JP2000260280A - 保護素子およびその製造方法 - Google Patents
保護素子およびその製造方法Info
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Abstract
断させる抵抗体とを有する保護素子において、抵抗体の
抵抗値を最適値に設定するとともに、抵抗体の発熱で可
溶合金を短時間で溶断させる。 【解決手段】 絶縁基板51の表面に離隔して形成した
電極56,57にまたがって抵抗体64を形成し、抵抗
体64の上を絶縁体層65で被覆して、絶縁体層65の
上からレーザを照射して抵抗体64をトリミングして切
れ目64aないし64cを形成して抵抗値を最適値に設
定し、絶縁体層65の上に形成した電極(66,67)
にまたがって可溶合金(68)を接続固着し、さらにフ
ラックス(69)で被覆し、絶縁キャップ(70)で被
覆して接着剤(71)で固着封止した。
Description
より詳細には、可溶合金および通電発熱によりこの可溶
合金を強制的に溶断させる抵抗体を備える保護素子に関
する。本発明はまた、保護素子の製造方法に関し、より
詳細には、可溶合金および通電発熱によりこの可溶合金
を強制的に溶断させる抵抗体を備える保護素子における
抵抗体の抵抗値のトリミング方法およびこの抵抗体と可
溶合金との配置関係ならびに形成工程順序に関する。
過熱に起因する火災から家財等を保護するために、保護
素子が用いられている。この種の保護素子として、特定
温度で溶融する可溶合金を用いた温度ヒューズがある。
この温度ヒューズは、正常温度時は可溶合金を通して通
電しておき、異常温度時は可溶合金の溶融によって、回
路を開放するものである。また、上記温度ヒューズ以外
に、任意温度で溶融する可溶合金と、この可溶合金を加
熱するための抵抗体とを備え、抵抗体への通電による発
熱で可溶合金を強制的に溶断させることにより回路を開
放する複合型の保護素子がある。このような複合型の保
護素子として、例えば、実開昭58−5257号公報に
は、チップ型のものが開示されている。以下、このチッ
プ型の保護素子について、図面を用いて説明する。
図13は保護素子の縦断面図を示す。図12および図1
3において、81はアルミナセラミック等の耐熱性絶縁
材料からなる矩形状の絶縁基板で、その長手方向の離隔
した位置に銀ペースト等の塗布焼成により形成した3つ
の電極82,83,84を有する。前記一対の電極8
2,83の間には、抵抗ペーストを塗布焼成してなる抵
抗体85が形成されており、前記他の一対の電極83,
84の間には、特定温度で溶融する可溶合金86が接続
固着されている。
説明する。前記図12には、上記保護素子の使用方法例
を示す回路図も併示されている。すなわち、上記保護素
子の電極82,83を介して抵抗体85を電気回路87
に接続するとともに、電極83,84を介して可溶合金
86を遮断用保護回路88に接続する。この遮断用保護
回路88は、リレー89とその2つの接点a,bを有
し、前記リレー89と可溶合金86を直列にして、電源
端子T1,T2に接続されている。前記2つの接点a,
bは、それぞれ前記電源端子T1,T2と電気回路87
との間に介挿されている。
可溶合金86を介してリレー89に電流が流れて、その
接点a,bが閉じられており、電気回路87に給電され
ている。ところが、異常時には電気回路87に過電流が
流れて、抵抗体85が異常発熱するため、この発熱が絶
縁基板81を介して可溶合金86に伝達されて、可溶合
金86が溶断することにより、保護回路88のリレー8
9が動作を停止して、その接点a,bを開放するため、
電気回路87への給電を停止し、電気回路87を保護す
る。
抵抗体85は、例えば抵抗体ペーストを塗布焼成して形
成するので、その抵抗値は最適値に設定するのが困難で
ある。また、抵抗体85と可溶合金86が、絶縁基板の
一方側面に併置形成されているので、抵抗体85への通
電開始後、可溶合金86の溶断までに比較的長時間を要
するという問題点がある。
溶合金および抵抗体を備える保護素子において、抵抗体
の抵抗値を最適値に設定できるとともに、抵抗体への通
電開始から短時間で可溶合金を確実に溶断可能な保護素
子を提供することを目的とする。
縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗
体と、この抵抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、前
記絶縁基板の他方の面側に形成された可溶合金とを有
し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記可溶
合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位置に
対応して形成されていることを特徴とするものである。
本発明の保護素子の製造方法は、絶縁基板に可溶合金と
通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶断させる抵抗
