JP2000243861A - Ceramic case and its manufacture - Google Patents
Ceramic case and its manufactureInfo
- Publication number
- JP2000243861A JP2000243861A JP11043043A JP4304399A JP2000243861A JP 2000243861 A JP2000243861 A JP 2000243861A JP 11043043 A JP11043043 A JP 11043043A JP 4304399 A JP4304399 A JP 4304399A JP 2000243861 A JP2000243861 A JP 2000243861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic container
- container
- flange
- ceramic
- corrugation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコン整
流器(ダイオード、サイリスタ、ゲートターンオフサイ
リスタ(GTO)、インシュレーテッドゲートアレイバ
イポーラトランジスタ(IGBT)、ゲートコミューテ
ィッドサイリスタ(GCT))等を収容する容器として
使用されるセラミック容器及びその製造方法に関するも
のである。The present invention relates to a container for accommodating, for example, a silicon rectifier (diode, thyristor, gate turn-off thyristor (GTO), insulated gate array bipolar transistor (IGBT), gate commutated thyristor (GCT)) and the like. And a method for producing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、例えばシリコン整流器などの
半導体素子を、絶縁及び気密的に収容するために、セラ
ミック製の容器が使用されている。このセラミック容器
は、例えば図5(c)に示す様に、アルミナ製の筒状体
P1の外表面に、電気を流れ難くするための沿面絶縁距
離を確保する目的で(即ち耐電圧を高める目的で)、複
数の凹凸からなるコルゲーションP2を設けたものであ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, ceramic containers have been used for insulatingly and hermetically housing semiconductor elements such as silicon rectifiers. For example, as shown in FIG. 5 (c), this ceramic container is provided on the outer surface of the cylindrical body P1 made of alumina for the purpose of securing a creeping insulation distance for preventing electricity from flowing (that is, for the purpose of increasing withstand voltage). ), Provided with a corrugation P2 composed of a plurality of irregularities.
【0003】この様な形状のセラミック容器を製造する
場合、従来は、例えば図5(a)に示す様に、粉末材料
P3を金型P4で一軸方向にプレス(粉末プレス)し
て、外周に凸部P5を有する筒状の成形体P6を作製
し、その後、図5(b)に示す様に、成形体P6の凸部
P5をバイト等で切削して、(焼成後に)コルゲーショ
ンP2となる鍔状部分P7を作製していた。Conventionally, when a ceramic container having such a shape is manufactured, a powder material P3 is pressed uniaxially (powder press) with a mold P4 as shown in FIG. A cylindrical molded body P6 having a convex portion P5 is manufactured, and then, as shown in FIG. 5B, the convex portion P5 of the molded body P6 is cut with a cutting tool or the like to become a corrugation P2 (after firing). The flange-shaped part P7 was produced.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た製造方法では、粉末プレスの工程以外に、コルゲーシ
ョンP2となる鍔状部分P7を切削して形成するという
工程が必要なために、セラミック容器を製作するための
時間がかかり、コストも大きくなるという問題があっ
た。However, in the above-described manufacturing method, a step of cutting and forming a flange-shaped portion P7 serving as a corrugation P2 is required in addition to the step of powder pressing. However, there is a problem that it takes time to perform the operation and the cost increases.
【0005】本発明は上記の問題点を鑑みて提案された
ものであり、製造工程を簡易化できるセラミック容器及
びその製造方法を提供することを目的としている。The present invention has been proposed in view of the above problems, and has as its object to provide a ceramic container and a method for manufacturing the same, which can simplify the manufacturing process.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】(1)前記目的を達成す
るための請求項1の発明は、容器の表面に、沿面絶縁距
離を増加させる構成を有するセラミック容器において、
前記容器の筒状の側壁の外周面に、該側壁を一周する鍔
状部を備えるとともに、該鍔状部の厚み方向の表面に、
該鍔状部を一周して前記沿面絶縁距離を増加させるコル
ゲーションを備えたことを特徴とするセラミック容器を
要旨とする。Means for Solving the Problems (1) A first aspect of the present invention for achieving the above object is a ceramic container having a structure for increasing a creeping insulation distance on a surface of the container.
On the outer peripheral surface of the cylindrical side wall of the container, a flange portion surrounding the side wall is provided, and on the surface in the thickness direction of the flange portion,
The gist of the present invention is to provide a ceramic container having a corrugation for increasing the creeping insulation distance by making a round around the flange portion.
