JP2000227871A - 不揮発性記憶装置、その制御方法、および、情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 不揮発性記憶装置、その制御方法、および、
情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 データとその管理情報とを記憶する記憶
手段と、データを論理アドレスが示す場所に書き込む旨
の要求を受け付ける要求受付手段と、論理アドレスに対
応する物理アドレスを管理情報により取得し、その場所
が使用ずみである場合、これを管理する第１管理情報と
使用ずみでない場所を管理する第２管理情報とを取得す
る書込前情報取得手段と、記憶手段から使用ずみでない
領域を第３管理情報および第４管理情報を記憶する領域
として取得する新規領域取得手段と、第１管理情報中の
第１物理アドレスを第２物理アドレスに置き替え、第４
管理情報を記憶する領域と対応付けた管理情報を、第３
管理情報として記憶する第３管理情報記憶手段と、第２
管理情報中の第２物理アドレスを第１物理アドレスに置
き替え、これを新規領域取得手段により取得された第４
管理情報として記憶する第４管理情報記憶手段を備える
ように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性記憶装
置、不揮発性記憶装置の制御方法、および、不揮発性記
憶装置を実現する情報記録媒体に関し、特に、論理アド
レスを物理アドレスに変換してデータを書き込むことが
でき、この作業が中断した場合に、データの管理情報を
修復することができる不揮発性記憶装置、当該不揮発性
記憶装置の制御方法、および、当該不揮発性記憶装置を
制御するプログラムを記録した情報記録媒体に関する。

【０００２】また、本発明は、ハードディスクやフロッ
ピー（登録商標）ディスクと同様の指定方法によりデー
タの記憶場所を指定することができるＡＴＡ（AT Attac
hment ）カードやＳＳＦＤＣ（Solid State Floppy Dis
k Card Forum）カードなどのメモリカード、これらのカ
ードの制御方法、および、これらのカードを制御するプ
ログラムを記録した情報記録媒体に関する。

【０００３】また、本発明は、フラッシュＥＥＰＲＯＭ
（Electrically Erasable Programmable Read Only Mem
ory ；電気的消去可能プログラム可能読み出し専用メモ
リ）、および、ＲＡＭ（Random Access Memory；ランダ
ムアクセスメモリ）を備え、データの読み出し、およ
び、書き込みの要求の際に指定される論理アドレスをフ
ラッシュＥＥＰＲＯＭ内の物理アドレスに変換するため
の変換テーブルをフラッシュＥＥＰＲＯＭ、および、Ｒ
ＡＭに分割して記憶し、フラッシュＥＥＰＲＯＭに記憶
された変換テーブルのデータに基づいてＲＡＭに変換テ
ーブルを構築する不揮発性記憶装置、当該不揮発性記憶
装置の制御方法、および、当該不揮発性記憶装置を制御
するプログラムを記録した情報記録媒体に関する。

【０００４】

【従来の技術】不揮発性記憶装置として実現されるＡＴ
ＡカードやＳＳＦＤＣカードなどのメモリカードは、コ
ンピュータの外部記憶装置として普及しつつあり、ま
た、その規格の標準化が進められている。

【０００５】特に、ＰＣ（Personal Computer ）カード
標準、もしくは、ＰＣＭＣＩＡ（Personal Computer Me
mory Card International Association ）標準にしたが
ったメモリカードは、ホストコンピュータと接続した場
合は外部記憶装置として動作し、ホストコンピュータと
の接続を解除した場合は記憶したデータを保持したまま
単独で移動や運搬が可能であり、ホストコンピュータの
電源が投入されている場合であっても活線接続、およ
び、活線接続解除が可能である。このような利点を有す
るため、ＡＴＡカードなどのメモリカードは、たとえ
ば、ディジタルカメラなどによって撮影されたデータを
記録し、そのデータをホストコンピュータへ移送するた
めの手段として広く使用されている。

【０００６】ＡＴＡカードやＳＳＦＤＣカードなどのメ
モリカードに対して、これらが接続されたホストコンピ
ュータからデータの書き込み、および、読み出しの要求
をする場合には、そのデータの記録場所を指定する必要
がある。この記録場所を指定する際に、論理アドレスと
呼ばれる整数を用いる。論理アドレスは、ハードディス
クやフロッピーディスクに対する書き込みや読み出しの
際にも、記録場所を指定するために使用される。また、
論理アドレスのことを論理ブロックアドレスと呼ぶこと
もある。

【０００７】たとえば、ハードディスクに対するアクセ
スは、ある程度のデータ、たとえば５１２バイトのデー
タをまとめて処理した方が高速な処理ができるため５１
２バイトを１セクタとして、セクタ単位で書き込みや読
み出しを行う。現実のハードディスクにおける記憶場所
の指定はシリンダ番号、ヘッド番号、セクタ番号などに
よって行われるが、読み出しや書き込みの処理を統一化
するため、仮想的に、ハードディスクの記憶領域を一列
に並べて先頭からセクタ単位で区切り、番号を振る。こ
の番号が論理アドレスである。フロッピーディスクの場
合も同様に論理アドレスを定義することができる。

【０００８】ホストコンピュータでは、ハードディスク
などにアクセスする場合に論理アドレスを使用するが、
このような記憶場所の指定方法をＡＴＡカードやＳＳＦ
ＤＣカードなどのメモリカードでも使用できるようにす
ると、アプリケーション開発やデータ管理の上で便利で
ある。このため、このようなメモリカードでは、論理ア
ドレスを使用した記憶場所の指定ができるような制御を
行う必要がある。

【０００９】また、上述のようなディジタルカメラにメ
モリカードを接続した場合においても、ディジタルカメ
ラがメモリカードに対してデータの書き込みや読み出し
を行う場合は、論理アドレスを使用して記憶場所を指定
する。すなわち、ディジタルカメラが上述の「ホストコ
ンピュータ」として動作するのである。

【００１０】さて、このようなメモリカードは、内部に
不揮発性メモリ、特にフラッシュＥＥＰＲＯＭを備える
ことによって実現されている。フラッシュＥＥＰＲＯＭ
の記憶領域は、１つまたは複数のブロックに分割され、
各ブロックは１つまたは複数のページに分割され、各ペ
ージはハードディスクなどの書き込みや読み出しの単位
と同じ容量、たとえば５１２バイトを記憶することが可
能な記憶領域として構成されている。また、各ページ
に、さらに冗長領域として、たとえば１６バイトの記憶
領域を追加する形態も広くとられている。前者の場合は
１ページは５１２バイトであり、後者の場合は１ページ
は５２８バイトとなるが、いずれも、ホストコンピュー
タによる読み出しや書き込みの単位である５１２バイト
のデータを記憶できるという点で共通する。

【００１１】フラッシュＥＥＰＲＯＭ内の記憶領域の場
所は、チップ番号、そのチップにおけるブロック番号、
および、そのブロックにおけるページ番号を指定すれば
一義的に決めることができる。そこで仮想的に、フラッ
シュＥＥＰＲＯＭ内の記憶領域を一列に並べ、先頭から
順にページ単位で番号を振る。この番号を物理アドレス
と呼ぶ。すなわち、物理アドレスによってフラッシュＥ
ＥＰＲＯＭ内の記憶領域の場所を指定することができ
る。