体とを有する保護素子の製造方法であって、絶縁基板に
抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成
する工程と、この絶縁体層の上からレーザを照射するこ
とによって抵抗体をトリミングする工程とを含むことを
特徴とするものである。
絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に形成された抵
抗体と、この抵抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、
前記絶縁基板の他方の面側に形成された可溶合金とを有
し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記可溶
合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位置に
対応して形成されていることを特徴とする保護素子であ
る。
と、前記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗体と、
この抵抗体の上に形成された絶縁体層と、この絶縁体層
の上に形成された可溶合金とを有し、前記抵抗体はトリ
ミングを施されており、前記可溶合金は前記抵抗体のト
リミング部近傍の電流路上位置に対応して形成されてい
ることを特徴とする保護素子である。
体のトリミングが、その電流方向に直交する方向に施さ
れていることを特徴とする請求項1ないし2記載の保護
素子である。
体のトリミングが、前記抵抗体の複数個所で施されてい
ることを特徴とする請求項3記載の保護素子である。
体のトリミングが、前記絶縁体層の上から施されている
ことを特徴とする請求項4記載の保護素子である。
体のトリミング後の絶縁体層の上が、さらに絶縁体層で
被覆されていることを特徴とする請求項5記載の保護素
子である。
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
体のトリミング後の絶縁体層の上が、それよりも低融点
の絶縁体層で被覆されていることを特徴とする請求項6
記載の保護素子である
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
と、前記絶縁体層の上にさらに絶縁体層を形成する工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
板に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に
溶断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
と、前記絶縁体層の上にそれよりも低融点の絶縁体層を
形成する工程と、トリミングされた抵抗体の電流路上に
対応する位置に可溶合金を接続固着する工程とを含むこ
とを特徴とする保護素子の製造方法である。
1は本発明の第1実施例の保護素子Aの長手方向の中心
軸に沿う縦断面図で、図2は図1の保護素子Aにおける
絶縁材およびフラックスを除去して内部構造が見えるよ
うにした状態の平面図、図3は図1の保護素子Aにおけ
る下面図である。以下、図1ないし図3を参照して、説
明する。まず、1はアルミナ等のセラミックよりなる略
矩形状の絶縁基板で、図1および図2に示すように、一
方の面の長手方向の両端部に、例えば銀ペーストや銀−
パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼成して形成さ
れた電極2,3を有し、他方の面の長手方向の両端部に
前記同様の導電材料を塗布焼成して形成された端子部
4,5を有する。前記絶縁基板1の一方の面には、前記
電極2,3の内方端および外方端が露出するように、ア
ルミナ等のセラミックよりなる梯子状の絶縁枠体6が一
体に形成されている。一方、前記絶縁基板1の他方の面
の端子部4,5の内方端間にまたがって、例えばガラス
ペースト中に酸化ルテニウム等の抵抗体微粒子を混入し
た抵抗ペーストを塗布焼成して形成された抵抗体7を有
する。この抵抗体7は、例えばガラスペースト等の塗布
焼成による絶縁体層8により被覆されている。この絶縁
体層8は、前記抵抗体7が、プリント基板等の取付体
(図示省略)における端子部や配線層、または搭載部品
等と短絡や絶縁耐圧不良を生じるのを防止するためのも
のである。
抗値の調整のために絶縁体層8の上からレーザを照射し
て、トリミングが施される。図3における7a,7b
は、抵抗体7のトリミングにより抵抗体7に形成された
切れ目を示すものである。なお、このように、絶縁体層
8の形成後に抵抗体7のトリミングを実施するのは、次
の理由による。すなわち、抵抗体7の形成後に抵抗体7
に直接レーザを照射してトリミングを実施すると、トリ
ミング個所の抵抗体7が溶融して除去されると同時に、
そのトリミング個所に隣接する部分の抵抗体7も溶融し
て表面張力で凝集するため、シャープな切れ目の形成が
困難になり、抵抗値の調整が困難になる。これに対し