【0007】本発明のセラミック容器は、上述した構造
の鍔状部及びコルゲーションを備えているので、その製
造の際には、容器の軸方向に一軸プレスするだけで、側
壁、鍔状部及びコルゲーションとなる成形体を容易に作
製することができる。このため、従来の様なコルゲーシ
ョンを切削して形成する工程を省略できるので、作業時
間を短くでき、製造コストを大きく低減することができ
る。[0007] The ceramic container of the present invention is provided with the flange portion and the corrugation having the above-described structure, and therefore, when the ceramic container is manufactured, it is simply uniaxially pressed in the axial direction of the container, so that the side wall, the flange portion and the corrugation are formed. Can easily be produced. Therefore, the step of cutting and forming corrugation as in the related art can be omitted, so that the working time can be shortened and the manufacturing cost can be greatly reduced.
【0008】また、鍔状部の表面にはコルゲーションを
備えているので、沿面絶縁距離を十分に確保することが
でき、耐電圧にも優れている。尚、鍔状部の厚み方向と
は、筒状の側壁の軸方向、即ち容器を一軸プレスする際
の軸方向である。Further, since the surface of the flange portion is provided with corrugations, a sufficient creepage insulation distance can be ensured, and the withstand voltage is excellent. The thickness direction of the flange portion is the axial direction of the cylindrical side wall, that is, the axial direction when the container is uniaxially pressed.
【0009】(2)請求項2の発明は、前記鍔状部は、
前記容器の側壁から垂直に突出することを特徴とする前
記請求項1に記載のセラミック容器を要旨とする。本発
明は、前記請求項1の発明を例示したものである。ここ
では、鍔状部は、容器の側壁から垂直に突出しているの
で、例えば斜めに突出した場合に比べて、強度的に有利
である。また、例えば容器の軸方向に一軸プレスして製
造する場合には、鍔状部は軸方向と垂直に伸びているの
で、その製造が容易である。(2) The invention according to claim 2 is characterized in that the flange portion is
The gist of the ceramic container according to claim 1, wherein the ceramic container protrudes vertically from a side wall of the container. The present invention exemplifies the first aspect of the present invention. Here, since the flange-shaped portion projects vertically from the side wall of the container, it is advantageous in terms of strength as compared with, for example, a case where the flange-shaped portion is projected obliquely. Also, for example, when the container is manufactured by uniaxial pressing in the axial direction of the container, the manufacturing is easy because the flange portion extends perpendicularly to the axial direction.
【0010】(3)請求項3の発明は、前記コルゲーシ
ョンは、凹部及び/又は凸部から構成されていることを
特徴とする前記請求項1又は2に記載のセラミック容器
を要旨とする。本発明は、前記請求項1又は2の発明を
例示したものである。ここでは、コルゲーションの形状
を示している。具体的には、コルゲーションとしては、
鍔状部の表面がその厚み方向にへこんだ凹部、厚み方向
に突出する凸部、及び凹部と凸部の組合せが考えられ
る。(3) The invention of claim 3 is the gist of the ceramic container according to claim 1 or 2, wherein the corrugation is constituted by concave portions and / or convex portions. The present invention exemplifies the invention of claim 1 or 2. Here, the shape of corrugation is shown. Specifically, as a corrugation,
A concave portion in which the surface of the flange portion is dented in the thickness direction, a convex portion protruding in the thickness direction, and a combination of the concave portion and the convex portion are conceivable.
【0011】(4)請求項4の発明は、前記コルゲーシ
ョンは、前記鍔状部の厚み方向の一方又は両方の表面に
設けられていることを特徴とする前記請求項1〜3のい
ずれかに記載のセラミック容器を要旨とする。(4) The invention according to claim 4 is characterized in that the corrugation is provided on one or both surfaces in the thickness direction of the flange-shaped portion. The ceramic container described above is the gist.
【0012】本発明は、前記請求項1〜3の発明を例示
したものである。ここでは、コルゲーションの形成位置
を示している。具体的には、コルゲーションは、鍔状部
の厚み方向の一方の表面のみに設けられていてもよい
が、沿面絶縁距離を大きくとるためには、両側に設けら
れていることが望ましい。The present invention exemplifies the first to third aspects of the present invention. Here, the formation position of corrugation is shown. Specifically, the corrugations may be provided only on one surface in the thickness direction of the flange portion, but are preferably provided on both sides in order to increase the creeping insulation distance.
