[go: up one dir, main page]

JP2000232078A - メッキ方法及びメッキ装置 - Google Patents

メッキ方法及びメッキ装置

Info

Publication number
JP2000232078A
JP2000232078A JP11033234A JP3323499A JP2000232078A JP 2000232078 A JP2000232078 A JP 2000232078A JP 11033234 A JP11033234 A JP 11033234A JP 3323499 A JP3323499 A JP 3323499A JP 2000232078 A JP2000232078 A JP 2000232078A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
conductor layer
impregnated body
anode
plating solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11033234A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000232078A5 (ja
Inventor
Tetsuro Matsuda
哲朗 松田
Hisafumi Kaneko
尚史 金子
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11033234A priority Critical patent/JP2000232078A/ja
Priority to US09/500,645 priority patent/US6375823B1/en
Priority to TW089102190A priority patent/TW439106B/zh
Priority to KR10-2000-0006141A priority patent/KR100368099B1/ko
Publication of JP2000232078A publication Critical patent/JP2000232078A/ja
Priority to US10/107,425 priority patent/US6913681B2/en
Priority to US11/135,328 priority patent/US7575664B2/en
Publication of JP2000232078A5 publication Critical patent/JP2000232078A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/16—Electroplating with layers of varying thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C25D17/12—Shape or form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
    • C25D5/06—Brush or pad plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C25D5/611—Smooth layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
    • C25D5/617—Crystalline layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的な
メッキ膜形成を実現する。 【解決手段】被処理基板１００の導電体層１０３の表面
に、メッキヘッド１１０が載置されている。メッキヘッ
ド１１０は、導電体層１０３上に直接載置され、メッキ
液を含むＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から構成され
た含浸パッド１１１と、含浸パッド１１１上に設置され
電源１１３に接続された含燐銅からなる陽極１１２とか
ら構成されている。。導電体層１０３の最外周部に対し
て均等に８個の針状の陰極接点１２０を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電解メッキ技術に
係わり、特に半導体装置に対して行うメッキ方法及びメ
ッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの配線抵抗の低減や信頼性
の向上を目的として、配線材料として銅が注目を集めて
いる。この銅配線の形成方法としては、ＣＶＤ法、スパ
ッタ・リフロー法、メッキ法等がある。
【０００３】中でもメッキ法は、簡便で安価なプロセス
で、高い埋め込み特性を有し、高い性能の配線を得るこ
とができる。
【０００４】ところが、現在市販されているメッキ装置
は半導体装置の製造工程に十分配慮した装置であるとは
言い難い。従来の装置は、基本的にメッキ工業より踏襲
された“メッキ浴”方式を用いたものである。これはメ
ッキ溶液を満たしたメッキ浴槽やカップに半導体基板を
浸してメッキを行うものである。
【０００５】このような古典的なメッキ方法は、半導体
装置の製造工程を特に配慮した進歩を遂げていないため
に、半導体装置の製造工程に用いるには以下に示すよう
な深刻な問題点が挙げられる。
【０００６】(1) 一般的なメッキ工業から較べると極め
て薄い、ナノメータ級の絶対膜厚の精密制御や基板面内
での高い均一性の確保が困難。
【０００７】(2) 微細なパターン上への極めて低い欠陥
密度を要求される半導体プロセスにおいて、気泡やゴミ
などの影響を受けやすい。
【０００８】(3) 陰極からの電圧・電流の印加を行うに
際し、パターン形成された領域の外側である基板周辺近
傍部からのみ可能であった（パターン形成された基板の
内部に電極を接触させると傷やゴミなどの発生により製
品の歩留まりが低下する）。このことは、半導体プロセ
スのウェハサイズが年々大口径化する状況から考えて非
常に不都合、即ち電解メッキ液の導電体層をウェハ表面
に厚く形成しないと基板周辺の陰極電位供給部から基板
中心までの抵抗が高くなり、中心部でのメッキ電流が確
保できない（導電体層の厚さはプロセスの制約上厚くす
ることはできない）。
【０００９】(4)半導体基板に形成される規則的パター
ンに応じて局所的メッキを行うことが困難である。ま
た、メッキ後の工程（例えばＣＭＰ）の特性に応じて、
半導体基板（ウェハ）面内での積極的な膜厚コントロー
ル（例えば外周で厚い）が困難である。また、基板への
汚染などの理由で基板表面にメッキ液を付着させたくな
い場合、裏面の保護に特殊なシールを用いるなどの工夫
が必要である。
【００１０】(5) 凹凸パターンへの膜形成において、凸
部への膜形成を抑制できない。半導体プロセス中、最も
典型的なメッキ金属膜の適用例は、ダマシン配線形成用
の金属膜形成である。ダマシンプロセスでは配線用の溝
部や孔部に、メッキ金属を埋め込み溝孔外に形成された
金属膜をＣＭＰなどで除去する。従って後工程のＣＭＰ
等への負荷低減を考えて溝・孔部以外の部分へのメッキ
膜形成は極力抑る必要がある。以上のような半導体プロ
セス固有の要求や問題点が、メッキ法の運用を阻んでい
るのが現状である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のメッキ浴方式を踏襲したメッキ方法及び装置ではメッ
キ膜の膜厚の精密制御や均一性を確保することが困難で
あったり、気泡やゴミなどの影響を受けやすく、また、
半導体基板に形成される規則的パターンに応じて局所的
メッキを行うことが困難であるという問題があった。
【００１２】さらには、ダマシンプロセスに適した溝や
孔への優先的なメッキ膜形成が困難であった。
【００１３】本発明の目的は、メッキ膜厚の精密制御性
が容易で、気泡やゴミなどの影響を受けにくいメッキ方
法及びメッキ装置を提供することにある。さらには、ダ
マシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形
成を実現するメッキ方法の提供も本発明の目的の一つで
ある。また、本発明の別の目的は、局所的なメッキを行
い得るメッキ方法及びメッキ装置を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】［構成］本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。
【００１５】（１）本発明（請求項１）は、半導体基板
上に形成された凹凸パターンを有する構造体の表面の少
なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与え、
該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ液を
供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を形成
するメッキ方法において、前記陽極が接続された前記メ
ッキ液を含む含浸体を前記導電体層の少なくとも一部の
領域に接触させることによって、前記メッキ膜を形成す
ることを特徴とする。なお、凹凸パターンとは、配線用
などの溝などによるもので、ミクロに見たものである。
なお、導電体層上に形成されたメッキ膜も導電体層の一
部である（以下でも同様）。
【００１６】（２）本発明（請求項２）は、半導体基板
上に形成された構造体の表面の少なくとも一部に形成さ
れた導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽
極と電気的に接触するメッキ液を供給することによっ
て、該導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法にお
いて、前記陽極が接続された前記メッキ液を含む含浸体
を前記導電体層の少なくとも一部の領域に接触させるこ
とによって、前記メッキ膜を形成すると共に、前記メッ
キ膜の膜厚分布の制御を行うことを特徴とする。
【００１７】本発明（請求項２）の好ましい実施態様を
以下に示す。なお、メッキ膜の膜厚分布制御は、パター
ン密度やパターン形状、サイズ、高低差などによって構
造体表面に生じる凹凸に応じて行う。前記メッキ膜の膜
厚分布の制御は、前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前
記含浸体の滞在時間又は印加電流値の少なくとも一方を
制御することによって行う。前記メッキ膜の膜厚分布の
制御は、前記含浸体上に所望のパターンを有する陽極を
配置することによって行う。前記メッキ膜の膜厚分布の
制御は、前記含浸体の内部に所望のパターンの電極又は
絶縁体を設けることによって行う。前記メッキ膜の膜厚
分布の制御は、前記導電体層に対する前記メッキ液の供
給量分布が所望の分布となっている前記含浸体を用いる
ことによって行う。本発明（請求項１，２）において、
前記含浸体と前記半導体基板とを接触面方向に相対的に
移動させつつ前記メッキ膜を形成することが好ましい。
【００１８】（３）本発明（請求項９）は、基体の表面
の少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与
え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ
液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を
形成するメッキ方法において、前記含浸体が前記導電体
層又は該導電体層上に形成される前記メッキ膜の少なく
とも一部の領域に接触する状態を保持しつつ、前記基体
と前記含浸体とを接触面に対して垂直方向に相対的に移
動させることを特徴とする。
【００１９】本発明（請求項９）において、前記基体と
前記含浸体との接触面の垂直方向への相対的な移動は、
前記メッキ膜の成長に応じて前記半導体基板と前記含浸
体とを離す移動であることが好ましい。
【００２０】本発明（請求項１，２又は９）の好ましい
実施態様を以下に記す。前記導電体層への前記含浸体の
接触と、前記メッキ液を含むメッキ液槽への前記含浸体
の浸漬とを交互に繰り返しつつ前記メッキ膜を形成す
る。前記含浸体が接触する領域と異なる領域の前記導電
体層上に、電解液を含むと共に陰極が接続された電解液
用含浸体を接触させることによって、前記導電体層に前
記陰極電位を付与する。更には、前記電解液用含浸体
は、前記メッキ液を含む含浸体と同一の摺動又は上下運
動を行うことが好ましい。
【００２１】前記含浸体が接触する領域と異なる領域の
前記導電体層上に配置された膜厚測定機構によって、前
記メッキ膜の膜厚を測定する。前記膜厚測定機構の測定
結果に応じて、前記導電体層に前記含浸体を接触させて
前記メッキ膜を追加形成する。前記膜厚測定機構は、前
記メッキ液を含む含浸体と同一の摺動又は上下運動を行
う。
【００２２】（４）本発明（請求項１８）は、半導体基
板上に形成された構造体の表面の少なくとも一部に形成
された導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して
