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JP2000243893A - Integrated circuit device and module mounting the same - Google Patents

Integrated circuit device and module mounting the same

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JP2000243893A
JP2000243893A JP11039247A JP3924799A JP2000243893A JP 2000243893 A JP2000243893 A JP 2000243893A JP 11039247 A JP11039247 A JP 11039247A JP 3924799 A JP3924799 A JP 3924799A JP 2000243893 A JP2000243893 A JP 2000243893A
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output
lead
group
terminal
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Hiromi Kanda
博美 神田
Miki Yanagawa
幹 柳川
Yasuro Matsuzaki
康郎 松崎
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】高速動作が要求されるデータ入出力信号の端
子、リード、モジュール外部端子間の接続を、全て同等
の長さでしかも最短の長さにする。 【解決手段】本発明は、チップ10の第1の辺に沿って
データ入出力端子群30Bを配置する。そして、第1の
辺に沿ってデータ入出力端子用リード群12Bを配置
し、チップ上のデータ入出力端子群30Bと接続する。
このデータ入出力端子群30Bには、複数のデータ入出
力端子DQと、そのタイミングを制御するデータ入出力
ストローブ信号の端子DQSと、データ入出力用電源端
子VCCQ、VSSQと、必要に応じてデータマスク信号の端子
DQMが含まれる。これらのデータ入出力端子用リード
群12Bは、データ入出力端子DQとデータ入出力スト
ローブ信号端子DQSに接続され、チップの第1の辺に
沿って配置されるので、プラスチックモールド等により
封止された後のデバイスにおいて、上記第1の辺に沿っ
て一列にデータ入出力端子群用のリード端子群12Bが
配置される。
(57) [Summary] (with correction) [PROBLEMS] To make connections between terminals, leads, and external terminals of a module for data input / output signals requiring high-speed operation all the same length and the shortest length. According to the present invention, a data input / output terminal group is arranged along a first side of a chip. Then, the data input / output terminal lead group 12B is arranged along the first side and connected to the data input / output terminal group 30B on the chip.
The data input / output terminal group 30B includes a plurality of data input / output terminals DQ, a data input / output strobe signal terminal DQS for controlling the timing, data input / output power supply terminals VCCQ and VSSQ, and data A terminal DQM for a mask signal is included. The data input / output terminal lead group 12B is connected to the data input / output terminal DQ and the data input / output strobe signal terminal DQS, and is arranged along the first side of the chip. In the device after the above, lead terminals 12B for data input / output terminals are arranged in a line along the first side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板などを
利用した集積回路デバイス及びそれを搭載したモジュー
ルに関し、特に、高速なデータの入出力に対応した新規
なチップ上の外部端子と外部リードとの構成を有するメ
モリデバイスなどの集積回路デバイスとそれを搭載した
モジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated circuit device using a semiconductor substrate or the like and a module equipped with the same, and more particularly, to a novel external terminal and external lead on a chip corresponding to high-speed data input / output. And an integrated circuit device such as a memory device having the configuration described above.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路デバイスは、半導体基板内に集
積回路と外部との接続用の外部端子とを形成したチップ
と、その外部端子を外部に引き出す複数のリードと、チ
ップ全部とリードの一部を被覆するプラスチック樹脂か
らなるパッケージとを有する。複数のリードとチップ上
の外部端子とは、通常はワイヤーボンディング法により
取り付けられる接続用ワイヤーにより接続される。ま
た、このように内部にチップを有し外部に複数のリード
を引き出した集積回路デバイスは、小さなプリント基板
上に複数個搭載され、モジュールの形態にされる。集積
回路デバイスが例えばDRAMなどのメモリデバイスの
場合は、複数のメモリデバイスをプリント基板上に搭載
してメモリモジュールとして利用される。メモリモジュ
ールのプリント基板の一辺には、複数の接続端子が設け
られ、メモリモジュール基板の一辺がマザーボード上の
メモリモジュールコネクタに差し込まれることで搭載さ
れる。
2. Description of the Related Art An integrated circuit device includes a chip in which an external terminal for connecting an integrated circuit to the outside is formed in a semiconductor substrate, a plurality of leads for leading out the external terminal, an entire chip and one of the leads. And a package made of a plastic resin for covering the portion. The plurality of leads and the external terminals on the chip are connected by connection wires which are usually attached by a wire bonding method. Also, a plurality of such integrated circuit devices having a chip inside and a plurality of leads drawn outside are mounted on a small printed circuit board to form a module. When the integrated circuit device is a memory device such as a DRAM, a plurality of memory devices are mounted on a printed circuit board and used as a memory module. A plurality of connection terminals are provided on one side of the printed board of the memory module, and one side of the memory module board is mounted by being inserted into a memory module connector on the motherboard.

【0003】図1は、従来の集積回路デバイスの構造を
示す図である。この例は、同期型のDRAM(SDRA
M)からなるメモリデバイス20の構造である。半導体
基板からなるチップ10には、図示しないメモリ回路が
形成され、チップの中央部に一列に、外部端子16が設
けられる。外部端子16には、アドレス端子A0〜A1
2、電源端子VCC、VSS、コマンド信号端子/CS, /RAS,
/CAS,/WE、クロックCLK、データの入出力端子DQ0
〜DQ15、入出力端子用の電源端子VCCQ、VSSQ、入
出力マスク信号端子DQMU、DQMLなどが含まれる。このよ
うに、外部端子をチップ10の中央部に一列に配置する
ことにより、チップ内部での配線を左右対称に且つ均等
な長さにレイアウトすることが可能になり、高速メモリ
デバイスとして好都合である。
FIG. 1 is a diagram showing the structure of a conventional integrated circuit device. In this example, a synchronous DRAM (SDRA
M) shows the structure of the memory device 20. A memory circuit (not shown) is formed on the chip 10 made of a semiconductor substrate, and external terminals 16 are provided in a line at the center of the chip. The external terminals 16 include address terminals A0 to A1.
2. Power supply terminals VCC, VSS, command signal terminals / CS, / RAS,
/ CAS, / WE, clock CLK, data input / output terminal DQ0
To DQ15, power supply terminals VCCQ and VSSQ for input / output terminals, input / output mask signal terminals DQMU and DQML, and the like. By arranging the external terminals in a line at the center of the chip 10 in this manner, it is possible to lay out the wiring inside the chip symmetrically and to have a uniform length, which is convenient as a high-speed memory device. .

【0004】これらのチップ上の外部端子16と接続す
るために、複数のリード12がチップ10の外部からチ
ップ上に延長され、ワイヤー18により接続される。そ
して、チップ10全体とリード12の一部が、プラスチ
ックモールドよりなるパッケージ14により被覆され、
リード12の他端は外部に引き出される。このように、
チップ10上にリードが延長される構成は、一般にリー
ド・オン・チップ構造と称され、DRAMなどのメモリ
デバイスでは広く利用される。
In order to connect to the external terminals 16 on these chips, a plurality of leads 12 are extended from the outside of the chip 10 onto the chip and are connected by wires 18. Then, the entire chip 10 and a part of the leads 12 are covered with a package 14 made of a plastic mold,
The other end of the lead 12 is drawn out. in this way,
The configuration in which the leads are extended on the chip 10 is generally called a lead-on-chip structure, and is widely used in a memory device such as a DRAM.