【0013】(5)請求項5の発明は、前記コルゲーシ
ョンは、前記鍔状部の表面に、複数設けられていること
を特徴とする前記請求項4に記載のセラミック容器を要
旨とする。本発明は、前記請求項4の発明を例示したも
のである。ここでは、コルゲーションの数を示してい
る。具体的には、コルゲーションは、凹部又は凸部が一
つでも可能であるが、沿面絶縁距離を大きくとるために
は、多数の凹凸からコルゲーションが形成されているこ
とが望ましい。(5) The invention of claim 5 is the gist of the ceramic container according to claim 4, wherein a plurality of the corrugations are provided on the surface of the flange. The present invention exemplifies the invention of claim 4. Here, the number of corrugations is shown. Specifically, the corrugation can be formed by one concave portion or one convex portion. However, in order to increase the creepage insulation distance, it is desirable that corrugation is formed from a large number of irregularities.
【0014】(6)請求項6の発明は、前記セラミック
容器は、半導体素子を収容する容器であることを特徴と
する前記請求項1〜5のいずれかに記載のセラミック容
器を要旨とする。本発明は、セラミック容器の用途を例
示したものであり、ここでは、例えばサイリスタ整流器
などの半導体素子を、気密及び絶縁して収容するような
容器が挙げられる。(6) The invention of claim 6 is the gist of the ceramic container according to any one of claims 1 to 5, wherein the ceramic container is a container for housing a semiconductor element. The present invention exemplifies the use of a ceramic container, and here, for example, a container that accommodates a semiconductor element such as a thyristor rectifier in an airtight and insulated manner.
【0015】本発明では、容器の側壁の外周面に、コル
ゲーションを有する鍔状部を備えているので、高い耐電
圧を有している。 (7)請求項7の発明は、前記セラミック容器は、アル
ミナを主成分とする材料からなることを特徴とする前記
請求項1〜6のいずれかに記載のセラミック容器を要旨
とする。According to the present invention, a corrugated flange is provided on the outer peripheral surface of the side wall of the container, so that the container has a high withstand voltage. (7) The invention of claim 7 provides the ceramic container according to any one of claims 1 to 6, wherein the ceramic container is made of a material containing alumina as a main component.
【0016】本発明は、セラミック容器の主成分を例示
したものである。ここでは、アルミナを使用するので、
耐電圧が高く、製造が容易で、しかも、コスト的に有利
である。 (8)請求項8の発明は、前記請求項1〜7のいずれか
に記載のセラミック容器の製造方法であって、前記セラ
ミック容器の粉末材料を、セラミック容器の軸方向に一
軸プレスすることにより、前記鍔状部、前記コルゲーシ
ョン、及び側壁からなるセラミック容器の成形体を作製
し、その後焼成することを特徴とするセラミック容器の
製造方法を要旨とする。The present invention exemplifies the main components of the ceramic container. Here, since alumina is used,
It has high withstand voltage, is easy to manufacture, and is advantageous in cost. (8) The invention of claim 8 is the method for manufacturing a ceramic container according to any one of claims 1 to 7, wherein the powder material of the ceramic container is uniaxially pressed in the axial direction of the ceramic container. A method for producing a ceramic container, comprising: forming a molded body of a ceramic container including the flange portion, the corrugation, and the side wall;
【0017】本発明では、セラミック容器の粉末材料
を、容器の軸方向に一軸プレスすることにより、セラミ
ック容器の成形体を作製し、その後焼成することによ
り、セラミック容器を製造する。この製造方法によれ
ば、前記請求項1の発明にても説明した様に、一軸プレ
スにより、コルゲーションを含むセラミック容器の成形
体を作製できるので、従来のコルゲートを作製する際の
切削工程を省略できる。そのため、製造時間を短くで
き、コストを低減できるという顕著な効果を奏する。In the present invention, a ceramic container is produced by pressing the powder material of the ceramic container uniaxially in the axial direction of the container to produce a molded body of the ceramic container, and then firing the molded product. According to this manufacturing method, as described in the first aspect of the present invention, the molded body of the ceramic container including the corrugation can be manufactured by the uniaxial press, so that the cutting step when manufacturing the conventional corrugate is omitted. it can. Therefore, there is a remarkable effect that the manufacturing time can be shortened and the cost can be reduced.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明のセラミック容器及
びその製造方法の実施の形態の例(実施例)を、図面を
参照して説明する。 (実施例)ここでは、セラミック容器として、サイリス
タ整流器用の容器を例に挙げる。尚、図1はサイリスタ
整流器用の容器全体の縦断面図、図2はその一部を拡大
した縦断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a ceramic container and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention. (Embodiment) Here, a container for a thyristor rectifier will be described as an example of the ceramic container. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the entire thyristor rectifier container, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view in which a part thereof is enlarged.
