JP2000260060A - Optical information recording medium - Google Patents
Optical information recording mediumInfo
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、例えば情報記録層を積層した光ディスクに適用す
ることができる。本発明は、エンハンス膜、結晶化促進
膜を配置してなる相変化材料による情報記録層を積層
し、最も支持基板側の情報記録層にのみ反射膜を形成す
ると共に、各情報記録層を構成する膜材料を選定するこ
とにより、書き換え可能であって、かつ高密度記録する
ことができるようにする。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium, and can be applied to, for example, an optical disk having information recording layers laminated. According to the present invention, an information recording layer made of a phase change material in which an enhancement film and a crystallization promoting film are arranged is laminated, a reflection film is formed only on the information recording layer closest to the support substrate, and each information recording layer is formed. By selecting a film material to be used, rewritable and high-density recording can be performed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、光ディスクにおいては、情報記録
層を積層して高密度記録できるようになされたものが発
売されている。このような光ディスクは、再生専用の光
ディスクの技術に基づいて情報記録面を積層した再生専
用のものと、相変化型光ディスクの技術に基づいて情報
記録面を積層した記録再生可能なものとが提案されてい
る。2. Description of the Related Art Hitherto, an optical disc has been put on the market, which is capable of recording information at a high density by laminating information recording layers. There are two types of optical discs: a read-only type that has an information recording surface based on the technology of a read-only optical disk, and a recordable and reproducible type that has an information recording surface based on the technology of a phase-change optical disk. Have been.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような情
報記録面を積層した記録再生可能な光ディスクにおいて
は、ビームスポット径を小型化して線速度を増大する
と、正しくデータを記録することが困難な問題があり、
これにより、結局、情報記録面を２層により積層して
も、１０〔ＧＢ〕以上の記憶容量を確保することが困難
であった。However, in such a recordable / reproducible optical disk having such an information recording surface laminated, if the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased, it is difficult to record data correctly. There is
As a result, it has been difficult to secure a storage capacity of 10 GB or more even if the information recording surface is laminated in two layers.
【０００４】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、書き換え可能であって、かつ高密度記録することが
できる情報記録媒体を提案しようとするものである。[0004] The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to propose an information recording medium which is rewritable and can perform high-density recording.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め請求項１に係る発明においては、光情報記録媒体に適
用して、相変化材料による情報記録層は、少なくとも相
変化材料膜の支持基板側又は支持基板側とは逆側に、結
晶化促進膜、エンハンス膜が形成され、最も支持基板側
の情報記録層は、支持基板側の最も外側に反射膜が割り
当てられ、支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エン
ハンス膜が割り当てられ、結晶化促進膜は、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇ
ａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒化物又は
酸化物の少なくとも１種類を含む材料により形成され
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical information recording medium, wherein an information recording layer made of a phase change material includes at least a support substrate for a phase change material film. On the side or the side opposite to the support substrate side, a crystallization promoting film and an enhancement film are formed, the information recording layer on the most support substrate side, the reflection film is assigned to the outermost side on the support substrate side, and the support substrate side A translucent enhanced film is assigned to the outermost side on the opposite side, and the crystallization promoting film is made of Si, Si
C, Ge, GeC, Sn, SnC, Al, AlC, G
a, GaC, In, InC, and a material containing at least one of nitrides and oxides of any of these.
【０００６】また請求項２に係る発明においては、同様
の構成の光情報記録媒体に適用して、エンハンス膜を、
ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少な
くとも１種類を含む材料により形成する。Further, in the invention according to claim 2, by applying to an optical information recording medium having the same configuration,
It is formed of a material containing at least one of ZnS, ZnS—SiO 2 , SiO 2 , and MgF 2 .
【０００７】また請求項３に係る発明においては、同様
の構成の光情報記録媒体に適用して、半透明エンハンス
膜を、Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、
ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料によ
り形成する。According to the third aspect of the present invention, the translucent enhanced film is applied to an optical information recording medium having the same configuration, and is made of Au, AuCo alloy, SiAg alloy, SiO x ,
ZnS-SiO x, Au-SiO 2 mixture, Au-Zn
It is formed of a material containing at least one S-SiO 2 mixture.
【０００８】また請求項４に係る発明においては、同様
の構成の光情報記録媒体に適用して、反射膜を、Ａｌ合
金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合金の何れかを含む材料により作成
する。In the invention according to claim 4, the reflection film is made of a material containing any of Al alloy, BiSb, and Ag alloy by applying to an optical information recording medium having the same configuration.
【０００９】請求項１に係る構成によれば、相変化材料
による情報記録層は、少なくとも相変化材料膜の支持基
板側又は支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハ
ンス膜が形成されていることにより、この結晶化促進膜
により非晶質の部分の結晶化を促進し、またエンハンス
膜により戻り光の光量差を確保することができる。この
とき、最も支持基板側の情報記録層は、支持基板側の最
も外側に反射膜が割り当てられ、支持基板側とは逆側の
最も外側に半透明エンハンス膜が割り当てられているこ
とにより、最も入射光量の少ない支持基板側の情報記録
層において、透過光を多重反射して有効に利用すること
ができ、その分感度を向上することができ、これにより
情報記録層を多層化した場合でも、上層側情報記録層に
記録した情報の劣化等を有効に回避して光量が低下する
下層側を確実にアクセスすることができる。このとき結
晶化促進膜を、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、Ｓ
ｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、こ
れら何れかの窒化物又は酸化物の少なくとも１種類を含
む材料により形成することにより、ビームスポット径を
小型化して線速度を増大した場合でも、非晶質化した相
変化材料を容易に溶融して結晶化させることができる。According to the first aspect of the present invention, in the information recording layer made of the phase change material, the crystallization promoting film and the enhancement film are formed at least on the support substrate side or the side opposite to the support substrate side of the phase change material film. Thus, crystallization of the amorphous portion can be promoted by the crystallization promoting film, and a difference in the amount of returned light can be secured by the enhance film. At this time, the information recording layer closest to the support substrate has the most reflective film assigned to the outermost side on the support substrate side, and the most translucent enhancement film assigned to the outermost side opposite to the support substrate side. In the information recording layer on the support substrate side with a small amount of incident light, the transmitted light can be effectively used by multiple reflection, and the sensitivity can be improved by that amount. Even when the information recording layer is multilayered, Deterioration of information recorded on the upper information recording layer can be effectively avoided, and the lower layer where the amount of light decreases can be reliably accessed. At this time, the crystallization promoting film is made of Si, SiC, Ge, GeC, Sn, S
By using nC, Al, AlC, Ga, GaC, In, InC, or a material containing at least one of nitrides and oxides of any of these, even when the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased. In addition, the amorphous phase change material can be easily melted and crystallized.