【0005】図2は、図1のメモリデバイスを搭載した
メモリモジュールの例を示す図である。図2には、プリ
ント基板からなるモジュール基板22上に複数のメモリ
デバイス20が搭載された場合の一部分が示される。具
体的には、例えばモジュール基板22の左右に4個ずつ
のメモリデバイス20が搭載されるが、図2には、その
中央部の右側の2個のメモリデバイスが示されるだけで
ある。モジュール基板22の下側の一辺には、メモリデ
バイスのリードとモジュール基板内配線を介して接続さ
れる外部端子群が形成される。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a memory module on which the memory device of FIG. 1 is mounted. FIG. 2 shows a part of the case where a plurality of memory devices 20 are mounted on a module substrate 22 formed of a printed circuit board. Specifically, for example, four memory devices 20 are mounted on each of the left and right sides of the module substrate 22, but FIG. 2 only shows the two memory devices on the right side of the center. On one side of the lower side of the module substrate 22, an external terminal group connected to the leads of the memory device via the wiring in the module substrate is formed.

【0006】そして、複数のメモリデバイスに共通のク
ロックCLK、コマンド/CS, /RAS,/CAS,/WE、アドレス
信号A0〜A12に対する共通外部端子群24は、基板
22の中央部に集中して設けられ、それらからモジュー
ル基板22の内部配線25により、左右のメモリデバイ
ス20に並列に供給される。従って、それぞれのメモリ
デバイス20の上部に、これらのリード端子群が設けら
れる。また、各メモリデバイス20に固有のデータ入出
力端子DQ0〜DQ15と、それの入出力マスク信号D
QMやデータ入出力のタイミングを制御するDQストロ
ーブ信号DQS等のメモリデバイスに個別の外部端子群
23は、それぞれのメモリデバイス20の位置に対応す
る位置に設けられる。そして、図される如くメモリデバ
イスの下半分に位置するリード群とモジュール基板22
の外部端子群23とが、内部配線で接続される。尚、デ
ータ入出力用の電源VCCQ、VSSQとは、図示しない電源
配線により接続される。
A common external terminal group 24 for a clock CLK, commands / CS, / RAS, / CAS, / WE, and address signals A0 to A12 common to a plurality of memory devices is concentrated in the center of the substrate 22. These are supplied to the left and right memory devices 20 in parallel by the internal wiring 25 of the module substrate 22. Therefore, these lead terminal groups are provided above each memory device 20. Further, data input / output terminals DQ0 to DQ15 unique to each memory device 20 and input / output mask signals
External terminal groups 23 for memory devices such as QM and a DQ strobe signal DQS for controlling data input / output timing are provided at positions corresponding to the positions of the respective memory devices 20. Then, as shown, the lead group and the module substrate 22 located in the lower half of the memory device are formed.
And the external terminal group 23 are connected by internal wiring. The power supplies VCCQ and VSSQ for data input / output are connected by power supply wiring (not shown).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
てデータの入出力速度をより高速化するための、ダブル
・データ・レート(DDR)型のSDRAMが提案され
ている。この高速型のSDRAMでは、アドレスやコマ
ンド信号は、クロックCLKに同期して入力されるが、
データの入力と出力は、クロックCLKとは異なるデー
タ入出力ストローブ信号DQSの立ち上がりエッジと立
ち下がりエッジに同期して行われる。従って、データ入
出力端子DQと、そのマスクを制御するデータマスク信
号DQMに加えて、データ入出力ストローブ信号DQS
は、より高速動作が要求され、従って、メモリモジュー
ル内のモジュール基板内での配線長もそれぞれ同程度で
あることが、タイミング制御の理由から好ましい。
In recent years, a double data rate (DDR) type SDRAM has been proposed in order to further increase the data input / output speed. In this high-speed SDRAM, an address and a command signal are input in synchronization with a clock CLK.
Data input and output are performed in synchronization with rising and falling edges of a data input / output strobe signal DQS different from the clock CLK. Therefore, in addition to the data input / output terminal DQ and the data mask signal DQM for controlling the mask, the data input / output strobe signal DQS
Requires a higher speed operation, and therefore, it is preferable that the wiring lengths in the module substrate in the memory module are substantially the same for the reason of timing control.

【0008】しかしながら、図2に示した通り、従来の
メモリデバイス構造では、メモリデバイス20の両側に
データ入出力端子DQ、データマスク信号DQM、そし
てデータ入出力ストローブ信号DQSが設けられ、モジ
ュール基板22の下辺の外部端子群と接続する配線の長
さが、均一にならない。図2の例では、同じデータ入出
力端子DQ1とDQ14に対する基板内配線は、一方が
他方に比べて極端に短くなる。また、データマスク信号
DQM、DQLに対する基板内配線も、一方が長く、他
方が短くなっている。これらの信号は、いずれも高速動
作の理由から、メモリデバイス上でのタイミングはでき
るだけそろっていることが要求されるが、上記の如き基
板内配線の長さのばらつきは、かかる要求を満たすこと
はできない。
However, as shown in FIG. 2, in the conventional memory device structure, a data input / output terminal DQ, a data mask signal DQM, and a data input / output strobe signal DQS are provided on both sides of the memory device 20. The length of the wiring connected to the external terminal group on the lower side is not uniform. In the example of FIG. 2, one of the wirings on the board for the same data input / output terminals DQ1 and DQ14 is extremely shorter than the other. Further, one of the wirings on the substrate for the data mask signals DQM and DQL is long and the other is short. All of these signals are required to have the same timing on the memory device for the reason of high-speed operation, but the variation in the length of the wiring in the substrate as described above does not satisfy the requirement. Can not.

【0009】更に、図2の例では、データ入出力ストロ
ーブ信号DQSのモジュール基板内での配線の長さに比
較して、データ入出力端子DQ1やデータマスク信号D
QMLもモジュール基板内での長さが長くなり、アンバ
ランスとなり、ストローブ信号DQSのタイミングとデ
ータ入出力端子DQ1やデータマスク信号DQMLとの
タイミングにずれが発生し、メモリデバイス20内での
両者の同期がとれなくなる。更に、一部のデータ入出力
端子やデータマスク信号等のモジュール基板内での配線
長さが長くなり、そこでの配線容量による伝播信号の波
形がなまってしまい、入出力電圧レベルの規格を満足で
きなくなる。
Further, in the example of FIG. 2, the data input / output terminal DQ1 and the data mask signal DQS are compared with the length of the wiring of the data input / output strobe signal DQS in the module substrate.
The QML also has a longer length in the module substrate and becomes unbalanced, causing a difference between the timing of the strobe signal DQS and the timing of the data input / output terminal DQ1 and the data mask signal DQML. Loss of synchronization. In addition, the wiring length of some data input / output terminals and data mask signals within the module substrate becomes longer, and the waveform of the propagation signal due to the wiring capacitance there is distorted, so that the input / output voltage level standard can be satisfied. Disappears.