【００１２】フラッシュＥＥＰＲＯＭは、電気的に消去
が可能な読み出し専用メモリである。すなわち、原則と
して、電気的に消去されたページに対して１度だけデー
タの書き込みができる。したがって、あるページに記憶
にされているデータを変更したい場合には、そのページ
をまず消去し、それから新たなデータを書き込む必要が
ある。さらに、フラッシュＥＥＰＲＯＭでは、素子数を
おさえ、処理の高速化を図るため、上記の消去の処理
は、ブロック単位で行われるという点に技術的な特徴が
ある。

【００１３】また、フラッシュＥＥＰＲＯＭによって
は、すでにデータが書き込まれているページ、特にその
冗長部に対する上書き機能を備えたものもある。しか
し、このような上書き機能では、上書きの回数が制限さ
れている場合がほとんどである。また、上書き機能自体
を備えないフラッシュＥＥＰＲＯＭも多い。

【００１４】このようなメモリカードでは、ホストコン
ピュータから指定される論理アドレスを物理アドレスに
変換して、当該物理アドレスに配置されたページに対す
る書き込みや読み出しを行う。しかし、上記のような書
き込みの制限があるため、論理アドレスと物理アドレス
との対応は頻繁に変更される可能性が高い。

【００１５】従来から、論理アドレスと物理アドレスと
を対応付けるための管理情報もフラッシュＥＥＰＲＯＭ
に記憶する手法が提案されている。さらに、読み書きの
高速化を図るために、フラッシュＥＥＰＲＯＭのほかに
ＲＡＭを備え、このＲＡＭに論理アドレスを物理アドレ
スに変換するためのアドレス変換テーブルを記憶し、論
理アドレスと物理アドレスの対応が更新された場合に
は、ＲＡＭに記憶されたアドレス変換テーブルも更新す
る手法が提案されている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このようなメモリカー
ド、特に、ＰＣカード標準にしたがったメモリカードで
は、書き込み処理が行われていないときに限り活線抜き
出しが可能であるが、ユーザの誤処理によって書き込み
処理の途中でメモリカードが抜き出されてしまう場合が
ある。また、ディジタルカメラなどの記憶装置としてメ
モリカードを使用した場合、電池切れなどにより書き込
みの途中で電源が切断されてしまう場合がある。このよ
うな場合に、論理アドレスと物理アドレスとの対応付け
を管理する管理情報の整合性をできるだけとって、メモ
リカードの使用に支障ができるだけ発生しないようにし
たいという要望は大きい。

【００１７】本発明は、以上の課題を解決するためにな
されたもので、論理アドレスを物理アドレスに変換して
データを書き込むことができ、この作業が中断した場合
に、データの管理情報を修復することができる不揮発性
記憶装置、当該不揮発性記憶装置の制御方法、および、
当該不揮発性記憶装置を制御するプログラムを記録した
情報記録媒体を提供することを課題とする。

【００１８】また、本発明は、ハードディスクやフロッ
ピーディスクと同様の指定方法によりデータの記憶場所
を指定することができるＡＴＡカードやＳＳＦＤＣカー
ドなどのメモリカード、これらのカードの制御方法、お
よび、これらのカードを制御するプログラムを記録した
情報記録媒体を提供することを課題とする。

【００１９】また、本発明は、フラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍ、および、ＲＡＭを備え、データの読み出し、およ
び、書き込みの要求の際に指定される論理アドレスをフ
ラッシュＥＥＰＲＯＭ内の物理アドレスに変換するため
の変換テーブルをフラッシュＥＥＰＲＯＭ、および、Ｒ
ＡＭに分割して記憶し、フラッシュＥＥＰＲＯＭに記憶
された変換テーブルのデータに基づいてＲＡＭに変換テ
ーブルを構築する不揮発性記憶装置、当該不揮発性記憶
装置の制御方法、および、当該不揮発性記憶装置を制御
するプログラムを記録した情報記録媒体を提供すること
を課題とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】以上の課題を達成するた
めの発明は下記の発明である。

【００２１】第１の発明は、以下の手段を備えることを
特徴とする不揮発性記憶装置である。

【００２２】（ａ）データと、当該データを記憶する領
域の場所の論理アドレスと物理アドレスとを対応付ける
管理情報と、を記憶する記憶手段と、（ｂ）データを任
意の論理アドレスが示す場所に書き込む旨の要求を受け
付ける要求受付手段と、（ｃ）要求受付手段により受け
付けられた論理アドレスに対応する物理アドレスを記憶
手段に記憶された管理情報により取得し、当該第１物理
アドレスが示す場所が使用ずみである場合、当該物理ア
ドレスを管理する管理情報を記憶する第１管理情報と、
使用ずみでない場所の第２物理アドレスを管理する管理
情報を記憶する第２管理情報と、を取得する書込前情報
取得手段と、（ｄ）記憶手段から使用ずみでない領域を
第３管理情報および第４管理情報を記憶する領域として
取得する新規領域取得手段と、（ｅ）書込前情報取得手
段により取得された第１管理情報に含まれる第１物理ア
ドレスを第２物理アドレスに置き替え、新規領域取得手
段により取得された第４管理情報を記憶する領域と対応
付けた管理情報を、新規領域取得手段により取得された
第３管理情報を記憶する領域に記憶する第３管理情報記
憶手段と、（ｆ）書込前情報取得手段により取得された
第２管理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物理ア
ドレスに置き替え、これを新規領域取得手段により取得
された第４管理情報を記憶する領域に記憶する第４管理
情報記憶手段。

【００２３】なお、「使用ずみ」とは、現在その場所が
使用中である場合と、その場所が過去に使用され、現在
はすでに古くなったデータを記憶しているにすぎないた
め、その場所がフラッシュＥＥＰＲＯＭの「消去可能」
である場合と、の両方の場合を含む。以下同様である。

【００２４】図１に、第１の発明の概要を表すブロック
構成図を示す。第１の発明に係る不揮発性記憶装置１０
において、記憶手段１１は、データと、当該データを記
憶する領域の場所の論理アドレスと物理アドレスとを対
応付ける管理情報と、を記憶し、要求受付手段１２は、
データを任意の論理アドレスが示す場所に書き込む旨の
要求を受け付け、書込前情報取得手段１３は、要求受付
手段１２により受け付けられた論理アドレスに対応する
物理アドレスを記憶手段１１に記憶された管理情報によ
り取得し、当該第１物理アドレスが示す場所が使用ずみ
である場合、当該物理アドレスを管理する管理情報を記
憶する第１管理情報と、使用ずみでない場所の第２物理
アドレスを管理する管理情報を記憶する第２管理情報
と、を取得し、新規領域取得手段１４は、記憶手段１１
から使用ずみでない領域を第３管理情報および第４管理
情報を記憶する領域として取得し、第３管理情報記憶手
段１５は、書込前情報取得手段１３により取得された第
１管理情報に含まれる第１物理アドレスを第２物理アド
レスに置き替え、新規領域取得手段１４により取得され
た第４管理情報を記憶する領域と対応付けた管理情報
を、新規領域取得手段により取得された第３管理情報を
記憶する領域に記憶し、第４管理情報記憶手段１６は、
書込前情報取得手段１３により取得された第２管理情報
に含まれる第２物理アドレスを第１物理アドレスに置き
替え、これを新規領域取得手段１４により取得された第
４管理情報を記憶する領域に記憶する。

【００２５】第１の発明により、論理アドレスを物理ア
ドレスに変換してデータを書き込むことができる不揮発
性記憶装置を提供することができる。

【００２６】また、ハードディスクやフロッピーディス
クと同様の指定方法によりデータの記憶場所を指定する
ことができるＡＴＡカードやＳＳＦＤＣカードなどのメ
モリカードを提供することができる。

