JP2000223012A

JP2000223012A - 電子放出源の製造方法及び電子放出源

Info

Publication number: JP2000223012A
Application number: JP5914299A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Takigawa; 浩史滝川; Kenju Sakakibara; 建樹榊原; Shigeo Ito; 茂生伊藤
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1999-01-31
Filing date: 1999-01-31
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】製造が容易な電子放出源の製造方法を提供す
ること。【解決手段】チャンバ１０１を圧力１ＰａのＨｅ雰囲
気にして、直流１００Ａのアーク電流を流して１秒間ア
ーク放電させて、陰極１０２を局所的に加熱させると、
陰極１０２を構成する陰極材料が飛散して、表面に多数
のカーボンナノチューブが形成された粒子が生じる。前
記粒子を収集して、電子放出源のエミッタとして使用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出源の製造
方法及び電子放出源に関する。

【０００２】

【従来の技術】電界電子放出源は、熱エネルギを利用す
る電子源（熱電子放出源）に比べ、省エネルギで長寿命
化が可能など、優れた点が多い。現在、このような電界
電子放出源の材料としては、シリコン等の半導体、タン
グステン、モリブデン等の金属が知られている。

【０００３】電界電子放出源は、その先端に電界を集中
させるため、鋭利な先端を持たなければならない。しか
しながら、タングステン等の金属材料の先端を鋭利に加
工することは容易ではない。また、使用中に電界電子放
出源の先端の鋭利さを保つためには、電子管内を１０
^−８Ｔｏｒｒ台以上の高真空にする必要もある。このよ
うに、金属材料を用いた電界電子放出源は、その製造が
非常に困難であるとともに、その後の電子管の製造も困
難にする。

【０００４】最近、上記の様な欠点を持たない電界電子
放出源の材料として、カーボンナノチューブが注目され
ている。カーボンナノチューブは、それ自体が電界を集
中させるのに充分な鋭利さを持ち、化学的に安定で、機
械的にも強靱であるという特徴を持つため、電界電子放
出源として非常に有望視されている。

【０００５】従来のカーボンナノチューブの製造方法と
して、特開平６−２８０１１６号公報に記載されている
ように、圧力２００Ｔｏｒｒ〜２５００ＴｏｒｒのＨｅ
等のガス雰囲気中で、カーボン直流アーク放電により、
陰極のカーボン電極にカーボンナノチューブを成長させ
る方法がある。前記方法では、陰極のカーボン電極上の
無定形炭素の殻（シェル（ｓｈｅｌｌ））の内部（コア
（ｃｏｒｅ））に、カーボンナノチューブ等の集積部が
形成され、前記殻からカーボンナノチューブを採集する
ようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記従来のカーボンナ
ノチューブの製造方法においては、殻からカーボンナノ
チューブを採集するため、カーボンナノチューブの採集
が極めて煩雑になるという問題があった。従って、前記
のようにして得られたカーボンナノチューブを用いて電
子放出源を製造するためには、極めて煩雑な工程が必要
になるという問題があった。

【０００７】本発明は、製造が容易な電子放出源の製造
方法を提供することを課題としている。また、本発明
は、製造が容易な電子放出源を提供することを課題とし
ている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、所定ガ
ス１０Ｔｏｒｒから１０^−４Ｔｏｒｒの雰囲気中でグラ
ファイト又は所定の触媒金属を含有するグラファイトか
ら成る粒子生成用材料を加熱することにより粒子を生成
し、前記粒子を基板に被着してエミッタとして使用する
ことを特徴とする電子放出源の製造方法が提供される。

【０００９】前記ガスは、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４等の炭化
水素系ガス、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｈ_２、Ｎ_２あるいは
ＨｅやＡｒ等の希ガスを使用することができる。また、
前記触媒金属は、Ｎｉ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈ、
Ｗ、Ｖ、Ｐｄ又はこれらの混合物のいずれかを使用する
ことができる。

【００１０】さらに、前記基板は、前記粒子生成用材料
に対向して配設され、前記粒子を直接被着することによ
り前記エミッタを形成するようにしてもよい。さらにま
た、前記基板には、直流バイアス又はＲＦバイアスを印
加するようにしてもよい。また、前記基板に、ペースト
状又は粉体状の前記粒子を被着することにより前記エミ
ッタを形成するようにしてもよい。

【００１１】また、前記基板は、第１の電極、抵抗層、
絶縁層、第２の電極及びリフトオフ層が積層されると共
に前記抵抗層が露出するように凹部が形成されて成り、
前記基板に前記粒子を被着させた後、前記リフトオフ層
を除去することにより、電子放出源を製造するようにし
てもよい。

【００１２】本発明の電子放出源は、所定ガス１０Ｔｏ
ｒｒから１０^−４Ｔｏｒｒの雰囲気中で、グラファイト
又は所定の触媒金属を含有するグラファイトから成る粒
子生成用材料を加熱することにより粒子を発生させて前
記粒子を基板に被着してエミッタとして使用することを
特徴としている。