【0010】そこで、本発明の目的は、データ入出力端
子等に接続されるモジュール基板内配線の長さを全て同
等にすることに適した集積回路デバイス及びそれを利用
したモジュールを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an integrated circuit device suitable for equalizing the lengths of all wirings in a module substrate connected to data input / output terminals and the like, and a module using the same. is there.

【0011】更に、本発明の目的は、データ入出力端子
等に接続されるモジュール基板内配線の長さを最短にす
ることに適した集積回路デバイス及びそれを利用したモ
ジュールを提供することにある。
It is a further object of the present invention to provide an integrated circuit device suitable for minimizing the length of wiring in a module substrate connected to data input / output terminals and the like, and a module using the same. .

【0012】更に、本発明の目的は、アドレスやコマン
ド信号端子に接続される共通の基板内配線の配置を容易
にすることに適した集積回路デバイス及びそれを利用し
たモジュールを提供することにある。
It is a further object of the present invention to provide an integrated circuit device suitable for facilitating the arrangement of common in-board wiring connected to address and command signal terminals and a module using the same. .

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、チップの第1の辺に沿ってデータ入出
力端子群を配置する。そして、第1の辺に沿ってデータ
入出力端子用リード群を配置し、チップ上のデータ入出
力端子群と接続することを特徴とする。このデータ入出
力端子群には、複数のデータ入出力端子DQと、そのタ
イミングを制御するデータ入出力ストローブ信号の端子
DQSと、データ入出力用電源端子VCCQ、VSSQと、必要
に応じてデータマスク信号の端子DQMが含まれる。こ
れらのデータ入出力端子用リード群は、データ入出力端
子DQとデータ入出力ストローブ信号端子DQSに接続
され、チップの第1の辺に沿って配置されるので、プラ
スチックモールド等により封止された後のデバイスにお
いて、上記第1の辺に沿って一列にデータ入出力端子群
用のリード端子群が配置される。
According to the present invention, a data input / output terminal group is arranged along a first side of a chip. Then, a data input / output terminal lead group is arranged along the first side and connected to the data input / output terminal group on the chip. The data input / output terminal group includes a plurality of data input / output terminals DQ, a data input / output strobe signal terminal DQS for controlling the timing, data input / output power supply terminals VCCQ and VSSQ, and a data mask as required. A signal terminal DQM is included. These data input / output terminal leads are connected to the data input / output terminal DQ and the data input / output strobe signal terminal DQS, and are arranged along the first side of the chip. In a later device, lead terminals for data input / output terminals are arranged in a line along the first side.

【0014】従って、この集積回路デバイスをモジュー
ル基板上に複数個搭載しても、その第1の辺に対向する
モジュール基板の辺上にデータ入出力端子群用の外部端
子を配置し、リード端子群と最短距離で同等の長さの基
板内配線で接続することが可能になる。
Therefore, even if a plurality of the integrated circuit devices are mounted on the module substrate, the external terminals for the data input / output terminals are arranged on the side of the module substrate opposite to the first side, and the lead terminals are provided. It is possible to connect to the group with the shortest distance and the same length of wiring in the substrate.

【0015】尚、データ入出力端子群には、データ入出
力回路用の電源端子VCCQとVSSQとが複数個混在する。そ
して、チップ内の外部端子のピッチに比べてリードのピ
ッチが大きくなる傾向にある。従って、本発明では更
に、データ入出力回路用の電源端子群に対するリード
は、チップ上に延長されたリード・オン・チップ構造に
し、上記集積回路デバイスの第1の辺に並べられた複数
のデータ入出力用リード群の幅と、チップ上のデータ入
出力端子群の幅とがバランスするようにする。
The data input / output terminal group includes a plurality of power supply terminals VCCQ and VSSQ for data input / output circuits. The pitch of the leads tends to be larger than the pitch of the external terminals in the chip. Therefore, according to the present invention, the leads for the power supply terminal group for the data input / output circuit have a lead-on-chip structure extended on a chip, and the plurality of data arranged on the first side of the integrated circuit device are provided. The width of the input / output lead group is balanced with the width of the data input / output terminal group on the chip.

【0016】上記の目的は、本発明によれば、複数のデ
ータ入出力端子を有する集積回路デバイスにおいて、集
積回路が形成され、第1の辺に沿って前記複数のデータ
入出力端子とデータ入出力用電源端子とを有するデータ
入出力端子群が形成されたチップと、前記第1の辺に対
向する第1の辺に沿って配置され、前記チップ上のデー
タ入出力端子と接続されるデータ入出力端子用リード群
と、前記チップ上に延長され前記データ入出力用電源端
子に接続される入出力用電源端子用リードと前記チップ
と前記リードの一部を被覆するパッケージ部とを有する
ことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an integrated circuit device having a plurality of data input / output terminals, wherein an integrated circuit is formed, and the plurality of data input / output terminals are connected to the plurality of data input / output terminals along a first side. A chip on which a data input / output terminal group having an output power supply terminal is formed; and data arranged along a first side facing the first side and connected to a data input / output terminal on the chip An input / output terminal lead group, an input / output power supply terminal lead extended on the chip and connected to the data input / output power supply terminal, and a package part covering the chip and a part of the lead; It is characterized by.

【0017】更に、上記の発明において、前記データ入
出力用電源端子用リードの一端は前記チップ上に延長さ
れ、他端は、前記パッケージ部の前記第1の辺上であっ
て、前記データ入出力端子用リード群の外側に配置され
ることを特徴とする。
Further, in the above invention, one end of the data input / output power supply terminal lead is extended on the chip, and the other end is on the first side of the package section, It is characterized by being disposed outside the output terminal lead group.

【0018】更に、上記の発明において、前記データ入
出力端子群は、更に、データ入出力のタイミングを制御
するデータ入出力ストローブ信号端子を含み、更に、前
記チップは、アドレス端子とコマンド端子及びそれらの
タイミングを制御するクロック端子とを含む共通信号端
子群を、前記第1の辺と異なる辺上に配置したことを特
徴とする。
Further, in the above invention, the data input / output terminal group further includes a data input / output strobe signal terminal for controlling data input / output timing. And a common signal terminal group including a clock terminal for controlling the timing of (1) is arranged on a side different from the first side.

【0019】更に、上記の発明において、前記入出力用
電源端子用リードが、前記チップ上で高電源用リードと
低電源用リードを有する複数層構造を有し、当該高電源
用リードと低電源用リードとの間に誘電体層を介在して
電源コンデンサを構成することを特徴とする。
Further, in the above invention, the input / output power supply terminal lead has a multilayer structure having a high power supply lead and a low power supply lead on the chip. The power supply capacitor is characterized in that a dielectric layer is interposed between the power supply capacitor and the power supply capacitor.

【0020】更に、上記の発明において、前記共通信号
端子群に接続される共通信号端子用リード群が、一端が
前記チップ上の共通信号端子群の近傍まで延在し、他端
が、前記パッケージの第1の辺と隣接する第2又は第3
の辺上で外部に引き出されていることを特徴とする。
Further, in the above invention, a common signal terminal lead group connected to the common signal terminal group has one end extending to the vicinity of the common signal terminal group on the chip, and the other end connected to the package. Second or third adjacent to the first side of
Is drawn out to the outside on the side of.