【００２７】第２の発明は、第１の発明において、さら
に、以下の手段を備えることを特徴とする不揮発性記憶
装置である。

【００２８】（ｇ）第３管理情報記憶手段により記憶さ
れた第３管理情報に対応付けられた第４管理情報を記憶
する領域に、第４管理情報記憶手段により記憶されるべ
き第４管理情報が記憶されているか否かを判断する書込
完了判断手段と、（ｈ）書込完了判断手段により、第４
管理情報が記憶されていないと判断した場合、記憶手段
に記憶される第１管理情報と第２管理情報とに基づい
て、第２管理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物
理アドレスに置き替え、第３管理情報記憶手段により記
憶された第３管理情報に対応付けられた領域に、第４管
理情報として記憶して修復する第４管理情報修復手段。

【００２９】図２は、第２の発明の概略を表すブロック
構成図を示す。なお、図２において、図１と同様の機能
を有する要素には同じ符号を付している。

【００３０】第２の発明では、書込完了判断手段１７
は、第３管理情報記憶手段１５により記憶された第３管
理情報に対応付けられた第４管理情報を記憶する領域
に、第４管理情報記憶手段１６により記憶されるべき第
４管理情報が記憶されているか否かを判断し、第４管理
情報修復手段１８は、書込完了判断手段１７により、第
４管理情報が記憶されていないと判断した場合、記憶手
段１１に記憶される第１管理情報と第２管理情報とに基
づいて、第２管理情報に含まれる第２物理アドレスを第
１物理アドレスに置き替え、第３管理情報記憶手段によ
り記憶された第３管理情報に対応付けられた領域に、第
４管理情報として記憶して修復する。

【００３１】第２の発明により、論理アドレスを物理ア
ドレスに変換してデータを書き込む作業が中断した場合
に、データの管理情報を修復することができる不揮発性
記憶装置を提供することができる。

【００３２】第３の発明は、第１または第２の発明にお
いて、記憶手段は、不揮発性記憶装置、もしくは、これ
と揮発性記憶装置との組合せにより構成されることを特
徴とする不揮発性記憶装置である。

【００３３】第３の発明により、フラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍ、および、ＲＡＭを備え、データの読み出し、およ
び、書き込みの要求の際に指定される論理アドレスをフ
ラッシュＥＥＰＲＯＭ内の物理アドレスに変換するため
の変換テーブルをフラッシュＥＥＰＲＯＭ、および、Ｒ
ＡＭに分割して記憶し、フラッシュＥＥＰＲＯＭに記憶
された変換テーブルのデータに基づいてＲＡＭに変換テ
ーブルを構築する不揮発性記憶装置を提供することがで
きる。

【００３４】第４の発明は、以下のステップを備えるこ
とを特徴とし、データと、当該データを記憶する領域の
場所の論理アドレスと物理アドレスとを対応付ける管理
情報と、を記憶する記憶手段を備える不揮発性記憶装置
の制御方法である。

【００３５】（ａ）データを任意の論理アドレスが示す
場所に書き込む旨の要求を受け付ける要求受付ステップ
と、（ｂ）要求受付ステップにおいて受け付けられた論
理アドレスに対応する物理アドレスを記憶手段に記憶さ
れた管理情報により取得し、当該第１物理アドレスが示
す場所が使用ずみである場合、当該物理アドレスを管理
する管理情報を記憶する第１管理情報と、使用ずみでな
い場所の第２物理アドレスを管理する管理情報を記憶す
る第２管理情報と、を取得する書込前情報取得ステップ
と、（ｃ）記憶手段から使用ずみでない領域を第３管理
情報および第４管理情報を記憶する領域として取得する
新規領域取得ステップと、（ｄ）書込前情報取得ステッ
プにおいて取得された第１管理情報に含まれる第１物理
アドレスを第２物理アドレスに置き替え、新規領域取得
ステップにおいて取得された第４管理情報を記憶する領
域と対応付けた管理情報を、新規領域取得ステップにお
いて取得された第３管理情報を記憶する領域に記憶する
第３管理情報記憶ステップと、（ｅ）書込前情報取得ス
テップにおいて取得された第２管理情報に含まれる第２
物理アドレスを第１物理アドレスに置き替え、これを新
規領域取得ステップにおいて取得された第４管理情報を
記憶する領域に記憶する第４管理情報記憶ステップ。

【００３６】第５の発明は、さらに、以下のステップを
備えることを特徴とする請求項４記載の不揮発性記憶装
置の制御方法である。

【００３７】（ｆ）第３管理情報記憶ステップにおいて
記憶された第３管理情報に対応付けられた第４管理情報
を記憶する領域に、第４管理情報記憶手段により記憶さ
れるべき第４管理情報が記憶されているか否かを判断す
る書込完了判断ステップと、（ｇ）書込完了判断ステッ
プにおいて第４管理情報が記憶されていないと判断した
場合、記憶手段に記憶される第１管理情報と第２管理情
報とに基づいて、第２管理情報に含まれる第２物理アド
レスを第１物理アドレスに置き替え、第３管理情報記憶
手段により記憶された第３管理情報に対応付けられた領
域に、第４管理情報として記憶して修復する第４管理情
報修復ステップ。

【００３８】第４および第５の発明に係る方法を不揮発
性記憶装置で実行することにより、第１から第３の発明
に係る不揮発性記憶装置を実現することができる。これ
により、第１から第３の発明と同様の効果を奏する。

【００３９】第６の発明は、以下のステップを備えるこ
とを特徴とし、データと、当該データを記憶する領域の
場所の論理アドレスと物理アドレスとを対応付ける管理
情報と、を記憶する記憶手段を備える不揮発性記憶装置
を制御するプログラムを記録した情報記録媒体である。

【００４０】（ａ）データを任意の論理アドレスが示す
場所に書き込む旨の要求を受け付ける要求受付ステップ
と、（ｂ）要求受付ステップにおいて受け付けられた論
理アドレスに対応する物理アドレスを記憶手段に記憶さ
れた管理情報により取得し、当該第１物理アドレスが示
す場所が使用ずみである場合、当該物理アドレスを管理
する管理情報を記憶する第１管理情報と、使用ずみでな
い場所の第２物理アドレスを管理する管理情報を記憶す
る第２管理情報と、を取得する書込前情報取得ステップ
と、（ｃ）記憶手段から使用ずみでない領域を第３管理
情報および第４管理情報を記憶する領域として取得する
新規領域取得ステップと、（ｄ）書込前情報取得ステッ
プにおいて取得された第１管理情報に含まれる第１物理
アドレスを第２物理アドレスに置き替え、新規領域取得
ステップにおいて取得された第４管理情報を記憶する領
域と対応付けた管理情報を、新規領域取得ステップにお
いて取得された第３管理情報を記憶する領域に記憶する
第３管理情報記憶ステップと、（ｅ）書込前情報取得ス
テップにおいて取得された第２管理情報に含まれる第２
物理アドレスを第１物理アドレスに置き替え、これを新
規領域取得ステップにおいて取得された第４管理情報を
記憶する領域に記憶する第４管理情報記憶ステップ。