陽極と電気的に接触するメッキ液を供給することによっ
て、該導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ装置にお
いて、前記陽極が接続配置され、前記メッキ液を保持す
ると共に前記導電体層に対して前記メッキ液を供給する
含浸体と、この含浸体に対してメッキ液を供給するメッ
キ液供給手段と、前記メッキ膜の形成条件を制御する制
御手段とを具備してなることを特徴とする。
【００２３】（５）本発明（請求項１９）は、基体上に
形成された導電体層に陰極を電気的に接続し、該導電体
層に対して陽極と電気的に接続するメッキ液を供給する
ことによって、前記導電体層上にメッキ膜を形成するメ
ッキ装置において、前記導電体層に対向して配置され、
前記陽極が接続配置され、前記メッキ液を保持すると共
に前記導電体層の一部領域に対して選択的に前記メッキ
液を供給する含浸体と、この含浸体に対して前記メッキ
液を供給するメッキ液供給手段と、前記メッキ膜の成長
に応じて、前記基体と前記含浸体との配置間隔を制御す
る手段とを具備してなることを特徴とする。
【００２４】本発明（請求項１８，１９）の好ましい実
施態様を以下に記す。前記含浸体及び該含浸体の一方面
に接続配置された陽極の側部を囲うように、絶縁部材を
介して、電解液を保持し，前記陰極が接続配置された電
解液用含浸体が設けられている。電解液を保持する電解
液用含浸体及び該含浸体の一方面に接続配置された陰極
の側部を囲うように、絶縁部材を介して、前記陽極が接
続配置された前記含浸体が設けられている。
【００２５】前記半導体基板（基体）と前記含浸体との
接触面方向に対する相対的な位置を変化させる手段を具
備してなる。前記陽極には貫通孔が設けられ、前記メッ
キ液供給手段は、前記陽極に設けられた貫通孔から前記
含浸体に対して前記メッキ液を供給する。前記メッキ液
供給手段は、前記メッキ液が満たされたメッキ液槽と、
前記導電体層に接触する前記含浸体を移動させて前記メ
ッキ液槽中のメッキ液に浸す手段とを具備してなる。
【００２６】前記陽極と前記導電体層との間隔を検知す
る手段と、検知結果に応じて前記陽極と前記導電体層と
の間隔を調整する手段とを具備してなる。前記含浸体に
含まれる前記メッキ液の組成比を検出する組成検出手段
と、この組成検出手段の検出結果に応じて、前記含浸体
に対してメッキ液の組成を調整する手段とを具備してな
る。前記含浸体の滞在時間及び印加電流値の少なくとも
一方を制御する手段を具備してなる。前記含浸体に接続
された前記陽極は、所望のパターンを有する。前記含浸
体の内部には、所望のパターンを有する電極又は絶縁体
が設けられている。前記含浸体は、前記導電体層に対す
る前記メッキ液の供給量分布が所望の分布となってい
る。
【００２７】前記含浸体を通電時に上下左右に微少運動
させる手段を具備してなる。前記含浸体内に該含浸体と
前記接触部近傍の前記メッキ液を排出するストレーナが
設けられている。
【００２８】［作用］本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。陽極が接続されると共にメッキ
液を含む含浸体を用いたメッキは、メッキ浴方式と異な
り、含浸体の滞在時間，印加電流値，陽極のパターン，
含浸体内に設けられた中間電極又は絶縁体のパターン又
は含浸体のメッキ液の供給分布を制御することによっ
て、形成されるメッキ膜の成長速度を制御することがで
きる。そのため、メッキ膜厚の制御が容易となる。
【００２９】また、陽極に貫通孔を設けることによっ
て、含浸体が保持するメッキ液中の気泡が抜けるので、
気泡によって生じるメッキ膜の欠陥が抑制される。ま
た、含浸体と被処理基板とを相対的に接触面方向に移動
させることによって、被処理基板の表面に供給されたメ
ッキ液中の気泡やゴミが一カ所に留まらないので、メッ
キ膜の欠陥が抑制される。
【００３０】また、含浸体を用いたメッキを凹凸パター
ンのある構造体表面に形成された導電体層に対して行う
と、凹部ではメッキ液が溜まりるため、凹部へのメッキ
液の供給量が凸部に較べて多い。よって、凸部表面より
も凹部表面のメッキ膜の成長速度が速い。そのため、溝
や孔への優先的なメッキ膜形成を実現することができ、
ダマシンプロセスに適したメッキ膜を形成することがで
きる。また、含浸体と半導体基板とを接触面方向に相対
的に移動させることによって、凸部表面に形成されるメ
ッキ膜の表面が含浸体によって機械的に研磨されるの
で、より溝や孔への優先的なメッキ膜の形成を行うこと
ができる。
【００３１】最終的に形成されるメッキ膜の表面の凹凸
は、構造体の凹凸パターンに較べてなだらかなものとな
り、後の化学的機械研磨などによる平坦化工程が容易と
なる。
【００３２】また、被処理基板の大きさより小さい含浸
体の形状を用いることによって、被処理基板の表面に選
択的にメッキ液を供給することがでる。そのため、局所
的なメッキ膜の形成を行うことができる。また、陽極の
ある部位にしかメッキ膜が成長しないので、消耗のパタ
ーンの陽極を用いることによっても、局所的なメッキ膜
の形成を行うことができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】本発明の含浸とは、液体以外の固
体、或いは固体液体混合物、さらに気体の混合物などの
含浸体がメッキ液を保持する状態をいう。メッキ液は、
単独で容器中に存在する場合に較べて空間的移動にある
程度の制約を受ける。含浸体が被処理基板に接触するこ
とによりメッキ液は被処理基板への作用を及ぼす。な
お、含浸体の一部は被処理基板に接触していない場合も
あり得るが、この場合でも含浸体と被処理基板の接触部
分の近傍でメッキ液が被処理基板に供給される状態（例
えば表面張力で）があり得る。このような状態は、実施
したい技術の目的に応じて容認してもよく、また一方で
実施技術の目的から不都合なら避けることも可能であ
る。
【００３４】以下の実施形態で用いる銅メッキの標準条
件を以下に記す 温 度 ：２５℃ 電流密度：５ｍＡ／ｃｍ2 成長速度：〜１００ｎｍ／ｍｉｎ アノード（陽極）材：含燐銅 ウェハ：Ｓｉ基板上に３０ｎｍのＴａ膜及び１００ｎｍ
のＣｕ膜をスパッタ法で順次堆積したもの ここに示したプロセス条件は、発明の実施形態を説明す
る上での便宜上の標準条件でメッキ金属はもちろんのこ
と各パラメータは、本発明の主旨を逸脱しない範囲で有
れば適宜変更しても良い。
【００３５】本発明の実施の形態を以下に図面を参照し
て説明する。
【００３６】［第１実施形態］本実施形態では、本願発
明のメッキ方法についての原理を説明する。図１は、本
発明の第１実施形態に係わるメッキ装置の概略構成を示
す図である。メッキが行われる被処理基板１００は、Ｓ
ｉ基板（半導体基板）１０１上の凹凸パターンを有する
絶縁膜（構造体）１０２の表面に導電体層１０３が形成
されたものを用いている。なお、導電体層１０３は、膜
厚３０ｎｍのＴａＮ膜と膜厚１００ｎｍのＣｕ膜との積
層膜である。そして、導電体層１０３の最外周部に対し
て均等に８個の針状の陰極接点１２０を設けている。
【００３７】そして、導電体層１０３の表面に、メッキ
ヘッド１１０が載置されている。メッキヘッド１１０
は、導電体層１０３上に直接載置され、メッキ液を含む
含浸パッド（含浸体）１１１と、含浸パッド１１１上に
設置され電源１１３に接続された含燐銅からなる陽極１
１２とから構成されている。なお、含浸パッド１１１は
ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から形成されている。
なお、含浸パッド１１１の径は、被処理基板１００の径
より大きくても小さくても、また、等しくても良い。
【００３８】なお、含浸パッド１１１は、ＰＶＡ以外に
も、多孔質テフロン，ポリプロピレンなどを繊維状に編
む又は漉いて紙状に加工したもの、或いはゲル化シリコ
ン酸化物や寒天質などの不定形物などでもよい。多孔質
或いは空隙の大きさは一律に規定されるものではなく、
液体の粘度、含浸体と液体の間で発生する濡れ性・表面
張力などに応じて変化する。含浸体パッド、基本的に
は、液体が保持できて、その液体が空間的な移動の制約
を受ける（例えば受け皿が無い状態で液体の大半が流出
してしまうことがない）状態を達成し得るものであれば
よい。
【００３９】次に、実際のメッキ工程について説明す
る。先ず、図示されないメッキ液槽に満たされた２５℃
のメッキ液中に含浸パッド１１１を浸して、含浸パッド
１１１にメッキ液を含ませる。メッキ液の組成は硫酸銅
・五水和物（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ 2 Ｏ）：２５０ｇ／リッ
トル，硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）：１８０ｇ／リットル，塩酸
（ＨＣｌ）：６０mg／リットルであり、さらにメッキ液
のペーハー、メッキ液の安定性、陽極の保護、形成膜の
表面平滑化、形成膜の結晶粒制御等様々な目的でポリマ
ー、錯体形成物などの添加物が添加されている。
【００４０】含浸パッド１１１を導電体層１０３に密着
させることによって、含浸パッド１１１から導電体層１
０３の表面にメッキ液を供給する。そして、電源１１３
から陽極１１２へ電流密度５ｍＡ／ｃｍ2 の電流を供給
する。陽極１１２に電流を供給すると、陰極接点１２０
に電気的に接続する導電体層１０３の表面に銅メッキ薄
膜が形成される。なお、銅メッキ薄膜の平均成長速度
は、〜１００ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４１】図１に示したように、凹部１０４には、含
浸パッド１１１からしみ出たメッキ液１１４が溜まって
いる。このため、凹部１０４へのメッキ供給量は、凸部
１０５の表面に較べて多い。空間移動の自由度を有する
メッキ液の供給量が多いため凹部１０４内の導電体層１
０３の表面でのメッキ膜の成長速度は、凸部１０５の導
電体層の表面よりも速い。凸部１０５表面よりも凹部１
０４の成長速度が速い。そのため、図２に示すように、
最終的に形成されるメッキ膜１０６の凹凸は、絶縁膜の
凹凸パターンに較べてなだらかなものとなる。従って、
後の化学的機械研磨法（ＣＭＰ）等を用いた平坦化工程
で、ディッシングの発生が抑制され、平坦化が容易とな
る。
【００４２】また、図３（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
１０１上のＣｕ膜１０７上に載置されたメッキ液を含む
含浸パッド１１１上に、Ｓｉ基板１０１のエッジから離
れた位置にエッジを有する陽極１１２を設置して銅メッ
キ膜の形成を行った。形成された銅メッキ膜の膜厚分布
は、図３（ｂ）に示すように、陽極１１２のエッジから
離れるに従い膜厚が減少しているのが分かる。従って、
陽極を所望のパターンとすることによって、メッキ膜を
選択的に形成することができる。
【００４３】図４に示すような従来のメッキ浴槽方式
（いわゆるカップ式）のメッキ装置でも銅メッキ薄膜の
形成を行った。この装置は、メッキ液が連続的に供給さ
れてメッキ液が溢れているメッキ浴槽２０１中に含燐銅
からなる陽極２０２が配置されている。そして、被メッ
キ面である導電体層１０３を下方に向けた被処理基板１
００が鉤状の複数の陰極接点２０３で保持され、導電体
層１０３と陰極接点２０３とが電気的に接続している。
そして、被処理基板１００を下方に降ろすことによっ
て、導電体層１０３をメッキ液に接触させて、導電体層
１０３の表面に銅メッキ膜を形成するというものであ
る。
【００４４】含浸法で形成された銅メッキ薄膜は、従来
のカップ式で形成された銅メッキ膜と同等の膜厚（１０
分間で１μｍ）及び比抵抗（１．９５μΩ／ｃｍ）が得
られた。また、被処理基板と含浸パッドとが接触してい
ない部分には、膜形成が生じず、被処理基板の外周部、
ベベル及び裏面に汚染が生じなかった。
【００４５】次に、含浸法とカップ式、それぞれの方法
による銅メッキ膜の比較を行った結果を説明する。含浸
法は、図５に示すような構成で行った。図５（ａ）は装
置及び被処理基板の概略構成を示す平面図、図５（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の断面図である。被処理基板
１００上に、メッキヘッド３１０が載置されている。メ
ッキヘッド３１０は、被処理基板上に直接載置されたメ
ッキ液を含む含浸パッド３１１と、この含浸パッド上に
設置された陽極３１２とから構成されている。
【００４６】なお、電流密度は５ｍＡ／ｃｍ2 ，メッキ
時間は５分間，メッキ液はＣｕＳＯ 4 をベースに塩酸混
ぜたもの，Ｃｕの含有率０．９mol/Liter で行った。な
お、含浸法の場合、陽極３１２と導電体層１０３との間
を１．７ｍｍに調節し、メッキヘッド３１０を静止した
場合と揺動させた場合の二つの場合を行った。それぞれ
の銅メッキ膜の膜厚，バラツキ及び比抵抗を表１に示
す。
【００４７】
【表１】
【００４８】銅メッキ膜の膜厚は、揺動させた場合の膜
厚が他のものより高くなっているが、これは銅メッキ膜
の最外周部の薄く形成されている部位が測定されていな
いためであり、全体の膜厚の平均値は他の方法と同様で
あると思われる。
【００４９】また、含浸法によって形成されたメッキ膜