て、抵抗体7の上に絶縁体層8を形成して、絶縁体層8
の上からレーザを照射してトリミングを実施すると、ト
リミング個所に隣接する抵抗体7が溶融しようとして
も、その上の絶縁体層8の存在によって、熱が奪われる
ことにより溶融が阻止され、あるいは仮に溶融してもそ
の上の絶縁体層8の存在によって凝集が阻止されて、シ
ャープな切れ目の形成が可能になり、抵抗値の調整が容
易になる。したがって、抵抗体のトリミングは、絶縁体
層8の形成後に実施することが望ましい。なお、絶縁体
層8の上から抵抗体7のトリミングを実施すると、抵抗
体7を構成する抵抗体成分が溶融して飛散し、トリミン
グによる切れ目7a,7bの近傍部の絶縁体層8上に付
着することがあるので、トリミング実施後の絶縁体層8
の上(図1の下面)には、再度絶縁体層8よりも低融点
のガラスやエポキシ樹脂等による絶縁体層を形成してお
くことが望ましい。
の一方の面の絶縁枠体6の窓部6aに露出する、前記電
極2,3の内方端間にまたがって、可溶合金9が接続固
着されている。この可溶合金9は、前記抵抗体7のトリ
ミングによる切れ目7a,7b部近傍の電流路に対応す
る位置,すなわちトリミングによる切れ目7a,7b間
に対応する位置に接続固着されている。なお、前記可溶
合金9は、温度ヒューズ用の可溶合金と異なり、周囲温
度に応答して溶融するものではなく、前記抵抗体7の通
電加熱により強制的に溶断させるものであるため、低温
半田と称される低融点のものから高温半田と称される高
融点のものまで、幅広い融点を有する材料の中から選択
できる。この可溶合金9は、全面がフラックス10によ
って被覆されている。このフラックス10は、常時は可
溶合金9を被覆保護するとともに、抵抗体7の通電発熱
の際には軟化溶融して可溶合金9の表面を活性化して、
正確な温度で可溶合金9を溶断させるためのもので、可
溶合金9よりも軟化点ないし溶融点が若干低いものを選
定使用する。
は、それぞれ表面実装のための低融点半田層11,12
が形成されている。ここで、これらの低融点半田層1
1,12は、その融点が前記可溶合金9やフラツクス1
0の融点よりも低く、かつその高さが、前記抵抗体7を
被覆する絶縁体層8の下面よりも突出するような高さ寸
法に形成されている。
部6b,6cから露出する電極2,3の外方端には、そ
れぞれ板状のリード13,14が接続されている。
等のセラミックや樹脂等よりなる絶縁キャップ15で被
覆されており、さらに、前記各リード13,14の電極
2,3の外方端との接続部分である、絶縁基板1,絶縁
枠体6の切欠部6a,6cおよび絶縁キャップ15で形
成される凹部には、封止樹脂16,17が充填封止され
ている。
素子Aの縦断面図の切断位置である絶縁基板1の長手方
向の中心軸Xおよびその断面を見る矢視方向A−Aが併
示されている。
7にトリミングを施して、その抵抗値を容易かつ最適値
に調整できるので、所望の抵抗値を有する抵抗体を具備
する保護素子が得られる。しかも、抵抗体7を流れる電
流は、前記抵抗体7のトリミングによる切れ目7a,7
b間に集中して流れ、それにより抵抗体7はこのトリミ
ングによる切れ目7a,7b間で特に発熱量が高くなる
が、前記可溶合金9は、抵抗体7の最大の発熱部である
前記トリミングによる切れ目7a,7b部間に対応する
位置に形成しているので、可溶合金9を抵抗体7の通電
開始後、短時間で、かつ確実に溶断できるという作用効
果を奏する。
ついて説明する。図4は保護素子Bの縦断面図で、図5
は保護素子Bの絶縁材およびフラックスを除去して内部
構造が見えるようにした平面図、図6は保護素子Bの下
面図である。図4ないし図6において、21はアルミナ
等のセラミックよりなる略矩形状の絶縁基板で、4隅に
円弧状の切欠部22,23,24,25を有する。この
絶縁基板21の表面の離隔した位置に銀ペーストや銀−
パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼成して一対の
電極26,27が形成されている。これらの電極26,
27は、それぞれ前記一組の対角に位置する切欠部2
2,23に向かって形成され、さらに切欠部22,23
の端面に延在して形成されている。
2,23,24,25の近傍に、銀ペーストや銀−パラ
ジウムペースト等の導電材料を塗布焼成して形成された
端子部28,29,30,31を有する。前記一組の対
角に位置する切欠部22,23の近傍に形成されたそれ
ぞれの端子部28,29は、前記切欠部22,23の端
面に延在して形成された導電層を介して表面の電極2
6,27と接続されている。また、前記他の一組の対角
に位置する切欠部24,25の近傍に形成された端子部
30,31は、絶縁基板21の裏面中央部で離隔して相
対する延在部30a,31aを有する。そして、これら
の延在部30a,31aにまたがって、ガラスペースト
中に酸化ルテニウム等の抵抗体微粒子を混入した抵抗ペ
ーストを塗布焼成してなる抵抗体32が形成されてい
る。さらに、この抵抗体32は、ガラスペースト等の塗
布焼成による絶縁体層33によって被覆されている。
レーザを照射してトリミングが施されており、切れ目3
