JP2000243799A - 測定用ウエハの再生処理方法 - Google Patents
測定用ウエハの再生処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚測定用ウエハの再生使用に際して、無用
な費用の増加を招くことなく、酸化膜の形成工程により
形成される膜厚を正確に把握できる膜厚測定用ウエハの
再生処理方法を得る。 【解決手段】 酸化膜が形成された膜厚測定用ウエハ３
の厚み、歪み値を測定し（Ｓ８）、その測定値を予め定
めた基準値と比較して基準値以内にあるもののみを選別
し（Ｓ９）、再生使用可能なものとして膜厚測定用ウエ
ハバッファへ収納する（Ｓ１０）。また、拡散炉１にお
ける酸化膜形成工程（Ｓ１）に対し適時に膜厚測定用ウ
エハバッファ内の膜厚測定用ウエハ３を取り出して酸化
膜の除去・洗浄を行い（Ｓ１１）、拡散炉１へ膜厚測定
用ウエハ３を供給する。
な費用の増加を招くことなく、酸化膜の形成工程により
形成される膜厚を正確に把握できる膜厚測定用ウエハの
再生処理方法を得る。 【解決手段】 酸化膜が形成された膜厚測定用ウエハ３
の厚み、歪み値を測定し（Ｓ８）、その測定値を予め定
めた基準値と比較して基準値以内にあるもののみを選別
し（Ｓ９）、再生使用可能なものとして膜厚測定用ウエ
ハバッファへ収納する（Ｓ１０）。また、拡散炉１にお
ける酸化膜形成工程（Ｓ１）に対し適時に膜厚測定用ウ
エハバッファ内の膜厚測定用ウエハ３を取り出して酸化
膜の除去・洗浄を行い（Ｓ１１）、拡散炉１へ膜厚測定
用ウエハ３を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハの拡散工
程における酸化膜形成時に使用された膜厚測定用ウエハ
の再使用の可否判断を膜厚測定用ウエハの厚み及び歪み
の測定値と基準値との比較を基に行い再生処理する膜厚
測定用ウエハの再生処理方法に関する。
程における酸化膜形成時に使用された膜厚測定用ウエハ
の再使用の可否判断を膜厚測定用ウエハの厚み及び歪み
の測定値と基準値との比較を基に行い再生処理する膜厚
測定用ウエハの再生処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において最も重要
で基本的なものに拡散工程があり、全製造工程中、４〜
８回の拡散が行われる。この拡散を行うための準備工程
の一つに拡散炉中でのウエハ表面へのシリコン酸化膜
（以下、単に酸化膜という）の形成工程があり、形成さ
れた膜厚の評価は、製品ウエハロットと同じ拡散炉内で
同時に処理された膜厚測定用ウエハの形成膜厚を測定す
ることにより行っている。
で基本的なものに拡散工程があり、全製造工程中、４〜
８回の拡散が行われる。この拡散を行うための準備工程
の一つに拡散炉中でのウエハ表面へのシリコン酸化膜
（以下、単に酸化膜という）の形成工程があり、形成さ
れた膜厚の評価は、製品ウエハロットと同じ拡散炉内で
同時に処理された膜厚測定用ウエハの形成膜厚を測定す
ることにより行っている。
【０００３】図３は、従来の膜厚測定用ウエハの再生処
理手順を示す処理フロー図である。図３において、高純
度石英管からなる拡散炉１内のボード上に酸化膜を形成
すべき製品ウエハ２を、例えば４ロット（１００枚）配
置し、同じボード上の両端部並びに中央部に各１枚ずつ
の膜厚測定用ウエハ３を配置して、乾燥酸素又は湿潤酸
素を導入し、所要温度に加熱して製品ウエハ２と膜厚測
定用ウエハ３へ酸化膜を形成する（Ｓ１）。このように
膜厚測定用ウエハ３を同じ拡散炉１内に入れて同時処理
するのは、同一条件で処理した膜厚測定用ウエハ３を用
いて製品ウエハ２の酸化膜の厚さを代理させ評価するた
めである。酸化膜の形成工程が終了すると、膜厚測定用
ウエハ３は取り出されて膜厚測定装置（図示せず）に自
動搬送され、例えば、公知のＣＡＲＩＳ法等の光学的手
法を用いて膜厚が測定・確認される（Ｓ２）。その後、
膜厚測定用ウエハ３は自動搬送されて回収装置のカセッ
ト（いずれも図示せず）に収納され（Ｓ３）、所定枚数
に達したら作業員がそのカセットを取り出してエッチン
グ装置（図示せず）に手動搬送・セットし、膜厚測定用