【0021】上記の目的を達成するために、第2の発明
は、モジュールに関し、上記発明の複数の集積回路デバ
イスが、モジュール基板上に並べて搭載され、前記集積
回路デバイスの第1の辺が、前記モジュール基板の第1
の辺に対向するように配置され、前記データ入出力端子
用リード群が前記モジュール基板の第1の辺に沿って設
けられたモジュール外部端子群と、それぞれ対向する位
置同志で基板内配線により接続されていることを特徴と
する。
In order to achieve the above object, a second invention relates to a module, wherein a plurality of integrated circuit devices of the invention are mounted side by side on a module substrate, and a first side of the integrated circuit device is First of the module substrate
And the data input / output terminal lead group is connected to the module external terminal group provided along the first side of the module substrate by wiring in the substrate at opposing positions. It is characterized by having been done.

【0022】上記の目的を達成するために、第2の発明
は、モジュールに関し、上記発明の複数の集積回路デバ
イスが、モジュール基板上に並べて搭載され、前記集積
回路デバイスの第1の辺が、前記モジュール基板の第1
の辺に対向するように配置され、前記データ入出力端子
用リード群が前記モジュール基板の第1の辺に沿って設
けられたモジュール外部端子群と、それぞれ対向する位
置同志で基板内配線により接続され、前記複数の集積回
路デバイスの共通信号端子用リード群が、前記モジュー
ル基板上に配置されたモジュール共通信号端子用配線と
並列に接続されることを特徴とする。
To achieve the above object, a second invention relates to a module, wherein a plurality of integrated circuit devices according to the invention are mounted side by side on a module substrate, and a first side of the integrated circuit device is First of the module substrate
And the data input / output terminal lead group is connected to the module external terminal group provided along the first side of the module substrate by wiring in the substrate at opposing positions. The common signal terminal lead group of the plurality of integrated circuit devices is connected in parallel with a module common signal terminal wiring arranged on the module substrate.

【0023】上記発明によれば、半導体デバイスに固有
のデータ入出力端子やそのストローブ信号端子は、デバ
イスから同じ距離でリード群に接続され、更に、そのリ
ード群は、最短距離で且つ同等の距離でモジュール基板
の外部端子に接続される。
According to the above invention, the data input / output terminal unique to the semiconductor device and the strobe signal terminal thereof are connected to the lead group at the same distance from the device, and the lead group is connected to the shortest and equal distance. Is connected to the external terminal of the module substrate.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態例を説明する。しかしながら、かかる実施の形
態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
本発明は、メモリモジュールをはじめとする広く集積回
路デバイスとそのモジュールに適用できる。但し、以下
の実施の形態例では、メモリモジュールとそのモジュー
ルを例にして説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, such embodiments do not limit the technical scope of the present invention.
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to a wide variety of integrated circuit devices including memory modules and modules thereof. However, in the following embodiment, a memory module and its module will be described as an example.

【0025】図3は、第1の実施の形態例におけるメモ
リデバイスを示す図である。この例では、チップ10の
下辺である第1の辺に沿って、データ入出力端子群30
Bが配置される。データ入出力端子群30Bには、デー
タ入出力端子DQ0〜DQ15、これらのデータ入出力
のタイミングを制御するデータ入出力ストローブ信号端
子DQS、及びデータ入出力のマスクのタイミングを制
御するデータ入出力マスク信号端子DQML,DQMU
を含む。更に、データ入出力端子群30Bには、図示し
ないチップ10上に形成されるデータ入出力回路に供給
されるデータ入出力用電源端子VCCQ、VSSQを含み、それ
ら4対の電源端子は、上記データ入出力端子群の間に設
けられる。
FIG. 3 is a diagram showing a memory device according to the first embodiment. In this example, the data input / output terminal group 30 is arranged along a first side which is a lower side of the chip 10.
B is arranged. The data input / output terminal group 30B includes data input / output terminals DQ0 to DQ15, a data input / output strobe signal terminal DQS for controlling the data input / output timing, and a data input / output mask for controlling the data input / output mask timing. Signal terminals DQML, DQMU
including. Further, the data input / output terminal group 30B includes data input / output power supply terminals VCCQ and VSSQ supplied to a data input / output circuit formed on the chip 10 (not shown). It is provided between input / output terminal groups.

【0026】また、チップ10の第1の辺とは異なる上
辺に沿って、共通信号端子群30Aが配置される。共通
信号端子群30Aには、アドレス端子A0〜A12と、
コマンド端子/CS,/RAS,/CAS,/WEと、クロック端子CL
Kと、クロックイネーブル端子CKEと電源VCC、VSSと
が含まれる。
A common signal terminal group 30A is arranged along an upper side different from the first side of the chip 10. The common signal terminal group 30A includes address terminals A0 to A12,
Command terminals / CS, / RAS, / CAS, / WE and clock terminal CL
K, a clock enable terminal CKE, and power supplies VCC and VSS.

【0027】第1の実施の形態例におけるメモリデバイ
スには、更に、チップの外部端子群を外部に引き出すリ
ード群12A,12Bが設けられる。チップ10の第1
の辺に対向する位置に、データ入出力端子用リード群3
3が配置される。このデータ入出力端子用リード群33
は、データ入出力端子DQ0〜DQ15、データ入出力
マスク端子DQML,DQMU及びデータストローブ信号端子D
QSに接続されるリードを含む。これらのリード群33
は、その横幅が、チップ10内の入出力端子群30Bが
配置される第1の辺の幅とほぼ同等になるように、配列
される。そして、リード群33は、チップ10の第1の
辺上に設けられたデータ入出力端子群30B内の対応す
る端子と、ワイヤーによって直接接続される。
The memory device according to the first embodiment is further provided with lead groups 12A and 12B for leading external terminal groups of the chip to the outside. First of chip 10
The data input / output terminal lead group 3
3 are arranged. This data input / output terminal lead group 33
Are the data input / output terminals DQ0 to DQ15, the data input / output mask terminals DQML and DQMU, and the data strobe signal terminal D
Includes leads connected to QS. These lead groups 33
Are arranged such that the lateral width thereof is substantially equal to the width of the first side on which the input / output terminal group 30B in the chip 10 is arranged. The lead group 33 is directly connected to a corresponding terminal in the data input / output terminal group 30B provided on the first side of the chip 10 by a wire.

【0028】通常、チップ10上の外部端子群30Bの
ピッチは、それに接続されるリード群12Bより小さ
い。従って、両者の横幅を整合させることは困難であ
る。そこで、第1の実施の形態例では、チップの第1の
辺上に形成される外部端子群30Bの内、4対のデータ
入出力用電源端子VCCQ、VSSQに対しては、チップ10上
に延在する電源用リード34,36を設け、第1の辺に
対向する位置に配置されたリードではなく、それらの電
源用リード34,36とワイヤーを介して接続する。そ
して、その電源用リード34,36は、第1の辺の両側
の辺から迂回し、第1の辺に対向するパッケージ14の
第1の辺(図中下辺)に延在される。その結果、電源用
リード34,36も、データ入出力端子用リード群33
と同じ辺上に並べられる。
Normally, the pitch of the external terminal group 30B on the chip 10 is smaller than the lead group 12B connected thereto. Therefore, it is difficult to match the widths of the two. Therefore, in the first embodiment, among the external terminal group 30B formed on the first side of the chip, four pairs of data input / output power supply terminals VCCQ and VSSQ are provided on the chip 10. Extending power supply leads 34, 36 are provided, and are connected to the power supply leads 34, 36 via wires, instead of the leads arranged at positions facing the first side. Then, the power leads 34 and 36 bypass the sides on both sides of the first side, and extend to the first side (the lower side in the figure) of the package 14 facing the first side. As a result, the power supply leads 34 and 36 also become the data input / output terminal lead group 33.
Are arranged on the same side as.