【００４１】第７の発明は、さらに、以下のステップを
備えることを特徴とする請求項５記載の不揮発性記憶装
置を制御するプログラムを記録する情報記録媒体であ
る。

【００４２】（ｆ）第３管理情報記憶ステップにおいて
記憶された第３管理情報に対応付けられた第４管理情報
を記憶する領域に、第４管理情報記憶手段により記憶さ
れるべき第４管理情報が記憶されているか否かを判断す
る書込完了判断ステップと、（ｇ）書込完了判断ステッ
プにおいて第４管理情報が記憶されていないと判断した
場合、記憶手段に記憶される第１管理情報と第２管理情
報とに基づいて、第２管理情報に含まれる第２物理アド
レスを第１物理アドレスに置き替え、第３管理情報記憶
手段により記憶された第３管理情報に対応付けられた領
域に、第４管理情報として記憶して修復する第４管理情
報修復ステップ。

【００４３】第６および第７の発明によれば、これらの
プログラムを記録した情報記録媒体により、これをソフ
トウェア商品として不揮発性記憶装置と独立して容易に
配布したり販売したりすることができるようになる。ま
た、本発明の情報記録媒体に記録されたプログラムを不
揮発性記憶装置で実行すれば、第１から第３の発明に係
る不揮発性記憶装置、および、第４または第５の発明に
係る不揮発性記憶装置の制御方法が実現でき、これらの
発明と同様の効果を奏する。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態を説明
する。なお、本実施形態は、本発明の説明のためのもの
であり、本発明の範囲を制限するものではない。したが
って、当業者であれば、各要素をこれと均等なものに置
換した実施形態を採用することが可能であり、これらの
実施形態も本発明の範囲に含まれる。

【００４５】また、論理アドレスや物理アドレスは、１
セクタ（５１２バイト）、セクタグループ（複数のセク
タ）、１ページ（５１２バイト、冗長部を含めて５２８
バイト）、１ブロック（複数のページ）など、任意のデ
ータ・サイズを単位として管理することが可能であり、
論理アドレスの単位と物理アドレスの単位とが異なって
いてもよい。これらの実施形態も本発明の範囲に含まれ
る。

【００４６】図３は、本発明に係る不揮発性記憶装置
（メモリカード）の基本的な構成を示すブロック構成図
である。メモリカード１０１は、インターフェース１０
２、ＣＰＵ １０３、フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０
４、ＲＡＭ １０５を備え、これらはバス１０６を介し
て接続されている。

【００４７】インターフェース１０２はホストコンピュ
ータが送信するデータの書き込みおよび読み出しの要求
を受信し、これらの要求に対する応答をホストコンピュ
ータへ送信する。さらに、ホストコンピュータからイン
ターフェース１０２を介して電源を供給することも可能
である。また、メモリカード１０１がＡＴＡカードであ
る場合には、インターフェース１０２は、ＰＣカード
（ＰＣＭＣＩＡ）標準にしたがった形状および構成とす
る。

【００４８】メモリカード１０１がホストコンピュータ
へ接続され、電源の供給が開始されると、ＣＰＵ １０
３はフラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４に記憶された第２
アドレス変換テーブルに基づいて、第１アドレス変換テ
ーブルを構築し、ＲＡＭ １０５内にこの第１アドレス
変換テーブルを記憶させる。

【００４９】また、ホストコンピュータとの間でデータ
の書き込みや読み出しの処理が行われる場合に、ＲＡＭ
１０５を用いて転送されるデータをバッファリングし
て、データ転送の高速化を図ることができる。

【００５０】また、ＣＰＵ １０３は、フラッシュＥＥ
ＰＲＯＭ １０４の各ページに実際に書き込まれるデー
タのイメージ、たとえば５２８バイトのイメージをＲＡ
Ｍ１０５内に作成してから、これをまとめてフラッシュ
ＥＥＰＲＯＭ １０４の所望のページに書き込む。この
際に、ＣＰＵ １０３が有するＤＭＡ（Direct Memory
Access；直接メモリアクセス）転送装置（図示せず）に
よってバス１０６を介した高速なデータ転送を実現する
ことができる。

【００５１】なお、データ転送のバッファリングに使用
するＲＡＭを別途用意してバス１０６に接続して、第１
アドレス変換テーブルを記憶するＲＡＭ １０５とは異
なるチップとすることも可能である。

【００５２】フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４の各ペー
ジは、主としてホストコンピュータが書き込んだデータ
を記憶するページと、第２アドレス変換テーブルを記憶
するページと、に分類することができる。

【００５３】また、ＣＰＵ １０３は、プログラムＲＯ
Ｍ（図示せず）を備える。このプログラムＲＯＭにメモ
リカードを制御するプログラムが記録され、電源が投入
されたときにＣＰＵ １０３はプログラムＲＯＭに記録
されたプログラムをロードして、それ以降はこのメモリ
カード制御プログラムを実行し続ける。プログラムＲＯ
ＭをＥＥＰＲＯＭとすれば、別途配布されたメモリカー
ド制御プログラムを新たに記憶させることによって、新
たなメモリカード制御プログラムに更新することができ
る。

【００５４】また、ＣＰＵ １０３は、レジスタや、キ
ャッシュ、メモリなどのＲＡＭ（図示せず）を内部に備
え、一時的な記憶領域として使用することができる。こ
れらの記憶領域に対する読み出しや書き込み作業はバス
１０６を介する必要がないため、さらに高速な処理が実
行できる。

【００５５】ここで、フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４
およびＲＡＭ １０５は、第１アドレス変換テーブルお
よび第２アドレス変換テーブルを記憶するとともに、こ
れらのテーブルにより管理される領域にデータを記憶す
ることにより、記憶手段１１として機能する。

【００５６】インターフェース１０２は、要求受付手段
１２として機能する。

【００５７】ＣＰＵ １０３は、フラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍ １０４およびＲＡＭ １０５と共働して、書込前情
報取得手段１３、新規領域取得手段１４、第３管理情報
記憶手段１５、第４管理情報記憶手段１６、書込完了判
断手段１７、第４管理情報修復手段１８として機能す
る。

【００５８】図４は、本発明に係る不揮発性記憶装置
（メモリカード）の実施形態の論理アドレスと物理アド
レスとの対応を記憶するテーブルの構成図である。

【００５９】ＲＡＭ １０５は、第１アドレス変換テー
ブル４０１を記憶し、フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４
は、第１アドレス変換テーブルの各項目が参照する第２
アドレス変換テーブル４０２を記憶する。

【００６０】本実施形態では、アドレス変換テーブルを
２段階に分けているため、論理アドレス４０３をこの段
階と同じ数、すなわち、２個のビット列に分ける。この
ビット列をたとえば、上位から下位へ順に、ｉ、ｊとす
る。

【００６１】第１アドレス変換テーブル４０１を配列
（要素数ｘ）の形式でＲＡＭ １０５に記憶した場合、
ビット列ｉは、要素数ｘを表現できるビット数が必要で
ある。すなわち、ｉ≧ｌｏｇ ｘでなければならない。
なお、対数の底は２である。

【００６２】第２アドレス変換テーブル４０２のそれぞ
れを配列（要素数ｙ）の形式でフラッシュＥＥＰＲＯＭ
１０４に記憶した場合、ビット列ｊは、要素数ｙを表
現できるビット数が必要である。すなわち、ｊ≧ｌｏｇ
ｙでなければならない。第２アドレス変換テーブル４
０２のそれぞれは、フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４の
１ページに入る大きさに設定することができる。なお、
この１ページのことを便宜上「管理ページ」と呼ぶが、
管理ページの大きさは、フラッシュＥＥＰＲＯＭの１ペ
ージに限られず、複数バイトでも、複数ページでも、ブ
ロックでも複数ブロックでもかまわない。