ウエハ３の酸化膜を除去・洗浄する（Ｓ４）。次いで、
その膜厚測定用ウエハ３が管理上の所定期限を経過して
いるかどうかが作業員によりチェックされ（Ｓ５）、使
用期限内のものであれば膜厚測定用ウエハバッファ（図
示せず）へ収納され、再使用されるまで待機する（Ｓ
６）。使用期限に達しておれば、膜厚測定用ウエハ３は
すべて廃却され（Ｓ７）、次回から新しい膜厚測定用ウ
エハ３が投入されて同様の処理がなされる。以上のプロ
セス中、作業員による作業を除きコンピュータにより自
動制御されている。
理手順を示す処理フロー図である。図３において、高純
度石英管からなる拡散炉１内のボード上に酸化膜を形成
すべき製品ウエハ２を、例えば４ロット（１００枚）配
置し、同じボード上の両端部並びに中央部に各１枚ずつ
の膜厚測定用ウエハ３を配置して、乾燥酸素又は湿潤酸
素を導入し、所要温度に加熱して製品ウエハ２と膜厚測
定用ウエハ３へ酸化膜を形成する（Ｓ１）。このように
膜厚測定用ウエハ３を同じ拡散炉１内に入れて同時処理
するのは、同一条件で処理した膜厚測定用ウエハ３を用
いて製品ウエハ２の酸化膜の厚さを代理させ評価するた
めである。酸化膜の形成工程が終了すると、膜厚測定用
ウエハ３は取り出されて膜厚測定装置（図示せず）に自
動搬送され、例えば、公知のＣＡＲＩＳ法等の光学的手
法を用いて膜厚が測定・確認される（Ｓ２）。その後、
膜厚測定用ウエハ３は自動搬送されて回収装置のカセッ
ト（いずれも図示せず）に収納され（Ｓ３）、所定枚数
に達したら作業員がそのカセットを取り出してエッチン
グ装置（図示せず）に手動搬送・セットし、膜厚測定用
ウエハ３の酸化膜を除去・洗浄する（Ｓ４）。次いで、
その膜厚測定用ウエハ３が管理上の所定期限を経過して
いるかどうかが作業員によりチェックされ（Ｓ５）、使
用期限内のものであれば膜厚測定用ウエハバッファ（図
示せず）へ収納され、再使用されるまで待機する（Ｓ
６）。使用期限に達しておれば、膜厚測定用ウエハ３は
すべて廃却され（Ｓ７）、次回から新しい膜厚測定用ウ
エハ３が投入されて同様の処理がなされる。以上のプロ
セス中、作業員による作業を除きコンピュータにより自
動制御されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
膜厚測定用ウエハ３の再生可否の判断は、膜厚測定用ウ
エハ３が所定期間使用されたか否がで行い、期間を経過
しておれば全て廃却していたため、使用可能なものまで
も廃却されることが多々あり、無駄な費用を費やしてい
た。また、酸化膜をエッチング除去する際のバラツキも
あり、逆に、本来なら再使用できないものが混入する場
合もあった。更に、膜厚測定用ウエハ３の酸化膜を除去
・洗浄してから再使用するまでに時間がかかり自然酸化
膜が成長してしまうため、酸化膜の形成工程により形成
される膜厚が正確に計測できないという問題もあった。
膜厚測定用ウエハ３の再生可否の判断は、膜厚測定用ウ
エハ３が所定期間使用されたか否がで行い、期間を経過
しておれば全て廃却していたため、使用可能なものまで
も廃却されることが多々あり、無駄な費用を費やしてい
た。また、酸化膜をエッチング除去する際のバラツキも
あり、逆に、本来なら再使用できないものが混入する場
合もあった。更に、膜厚測定用ウエハ３の酸化膜を除去
・洗浄してから再使用するまでに時間がかかり自然酸化
膜が成長してしまうため、酸化膜の形成工程により形成
される膜厚が正確に計測できないという問題もあった。
【０００５】この発明は、以上のような従来の膜厚測定
用ウエハの再生処理方法の問題点を解消するためになさ
れたものであり、無用な費用の増加を招くことなく、酸
化膜の形成工程により形成される膜厚を正確に把握でき
る膜厚測定用ウエハの再生処理方法を提供するものであ
る。
用ウエハの再生処理方法の問題点を解消するためになさ
れたものであり、無用な費用の増加を招くことなく、酸
化膜の形成工程により形成される膜厚を正確に把握でき
る膜厚測定用ウエハの再生処理方法を提供するものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、製品ウエハ
の表面に酸化膜を形成するとき、拡散炉内に上記製品ウ
