solution of an organic material such as polyimide amide, polyamide, or polyvinyl alcohol, or an inorganic material obtained by depositing an oxide or nitride such as SiO at a predetermined angle from a diagonal direction with respect to a substrate. An oblique deposition film of a material can be used.
【0077】尚、配向膜84a,84bについては、そ
の材料の選択、処理(一軸配向処理等)の条件等によ
り、液晶層85の液晶分子のプレチルト角(液晶分子の
配向膜付近で膜面に対してなす角度)が調整される。The orientation films 84a and 84b may have different pre-tilt angles of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 85 (the film surfaces near the liquid crystal molecule orientation film) depending on the selection of the material and the conditions of the processing (uniaxial alignment processing and the like). (The angle made with respect to).
【0078】尚、配向膜84a,84bがいずれも一軸
配向処理がなされた膜である場合、それぞれの膜の一軸
配向処理方向(特にラビング方向)を、用いる液晶材料
に応じて平行、反平行、或いは45°以下の範囲でクロ
スするように設定することができる。When each of the alignment films 84a and 84b is a film that has been subjected to a uniaxial alignment treatment, the uniaxial alignment treatment direction (particularly, the rubbing direction) of each film is determined to be parallel, antiparallel, or the like depending on the liquid crystal material used. Alternatively, it can be set to cross in a range of 45 ° or less.
【0079】また、本発明の液晶素子においては、一対
の基板の少なくとも一方の液晶との界面に一軸配向処理
が施されていれば良く、上記配向膜に限定されるもので
はない。Further, in the liquid crystal device of the present invention, it is sufficient that the uniaxial alignment treatment is performed on the interface between at least one of the pair of substrates and the liquid crystal, and the invention is not limited to the above-mentioned alignment film.
【0080】基板81a,81bは、スペーサー86を
介して対向している。かかるスペーサー86は、基板8
1a,81bの間の距離(セルギャップ)を決定するも
のであり、シリカビーズ等が用いられる。ここで決定さ
れるセルギャップについては、液晶材料の違いによって
最適範囲及び上限値が異なるが、均一な一軸配向性、ま
たは電圧無印加時に液晶分子の平均分子軸をほぼ配向処
理軸の平均方向の軸と実質的に同一にする配向状態を発
現させるべく、0.3〜10μmの範囲に設定すること
が好ましい。The substrates 81a and 81b are opposed via a spacer 86. The spacer 86 is provided on the substrate 8.
The distance (cell gap) between 1a and 81b is determined, and silica beads or the like are used. For the cell gap determined here, the optimum range and the upper limit are different depending on the difference in the liquid crystal material, but the uniform molecular orientation is uniform, or the average molecular axis of the liquid crystal molecules is substantially in the average direction of the alignment processing axis when no voltage is applied. In order to develop an alignment state that is substantially the same as the axis, it is preferable to set the range to 0.3 to 10 μm.
【0081】スペーサー86に加えて、基板11a及び
11b間の接着性を向上させ、カイラルスメクチック液
晶の耐衝撃性を向上させるべく、エポキシ樹脂等の樹脂
材料等からなる接着粒子を分散配置することもできる
(図示せず)。In addition to the spacers 86, adhesive particles made of a resin material such as an epoxy resin may be dispersed in order to improve the adhesiveness between the substrates 11a and 11b and improve the impact resistance of the chiral smectic liquid crystal. Yes (not shown).
【0082】上記構造の液晶素子80では、液晶層85
としてカイラルスメクチック液晶を用いる場合について
は、その材料の組成を調整し、さらに液晶材料の処理や
素子構成、例えば配向膜84a及び84bの材料、処理
条件等を適宜設定することにより、前述の図6に示すよ
うに、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸(液晶分
子)が単安定化されている配向状態を示し、駆動時では
一方の極性(第一の極性)の電圧印加時に印加電圧の大
きさに応じて平均分子軸の単安定化される位置を基準と
したチルト角が連続的に変化し、他方の極性(第二の極
性)の電圧印加時には液晶の平均分子軸は、印加電圧の
大きさに応じた角度でチルトし、且つ第一の極性の電圧
印加による最大チルト角が、第二の極性の電圧印加によ
る最大チルト角より大きいような特性を示すようにす
る。好ましくは、カイラルスメクチック液晶材料とし
て、降温下でIso−Ch−SmC*の相転移系列、或
いはIso−SmC*の相転移系列を示すものを用い、
前述した1)〜4)の処理によりSmC*でメモリ性を
消失させた状態を形成する。In the liquid crystal element 80 having the above structure, the liquid crystal layer 85
In the case where a chiral smectic liquid crystal is used, the composition of the material is adjusted, and furthermore, the processing of the liquid crystal material and the element configuration, for example, the materials of the alignment films 84a and 84b, the processing conditions, and the like are appropriately set to obtain the above-described FIG. As shown in the figure, when no voltage is applied, the liquid crystal shows an alignment state in which the average molecular axis (liquid crystal molecules) of the liquid crystal is monostable, and when driving, a voltage of one polarity (first polarity) is applied. The tilt angle based on the position where the average molecular axis is monostable is continuously changed according to the magnitude of the voltage, and when a voltage of the other polarity (second polarity) is applied, the average molecular axis of the liquid crystal becomes The tilt is made at an angle corresponding to the magnitude of the applied voltage, and the characteristic is such that the maximum tilt angle by applying the first polarity voltage is larger than the maximum tilt angle by applying the second polarity voltage. Preferably, as the chiral smectic liquid crystal material, a material exhibiting a phase transition series of Iso-Ch-SmC * or a phase transition series of Iso-SmC * at a reduced temperature is used.
The state where the memory property is lost by SmC * is formed by the above-described processes 1) to 4).
【0083】そして、カイラルスメクチック液晶として
は、前述のような特性(液晶材料固有の物性値であるコ
ーン角Θ、スメクチック層の層間隔d、傾斜角δについ
ての特性)を示すようなビフェニル骨格やフェニルシク
ロヘキサンエステル骨格、フェニルピリミジン骨格等を
有する炭化水素系液晶材料、ナフタレン系液晶材料、ポ
リフッ素系液晶材料を適宜選択して調整した組成物を用
いる。The chiral smectic liquid crystal includes a biphenyl skeleton exhibiting the above-described characteristics (characteristics relating to a cone angle あ る, a property value inherent to the liquid crystal material, a layer interval d of the smectic layer, and a tilt angle δ). A composition in which a hydrocarbon liquid crystal material having a phenylcyclohexane ester skeleton, a phenylpyrimidine skeleton, or the like, a naphthalene liquid crystal material, or a polyfluorinated liquid crystal material is appropriately selected and adjusted is used.
【0084】このような特性下において、基板81a及
び81bの少なくとも一方の外側に偏光板を設け、電圧
無印加の状態で最暗状態となるようにセルを配置し、電
圧印加時には上記したようなチルト角の連続的な変化に
伴う透過率変化によって、例えば図7に示すような特性
で素子の透過光量をアナログ的に制御することができ
る。Under such characteristics, a polarizing plate is provided outside at least one of the substrates 81a and 81b, and the cell is arranged so that the cell is in the darkest state when no voltage is applied. By the transmittance change accompanying the continuous change of the tilt angle, for example, the transmitted light amount of the element can be controlled in an analog manner with the characteristics shown in FIG.
【0085】当該液晶素子には、基板81a及び81b
の一方に少なくとも、R(赤)、G(緑)、B(青)の
カラーフィルタを設け、カラー液晶素子とすることもで
きる。The liquid crystal element includes substrates 81a and 81b.
At least one of these may be provided with at least R (red), G (green), and B (blue) color filters to form a color liquid crystal element.
【0086】尚、本発明の液晶素子は、基板81a及び
81bの両側に偏光板(図示せず)を設けた透過型の素
子、即ち基板81a及び81bのいずれも透光性基板で
あり、一方の基板側からの入射光(例えば外部光源によ
る光)を変調し、他方側に出射するタイプの素子、或い
は、少なくとも一方の基板側に偏光板を設けた反射型の
液晶素子、即ち基板81a及び81bの少なくとも一方
の側に反射板を設けるかもしくは一方の基板自体または
基板に別途設ける部材として反射性の材料を用いること
によって、入射光及び反射光を変調し、入射側に光を出
射するタイプの素子、のいずれにも適用することができ
る。The liquid crystal device of the present invention is a transmissive device in which polarizing plates (not shown) are provided on both sides of substrates 81a and 81b, ie, both substrates 81a and 81b are translucent substrates. A device that modulates incident light (for example, light from an external light source) from the substrate side and emits the light to the other side, or a reflective liquid crystal element in which a polarizing plate is provided on at least one substrate side, that is, the substrate 81a and A type that modulates incident light and reflected light and emits light to the incident side by providing a reflective plate on at least one side of 81b or using a reflective material as one substrate itself or a member separately provided on the substrate. And any of the above elements can be applied.