の膜厚バラツキは、カップ式で形成されたものに較べ改
善され、特にヘッドを静止させて形成された膜では約６
割程度改善されている。また、含浸法で形成されたメッ
キ膜の比抵抗もカップ式に較べて改善されている。
【００５０】［第２実施形態］図６は、本発明の第２実
施形態に係わるメッキ装置の概略構成を示す図である。
図６（ａ）は被処理基板を含むメッキ装置の概略構成を
示す平面図、図６（ｂ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ’部の断
面図である。
【００５１】被処理基板１００上にメッキヘッド４１０
が載置されている。メッキヘッド４１０は、被処理基板
上に直接載置された含浸パッド（含浸体）４１１と、こ
の含浸パッド４１１上に設置され、電源４４１に接続さ
れた陽極４１２とから構成されている。含燐銅の塊から
なる陽極４１２には、直径０．５ｍｍの貫通孔４１３が
設けられており、メッキ液タンク４４３中のメッキ液を
ポンプ４４２によって貫通孔４１３から含浸パッド４１
１に適宜供給する。また、メッキ時に様々な原因で発生
する気泡を脱気するためにも、陽極４１２に貫通孔４１
３を設けることは有効である。なお、陽極４１２を銅線
のメッシュで構成することでも、陽極材に孔を設けるの
と同様な効果が得られる。メッシュは、例えば０．２ｍ
ｍの銅線を網状に編むことによって形成される。或い
は、多孔質な金属材料や多孔質カーボンへの白金付与な
どにより形成された陽極を用いても良い。
【００５２】被処理基板１００上のチップパターン４４
０領域の外側部分に８本の針状の陰極接点４２０が立て
られ、被処理基板１００の導電体層１０３と陰極接点４
２０とが電気的に接続されている。
【００５３】なお、被処理基板１００はＸＹステージ４
４４上に設置されており、メッキ膜の形成の際、ＸＹス
テージ制御部４４５によってＸＹステージ４４４の移動
を制御することによって、被処理基板１００の導電体層
１０３の表面に対して含浸パッド４１１を走査させる。
なお、１００ｍｍ／ｓの走査速度で、導電体層１０３上
を繰り返し走査させる。なお、ＸＹステージ制御部４４
５は電源４４１に接続されており、チップパターン４４
０領域上にメッキヘッドが存在する時にのみメッキ電流
の供給を行い、チップパターン４４０領域以外にメッキ
膜が形成されないようにする。また、走査の最中、陽極
４１２に設けられた貫通孔４１３からメッキ液を適宜供
給して、含浸パッド４１１に対してメッキ液を補充する
ことによって、含浸パッド４１１中のメッキ液が枯渇し
ないようにする。貫通孔４１３の一部をメッキ液循環用
のストレーナとして用いればさらにメッキ液の循環によ
る新鮮なメッキ液供給が可能となる。
【００５４】一筆書きのようにメッキ膜形成領域を走査
する場合は、電流を流したまま含浸体を摺動させても良
い。
【００５５】本装置を用いて銅メッキ膜の形成を行う
と、図７に示すように、含浸パッド４１１とＳｉ基板と
の相対運動によって、凸部１０５上に形成される銅メッ
キ膜４０６が含浸パッド４１１によって擦られる。その
ため、凸部１０５上にはメッキ液添加剤による薄膜形成
がほとんど起こらず凹部１０４のみで添加剤の影響が見
られる。添加剤として、ジスルフィド〔HSO3-R-S=S-R-S
O3H〕などの可溶性銅錯体形成物質（一般にキャリアな
どと呼ばれている）を添加すると添加剤の存在する表面
でのメッキ膜形成速度が加速されるため、結果として溝
や孔などの凹部での膜形成が優先的に起きる。前述した
第１実施形態でも凸部と凹部とで成長速度差が生じてい
たが、本実施形態ではさらにこの差が広がる。
【００５６】そのため、本装置で形成される銅メッキ膜
４０６は、図８（ａ）に示すように、非常になだらかな
ものとなり、前述したカップ式で形成された銅メッキ膜
４０７（図８（ｂ））に較べて、膜の平坦化が容易とな
る。
【００５７】なお、凸部での銅メッキ膜の成長速度は、
含浸パッドに対して加えられる圧力に応じて変化する。
銅メッキ膜の成長速度の圧力依存性を図９に示す。図９
に示すように、圧力が小さい状態では、凹部と凸部での
銅メッキ膜の成長速度に差はほとんどなく、圧力を大き
くするに従って凸部での成長速度が遅くなっている。
【００５８】また、本装置を用いて形成された銅メッキ
膜は、ほぼチップパターン面のみに形成される。チップ
以外の部分に膜形成が生じないので、洗浄などに有効で
ある。例えば、被処理基板の端部に銅メッキ膜が形成さ
れないので、次工程での装置汚染を回避しやすい。
【００５９】また、メッキ液中の気泡やゴミなどによっ
て生じるメッキ膜の欠陥、所謂メッキ欠けが激減した。
これは、陽極に設けられた孔から気泡が抜けるため、ま
た更には含浸パッドが被処理基板上を動くために気泡や
ゴミも一カ所に留まらないためである。
【００６０】［第３実施形態］図１０は、本発明の第３
実施形態に係わるメッキ装置の概略構成を示す図であ
る。また、図１１は、図１０のメッキ装置の概略構成を
示すブロック図である。
【００６１】本実施形態のメッキヘッド５１０の含浸体
は、無端環状に接続した帯状の含浸布５１１で構成され
ている。帯状の含浸布５１１の内周部には陽極５１２及
び２個のローラー５１３が設けられ、無端環状の含浸布
５１１は台形形状になっている。陽極５１２は、それぞ
れ切り替え器６５１1 〜６５１n を介して電源５４１ 1
〜５４１n に接続された複数個の陽極５１２1 〜５１２
n から構成されている。この実施形態では、陽極の材料
として白金を用いた。白金は、銅メッキ中不溶解である
ことから寿命が長いという特長がある。ただしメッキ電
流とともにメッキ液中の銅イオンは、欠乏していく。
【００６２】各陽極５１２1 〜５１２n には、切り替え
器６５１を介してキャパシタンスメータ６５２1 〜６５
２n 及び抵抗メータ６５３1 〜６５３n が接続されてい
る。キャパシタンスメータ６５２及び抵抗メータ６５３
により陽極５１２と被処理基板１００間の静電容量及び
抵抗を測定することによって間隔制御部６５４は、陽極
５１２と被処理基板１００表面の距離間隔を求め、測定
結果に基づいてプッシャ５１４を制御して被処理基板１
００と陽極５１２との距離を制御する。複数の部位での
距離計測を行ない間隔調整することで、本発明で重要
な、陽極と被処理基板の平行度や、極間距離の絶対値を
管理可能である。
【００６３】また、各電源５４１にはメッキ条件制御部
６５５が接続され、メッキ条件制御部６５５は、被処理
基板の位置に応じてそれぞれの陽極５１２に供給するメ
ッキ電流値を制御して、メッキ膜厚が均一になるように
する。また、メッキ条件制御部６５５には、キャパシタ
ンスメータ６５２及び抵抗メータ６５３が接続され、そ
れぞれのメータ６５２，６５３の測定結果に応じて、そ
れぞれの陽極５１２に供給するメッキ電流値を制御す
る。
【００６４】また、台形形状の含浸布５１１の上にｐＨ
センサからなるメッキ液組成センサ５５１が設けられて
おり、含浸布５１１に含まれるメッキ液のｐＨを測定す
ることによって液の組成を求める。また、メッキ液組成
センサ５５１は、ｐＨセンサ以外に電流計を用い、含浸
布５１１に含まれるメッキ液の伝導度などを測定するこ
とによって、メッキ液の組成を求めても良い。また、溶
液の光吸収を利用した光学センサを用いる方法もある。
【００６５】メッキ液組成センサ５５１の測定結果に応
じて、組成制御部６５０は、メッキ液タンク６５６及び
硫酸銅・五水和物タンク６５７にそれぞれ接続されたポ
ンプ６５８を制御することによって、メッキ液供給ノズ
ルアレイ５５２及び硫酸銅・五水和物供給ノズルアレイ
５５３から含浸布５１１に対して供給されるメッキ液及
び硫酸銅・五水和物の量を制御し、含浸布５１１に含ま
れるメッキ液の組成を調整する。また、適宜メッキ液供
給ノズルアレイ５５２から含浸布５１１に対してメッキ
液が供給される。先に述べたように、本実施形態に於い
ては、陽極に白金電極を用いたのでメッキ液中の銅イオ
ンはメッキの進行と共に欠乏する。薄いシート状含浸体
を用いる場合は特に顕著である。従って、この様な液組
成調整機構は、メッキ条件の安定性向上の観点からきわ
めて有効である。また、本実施形態のように無端環状に
接続した帯状の薄い含浸布を用いる場合、メッキ面以外
でのメッキ液組成の調整が容易である。
【００６６】被処理基板１００の導電体層１０３に電気
的に接続する陰極接点５２０は、図１２に示すように、
被処理基板１００上の最外周部に寝かせた状態で設置さ
れ、樹脂５２１で固定されている。陰極接点５２０が樹
脂で固定されていることによって、メッキヘッド５１０
の陰極接点５２０上に乗っかっても含浸布５１１と陰極
接点５２０が直接接続せず、また陰極接点５２０が導電
体層１０３から外れることがない。
【００６７】なお、本装置を用いて均一な膜厚にメッキ
膜を形成するためには、メッキを行う有効被処理基板面
積が被処理基板の移動と共に変化することに注意しなけ
ればならない。面積の変化に応じて陽極に供給するメッ
キ電流を制御する。
【００６８】例えば図１３（ａ）に示すように、被処理
基板１００の直径が２００ｍｍ，被処理基板１００と含
浸布５１１とが走査方向に平行な方向に接触する幅が１
０ｍｍの場合について考える。この場合陽極に供給する
メッキ電流の条件としては、図１３（ｂ）に示すよう
に、等速で往復する被処理基板の位置から予め得られて
いる最適電流値を用いても良いし、キャパシタンスや抵
抗値から面積を計算して逐次同一電流密度でのメッキが
行えるようにしても良い。また、被処理基板の移動速度
を変化させて、全てのメッキ面で同一の電荷を与えるよ
うに制御することも可能である。
【００６９】図１４は、被処理基板上に定電圧状態で形
成されたメッキ膜の均一性を示す特性図である。陰極接
点は、図１４（ａ）のＮＮＥ，ＥＮＥ，ＥＳＥ，ＳＳ
Ｅ，ＳＳＷ，ＷＳＷ，ＷＮＷ，ＮＮＷの８点に設けられ
ている。また、被処理基板の直径は２００ｍｍ、メッキ
電流２０ｍＡ／ｃｍ2 ，メッキ液中のＣｕＳＯ4 濃度は
７５ｇ／ｌである。
【００７０】図１４（ｂ）は、隣接する陰極接点の中間
点を結ぶ線分、つまり図１４（ａ）中で実線で表された
線分でのメッキ膜の均一性を示す図である。また、図１
４（ｃ）は、陰極接点を結ぶ線分、つまり図１４（ｂ）
の点線で表された線分でのメッキ膜の均一性を示す図で
ある。
【００７１】図１４（ｂ），（ｃ）から分かるように、
陰極接点からの位置に応じて、メッキ膜にはバラツキが
ある。そこで、図示されていない位置センサ検出結果に
応じて、電源制御部は、陽極に印加する電圧を変化させ
て被処理基板面内のメッキ膜厚が均一になるように制御
する。この制御は、予め定電圧で被処理基板上にメッキ
膜を形成した後、面内のメッキ膜厚分布を測定し、測定
結果から膜厚が均一になるような電圧分布を求めること
によって行う。
【００７２】なお、本実施形態では、被処理基板面内で
均一な膜厚の膜成長を行ったが、後工程の都合から被処
理基板周辺の膜厚のみ薄くしたり逆に厚くしたいという
要求が生じる場合もある。これらの場合も、各陽極に印
加する電流・電圧や被処理基板の移動速度を適宜変化さ
せることで所望の膜厚分布を得ることが出来る。
【００７３】また、本装置と類似機構を持つ洗浄や電界
エッチング、ＣＭＰ用のヘッドを設けて、並列処理が可
能な装置とすることも可能である。
【００７４】さらにはヘッドの前方に膜厚モニタとして
例えば電磁誘導による渦電流を用いたメッキ膜厚計を設
置し、一端メッキヘッドを往路にて被処理基板面の膜厚
を測定して、復路で測定結果を基にメッキ電流や被処理
基板移動速度、その他のメッキ条件を制御して成膜を行
うことで、最終的な仕上がり膜厚を精密に管理すること
が可能となる。
【００７５】［第４実施形態］本実施形態では、被処理
基板である被処理基板より小さな含浸ヘッドを用いたメ
ッキ方法について説明する。図１５は、本発明の第４実
施形態に係わるメッキ装置の概略構成を示す図である。
直径２００ｍｍの被処理基板１００に対して、被処理基
板より小さな２０ｍｍ径のメッキヘッド１０１０を用い
てメッキを行う。
【００７６】含浸パッド１０１１と陽極１０１２とから
構成されるメッキヘッド１０１０には、図示されていな
い上下左右前後などの運動が可能な移動機構と、移動位
置をモニタする位置センサ１０４１が設置されている。
ヘッド１０１０の周辺には、電磁誘導によるメッキ膜厚
のモニタ用センサ１０４２も設置されている。
【００７７】陰極接点１０２０は、被処理基板１００の
周辺以外にはプロセス途上のＬＳＩチップがあるため、
接触傷を避けるため、最外周部（周辺１ｍｍほど）に白
金接点で６カ所設置してある。被処理基板１００には、
メッキ膜を形成するための導電体層として膜厚１００ｎ
ｍの銅膜が予めスパッタ法によって堆積されている。
【００７８】含浸パッド１０１１へのメッキ液の供給
（或いは使い古したメッキ液と新しいメッキ液とを交
換）は、移動機構によってメッキヘッド１０１０をメッ
キ液溜め１０４３中に移動させ、メッキ液溜め１０４３
の底に押しつけるように上下左右揺動させることが有効
である。
【００７９】前述したように、被処理基板１００の外周
部に陰極接点を設けた場合、導電体層の膜厚が薄く抵抗
成分が大きいため、定電圧でメッキを行うと被処理基板
面内でメッキ速度が異なってしまう（実験結果では中心
付近で３０％程度薄くなる）。この傾向は、導電体層の