エハと共に膜厚測定用ウエハを配置し、上記膜厚測定用
ウエハに形成された酸化膜の膜厚を測定して上記製品ウ
エハの表面に形成された酸化膜の膜厚を評価するために
用いられる膜厚測定用ウエハの再生処理方法において、
酸化膜が形成された膜厚測定用ウエハの所定部分の寸法
値を測定する第１の工程、膜厚測定用ウエハの測定され
た所定部分の寸法値を予め定められた基準値と比較し、
寸法値が基準値を満たすものを選別する第２の工程、選
別された膜厚測定用ウエハの酸化膜を除去する第３の工
程を含んで構成したものである。また、第１の工程の膜
厚測定用ウエハの所定部分の寸法値を、膜厚測定用ウエ
ハの所定部分の厚み及び歪み値としたものである。更
に、第３の工程を、製品ウエハへの酸化膜形成工程に合
わせて適時に行うようにしたものである。
の表面に酸化膜を形成するとき、拡散炉内に上記製品ウ
エハと共に膜厚測定用ウエハを配置し、上記膜厚測定用
ウエハに形成された酸化膜の膜厚を測定して上記製品ウ
エハの表面に形成された酸化膜の膜厚を評価するために
用いられる膜厚測定用ウエハの再生処理方法において、
酸化膜が形成された膜厚測定用ウエハの所定部分の寸法
値を測定する第１の工程、膜厚測定用ウエハの測定され
た所定部分の寸法値を予め定められた基準値と比較し、
寸法値が基準値を満たすものを選別する第２の工程、選
別された膜厚測定用ウエハの酸化膜を除去する第３の工
程を含んで構成したものである。また、第１の工程の膜
厚測定用ウエハの所定部分の寸法値を、膜厚測定用ウエ
ハの所定部分の厚み及び歪み値としたものである。更
に、第３の工程を、製品ウエハへの酸化膜形成工程に合
わせて適時に行うようにしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施の形態につき、図面を基に説明する。図１は、こ
の発明の実施の形態１であるウエハ自動搬送システムの
制御系の構成を示すブロック図であり、図２は、この発
明の実施の形態１である膜厚測定用ウエハの再生処理手
順を示す処理フロー図である。なお、各図中、同一符号
は従来例におけるものと同一又は同等のものを示す。図
１において、４は再生処理された膜厚測定用ウエハ３が
収納され再使用時まで待機する膜厚測定用ウエハバッフ
ァ、５は製造ライン（本図の場合は拡散工程ライン）内
で処理されるウエハ２を収納したカセット（図示せず）
を自動搬送するライン内搬送車、６は酸化膜が形成され
た膜厚測定用ウエハの膜厚を測定する膜厚測定装置、７
は膜厚測定が終了した膜厚測定用ウエハ３を収容する膜
厚測定用ウエハ回収装置、８は膜厚測定用ウエハの厚み
及び歪み値を測定するウエハ厚み及び歪み値測定装置、
９は再生使用可能な膜厚測定用ウエハ３の酸化膜を除去
・洗浄するエッチング洗浄装置であり、これらの装置
１，４〜９は、その動作をライン内制御コンピュータ１
１で制御されている。なお、ライン内制御コンピュータ
１１は、各製造ライン毎に設けられており、それぞれが
ライン制御コンピュータ１２により制御される。１０は
処理されるウエハ２を収納したカセットの各製造ライン
間における搬送を行うライン間搬送車であり、ライン間
搬送制御コンピュータ１３により制御される。そして、
ライン制御コンピュータ１２及びライン間搬送制御コン
ピュータ１３は、システム全体の工程を記憶し工程進捗
管理機能を有するシステム統括コンピュータ１４により
統括制御される。
一実施の形態につき、図面を基に説明する。図１は、こ
の発明の実施の形態１であるウエハ自動搬送システムの
制御系の構成を示すブロック図であり、図２は、この発
明の実施の形態１である膜厚測定用ウエハの再生処理手
順を示す処理フロー図である。なお、各図中、同一符号
は従来例におけるものと同一又は同等のものを示す。図
１において、４は再生処理された膜厚測定用ウエハ３が
収納され再使用時まで待機する膜厚測定用ウエハバッフ
ァ、５は製造ライン（本図の場合は拡散工程ライン）内
で処理されるウエハ２を収納したカセット（図示せず）
を自動搬送するライン内搬送車、６は酸化膜が形成され
た膜厚測定用ウエハの膜厚を測定する膜厚測定装置、７
は膜厚測定が終了した膜厚測定用ウエハ３を収容する膜