【００１０】請求項２に係る構成によれば、同様の膜構
造により、エンハンス膜を、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少なくとも１種類を含む材料
により形成することにより、非晶質の部分と結晶化した
部分との反射率の差を大きく設定でき、ビームスポット
径を小型化して線速度を増大した場合でも、記録した情
報を確実に再生することが可能となる。According to the second aspect of the present invention, the enhanced film is made of ZnS, ZnS-SiO
2 , by using a material containing at least one of SiO 2 and MgF 2 , the difference in reflectance between the amorphous portion and the crystallized portion can be set large, the beam spot diameter can be reduced, and the linear velocity can be reduced. , The recorded information can be reliably reproduced.
【００１１】また請求項３に係る構成によれば、同様の
膜構造により、半透明エンハンス膜を、Ａｕ、ＡｕＣｏ
合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａ
ｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物の
少なくとも１種類を含む材料により形成することによ
り、反射層で反射したレーザービームを再反射して、溶
融に多くのエネルギーを必要とする結晶化した部分に与
えるエネルギーを増大させることができ、その分非晶質
の部分と結晶化した部分とが混在する場合でも、一様に
溶融して所望の情報を記録し直すことができる。According to the third aspect of the present invention, the translucent enhanced film is formed of Au, AuCo by the same film structure.
Alloy, SiAg alloy, SiO x, ZnS-SiO x , A
u-SiO 2 mixture, by forming a material containing at least one Au-ZnS-SiO 2 mixture, and re-reflecting the laser beam reflected by the reflecting layer, crystallization requires a lot of energy to melt The energy given to the melted portion can be increased, and even when the amorphous portion and the crystallized portion coexist, the desired information can be recorded again by melting uniformly.
【００１２】また請求項４に係る構成によれば、同様の
膜構造により、反射膜を、Ａｌ合金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合
金の何れかを含む材料により作成することにより、この
情報記録層を透過するレーザービームを効率良く反射し
て利用することができる。According to the fourth aspect of the present invention, the reflective film is formed of a material containing any one of Al alloy, BiSb, and Ag alloy with the same film structure to transmit the information recording layer. The laser beam can be efficiently reflected and used.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１４】図１は、本発明の実施の形態に係る光ディ
スクを示す断面図である。この光ディスク１は、高い転
送レートにより所望の情報を高密度記録し、また記録し
た情報を再生する場合に適用される。光ディスク１は、
中間層５を間に挟んだ複数の情報記録層３及び４を支持
基板２上に積層した後、光透過層６が形成される。光デ
ィスク１は、この光透過層６側より各情報記録層３及び
４に選択的に所定光量のレーザービームを集光すること
により、各情報記録層３及び４に所望のデータを記録で
きるようになされている。FIG. 1 is a sectional view showing an optical disk according to an embodiment of the present invention. The optical disc 1 is applied to a case where desired information is recorded at a high density at a high transfer rate and the recorded information is reproduced. The optical disc 1
After laminating the plurality of information recording layers 3 and 4 with the intermediate layer 5 interposed therebetween on the support substrate 2, the light transmitting layer 6 is formed. The optical disk 1 selectively records a predetermined amount of laser beam on each of the information recording layers 3 and 4 from the light transmission layer 6 side, so that desired data can be recorded on each of the information recording layers 3 and 4. It has been done.
【００１５】ここで支持基板２は、レーザービームＬの
案内溝を構成する凹凸パターンが情報記録層３側に形成
され、例えばポリカーボネート、ポリオレフィン等のプ
ラスチック基板、ガラス基板、又はＡｌ、ステンレス等
の金属基板が適用される。支持基板２は、プラスチック
基板による場合には射出成形により、ガラス基板又は金
属基板による場合には、フォトポリマー法（２Ｐ法）に
より凹凸パターンが形成される。また支持基板は、厚さ
０．３〔ｍｍ〕〜１．２〔ｍｍ〕により作成され、これ
により光ディスク１全体の厚さが現在市場にて流通して
いる光ディスクの厚さより厚くならないようになされ
る。Here, the support substrate 2 has a concave / convex pattern forming a guide groove for the laser beam L formed on the information recording layer 3 side. For example, a plastic substrate such as polycarbonate or polyolefin, a glass substrate, or a metal such as Al or stainless steel. A substrate is applied. The support substrate 2 has an uneven pattern formed by injection molding in the case of a plastic substrate, and a photopolymer method (2P method) in the case of a glass substrate or a metal substrate. The supporting substrate is formed with a thickness of 0.3 [mm] to 1.2 [mm], so that the entire thickness of the optical disc 1 does not become thicker than the thickness of the optical disc currently on the market. You.
【００１６】情報記録層３は、相変化材料膜を有する情
報記録層であり、情報記録層４の透過光によっても、所
望のデータを確実に記録できるように、高感度に形成さ
れる。より具体的に、情報記録層３は、支持基板２側よ
り、順次反射膜３Ａ、第２エンハンス膜３Ｂ、第２結晶
化促進膜３Ｃ、相変化材料膜３Ｄ、第１結晶化促進膜３
Ｅ、第１エンハンス膜３Ｆ、半透明エンハンス膜３Ｇを
積層して形成される。The information recording layer 3 is an information recording layer having a phase-change material film, and is formed with high sensitivity so that desired data can be reliably recorded even by light transmitted through the information recording layer 4. More specifically, the information recording layer 3 includes a reflective film 3A, a second enhanced film 3B, a second crystallization promoting film 3C, a phase change material film 3D, and a first crystallization promoting film 3 sequentially from the support substrate 2 side.
E, formed by laminating the first enhanced film 3F and the translucent enhanced film 3G.
【００１７】ここで反射膜３Ａは、Ａｌ合金、ＢｉＳｂ
合金、Ａｇ合金等を用いて作成され、相変化材料膜３Ｄ
を透過するレーザービームＬを反射して相変化材料膜３
Ｄに再入射させることにより、レーザービームＬの利用
効率を増大し、情報記録層３の感度を向上する。これに
より反射膜３Ａは、ビームスポット径を小型化して線速
度を増大した場合であっても、上層側の情報記録層４を
透過して光量が低下してなるレーザービームによって相
変化材料膜３Ｄを確実に溶融できるようにする。Here, the reflection film 3A is made of an Al alloy, BiSb
Alloy, Ag alloy, etc., and a phase change material film 3D
Phase change material film 3 by reflecting a laser beam L passing through
By causing the laser beam L to be incident again, the utilization efficiency of the laser beam L is increased, and the sensitivity of the information recording layer 3 is improved. As a result, even when the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased, the reflection film 3A receives the phase change material film 3D by the laser beam which passes through the upper information recording layer 4 and the amount of light decreases. To ensure melting.
【００１８】第２エンハンス膜３Ｂ及び第１エンハンス
膜３Ｆは、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｆ2 の少なくとも１種類を含む材料により形成され、各
材料の光学特性に応じた膜厚の選定により、相変化材料
膜３Ｄにおける結晶化された領域と、非晶質の領域との
反射率差を拡大する。これにより第２エンハンス膜３Ｂ
及び第１エンハンス膜３Ｆは、ビームスポット径を小型
化して線速度を増大した場合であっても、確実に相変化
材料膜３Ｄの結晶化された領域と、非晶質の領域とを識
別できるようにする。なお第２エンハンス膜３Ｂ及び又
は第１エンハンス膜３Ｆは、相変化材料膜３Ｄを構成す
る相変化材料、光学系の構成等によって実用上十分に相
変化材料膜３Ｄにおける結晶化された領域と、非晶質の
領域とで反射率の差を確保できる場合、省略される場合
もある。The second enhanced film 3B and the first enhanced film 3F are made of ZnS, ZnS-SiO 2 , SiO 2 , Mg.