材料が高抵抗若しくは薄膜になるほど顕著になる。
【００８０】一方、メッキ電流を一定にすると電圧が変
動することからメッキ膜の品質（結晶性、埋め込み特
性、平坦度等）が被処理基板面内でばらつく原因とな
る。そこで、陽極とメッキ膜表面の距離を制御して電流
を制御しつつ定電圧にてメッキを施す。メッキ膜厚を膜
厚センサ１０４２で測定し、目標膜厚になるまでメッキ
ヘッド１０１０を繰り返し移動してメッキを繰り返す。
これにより、陰極接点１０２０からの距離によらず定電
圧メッキで所望の膜厚（対象面が受ける総電荷で決ま
る）を形成することができる。
【００８１】被処理基板に凹凸パターンを有する場合に
メッキ液の循環を促進させる目的で、含浸パッドを超音
波発振子などを用いて上下左右に揺動させることも有効
である。
【００８２】なお、所望膜厚になるまで上述したメッキ
ヘッドで繰り返しメッキを行うのではなくて、膜厚分布
に応じてヘッドの含浸パッドよりも小さい、ペン状の含
浸パッドの先端部を選択的に導電体層に対して接触させ
つつ移動させることで選択メッキを行っても良い。
【００８３】［第５実施形態］本実施形態では、陽極と
陰極との距離を常に一定にし、メッキ膜厚の均一化を容
易にする構造装置構成を提案する。図１６は、本発明の
第５実施形態に係わるメッキ装置の概略構成を示す図で
ある。本実施形態のメッキヘッド１１１０は、メッキ液
を含む円柱状のメッキ液用含浸パッド１１１１上に、パ
ッド１１１１と同じ径の陽極１１１２が設置されてい
る。メッキ液用含浸パッド１１１１及び陽極１１１２の
外周部に、絶縁性の分離層１１１３が設けられている。
分離層１１１３の外周部に、メッキ液用含浸パッド１１
１１とほぼ同じ厚さであり、パッド１１１１と同じ材料
からなり電解液を含む電解液用含浸パッド１１１４が設
けられ、電解液用含浸パッド１１１４上に同じ内径及び
外形のドーナツ状の陰極１１１５が設置されている。電
解液用含浸パッド１１１４及び陰極１１１５の外周部
に、撥水性の外輪層１１１６が設けられている。
【００８４】なお、電解液用含浸パッド１１１４に含ま
せる電解液としては、１０％塩酸水溶液を用いる。塩酸
は、メッキされる銅膜を侵すことがないので、銅メッキ
膜を形成する場合には、好ましい。なお、電解液として
は、塩酸に限らず、メッキ膜を侵さないようなもので有
れば任意のものが使用可能である。
【００８５】本装置の構成によれば、陰極は電解液用含
浸パッド１１１４に含まされた電解液を介して被処理基
板に電気的に接続するので、陰極１１１５と陽極１１１
２とがメッキ液，被処理基板表面の導電体層及び電解液
を介して電気的に接続するので、表面にメッキ液用含浸
パッド１１１１が存在する被処理基板の上にメッキ膜が
形成される。
【００８６】本装置によれば、陽極及び陰極は常に一定
距離を保ったまま移動するので、均一な膜形成を行うこ
とができる。なお、メッキ液用含浸パッド及び陽極と、
電解液用含浸パッド及び陰極とを入れ替えて、電解液用
含浸パッド及び陰極を円柱状にし、メッキ液用含浸パッ
ド及び陽極をドーナッツ状にしても同様な効果が得られ
る。
【００８７】［第６実施形態］本実施形態では、上述し
た含浸法を用いて、半導体チップ等にバンプを形成する
技術について説明する。半導体チップにバンプ処理を行
う方法として、フォトレジストなどをマスクにしてメッ
キ浴中で例えば基板の電界メッキを行う方法や、基板に
ボールを圧着する方法がある。一般的にバンプで用いら
れるメッキ膜厚は、ＬＳＩの薄膜プロセスの１００倍程
度、即ち１００μｍオーダーである。従って、含浸布の
厚み（通常数μｍから数十ｍｍ）に対して膜成長は無視
できない規模である。また、含浸ヘッドの先端へのメッ
キ液の十分な供給という観点からも、上述した実施形態
とは異なる配慮が必要である。
【００８８】本実施形態では、含浸メッキを用いた簡便
で高精度のバンプメッキ技術について説明する。本実施
形態のポイントは、微細な含浸布の先端（先端部のみ尖
らせても良い）で厚膜の形成を行うことである。
【００８９】図１７は、本発明の第６実施形態に係わる
メッキ装置の概略構成を示す図である。含浸ヘッド１２
１０は、ＤＣパルス電源１２４０に接続された凸状の陽
極１２１２を覆うように、含浸材（含浸体）１２１１が
設けられている。また、含浸材１２１１の先端付近に
は、メッキ液供給用微細ノズル１２１３の排出口とメッ
キ液排出用微細ストレーナ１２１４の吸い込み口が設け
てある。メッキ液供給用微細ノズル１２１３から含浸材
１２１１の先端部に供給されたメッキ液は、メッキ液排
出用微細ストレーナ１２１４で吸い出されるので、含浸
材１２１１の先端部でのメッキ液の組成（金属イオン濃
度や添加剤濃度）が常に一定となる。なお、メッキ液供
給用微細ノズル１２１３とメッキ液排出用微細ストレー
ナ１２１４とを均一に配置すると、メッキ液供給用微細
ノズル１２１３から排出されたメッキ液が即座にメッキ
液排出用微細ストレーナ１２１４で吸い込まれてしま
い、含浸材１２１１の先端部への十分なメッキ液の供給
が成されなくなってしまう。そのため、メッキ液供給用
微細ノズル１２１３とメッキ液排出用微細ストレーナ１
２１４の配置に偏りを持たせて、含浸材１２１１の先端
部へメッキ液が十分供給されるようにすることが好まし
い。
【００９０】なお、バンプを形成する際、図示されない
移動機構によって、メッキ膜１２５０の成長と共に、含
浸ヘッド１２１０を後退させる。なお、含浸ヘッド１２
１０の移動速度を変化させることや水平方向の運動を与
えることによって、様々な形状のバンプを形成すること
ができる。例えば、円錐状のバンプ１２４１（図１８
（ａ））、半球状のバンプ１２４２（図１８（ｂ））、
円柱状のバンプ１２４３（図１８（ｃ）），複数の球を
重ね合わせた形状のバンプ１２４４（図１８（ｄ））を
形成することができる。
【００９１】［第７実施形態］本実施形態では、被処理
基板上のパターンやチップ内のパターンに対応したメッ
キ膜厚分布を意図的に形成するメッキ装置について説明
する。
【００９２】図１９は、本発明の第７実施形態に係わる
メッキ装置の概略構成を示す図である。なお、図１９に
おいては、含浸ヘッドのみを示し、被処理基板，陰極接
点及びメッキ浴槽等の図示を省略している。
【００９３】このメッキヘッド１３１０の含浸パッド１
３１１の表面には、チップ内のパターンに対応した凹凸
が形成されている。そして、含浸パッド１３１１上に陽
極１３１２が接続配置されている。
【００９４】例えば、ＤＲＡＭとロジックの混載型のシ
ステムＬＳＩでは、同一チップ内でありながらＤＲＡＭ
部分とロジック部分ではパターンの密度やサイズが大幅
に異なるために、ＣＭＰなどの後工程に最適な形成膜厚
が異なる。そこで、例えばＤＲＡＭ部及びロジック部の
一方を凹部、他方を凸部にして、パッドの表面に凹凸を
設ける。また、含浸パッド１３１１の凸部及び側面を熱
処理や気孔への充填材処理などの改質することによっ
て、その表面からメッキ液がしみ出さないようにするこ
とも可能である。また、凹凸を数ミクロン単位の微細な
ドット状にしてその密度分布をＤＲＡＭ部分とロジック
部分で変えることも出来る。なお、パターン密度やパタ
ーン形状、サイズ、高低差などによって生じる凹凸に対
して、本実施形態の技術を適用することができる。
【００９５】なお、このような含浸パッドの形成方法に
ついて図２０を用いて説明する。
【００９６】先ず、図２０（ａ）に示すように、直方体
状の含浸パッド１３１１と加熱した金型１３４０とを用
意する。次いで、図２０（ｂ）に示すように、金型１３
４０に含浸パッド１３１１を押しつけ、パッド１３１１
を変形させると共に、金型１３４０に接触するパッド１
３１１の表面を解かして、液体がシミでないように改質
する。
【００９７】次いで、図２０（ｃ）に示すように、パッ
ド１３１１を金型１３４０から取り外す。そして、図２
０（ｄ）に示すように、含浸パッド１３１１の下部を除
去することによって、液体がパッドからしみ出る領域を
形成する。
【００９８】また、図２１に示すように、パッド１３４
１表面の一部の領域に加熱した金型１３４２の凸部を押
し当て（図２１（ａ））、パッド１３４１の表面の一部
を改質しても良い（図２１（ｂ））。このような形成方
法によって形成されたパッドは、メッキ液の被処理基板
への供給が金型を押し当てた場所と押し当てない場所で
異なるため図１９に示したパッドと同様な効果を持つ。
【００９９】なお、図２２に示すように、含浸パッド１
３５１内に被処理基板の凹凸に対応した複数の陽極１３
５２を配置し、それぞれの陽極１３５２に印加する電位
を変えることによっても、面内のメッキ膜厚を変化させ
ることができる。
【０１００】また、図２３に示すように、含浸パッド１
３６１の表面に一様に陽極１３６２を設けると共に、パ
ッド１３６１内に中間電極１３６３を設けることによっ
て、被処理基板の凹凸に応じた電界を印加できるように
しても、面内のメッキ膜厚を変化させることができる。
中間電極１３６３に印加する電位によってその近傍のメ
ッキ条件例えばイオン濃度・電界分布などが変化するた
めである。同様に、中間電極１３６３の代わりに絶縁体
を用いることもできる。
【０１０１】［第８実施形態］本実施形態では含浸ヘッ
ドに複数の含浸パッドを設け、それぞれの含浸パッドに
異なる役割を持たせた装置について説明する。
【０１０２】図２４は、本発明の第８実施形態に係わる
メッキ装置の概略構成を示す図である。本装置は、４つ
の含浸布Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを、撥水剤や空隙、非含浸体料
からなる分離領域１４１２を介して接続した無端環状の
含浸ベルト１４１１が設けられている。それぞれの含浸
布Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、各々別々の液体を含ませ、それぞ
れ別個の機能を有するようにしている。被処理基板１０
０への作用は、含浸ベルトを回転させて任意の含浸布を
被処理基板１００に対して接触させることによっておこ
なう。
【０１０３】それぞれの含浸布Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに課せら
れる機能としては、電解メッキ、無電解メッキ、電解エ
ッチング、物理スクラッチ、化学処理、化学的機械研
磨、純粋洗浄等がある。また、それぞれ異なるメッキ液
をそれぞれの含浸布に含ませても良い。
【０１０４】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、形成するメッキ膜として銅に
ついて述べたが、銅以外の材料をメッキ膜として形成す
ることが可能である。
【０１０５】なお、被処理基板と含浸体との配置関係は
上記実施形態に限るものではなく、被処理基板及び含浸
体を傾けた状態で導電体層に含浸体を接触させても良い
し、含浸体に被処理基板を載置させても良い。
【０１０６】その他、本発明は、その要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【０１０７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、メ
ッキ浴方式と異なり、含浸体の滞在時間，印加電流値，
陽極のパターン，含浸体内に設けられた中間電極又は絶
縁体のパターン又は含浸体のメッキ液の供給分布を制御
を行うことが容易となるので、形成されるメッキ膜の成
長速度を制御することができ、メッキ膜厚の制御が容易
となる。
【０１０８】また、凹凸パターンのある構造体表面に形
成された導電体層に対してメッキを行うと、凹部ではメ
ッキ液が溜まりるため、凹部へのメッキ液の供給量が凸
部に較べて多いので、凸部表面よりも凹部表面のメッキ
膜の成長速度が速くなり、溝や孔への優先的なメッキ膜
形成を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係わるメッキ装置の概
略構成を示す図。
【図２】メッキ時のメッキ膜の概要を示す断面図。
【図３】形成されるメッキ膜の膜厚分布を示す図。
【図４】従来のカップ式メッキ装置を示す図。
【図５】従来装置により得られるメッキ膜と比較するた
めに用いた含浸法の装置の概略構成を示す図。
【図６】第２実施形態に係わるメッキ装置の概略構成を
示す図。
【図７】含浸パッドと形成されるメッキ膜との接触面の
概略を示す図。
【図８】図６の装置で形成されたメッキ膜と従来のメッ
キ膜とを示す断面図。
【図９】凹部と凸部に形成されるメッキ膜厚の含浸パッ
ドに対して加えられる圧力in損性を示す特性図。
【図１０】第３実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図１１】第３実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図１２】図１０のメッキ装置の陰極接点と導電体層と
の接続部位を示す断面図。
【図１３】含浸布に応じたメッキ電流値を示す図。
【図１４】被処理基板上に定電圧状態で形成されたメッ
キ膜の均一性を示す特性図。