【0087】本発明の液晶素子には、階調信号を供給す
る駆動回路を接続し、上述したような電圧の印加により
液晶の平均分子軸の単安定位置からの連続的なチルト角
の変化及び素子からの透過光量が連続的に変化する特性
を利用し、階調表示を行うことができる。例えば、液晶
素子の一方の基板を前述したようなTFT等を備えたア
クティブマトリクス基板とし、駆動回路で振幅変調によ
るアクティブマトリクス駆動を行うことでアナログ階調
表示が可能となる。A drive circuit for supplying a gradation signal is connected to the liquid crystal element of the present invention, and by applying the above-described voltage, a continuous change in tilt angle from the monostable position of the average molecular axis of the liquid crystal can be achieved. By utilizing the characteristic that the amount of light transmitted from the element changes continuously, gradation display can be performed. For example, an analog gray scale display can be performed by using one substrate of a liquid crystal element as an active matrix substrate provided with the above-described TFT and the like, and performing active matrix driving by amplitude modulation with a driving circuit.
【0088】以下に本発明の液晶素子を、上記のような
アクティブマトリクス基板を用いて構成した場合につい
てその一実施形態を挙げ、図11〜図13を参照して説
明する。Hereinafter, a case where the liquid crystal element of the present invention is configured using the above-described active matrix substrate will be described with reference to FIGS.
【0089】図11は、アクティブマトリクスタイプと
した本発明の液晶素子の一実施形態に駆動手段を接続し
た形で、一方の基板(アクティブマトリクス基板)の構
成を中心に模式的に示した平面図である。FIG. 11 is a plan view schematically showing the structure of one substrate (active matrix substrate), in which driving means is connected to one embodiment of the liquid crystal element of the present invention of the active matrix type. It is.
【0090】図11に示す構成では、液晶素子に相当す
るパネル部90において、駆動手段である走査信号ドラ
イバ91に接続された走査信号線に相当する図面上水平
方向のゲート線G1、G2、…と、駆動手段である情報信
号ドライバ92に接続された情報信号線に相当する図面
上縦方向のソース線S1、S2、…が互いに絶縁された状
態で直交するように設けられており、その各交点の画素
に対応してアクティブ素子(スイッチング素子)である
薄膜トランジスタ(TFT)94及び画素電極95が設
けられている。尚、図11では便宜上、5×5画素の領
域のみを示す。スイッチング素子としては、TFTの他
に、MIM素子も用いることができる。In the configuration shown in FIG. 11, in the panel section 90 corresponding to the liquid crystal element, gate lines G 1 and G 2 in the horizontal direction on the drawing corresponding to the scanning signal lines connected to the scanning signal driver 91 as the driving means. ,..., And the source lines S 1 , S 2 ,... In the vertical direction in the drawing corresponding to the information signal lines connected to the information signal driver 92 as driving means are provided so as to be orthogonal to each other while being insulated from each other. In addition, a thin film transistor (TFT) 94 as an active element (switching element) and a pixel electrode 95 are provided corresponding to the pixel at each intersection. Note that FIG. 11 shows only a 5 × 5 pixel area for convenience. As the switching element, an MIM element can be used in addition to the TFT.
【0091】ゲート線G1、G2、…はTFT94のゲー
ト電極(図示せず)に接続され、ソース線S1、S2、…
はTFT94のソース電極(図示せず)に接続され、画
素電極95はTFT94のドレイン電極(図示せず)に
接続されている。The gate lines G 1 , G 2 ,... Are connected to the gate electrodes (not shown) of the TFT 94, and the source lines S 1 , S 2 ,.
Is connected to a source electrode (not shown) of the TFT 94, and the pixel electrode 95 is connected to a drain electrode (not shown) of the TFT 94.
【0092】かかる構成において、走査信号ドライバ9
1によりゲート線G1、G2、…が例えば線順次に走査選
択されてゲート電圧が供給され、このゲート線の走査選
択に同期して情報信号ドライバ92から、各画素に書き
込み情報に応じた情報信号電圧がソース線S1、S2、…
に供給され、TFT94を介して各画素電極に印加され
る。In such a configuration, the scanning signal driver 9
The gate lines G 1 , G 2 ,... Are, for example, line-sequentially scanned and selected by 1 to supply a gate voltage, and the information signal driver 92 synchronizes with the gate line scanning selection to write each pixel according to the write information. When the information signal voltage is applied to the source lines S 1 , S 2 ,.
And is applied to each pixel electrode via the TFT 94.
【0093】図12は、図11に示したようなパネル構
成における各画素部分(1ビット分)の断面構造の一例
を示す模式図である。同図に示す構造では、TFT94
及び画素電極95を備えたアクティブマトリクス基板2
0と共通電極42を備えた対向基板40間に、自発分極
を有する液晶層49が狭持され、液晶容量(Clc)31
が構成されている。FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional structure of each pixel portion (for one bit) in the panel configuration as shown in FIG. In the structure shown in FIG.
Matrix substrate 2 provided with pixel electrodes 95
The liquid crystal layer 49 having spontaneous polarization is sandwiched between the counter substrate 40 having the common electrode 42 and the common electrode 42, and the liquid crystal capacitance (C lc ) 31
Is configured.
【0094】図11のアクティブマトリクス基板20に
ついては、TFT94としてアモルファスSiTFTを
用いた例を示している。TFT94はガラス等からなる
基板上に形成され、図11に示すゲート線G1、G2、…
に接続されたゲート電極22上に窒化シリコン(SiN
x)等の材料からなる絶縁膜(ゲート絶縁膜)23を介
してa−Siからなる半導体層24が設けられており、
該半導体層24上に、それぞれn+a−Siからなるオ
ーミックコンタクト層25,26を介してソース電極2
7、ドレイン電極28が互いに離間して設けられてい
る。ソース電極27は図11に示すソース線S1、S2、
…に接続され、ドレイン電極28はITO等の透明導電
膜からなる画素電極95に接続されている。また、TF
T94における半導体層24上をチャネル保護膜29が
被覆している。このTFT94は、該当するゲート線が
走査選択された期間においてゲート電極22にゲートパ
ルスが印加されオン状態となる。The active matrix substrate 20 shown in FIG. 11 shows an example in which an amorphous Si TFT is used as the TFT 94. The TFT 94 is formed on a substrate made of glass or the like, and has the gate lines G 1 , G 2 ,.
Nitride (SiN) on the gate electrode 22 connected to
x ), a semiconductor layer 24 made of a-Si is provided via an insulating film (gate insulating film) 23 made of a material such as
The source electrode 2 is formed on the semiconductor layer 24 via ohmic contact layers 25 and 26 made of n + a-Si, respectively.
7, the drain electrode 28 is provided apart from each other. The source electrode 27 is connected to the source lines S 1 , S 2 ,
, And the drain electrode 28 is connected to a pixel electrode 95 made of a transparent conductive film such as ITO. Also, TF
The channel protective film 29 covers the semiconductor layer 24 at T94. The TFT 94 is turned on by applying a gate pulse to the gate electrode 22 during a period in which the corresponding gate line is selected for scanning.
【0095】さらに、アクティブマトリクス基板20に
おいては、画素電極95と、該電極の基板21側に設け
られた保持容量電極30により絶縁膜23(ゲート電極
22上の絶縁膜と連続的に設けられた膜)を狭持した構
造により保持容量(Cs)32が液晶容量31と並列の
形で設けられている。保持容量電極30はその面積が大
きい場合、開口率を低下させるため、ITO膜等の透明
導電膜により形成される。Further, in the active matrix substrate 20, the insulating film 23 (continuously provided with the insulating film on the gate electrode 22) is formed by the pixel electrode 95 and the storage capacitor electrode 30 provided on the substrate 21 side of the electrode. A storage capacitor (C s ) 32 is provided in parallel with the liquid crystal capacitor 31 due to the structure of holding the film. When the storage capacitor electrode 30 has a large area, the storage capacitor electrode 30 is formed of a transparent conductive film such as an ITO film in order to reduce the aperture ratio.