【００６３】図５は、管理ページの様子を示す説明図で
ある。管理ページ５０１はフラッシュＥＥＰＲＯＭ １
０４の１ページ分からなり、要素数ｙの配列５０２を記
憶する。配列の各要素５０３は、以下のデータを含む。

【００６４】・論理アドレス４０３に対応する物理アド
レス４０４を格納する物理アドレス領域５０４・物理ア
ドレス４０４がすでに書き込み済みで現在有効なデータ
を格納している「使用中」か、書き込み済みだがもはや
古いデータになっている「消去可」か、以前に消去され
ており「使用可」か、を示すフラグを格納するステータ
ス領域５０５このほか、管理ページ５０１は、その管理
ページが管理する論理アドレス４０３の上位の値ｉを記
憶する自己番号領域５０６を有する。この自己番号領域
５０６は、冗長部に設けることができる。なお、上位の
値ｉを「自己番号」と呼ぶ。

【００６５】さらに、管理ページ５０１は、その管理ペ
ージに対応する管理ページの自己番号を記憶する対応番
号領域５０７を有する。

【００６６】なお、物理アドレス４０４の単位は、前述
の通り、バイト、ページ、ブロック、複数ブロックなど
が考えられ、いずれを採用しても本願発明の効果を得る
ことができる。

【００６７】以下、図６を参照して論理アドレス４０３
を物理アドレス４０４に変換するアドレス変換処理につ
いて説明する。図７は、アドレス変換処理の手順を表す
フローチャートである。なお、論理アドレス４０３は、
インターフェース１０２が書き込み要求や読み出し要求
にともなう形で受信したものである場合が多いが、これ
に限るものではない。

【００６８】まず、ＣＰＵ １０３は、論理アドレス４
０３の上位のビット列の値ｉを取得する（ステップＳ６
０１）。

【００６９】次に、ＣＰＵ １０３は、ＲＡＭ １０５
に記憶された第１アドレス変換テーブル４０１の配列の
ｉ番目の要素を取得する（ステップＳ６０２）。これ
は、第２アドレス変換テーブル４０２、すなわち、管理
ページｐの物理アドレスａである。なお、この物理アド
レスａの単位は、上記のようにバイト、ページ、ブロッ
ク、複数ブロックのいずれでも本願発明の効果を得るこ
とができる。また、物理アドレスａの単位は、管理ペー
ジ５０１の物理アドレス領域５０４に記憶される物理ア
ドレスの単位と異なっていてもよい。

【００７０】さらに、ＣＰＵ １０３は、論理アドレス
４０３の下位のビット列の値ｊを取得する（ステップＳ
６０３）。

【００７１】そして、ＣＰＵ １０３は、取得した管理
ページ５０１の配列のｊ番目の要素を取得する（ステッ
プＳ６０６）。

【００７２】こうして、ＣＰＵ １０３は、取得した要
素の物理アドレス領域５０４から、結果となる物理アド
レスの値を得ることができ（ステップＳ６０７）、本処
理は終了する。なお、取得した要素のステータス領域５
０５を見れば、当該物理アドレスに記憶されたデータが
有効なものか否かが判明する。

【００７３】論理アドレスを指定してデータを不揮発性
メモリから読み出す場合には、アドレス変換処理により
得た物理アドレスに配置されたバイト、バイト列、ペー
ジ、ブロック、複数ブロックなどに記憶されたデータ
を、その単位に応じて読み出せばよい。

【００７４】好適実施形態の一つとしてなお、論理アド
レスをフラッシュＥＥＰＲＯＭのページと同じサイズで
与える場合がある。この場合は、論理アドレスをこれを
１ブロック当りのページ数で割り算して得られた値を新
たな「論理アドレス」とする。この「論理アドレス」に
対して上記アドレス変換処理を行った場合、得られる
「物理アドレス」は、ブロック単位となる。また、所望
の場所（ページ単位）は、得られた「物理アドレス」で
示されるブロックを構成するページのうち、「論理アド
レスを１ブロック当りのページ数で割り算した場合の余
りの値」番目のページである。この手法により、管理ペ
ージに記憶される配列の各要素の大きさ（ビット数）を
少なくすることができる。

【００７５】以下では、論理アドレスを指定してデータ
を不揮発性メモリに書き込む書き込み処理について、図
７を参照して説明する。図７は、書き込み処理を表すフ
ローチャートである。

【００７６】まず、ＣＰＵ １０３は、前述したアドレ
ス変換処理により、論理アドレスに対応するデータを記
憶する領域を管理する管理ページｐと、その管理ページ
ｐの配列のｋ番目の要素ｐ[ｋ]と、その要素ｐ[ｋ]の物
理アドレス領域ｐ[ｋ].ａｄｄｒと、ステータス領域ｐ
[ｋ].ｓｔａｔとの値を得る（ステップＳ７０１）。

【００７７】次に、ＣＰＵ １０３は、ｐ[ｋ].ｓｔａ
ｔの値が「使用可」であるか否かを判断する（ステップ
Ｓ７０２）。

【００７８】「使用可」である場合（ステップＳ７０
２；Ｙｅｓ）、ｐ[ｋ].ｓｔａｔの値を「使用中」に上
書きして、ｐ[ｋ].ａｄｄｒの値で示される物理アドレ
スにデータを書き込み（ステップＳ７０３）、本処理を
終了する。ここで、上書きにはフラッシュＥＥＰＲＯＭ
の上書き機能を用いることができる。上書きには回数制
限がある場合が多いが、本手法では高々１回しか上書き
がされないため、問題は生じない。

【００７９】なお、ステップＳ７０３において、未だ使
用されていないページを１ページ取得し、このページに
対して、ｐ[ｋ].ｓｔａｔの値を「使用中」とし他の情
報はコピーした内容を書き込めば、上書き機能を使用し
なくとも同様の機能を果たすことができる。

【００８０】一方、「使用可」でない場合（ステップＳ
７０２；Ｎｏ）、配列のいずれかの要素のステータス領
域の情報が「使用可」になっている管理ページｑを、い
ずれかの第２アドレス変換テーブルの中から探す（ステ
ップＳ７０４）。この要素はｈ番目の要素であるとする
と、ｑ[ｈ].ｓｔａｔの値が「使用可」であり、ｑ[ｈ].
ａｄｄｒの値で示される物理アドレスは、以前に消去さ
れてから未だ書き込みがされていないフラッシュＥＥＰ
ＲＯＭ １０４のバイト、ページ、ブロック、複数ブロ
ックなどを参照することになる。

【００８１】ここで、管理ページｐが第１管理情報を記
憶する管理ページであり、管理ページｑが第２管理情報
を記憶する管理ページである。

【００８２】さらに、ＣＰＵ １０３は、未だ使用され
ていないページを２ページ分取得する（ステップＳ７０
５）。これらはぞれぞれ、第３管理情報を記憶する管理
ページｓと、第４管理情報を記憶する管理ページｔとし
て使用される。

【００８３】管理ページ用の領域を新規に取得する際に
は、物理アドレスを上位から下位へ、あるいは下位から
上位へ、のいずれか一つの方向へ取得することが望まし
い。このような形態をとることにより、管理ページ用の
領域が不足していることが用意に判明するからである。
なお、領域が不足した場合にはガーベージコレクション
を行う。たとえばステータスが「使用済」になっている
ブロックを消去し、管理ページを再配置する。これによ
って、必要な新規の管理ページの領域を取得する。