【0029】一方、アドレス端子やコマンド端子等のメ
モリモジュール構成になった時に共通に接続される共通
信号端子群30Aに対するリード群12Aは、チップ1
0の上辺に対向する辺上に、並べて配置される。そし
て、これらのリード群12Aも、共通信号端子群30A
の対応する端子とワイヤーによって接続される。チップ
10とリード群12A、12Bの一端を被覆するプラス
チック樹脂からなるパッケージ14が設けられると、パ
ッケージ14の下辺に沿って一列に、データ入出力端子
用リード群12Bが配置され、パッケージ14の上辺に
沿って一列に、共通端子用リード群12Aが配置され
る。
On the other hand, the lead group 12A for the common signal terminal group 30A that is commonly connected when the memory module configuration such as the address terminal and the command terminal is formed is the chip 1
0 are arranged side by side on the side opposite to the upper side. These lead groups 12A are also connected to the common signal terminal group 30A.
And the corresponding terminals are connected by wires. When a package 14 made of plastic resin is provided to cover the chip 10 and one end of the lead groups 12A and 12B, the data input / output terminal leads 12B are arranged in a line along the lower side of the package 14, and the upper side of the package 14 Are arranged in a line along the common terminal lead group 12A.

【0030】図4は、第2の実施の形態例におけるメモ
リデバイスを示す図である。この例では、チップ10の
構成は、第1の実施の形態例と同じである。即ち、チッ
プ10の下辺に位置する第1の辺上に、データ入出力端
子群30Bは配置され、それに対向してデータ入出力端
子用リード群12Bが配置される。また、リード群12
Bの両端には、データ入出力端子群30B内に配置され
た4対の電源端子と接続されるリード・オン・チップ構
造の電源用リード34,36が引き出される。更に、チ
ップ10の上辺には、共通信号端子群12Aが設けら
れ、それに対向して共通信号端子用リード群12Aが設
けられ、ワイヤーを介して対応する端子とリードが接続
される。
FIG. 4 is a diagram showing a memory device according to the second embodiment. In this example, the configuration of the chip 10 is the same as that of the first embodiment. That is, the data input / output terminal group 30B is disposed on the first side located on the lower side of the chip 10, and the data input / output terminal lead group 12B is disposed opposite thereto. In addition, lead group 12
At both ends of B, power supply leads 34 and 36 having a lead-on-chip structure connected to four pairs of power supply terminals arranged in the data input / output terminal group 30B are drawn out. Further, a common signal terminal group 12A is provided on the upper side of the chip 10, and a common signal terminal lead group 12A is provided facing the common signal terminal group 12A, and the corresponding terminals and leads are connected via wires.

【0031】第2の実施の形態例では、共通信号端子群
30A内に配置された電源VCC、VSSに接続される電源用
リード38,39が、リード・オン・チップ構造をな
し、共通信号端子用リード群12Aの両端に、引き出さ
れる。そして、データ入出力用電源用リード34,36
は、チップ10上で比較的大きな面積を有して、階層構
造で形成される。そして、これらのデータ入出力用電源
用リード34,36の間には、図示しない誘電体層が形
成され、両リード34,36とその誘電体層により、第
1のチップコンデンサが構成される。即ち、データ入出
力電源間に挿入される第1のチップコンデンサが、チッ
プ10上の広い領域を利用して形成され、比較的大きな
容量を実現することができる。この第1のチップコンデ
ンサにより、データ入出力用電源間のノイズが、吸収さ
れる。
In the second embodiment, the power supply leads 38 and 39 connected to the power supplies VCC and VSS arranged in the common signal terminal group 30A have a lead-on-chip structure, and It is drawn out to both ends of the use lead group 12A. Then, the data input / output power supply leads 34, 36
Have a relatively large area on the chip 10 and are formed in a hierarchical structure. A dielectric layer (not shown) is formed between the data input / output power supply leads 34 and 36, and the leads 34 and 36 and the dielectric layer form a first chip capacitor. That is, the first chip capacitor inserted between the data input / output power supplies is formed using a wide area on the chip 10, and a relatively large capacitance can be realized. The first chip capacitor absorbs noise between data input / output power supplies.

【0032】また、共通信号端子側の電源用リード3
8,39も、リード・オン・チップ構造をなし、チップ
10上で比較的広い面積を有して、階層構造に形成され
る。そして、これらの共通信号用電源用リード38,3
9間には、図示しない誘電体層が形成され、同様に第2
のチップコンデンサが形成される。この第2のチップコ
ンデンサも、両電源VCC、VSS間のノイズを吸収するこ
とができる。第2の実施の形態例におけるメモリデバイ
スも、チップ10とリード群12A、12Bの一端を被
覆するプラスチック樹脂からなるパッケージ14が設け
られると、パッケージ14の下辺に沿って一列に、デー
タ入出力端子用リード群12Bが配置され、パッケージ
14の上辺に沿って一列に、共通端子用リード群12A
が配置される。
The power supply lead 3 on the common signal terminal side
8 and 39 also have a lead-on-chip structure, have a relatively large area on the chip 10, and are formed in a hierarchical structure. Then, these common signal power supply leads 38, 3
9, a dielectric layer (not shown) is formed.
Is formed. This second chip capacitor can also absorb noise between the two power supplies VCC and VSS. Also in the memory device according to the second embodiment, when a package 14 made of a plastic resin covering one end of the chip 10 and the lead groups 12A and 12B is provided, the data input / output terminals are arranged in a line along the lower side of the package 14. And the common terminal lead group 12A is arranged in a line along the upper side of the package 14.
Is arranged.

【0033】図5は、第1及び第2のメモリデバイスを
搭載したメモリモジュールを示す図である。第1及び第
2のメモリデバイスは、第1の辺に沿ってデータ入出力
端子用リード群12Bを設け、第1の辺に対向する上辺
に沿って共通信号端子用リード群12Aを設けた。かか
る複数のメモリデバイス20は、図5に示される通り、
第1の辺が、モジュール基板22の下辺に対向するよう
に配列される。従って、メモリデバイス20の個別のデ
ータ入出力端子用リード群12Bは、モジュール基板2
2の下辺に沿って形成されたモジュール用外部端子群の
内、データ入出力用外部端子群23に対向して配置され
る。従って、リード群12Bと外部端子群23とは、最
短で同じ長さのモジュール内配線56によって、接続す
ることができる。
FIG. 5 is a diagram showing a memory module on which the first and second memory devices are mounted. In the first and second memory devices, the data input / output terminal lead group 12B is provided along the first side, and the common signal terminal lead group 12A is provided along the upper side opposed to the first side. The plurality of memory devices 20 include, as shown in FIG.
The first side is arranged so as to face the lower side of the module substrate 22. Therefore, the individual data input / output terminal lead group 12B of the memory device 20 is
Among the external terminal groups for modules formed along the lower side of the module 2, the external terminal group for data input / output 23 is disposed to face. Therefore, the lead group 12B and the external terminal group 23 can be connected by the module wiring 56 having the shortest and the same length.