Is formed of a material containing at least one F 2, by the selection of the film thickness in accordance with the optical properties of each material, the crystallized region in the phase change material film 3D, the reflectivity difference between the amorphous region To enlarge. Thereby, the second enhancement film 3B
The first enhanced film 3F can reliably distinguish the crystallized region and the amorphous region of the phase change material film 3D even when the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased. To do. In addition, the second enhanced film 3B and / or the first enhanced film 3F may be a crystallized region in the phase change material film 3D that is practically sufficiently formed by the phase change material constituting the phase change material film 3D, the configuration of the optical system, and the like. If a difference in reflectance between the amorphous region and the amorphous region can be ensured, it may be omitted.
【００１９】第２結晶化促進膜３Ｃ及び第１結晶化促進
膜３Ｅは、相変化材料膜３Ｄに対して濡れ性の悪い材料
により作成され、相変化材料が非晶質により固化する場
合には高エネルギー状態により固化するようにし、これ
により緩和現象である相変化材料膜３Ｄの溶融、結晶化
を促進する。具体的に、第２結晶化促進膜３Ｃは、Ｓ
ｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、Ａｌ
Ｃ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒化
物又は酸化物の少なくとも１種類を含む材料を用いて、
各材料の光学特性に応じた膜厚により作成される。これ
により第２結晶化促進膜３Ｃ及び第１結晶化促進膜３Ｅ
は、ビームスポット径を小型化して線速度を増大した場
合であっても、相変化材料膜３Ｄの非晶質化した領域を
簡易に結晶化できるようする。なお第２結晶化促進膜３
Ｃ及び又は第１結晶化促進膜３Ｅは、レーザービームＬ
の線速度が遅い場合には、結晶化に十分な時間を確保で
きることにより、省略される場合もある。The second crystallization promoting film 3C and the first crystallization promoting film 3E are made of a material having poor wettability with respect to the phase change material film 3D. The solidification is performed in a high energy state, thereby promoting the melting and crystallization of the phase change material film 3D which is a relaxation phenomenon. Specifically, the second crystallization promoting film 3C is made of S
i, SiC, Ge, GeC, Sn, SnC, Al, Al
C, Ga, GaC, In, InC, using a material containing at least one kind of nitride or oxide of any of these,
It is created with a film thickness according to the optical characteristics of each material. Thereby, the second crystallization promoting film 3C and the first crystallization promoting film 3E
Is to easily crystallize an amorphous region of the phase change material film 3D even when the linear velocity is increased by reducing the beam spot diameter. The second crystallization promoting film 3
C and / or the first crystallization promoting film 3E
When the linear velocity is low, it may be omitted because sufficient time for crystallization can be secured.
【００２０】相変化材料膜３Ｄは、ＩｎＳｅ、ＳｂＳ
ｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳｅ、ＧｅＳｂＴｅ、
ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴｅＳｅ、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅＴｅ五元合金、これ
らの何れかの合金の窒化物又は酸化物の少なくとも１種
類を含む相変化材料が適用される。相変化材料膜３Ｄ
は、スパッタリング等により作成され、スパッタリング
により作成された場合には、一般に、作成直後、一様な
レーザービームの照射により全体が結晶化され、いわゆ
る初期化の処理が実行される。The phase change material film 3D is made of InSe, SbS
e, SbTe binary alloy, InSbSe, GeSbTe,
InSbTe ternary alloy, GeSbTeSe, AgInS
A phase change material containing at least one of a bTe quaternary alloy, a AgInSbSeTe quaternary alloy, and a nitride or oxide of any of these alloys is applied. Phase change material film 3D
Is formed by sputtering or the like, and when it is formed by sputtering, generally, the whole is crystallized by irradiation of a uniform laser beam immediately after the formation, and a so-called initialization process is performed.
【００２１】半透明エンハンス膜３Ｇは、相変化材料膜
３Ｄを透過するレーザービームを多重反射させることに
より、情報記録層３の感度を増大し、さらには光透過層
６側より見て相変化材料膜３Ｄにおける結晶化された領
域と非晶質の領域との反射率を逆転させる。すなわち一
般に、結晶化された領域と非晶質の領域とでは結晶化さ
れた領域の方が反射率、熱伝導率が高い。さらに結晶化
された領域は融解の際に潜熱が必要となり、これらによ
り結晶化された領域と非晶質の領域とでは、結晶化され
た領域の方が溶融が困難で、これによりダイレクトオー
バーライトする場合には消し残りが発生する。なおこの
消し残りは、再生時、再生信号の波形歪みにより観察さ
れる。これにより半透明エンハンス膜３Ｇは、結晶化さ
れた領域と非晶質の領域との反射率を逆転させて結晶化
された領域に多くのレーザービームが照射されるように
し、オーバーライトによる消し残りを防止する。半透明
エンハンス膜３Ｇは、Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合
金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合
物、Ａｕ−ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類
を含む材料を用いて作成される。但しｘ≦２である。The translucent enhancement film 3G increases the sensitivity of the information recording layer 3 by multiple reflection of the laser beam transmitted through the phase change material film 3D, and furthermore, the phase change material as viewed from the light transmission layer 6 side. The reflectance between the crystallized region and the amorphous region in the film 3D is reversed. That is, in general, between the crystallized region and the amorphous region, the crystallized region has higher reflectivity and thermal conductivity. Further, the crystallized region requires latent heat during melting, and the crystallized region is more difficult to melt between the crystallized region and the amorphous region. If you do, unerased data will be generated. Note that this unerased part is observed during reproduction due to waveform distortion of the reproduced signal. As a result, the translucent enhanced film 3G reverses the reflectance between the crystallized region and the amorphous region so that the crystallized region is irradiated with a large number of laser beams, and the erased portion due to overwriting remains unremoved. To prevent Translucent enhance film 3G is, Au, AuCo alloy, Siag alloy, SiO x, ZnS-SiO x , Au-SiO 2 mixture, is prepared using a material including at least one Au-ZnS-SiO 2 mixture. However, x ≦ 2.