2a,32bを有する。このトリミングにより、絶縁体
層33の上に抵抗体32を構成する抵抗ペースト成分が
付着することがあるので、このトリミング実施後の絶縁
体層33の上に、再度、絶縁体層33よりも低融点のガ
ラスやエポキシ樹脂等よりなる絶縁体層を形成しておく
ことが望ましい。
対の電極26,27の内方端間にまたがって可溶合金3
4が接続固着されている。そして、この可溶合金34
は、フラックス35により被覆されている。さらに、フ
ラックス35の上方は、セラミックまたは樹脂等の成型
体よりなる箱型の絶縁キャップ36によって被覆され、
接着剤37によって絶縁基板21に固着封止されてい
る。
記端子部28,29,30,31には、それぞれ半田層
38,39,40,41が被着形成されている。これら
の半田層38,39,40,41は、保護素子Bをプリ
ント基板等の取付体の端子部に表面実装法により接続固
着するためのものであり、それぞれの高さは、図4から
明らかなように、抵抗体32を被覆する絶縁体層33よ
りも高くなる(図4では下方に突出する)ように形成さ
れている。
第1実施例の保護素子Aと同様に、抵抗体32にトリミ
ングを施しているので、抵抗体32の抵抗値を容易かつ
最適値に調整できる。のみならず、保護素子Aに比較し
て、リードレス構造にしたので、リード(13,14)
が不要になり、材料費が低減できるし、絶縁基板21の
表面電極26,27にリード(13,14)接続のため
のスペースが不要になり、保護素子B全体を小型化でき
る。さらに、表面実装により全端子部28,29,3
0,31を、同時にプリント基板等の取付体に組み付け
できるという特長がある。
縦断面図を示す。図8ないし図10は、保護素子Cの各
工程段階の絶縁基板等の平面図を示す。図11は保護素
子Cの下面図を示す。以下、図7ないし図11を参照し
て、保護素子Cについて説明する。図において、51は
アルミナセラミック等よりなる略矩形状の絶縁基板で、
4隅に円弧状の切欠部52,53,54,55を有す
る。この絶縁基板51の表面の離隔した位置に、銀ペー
ストや銀−パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼成
して一対の電極56,57が形成されている。これらの
電極56,57は、それぞれ前記一組の対角位置の切欠
部52,53に向かって延在して形成され、さらにそれ
ぞれの切欠部52,53の端面に延在して形成されてい
る。前記残りの一組の対角位置の切欠部54,55の近
傍には、同様に銀ペーストや銀−パラジウムペースト等
の導電材料を塗布焼成して一対の電極58,59が形成
されており、これらの電極58,59はそれぞれの切欠
部54,55の端面にまで延在して形成されている。
前記4隅の切欠部52,53,54,55の近傍に銀ペ
ーストや銀−パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼
成して形成した端子部60,61,62,63を有す
る。そして、前記各端子部60,61,62,63は、
それぞれ前記切欠部52,53,54,55の端面に形
成された導電層を介して表面側の電極56,57,5
8,59に接続されている。ここで、前記各電極56,
57,58,59および各端子部60,61,62,6
3は、工程的には同時に塗布焼成して形成することがで
きる。
に示すように、前記電極56,57にまたがってガラス
ペースト中に酸化ルテニウム等の抵抗体微粒子を混入し
た抵抗ペーストを塗布焼成して抵抗体64が形成され
る。
は、図9に示すように、ガラスペースト等の塗布焼成に
よる絶縁体層65によつて被覆される。そして、この絶
縁体層65の上からレーザを照射して抵抗体64にトリ
ミングを施す。図9の抵抗体64は、トリミング後の状
態を示し、抵抗体64の短手方向の一側端から切れ目6
4aを、反対側端から切れ目64bを、再度一側端から
切れ目64cを千鳥状に形成してある。これによって、
抵抗体64を流れる電流は、前記各切れ目64aないし
64cを回避して蛇行して流れる。なお、トリミング実
施後の絶縁体層65の上には、前記と同一理由で、再度
絶縁体層を形成しておくことが望ましい。この再度形成
する絶縁体層は、下層の電極,抵抗体および絶縁体層よ
りも低融点のガラスペースト等で形成することが望まし
い。
65の上に離隔して形成された一対の電極66,67
と、これらの電極66,67間にまたがって形成された
可溶合金68とを示す平面図である。ここで、前記各電
極66,67は、切欠部54,55に向かって延在して
形成され、切欠部54,55の近傍に形成されている電
極58,59と接続されている。したがって、これらの
電極58,59は、切欠部54,55の端面に延在して
形成された導電層を介して、裏面の端子部62,63と
接続されている。
フラックス69で被覆されている。このフラックス69
の上方は、セラミックまたは樹脂等の成型体よりなる箱
型の絶縁キャップ70により被覆され、この絶縁キャッ
プ70の周辺下端は、接着剤71により絶縁基板51に
固着封止されている。