【0019】a)まず、本実施例のサイリスタ整流器用
の容器(以下単にセラミック容器とも記す)の構成につ
いて説明する。本実施例のセラミック容器は、主成分が
アルミナの部材であり、その組成は、例えばAl2O3;
92重量%、SiO2;6重量%、MgO;1重量%、
CaO;1重量%である。尚、セラミック容器の外側表
面全体には、ガラス釉薬が焼き付けられている。A) First, the configuration of a container for a thyristor rectifier of the present embodiment (hereinafter, also simply referred to as a ceramic container) will be described. The ceramic container of the present embodiment is a member whose main component is alumina, and its composition is, for example, Al 2 O 3 ;
92% by weight, SiO 2 ; 6% by weight, MgO; 1% by weight,
CaO; 1% by weight. A glass glaze is baked on the entire outer surface of the ceramic container.
【0020】図1に示す様に、このセラミック容器1
は、容器自身の側壁を構成する筒状体3の外周面5上に
環状の鍔状部7を備えたものであり、この鍔状部7の表
面にコルゲーション9が形成されている。以下詳細に説
明する。前記筒状体3は、内径φ50mm、外径φ60
mm、高さ25mm、(側壁の)厚み5mmの円筒形の
部材であり、側壁の上側(図1の上方)には、ゲートパ
イプ25(図3参照)が取り付けられる直径3mmの連
通穴11があけられている。As shown in FIG. 1, this ceramic container 1
Is provided with an annular flange 7 on the outer peripheral surface 5 of the tubular body 3 constituting the side wall of the container itself, and a corrugation 9 is formed on the surface of the flange 7. This will be described in detail below. The cylindrical body 3 has an inner diameter of 50 mm and an outer diameter of 60 mm.
1 mm, a height of 25 mm, and a thickness of 5 mm (on the side wall). A communication hole 11 having a diameter of 3 mm to which a gate pipe 25 (see FIG. 3) is attached is provided above the side wall (above FIG. 1). It is open.
【0021】前記鍔状部7は、筒状体3の外周面5から
垂直に突出しており、側壁の下側(図1の下方)にて、
筒状体3の外周面5を一周するように環状に設けられて
いる。この鍔状部7の外周面5からの高さは10mmで
あり、その(コルゲーション9を含む)全体の厚みは6
mmである。The flange 7 projects perpendicularly from the outer peripheral surface 5 of the tubular body 3 and is located below the side wall (below in FIG. 1).
It is provided annularly so as to go around the outer peripheral surface 5 of the cylindrical body 3. The height of the flange portion 7 from the outer peripheral surface 5 is 10 mm, and the overall thickness (including the corrugation 9) is 6 mm.
mm.
【0022】また、図2に拡大して示す様に、鍔状部7
の厚み方向の両表面、即ちアルミナ容器1の軸方向(図
2の上下方向)の両表面には、複数の凸部9a及び凹部
9bからなる略波状のコルゲーション9が設けられてい
る。つまり、凸部9aは、各々軸方向に2mmの幅で2
mmの高さで突出し、凹部9bは、各々軸方向に2mm
の幅で2mmの深さでへこんでおり、各凸部9a及び凹
部9bは、鍔状部7を一周するように環状に設けられて
いる。Further, as shown in an enlarged manner in FIG.
A substantially corrugated corrugation 9 composed of a plurality of convex portions 9a and concave portions 9b is provided on both surfaces in the thickness direction of the aluminum container 1, that is, both surfaces in the axial direction (vertical direction in FIG. 2) of the alumina container 1. That is, each of the protrusions 9a has a width of 2 mm in the axial direction,
mm, and the recesses 9b are each 2 mm in the axial direction.