【００２２】中間層５は、厚さ３０〔μｍ〕程度の透明
材料層であり、アクリル酸系ＵＶレジン、ポリカーボネ
イトシート、ポリオレフィンシート等を用いて作成され
る。中間層５は、何れかの情報記録層３又は４にレーザ
ービームＬを集光した場合に、他方の情報記録層４又は
３においてはこのレーザービームが実用上十分にデフォ
ーカスするように設定され、これによりこの他方の情報
記録層４又は３における温度上昇が所定値を越えないよ
うにする。このため中間層５は、その厚さがレーザービ
ームＬを集光する対物レンズＬの開口数ＮＡにより制限
される。ここでレンズＬの開口数ＮＡを増大するとビー
ムスポット径が小型化することにより、このビームスポ
ット径の小形化により従来の２層構造による光ディスク
では記録することが困難な程度であって、さらに１２イ
ンチ径の光ディスクで１５〔ＧＢ〕程度の記録容量を確
保しようとすると、開口数ＮＡにあっては、０．９〜
０．８程度は必要となる。これにより中間層５において
は、この範囲の開口数ＮＡより必要とされる十分な厚さ
を確保できるように、厚さ３０〔μｍ〕程度に設定され
るようになされている。The intermediate layer 5 is a transparent material layer having a thickness of about 30 μm, and is formed by using an acrylic acid-based UV resin, a polycarbonate sheet, a polyolefin sheet, or the like. The intermediate layer 5 is set so that, when the laser beam L is focused on any of the information recording layers 3 or 4, the laser beam is defocused sufficiently on the other information recording layer 4 or 3 for practical use. This prevents the temperature rise in the other information recording layer 4 or 3 from exceeding a predetermined value. Therefore, the thickness of the intermediate layer 5 is limited by the numerical aperture NA of the objective lens L that converges the laser beam L. Here, when the numerical aperture NA of the lens L is increased, the beam spot diameter is reduced, so that it is difficult to record on a conventional optical disc having a two-layer structure due to the reduced beam spot diameter. In order to secure a recording capacity of about 15 [GB] with an optical disc having an inch diameter, a numerical aperture NA of 0.9 to
About 0.8 is required. Thus, the thickness of the intermediate layer 5 is set to about 30 [μm] so that a sufficient thickness required for the numerical aperture NA in this range can be secured.
【００２３】中間層５は、さらに支持基板２と同様に、
レーザービームＬの案内溝を構成する凹凸パターンが情
報記録層４側に形成される。The intermediate layer 5 further has a structure similar to that of the support substrate 2.
An uneven pattern constituting a guide groove for the laser beam L is formed on the information recording layer 4 side.
【００２４】情報記録層４は、情報記録層３と同様に相
変化材料膜を有する情報記録層であり、情報記録層３に
比して感度が低くなるように形成される。すなわち情報
記録層４は、反射層、半透明エンハンス層が省略されて
いる点を除いて、支持基板側の情報記録層３と同一に構
成される。これにより情報記録層４は、支持基板２側よ
り、順次第２エンハンス膜４Ｂ、第２結晶化促進膜４
Ｃ、相変化材料膜４Ｄ、第１結晶化促進膜４Ｅ、第１エ
ンハンス膜４Ｆを積層して形成される。またこれら第２
エンハンス膜４Ｂ、第２結晶化促進膜４Ｃ、相変化材料
膜４Ｄ、第１結晶化促進膜４Ｅ、第１エンハンス膜４Ｆ
は、第１の情報記録層３の対応する膜と同様に構成され
る。これにより情報記録層４は、情報記録層３と同様
に、ビームスポット径を小型化して線速度を増大した場
合であっても、確実に所望の情報を記録し、また記録し
た情報を再生できるようになされている。The information recording layer 4 is an information recording layer having a phase change material film similarly to the information recording layer 3, and is formed so as to have lower sensitivity than the information recording layer 3. That is, the information recording layer 4 has the same configuration as the information recording layer 3 on the support substrate side, except that the reflective layer and the translucent enhance layer are omitted. As a result, the information recording layer 4 includes the second enhancement film 4B and the second crystallization promoting film 4 sequentially from the support substrate 2 side.
C, a phase change material film 4D, a first crystallization promoting film 4E, and a first enhanced film 4F are laminated. These second
Enhanced film 4B, second crystallization promoting film 4C, phase change material film 4D, first crystallization promoting film 4E, first enhanced film 4F
Has the same configuration as the corresponding film of the first information recording layer 3. Thus, similarly to the information recording layer 3, the information recording layer 4 can reliably record desired information and reproduce the recorded information even when the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased. It has been made like that.
【００２５】光透過層６は、情報記録層４の保護層を構
成し、アクリル酸系ＵＶレジン、ポリカーボネイトシー
ト、ポリオレフィンシート等を用いて作成される。ここ
でこの光透過層６は、開口数ＮＡが０．９〜０．８程度
の対物レンズによりレーザービームＬを照射して、十分
にスキュー歪みを低減できるように、厚さ１０〜１７７
〔μｍ〕により作成される。The light transmitting layer 6 constitutes a protective layer of the information recording layer 4 and is formed by using an acrylic acid-based UV resin, a polycarbonate sheet, a polyolefin sheet or the like. Here, the light transmitting layer 6 has a thickness of 10 to 177 so that the laser beam L is irradiated by an objective lens having a numerical aperture NA of about 0.9 to 0.8 to sufficiently reduce skew distortion.
[Μm].
【００２６】なお情報記録層３及び４は、ビームスポッ
ト径を小型化して線速度を増大した場合に、確実に所望
の情報を記録再生するとの観点からは、図１に示す多層
膜構造によるものが好適ではあるが、レーザービームＬ
の線速度が遅い場合にあっては、上述したように適宜、
結晶化促進膜３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４Ｅ、エンハンス膜３
Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆを省略することができる。しかし
ながらこのように情報記録層３及び４の構成を簡略化す
る場合でも、支持基板２側の情報記録層３にあっては、
好ましくは支持基板２側より、順次、反射膜、エンハン
ス膜、相変化材料膜、結晶化促進膜、エンハンス膜、半
透明エンハンス膜を積層して形成することにより、さら
に好ましくは、反射膜、エンハンス膜、結晶化促進膜、
相変化材料膜、エンハンス膜、半透明エンハンス膜を積
層して形成することにより、ビームスポット径を小型化
して線速度を増大した場合でも、確実に所望の情報を記
録再生することができる。The information recording layers 3 and 4 have a multilayer structure shown in FIG. 1 from the viewpoint of reliably recording and reproducing desired information when the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased. Is preferred, but the laser beam L
If the linear velocity is slow, as described above,
Crystallization promoting film 3C, 3E, 4C, 4E, enhance film 3
B, 3F, 4B, and 4F can be omitted. However, even when the configuration of the information recording layers 3 and 4 is simplified as described above, the information recording layer 3 on the support substrate 2 side
Preferably, a reflective film, an enhance film, a phase change material film, a crystallization promoting film, an enhance film, and a translucent enhance film are sequentially laminated from the support substrate 2 side. Film, crystallization promoting film,
By laminating the phase change material film, the enhancement film, and the translucent enhancement film, desired information can be reliably recorded and reproduced even when the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased.
【００２７】またこの実施の形態では２層の情報記録層
を積層して光ディスクを構成する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、複数の情報記録層を積層し
て光ディスクを構成する場合、さらには光ディスクに限
らず、種々の光情報記録媒体を構成する場合に広く適用
することができる。In this embodiment, the case where an optical disc is formed by laminating two information recording layers is described. However, the present invention is not limited to this, and an optical disc is formed by laminating a plurality of information recording layers. In this case, the present invention can be widely applied to various optical information recording media other than optical discs.