【0034】一方、各メモリデバイス20の共通信号用
リード群12Aは、第1の辺と対向する上辺に沿って配
置される。従って、モジュール基板22の下辺に配置さ
れたモジュール用外部端子群の内の共通信号用外部端子
群24に接続され、左右に配置される複数のメモリデバ
イス20に対して、並列にモジュール内配線25を設け
ることができる。図示されないが、このモジュール内配
線25は、クロックCLK、アドレス信号A0〜A1
2、コマンド信号/CS,/RAS,/CAS,/WE用のリード12A
に、接続される複数の配線群を有する。
On the other hand, the common signal lead group 12A of each memory device 20 is arranged along the upper side facing the first side. Therefore, it is connected to the common signal external terminal group 24 in the module external terminal group arranged on the lower side of the module substrate 22, and is connected in parallel to the plurality of memory devices 20 arranged on the left and right in the module wiring 25. Can be provided. Although not shown, the wiring 25 in the module includes a clock CLK, address signals A0 to A1.
2. Lead 12A for command signal / CS, / RAS, / CAS, / WE
Has a plurality of wiring groups to be connected.

【0035】上記のメモリモジュール構成によれば、高
速動作が要求されるデータ入出力信号に関するモジュー
ル用外部端子23、メモリデバイスのリード群12B、
及びチップ内の端子群30Bとが、それぞれほぼ等距離
で最短のモジュール内配線56,リード12B及びワイ
ヤーで接続される。従って、高速動作に対してタイミン
グの整合性がとれ、また、信号波形のなまりの問題も解
決される。
According to the above-described memory module configuration, the module external terminal 23 relating to data input / output signals required to operate at high speed, the memory device read group 12B,
And the terminal group 30B in the chip are connected by the shortest intra-module wiring 56, the lead 12B, and the wire at substantially the same distance. Therefore, the timing consistency is ensured for the high-speed operation, and the problem of the rounding of the signal waveform is solved.

【0036】図6は、第3の実施の形態例におけるメモ
リデバイスを示す図である。この例も、第1の実施の形
態例と同様に、チップ10の第1の辺(下辺)上にデー
タ入出力端子群30Bが設けられ、それに対向する上辺
に、共通信号端子群30Aが設けられる。また、第1の
実施の形態例と同様に、データ入出力端子群30Bに対
向して、リード群12Bが配置される。また、データ入
出力端子群30B内の4対の電源端子VCCQ、VSSQに対し
ては、リード・オン・チップ構造の電源用リード34,
36が、チップ上に延在して設けられて、チップ上の電
源端子とワイヤーで接続される。そして、その電源リー
ド34,36の他端が、リード群12Bの両端に引き出
される。
FIG. 6 is a diagram showing a memory device according to the third embodiment. In this example, similarly to the first embodiment, the data input / output terminal group 30B is provided on the first side (lower side) of the chip 10, and the common signal terminal group 30A is provided on the upper side opposed thereto. Can be Similarly to the first embodiment, a lead group 12B is arranged to face the data input / output terminal group 30B. The four pairs of power supply terminals VCCQ and VSSQ in the data input / output terminal group 30B are connected to power supply leads 34 having a lead-on-chip structure.
36 is provided extending on the chip and connected to a power supply terminal on the chip by a wire. Then, the other ends of the power leads 34, 36 are drawn out to both ends of the lead group 12B.

【0037】第3の実施の形態例における特徴的な点
は、共通信号端子群30Aに接続されるリード群が、全
てリード・オン・チップ構造をなし、その左半分のリー
ド群12Cは、チップ10の第1の辺に対して左側の辺
上に引き出される。また、右半分のリード群12Dは、
チップ10の第1の辺に対して右側の辺上に引き出され
る。これらのリード群12C、12Dの配置は、モジュ
ール基板上に搭載された時に、モジュール基板内配線と
の接続を容易にする。
A characteristic point of the third embodiment is that all the lead groups connected to the common signal terminal group 30A have a lead-on-chip structure, and the left half of the lead group 12C is a chip-on-chip structure. 10 is drawn on the left side to the first side. The lead group 12D in the right half is
The chip 10 is pulled out on the right side with respect to the first side. The arrangement of these lead groups 12C and 12D facilitates connection with the wiring inside the module board when mounted on the module board.

【0038】図7は、第4の実施の形態例におけるメモ
リデバイスを示す図である。この例では、データ入出力
端子群20Bとそのリード群12Bとは、第3の実施の
形態例と同じである。第3の実施の形態例と異なるとこ
ろは、アドレス信号、コマンド信号、クロックCLK、
クロックイネーブルCKE及び電源を含む共通信号端子
群が、チップ10の左右の辺上に分かれて配置されてい
る点である。この共通信号端子群30C、30Dに対向
する位置に、それぞれのリード群12C、12Dが設け
られ、ワイヤーを介して接続される。
FIG. 7 is a diagram showing a memory device according to the fourth embodiment. In this example, the data input / output terminal group 20B and its lead group 12B are the same as in the third embodiment. The difference from the third embodiment is that an address signal, a command signal, a clock CLK,
The point is that the common signal terminal group including the clock enable CKE and the power supply is separately arranged on the left and right sides of the chip 10. Lead groups 12C and 12D are provided at positions facing the common signal terminal groups 30C and 30D, respectively, and are connected via wires.

【0039】第4の実施の形態例において、チップ上の
共通信号端子群30C、30Dを、図1に示される様
に、チップ10上の中央部に一列に配置しても良い。そ
のようにチップ中央部に配列された共通信号端子群に対
して、図1の様にリード・オン・チップ構造のリード群
を設けてワイヤーで接続し、それらのリード群を左右の
辺に分けて引き出しても良い。
In the fourth embodiment, the common signal terminal groups 30C and 30D on the chip may be arranged in a line at the center of the chip 10 as shown in FIG. A lead-on-chip lead group is provided for the common signal terminal group arranged in the center of the chip as shown in FIG. 1 and connected by wires, and the lead group is divided into left and right sides. You may pull it out.

【0040】上記した第3及び第4の実施の形態例で
は、データ入出力端子用リード群12Bが、パッケージ
14の第1の辺上に配列され、共通信号端子用リード群
12C,12Dが、パッケージ14の左右の辺上に分か
れて配置される。
In the third and fourth embodiments described above, the data input / output terminal lead group 12B is arranged on the first side of the package 14, and the common signal terminal lead groups 12C and 12D are provided. It is arranged separately on the left and right sides of the package 14.