【0096】また、アクティブマトリクス基板20のT
FT94及び画素電極95上には液晶の配向状態を制御
するための例えばラビング処理等の一軸配向処理が施さ
れた配向膜43aが設けられている。一方、対向基板4
0では、ガラス等の基板41上に、全面同様の厚みで共
通電極42、及び液晶の配向状態を制御するための配向
膜43bが積層されている。尚、本発明においては、一
対の基板の少なくとも一方の液晶との界面に一軸配向処
理が施されていれば良く、上記配向膜に限定されるもの
ではない。The T of the active matrix substrate 20
On the FT 94 and the pixel electrode 95, an alignment film 43a that has been subjected to a uniaxial alignment process such as a rubbing process for controlling the alignment state of the liquid crystal is provided. On the other hand, the opposite substrate 4
In the case of 0, a common electrode 42 and an alignment film 43b for controlling the alignment state of liquid crystal are laminated on a substrate 41 made of glass or the like with the same thickness as the entire surface. In the present invention, it is only necessary that the interface between at least one of the pair of substrates and the liquid crystal is subjected to a uniaxial alignment treatment, and the present invention is not limited to the above-mentioned alignment film.
【0097】尚、上記セル構造は、互いに偏光軸が直交
した関係にある一対の偏光板(図示せず)間に狭持され
て用いられる。The above cell structure is used by being sandwiched between a pair of polarizing plates (not shown) whose polarization axes are orthogonal to each other.
【0098】上記構造のセルの画素部分において、液晶
層49としては、図10で説明したように、自発分極を
有するカイラルスメクチック液晶が用いられ、図6に示
すようなスイッチング動作及び図7に示す光学特性を示
すように設定される。In the pixel portion of the cell having the above structure, a chiral smectic liquid crystal having spontaneous polarization is used as the liquid crystal layer 49 as described with reference to FIG. 10, and the switching operation shown in FIG. 6 and the switching operation shown in FIG. It is set to show optical characteristics.
【0099】尚、図11、図12に示したTFT94と
しては、多結晶Si(p−Si)TFTを用いることも
できる。As the TFT 94 shown in FIGS. 11 and 12, a polycrystalline Si (p-Si) TFT can be used.
【0100】図12のパネルの画素部分の等価回路を図
13に、駆動波形の一例を図14に示し、本発明の液晶
素子におけるアクティブマトリクス駆動について説明す
る。FIG. 13 shows an equivalent circuit of a pixel portion of the panel of FIG. 12, and FIG. 14 shows an example of a driving waveform. Active matrix driving in the liquid crystal element of the present invention will be described.
【0101】本発明の液晶素子におけるアクティブマト
リクス駆動では、例えば一画素においてある情報を表示
するための期間(1フレーム)を複数のフィールド(例
えば図14に示す1F及び2F)に分割し、これら2フ
ィールドにおいて平均的に所定の情報に応じた透過光量
を得る。以下に、液晶層49が図7に示すような光学特
性を示す場合における、1フレームが2フィールドに分
割された例について説明する。In the active matrix driving of the liquid crystal element of the present invention, for example, a period (one frame) for displaying certain information in one pixel is divided into a plurality of fields (for example, 1F and 2F shown in FIG. 14). In the field, a transmitted light amount corresponding to predetermined information is obtained on average. Hereinafter, an example in which one frame is divided into two fields when the liquid crystal layer 49 has the optical characteristics shown in FIG. 7 will be described.
【0102】図14(a)は、任意の一画素に着目した
際に、当該画素に接続された走査信号線となる一ゲート
線に印加される電圧を示す。図11、図12に示された
構造の液晶素子では、各フィールド毎にゲート線G1、
G2、…が例えば線順次で選択され、一ゲート線には選
択期間Tonにおいて所定のゲート電圧Vgが印加され、
ゲート電極22に電圧Vgが加わり、TFT94がオン
状態となる。他のゲート線が選択されている期間に相当
する非選択期間Toffにはゲート電極22に電圧が加わ
らずTFT94は高抵抗状態(オフ状態)となる。FIG. 14A shows a voltage applied to one gate line serving as a scanning signal line connected to an arbitrary pixel when focusing on an arbitrary pixel. In the liquid crystal device having the structure shown in FIGS. 11 and 12, the gate lines G 1 ,
G 2, ... it is selected, for example, line-sequentially, the first gate lines is a predetermined gate voltage V g is applied in the selection period T on,
Applied voltage V g to the gate electrode 22, TFT 94 is turned on. In a non-selection period T off corresponding to a period in which another gate line is selected, no voltage is applied to the gate electrode 22, and the TFT 94 is in a high resistance state (off state).
【0103】図14(b)は、当該画素の情報信号線
(ソース線)に印加される電圧Vsを示す。図14
(a)で示すように各フィールドで選択期間Tonでゲー
ト電極22にゲート電圧が印加された際、これに同期し
て当該画素に接続されたソース線S1、S2、…からソー
ス電極27に、所定のソース電圧(情報信号電圧)Vs
(基準電位を共通電極42の電位Vcとする)が印加さ
れる。[0103] FIG. 14 (b) shows the voltage V s applied to the pixel of the information signal lines (source lines). FIG.
As shown in (a), when a gate voltage is applied to the gate electrode 22 during the selection period T on in each field, the source electrodes S 1 , S 2 ,. 27, a predetermined source voltage (information signal voltage) V s
(To a potential V c of the common electrode 42 the reference potential) is applied.
【0104】ここで、1フレームを構成する第一のフィ
ールド(1F)では、当該画素に書き込まれる情報、例
えば用いる液晶に応じた図7に示すような電圧−透過率
特性を基に当該画素で得ようとする光学状態または表示
情報(透過率)に応じたレベルVxの正極性のソース電
圧(情報信号電圧)(基準電位を共通電極42の電位V
cとする)が印加される。この時、TFT94がオン状
態であるため、上記ソース電極27に印加される電圧V
xがドレイン電極28を介して画素電極95に印加さ
れ、液晶容量(Cls)31及び保持容量(Cs)32に
充電がなされ、画素電極95の電位が情報信号電圧Vx
になる。続いて当該画素の属するゲート線の非選択期間
ToffにおいてTFT94は高抵抗(オフ状態)となる
ため、この非選択期間には、液晶容量(Clc)31及び
保持容量(Cs)32では選択期間Tonで充電された電
荷が蓄積された状態を維持し、電圧Vxが保持される。
そして、当該画素における液晶層49に第1フィールド
1Fの期間を通して電圧Vxが印加され、当該画素の液
晶部分ではこの電圧値に応じた光学状態(透過光量)が
得られる。Here, in the first field (1F) constituting one frame, the information is written in the pixel, for example, the voltage-transmittance characteristic as shown in FIG. 7 corresponding to the liquid crystal used. the potential V of the common electrode 42 of positive polarity source voltage (data signal voltage) (reference potential level V x corresponding to the optical state or display information (transmittance) to be obtained
c ) is applied. At this time, since the TFT 94 is in the ON state, the voltage V applied to the source electrode 27 is
x is applied to the pixel electrode 95 via the drain electrode 28, and the liquid crystal capacitance (C ls ) 31 and the storage capacitance (C s ) 32 are charged, and the potential of the pixel electrode 95 becomes the information signal voltage V x
become. Since TFT94 is a high resistance (off-state) in the non-selection period T off of the gate line which the pixel belongs is followed, this non-selection period, the liquid crystal capacitance (C lc) 31 and a storage capacitor (C s) 32 maintaining the state in which the charge accumulated in the selection period T on stored, the voltage V x is maintained.
Then, the voltage V x throughout the duration of the first field 1F to the liquid crystal layer 49 is applied in the pixel, the liquid crystal part of the pixel optical state corresponding to the voltage value (transmitted light quantity) is obtained.
【0105】次に、第二のフィールド(2F)の選択期
間Tonでは、第一のフィールド1Fとは極性が逆で絶対
値が同じ電圧値Vxを有するソース電圧(−Vx)がソー
ス電極27に印加される。この時、TFT94がオン状
態であり、画素電極95に電圧−Vxが印加されて、液
晶容量(Clc)31及び保持容量(Cs)32が充電さ
れ、画素電極95の電位が情報信号電圧−Vxになる。
続いて、非選択期間ToffにおいてTFT94は高抵抗
(オフ状態)となるため、この非選択期間には液晶容量
(Clc)31及び保持容量(Cs)32では選択期間T
onで充電された電荷が蓄積された状態を維持し、電圧−
Vxが保持される。そして、当該画素における液晶層4
9に第2のフィールド2F期間を通して電圧−Vxが印
加され、当該画素ではこの電圧値に応じた光学状態(透
過光量)が得られる。Next, during the selection period T on of the second field (2F), the source voltage (−V x ) having the voltage value V x having the opposite polarity and the same absolute value as the first field 1F is applied. The voltage is applied to the electrode 27. At this time, TFT 94 is on state, the voltage -V x is applied to the pixel electrode 95, the liquid crystal capacitance (C lc) 31 and a storage capacitor (C s) 32 is charged, the potential of the pixel electrode 95 is the information signal It becomes the voltage -V x.