【００２８】図２は、このような光ディスク１をアクセ
スする光ディスク装置の光学系を示す略線図である。こ
の光ディスク装置１０は、レーザーダイオード１１より
出射したレーザービームＬをコリメータレンズ１２によ
り略平行光線に変換した後、非点収差補正板１３により
非点収差を補正し、偏光ビームスプリッタ１４により反
射してレーザービームの光路を光ディスク１に向けて折
り曲げる。さらに光ディスク装置１０は、このレーザー
ビームを１／４波長板１５により偏光し、対物レンズ１
６により光ディスク１に照射する。光ディスク装置１０
では、矢印Ａにより示すように、光軸に沿った方向にこ
の対物レンズ１６が可動することにより、このレーザー
ビームＬを情報記録層３又は４に選択的に集光し、情報
記録層３又は４を選択的にアクセスする。FIG. 2 is a schematic diagram showing an optical system of an optical disk apparatus for accessing such an optical disk 1. As shown in FIG. The optical disk device 10 converts a laser beam L emitted from a laser diode 11 into substantially parallel rays by a collimator lens 12, corrects the astigmatism by an astigmatism correction plate 13, and reflects the astigmatism by a polarizing beam splitter 14. The optical path of the laser beam is bent toward the optical disc 1. Further, the optical disk device 10 polarizes the laser beam by the quarter-wave plate 15, and
6 irradiates the optical disc 1. Optical disk drive 10
Then, as shown by the arrow A, the objective lens 16 moves in the direction along the optical axis, so that the laser beam L is selectively converged on the information recording layer 3 or 4, and the information recording layer 3 or 4 4 is selectively accessed.
【００２９】また光ディスク装置１０は、このようにレ
ーザービームを照射して得られる戻り光を対物レンズ１
６により受光し、続く１／４波長板１５によりこの戻り
光をレーザービームＬと直交する偏光面に偏光する。さ
らに光ディスク装置１０は、この１／４波長板１５より
出射する戻り光を偏光ビームスプリッタ１４を透過さ
せ、コリメータレンズ１７により受光素子１８の受光面
に集光する。The optical disk device 10 also uses the return light obtained by irradiating the laser beam
Then, the return light is polarized by a quarter-wave plate 15 into a polarization plane orthogonal to the laser beam L. Further, the optical disk device 10 transmits the return light emitted from the 波長 wavelength plate 15 through the polarization beam splitter 14 and condenses the light on the light receiving surface of the light receiving element 18 by the collimator lens 17.
【００３０】光ディスク装置１０は、再生時にあって
は、レーザーダイオード１１より一定の再生光量により
レーザービームＬを出射し、受光素子１８による戻り光
の受光結果を処理することにより、光ディスク１に記録
された情報を再生する。また記録時にあっては、所定の
光量より間欠的にレーザービームの光量を立ち上げ、こ
れにより情報記録層３又は４の相変化材料膜を部分的に
非晶質化し、またはこれとは逆に部分的に結晶化し、所
望の情報をピット列により記録する。During reproduction, the optical disk apparatus 10 emits a laser beam L from the laser diode 11 with a constant reproduction light amount, and processes the result of receiving the return light by the light receiving element 18 to record the laser beam L on the optical disk 1. To play back the information. During recording, the light intensity of the laser beam is intermittently increased from a predetermined light intensity, thereby partially amorphizing the phase change material film of the information recording layer 3 or 4, or conversely. Partial crystallization is performed, and desired information is recorded by a pit row.
【００３１】以上の実施例の構成によれば、相変化材料
膜を結晶化促進膜、エンハンス膜により挟持するように
し、さらに支持基板側及びこれと逆側に反射膜及び半透
明エンハンス膜をそれぞれ配置し、これらの膜材料を適
宜選定することにより、ビームスポット径を小型化して
線速度を増大しても所望のデータを確実に記録し、また
記録した情報を再生することができ、これにより書き換
え可能であって、かつ高密度記録することができる情報
記録媒体を得ることができる。According to the configuration of the above embodiment, the phase change material film is sandwiched between the crystallization promoting film and the enhance film, and the reflective film and the translucent enhance film are respectively provided on the support substrate side and the opposite side. By arranging and appropriately selecting these film materials, even if the beam spot diameter is reduced and the linear velocity is increased, desired data can be reliably recorded and the recorded information can be reproduced. An information recording medium that is rewritable and capable of high-density recording can be obtained.
【００３２】すなわちＳｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓ
ｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、ＡｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、Ｉｎ
Ｃ、これら何れかの窒化物又は酸化物の少なくとも１種
類を含む材料により結晶化促進膜を形成することによ
り、容易に相変化材料を結晶化することができる。That is, Si, SiC, Ge, GeC, S
n, SnC, Al, AlC, Ga, GaC, In, In
C, the phase change material can be easily crystallized by forming the crystallization promoting film from a material containing at least one of these nitrides or oxides.
【００３３】またＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ
2 、ＭｇＦ2 の少なくとも１種類を含む材料によりエン
ハンス膜を形成することにより、非晶質の部分と結晶化
した部分とを確実に識別することが可能となる。Also, ZnS, ZnS-SiO 2 , SiO
2. By forming the enhanced film from a material containing at least one kind of MgF 2 , it is possible to reliably distinguish between an amorphous portion and a crystallized portion.
【００３４】またＡｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＯx 、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料により半
透明エンハンス膜を形成することにより、消し残しを確
実に防止することができる。Au, AuCo alloy, SiO x , Zn
S-SiO x, Au-SiO 2 mixture, Au-ZnS-
By forming the translucent enhanced film using a material containing at least one type of the SiO 2 mixture, it is possible to reliably prevent unerased portions.
【００３５】またＡｌ合金、ＢｉＳｂの何れかを含む材
料により反射膜を作成することにより、十分な感度を確
保することができる。Further, by forming a reflective film using a material containing either an Al alloy or BiSb, sufficient sensitivity can be ensured.
【００３６】[0036]
【実施例】この実施例において、光ディスク１は、図１
について上述した膜構造により中間層５を間に挟んで２
層の情報記録層３及び４を積層して構成される。この実
施例において、支持基板２は、厚さ１．２〔ｍｍ〕のポ
リカーボネイト基板が適用され、射出成形による凹凸パ
ターンが一体に形成される。ここでこの凹凸パターン
は、トラックピッチ０．９〔μｍ〕のランドグループ記
録用案内溝を構成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In this embodiment, an optical disk 1 is shown in FIG.
2 with the intermediate layer 5 interposed therebetween by the above-described film structure.
The information recording layers 3 and 4 are laminated. In this embodiment, as the support substrate 2, a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 [mm] is applied, and a concavo-convex pattern is integrally formed by injection molding. Here, this uneven pattern constitutes a land group recording guide groove having a track pitch of 0.9 [μm].