【0041】図8は、第3及び第4のメモリデバイスを
搭載したメモリモジュールを示す図である。このメモリ
モジュールも、モジュール基板22の下辺にモジュール
用外部端子群が形成される。そして、メモリデバイス2
0の下辺(第1の辺)にそって形成されるリード群12
Bは、対向するモジュール用外部端子群23と直接、同
じ長さで最短の配線56により接続される。更に、第
3、第4のメモリデバイスは、共通信号端子用リード群
12C、12Dが、第1の辺の両側の左右の辺に沿って
形成されるので、それらを共通に接続するモジュール内
配線25も、横方向に沿って延在するようの設けられ
る。図示されないが、この配線25には、クロックCL
K、クロックイネーブルCKE、アドレスA0〜A1
2、及びコマンドに対するリードに接続されるそれぞれ
の配線が含まれ、各メモリデバイスの共通信号端子用リ
ード群12C,12Dと並列に接続される。またこの配
線25は、モジュール基板22の下辺上のモジュール用
外部端子24に接続される。
FIG. 8 is a diagram showing a memory module on which the third and fourth memory devices are mounted. In this memory module also, a module external terminal group is formed on the lower side of the module substrate 22. And the memory device 2
Lead group 12 formed along the lower side (first side)
B is directly connected to the opposing module external terminal group 23 by the shortest wiring 56 having the same length. Furthermore, in the third and fourth memory devices, the common signal terminal lead groups 12C and 12D are formed along the left and right sides on both sides of the first side, so that the wiring in the module that connects them in common is provided. 25 is also provided so as to extend along the lateral direction. Although not shown, a clock CL is connected to the wiring 25.
K, clock enable CKE, addresses A0 to A1
2, and the respective wirings connected to the leads for the command are connected in parallel with the common signal terminal lead groups 12C and 12D of each memory device. The wiring 25 is connected to the module external terminal 24 on the lower side of the module substrate 22.

【0042】図8のメモリモジュールにおいても、高速
動作が要求されるデータ入出力信号に関するモジュール
用外部端子23、メモリデバイスのリード群12B、及
びチップ内の端子群30Bとが、それぞれほぼ等距離で
最短のモジュール内配線56,リード12B及びワイヤ
ーで接続される。従って、高速動作に対してタイミング
の整合性がとれ、また、信号波形のなまりの問題も解決
される。
Also in the memory module shown in FIG. 8, the module external terminals 23 relating to data input / output signals required to operate at high speed, the lead group 12B of the memory device, and the terminal group 30B in the chip are substantially equidistant from each other. The shortest in-module wiring 56, leads 12B and wires are connected. Therefore, the timing consistency is ensured for the high-speed operation, and the problem of the rounding of the signal waveform is solved.

【0043】本発明は、メモリデバイスまたはメモリモ
ジュールに限定されない。高速動作を要求される信号端
子、そのリードを有する集積回路デバイスとそれを複数
搭載したモジュールにも適用できる。
The present invention is not limited to memory devices or memory modules. The present invention is also applicable to an integrated circuit device having a signal terminal required to operate at high speed, a lead thereof, and a module having a plurality of such terminals.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上、本発明によれば、データ入出力端
子をチップの第1の辺上に配置し、それに対向してリー
ド群を配置することができる。また、モジュール構成に
したとき、モジュール基板の一辺に配置されたモジュー
ル用外部端子群とリード群とを対向して近接して設ける
ことができ、最短で同じモジュール内配線により接続す
ることができる。従って、高速動作が要求されるデータ
入出力端子群に対するリード群、モジュール外部端子群
との接続を、最短で同等の長さで実現することができ
る。
As described above, according to the present invention, the data input / output terminal can be arranged on the first side of the chip, and the lead group can be arranged opposite to the first side. In addition, in the case of a module configuration, a group of external terminals for modules and a group of leads arranged on one side of the module substrate can be provided close to each other so as to be opposed to each other, and can be connected by the same module wiring in the shortest time. Therefore, the connection of the data input / output terminal group, which requires high-speed operation, to the lead group and the module external terminal group can be realized with the shortest and the same length.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の集積回路デバイスの構造を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a conventional integrated circuit device.

【図2】図1のメモリデバイスを搭載したメモリモジュ
ールの例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a memory module equipped with the memory device of FIG. 1;

【図3】第1の実施の形態例におけるメモリデバイスを
示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a memory device according to the first embodiment;

【図4】第2の実施の形態例におけるメモリデバイスを
示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a memory device according to a second embodiment;

【図5】第1及び第2のメモリデバイスを搭載したメモ
リモジュールを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a memory module on which first and second memory devices are mounted.

【図6】第3の実施の形態例におけるメモリデバイスを
示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a memory device according to a third embodiment;

【図7】第4の実施の形態例におけるメモリデバイスを
示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a memory device according to a fourth embodiment;

【図8】第3及び第4のメモリデバイスを搭載したメモ
リモジュールを示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a memory module equipped with third and fourth memory devices.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 チップ 12 リード 14 パッケージ、プラスチックモールド 30A 共通信号端子群 30B データ入出力端子群 12A 共通信号端子用リード群 12B データ入出力端子用リード群 Reference Signs List 10 chip 12 lead 14 package, plastic mold 30A common signal terminal group 30B data input / output terminal group 12A common signal terminal lead group 12B data input / output terminal lead group

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松崎 康郎 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 5F067 BE10 CD00 CD03  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yasuo Matsuzaki 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term within Fujitsu Limited 5F067 BE10 CD00 CD03