面の各端子部60,61,62,63には、半田層7
2,73,74,75が被着されている。この半田層7
2,73,74,75は、保護素子Cをプリント基板等
の取付体(図示省略)の端子部に表面実装法により接続
固着するためのものである。
64をトリミングして形成した切れ目64aないし64
cにより抵抗値を調整しているので、前記各実施例と同
様に、抵抗体64の抵抗値を容易に最適値に設定でき、
また、抵抗体64のトリミングによる切れ目64aない
し64cの近傍の電流路の上方位置に、可溶合金68を
接続固着しているので、抵抗体64の通電による発熱が
効率よくその上の可溶合金68に伝達され、抵抗体64
の通電開始から短時間で可溶合金68が確実に溶断して
回路を開放できるという特長がある。さらに、絶縁基板
51の一方面側に、電極56,57、抵抗体64、絶縁
体層65、可溶合金68およびフラックス69を積層形
成しているので、図1ないし図3に示す保護素子Aや図
4ないし図6に示す保護素子Bに比較して、抵抗体64
の通電による発熱が、絶縁基板1,21よりも薄い絶縁
体層65を介して、効率よくその上の可溶合金68に伝
達され、抵抗体64の通電開始から短時間で可溶合金6
8が溶断して回路を開放できるという特長がある。
造の実施例について説明したものであるが、本発明の精
神を逸脱しない範囲で各種の変形が可能であることはも
ちろんである。例えば、上記各実施例において、絶縁基
板1,21,51を暗色系統の色(黒色)に形成すると
ともに、絶縁キャップ15,36,70を白系統の色
(白色)に形成すると、表面実装時に赤外線リフロー炉
を通して実装しても、絶縁キャップ15,36,70の
熱吸収が小さく、絶縁基板1,21,51の熱吸収が大
きいので、内部の可溶合金9,34,68が誤溶融する
ことなく、表面実装を行うことができ、温度上昇が速や
かに行え、かつ効率の高い赤外線リフロー炉の採用が可
能になり、実装方法の制限がなくなるという特長があ
る。
クス10,35,69の上方に空間を設けて成型体より
なる板状または箱型の絶縁キャップ15,36,70で
被覆して固着封止したものについて説明したが、このよ
うな構造によれば、可溶合金9,34,68およびフラ
ックス10,35,69が溶融した時に、それらが自由
に流動できるため、可溶合金9,34,68が確実に溶
断して、信頼性の高い保護素子が提供できる利点がある
が、十分な厚さのフラックスの上を樹脂等よりなる絶縁
被覆層で被覆するようにしてもよい。
が、可溶合金を複数個設けて多回路を制御するようにし
たり、抵抗体を複数個設けて可溶合金の溶断の信頼性を
高めて、保護素子の信頼性を向上することもできる。
記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗体と、この抵
抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、前記絶縁基板の
他方の面側に形成された可溶合金とを有し、前記抵抗体
はトリミングを施されており、前記可溶合金は前記抵抗
体のトリミング部近傍の電流路上位置に対応して形成さ
れていることを特徴とする保護素子であるから、抵抗体
の抵抗値を最適値に設定でき、しかも抵抗体の発熱が効
率よく可溶合金に伝達されて、抵抗体の通電開始から短
時間で可溶合金を溶断できる保護素子を提供できる。本
発明はまた、絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの
可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素
子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工
程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体を
トリミングする工程とを含むことを特徴とする保護素子
の製造方法であるから、抵抗体の抵抗値を容易かつ確実
に最適値に設定できる保護素子の製造方法が提供でき
る。
縁基板の長手方向の中心軸に沿う縦断面図
クスの塗布前,すなわち絶縁キャップおよびフラックス
を除去して内部構造が見えるようにした状態の平面図
面図
手方向の中心軸に沿う縦断面図
ラックスの塗布前,すなわち絶縁キャップおよびフラッ
クスを除去して内部構造が見えるようにした状態の平面
図
部を切り開いた状態の下面図
手方向の中心軸に沿う縦断面図
縁キャップ,フラツクス,電極および絶縁体層を除去し
て内部構造が見えるようにした状態の平面図
縁キャップ,フラックス,可溶合金および電極を除去し
た状態の平面図
フラックスの塗布前,すなわち絶縁キャップおよびフラ
ックスを除去して内部構造が見えるようにした状態の平
面図
下面図
法を示す回路図
67 電極 4、5、28、29、30、31、60、61、62、
63 端子部 6 絶縁枠体 7、32、64 抵抗体 7a、7b、32a、32b、64a、64b、64c