Subsequently, during the non-selection period T off , the TFT 94 has a high resistance (off state), so that the liquid crystal capacitance (C lc ) 31 and the storage capacitance (C s ) 32 have the selection period T during this non-selection period.
The state where the charge charged in on is accumulated is maintained, and the voltage-
V x is maintained. Then, the liquid crystal layer 4 in the pixel
9 voltage -V x through the second field 2F period is applied to, in the pixel optical state corresponding to the voltage value (transmitted light quantity) is obtained.
【0106】図14(c)は、上述したような画素の液
晶容量及び保持容量に実際に保持され液晶層49に印加
される電圧値Vpixを、図14(d)は当該画素での液
晶の実際の光学応答(透過型液晶素子とした場合での光
学応答)を模式的に示す。(c)に示すように、2フィ
ールド1F及び2Fを通じて印加電圧は互いに極性が反
転しただけの同一レベル(絶対値)Vxである。一方、
(d)に示すように、第一フィールド1Fでは、例えば
図7に示す特性に基づいてVxに応じた階調表示状態
(透過光量)が得られ、第二フィールド2Fでは、−V
xに応じた階調表示状態が得られるが、例えば図7に示
すような特性によれば実際にはわずかな透過光量の変化
しか得られず、透過光量Txより小さく、0レベルに近
いTyとなる。FIG. 14C shows the voltage value V pix actually held in the liquid crystal capacitance and the storage capacitance of the pixel as described above and applied to the liquid crystal layer 49, and FIG. The actual optical response (optical response in the case of a transmissive liquid crystal element) is schematically shown. (C), the same level (absolute value) of only the applied voltage polarity is reversed each other through two fields 1F and 2F is a V x. on the other hand,
(D), the the first field 1F, for example, gradation display state corresponding to V x on the basis of the characteristics shown in FIG. 7 (amount of transmitted light) is obtained, the second field 2F, -V
Although the gradation display state corresponding to x is obtained, in fact obtained only a slight change in amount of transmitted light according to the characteristics shown in FIG. 7, for example, less than the amount of transmitted light T x, close to the zero level T becomes y .
【0107】上述したようなアクティブマトリクス駆動
では、カイラルスメクチック液晶を用いた場合に良好な
高速応答性に基づいた階調表示が可能となると同時に、
一画素においてあるレベルの階調表示を、高い透過光量
を得る第一フィールドと低い透過光量を得る第二フィー
ルドに分割して連続的に行うことにより、時間開口率が
50%以下とした場合と同様の、人間の目に感じる動画
高速応答特性が良好になる。また、第二フィールドにお
いては液晶分子の若干のスイッチング動作により完全に
透過光量が0にはならないので、フレーム期間全体での
人間の目に感じる輝度は確保される。本発明において
は、第一フィールドを第二フィールドより長く設定して
いるため、上記時間開口率を50%以下とした場合に比
較して透過光量の時間積分値が向上し、実用に即したよ
り明るい表示が実現する。また、透過型の液晶素子等、
光源を用いた場合には、透過光量の時間積分値が向上し
た分、該光源の照度を低減して消費電力の削減を図るこ
とができる。In the active matrix driving as described above, when a chiral smectic liquid crystal is used, gradation display based on good high-speed response is possible, and at the same time,
A case where the time aperture ratio is set to 50% or less by dividing a certain level of gradation display in one pixel into a first field for obtaining a high transmitted light amount and a second field for obtaining a low transmitted light amount and continuously performing the division. Similarly, the moving image high-speed response characteristics perceived by human eyes are improved. Further, in the second field, the transmitted light amount does not become completely zero due to a slight switching operation of the liquid crystal molecules, so that the luminance perceived by human eyes during the entire frame period is secured. In the present invention, since the first field is set to be longer than the second field, the time integration value of the amount of transmitted light is improved as compared with the case where the time aperture ratio is set to 50% or less. Bright display is realized. In addition, transmission type liquid crystal elements, etc.
When a light source is used, the illuminance of the light source can be reduced and power consumption can be reduced because the time integration value of the transmitted light amount is improved.
【0108】さらに、第一及び第二フィールドで同様の
レベルの電圧が極性反転して液晶層49に印加されるた
め、液晶層49に実際に印加される電圧が交流化され、
液晶の劣化が防止される。Furthermore, since the voltage of the same level is inverted and applied to the liquid crystal layer 49 in the first and second fields, the voltage actually applied to the liquid crystal layer 49 is converted into an alternating current,
Deterioration of the liquid crystal is prevented.
【0109】上記のアクティブマトリクス駆動では、2
フィールドからなる1フレーム全体では、TxとTyを平
均した透過光量が得られる。このため、情報信号電圧V
sについては、図7に示す特性に沿って、実際の当該フ
レームで当該画素で得ようとする画像情報(階調情報)
に応じて、所定のレベルだけ大きな透過光量を得ること
のできる電圧値を選択して印加することにより、第一フ
ィールド1Fにおいて、所望の階調状態より高いレベル
の透過光量での階調状態を表示することも好ましい。In the above-described active matrix driving, 2
In total one frame consisting of fields, the amount of transmitted light obtained by averaging the T x and T y is obtained. Therefore, the information signal voltage V
Regarding s , image information (gradation information) to be obtained by the pixel in the actual frame in accordance with the characteristics shown in FIG.
In the first field 1F, the gradation state with a higher transmission light level than the desired gradation state is selected and applied by selecting and applying a voltage value capable of obtaining a transmission light amount larger by a predetermined level in accordance with. It is also preferable to display.
【0110】本発明の表示素子においては、第一輝度で
表示する期間を、上記第二の輝度で表示する期間よりも
長く設定する。例えば、上記した液晶素子のアクティブ
マトリクス駆動においては、第一フィールド1Fを第二
フィールド2Fよりも長時間になるように設定する。こ
の時、第一フィールド期間をF1、第二フィールド期間
をF2、第一フィールドで液晶層に印加される第一の極
性の電圧値をV1、第二フィールドで液晶層に印加され
る第二の極性の電圧値をV2とした時、本発明において
は、F1>F2であり、好ましくは、F1×V1=F2×V2
とする。このように、各期間の長さと電圧値とを設定す
ることにより、各フィールドで印加される電圧の積分値
が同一となり、実質的に液晶層に印加される直流成分が
ゼロとなって液晶の劣化が最小限に抑えられる。In the display element of the present invention, the period for displaying at the first luminance is set longer than the period for displaying at the second luminance. For example, in the above-described active matrix driving of the liquid crystal element, the first field 1F is set to be longer than the second field 2F. At this time, the first field period is F 1 , the second field period is F 2 , the voltage value of the first polarity applied to the liquid crystal layer in the first field is V 1 , and the voltage value is applied to the liquid crystal layer in the second field. When the voltage value of the second polarity is V 2 , in the present invention, F 1 > F 2 , and preferably, F 1 × V 1 = F 2 × V 2
And In this way, by setting the length of each period and the voltage value, the integrated value of the voltage applied in each field becomes the same, and the DC component applied to the liquid crystal layer becomes substantially zero, and Deterioration is minimized.
【0111】[0111]
【実施例】(実施例1) 〔液晶セルの作製〕透明電極として厚さ700ÅのIT
O膜を形成した厚さ1.1mmの一対のガラス基板を用
意した。該基板の透明電極上に、下記の繰り返し単位P
I−aを有するポリイミド前駆体をスピンコート法によ
り塗布し、その後、80℃で5分間の前乾燥を行った
後、200℃で1時間加熱焼成を施し、膜厚200Åの
ポリイミド被膜を得た。EXAMPLES (Example 1) [Preparation of liquid crystal cell] An IT having a thickness of 700 mm was used as a transparent electrode.
A pair of glass substrates having an O film and having a thickness of 1.1 mm were prepared. On the transparent electrode of the substrate, the following repeating unit P
A polyimide precursor having Ia was applied by spin coating, and then pre-dried at 80 ° C. for 5 minutes, and then baked at 200 ° C. for 1 hour to obtain a polyimide film having a thickness of 200 °. .