厚測定用ウエハ回収装置、８は膜厚測定用ウエハの厚み
及び歪み値を測定するウエハ厚み及び歪み値測定装置、
９は再生使用可能な膜厚測定用ウエハ３の酸化膜を除去
・洗浄するエッチング洗浄装置であり、これらの装置
１，４〜９は、その動作をライン内制御コンピュータ１
１で制御されている。なお、ライン内制御コンピュータ
１１は、各製造ライン毎に設けられており、それぞれが
ライン制御コンピュータ１２により制御される。１０は
処理されるウエハ２を収納したカセットの各製造ライン
間における搬送を行うライン間搬送車であり、ライン間
搬送制御コンピュータ１３により制御される。そして、
ライン制御コンピュータ１２及びライン間搬送制御コン
ピュータ１３は、システム全体の工程を記憶し工程進捗
管理機能を有するシステム統括コンピュータ１４により
統括制御される。
【０００８】次に、動作について説明する。図１，図２
において、システム統括コンピュータ１４から拡散工程
への進捗指示がライン制御コンピュータ１２及びライン
間搬送コンピュータ１３に出されると、先ず、拡散工程
ラインのライン内コンピュータ１１に指示が伝達され、
更に、拡散炉１のコントローラ（図示せず）に伝達され
て、同一ボート上に装着された製品ウエハ２並びに膜厚
測定用ウエハ３が拡散炉１内に挿入され、ウエハ表面へ
の酸化膜の形成がなされる（Ｓ１）。酸化膜の形成が終
了すると、膜厚測定用ウエハ３はライン間搬送制御コン
ピュータ１３の指示を受けたライン間搬送車１０に移載
され膜厚測定装置６に自動搬送・装着されて、形成され
た酸化膜の膜厚が測定される（Ｓ２）。膜厚測定が終了
すると、膜厚測定用ウエハ３はライン内搬送車５に移載
されて膜厚測定用ウエハ回収装置７のカセットへ収容さ
れ（Ｓ３）、所定の枚数に達したら、ライン間搬送車１
０に移載されウエハ厚み及び歪み値測定装置８に自動搬
送・装着されて、各膜厚測定用ウエハ３の厚み及び歪み
値が測定される（Ｓ８）。そして、その測定データがラ
イン内コンピュータ１１経由でライン制御コンピュータ
１２に伝達されると、ライン制御コンピュータ１２は予
め記憶されている基準値と比較し、基準値以内にあれば
膜厚測定用ウエハ３はライン内搬送車５に移載・搬送さ
れて、膜厚測定用ウエハバッファ４へ収納され（Ｓ１
０）、拡散炉１における再使用要求があるまで待機す
る。
において、システム統括コンピュータ１４から拡散工程
への進捗指示がライン制御コンピュータ１２及びライン
間搬送コンピュータ１３に出されると、先ず、拡散工程
ラインのライン内コンピュータ１１に指示が伝達され、
更に、拡散炉１のコントローラ（図示せず）に伝達され
て、同一ボート上に装着された製品ウエハ２並びに膜厚
測定用ウエハ３が拡散炉１内に挿入され、ウエハ表面へ
の酸化膜の形成がなされる（Ｓ１）。酸化膜の形成が終
了すると、膜厚測定用ウエハ３はライン間搬送制御コン
ピュータ１３の指示を受けたライン間搬送車１０に移載
され膜厚測定装置６に自動搬送・装着されて、形成され
た酸化膜の膜厚が測定される（Ｓ２）。膜厚測定が終了
すると、膜厚測定用ウエハ３はライン内搬送車５に移載
されて膜厚測定用ウエハ回収装置７のカセットへ収容さ
れ（Ｓ３）、所定の枚数に達したら、ライン間搬送車１
０に移載されウエハ厚み及び歪み値測定装置８に自動搬
送・装着されて、各膜厚測定用ウエハ３の厚み及び歪み
値が測定される（Ｓ８）。そして、その測定データがラ
イン内コンピュータ１１経由でライン制御コンピュータ
１２に伝達されると、ライン制御コンピュータ１２は予
め記憶されている基準値と比較し、基準値以内にあれば
膜厚測定用ウエハ３はライン内搬送車５に移載・搬送さ
れて、膜厚測定用ウエハバッファ４へ収納され（Ｓ１
０）、拡散炉１における再使用要求があるまで待機す
る。
【０００９】この場合、ウエハ厚みの測定はレーザ変位
測定ヘッドを有する挟み込み式ウエハ厚さ測定装置（図
示せず）を用いて、例えば、０．６２５ｍｍのウエハ厚
みに対して１０％減の０．５６２５ｍｍを再使用可否の
基準とし、これ以下の厚さの膜厚測定用ウエハ３は廃却
する。また、ウエハの歪み値の測定は、上記ウエハ厚さ
測定装置により中心位置基準による相対反りが、例え
ば、１０％増の０．６８７５ｍｍ以上の膜厚測定用ウエ