【００８４】管理ページのための領域を固定領域とし、
そのアドレス端から順に新たな管理ページを取得する場
合、「もっとも最近に取得した」管理ページの物理アド
レスが得られれば、すべての管理ページを参照すること
ができる。「もっとも最近に取得した」管理ページの物
理アドレスは、フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４内のリ
ンク領域に記憶され、電源投入時に、ＲＡＭ １０５に
第１管理テーブルを構築するために使用されるが、これ
については後述する。

【００８５】ついで、ＣＰＵ １０３は、管理ページｓ
に、以下のような情報を書き込む（ステップＳ７０
６）。

【００８６】管理ページｓの配列の０番目の要素からｙ
−１番目の要素ｓ[ｕ]の領域には、 ・ｕ≠ｋの場合、ｓ[ｕ].ａｄｄｒ の値として ｐ
[ｕ].ａｄｄｒ を、ｓ[ｕ].ｓｔａｔ の値として ｐ
[ｕ].ｓｔａｔ を、それぞれ記憶する。

【００８７】・ｕ＝ｋの場合、ｓ[ｕ].ａｄｄｒ の値
として ｑ[ｈ].ａｄｄｒ を、ｓ[ｕ].ｓｔａｔ の値
として「使用中」を、それぞれ記憶する。管理ページｓ
の自己番号領域５０６には、管理ページｐの自己番号を
記憶する。

【００８８】管理ページｓの対応番号領域５０７には、
管理ページｑの自己番号を記憶する。

【００８９】なお、これらの情報は、フラッシュＥＥＰ
ＲＯＭの性質により、一括して不可分に書き込まれる。

【００９０】さらに、ＣＰＵ １０３は、ｑ[ｈ].ａｄ
ｄｒの物理アドレスで示される領域にデータを書き込む
（ステップＳ７０７）。

【００９１】次に、ＣＰＵ １０３は、管理ページｔ
に、以下のような情報を書き込む（ステップＳ７０
８）。

【００９２】管理ページｔの配列の０番目の要素からｙ
−１番目の要素ｔ[ｖ]の領域には、 ・ｖ≠ｈの場合、ｔ[ｖ].ａｄｄｒ の値として ｑ
[ｖ].ａｄｄｒ を、ｔ[ｖ].ｓｔａｔ の値として ｑ
[ｖ].ｓｔａｔ を、それぞれ記憶する。

【００９３】・ｖ＝ｈの場合、ｔ[ｖ].ａｄｄｒ の値
として ｐ[ｋ].ａｄｄｒ を、ｔ[ｖ].ｓｔａｔ の値
として「使用済」を、それぞれ記憶する。管理ページｔ
の自己番号領域５０６には、管理ページｑの自己番号を
記憶する。

【００９４】なお、これらの情報も、フラッシュＥＥＰ
ＲＯＭの性質により、一括して不可分に書き込まれる。

【００９５】図８に、管理ページｐ,ｑ,ｓ,ｔの概略を
示す。管理ページｓ,ｔの配列には、管理ページｐ,ｑの
配列のうち、注目する要素ｐ[ｋ]とｑ[ｈ]を交換したよ
うな値が記憶される。

【００９６】管理ページｓに記憶された対応番号を管理
ページｔの自己番号と同じ値にすることにより、第３管
理情報と第４管理情報を対応付けている。

【００９７】また、管理ページｐと管理ページｓ、管理
ページｑと管理ページｔ、のそれぞれは、同じ自己番号
を持つ。これにより、第３管理情報から第１管理情報
を、第４管理情報から第２管理情報を、それぞれ得るこ
とができる。

【００９８】これらにより、管理ページｓに記憶された
対応番号は、管理ページｔの自己番号でもあるので、第
３管理情報から第２管理情報を、得ることができる。こ
れらの性質を利用して、後述する修復処理を行う。

【００９９】最後に、ＣＰＵ １０３は、ＲＡＭ １０
５に記憶された第１管理テーブルの配列のｉ番目の要素
の値を管理ページｓの物理アドレスに更新し、かつて管
理ページｑを参照していた配列の要素の値を管理ページ
ｔの物理アドレスに更新する（ステップＳ７０９）。

【０１００】このように、第３管理情報は、「データの
書き込みを開始したことを示す情報」として機能し、第
４管理情報は、「データの書き込みが完了したことを示
す情報」として機能する。

【０１０１】図９は、本発明の不揮発性記憶装置（メモ
リカード）の第１アドレス変換テーブル構築処理の手順
を示すフローチャートである。電源が投入されたり、ホ
ストコンピュータからリセット信号が送信されたりした
ことを契機として、第１アドレス変換テーブルの構築処
理が開始される。

【０１０２】まず、メモリカードのＣＰＵ １０３は、
ＲＡＭ １０５に配置された第１アドレス変換テーブル
の配列の各要素の値を物理アドレスとしてありえない
値、たとえば、−１に設定する（ステップＳ９０１）。
−１でないか、−１であるかによって、第１アドレス変
換テーブルの当該要素が構築済みか否かが反転できる。

【０１０３】次に、メモリカードのＣＰＵ １０３は、
フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４の所定のリンク領域に
記憶された物理アドレスの値を読み込む（ステップＳ９
０２）。この値により、第２アドレス変換テーブルを記
憶している管理ページの最下位物理アドレスと最上位物
理アドレスとの値が得られる。このアドレスの一方から
他方へ、管理ページを走査していくことにより、第１ア
ドレス変換テーブルが構築できる。

【０１０４】次に、調べる管理ページのアドレスをたと
えば、ステップＳ９０１によって得られた最上位物理ア
ドレスに設定する（ステップＳ９０３）。この場合、次
に処理すべき管理ページのアドレスは、物理アドレスを
デクリメントすることにより得られる。

【０１０５】さらに、ＣＰＵ １０３は、その管理ペー
ジに記憶されている情報のうち、自己番号領域に記憶さ
れた自己番号を得る（ステップＳ９０４）。

【０１０６】ついで、ＣＰＵ １０３は、第１アドレス
変換テーブルの配列のうち、ステップＳ９０４で得た
「自己番号」番目の要素に記憶された値を調べ、それが
−１か否かを調べる（ステップＳ９０５）。

【０１０７】−１ではないの場合（ステップＳ９０５；
Ｎｏ）、その管理ページが記憶する管理情報は古いもの
であり、すでに新たな管理ページによって管理されてい
ることになる。そこで、次に処理すべき管理ページのア
ドレスをデクリメントし（ステップＳ９０６）、そのア
ドレスが管理ページの物理アドレスとして有効か否かを
判断し（ステップＳ９０７）、有効な場合（ステップＳ
９０７；Ｙｅｓ）、ステップＳ９０４に戻る。有効でな
い場合（ステップＳ９０７；Ｎｏ）は、第１アドレス変
換テーブルの構築処理を終了する。

【０１０８】一方、−１である場合（ステップＳ９０
５；Ｙｅｓ）、当該管理ページが、その自己番号を管理
する管理ページのうち、最新のものであることになる。
そこで、第１アドレス変換テーブルの配列のステップＳ
９０４で得た「自己番号」番目の要素に、この管理ペー
ジの物理アドレスを記憶する（ステップＳ９０８）。

【０１０９】さらに、当該管理ページの対応番号領域に
記憶された対応番号を得てその値が自己番号として有効
なものか否かを調べる（ステップＳ９０９）。

【０１１０】対応番号の値が自己番号として有効なもの
でない場合（ステップＳ９０９；Ｎｏ）、この管理ペー
ジは第４管理情報を記憶していたことになる。そこで、
この管理ページの処理を終わり、ステップＳ９０６に戻
る。