【0112】[0112]
【化1】 Embedded image
【0113】続いて、当該基板上のポリイミド膜に対し
て一軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を
施した。ラビング処理の条件は、直径10cmのロール
にナイロン(帝人社製「NF−77」)を貼り合わせた
ラビングロールを用い、押し込み量0.3mm、送り速
度10cm/s、回転数1000rpm、送り回数4回
とした。Subsequently, the polyimide film on the substrate was subjected to a rubbing treatment with a nylon cloth as a uniaxial orientation treatment. The conditions of the rubbing treatment were as follows: a rubbing roll in which nylon ("NF-77" manufactured by Teijin Limited) was bonded to a roll having a diameter of 10 cm, a pushing amount of 0.3 mm, a feed speed of 10 cm / s, a rotation speed of 1,000 rpm, and a feed frequency of 4 Times.
【0114】次に、一方の基板上にスペーサーとして、
平均粒径2.0μmのシリカビーズを散布し、各基板の
ラビング処理方向が互いに反平行(アンチパラレル)と
なるように対向させ、均一なセルギャップのセル(単画
素の空セル)を得た。Next, as a spacer on one of the substrates,
Silica beads having an average particle size of 2.0 μm were scattered and opposed to each other so that the rubbing directions of the substrates were antiparallel to each other (anti-parallel) to obtain cells having a uniform cell gap (empty cells of a single pixel). .
【0115】〔アクティブマトリクスセルの作製〕上記
単画素のセルの作製方法と同様の材料及び条件の透明電
極、ポリイミド配向膜を用い、一方の基板をゲート絶縁
膜として窒化シリコン膜を備えたa−SiTFTを有す
るアクティブマトリクス基板とし、他方の基板にはR,
G,Bのカラーフィルタを設け、図12に示した画素構
造のアクティブマトリクスセル(パネル)を作製した。
画面サイズは10.4インチ、画素数は800×600
×RGBとした。[Preparation of Active Matrix Cell] An a-type cell using a transparent electrode and a polyimide alignment film of the same materials and conditions as in the above-described method of manufacturing a single pixel cell, and having a silicon nitride film as a gate insulating film on one substrate. An active matrix substrate having a SiTFT is used.
G and B color filters were provided to produce an active matrix cell (panel) having the pixel structure shown in FIG.
The screen size is 10.4 inches and the number of pixels is 800 x 600
X: RGB.
【0116】〔液晶組成物の調整〕下記液晶性化合物を
混合して液晶組成物LC−1を調製した。構造式に併記
した数値は混合の際の重量比率である。[Adjustment of Liquid Crystal Composition] A liquid crystal composition LC-1 was prepared by mixing the following liquid crystal compounds. The numerical values described in the structural formula are weight ratios at the time of mixing.
【0117】[0117]
【化2】 Embedded image
【0118】上記液晶組成物LC−1の物性パラメータ
を以下に示す。The physical properties of the liquid crystal composition LC-1 are shown below.
【0119】[0119]
【化3】 Embedded image
【0120】上記プロセスで作製した単画素のセル及び
アクティブマトリクスセルに液晶組成物LC−1を等方
相の温度で注入し、カイラルスメクチック液晶相を示す
温度まで冷却し、この冷却の際、Ch−SmC*相転移
前後において、−5Vのオフセット(直流)電圧を印加
して冷却を行う処理を施し、液晶素子サンプルA(単画
素),B(アクティブマトリクスタイプ)を作製した。
かかるサンプルについて、下記の項目についての評価を
行った。The liquid crystal composition LC-1 was injected at a temperature of an isotropic phase into the single pixel cell and the active matrix cell manufactured by the above process, and cooled to a temperature showing a chiral smectic liquid crystal phase. Before and after -SmC * phase transition, a cooling process was performed by applying an offset (direct current) voltage of -5 V to produce liquid crystal element samples A (single pixel) and B (active matrix type).
The following items were evaluated for the sample.
【0121】(1)配向状態 素子サンプルAの液晶の配向状態について偏光顕微鏡観
察を行った。その結果、室温(30℃)では、電圧無印
加で最暗軸がラビング方向と若干ずれた状態であり、且
つ層法線方向がセル全体で一方向しかないほぼ均一な配
向状態が観察された。(1) Alignment state The alignment state of the liquid crystal of the device sample A was observed with a polarizing microscope. As a result, at room temperature (30 ° C.), the darkest axis was slightly deviated from the rubbing direction when no voltage was applied, and an almost uniform alignment state in which the layer normal direction was only one direction in the entire cell was observed. .
【0122】(2)光学応答 液晶素子が示す電気光学応答を測定するために、素子サ
ンプルAについてセルをクロスニコル下でフォトマルチ
プライヤー付き偏光顕微鏡に、偏光軸を電圧無印加状態
で暗視野となるように配置した。(2) Optical Response In order to measure the electro-optical response of the liquid crystal device, the cell of the device sample A was placed under a cross microscope with a polarizing microscope equipped with a photomultiplier. It was arranged so that it might become.
【0123】これに30℃において±5V、0.2Hz
の三角波を印加した際の光学応答を観測すると、正極性
の電圧印加に対しては、印加電圧の大きさに応じて徐々
に透過光量(透過率)が増加していった。一方、負極性
の電圧印加の際の光学応答の様子は、電圧レベルに対し
て透過光量が変化しているものの、その最大透過率は、
正極性電圧印加の際の最大透過率と比較すると、1/1
0程度であった。± 30 V at 30 ° C., 0.2 Hz
Observing the optical response when the triangular wave was applied, the amount of transmitted light (transmittance) gradually increased in accordance with the magnitude of the applied voltage when the voltage of the positive polarity was applied. On the other hand, the state of the optical response at the time of application of the voltage of the negative polarity is that although the amount of transmitted light changes with respect to the voltage level, the maximum transmittance is
When compared with the maximum transmittance when a positive voltage is applied, 1/1
It was about 0.
【0124】(3)矩形波応答 素子サンプルAについて三角波応答と同様の装置を用い
て、60Hz(±5V)の矩形波電圧を印加して電圧を
変化させながら光学レベルを測定した。(3) Rectangular Wave Response With respect to the device sample A, the optical level was measured while applying a rectangular wave voltage of 60 Hz (± 5 V) and changing the voltage, using the same device as the triangular wave response.
【0125】その結果、正極性の電圧には十分に光学応
答し、その光学応答は前状態には依存せずに安定した中
間調状態が得られることが確認できた。また、負極性の
電圧に対しても同じ電圧絶対値の正極性電圧印加の場合
の1/10程度の光学応答が確認され、正負の電圧に対
する光学応答の平均値は前状態には依存せず安定した中
間調が得られることが確認できた。As a result, it was confirmed that the optical response sufficiently responded to the voltage of the positive polarity, and the optical response did not depend on the previous state, and a stable halftone state was obtained. An optical response of about 1/10 of the case of applying a positive voltage having the same voltage absolute value to a negative voltage was confirmed, and the average value of the optical response to positive and negative voltages did not depend on the previous state. It was confirmed that a stable halftone was obtained.
【0126】また、この正極性の矩形波電圧印加によ
る、立ち上がり時間(最暗状態の液晶に所定の透過率を
得るための電圧を印加した際の、該透過率の90%に達
する時間)と、立ち下がり時間(所定の中間調状態を得
るための電圧印加による飽和透過率状態から、当該飽和
透過率の10%に達する時間)での応答速度は、高電圧
(5V程度)印加の際にはそれぞれ0.7ms、0.3
msであり、低電圧(1V程度)印加の際には、それぞ
れ2.0ms、0.2msであり、一般的なネマチック
液晶でのスイッチングに比較しても高速応答性が確認さ
れた。The rise time (time when 90% of the transmittance when a voltage for obtaining a predetermined transmittance is applied to the liquid crystal in the darkest state) due to the application of the rectangular wave voltage having the positive polarity is obtained. The response speed in the fall time (time from the saturated transmittance state by applying a voltage for obtaining a predetermined halftone state to 10% of the saturated transmittance) is as follows when a high voltage (about 5 V) is applied. Are 0.7 ms and 0.3 respectively
ms, and 2.0 ms and 0.2 ms, respectively, when a low voltage (approximately 1 V) was applied, and high-speed response was confirmed as compared with switching using a general nematic liquid crystal.