【００３７】この実施例では、この支持基板２上に、Ａ
ｌ合金による反射膜３Ａ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物によ
る第２エンハンス膜３Ｂ、ＳｉＮによる第２結晶化促進
膜３Ｃ、ＧｅＳｂＴｅＮによる相変化材料膜３Ｄ、Ｓｉ
Ｎによる第１結晶化促進膜３Ｅ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
物による第１エンハンス膜３Ｆ、Ａｕ−Ｃｏ合金による
半透明エンハンス膜３Ｇを順次スパッタリング法により
成膜し、情報記録層３を形成した。またこの情報記録層
３に一様にレーザービームを照射して相変化材料膜３Ｄ
を結晶化させ、初期化の処理を実行した。In this embodiment, A
reflective film 3A made of a 1 alloy, a second enhanced film 3B made of a ZnS-SiO 2 mixture, a second crystallization promoting film 3C made of SiN, a phase change material film 3D made of GeSbTeN, Si
The first crystallization accelerating layer 3E by N, first enhancement layer 3F by ZnS-SiO 2 mixture was formed by Au-Co sequentially sputtering a semi-transparent enhancement film 3G according alloy, thereby forming a recording layer 3. Further, the information recording layer 3 is uniformly irradiated with a laser beam to form a phase change material film 3D.
Was crystallized and an initialization process was performed.
【００３８】なお各膜の膜厚は、以下の通りである。 反射膜３Ａ ：２０〔ｎｍ〕 第２エンハンス膜３Ｂ ：４５〔ｎｍ〕 第２結晶化促進膜３Ｃ ：１０〔ｎｍ〕 相変化材料膜３Ｄ ：１４〔ｎｍ〕 第１結晶化促進膜３Ｅ ：１０〔ｎｍ〕 第１エンハンス膜３Ｆ ：８５〔ｎｍ〕 半透明エンハンス膜３Ｇ：１１〔ｎｍ〕The thickness of each film is as follows. Reflecting film 3A: 20 [nm] Second enhancing film 3B: 45 [nm] Second crystallization promoting film 3C: 10 [nm] Phase change material film 3D: 14 [nm] First crystallization promoting film 3E: 10 [nm] nm] First enhanced film 3F: 85 [nm] Translucent enhanced film 3G: 11 [nm]
【００３９】また続いて、アクリル酸系ＵＶレジンをス
ピンコートで塗布した後、ＵＶランプにより硬化させ、
厚さ３０〔μｍ〕の中間層５を形成した。このとき２Ｐ
法により凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンによ
り情報記録層４におけるランドグループ記録用案内溝を
形成した。なおこの案内溝もトラックピッチ０．９〔μ
ｍ〕により作成した。Subsequently, an acrylic acid-based UV resin is applied by spin coating, and then cured by a UV lamp.
An intermediate layer 5 having a thickness of 30 [μm] was formed. At this time, 2P
A concavo-convex pattern was formed by a method, and a land group recording guide groove in the information recording layer 4 was formed by the concavo-convex pattern. This guide groove also has a track pitch of 0.9 [μ
m].
【００４０】さらにこの中間層５上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 混合物による第２エンハンス膜４Ｂ、ＳｉＮによる第
２結晶化促進膜４Ｃ、ＧｅＳｂＴｅＮによる相変化材料
膜４Ｄ、ＳｉＮによる第１結晶化促進膜４Ｅ、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 混合物による第１エンハンス膜４Ｆをスパッタ
リング法により順次成膜した。Further, on this intermediate layer 5, ZnS-SiO
The second enhanced film 4B of the 2 mixture, the second crystallization promoting film 4C of SiN, the phase change material film 4D of GeSbTeN, the first crystallization promoting film 4E of SiN, ZnS-
The first enhanced film 4F of the SiO 2 mixture was sequentially formed by a sputtering method.
【００４１】なお各膜の膜厚は、以下の通りである。 第２エンハンス膜４Ｂ ：１１０〔ｎｍ〕 第２結晶化促進膜４Ｃ ： １０〔ｎｍ〕 相変化材料膜４Ｄ ： ８〔ｎｍ〕 第１結晶化促進膜４Ｅ ： １０〔ｎｍ〕 第１エンハンス膜４Ｆ ：１００〔ｎｍ〕The thickness of each film is as follows. Second enhanced film 4B: 110 [nm] Second crystallization promoting film 4C: 10 [nm] Phase change material film 4D: 8 [nm] First crystallization promoting film 4E: 10 [nm] First enhanced film 4F: 100 [nm]
【００４２】さらに、アクリル酸系ＵＶレジンをスピン
コートで塗布した後、ＵＶランプにより硬化させて光透
過層６を作成した。続いて情報記録層４に一様にレーザ
ービームを照射して相変化材料膜４Ｄを結晶化させ、初
期化の処理を実行した。なお光透過層６は、厚さ７０
〔μｍ〕により作成した。Further, an acrylic acid-based UV resin was applied by spin coating, and then cured by a UV lamp to form a light transmitting layer 6. Subsequently, the information recording layer 4 was uniformly irradiated with a laser beam to crystallize the phase change material film 4D, and an initialization process was performed. The light transmitting layer 6 has a thickness of 70
[Μm].
【００４３】この実施例にあっては、図２について上述
した構成の光学系によりこの光ディスク１をアクセス
し、特性を確認した。なおこの光学系にあっては、開口
数ＮＡが０．８５であり、レーザービームは波長６５０
〔ｎｍ〕であった。この光ディスク１にピット長０．２
３〔μｍ〕、線速１０〔ｍ／ｓ〕にて所望の情報を記録
再生したところ、ジッター１０〔％〕以下により記録し
た情報を再生することができた。なおこのピット長０．
２３〔μｍ〕、線速１０〔ｍ／ｓ〕による場合、トラッ
クピッチ０．９〔μｍ〕であることにより、直径１２ｃ
ｍの光ディスクにおいては、上下２層の情報記録層３及
び４で１６〔ＧＢ〕の記憶容量を確保することできる。In this embodiment, the optical disk 1 was accessed by the optical system having the structure described above with reference to FIG. 2, and the characteristics were confirmed. In this optical system, the numerical aperture NA is 0.85, and the laser beam has a wavelength of 650.
[Nm]. This optical disc 1 has a pit length of 0.2
When desired information was recorded and reproduced at 3 [μm] and a linear velocity of 10 [m / s], the recorded information could be reproduced with a jitter of 10 [%] or less. The pit length is 0.
In the case of 23 [μm] and a linear velocity of 10 [m / s], the track pitch is 0.9 [μm], so that the diameter 12c
In the optical disk of m, a storage capacity of 16 [GB] can be secured by the upper and lower two information recording layers 3 and 4.
【００４４】この実施例では、この光ディスク１との対
比により図３に示す構成の光ディスク２０をアクセス
し、その特性を確認した。In this embodiment, the optical disk 20 having the configuration shown in FIG. 3 was accessed by comparing with the optical disk 1, and its characteristics were confirmed.