【図１５】第４実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図１６】第５実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図１７】第６実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図１８】図１７のメッキ装置によって形成されるバン
プの形状を示す断面図。
【図１９】第７実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図２０】図１９の含浸パッドの製造工程を示す工程断
面図。
【図２１】図１９と異なる含浸パッドの製造工程を示す
図。
【図２２】第７実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図２３】第７実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【図２４】第８実施形態に係わるメッキ装置の概略構成
を示す図。
【符号の説明】
１００…被処理基板 １０１…Ｓｉ基板 １０２…絶縁膜（構造体） １０３…導電体層 １０４…凹部 １０５…凸部 １０６…メッキ膜 １１０…メッキヘッド １１１…含浸パッド １１２…陽極 １１３…電源 １１４…メッキ液 １２０…陰極接点
フロントページの続き (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 AB02 AB08 AB15 BA11 BB12 CA03 CA06 CA12 CB06 CB08 CB09 CB17 CB21 CB24 CB26 DB07 FA03 GA16 4M104 AA01 BB32 CC01 DD52 FF18 GG16 HH13

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に形成された凹凸パターンを
    有する構造体の表面の少なくとも一部に形成された導電
    体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と電気
    的に接触するメッキ液を供給することによって、該導電
    体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法において、 前記陽極が接続された前記メッキ液を含む含浸体を前記
    導電体層の少なくとも一部の領域に接触させることによ
    って、前記メッキ膜を形成することを特徴とするメッキ
    方法。
  2. 【請求項２】半導体基板上に形成された構造体の表面の
    少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与
    え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ
    液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を
    形成するメッキ方法において、 前記陽極が接続された前記メッキ液を含む含浸体を前記
    導電体層の少なくとも一部の領域に接触させることによ
    って、前記メッキ膜を形成すると共に、 前記メッキ膜の膜厚分布の制御を行うことを特徴とする
    メッキ方法。
  3. 【請求項３】前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記構
    造体の凹凸に応じて行うことを特徴とする請求項２に記
    載のメッキ方法。
  4. 【請求項４】前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記含
    浸体の滞在時間及び印加電流値の少なくとも一方を制御
    することによって行うことを特徴とする請求項２に記載
    のメッキ方法。
  5. 【請求項５】前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記含
    浸体上に所望のパターンを有する陽極を配置することに
    よって行うことを特徴とする請求項２に記載のメッキ方
    法。
  6. 【請求項６】前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記含
    浸体の内部に所望のパターンの電極又は絶縁体を設ける
    ことによって行うことを特徴とする請求項２に記載のメ
    ッキ方法。
  7. 【請求項７】前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記導
    電体層に対する前記メッキ液の供給量分布が所望の分布
    となっている前記含浸体を用いることによって行うこと
    を特徴とする請求項２に記載のメッキ方法。
  8. 【請求項８】前記含浸体と前記半導体基板とを接触面方
    向に相対的に移動させつつ前記メッキ膜を形成すること
    を特徴とする請求項１又は２に記載のメッキ方法。
  9. 【請求項９】基体の表面の少なくとも一部に形成された
    導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と
    電気的に接触するメッキ液を供給することによって、該
    導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法において、 前記含浸体が前記導電体層又は該導電体層上に形成され
    る前記メッキ膜の少なくとも一部の領域に接触する状態
    を保持しつつ、前記基体と前記含浸体とを接触面に対し
    て垂直方向に相対的に移動させることを特徴とするメッ
    キ方法。
  10. 【請求項１０】前記基体と前記含浸体との接触面の垂直
    方向への相対的な移動は、前記メッキ膜の成長に応じて
    前記半導体基板と前記含浸体とを離す移動であることを
    特徴とする請求項９に記載のメッキ方法。
  11. 【請求項１１】前記メッキ膜の成長に応じて、前記接触
    面の垂直方向への相対的な移動の移動速度及び印加電流
    値の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項
    ９に記載のメッキ方法。
  12. 【請求項１２】前記導電体層と前記含浸体との接触と、
    前記メッキ液を含むメッキ液槽への前記含浸体の浸漬と
    を交互に繰り返しつつ前記メッキ膜を形成することを特
    徴とする請求項１，２又は９の何れかに記載のメッキ方
    法。
  13. 【請求項１３】前記含浸体が接触する領域と異なる領域
    の前記導電体層に、電解液を含むと共に陰極が接続され
    た電解液用含浸体を接触させることによって、該導電体
    層に前記陰極電位を付与することを特徴とする請求項
    １，２又は９の何れかに記載のメッキ方法。
  14. 【請求項１４】前記電解液用含浸体は、前記メッキ液を
    含む含浸体と同一の摺動又は上下運動を行うことを特徴
    とする請求項１３に記載のメッキ方法。
  15. 【請求項１５】前記含浸体が接触する領域と異なる領域
    の前記導電体層上に配置された膜厚測定機構によって、
    前記メッキ膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項
    １，２又は９の何れかに記載のメッキ方法。
  16. 【請求項１６】前記膜厚測定機構の測定結果に応じて、
    前記導電体層に前記含浸体を接触させて前記メッキ膜を
    追加形成することを特徴とする請求項１５に記載のメッ
    キ方法。
  17. 【請求項１７】前記膜厚測定機構は、前記メッキ液を含
    む含浸体と同一の摺動又は上下運動を行うことを特徴と
    する請求項１５に記載のメッキ方法。
  18. 【請求項１８】半導体基板上に形成された構造体の表面
    の少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与
    え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ
    液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を
    形成するメッキ装置において、 前記導電体層の少なくとも一部の領域に接触させ、前記
    陽極が接続配置され、前記メッキ液を保持すると共に前
    記導電体層に対して前記メッキ液を供給する含浸体と、 この含浸体に対してメッキ液を供給するメッキ液供給手
    段と、 前記メッキ膜の形成条件を制御する制御手段とを具備し
    てなることを特徴とするメッキ装置。
  19. 【請求項１９】基体上の少なくとも一部に形成された導
    電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と電
    気的に接続するメッキ液を供給することによって、該導
    電体層上にメッキ膜を形成するメッキ装置において、 前記導電体層の少なくとも一部の領域に接触し、前記陽
    極が接続配置され、前記メッキ液を保持すると共に前記
    導電体層の一部領域に対して選択的に前記メッキ液を供
    給する含浸体と、 この含浸体に対して前記メッキ液を供給するメッキ液供
    給手段と、 前記メッキ膜の成長に応じて、前記基体と前記含浸体と
    の配置間隔を制御する手段とを具備してなることを特徴
    とするメッキ装置。
  20. 【請求項２０】前記含浸体及び該含浸体の一方面に接続
    配置された陽極の側部を囲うように、 絶縁部材を介して、電解液を保持し，前記陰極が接続配
    置された電解液用含浸体が設けられていることを特徴と
    する請求項１８又は１９に記載のメッキ装置。
  21. 【請求項２１】電解液を保持する電解液用含浸体及び該
    含浸体の一方面に接続配置された陰極の側部を囲うよう
    に、 絶縁部材を介して、前記陽極が接続配置された前記含浸
    体が設けられていることを特徴とする請求項１８又は１
    ９に記載のメッキ装置。
  22. 【請求項２２】前記導電体層と前記含浸体との接触面方
    向に対する相対的な位置を変化させる手段を具備してな
    ることを特徴とする請求項１８又は１９に記載のメッキ
    装置。
  23. 【請求項２３】前記陽極には貫通孔が設けられ、 前記メッキ液供給手段は、前記陽極に設けられた貫通孔
    から前記含浸体に対して前記メッキ液を供給することを
    特徴とする請求項１８又は１９に記載のメッキ装置。
  24. 【請求項２４】前記メッキ液供給手段は、前記メッキ液
    が満たされたメッキ液槽と、前記導電体層の少なくとも
    一部の領域に接触する前記含浸体を移動させて前記メッ
    キ液槽中のメッキ液に浸す手段とを具備してなることを
    特徴とする請求項１８又は１９に記載のメッキ装置。
  25. 【請求項２５】前記陽極と前記導電体層との間隔を検知
    する手段と、検知結果に応じて前記陽極と前記導電体層
    との間隔を調整する手段とを具備してなることを特徴と
    する請求項１８又は１９に記載のメッキ装置。
  26. 【請求項２６】前記含浸体に含まれる前記メッキ液の組
    成比を検出する組成検出手段と、この組成検出手段の検
    出結果に応じて、前記含浸体に対してメッキ液の組成を
    調整する手段とを具備してなることを特徴とする請求項
    １８又は１９に記載のメッキ装置。
  27. 【請求項２７】前記含浸体の滞在時間及び印加電流値の
    少なくとも一方を制御する手段を具備してなることを特
    徴とする請求項１８又は１９に記載のメッキ装置。
  28. 【請求項２８】前記含浸体に接続された前記陽極は、所
    望のパターンを有することを特徴とする請求項１８又は
    １９に記載のメッキ装置。
  29. 【請求項２９】前記含浸体の内部には、所望のパターン
    を有する電極又は絶縁体が設けられていることを特徴と
    する請求項１８又は１９に記載のメッキ装置。
  30. 【請求項３０】前記含浸体は、前記導電体層に対する前
    記メッキ液の供給量分布が所望の分布となっていること
    を特徴とする請求項１８又は１９に記載のメッキ装置。
  31. 【請求項３１】前記含浸体を通電時に上下左右に微少運
    動させる手段を具備してなることを特徴とする請求項１
    ８又は１９に記載のメッキ装置。
  32. 【請求項３２】前記含浸体内に該含浸体と前記導電体層
    との接続部近傍の前記メッキ液を排出するストレーナが
    設けられていることを特徴とする請求項１８又は１９に
    記載のメッキ装置。
JP11033234A 1999-02-10 1999-02-10 メッキ方法及びメッキ装置 Pending JP2000232078A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11033234A JP2000232078A (ja) 1999-02-10 1999-02-10 メッキ方法及びメッキ装置