【0127】(4−1)実駆動/動画質評価A TFTを用いたアクティブマトリクスパネルである素子
サンプルBを用いて、動画質評価を行った。この動画質
評価は10名程度の非専門家による主観評価とし、下記
5段階の尺度(カテゴリー)で評価した。評価に使用し
た画像は、BTAのハイビジョン標準画像(静止画)か
ら3種類(肌色チャート、観光案内板、ヨットハーバ
ー)を選び、その中の中心部分の432×168画素を
切り出して使用した。(4-1) Actual driving / moving image quality evaluation A Moving image quality was evaluated using element sample B which is an active matrix panel using TFTs. This video quality evaluation was a subjective evaluation by about 10 non-experts, and was evaluated using the following five-point scale (category). As the images used for evaluation, three types (skin color chart, tourist information board, yacht harbor) were selected from BTA high-definition standard images (still images), and 432 × 168 pixels at the center of the three types were cut out and used.
【0128】さらにこれらの画像をテレビ番組の一般的
な動き速度程度である6.8(deg/s)の一定速度
で移動させて動画像を作製し、画像のボケを評価した。Further, these images were moved at a constant speed of 6.8 (deg / s), which is about the general moving speed of a television program, to produce moving images, and the blurring of the images was evaluated.
【0129】 尺度5…画面の周辺ボケが全く観察されずキレの良い良
好な動画質 尺度4…画面の周辺ボケがほとんど気にならない 尺度3…画面の周辺ボケが観察され、細かい文字は判別
し難い 尺度2…画面の周辺ボケが顕著となり、大きな文字も判
別し難い 尺度1…画面全体にボケが顕著となり、原画像がほとん
ど判別不能Scale 5: Good moving image quality with no sharpness at the periphery of the screen and no sharpness Scale 4: Little blurring at the periphery of the screen Scale 3: The blur at the periphery of the screen is observed, and fine characters are discriminated. Difficult Scale 2: The peripheral blur of the screen is remarkable, and large characters are difficult to distinguish. Scale 1: Remarkable blur on the entire screen, and the original image is almost indistinguishable.
【0130】この時の画像ソースのコンピュータ側から
の出力は、1秒間に60画面分を順次走査(プログレッ
シブ)するようなピクチャーレートとした。The output of the image source from the computer at this time was a picture rate such that 60 screens were sequentially scanned (progressive) per second.
【0131】先ず、TFTパネル側(サンプル)の表示
は、1秒間に60フレームの表示を行い、1フレームを
複数フィールドに分割せず、フレーム反転駆動を行っ
た。その結果、若干ではあるが動画質の周辺ボケが観測
された。この周辺ボケ度合いを主観評価すると、上記5
段階評価で3〜4程度であった。First, as for the display on the TFT panel side (sample), 60 frames were displayed per second, and frame inversion driving was performed without dividing one frame into a plurality of fields. As a result, a slight blurring of the moving image quality was observed. Subjectively evaluating the degree of this peripheral blur, the above 5
It was about 3 to 4 on a graded scale.
【0132】さらに、1フレームを2つのフィールドに
分割し、最初のフィールドで正極性電圧、続くフィール
ドで負極性電圧(両フィールドの電圧レベルは同じ)を
印加し、実質的に周波数120Hzで動作させた場合、
フリッカが全く観察されず、周辺ボケがほぼ感じられな
い動画質が観察され、上記の5段階評価では5のレベル
であった。Further, one frame is divided into two fields, a positive voltage is applied in the first field, and a negative voltage (the voltage level in both fields is the same) in the subsequent field, and the apparatus is operated substantially at a frequency of 120 Hz. If
Flicker was not observed at all, and moving image quality with almost no perceived blur was observed.
【0133】尚、この評価を一般的なCRTを用いて行
うと5段階評価で全員が5、応答が数十msかかる市販
のTFTタイプの液晶素子を用いると5段階評価で2〜
3程度の評価結果であった。When this evaluation is carried out using a general CRT, all of the evaluations are 5 in a 5-level evaluation, and when a commercially available TFT type liquid crystal element which takes several tens of milliseconds is used, the evaluation is 2 to 5 in a 5-level evaluation.
The evaluation result was about 3.
【0134】この時、全面白表示状態で、画面(最大)
輝度を200cd/m2に保つためには、バックライト
輝度を5130cd/m2以上に設定する必要があっ
た。これは、この素子サンプルBのパネルの開口率が7
0%、偏光板とカラーフィルタを含めた液晶素子部の有
効透過率が5.5%であり、総合透過率が3.9%であ
ったためである。尚、ここでいう「透過率」の数値は各
部材に入射するバックライトからの入射光量を100%
として該入射光量に対する出射光量の割合を意味する。At this time, the screen (maximum)
To keep the luminance 200 cd / m 2, it was necessary to set the backlight brightness to 5130cd / m 2 or more. This is because the aperture ratio of the panel of the element sample B is 7
This is because the effective transmittance of the liquid crystal element including the polarizing plate and the color filter was 5.5%, and the total transmittance was 3.9%. Here, the numerical value of “transmittance” means that the amount of incident light from the backlight incident on each member is 100%.
Means the ratio of the output light amount to the incident light amount.
【0135】液晶素子部の有効透過率が5.5%の内
訳:偏光板単独透過率がパラニコルの状態で39%、カ
ラーフィルタ部単独の透過率が29%、液晶セルの透過
率が49%(パラニコル偏光板を基準として)で、0.
39×0.29×0.49=0.055。The effective transmittance of the liquid crystal element portion is 5.5%: the transmittance of the polarizing plate alone is 39% in a paranicol state, the transmittance of the color filter portion is 29%, and the transmittance of the liquid crystal cell is 49%. (Based on a paranicol polarizer)
39 x 0.29 x 0.49 = 0.055.
【0136】液晶セル部の透過率の詳細:高輝度である
最初のフィールド(正極性電圧印加期間)で90%の1
/2(時間が1フレームの半分であるため)、続く第二
のフィールド(負極性電圧印加期間)で8%の1/2で
あり、(90×1/2)+(8×1/2)=49
(%)。Details of transmittance of liquid crystal cell portion: 90% of 1 in the first field (positive voltage application period) with high luminance
/ 2 (because the time is half of one frame), which is 1/2 of 8% in the subsequent second field (negative voltage application period), and is (90 × 1/2) + (8 × 1/2) ) = 49
(%).
【0137】(4−2)実駆動/動画質評価B 次に、1フレームを時間比率で2:1の2つのフィール
ドに分割し、実質的に120Hzで駆動した(パルス幅
としては、11.1msと5.6ms)、最初のフィー
ルドで0〜6Vの正極性電圧、続くフィールドで0〜1
2Vの負極性電圧(両フィールドの電圧レベルは1:2
の比率)を印加し動作させた場合、フリッカが全く観察
されず、周辺ボケが全く感じられない動画像が観察さ
れ、理想的な動画像が得られた。上記の5段階評価では
4のレベルであった。(4-2) Actual driving / moving image quality evaluation B Next, one frame is divided into two fields with a time ratio of 2: 1 and driven at substantially 120 Hz (pulse width is 11.1). 1 ms and 5.6 ms), positive voltage of 0 to 6 V in the first field, 0 to 1 in the subsequent field
2V negative polarity voltage (voltage level in both fields is 1: 2
), A flicker was not observed at all, and a moving image in which no peripheral blur was felt was observed, and an ideal moving image was obtained. In the above five-grade evaluation, the rating was 4.
【0138】この時、全面白表示状態で、画面(最大)
輝度を200cd/m2に保つためのバックライト輝度
を4000cd/m2に下げることができ、消費電力を
22%削減することができた。これは、この素子サンプ
ルBのパネルの開口率が70%、偏光板とカラーフィル
タを含めた液晶素子部の有効透過率が7.1%であり、
総合透過率が5.0%であったためである。At this time, the screen (maximum)
The backlight brightness to maintain the luminance 200 cd / m 2 can be reduced to 4000 cd / m 2, was power consumption can be reduced by 22%. This is because the aperture ratio of the panel of the device sample B is 70%, the effective transmittance of the liquid crystal device portion including the polarizing plate and the color filter is 7.1%,
This is because the total transmittance was 5.0%.
【0139】液晶素子部の有効透過率が7.1%の内
訳:偏光板単独透過率がパラニコルの状態で39%、カ
ラーフィルタ部単独の透過率が29%、液晶セルの透過
率が63%(パラニコル偏光板を基準として)で、0.