ハ３は廃却する。ウエハの厚みが薄くなり、或いは歪み
値が大きくなると、拡散炉内で割れが生じたり、隣接ウ
エハと接触して均一な膜厚が得られない等の不具合が生
じるからである。以上のように、膜厚測定用ウエハ３の
厚み及び歪み値を測定し、測定値を予め定めた基準値と
比較してその再使用の可否を決め、再使用できると判断
された膜厚測定用ウエハ３のみを再生処理するようにし
たので、再使用可能にもかかわらず従来廃却していたの
を確実に評価して再使用できるので、無用な費用の増加
を防ぐことができる。
測定ヘッドを有する挟み込み式ウエハ厚さ測定装置（図
示せず）を用いて、例えば、０．６２５ｍｍのウエハ厚
みに対して１０％減の０．５６２５ｍｍを再使用可否の
基準とし、これ以下の厚さの膜厚測定用ウエハ３は廃却
する。また、ウエハの歪み値の測定は、上記ウエハ厚さ
測定装置により中心位置基準による相対反りが、例え
ば、１０％増の０．６８７５ｍｍ以上の膜厚測定用ウエ
ハ３は廃却する。ウエハの厚みが薄くなり、或いは歪み
値が大きくなると、拡散炉内で割れが生じたり、隣接ウ
エハと接触して均一な膜厚が得られない等の不具合が生
じるからである。以上のように、膜厚測定用ウエハ３の
厚み及び歪み値を測定し、測定値を予め定めた基準値と
比較してその再使用の可否を決め、再使用できると判断
された膜厚測定用ウエハ３のみを再生処理するようにし
たので、再使用可能にもかかわらず従来廃却していたの
を確実に評価して再使用できるので、無用な費用の増加
を防ぐことができる。
【００１０】次の処理を行う製品ウエハロット要求が拡
散炉１のコントローラ（図示せず）からライン内制御コ
ンピュータ１１、ライン制御コンピュータ１２を経てシ
ステム統括コンピュータ１４に送られると、システム統
括コンピュータ１４から工程進捗の指示がライン制御コ
ンピュータ１２及びライン間搬送制御コンピュータ１３
に出される。そして、ライン間搬送制御コンピュータ１
３の所定の指示を受けたライン間搬送車１０により新た
な製品ウエハ２が自動搬送されて拡散炉１にセットされ
る。また、同じく工程進捗の指示を受けたライン制御コ
ンピュータ１２の所定の指示を受けたライン内制御コン
ピュータ１１はライン内搬送車５にその指示を伝達し、
所定の膜厚測定用ウエハ３がライン内搬送車５に移載さ
れて、膜厚測定用ウエハバッファ４からエッチング洗浄
装置９へ自動搬送・セットされ酸化膜が除去・洗浄され
る（Ｓ１１）。そして、酸化膜の除去・洗浄が終わった
膜厚測定用ウエハ３はライン内搬送車５に移載され、拡
散炉１に自動搬送・セットされて、同様にセットされた
製品ウエハ２と共に酸化膜形成がされる（Ｓ１）。
散炉１のコントローラ（図示せず）からライン内制御コ
ンピュータ１１、ライン制御コンピュータ１２を経てシ
ステム統括コンピュータ１４に送られると、システム統
括コンピュータ１４から工程進捗の指示がライン制御コ
ンピュータ１２及びライン間搬送制御コンピュータ１３
に出される。そして、ライン間搬送制御コンピュータ１
３の所定の指示を受けたライン間搬送車１０により新た
な製品ウエハ２が自動搬送されて拡散炉１にセットされ
る。また、同じく工程進捗の指示を受けたライン制御コ
ンピュータ１２の所定の指示を受けたライン内制御コン
ピュータ１１はライン内搬送車５にその指示を伝達し、
所定の膜厚測定用ウエハ３がライン内搬送車５に移載さ
れて、膜厚測定用ウエハバッファ４からエッチング洗浄
装置９へ自動搬送・セットされ酸化膜が除去・洗浄され
る（Ｓ１１）。そして、酸化膜の除去・洗浄が終わった
膜厚測定用ウエハ３はライン内搬送車５に移載され、拡
散炉１に自動搬送・セットされて、同様にセットされた
製品ウエハ２と共に酸化膜形成がされる（Ｓ１）。
【００１１】このように、拡散炉１のコントローラから
の製品ウエハロット要求があった時点で膜厚測定用ウエ
ハバッファ４に収納されている膜厚測定用ウエハ３を取
り出し、その酸化膜を除去・洗浄して拡散炉１に供給す
ることにより、酸化膜を除去して拡散炉１での新たな処
理がなされるまでの期間が極めて短くなるので、自然酸
化膜の成長は殆どなく、膜厚測定用ウエハ３表面に形成
された酸化膜は拡散炉１内での処理時に成長したものの