US09/500,645 US6375823B1 (en) 1999-02-10 2000-02-09 Plating method and plating apparatus
TW089102190A TW439106B (en) 1999-02-10 2000-02-10 Plating method and plating apparatus
KR10-2000-0006141A KR100368099B1 (ko) 1999-02-10 2000-02-10 도금 방법 및 도금 장치
US10/107,425 US6913681B2 (en) 1999-02-10 2002-03-28 Plating method and plating apparatus
US11/135,328 US7575664B2 (en) 1999-02-10 2005-05-24 Plating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11033234A JP2000232078A (ja) 1999-02-10 1999-02-10 メッキ方法及びメッキ装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008270226A Division JP4922275B2 (ja) 2008-10-20 2008-10-20 メッキ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000232078A true JP2000232078A (ja) 2000-08-22
JP2000232078A5 JP2000232078A5 (ja) 2005-09-08

Family

ID=12380776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11033234A Pending JP2000232078A (ja) 1999-02-10 1999-02-10 メッキ方法及びメッキ装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US6375823B1 (ja)
JP (1) JP2000232078A (ja)
KR (1) KR100368099B1 (ja)
TW (1) TW439106B (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001048274A1 (en) * 1999-12-24 2001-07-05 Ebara Corporation Apparatus for plating substrate, method for plating substrate, electrolytic processing method, and apparatus thereof
JP2002241996A (ja) * 2001-02-15 2002-08-28 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置、電気めっき装置用めっき液保持部材、銅配線半導体の製造方法
JP2002327299A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材
JP2002327297A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材及びその製造方法
JP2002327298A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材
JP2002327300A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材
WO2004065664A1 (ja) * 2003-01-23 2004-08-05 Ebara Corporation めっき装置及びめっき方法
JP2005187884A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Ebara Corp めっき方法及びめっき装置
JP2006016692A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Lam Res Corp 半導体ウェーハをメッキする装置及び方法
JP2006265738A (ja) * 2006-05-25 2006-10-05 Ebara Corp めっき装置
US7214305B2 (en) 2003-05-14 2007-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing electronic device
US7294569B2 (en) 2003-06-16 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system for minimizing film-thickness variations
WO2007129526A1 (ja) 2006-05-08 2007-11-15 Ibiden Co., Ltd. インダクタ及びこれを利用した電源回路
JP2008524847A (ja) * 2004-12-15 2008-07-10 ラム リサーチ コーポレーション 電気メッキ処理のためのウエハ支持装置およびその利用方法
US7481909B2 (en) 2004-09-24 2009-01-27 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus, plating method and multilayer printed circuit board
US7662694B2 (en) 2006-07-31 2010-02-16 Ibiden Co., Ltd. Capacitor having adjustable capacitance, and printed wiring board having the same
JP2010135811A (ja) * 2002-12-24 2010-06-17 Denso Corp 半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法
JP4828417B2 (ja) * 2003-06-27 2011-11-30 ラム リサーチ コーポレーション 電気メッキ装置
US8128790B2 (en) 2006-01-30 2012-03-06 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus and plating method
JP2012231152A (ja) * 2003-03-27 2012-11-22 Lam Research Corporation 無電解薄膜析出法により平坦化銅相互接続層を形成する方法および装置
US8679576B2 (en) 2006-02-22 2014-03-25 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus and method of plating
JP2016526784A (ja) * 2013-06-17 2016-09-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 湿式ウエハバックコンタクトを使用したシリコンビアを通した銅メッキのための方法
JP2019014950A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 メテック株式会社 めっき処理システム及びめっき処理方法
WO2019102867A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及びコンピュータ記憶媒体
CN112301394A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 西北工业大学 一种可以提高环形件内表面电镀层均匀性的镀腔
KR102404457B1 (ko) * 2021-01-20 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치 및 기판의 막 두께 측정 방법
WO2022224817A1 (ja) * 2021-04-21 2022-10-27 三菱電機株式会社 めっき電極及び該めっき電極を用いためっき方法

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040065540A1 (en) * 2002-06-28 2004-04-08 Novellus Systems, Inc. Liquid treatment using thin liquid layer
US6534116B2 (en) * 2000-08-10 2003-03-18 Nutool, Inc. Plating method and apparatus that creates a differential between additive disposed on a top surface and a cavity surface of a workpiece using an external influence
EP1067221A3 (en) * 1999-07-08 2004-09-08 Ebara Corporation Method and apparatus for plating substrate and plating facility
US6355153B1 (en) * 1999-09-17 2002-03-12 Nutool, Inc. Chip interconnect and packaging deposition methods and structures
US6921551B2 (en) * 2000-08-10 2005-07-26 Asm Nutool, Inc. Plating method and apparatus for controlling deposition on predetermined portions of a workpiece
US7754061B2 (en) * 2000-08-10 2010-07-13 Novellus Systems, Inc. Method for controlling conductor deposition on predetermined portions of a wafer
US6946066B2 (en) * 2001-07-20 2005-09-20 Asm Nutool, Inc. Multi step electrodeposition process for reducing defects and minimizing film thickness
US20040170753A1 (en) * 2000-12-18 2004-09-02 Basol Bulent M. Electrochemical mechanical processing using low temperature process environment
US20060081477A1 (en) * 2000-12-18 2006-04-20 Basol Bulent M Method and apparatus for establishing additive differential on surfaces for preferential plating
JP2002222823A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp 半導体集積回路およびその製造方法
US7442282B2 (en) * 2002-12-02 2008-10-28 Ebara Corporation Electrolytic processing apparatus and method
DE10259362A1 (de) * 2002-12-18 2004-07-08 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden einer Legierung auf ein Substrat
JP4312465B2 (ja) * 2003-01-23 2009-08-12 株式会社荏原製作所 めっき方法およびめっき装置
US7704367B2 (en) * 2004-06-28 2010-04-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for plating semiconductor wafers
US20050023149A1 (en) * 2003-06-05 2005-02-03 Tsutomu Nakada Plating apparatus, plating method and substrate processing apparatus
JP2005029830A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