【００４５】ここでこの光ディスク２０は、上述の光デ
ィスク１と同一の支持基板２２上に、Ａｌ合金による反
射膜２３Ａ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第２エンハ
ンス膜２３Ｂ、ＧｅＳｂＴｅによる相変化材料膜２３
Ｄ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第１エンハンス膜２
３Ｆをスパッタリング法により順に成膜して情報記録層
２３を形成した後、レーザービームの照射によりこの情
報記録層２３を初期化した。Here, this optical disk 20 has a reflection film 23A made of an Al alloy, a second enhanced film 23B made of a ZnS-SiO 2 mixture, and a phase change material film 23 made of GeSbTe on the same support substrate 22 as the optical disk 1 described above.
D, first enhanced film 2 of ZnS-SiO 2 mixture
After forming the information recording layer 23 by depositing 3F in order by a sputtering method, the information recording layer 23 was initialized by irradiating a laser beam.
【００４６】また光ディスク１と同一の構造、材料によ
る中間層２５を作成した後、順次ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
物による第２エンハンス膜２４Ｂ、ＧｅＳｂＴｅによる
相変化材料膜２４Ｄ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物による第
１エンハンス膜２４Ｆをスパッタリング法により順次成
膜して情報記録層２４を形成した後、光ディスク１と同
一の光透過層２６を形成して初期化した。After forming the intermediate layer 25 of the same structure and material as the optical disc 1, a second enhancement film 24B of a ZnS-SiO 2 mixture, a phase change material film 24D of GeSbTe, and a first of a ZnS-SiO 2 mixture are sequentially formed. After the enhancement film 24F was sequentially formed by the sputtering method to form the information recording layer 24, the same light transmission layer 26 as the optical disk 1 was formed and initialized.
【００４７】この光ディスク２０を光ディスク１と同様
に評価したところ、ピット長０．２３〔μｍ〕、線速１
０〔ｍ／ｓ〕では書き換えすることが困難で、線速４
〔ｍ／ｓ〕において、光ディスク１と同程度のジッター
量により記録されたデータを書き換えることができた。
これにより結晶化促進膜の効果等を確認することができ
た。When the optical disk 20 was evaluated in the same manner as the optical disk 1, the pit length was 0.23 [μm] and the linear velocity was 1
At 0 [m / s], it is difficult to rewrite,
At [m / s], the recorded data could be rewritten with the same amount of jitter as the optical disc 1.
As a result, the effect of the crystallization promoting film could be confirmed.
【００４８】[0048]
【発明の効果】上述のように本発明によれば、エンハン
ス膜、結晶化促進膜を配置してなる相変化材料による情
報記録層を積層し、最も支持基板側の情報記録層のみに
反射膜を形成すると共に、各情報記録層を構成する膜材
料を選定することにより、書き換え可能であって、かつ
高密度記録することができる光情報記録媒体を得ること
ができる。As described above, according to the present invention, an information recording layer made of a phase-change material in which an enhancement film and a crystallization promoting film are disposed is laminated, and a reflection film is formed only on the information recording layer closest to the support substrate. And the selection of the film material constituting each information recording layer, it is possible to obtain an optical information recording medium that is rewritable and capable of high-density recording.
【図１】本発明の実施の形態に係る光ディスクを示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an optical disc according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の光ディスクをアクセスする光ディスク装
置の光学系を示す略線図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an optical system of an optical disk device that accesses the optical disk of FIG. 1;
【図３】実施例との比較に使用した光ディスクを示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an optical disc used for comparison with the embodiment.
【符号の説明】 １、２０……光ディスク、２、２２……支持基板、３、
４、２３、２４……情報記録層、３Ａ、２３Ａ……反射
膜、３Ｂ、３Ｆ、４Ｂ、４Ｆ、２３Ｂ、２３Ｆ、２４
Ｂ、２４Ｆ……エンハンス膜、３Ｃ、３Ｅ、４Ｃ、４
Ｅ、２３Ｃ、２３Ｅ、２４Ｃ、２４Ｅ……結晶促進膜、
３Ｄ、４Ｄ、２３Ｄ、２４Ｄ……相変化材料膜、３Ｇ、
２３Ｇ……半透明エンハンス膜、５、２５……中間層、
６、２６……光透過層[Description of Signs] 1, 20... Optical disk, 2, 22.
4, 23, 24 ... information recording layer, 3A, 23A ... reflective film, 3B, 3F, 4B, 4F, 23B, 23F, 24
B, 24F: Enhanced film, 3C, 3E, 4C, 4
E, 23C, 23E, 24C, 24E: a crystallization promoting film,
3D, 4D, 23D, 24D... Phase change material film, 3G,
23G: translucent enhanced film, 5, 25: intermediate layer,
6, 26 ... light transmitting layer
Claims (16)
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記結晶化促進膜は、 Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧｅＣ、Ｓｎ、ＳｎＣ、Ａｌ、Ａ
ｌＣ、Ｇａ、ＧａＣ、Ｉｎ、ＩｎＣ、これら何れかの窒
化物又は酸化物の少なくとも１種類を含む材料により形
成されたことを特徴とする光情報記録媒体。1. A plurality of information recording layers are laminated on a support substrate having a thickness of 0.3 to 1.2 [mm] with a guide groove formed by an uneven pattern, with a transparent intermediate layer interposed therebetween. Thickness 10
An optical information recording medium comprising a light-transmitting layer having a thickness of about 177 [μm] laminated thereon, wherein the information recording layer is made of InSe, SbSe, SbTe binary alloy, InSbS
e, GeSbTe, InSbTe ternary alloy, GeSbT
eSe, AgInSbTe quaternary alloy, AgInSbSe
A phase change material film made of a phase change material containing at least one of a pentagonal Te alloy, a nitride or an oxide of any of these alloys, and at least the support substrate side of the phase change material film or the support substrate A crystallization promoting film and an enhancement film are formed on the side opposite to the side, the information recording layer on the most support substrate side, a reflection film is allocated on the outermost side on the support substrate side, and the reflection film is opposite to the support substrate side. A semi-transparent enhancement film is assigned to the outermost side, and the crystallization promoting film is made of Si, SiC, Ge, GeC, Sn, SnC, Al, A
An optical information recording medium formed of a material containing at least one of IC, Ga, GaC, In, and InC, and any one of a nitride and an oxide thereof.
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記エンハンス膜は、 ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 の少な
くとも１種類を含む材料により形成されたことを特徴と
する光情報記録媒体。2. A plurality of information recording layers are laminated on a support substrate having a thickness of 0.3 to 1.2 mm with a guide groove formed by an uneven pattern, with a transparent intermediate layer interposed therebetween. Thickness 10
An optical information recording medium comprising a light-transmitting layer having a thickness of about 177 [μm] laminated thereon, wherein the information recording layer is made of InSe, SbSe, SbTe binary alloy, InSbS
e, GeSbTe, InSbTe ternary alloy, GeSbT
eSe, AgInSbTe quaternary alloy, AgInSbSe
A phase change material film made of a phase change material containing at least one of a pentagonal Te alloy, a nitride or an oxide of any of these alloys, and at least the support substrate side of the phase change material film or the support substrate A crystallization promoting film and an enhancement film are formed on the side opposite to the side, the information recording layer on the most support substrate side, a reflection film is allocated on the outermost side on the support substrate side, and the reflection film is opposite to the support substrate side. An optical information recording medium, characterized in that a semi-transparent enhancement film is assigned to the outermost side, and the enhancement film is formed of a material containing at least one of ZnS, ZnS-SiO 2 , SiO 2 and MgF 2. .