みとなる。したがって、以上のような膜厚測定用ウエハ
３の再生処理を行った場合は、正確な酸化膜厚の評価が
できる。なお、ウエハ厚み及び歪み値測定装置による測
定データが基準値を満たさないときは、その膜厚測定用
ウエハ３は廃却され（Ｓ１２）、次回から新しい膜厚測
定用ウエハ３が投入されて同様の処理がなされる。
の製品ウエハロット要求があった時点で膜厚測定用ウエ
ハバッファ４に収納されている膜厚測定用ウエハ３を取
り出し、その酸化膜を除去・洗浄して拡散炉１に供給す
ることにより、酸化膜を除去して拡散炉１での新たな処
理がなされるまでの期間が極めて短くなるので、自然酸
化膜の成長は殆どなく、膜厚測定用ウエハ３表面に形成
された酸化膜は拡散炉１内での処理時に成長したものの
みとなる。したがって、以上のような膜厚測定用ウエハ
３の再生処理を行った場合は、正確な酸化膜厚の評価が
できる。なお、ウエハ厚み及び歪み値測定装置による測
定データが基準値を満たさないときは、その膜厚測定用
ウエハ３は廃却され（Ｓ１２）、次回から新しい膜厚測
定用ウエハ３が投入されて同様の処理がなされる。
【００１２】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成したの
で、次のような効果を奏する。酸化膜が形成された膜厚
測定用ウエハの所定部分の寸法値を測定し予め定められ
た再使用可能な基準値と比較して、基準値を満たす膜厚
測定用ウエハのみを再生処理するようにしたので、再使
用できるものを確実に選別でき、無用な費用の増加を招
くことがない。また、基準値を満たす膜厚測定用ウエハ
の再生処理・供給を、拡散炉内で酸化膜を形成するとき
に合わせて適時に行うようにしたので、再使用される膜
厚測定用ウエハへの自然酸化膜の成長が殆どなく、正確
な酸化膜厚の評価ができる。
で、次のような効果を奏する。酸化膜が形成された膜厚
測定用ウエハの所定部分の寸法値を測定し予め定められ
た再使用可能な基準値と比較して、基準値を満たす膜厚
測定用ウエハのみを再生処理するようにしたので、再使
用できるものを確実に選別でき、無用な費用の増加を招
くことがない。また、基準値を満たす膜厚測定用ウエハ
の再生処理・供給を、拡散炉内で酸化膜を形成するとき
に合わせて適時に行うようにしたので、再使用される膜
厚測定用ウエハへの自然酸化膜の成長が殆どなく、正確
な酸化膜厚の評価ができる。
【図１】 この発明の実施の形態１であるウエハ自動搬
送システムの制御系の構成を示すブロック図である。
送システムの制御系の構成を示すブロック図である。
【図２】 この発明の実施の形態１である膜厚測定用ウ
エハの再生処理手順を示す処理フロー図である。
エハの再生処理手順を示す処理フロー図である。
【図３】 従来の膜厚測定用ウエハの再生処理手順を示
す処理フロー図である。
す処理フロー図である。
１；拡散炉 ２；製品ウエハ ３；膜厚測定用ウエ
ハ
ハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大塚 浩文 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 矢鳴 太一 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 Ｆターム(参考） 4M106 AA01 CA47 CA48 DH03 DH11 DH53 DH55 DH56 DJ18 DJ38
Claims (3)
- 【請求項１】 製品ウエハの表面に酸化膜を形成すると
き、拡散炉内に上記製品ウエハと共に膜厚測定用ウエハ
を配置し、上記膜厚測定用ウエハに形成された酸化膜の
膜厚を測定して上記製品ウエハの表面に形成された酸化
膜の膜厚を評価するために用いられる膜厚測定用ウエハ
の再生処理方法において、酸化膜が形成された上記膜厚
測定用ウエハの所定部分の寸法値を測定する第１の工
程、上記膜厚測定用ウエハの測定された所定部分の寸法
値を予め定められた基準値と比較し、上記寸法値が基準
値を満たすものを選別する第２の工程、上記選別された
膜厚測定用ウエハの酸化膜を除去する第３の工程を含む