39×0.29×0.63=0.071。The effective transmittance of the liquid crystal element portion is 7.1%: the transmittance of the polarizing plate alone is 39% in a paranicol state, the transmittance of the color filter portion alone is 29%, and the transmittance of the liquid crystal cell is 63%. (Based on a paranicol polarizer)
39 x 0.29 x 0.63 = 0.071.
【0140】液晶セル部の透過率の詳細:高輝度である
最初のフィールド(正極性電圧印加期間)で90%の2
/3(1フレームにおける時間比率が2:1のため)、
続く第二のフィールド(負極性電圧印加期間)で8%の
1/3であり、(90×2/3)+(8×1/3)=6
3(%)。Details of transmittance of liquid crystal cell portion: 90% of the first field (positive voltage application period) with high luminance
/ 3 (because the time ratio in one frame is 2: 1),
In the subsequent second field (negative voltage application period), it is 1/3 of 8%, and (90 × 2/3) + (8 × 1 /) = 6
3 (%).
【0141】[0141]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
明るく高画質の動画像表示の表示素子が得られ、さらに
は、実用的な明るさと高速応答、及び階調表示が可能な
液晶素子が得られ、特に、カイラルスメクチック液晶素
子において、複雑な回路を用いることなく動画質を向上
し、同時に液晶の劣化を防止し、長期にわたって良好な
動画質を表示しうる耐久性に富んだ液晶素子が提供され
る。また、透過型の液晶素子においては、バックライト
光源の照度を低減して消費電力を削減することができ
る。As described in detail above, according to the present invention,
A bright and high-quality display device for displaying moving images can be obtained, and furthermore, a liquid crystal device capable of displaying practical brightness, high-speed response, and gradation can be obtained.Especially, in a chiral smectic liquid crystal device, a complicated circuit is required. There is provided a highly durable liquid crystal element capable of improving moving image quality without using the same and at the same time preventing deterioration of liquid crystal and displaying good moving image quality for a long period of time. In a transmissive liquid crystal element, power consumption can be reduced by reducing the illuminance of a backlight light source.
【図1】SSFLCタイプの液晶素子における液晶配向
状態での液晶分子及び液晶層構造を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing liquid crystal molecules and a liquid crystal layer structure in a liquid crystal alignment state in an SSFLC type liquid crystal element.
【図2】図1の液晶配向状態における液晶分子の仮想コ
ーン底面への射影を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing projection of liquid crystal molecules onto a virtual cone bottom surface in the liquid crystal alignment state of FIG.
【図3】SSFLCタイプの液晶素子及び本発明の液晶
素子の一実施形態の各液晶相での配向状態を示す模式図
である。FIG. 3 is a schematic diagram showing an alignment state in each liquid crystal phase of an embodiment of an SSFLC type liquid crystal element and a liquid crystal element of the present invention.
【図4】本発明の液晶素子の一実施形態におけるカイラ
ルスメクチック液晶相での配向状態を示す模式図であ
る。FIG. 4 is a schematic view showing an alignment state in a chiral smectic liquid crystal phase in one embodiment of the liquid crystal element of the present invention.
【図5】カイラルスメクチックC相での配向状態を示す
模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing an orientation state in a chiral smectic C phase.
【図6】本発明の液晶素子の一実施形態におけるカイラ
ルスメクチック液晶相での電圧印加による液晶分子の反
転挙動を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing the inversion behavior of liquid crystal molecules by applying a voltage in a chiral smectic liquid crystal phase in one embodiment of the liquid crystal device of the present invention.
【図7】本発明の液晶素子における電圧−透過率特性の
一例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of a voltage-transmittance characteristic in the liquid crystal element of the present invention.
【図8】SSFLCにおける双安定配向状態でのポテン
シャルの状態を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a potential state in a bistable orientation state in SSFLC.
【図9】本発明の液晶素子における配向状態でのポテン
シャルの状態を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing a potential state in an alignment state in the liquid crystal element of the present invention.
【図10】本発明の液晶素子の一実施形態の一画素の構
造を模式的に示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the structure of one pixel of one embodiment of the liquid crystal element of the present invention.
【図11】本発明の液晶素子をアクティブマトリクスタ
イプに適用した場合の構成例を示す平面模式図である。FIG. 11 is a schematic plan view showing a configuration example when the liquid crystal element of the present invention is applied to an active matrix type.
【図12】本発明の液晶素子をアクティブマトリクスタ
イプに適用した場合の一画素の構成例を示す断面模式図
である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of one pixel when the liquid crystal element of the present invention is applied to an active matrix type.
【図13】図12に示した素子構造の等価回路を示す図
である。FIG. 13 is a diagram showing an equivalent circuit of the element structure shown in FIG.
【図14】本発明の液晶素子をアクティブマトリクス駆
動する際の駆動波形及び光学応答の一例を示す図であ
る。FIG. 14 is a diagram showing an example of a driving waveform and an optical response when the liquid crystal element of the present invention is driven in an active matrix.
11,12 基板 13 液晶 14,14a,14b 液晶分子 15 コーン 16 スメクチック層 17 コーン底面 18,18a,18b 液晶分子の仮想コーン底面への
射影 19 自発分極 20 アクティブマトリクス基板 21 基板 22 ゲート電極 23 ゲート絶縁膜 24 半導体層 25,26 オーミックコンタクト層 27 ソース電極 28 ドレイン電極 29 チャネル保護膜 30 保持容量電極 31 液晶容量 32 保持容量 40 対向基板 41 基板 42 共通電極 43a,43b 配向膜 49 液晶層 50 自発分極 80 液晶素子 81a,81b 基板 82a,82b 電極 83a,83b 絶縁膜 84a,84b 配向膜 85 液晶層 86 スペーサー 90 パネル部 91 走査信号ドライバ 92 情報信号ドライバ 94 TFT 95 画素電極11, 12 Substrate 13 Liquid crystal 14, 14a, 14b Liquid crystal molecule 15 Cone 16 Smectic layer 17 Cone bottom 18, 18a, 18b Projection of liquid crystal molecule to virtual cone bottom 19 Spontaneous polarization 20 Active matrix substrate 21 Substrate 22 Gate electrode 23 Gate insulation Film 24 semiconductor layer 25, 26 ohmic contact layer 27 source electrode 28 drain electrode 29 channel protective film 30 storage capacitor electrode 31 liquid crystal capacitor 32 storage capacitor 40 counter substrate 41 substrate 42 common electrode 43a, 43b alignment film 49 liquid crystal layer 50 spontaneous polarization 80 Liquid crystal element 81a, 81b Substrate 82a, 82b Electrode 83a, 83b Insulating film 84a, 84b Alignment film 85 Liquid crystal layer 86 Spacer 90 Panel 91 Scanning signal driver 92 Information signal driver 94 TFT 95 Pixel electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門叶 剛司 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森 省誠 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森山 孝志 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 2H093 NA16 NA53 NA55 NC34 ND06 NF17 NH11 5C080 AA10 BB05 DD02 DD03 DD08 EE19 EE29 FF11 GG12 JJ02 JJ03 JJ05 JJ06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Takeshi Kadoba 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Makoto Mori 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Canon Inc. (72) Inventor Takashi Moriyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term within Canon Inc. (reference) 2H093 NA16 NA53 NA55 NC34 ND06 NF17 NH11 5C080 AA10 BB05 DD02 DD03 DD08 EE19 EE29 FF11 GG12 JJ02 JJ03 JJ05 JJ06
Claims (17)
る表示素子であって、1フレームが少なくとも2つのフ
ィールドに分割され、第一のフィールドにおいて画素毎
に表示情報に応じた第一の輝度で画像を表示し、1フレ
ームの残りのフィールドにおいて画素毎に上記第一の輝
度よりも一定の割合で小さい第二の輝度で実質的に上記
第一のフィールドで表示した画像と同一の画像を表示
し、上記第一の輝度で表示する期間が、上記第二の輝度
で表示する期間よりも長く設定されていることを特徴と
する表示素子。1. A display element for displaying an image by individually controlling a plurality of pixels, wherein one frame is divided into at least two fields, and a first field corresponding to display information for each pixel in a first field. An image is displayed at the luminance, and the same image as the image displayed in the first field at the second luminance which is smaller than the first luminance at a fixed rate for each pixel in the remaining fields of one frame. Wherein the period for displaying at the first luminance is set longer than the period for displaying at the second luminance.
下である請求項1記載の表示素子。2. The display device according to claim 1, wherein the second luminance is equal to or less than 1/5 of the first luminance.