トリミングによる切れ目 8、33、65 絶縁体層 9、34、68 可溶合金 10、35、69 フラックス 11、12、38、39、40、41、72、73、7
4、75 半田層 15、36、70 絶縁キャップ 16、17 封止樹脂 22、23、24、25、52、53、54、55 切
欠部 37、71 接着剤
2)
体のトリミング後の絶縁体層の上が、それよりも低融点
の絶縁体層で被覆されていることを特徴とする請求項6
記載の保護素子である。
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
と、前記絶縁体層の上にさらに絶縁体層を形成する工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗体と、この抵
抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、前記絶縁基板の
他方の面側に形成された可溶合金とを有し、前記抵抗体
はトリミングを施されており、前記可溶合金は前記抵抗
体のトリミング部近傍の電流路上位置に対応して形成さ
れていることを特徴とする保護素子であるから、抵抗体
の抵抗値を最適値に設定でき、しかも抵抗体の発熱が効
率よく可溶合金に伝達されて、抵抗体の通電開始から短
時間で可溶合金を溶断できる保護素子を提供できる。本
発明はまた、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に
形成された抵抗体と、この抵抗体の上に被覆形成された
絶縁体層と、この絶縁体層の上に形成された可溶合金と
を有し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記
可溶合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位
置に対応して形成されていることを特徴とする保護素子
であるから、抵抗体の抵抗値を最適値に設定でき、しか
も抵抗体の発熱が絶縁基板を介することなく効率よく可
溶合金に伝達されて、抵抗体の通電開始から短時間で可
溶合金を溶断できる保護素子を提供できる。本発明はさ
らに、絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合
金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素子の製
造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、
抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層
の上からレーザを照射することによって抵抗体をトリミ
ングする工程とを含むことを特徴とする保護素子の製造
方法であるから、抵抗体の抵抗値を容易かつ確実に最適
値に設定できる保護素子の製造方法が提供できる。
Claims (10)
- 【請求項1】絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に
形成された抵抗体と、この抵抗体の上に被覆形成された
絶縁体層と、前記絶縁基板の他方の面側に形成された可
溶合金とを有し、前記抵抗体はトリミングを施されてお
り、前記可溶合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電
流路上位置に対応して形成されていることを特徴とする
保護素子。 - 【請求項2】絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に
形成された抵抗体と、この抵抗体の上に形成された絶縁
体層と、この絶縁体層の上に形成された可溶合金とを有
し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記可溶
合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位置に
対応して形成されていることを特徴とする保護素子。 - 【請求項3】前記抵抗体のトリミングが、その電流方向
に直交する方向に施されていることを特徴とする請求項
1ないし2記載の保護素子。 - 【請求項4】前記抵抗体のトリミングが、前記抵抗体の
複数個所で施されていることを特徴とする請求項3記載
の保護素子。 - 【請求項5】前記抵抗体のトリミングが、前記絶縁体層
の上から施されていることを特徴とする請求項4記載の
保護素子。 - 【請求項6】前記抵抗体のトリミング後の絶縁体層の上
が、さらに絶縁体層で被覆されていることを特徴とする
請求項5記載の保護素子。 - 【請求項7】前記抵抗体のトリミング後の絶縁体層の上
が、さらにそれよりも低融点の絶縁体層で被覆されてい
ることを特徴とする請求項6記載の保護素子。 - 【請求項8】絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの
可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素