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記半透明エンハンス膜は、 Ａｕ、ＡｕＣｏ合金、ＳｉＡｇ合金、ＳｉＯx 、ＺｎＳ
−ＳｉＯx 、Ａｕ−ＳｉＯ2 混合物、Ａｕ−ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 混合物の少なくとも１種類を含む材料により形成
されたことを特徴とする光情報記録媒体。但し、ｘ≦２
である。3. A plurality of information recording layers are laminated on a support substrate having a thickness of 0.3 to 1.2 [mm] on which a guide groove is formed by an uneven pattern, with a transparent intermediate layer interposed therebetween. Thickness 10
An optical information recording medium comprising a light-transmitting layer having a thickness of about 177 [μm] laminated thereon, wherein the information recording layer is made of InSe, SbSe, SbTe binary alloy, InSbS
e, GeSbTe, InSbTe ternary alloy, GeSbT
eSe, AgInSbTe quaternary alloy, AgInSbSe
A phase change material film made of a phase change material containing at least one of a pentagonal Te alloy, a nitride or an oxide of any of these alloys, and at least the support substrate side of the phase change material film or the support substrate A crystallization promoting film and an enhancement film are formed on the side opposite to the side, the information recording layer on the most support substrate side, a reflection film is allocated on the outermost side on the support substrate side, and the reflection film is opposite to the support substrate side. A translucent enhanced film is allocated to the outermost side of the side, and the translucent enhanced film includes Au, AuCo alloy, SiAg alloy, SiO x , ZnS
—SiO x , Au—SiO 2 mixture, Au—ZnS—S
An optical information recording medium formed of a material containing at least one kind of an iO 2 mixture. Where x ≦ 2
It is.
さ０．３〜１．２〔ｍｍ〕の支持基板上に、透明の中間
層を間に挟んで複数の情報記録層が積層され、厚さ１０
〜１７７〔μｍ〕の光透過層が積層されてなる光情報記
録媒体であって、 前記情報記録層は、 ＩｎＳｅ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ二元合金、ＩｎＳｂＳ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ三元合金、ＧｅＳｂＴ
ｅＳｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ四元合金、ＡｇＩｎＳｂＳｅ
Ｔｅ五元合金、これらの何れかの合金の窒化物又は酸化
物の少なくとも１種類を含む相変化材料による相変化材
料膜を有し、 少なくとも前記相変化材料膜の前記支持基板側又は前記
支持基板側とは逆側に、結晶化促進膜、エンハンス膜が
形成され、 最も支持基板側の前記情報記録層は、 前記支持基板側の最も外側に反射膜が割り当てられ、 前記支持基板側とは逆側の最も外側に半透明エンハンス
膜が割り当てられ、 前記反射膜が、 Ａｌ合金、ＢｉＳｂ、Ａｇ合金の何れかを含む材料によ
り作成されたことを特徴とする光情報記録媒体。4. A plurality of information recording layers are laminated on a support substrate having a thickness of 0.3 to 1.2 [mm], on which a guide groove is formed by a concavo-convex pattern, with a transparent intermediate layer interposed therebetween. Thickness 10
An optical information recording medium comprising a light-transmitting layer having a thickness of about 177 [μm] laminated thereon, wherein the information recording layer is made of InSe, SbSe, SbTe binary alloy, InSbS
e, GeSbTe, InSbTe ternary alloy, GeSbT
eSe, AgInSbTe quaternary alloy, AgInSbSe
A phase change material film made of a phase change material containing at least one of a pentagonal Te alloy, a nitride or an oxide of any of these alloys, and at least the support substrate side of the phase change material film or the support substrate A crystallization promoting film and an enhancement film are formed on the side opposite to the side, the information recording layer on the most support substrate side, a reflection film is allocated on the outermost side on the support substrate side, and the reflection film is opposite to the support substrate side. An optical information recording medium, wherein a semi-transparent enhancement film is assigned to the outermost side, and the reflection film is made of a material containing any of an Al alloy, BiSb, and an Ag alloy.
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。5. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflection film, the enhance film, the phase change material film, the crystallization promoting film, the enhance film, and the 2. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。6. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflection film, the enhance film, the phase change material film, the crystallization promoting film, the enhance film, and the 3. The optical information recording medium according to claim 2, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。7. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflection film, the enhance film, the phase change material film, the crystallization promoting film, the enhance film, and the The optical information recording medium according to claim 3, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
ス膜、前記相変化材料膜、前記結晶化促進膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。8. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflection film, the enhance film, the phase change material film, the crystallization promoting film, the enhance film, and the The optical information recording medium according to claim 4, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。9. The information recording layer closest to the support substrate, the reflection film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, the enhance film, the 2. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。10. The information recording layer closest to the support substrate, the reflection film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, the enhance film, 3. The optical information recording medium according to claim 2, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。11. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflection film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, the enhance film, and the The optical information recording medium according to claim 3, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記エン
ハンス膜、前記半透明エンハンス膜を積層して形成され
たことを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。12. The information recording layer closest to the support substrate, the reflection film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, the enhance film, the The optical information recording medium according to claim 4, wherein the optical information recording medium is formed by laminating a translucent enhanced film.
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項１に記載
の光情報記録媒体。13. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflection film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, and the crystallization promoting film are arranged in this order from the support substrate side. 2. The optical information recording medium according to claim 1, wherein said enhanced film and said translucent enhanced film are laminated.
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項２に記載
の光情報記録媒体。14. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflective film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, and the crystallization promoting film are arranged in this order from the support substrate side. 3. The optical information recording medium according to claim 2, wherein said enhanced film and said translucent enhanced film are laminated.
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項３に記載
の光情報記録媒体。15. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflective film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, and the crystallization promoting film are arranged in this order from the support substrate side. 4. The optical information recording medium according to claim 3, wherein the optical information recording medium is formed by laminating the enhanced film and the translucent enhanced film.
は、 前記支持基板側より、順次、前記反射膜、前記エンハン
ス膜、前記結晶化促進膜、前記相変化材料膜、前記結晶
化促進膜、前記エンハンス膜、前記半透明エンハンス膜
を積層して形成されたことを特徴とする請求項４に記載
の光情報記録媒体。16. The information recording layer closest to the support substrate, wherein the reflective film, the enhance film, the crystallization promoting film, the phase change material film, and the crystallization promoting film are arranged in this order from the support substrate side. 5. The optical information recording medium according to claim 4, wherein the optical information recording medium is formed by laminating the enhanced film and the translucent enhanced film.
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