【０１１１】一方、対応番号の値が自己番号として有効
な場合（ステップＳ９０９；Ｙｅｓ）、この管理ページ
は、第３管理情報を記憶していたことになる。その場
合、ＲＡＭ １０５の第１アドレス変換テーブルの配列
の「対応番号」番目の要素の値を得る（ステップＳ９１
０）。さらに、これが管理ページの物理アドレスとして
有効か否かを調べる（ステップＳ９１１）。有効でない
場合（ステップＳ９１１；Ｎｏ）、第４管理情報が記憶
されていないことになるため、修復処理を行い（ステッ
プＳ９１２）、この管理ページの処理を終わり、ステッ
プＳ９０６に戻る。なお、修復処理の詳細については後
述する。

【０１１２】一方、有効である場合（ステップＳ９１
１；Ｙｅｓ）、フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０４から、
当該物理アドレスの管理情報を取得する。これは、第４
管理情報に相当する。さらに、第３管理情報と、第４管
理情報のそれぞれの自己番号から、フラッシュＥＥＰＲ
ＯＭ １０４内に記憶された第１管理情報と第２管理情
報とを得る（ステップＳ９１３）。

【０１１３】さらに、この４つの管理情報を比較し、第
４管理情報が有効か否かを調べる（ステップＳ９１
４）。

【０１１４】前述した通り、有効である場合、 ・第１管理情報と第３管理情報の大部分は共通する。

【０１１５】・第２管理情報と第４管理情報の大部分は
共通する。

【０１１６】・上記２つの共通しない情報部分は、互い
に値を交換した関係になっている。

【０１１７】この様子は、図８に示した通りである。

【０１１８】第４管理情報が有効である場合（ステップ
Ｓ９１４；Ｙｅｓ）、ステップＳ９０６に戻る。

【０１１９】第４管理情報が有効でない場合（ステップ
Ｓ９１４；Ｎｏ）、修復処理を行い（ステップＳ９１
２）、ステップＳ９０６に戻る。修復処理については後
述する。

【０１２０】図１０は、本発明の不揮発性記憶装置（メ
モリカード）の第２アドレス変換テーブルの修正処理の
手順を示すフローチャートである。

【０１２１】まず、ＣＰＵ １０３は、第１〜第３管理
情報を元に、ＲＡＭ １０５に第４管理情報を作成する
（ステップＳ１００１）。図８に示すように、第１〜第
３管理情報から第４管理情報を作成することができる。

【０１２２】次に、新たな管理ページを取得し（ステッ
プＳ１００２）、第４管理情報をそのページに格納する
（ステップＳ１００３）。

【０１２３】さらに、そのページの物理アドレスを、対
応するＲＡＭ １０５内の配列の要素として記憶し（ス
テップＳ１００４）、本処理を終了する。

【０１２４】なお、上記実施形態では、修復処理を開始
するか否かについての判断を各「自己番号」の最新ペー
ジを取得したときに行うこととしているが、以下の実施
形態をとることもできる。

【０１２５】すなわち、すべてがリンクされた管理用に
使用される複数ブロックで、リンク領域に記憶された物
理アドレス値での最新ページのみを対象とし、このペー
ジについてだけ判断を行う。このような実施形態をとる
ことができるのは、電源のＯＦＦなどの中断がどの時点
で発生しても、中断が起きたかどうかは、その時の最新
の第２アドレス変換テーブルを記憶している管理ページ
にのみ反映されるからである。

【０１２６】したがって、この実施形態では、メモリカ
ードの起動時に行われる第１アドレス変換テーブルの構
築処理の先頭で、１回だけ判断と修復が行われることに
なる。

【０１２７】

【発明の効果】第１に、論理アドレスを物理アドレスに
変換してデータを書き込むことができる不揮発性記憶装
置、および、その制御方法を提供することができる。

【０１２８】また、ハードディスクやフロッピーディス
クと同様の指定方法によりデータの記憶場所を指定する
ことができるＡＴＡカードやＳＳＦＤＣカードなどのメ
モリカード、および、その制御方法を提供することがで
きる。

【０１２９】第２に、論理アドレスを物理アドレスに変
換してデータを書き込む作業が中断した場合に、データ
の管理情報を修復することができる不揮発性記憶装置、
および、その制御方法を提供することができる。

【０１３０】第３に、フラッシュＥＥＰＲＯＭ、およ
び、ＲＡＭを備え、データの読み出し、および、書き込
みの要求の際に指定される論理アドレスをフラッシュＥ
ＥＰＲＯＭ内の物理アドレスに変換するための変換テー
ブルをフラッシュＥＥＰＲＯＭ、および、ＲＡＭに分割
して記憶し、フラッシュＥＥＰＲＯＭに記憶された変換
テーブルのデータに基づいてＲＡＭに変換テーブルを構
築する不揮発性記憶装置、および、その制御方法を提供
することができる。

【０１３１】第４に、これらの制御を実現するプログラ
ムを記録した情報記録媒体により、これをソフトウェア
商品として不揮発性記憶装置と独立して容易に配布した
り販売したりすることができるようになる。本発明の情
報記録媒体に記録されたプログラムを不揮発性記憶装置
で実行すれば、上記の発明に係る不揮発性記憶装置、お
よび、上記の発明に係る不揮発性記憶装置の制御方法が
実現でき、同様に、上記効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の不揮発性記憶装置の概要を表すブ
ロック構成図である。

【図２】第２の発明の不揮発性記憶装置の概要を表すブ
ロック構成図である。

【図３】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）の
基本構成を示すブロック構成図である。

【図４】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）の
管理情報の格納の様子を示す説明図である。

【図５】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）の
管理ページの様子を示す説明図である。

【図６】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）の
アドレス変換処理の手順を示すフローチャートである。

【図７】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）の
書き込み処理の手順を示すフローチャートである。

【図８】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）の
書き込み処理により処理される管理ページの様子を示す
説明図である。

【図９】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）の
第１アドレス変換テーブル構築処理の手順を示すフロー
チャートである。

【図１０】本発明の不揮発性記憶装置（メモリカード）
の第２アドレス変換テーブルの修正処理の手順を示すフ
ローチャートである。

【符号の説明】

１０ 不揮発性記憶装置 １１ 記憶手段 １２ 要求受付手段 １３ 書込前情報取得手段 １４ 新規領域取得手段 １５ 第３管理情報記憶手段 １６ 第４管理情報記憶手段 １７ 書込完了判断手段 １８ 第４管理情報修復手段 １０１ メモリカード １０２ インターフェース １０３ ＣＰＵ １０４ フラッシュＥＥＰＲＯＭ １０５ ＲＡＭ １０６ バス ４０１ 第１アドレス変換テーブル ４０２ 第２アドレス変換テーブル ４０３ 論理アドレス ４０４ 物理アドレス ５０１ 管理ページ ５０２ 管理ページの配列 ５０３ 管理ページの配列の要素 ５０４ 物理アドレス領域 ５０５ ステータス領域 ５０６ 自己番号領域 ５０７ 対応番号領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5B025 AD00 AD01 AE00 5B060 AA08 AA09 AB26 AC11 5B065 BA05 CC03 CE12 EA24 5B082 CA08 EA01 FA05 GA15