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数のデータ入出力端子を有する集積回路
デバイスにおいて、集積回路が形成され、第1の辺に沿
って前記複数のデータ入出力端子とデータ入出力用電源
端子とを有するデータ入出力端子群が形成されたチップ
と、 前記第1の辺に対向する第1の辺に沿って配置され、前
記チップ上のデータ入出力端子と接続されるデータ入出
力端子用リード群と、 前記チップ上に延長され前記データ入出力用電源端子に
接続される入出力用電源端子用リードと前記チップと前
記リードの一部を被覆するパッケージ部とを有する集積
回路デバイス。
1. An integrated circuit device having a plurality of data input / output terminals, wherein an integrated circuit is formed, and the data input / output terminal includes a plurality of data input / output terminals and a data input / output power supply terminal along a first side. A chip on which an output terminal group is formed; a data input / output terminal lead group arranged along a first side facing the first side and connected to a data input / output terminal on the chip; An integrated circuit device comprising: a lead for an input / output power supply terminal that is extended on a chip and connected to the data input / output power supply terminal; and a package part that partially covers the chip and the lead.
【請求項2】請求項1において、 前記データ入出力用電源端子用リードの一端は前記チッ
プ上に延長され、他端は、前記パッケージ部の前記第1
の辺上であって、前記データ入出力端子用リード群の外
側に配置されることを特徴とする集積回路デバイス。
2. The data input / output power supply terminal lead according to claim 1, wherein one end of the data input / output power supply terminal lead is extended on the chip, and the other end of the data input / output power supply terminal lead is connected to the first part of the package part.
, And arranged outside the data input / output terminal lead group.
【請求項3】請求項1または2において、 前記データ入出力端子群は、更に、データ入出力のタイ
ミングを制御するデータ入出力ストローブ信号端子を含
み、 更に、前記チップは、アドレス端子とコマンド端子及び
それらのタイミングを制御するクロック端子とを含む共
通信号端子群を、前記第1の辺と異なる辺上に配置した
ことを特徴とする集積回路デバイス。
3. The data input / output terminal group according to claim 1, further comprising: a data input / output strobe signal terminal for controlling data input / output timing. An integrated circuit device, wherein a common signal terminal group including a clock terminal for controlling the timing of the common signal terminal is arranged on a side different from the first side.
【請求項4】請求項1または2において、 前記入出力用電源端子用リードが、前記チップ上で高電
源用リードと低電源用リードを有する複数層構造を有
し、当該高電源用リードと低電源用リードとの間に誘電
体層を介在して電源コンデンサを構成することを特徴と
する集積回路デバイス。
4. The input / output power supply terminal lead according to claim 1, wherein the input / output power supply terminal lead has a multilayer structure having a high power supply lead and a low power supply lead on the chip. An integrated circuit device comprising a power supply capacitor with a dielectric layer interposed between the power supply lead and a low power supply lead.
【請求項5】請求項3において、 前記共通信号端子群に接続される共通信号端子用リード
群が、一端が前記チップ上の共通信号端子群の近傍まで
延在し、他端が、前記パッケージの第1の辺と隣接する
第2又は第3の辺上で外部に引き出されていることを特
徴とする集積回路デバイス。
5. The common signal terminal lead group connected to the common signal terminal group, one end of the lead group extending to the vicinity of the common signal terminal group on the chip, and the other end of the common signal terminal lead group being connected to the package. The integrated circuit device is drawn out on a second or third side adjacent to the first side of the integrated circuit device.
【請求項6】請求項1に記載された複数の集積回路デバ
イスが、モジュール基板上に並べて搭載され、前記集積
回路デバイスの第1の辺が、前記モジュール基板の第1
の辺に対向するように配置され、前記データ入出力端子
用リード群が前記モジュール基板の第1の辺に沿って設
けられたモジュール外部端子群と、それぞれ対向する位
置同志で基板内配線により接続されていることを特徴と
するモジュール。
6. A plurality of integrated circuit devices according to claim 1 are mounted side by side on a module substrate, and a first side of the integrated circuit device is connected to a first side of the module substrate.
And the data input / output terminal lead group is connected to the module external terminal group provided along the first side of the module substrate by wiring in the substrate at opposing positions. A module characterized by being performed.
【請求項7】請求項5に記載された複数の集積回路デバ
イスが、モジュール基板上に並べて搭載され、前記集積
回路デバイスの第1の辺が、前記モジュール基板の第1
の辺に対向するように配置され、前記データ入出力端子
用リード群が前記モジュール基板の第1の辺に沿って設
けられたモジュール外部端子群と、それぞれ対向する位
置同志で基板内配線により接続され、 前記複数の集積回路デバイスの共通信号端子用リード群
が、前記モジュール基板上に配置されたモジュール共通
信号端子用配線と並列に接続されることを特徴とするモ
ジュール。
7. A plurality of integrated circuit devices according to claim 5 are mounted side by side on a module substrate, and a first side of the integrated circuit device is connected to a first side of the module substrate.
And the data input / output terminal lead group is connected to the module external terminal group provided along the first side of the module substrate by wiring in the substrate at opposing positions. A module, wherein a group of common signal terminal leads of the plurality of integrated circuit devices is connected in parallel with a module common signal terminal wiring disposed on the module substrate.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237385A (en) * 2005-02-25 2006-09-07 Renesas Technology Corp Semiconductor device
JP2008135063A (en) * 2001-04-24 2008-06-12 Rambus Inc Method and apparatus for coordinating memory operation among diversely-located memory components
US7875986B2 (en) 2006-07-06 2011-01-25 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
JP2011096268A (en) * 2010-12-06 2011-05-12 Renesas Electronics Corp Multi-chip module
US8320202B2 (en) 2001-04-24 2012-11-27 Rambus Inc. Clocked memory system with termination component
US9229470B2 (en) 2004-09-15 2016-01-05 Rambus Inc. Memory controller with clock-to-strobe skew compensation

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8717837B2 (en) 2001-04-24 2014-05-06 Rambus Inc. Memory module
US9741424B2 (en) 2001-04-24 2017-08-22 Rambus Inc. Memory controller
US8760944B2 (en) 2001-04-24 2014-06-24 Rambus Inc. Memory component that samples command/address signals in response to both edges of a clock signal
US10706910B2 (en) 2001-04-24 2020-07-07 Rambus Inc. Memory controller
US8214616B2 (en) 2001-04-24 2012-07-03 Rambus Inc. Memory controller device having timing offset capability
US8320202B2 (en) 2001-04-24 2012-11-27 Rambus Inc. Clocked memory system with termination component
US8359445B2 (en) 2001-04-24 2013-01-22 Rambus Inc. Method and apparatus for signaling between devices of a memory system
US8391039B2 (en) 2001-04-24 2013-03-05 Rambus Inc. Memory module with termination component
US8395951B2 (en) 2001-04-24 2013-03-12 Rambus Inc. Memory controller
US8462566B2 (en) 2001-04-24 2013-06-11 Rambus Inc. Memory module with termination component
US8537601B2 (en) 2001-04-24 2013-09-17 Rambus Inc. Memory controller with selective data transmission delay
US9053778B2 (en) 2001-04-24 2015-06-09 Rambus Inc. Memory controller that enforces strobe-to-strobe timing offset
JP2008135063A (en) * 2001-04-24 2008-06-12 Rambus Inc Method and apparatus for coordinating memory operation among diversely-located memory components
US10236051B2 (en) 2001-04-24 2019-03-19 Rambus Inc. Memory controller
US8625371B2 (en) 2001-04-24 2014-01-07 Rambus Inc. Memory component with terminated and unterminated signaling inputs
US9472262B2 (en) 2001-04-24 2016-10-18 Rambus Inc. Memory controller
US9311976B2 (en) 2001-04-24 2016-04-12 Rambus Inc. Memory module
US9437279B2 (en) 2004-09-15 2016-09-06 Rambus Inc. Memory controller with clock-to-strobe skew compensation
US9229470B2 (en) 2004-09-15 2016-01-05 Rambus Inc. Memory controller with clock-to-strobe skew compensation
US9830971B2 (en) 2004-09-15 2017-11-28 Rambus Inc. Memory controller with clock-to-strobe skew compensation
US10755764B2 (en) 2004-09-15 2020-08-25 Rambus Inc. Memory component that enables calibrated command- and data-timing signal arrival
US10325645B2 (en) 2004-09-15 2019-06-18 Rambus Inc. Memory controller with clock-to-strobe skew compensation
US11100976B2 (en) 2004-09-15 2021-08-24 Rambus Inc. Memory controller with clock-to-strobe skew compensation
US11664067B2 (en) 2004-09-15 2023-05-30 Rambus Inc. Memory system component that enables clock-to-strobe skew compensation
JP2006237385A (en) * 2005-02-25 2006-09-07 Renesas Technology Corp Semiconductor device
US7875986B2 (en) 2006-07-06 2011-01-25 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
JP2011096268A (en) * 2010-12-06 2011-05-12 Renesas Electronics Corp Multi-chip module

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