The convex portion 9a and the concave portion 9b are provided in an annular shape so as to go around the flange-shaped portion 7 at a depth of 2 mm.
【0023】そして、このセラミック容器1内には、図
3に示すようにして、半導体素子であるサイリスタ整流
器13が収容されている。具体的には、筒状体3の上端
面には第1クッション金具15が接合され、第1クッシ
ョン金具15には第1銅ブロック17が接合されてい
る。また、筒状体3の下端面には第1溶接金具19aが
接合されている。尚、連通穴11には、ゲートパイプ2
5が嵌め込まれている。これとは別に、第2溶接金具1
9bには第2クッション金具21が接合され、第2クッ
ション金具21には第2銅ブロック23が接合されてい
る。そして、第1銅ブロック17と第2銅ブロック23
の間にシリコン整流器13が挟み込まれ、第1溶接金具
19aと第2溶接金具19bの外周が溶接されることに
より密封固定されている。As shown in FIG. 3, a thyristor rectifier 13 which is a semiconductor element is accommodated in the ceramic container 1. Specifically, a first cushion fitting 15 is joined to the upper end surface of the tubular body 3, and a first copper block 17 is joined to the first cushion fitting 15. A first welding fitting 19a is joined to a lower end surface of the tubular body 3. The communication hole 11 is provided with the gate pipe 2.
5 is fitted. Apart from this, the second welding fitting 1
A second cushion fitting 21 is joined to 9b, and a second copper block 23 is joined to the second cushion fitting 21. Then, the first copper block 17 and the second copper block 23
The silicon rectifier 13 is interposed therebetween, and the outer circumferences of the first welding metal 19a and the second welding metal 19b are welded to be hermetically fixed.
【0024】b)次に、本実施例のセラミック容器1の
製造方法を説明する。 まず、前記セラミック容器1の組成となるように、主
成分のアルミナ粉、アルミナ粉以外の副成分の粉体、バ
インダーを、粉砕、調合し、スプレードライにて粉末
(粉末材料)とする。B) Next, a method for manufacturing the ceramic container 1 of this embodiment will be described. First, alumina powder as a main component, powder of a sub-component other than alumina powder, and a binder are pulverized and blended so as to have a composition of the ceramic container 1, and then powdered (powder material) by spray drying.
【0025】次に、図4(a)に示す様に、この粉末
材料を金型27内の空間29に充填する。この金型27
は、粉末材料を図の上下方向に一軸プレスするためのも
のであり、中央より順に、第1金型31、第2金型3
2、第3金型33からなり、第2金型32は、第2上金
型32a及び第2下金型32bからなる。Next, as shown in FIG. 4A, this powder material is filled in a space 29 in a mold 27. This mold 27
Is for uniaxially pressing the powder material in the vertical direction in the figure, and the first mold 31 and the second mold 3 are arranged in order from the center.
The second mold 32 includes a second upper mold 32a and a second lower mold 32b.
【0026】そして、この状態で、空間29内の粉末
材料を、第2上金型32a及び第2下金型32bによ
り、上下方向に例えば1500kg/cm2の圧力で押
圧して、図4(b)に示す様なセラミック容器1の未焼
成の成形体(以下単にセラミック成形体と記す)1’を
作製する。Then, in this state, the powder material in the space 29 is pressed vertically by the second upper die 32a and the second lower die 32b at a pressure of, for example, 1500 kg / cm 2 , and FIG. An unsintered molded body (hereinafter simply referred to as a ceramic molded body) 1 'of the ceramic container 1 as shown in b) is prepared.
【0027】つまり、前記第2金型32は、筒状体3、
鍔状部7及びコルゲーション9の形状に合わせた形状を
有しているので、上述した一軸プレスにより、未焼成の
筒状体成形体3’、鍔状部成形体7’及びコルゲーショ
ン成形体9’からなるセラミック成形体1’を、一度に
作製することができる。That is, the second mold 32 includes the cylindrical body 3,
Since it has a shape according to the shape of the flange portion 7 and the corrugation 9, the unfired tubular body molded body 3 ′, the flange-shaped body molded body 7 ′, and the corrugated molded body 9 ′ are formed by the above-described uniaxial press. Can be manufactured at once.