る液晶素子であり、液晶と、該液晶を狭持して対向する
と共に少なくとも一方の液晶との界面に一軸配向処理が
施された一対の基板と、画素毎に液晶を駆動する電極
と、少なくとも一方の基板の外側に配置した偏光板とを
備えた液晶素子であって、1フレームが少なくとも2つ
のフィールドに分割され、第一のフィールドにおいて画
素毎に表示情報に応じた第一の輝度で画像を表示し、1
フレームの残りのフィールドにおいて画素毎に上記第一
の輝度よりも一定の割合で小さい第二の輝度で実質的に
上記第一のフィールドで表示した画像と同一の画像を表
示し、上記第一の輝度で表示する期間が、上記第二の輝
度で表示する期間よりも長く設定されていることを特徴
とする液晶素子。3. A liquid crystal element for displaying an image by controlling a plurality of pixels individually, wherein a uniaxial alignment treatment is applied to an interface between a liquid crystal and at least one of the liquid crystals to face the liquid crystal. A liquid crystal element including a pair of substrates, an electrode for driving liquid crystal for each pixel, and a polarizing plate disposed outside at least one substrate, wherein one frame is divided into at least two fields, In the field, an image is displayed at the first luminance according to the display information for each pixel, and 1
In the remaining fields of the frame, the same image as the image displayed in the first field is displayed at a second luminance smaller than the first luminance at a fixed rate for each pixel, and the first image is displayed. A liquid crystal element, wherein a period for displaying at the luminance is set longer than a period for displaying at the second luminance.
下である請求項3記載の液晶素子。4. The liquid crystal device according to claim 3, wherein the second luminance is equal to or less than 1/5 of the first luminance.
となるように各画素の液晶が光学変調され、第二の輝度
で表示するフィールドにおいては、各画素の液晶が第一
の透過率よりも一定の割合で低い第二の透過率となるよ
うに光学変調される請求項3記載の液晶素子。5. The liquid crystal of each pixel is optically modulated so as to have a first transmittance in the first field, and the liquid crystal of each pixel has a first transmittance in a field displaying at a second luminance. 4. The liquid crystal device according to claim 3, wherein optical modulation is performed such that the second transmittance is lower at a fixed rate than the second transmittance.
5以下である請求項5記載の液晶素子。6. The second transmittance is 1/1 of the first transmittance.
The liquid crystal element according to claim 5, wherein the number is 5 or less.
あり、電圧無印加時には、上記液晶の平均分子軸が単安
定化された第一の状態を示し、第一の極性の電圧印加時
には、上記液晶の平均分子軸が印加電圧値に応じた角度
で上記第一の状態から一方の側にチルトし、上記第一の
極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時には、上記液
晶の平均分子軸が印加電圧値に応じた角度で上記第一の
状態から上記第一の極性の電圧印加時にチルトした側と
は逆側にチルトし、上記第一の極性の電圧印加時と第二
の極性の電圧印加時のそれぞれの液晶の平均分子軸の最
大チルト状態における上記第一の状態からのチルトの角
度が互いに異なる請求項5または6記載の液晶素子。7. The liquid crystal is a chiral smectic liquid crystal, shows a first state in which the average molecular axis of the liquid crystal is monostable when no voltage is applied, and when the voltage of the first polarity is applied, the liquid crystal is a chiral smectic liquid crystal. The average molecular axis tilts from the first state to one side at an angle corresponding to the applied voltage value, and when a voltage having a second polarity opposite to the first polarity is applied, the average molecular axis of the liquid crystal is Is tilted from the first state at an angle corresponding to the applied voltage value to the side opposite to the side tilted when the voltage of the first polarity is applied, and when the voltage of the first polarity is applied and when the second polarity is applied. 7. The liquid crystal device according to claim 5, wherein tilt angles from the first state in the maximum tilt state of the average molecular axis of each liquid crystal when a voltage is applied are different from each other.
の液晶が、表示情報に応じた値の第一の極性の電圧印加
によって、該電圧値に応じた角度で第一の状態からチル
トして第一の透過率を呈し、第一のフレームの残りのフ
ィールドにおいて、各画素の液晶が、表示情報に応じた
値の第二の極性の電圧印加によって、該電圧値に応じた
角度で第一の状態から上記第一の極性の電圧印加時にチ
ルトした側とは逆側にチルトして第二の透過率を呈し、
各画素の液晶が上記第一の状態で第三の透過率を呈し、
上記第一の透過率の最大値と第三の透過率との間で連続
的に透過率を変化させることによって階調表示を行う請
求項7記載の液晶素子。8. In the first field, the liquid crystal of each pixel is tilted from the first state at an angle corresponding to the voltage value by applying a first polarity voltage having a value corresponding to display information. Exhibiting a first transmittance, and in the remaining fields of the first frame, the liquid crystal of each pixel is driven by applying a second polarity voltage having a value corresponding to display information at an angle corresponding to the voltage value. From the state, tilted to the side opposite to the side that was tilted when the voltage of the first polarity was applied, and exhibited a second transmittance,
The liquid crystal of each pixel exhibits a third transmittance in the first state,
8. The liquid crystal device according to claim 7, wherein gradation display is performed by continuously changing the transmittance between the maximum value of the first transmittance and the third transmittance.
しうる最小透過率であり、第一の透過率の最大値が最大
透過率である請求項8記載の液晶素子。9. The liquid crystal device according to claim 8, wherein the third transmittance is a minimum transmittance that can be displayed by the liquid crystal device, and a maximum value of the first transmittance is a maximum transmittance.
過率との差が、第一の透過率の最大値と第三の透過率と
の差の1/5以下である請求項9記載の液晶素子。10. The difference between the maximum value of the second transmittance and the third transmittance is 1 / or less of the difference between the maximum value of the first transmittance and the third transmittance. Item 10. A liquid crystal device according to item 9.
に応じた電圧値よりも高く、該電圧値を印加された画素
の液晶が表示情報に応じた透過率よりも高い透過率を呈
する請求項8〜10のいずれかに記載の液晶素子。11. The voltage value of the first polarity is higher than a voltage value according to display information, and a liquid crystal of a pixel to which the voltage value is applied has a transmittance higher than a transmittance according to display information. The liquid crystal device according to any one of claims 8 to 10, which is provided.
移系列が、高温側より、等方相−コレステリック相−カ
イラルスメクチックC相、或いは、等方相−カイラルス
メクチックC相であり、素子内における液晶のスメクチ
ック層の法線方向が一方向である請求項7〜11のいず
れかに記載の液晶素子。12. The phase transition series of the chiral smectic liquid crystal is an isotropic phase-cholesteric phase-chiral smectic C phase or an isotropic phase-chiral smectic C phase from a high temperature side, and the smectic phase of the liquid crystal in the device. The liquid crystal element according to claim 7, wherein a normal direction of the layer is one direction.
ク状態でのらせんピッチがセル厚の2倍より長い請求項
7〜12のいずれかに記載の液晶素子。13. The liquid crystal device according to claim 7, wherein a helical pitch of the chiral smectic liquid crystal in a bulk state is longer than twice a cell thickness.
と該期間に液晶に印加される第一の極性の電圧値V1、
及び、第二の透過率で表示する期間F2と該期間に液晶
に印加される第二の極性の電圧値−V2との関係が、F1
>F2であり、且つ、F1×V1=F2×V2である請求項
8〜13のいずれかに記載の液晶素子。14. A period F 1 for displaying at the first transmittance.
And a voltage value V 1 of the first polarity applied to the liquid crystal during the period,
And, the relationship between the period F 2 and said period a second voltage value -V 2 of polarity applied to the liquid crystal between the display at a second transmission rate, F 1
> Is F 2, and a liquid crystal device according to any one of claims 8 to 13 is F 1 × V 1 = F 2 × V 2.
クティブ素子を備え、アナログ階調表示を行う請求項7
〜14のいずれかに記載の液晶素子。15. The liquid crystal element includes a pixel electrode and an active element for each pixel, and performs analog gray scale display.
15. The liquid crystal element according to any one of items 14 to 14.
のいずれかに記載の液晶素子。16. A liquid crystal device of a transmission type.
A liquid crystal element according to any one of the above.
のいずれかに記載の液晶素子。17. A reflection type liquid crystal element.
A liquid crystal element according to any one of the above.
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JP11082966A Withdrawn JP2000276104A (en) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Display element and liquid crystal element |
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-
1999
- 1999-03-26 JP JP11082966A patent/JP2000276104A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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