US20050016861A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Thomas Laursen Method for planarizing a work piece
JP4423356B2 (ja) * 2003-09-02 2010-03-03 株式会社荏原製作所 基板のめっき装置
US20050051437A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-10 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
EP1526192A1 (de) * 2003-10-24 2005-04-27 Siemens Aktiengesellschaft Elektrolytisches Verfahren zum Abscheiden einer gradierten Schicht auf ein Substrat und Bauteil
JP2005133160A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
US7422677B2 (en) * 2003-10-31 2008-09-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Membrane-mediated electropolishing
US7736474B2 (en) * 2004-01-29 2010-06-15 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
US7674706B2 (en) * 2004-04-13 2010-03-09 Fei Company System for modifying small structures using localized charge transfer mechanism to remove or deposit material
WO2006017581A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-16 Sv Probe Pte Ltd. Probe tip plating
US20070238265A1 (en) * 2005-04-05 2007-10-11 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
US7550070B2 (en) * 2006-02-03 2009-06-23 Novellus Systems, Inc. Electrode and pad assembly for processing conductive layers
US7396430B2 (en) * 2006-03-31 2008-07-08 Lam Research Corporation Apparatus and method for confined area planarization
DE102006030323A1 (de) * 2006-04-21 2007-10-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer metallischen Substratoberfläche
US8500985B2 (en) * 2006-07-21 2013-08-06 Novellus Systems, Inc. Photoresist-free metal deposition
US7732329B2 (en) * 2006-08-30 2010-06-08 Ipgrip, Llc Method and apparatus for workpiece surface modification for selective material deposition
DE102006058621A1 (de) * 2006-12-11 2008-06-19 Schleifring Und Apparatebau Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Lichtleiters für einen optischen Drehübertrager
US20080237048A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Ismail Emesh Method and apparatus for selective electrofilling of through-wafer vias
JP5424675B2 (ja) * 2008-03-18 2014-02-26 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4989541B2 (ja) * 2008-03-31 2012-08-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 めっき方法、半導体装置の製造方法およびめっき処理システム
DE102008019864B3 (de) * 2008-04-16 2009-09-24 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum elektrochemischen Beschichten eines Substrates durch Brush Plating und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
US8278220B2 (en) * 2008-08-08 2012-10-02 Fei Company Method to direct pattern metals on a substrate
DE102009048669A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum elektrochemischen Beschichten eines Substrates durch Brush Plating und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
US8747639B2 (en) 2011-03-31 2014-06-10 Pratt & Whitney Canada Corp. Metal plating method and apparatus
KR101283009B1 (ko) * 2011-05-26 2013-07-05 주승기 전기 도금장치 및 전기 도금방법
US9255339B2 (en) 2011-09-19 2016-02-09 Fei Company Localized, in-vacuum modification of small structures
WO2013125643A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 トヨタ自動車株式会社 金属被膜の成膜装置および成膜方法
CN102764920B (zh) * 2012-07-06 2014-04-02 河南理工大学 一种双面外扩形金属微小孔阵列加工方法
US20140332952A1 (en) * 2013-05-09 2014-11-13 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and method for testing the same
JP5949696B2 (ja) 2013-08-07 2016-07-13 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置および成膜方法
JP6024714B2 (ja) * 2013-10-03 2016-11-16 トヨタ自動車株式会社 成膜用ニッケル溶液およびこれを用いた成膜方法
CN103646923A (zh) * 2013-12-19 2014-03-19 中国科学院半导体研究所 一种晶圆级基板微通孔电镀方法
CN103936108B (zh) * 2014-04-12 2015-11-18 大连双迪创新科技研究院有限公司 洗涤用水制取装置
GB2535805A (en) 2015-02-27 2016-08-31 Biomet Uk Healthcare Ltd Apparatus and method for selectively treating a surface of a component
JP6197813B2 (ja) 2015-03-11 2017-09-20 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法
CN106917123B (zh) * 2017-03-31 2019-01-25 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种晶圆电镀装置及电镀方法
US12139809B2 (en) * 2021-01-13 2024-11-12 Corrdesa, LLC Electrochemical treatment system
TWI750018B (zh) * 2021-01-25 2021-12-11 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆裝置及基板之膜厚量測方法
CN115335555B (zh) * 2021-03-10 2023-09-19 株式会社荏原制作所 镀覆装置、以及镀覆方法
US20230279575A1 (en) * 2022-03-03 2023-09-07 William Robert Crumly Electroplating of nanolaminates
CN114808055B (zh) * 2022-04-02 2023-07-04 中国电子科技集团公司第三十八研究所 局部电镀保护装置及方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1787431A (en) * 1925-07-13 1931-01-06 Batenburg Electroplating device
US2972882A (en) * 1952-08-12 1961-02-28 Gen Motors Corp Apparatus for measuring coating thicknesses
DE1939125B2 (de) * 1969-08-01 1972-02-24 Fernsteuergeräte KurtOelsch KG, 1000 Berlin Vorrichtung zur anzeige der schichtdicke eines in einem elektrolytischen bad abgeschiedenen stoffes
US3755089A (en) * 1971-11-18 1973-08-28 Rapid Electroplating Process I Method of gold plating
US3954570A (en) * 1974-11-11 1976-05-04 Amp Incorporated Sensitized polyimides and circuit elements thereof
JPS54121237A (en) * 1978-03-14 1979-09-20 Inoue Japax Res Inc Electroplating
JPS5585692A (en) 1978-12-22 1980-06-27 Hitachi Ltd Plating method
DE2936247A1 (de) * 1979-09-07 1981-03-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Einrichtung zum galvanischen abscheiden einer metallischen schicht mit vorgegebener schichtstaerke
US4595464A (en) * 1984-09-25 1986-06-17 Robbins & Craig Welding & Mfg. Co. Continuous contact method for electrolytic fluid working of parts
JPH02225691A (ja) 1988-09-07 1990-09-07 Kawasaki Steel Corp 耐食性に優れる金属材の下地処理方法
DE4019965A1 (de) * 1990-06-21 1992-01-09 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substratmaterial
JP3167317B2 (ja) 1990-10-18 2001-05-21 株式会社東芝 基板処理装置及び同方法
FR2714080B1 (fr) * 1993-12-16 1996-03-01 Dalic Dispositif pour le traitement électrochimique, notamment localisé, d'un substrat conducteur.