【0028】次に、セラミック成形体1’の側壁に、
ドリル等で穴を明けて、連通穴11を形成する。 その後、セラミック成形体1’を、大気中にて、例え
ば1600℃で焼成して、焼成体であるセラミック容器
1を作製する。Next, on the side wall of the ceramic molded body 1 ',
A communication hole 11 is formed by drilling a hole with a drill or the like. Thereafter, the ceramic molded body 1 ′ is fired in the air at, for example, 1600 ° C., to produce a fired ceramic container 1.
【0029】次に、セラミック容器1の筒状体3の上
端面及び下端面を研磨する。 次に、筒状体3の外周面にガラス釉薬をかけて、大気
中にて、例えば1400℃で焼成する。 以上がセラミック容器1自体の製造方法であるが、セラ
ミック容器1内にサイリスタ整流器13を収容するため
には、更に、下記の作業を行う。Next, the upper end face and the lower end face of the cylindrical body 3 of the ceramic container 1 are polished. Next, a glass glaze is applied to the outer peripheral surface of the cylindrical body 3 and fired at 1400 ° C. in the air. The above is the method of manufacturing the ceramic container 1 itself. To accommodate the thyristor rectifier 13 in the ceramic container 1, the following operation is further performed.
【0030】研磨した端面や連通穴11の表面に、モ
リブデン等からなるメタライズ層(図示せず)を形成
し、このメタライズ層の表面に、ニッケルメッキを施
す。 その後、筒状体3の上端面に、第1クッション金具1
5及び第1銅ブロック17をろう付けし、下端面には、
第1溶接金具19aをろう付けする。尚、連通穴11に
は、ゲートパイプ25を嵌め込んで、ろう付けする。ま
た、これとは別に、第2溶接金具19bに、第2クッシ
ョン金具21と第2銅ブロック23をろう付けする。そ
して、第1銅ブロック17と第2銅ブロック23の間に
シリコン整流器13を挟み込んで、第1溶接金具19a
と第2溶接金具19bの外周を溶接する。A metallized layer (not shown) made of molybdenum or the like is formed on the polished end surface or the surface of the communication hole 11, and the surface of the metallized layer is plated with nickel. Then, the first cushion fitting 1 is attached to the upper end surface of the cylindrical body 3.
5 and the first copper block 17 are brazed.
The first welding metal 19a is brazed. The communication pipe 11 is fitted with a gate pipe 25 and brazed. Separately, the second cushion fitting 21 and the second copper block 23 are brazed to the second welding fitting 19b. Then, the silicon rectifier 13 is sandwiched between the first copper block 17 and the second copper block 23, and the first welding metal 19a is formed.
And the outer periphery of the second welding metal 19b.
【0031】この様に、本実施例では、従来の様に、粉
末材料を一軸プレスして得た成形体を切削してコルゲー
ションを作製するのではなく、金型として鍔状部7やコ
ルゲーション9に対応した形状を有する第2金型32を
用いるので、一軸プレスするだけで、鍔状部7やコルゲ
ーション9とほぼ同形状の鍔状部形成体7’やコルゲー
ション成形体9’(但し焼成による収縮を見込んだも
の)を作製することができる。As described above, in the present embodiment, a corrugation is not produced by cutting a compact obtained by uniaxially pressing a powder material as in the related art, but a flange 7 or a corrugation 9 as a mold. Since the second mold 32 having a shape corresponding to the above is used, a uniaxial press is only required, so that a flange-shaped part forming body 7 'or a corrugated molded body 9' having substantially the same shape as the flange-shaped part 7 or corrugation 9 (however, the (Considering shrinkage).
【0032】よって、このセラミック成形体1’を焼成
することにより、セラミック容器1が得られるので、従
来の様なコルゲーションの切削工程を省略できる。その
ため、製造にかかる時間を短くでき、コスト低減にも大
きく寄与することができる。また、この様にして製造さ
れたセラミック容器1は、鍔状部7の表面に複数の凹凸
からなるコルゲーション9を備えているので、十分に沿
面絶縁距離を確保することができ、耐電圧にも優れてい
る。Thus, the ceramic container 1 is obtained by firing the ceramic molded body 1 ', so that the conventional corrugation cutting step can be omitted. Therefore, the time required for manufacturing can be shortened, and the cost can be greatly reduced. In addition, since the ceramic container 1 manufactured in this manner is provided with the corrugations 9 having a plurality of irregularities on the surface of the flange-shaped portion 7, a sufficient creepage insulation distance can be secured, and the withstand voltage can be reduced. Are better.