ことを特徴とする膜厚測定用ウエハの再生処理方法。 - 【請求項２】 第１の工程の膜厚測定用ウエハの所定部
分の寸法値は、膜厚測定用ウエハの所定部分の厚み及び
歪み値であることを特徴とする膜厚測定用ウエハの再生
処理方法。 - 【請求項３】 第３の工程は、製品ウエハの表面に酸化
膜を形成するときに合わせて適時になされることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の膜厚測定用ウエハの
再生処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11041891A JP2000243799A (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 測定用ウエハの再生処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11041891A JP2000243799A (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 測定用ウエハの再生処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243799A true JP2000243799A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12620919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11041891A Pending JP2000243799A (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | 測定用ウエハの再生処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243799A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008243980A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Nec Electronics Corp | 非製品ウェハの在庫管理システム、在庫管理方法及びプログラム |
| JP2010028011A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sumco Corp | エピタキシャル層の膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ製造工程管理方法 |
| JP2014241530A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 信越化学工業株式会社 | タンタル酸リチウム結晶ウェーハの再生方法及びその再生ウェーハ |
-
1999
- 1999-02-19 JP JP11041891A patent/JP2000243799A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008243980A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Nec Electronics Corp | 非製品ウェハの在庫管理システム、在庫管理方法及びプログラム |
| JP2010028011A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sumco Corp | エピタキシャル層の膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ製造工程管理方法 |
| JP2014241530A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 信越化学工業株式会社 | タンタル酸リチウム結晶ウェーハの再生方法及びその再生ウェーハ |
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