子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工
程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体を
トリミングする工程とを含むことを特徴とする保護素子
の製造方法。 - 【請求項9】絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの
可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素
子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工
程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体を
トリミングする工程と、前記絶縁体層の上にさらに絶縁
体層を形成する工程とを含むことを特徴とする保護素子
の製造方法。 - 【請求項10】絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこ
の可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護
素子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する
工程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この
絶縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体
をトリミングする工程と、前記絶縁体層の上にそれより
も低融点の絶縁体層を形成する工程と、トリミングされ
た抵抗体の電流路上に対応する位置に可溶合金を接続固
着する工程とを含むことを特徴とする保護素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11060266A JP2000260280A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 保護素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11060266A JP2000260280A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 保護素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000260280A true JP2000260280A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13137184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11060266A Pending JP2000260280A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 保護素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000260280A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007111610A1 (en) * | 2005-03-28 | 2007-10-04 | Cooper Technologies Company | Hybrid chip fuse assembly having wire leads and fabrication method therefor |
JP2008177411A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 遮断機構を有する電力用半導体装置 |
JP2009295412A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 温度ヒューズ |
JP2012018828A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Tamura Thermal Device Corp | 温度ヒューズ |
JP2013179096A (ja) * | 2009-09-04 | 2013-09-09 | Qiankun Kagi Kofun Yugenkoshi | 保護装置 |
JP2014135217A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Murata Mfg Co Ltd | ヒューズ |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP11060266A patent/JP2000260280A/ja active Pending
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