【0033】尚、本発明は前記実施例になんら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。 (1)例えば、鍔状部及びコルゲーションの形状は、一
軸プレス可能で、十分に沿面絶縁距離を確保できれば、
特に限定はなく、コルゲーションの凸部や凹部の数や大
きさも、適宜設定すればよい。It is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention. (1) For example, if the shape of the flange portion and the corrugation can be uniaxially pressed and a sufficient creepage insulation distance can be secured,
There is no particular limitation, and the number and size of the projections and depressions of the corrugation may be appropriately set.
【0034】(2)また、コルゲーションは、鍔状部の
両側に設けることが望ましいが、十分に沿面距離を確保
できれば、一方の表面のみに設けてもよい。 (3)更に、鍔状部は、容器の側壁に垂直に設けること
が望ましいが、十分に沿面距離を確保できれば、側壁か
ら斜めに伸びるようにしてもよい。(2) The corrugations are desirably provided on both sides of the flange portion, but may be provided only on one surface if a sufficient creepage distance can be secured. (3) Further, it is desirable that the flange portion is provided perpendicular to the side wall of the container. However, if a sufficient creepage distance can be ensured, the flange portion may extend obliquely from the side wall.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上詳述した様に、本発明のセラミック
容器は、容器の側壁の外周面に鍔状部を備えるととも
に、鍔状部の表面に沿面絶縁距離を増加させるコルゲー
ションを備えた構成であるので、製造する場合には、従
来の様なコルゲーションの切削加工が不要である。As described in detail above, the ceramic container of the present invention has a flange on the outer peripheral surface of the side wall of the container and a corrugation on the surface of the flange to increase the creeping insulation distance. Therefore, in the case of manufacturing, cutting of corrugation as in the related art is unnecessary.
【0036】そのため、十分な沿面絶縁距離を確保でき
るとともに、その製造の際には、製造工程や製造時間を
低減でき、コストも低減できるという効果を奏する。Therefore, it is possible to ensure a sufficient creepage insulation distance, and at the time of manufacturing, it is possible to reduce the number of manufacturing steps and time, and to reduce the cost.
【図1】 実施例のアルミナ容器を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an alumina container according to an embodiment.
【図2】 実施例のアルミナ容器の要部を拡大して示す
断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the alumina container of the embodiment.
【図3】 実施例のアルミナ容器にサイリスタ整流器等
を収容した状態を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which a thyristor rectifier and the like are accommodated in an alumina container of the embodiment.
【図4】 実施例のアルミナ容器の製造方法を示し、
(a)は金型によるプレスの状態を示す説明図、(b)
はセラミック成形体を示す断面図である。FIG. 4 shows a method for producing an alumina container of an example,
(A) is an explanatory view showing a state of pressing by a mold, (b)
FIG. 2 is a sectional view showing a ceramic molded body.
【図5】 従来技術の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional technique.
1…セラミック容器 1’…セラミック成形体 3…筒状体 3’…筒状体成形体 7…鍔状部 7’…鍔状部成形体 9…コルゲーション 9’…コルゲーション成形体 9a…凸部 9b…凹部 27…金型 31…第1金型 32…第2金型 33…第3金型 32a…第2上金型 32b…第2下金型 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic container 1 '... Ceramic molded body 3 ... Cylindrical body 3' ... Cylindrical molded body 7 ... Flange part 7 '... Flange-shaped molded body 9 ... Corrugation 9' ... Corrugation molded body 9a ... Convex part 9b ... recess 27 ... mold 31 ... first mold 32 ... second mold 33 ... third mold 32a ... second upper mold 32b ... second lower mold
Claims (8)
る構成を有するセラミック容器において、 前記容器の筒状の側壁の外周面に、該側壁を一周する鍔
状部を備えるとともに、該鍔状部の厚み方向の表面に、
該鍔状部を一周して前記沿面絶縁距離を増加させるコル
ゲーションを備えたことを特徴とするセラミック容器。1. A ceramic container having a configuration in which a creepage insulation distance is increased on a surface of a container, wherein the outer peripheral surface of a cylindrical side wall of the container is provided with a flange-shaped portion surrounding the side wall and the flange-shaped portion. On the surface in the thickness direction of the part,
A ceramic container comprising a corrugation that makes a round around the flange to increase the creeping insulation distance.