JPH1028798A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp 回転槽のバランサ
KR100215120B1 (ko) 1997-04-21 1999-08-16 유무성 리이드 프레임 도금 장치 및 그에 의한 리이드 프레임 도금 방법
JP3329696B2 (ja) 1997-07-08 2002-09-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6143156A (en) * 1998-07-24 2000-11-07 Cae Vanguard, Inc. Electroplating method and apparatus
US6110345A (en) * 1998-11-24 2000-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for plating workpieces

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6632335B2 (en) 1999-12-24 2003-10-14 Ebara Corporation Plating apparatus
US7387717B2 (en) 1999-12-24 2008-06-17 Ebara Corporation Method of performing electrolytic treatment on a conductive layer of a substrate
WO2001048274A1 (en) * 1999-12-24 2001-07-05 Ebara Corporation Apparatus for plating substrate, method for plating substrate, electrolytic processing method, and apparatus thereof
JP2002241996A (ja) * 2001-02-15 2002-08-28 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置、電気めっき装置用めっき液保持部材、銅配線半導体の製造方法
JP2002327300A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材
JP2002327298A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材
JP2002327297A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材及びその製造方法
JP2002327299A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Ibiden Co Ltd 電解めっき装置用めっき液保持部材
JP2010135811A (ja) * 2002-12-24 2010-06-17 Denso Corp 半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法
WO2004065664A1 (ja) * 2003-01-23 2004-08-05 Ebara Corporation めっき装置及びめっき方法
JP2012231152A (ja) * 2003-03-27 2012-11-22 Lam Research Corporation 無電解薄膜析出法により平坦化銅相互接続層を形成する方法および装置
US7214305B2 (en) 2003-05-14 2007-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing electronic device
US7294569B2 (en) 2003-06-16 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system for minimizing film-thickness variations
JP4828417B2 (ja) * 2003-06-27 2011-11-30 ラム リサーチ コーポレーション 電気メッキ装置
JP2005187884A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Ebara Corp めっき方法及びめっき装置
KR101287760B1 (ko) 2004-06-30 2013-07-19 램 리써치 코포레이션 반도체 웨이퍼를 도금하는 장치 및 방법
KR101246964B1 (ko) 2004-06-30 2013-03-25 램 리써치 코포레이션 반도체 웨이퍼를 도금하는 장치 및 방법
JP2006016692A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Lam Res Corp 半導体ウェーハをメッキする装置及び方法
US7481909B2 (en) 2004-09-24 2009-01-27 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus, plating method and multilayer printed circuit board
US8383956B2 (en) 2004-09-24 2013-02-26 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus, plating method and multilayer printed circuit board
US7897027B2 (en) 2004-09-24 2011-03-01 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus, plating method and multilayer printed circuit board
US8197659B2 (en) 2004-09-24 2012-06-12 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus, plating method and multilayer printed circuit board
JP2008524847A (ja) * 2004-12-15 2008-07-10 ラム リサーチ コーポレーション 電気メッキ処理のためのウエハ支持装置およびその利用方法
US8721863B2 (en) 2006-01-30 2014-05-13 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus and plating method
US8128790B2 (en) 2006-01-30 2012-03-06 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus and plating method
US8679576B2 (en) 2006-02-22 2014-03-25 Ibiden Co., Ltd. Plating apparatus and method of plating
US7868728B2 (en) 2006-05-08 2011-01-11 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it
US7855626B2 (en) 2006-05-08 2010-12-21 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it
US8207811B2 (en) 2006-05-08 2012-06-26 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it
US7843302B2 (en) 2006-05-08 2010-11-30 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it
US7812702B2 (en) 2006-05-08 2010-10-12 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it
WO2007129526A1 (ja) 2006-05-08 2007-11-15 Ibiden Co., Ltd. インダクタ及びこれを利用した電源回路
JP2006265738A (ja) * 2006-05-25 2006-10-05 Ebara Corp めっき装置
US7662694B2 (en) 2006-07-31 2010-02-16 Ibiden Co., Ltd. Capacitor having adjustable capacitance, and printed wiring board having the same
JP2016526784A (ja) * 2013-06-17 2016-09-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 湿式ウエハバックコンタクトを使用したシリコンビアを通した銅メッキのための方法
JP2019014950A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 メテック株式会社 めっき処理システム及びめっき処理方法
WO2019102867A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及びコンピュータ記憶媒体
CN112301394A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 西北工业大学 一种可以提高环形件内表面电镀层均匀性的镀腔
CN112301394B (zh) * 2020-10-30 2022-05-24 西北工业大学 一种可以提高环形件内表面电镀层均匀性的镀腔
KR102404457B1 (ko) * 2021-01-20 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치 및 기판의 막 두께 측정 방법
WO2022157852A1 (ja) * 2021-01-20 2022-07-28 株式会社荏原製作所 めっき装置及び基板の膜厚測定方法
CN115119515A (zh) * 2021-01-20 2022-09-27 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及基板的膜厚测定方法
CN115119515B (zh) * 2021-01-20 2023-03-24 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及基板的膜厚测定方法
US20230152077A1 (en) * 2021-01-20 2023-05-18 Ebara Corporation Plating apparatus and film thickness measuring method for substrate
US11906299B2 (en) 2021-01-20 2024-02-20 Ebara Corporation Plating apparatus and film thickness measuring method for substrate
WO2022224817A1 (ja) * 2021-04-21 2022-10-27 三菱電機株式会社 めっき電極及び該めっき電極を用いためっき方法
JP7561975B2 (ja) 2021-04-21 2024-10-04 三菱電機株式会社 めっき電極及び該めっき電極を用いためっき方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100368099B1 (ko) 2003-01-15
US20050211560A1 (en) 2005-09-29
US6913681B2 (en) 2005-07-05
TW439106B (en) 2001-06-07
KR20000071337A (ko) 2000-11-25
US20020096435A1 (en) 2002-07-25
US7575664B2 (en) 2009-08-18
US6375823B1 (en) 2002-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000232078A (ja) メッキ方法及びメッキ装置
KR100773164B1 (ko) 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치
US20040214510A1 (en) Conductive polishing pad with anode and cathode
JP6222145B2 (ja) 金属皮膜の成膜装置およびその成膜方法
US20060113192A1 (en) Plating device and planting method
CN1585835A (zh) 电解抛光组件以及对导电层执行电解抛光的方法
JP4540981B2 (ja) めっき方法
JP4312465B2 (ja) めっき方法およびめっき装置
JP2007050506A (ja) 電解加工装置
US20070181441A1 (en) Method and apparatus for electropolishing
JP6793742B2 (ja) 電解処理治具及び電解処理方法
JP2007051374A (ja) 電解加工方法および基板処理方法
JP4212905B2 (ja) めっき方法およびこれに使用するめっき装置
JP4922275B2 (ja) メッキ方法
US6767437B2 (en) Electroplating apparatus and electroplating method
JP4139124B2 (ja) めっき装置及び方法
JP4423354B2 (ja) めっき方法
JP2005002455A (ja) めっき方法及びめっき装置
JP2005298886A (ja) 電解処理装置および方法
US7632382B2 (en) Plating apparatus
JP4624873B2 (ja) めっき方法
JP2005260224A (ja) 電気化学機械研磨のためのシステム
JP4361760B2 (ja) めっき方法
JP2005264281A (ja) めっき装置及びめっき方法
JP2000173977A (ja) 電気平坦化方法およびその機構

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050315

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050315

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081020

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090317