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】以下の手段を備えることを特徴とする不揮
   発性記憶装置。 （ａ）データと、当該データを記憶する領域の場所の論
   理アドレスと物理アドレスとを対応付ける管理情報と、
   を記憶する記憶手段と、 （ｂ）データを任意の論理アドレスが示す場所に書き込
   む旨の要求を受け付ける要求受付手段と、 （ｃ）前記要求受付手段により受け付けられた論理アド
   レスに対応する物理アドレスを前記記憶手段に記憶され
   た管理情報により取得し、当該第１物理アドレスが示す
   場所が使用ずみである場合、当該物理アドレスを管理す
   る管理情報を記憶する第１管理情報と、使用ずみでない
   場所の第２物理アドレスを管理する管理情報を記憶する
   第２管理情報と、を取得する書込前情報取得手段と、 （ｄ）前記記憶手段から使用ずみでない領域を第３管理
   情報および第４管理情報を記憶する領域として取得する
   新規領域取得手段と、 （ｅ）前記書込前情報取得手段により取得された第１管
   理情報に含まれる第１物理アドレスを第２物理アドレス
   に置き替え、前記新規領域取得手段により取得された第
   ４管理情報を記憶する領域と対応付けた管理情報を、前
   記新規領域取得手段により取得された第３管理情報を記
   憶する領域に記憶する第３管理情報記憶手段と、 （ｆ）前記書込前情報取得手段により取得された第２管
   理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物理アドレス
   に置き替え、これを前記新規領域取得手段により取得さ
   れた第４管理情報を記憶する領域に記憶する第４管理情
   報記憶手段。
2. 【請求項２】さらに、以下の手段を備えることを特徴と
   する請求項１記載の不揮発性記憶装置。 （ｇ）前記第３管理情報記憶手段により記憶された第３
   管理情報に対応付けられた第４管理情報を記憶する領域
   に、前記第４管理情報記憶手段により記憶されるべき第
   ４管理情報が記憶されているか否かを判断する書込完了
   判断手段と、 （ｈ）前記書込完了判断手段により、第４管理情報が記
   憶されていないと判断した場合、前記記憶手段に記憶さ
   れる第１管理情報と第２管理情報とに基づいて、第２管
   理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物理アドレス
   に置き替え、前記第３管理情報記憶手段により記憶され
   た第３管理情報に対応付けられた領域に、第４管理情報
   として記憶して修復する第４管理情報修復手段。
3. 【請求項３】前記記憶手段は、不揮発性記憶装置、もし
   くは、これと揮発性記憶装置との組合せにより構成され
   ることを特徴とする請求項１または２記載の不揮発性記
   憶装置。
4. 【請求項４】以下のステップを備えることを特徴とし、
   データと、当該データを記憶する領域の場所の論理アド
   レスと物理アドレスとを対応付ける管理情報と、を記憶
   する記憶手段を備える不揮発性記憶装置の制御方法。 （ａ）データを任意の論理アドレスが示す場所に書き込
   む旨の要求を受け付ける要求受付ステップと、 （ｂ）前記要求受付ステップにおいて受け付けられた論
   理アドレスに対応する物理アドレスを前記記憶手段に記
   憶された管理情報により取得し、当該第１物理アドレス
   が示す場所が使用ずみである場合、当該物理アドレスを
   管理する管理情報を記憶する第１管理情報と、使用ずみ
   でない場所の第２物理アドレスを管理する管理情報を記
   憶する第２管理情報と、を取得する書込前情報取得ステ
   ップと、 （ｃ）前記記憶手段から使用ずみでない領域を第３管理
   情報および第４管理情報を記憶する領域として取得する
   新規領域取得ステップと、 （ｄ）前記書込前情報取得ステップにおいて取得された
   第１管理情報に含まれる第１物理アドレスを第２物理ア
   ドレスに置き替え、前記新規領域取得ステップにおいて
   取得された第４管理情報を記憶する領域と対応付けた管
   理情報を、前記新規領域取得ステップにおいて取得され
   た第３管理情報を記憶する領域に記憶する第３管理情報
   記憶ステップと、 （ｅ）前記書込前情報取得ステップにおいて取得された
   第２管理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物理ア
   ドレスに置き替え、これを前記新規領域取得ステップに
   おいて取得された第４管理情報を記憶する領域に記憶す
   る第４管理情報記憶ステップ。
5. 【請求項５】さらに、以下のステップを備えることを特
   徴とする請求項４記載の不揮発性記憶装置の制御方法。 （ｆ）前記第３管理情報記憶ステップにおいて記憶され
   た第３管理情報に対応付けられた第４管理情報を記憶す
   る領域に、前記第４管理情報記憶手段により記憶される
   べき第４管理情報が記憶されているか否かを判断する書
   込完了判断ステップと、 （ｇ）前記書込完了判断ステップにおいて第４管理情報
   が記憶されていないと判断した場合、前記記憶手段に記
   憶される第１管理情報と第２管理情報とに基づいて、第
   ２管理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物理アド
   レスに置き替え、前記第３管理情報記憶手段により記憶
   された第３管理情報に対応付けられた領域に、第４管理
   情報として記憶して修復する第４管理情報修復ステッ
   プ。
6. 【請求項６】以下のステップを備えることを特徴とし、
   データと、当該データを記憶する領域の場所の論理アド
   レスと物理アドレスとを対応付ける管理情報と、を記憶
   する記憶手段を備える不揮発性記憶装置を制御するプロ
   グラムを記録した情報記録媒体。 （ａ）データを任意の論理アドレスが示す場所に書き込
   む旨の要求を受け付ける要求受付ステップと、 （ｂ）前記要求受付ステップにおいて受け付けられた論
   理アドレスに対応する物理アドレスを前記記憶手段に記
   憶された管理情報により取得し、当該第１物理アドレス
   が示す場所が使用ずみである場合、当該物理アドレスを
   管理する管理情報を記憶する第１管理情報と、使用ずみ
   でない場所の第２物理アドレスを管理する管理情報を記
   憶する第２管理情報と、を取得する書込前情報取得ステ
   ップと、 （ｃ）前記記憶手段から使用ずみでない領域を第３管理
   情報および第４管理情報を記憶する領域として取得する
   新規領域取得ステップと、 （ｄ）前記書込前情報取得ステップにおいて取得された
   第１管理情報に含まれる第１物理アドレスを第２物理ア
   ドレスに置き替え、前記新規領域取得ステップにおいて
   取得された第４管理情報を記憶する領域と対応付けた管
   理情報を、前記新規領域取得ステップにおいて取得され
   た第３管理情報を記憶する領域に記憶する第３管理情報
   記憶ステップと、 （ｅ）前記書込前情報取得ステップにおいて取得された
   第２管理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物理ア
   ドレスに置き替え、これを前記新規領域取得ステップに
   おいて取得された第４管理情報を記憶する領域に記憶す
   る第４管理情報記憶ステップ。
7. 【請求項７】さらに、以下のステップを備えることを特
   徴とする請求項５記載の不揮発性記憶装置を制御するプ
   ログラムを記録する情報記録媒体。 （ｆ）前記第３管理情報記憶ステップにおいて記憶され
   た第３管理情報に対応付けられた第４管理情報を記憶す
   る領域に、前記第４管理情報記憶手段により記憶される
   べき第４管理情報が記憶されているか否かを判断する書
   込完了判断ステップと、 （ｇ）前記書込完了判断ステップにおいて第４管理情報
   が記憶されていないと判断した場合、前記記憶手段に記
   憶される第１管理情報と第２管理情報とに基づいて、第
   ２管理情報に含まれる第２物理アドレスを第１物理アド
   レスに置き替え、前記第３管理情報記憶手段により記憶
   された第３管理情報に対応付けられた領域に、第４管理
   情報として記憶して修復する第４管理情報修復ステッ
   プ。