に突出することを特徴とする前記請求項1に記載のセラ
ミック容器。2. The ceramic container according to claim 1, wherein the flange portion projects vertically from a side wall of the container.
凸部から構成されていることを特徴とする前記請求項1
又は2に記載のセラミック容器。3. The corrugation according to claim 1, wherein the corrugations are formed of concave portions and / or convex portions.
Or the ceramic container according to 2.
み方向の一方又は両方の表面に設けられていることを特
徴とする前記請求項1〜3のいずれかに記載のセラミッ
ク容器。4. The ceramic container according to claim 1, wherein the corrugation is provided on one or both surfaces in a thickness direction of the flange.
面に、複数設けられていることを特徴とする前記請求項
4に記載のセラミック容器。5. The ceramic container according to claim 4, wherein a plurality of the corrugations are provided on a surface of the flange portion.
容する容器であることを特徴とする前記請求項1〜5の
いずれかに記載のセラミック容器。6. The ceramic container according to claim 1, wherein the ceramic container is a container for housing a semiconductor element.
分とする材料からなることを特徴とする前記請求項1〜
6のいずれかに記載のセラミック容器。7. The ceramic container according to claim 1, wherein the ceramic container is made of a material containing alumina as a main component.
7. The ceramic container according to any one of 6.
ラミック容器の製造方法であって、 前記セラミック容器の粉末材料を、セラミック容器の軸
方向に一軸プレスすることにより、前記鍔状部、前記コ
ルゲーション、及び側壁からなるセラミック容器の成形
体を作製し、その後焼成することを特徴とするセラミッ
ク容器の製造方法。8. The method for manufacturing a ceramic container according to claim 1, wherein the powder material of the ceramic container is uniaxially pressed in an axial direction of the ceramic container, so that the flange portion is formed. A method for producing a ceramic container, comprising: forming a molded body of the ceramic container comprising the corrugation and the side wall;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11043043A JP2000243861A (en) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Ceramic case and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11043043A JP2000243861A (en) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Ceramic case and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000243861A true JP2000243861A (en) | 2000-09-08 |
Family
ID=12652883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11043043A Pending JP2000243861A (en) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Ceramic case and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000243861A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7184276B2 (en) | 2000-09-05 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board, and electronic instrument |
JP2009043754A (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Shihen Tech Corp | Bobbin for transformer |
JP2016082105A (en) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-02-22 JP JP11043043A patent/JP2000243861A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7184276B2 (en) | 2000-09-05 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board, and electronic instrument |
JP2009043754A (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Shihen Tech Corp | Bobbin for transformer |
JP2016082105A (en) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110858577A (en) | Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips | |
US6777858B2 (en) | Ceramic package for crystal oscillator | |
JP2000243861A (en) | Ceramic case and its manufacture | |
JP2000183222A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
KR20200024273A (en) | Ceramic heater | |
EP0751539A2 (en) | Positive characteristics thermistor device | |
JPS6236773B2 (en) | ||
JPS5855112B2 (en) | Brazed structure of ceramics and Al | |
JP3277751B2 (en) | Flat semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JPWO2020045563A1 (en) | Semiconductor package and semiconductor device equipped with it | |
JPH0749152B2 (en) | Method for manufacturing envelope of rectifying element | |
JP3353570B2 (en) | Flat semiconductor element | |
JP2004253556A (en) | Semiconductor element storage package and semiconductor device | |
JPS6214513B2 (en) | ||
JPS6342147A (en) | Manufacture of ceramic package | |
JP2004266188A (en) | Semiconductor device package, method of manufacturing the same, and semiconductor device using the same | |
JPS6218048Y2 (en) | ||
JP3945176B2 (en) | Metal wall package | |
US12300476B2 (en) | Wafer placement table | |
JPH06151622A (en) | Package for accommodation of semiconductor element and its manufacture | |
CN210200707U (en) | Molybdenum-copper and tungsten-copper composite heat sink with CPM structure | |
TWI874856B (en) | Wafer placement table | |
CN111128931B (en) | Rectifier tube shell | |
JP2002254166A (en) | Brazing structure | |
JPS6032777Y2 (en) | insulated terminal |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050426 |