【００１３】また、本発明の電子放出源は、第１の電極
と第２の電極間に、その表面にカーボンナノチューブを
有する粒子により形成されたエミッタを配設して成るこ
とを特徴としている。第１の電極と第２の電極間に電圧
を印加することにより、エミッタから電子が放出され
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る電子放出源の製造方法に使用する装置の概略図
である。図１において、ＳＵＳ３０４で形成され陽極と
して機能するチャンバ１０１内には、陰極１０２及びＭ
ｏにより形成されたトリガ電極１０３が配設されてい
る。粒子生成用材料である陰極１０２の材料として、グ
ラファイトやＮｉ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｏ、ｐｔ、Ｒｈ、Ｗ、
Ｖ、Ｐｄ又はこれらの混合物等の触媒金属を含有するグ
ラファイト等、グラファイトを使用した種々の材料が使
用できる。

【００１５】例えば、グラファイト（純度９９．９９８
ｗｔ％）やＮｉ−Ｙ含有グラファイト（Ｎｉ；１４．６
ｗｔ％、Ｙ；４．９ｗｔ％）、Ｎｉ含有グラファイト
（Ｎｉ；３．２ｗｔ％）、Ｙ含有グラファイト（Ｙ；
０．８２ｗｔ％）、Ｆｅ含有グラファイト（Ｆｅ；３．
０ｗｔ％）又はＣｏ含有グラファイト（Ｃｏ；３．０ｗ
ｔ％）等の触媒金属を含有するグラファイト等が利用で
きる。

【００１６】また、チャンバ１０１の外部には、絶縁部
材１０４を介して、保護抵抗１０５、アーク放電時に流
れる電流を検出するための電流計１０６及びアーク放電
を行うための電源（図示せず）が設けられている。

【００１７】チャンバ１０１を圧力１ＰａのＨｅ雰囲気
にして、直流１００Ａのアーク電流を流して１秒間アー
ク放電させて、陰極１０２を局所的に加熱させると、陰
極１０２を構成する陰極材料が飛散して、微少の粒子で
ある飛散小滴（Ｄｒｏｐｌｅｔ）が生じる。尚、アーク
放電を生じさせる方式として、パルスを供給するパルス
アーク放電方式でもよい。

【００１８】前記粒子の表面には、一度溶融した炭素集
合体が急冷される際に再結晶して、炭素あるいは炭素と
触媒金属の化合物を核として、多数のカーボンナノチュ
ーブが形成される。チャンバ１０１の内壁に付着した前
記粒子を収集して電子放出源用基板に被着させる、ある
いは、チャンバ１０１に電子放出源用基板を配設してこ
れに前記粒子を直接被着させる等の方法により、前記粒
子を、電子を放出するエミッタとして電子放出源に適用
することができる。

【００１９】図２は、前記条件下で生成された前記粒子
を収集して走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した写
真である。細い線状に見える部分がカーボンナノチュー
ブである。前記方法によって、その表面が多数のカーボ
ンナノチューブによって覆われた粒子が生成しているこ
とがわかる。また、図３は、前記粒子を収集して透過型
電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察した写真であり、多層
カーボンナノチューブが生成していることがわかる。

【００２０】図４は、本発明の実施の形態に係る電子放
出源を示す図で、前記方法によって生成した粒子を収集
して、これをエミッタとして利用した電子放出源の部分
側断面面図である。図４において、ガラス製の基板４０
１、第１の電極としてのカソード電極４０２、抵抗層４
０３、絶縁層４０４及び第２の電極としてのゲート電極
４０５が積層配設されると共に、抵抗層４０３が露出す
るように凹部４０７が形成されている。

【００２１】尚、基板４０１として、電子放出源の構造
に応じて、セラミック製の基板、半導体性や導電性の基
板又はプラスチック製基板等、絶縁体、半導体あるいは
金属導体によって形成された各種基板を適宜使用するこ
とができる。また、後述するように、チャンバ内で直接
カーボンナノチューブを被着させる場合には、基板に直
接、直流バイアスやＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ）バイアスを加えて、生成条件を制御することもで
きる。

【００２２】凹部４０７内の抵抗層４０３上には、前述
の如くして得られた粒子４０６がペースト状にされて厚
膜印刷され、あるいは粉体塗布の方法等により被着され
て、エミッタ層を形成している。尚、過電流防止のため
の抵抗層４０３を用いる必要がない場合には、粒子４０
６はカソード電極４０２上に直接被着される。

【００２３】以上のように構成された電子放出源は、カ
ソード電極４０２とゲート電極４０５の間に電圧を印加
することにより、電界の作用によって、エミッタを形成
する粒子４０６から電子が放出される。これを電子管等
の表示装置のカソードして用いることができる。

【００２４】尚、本実施の形態においては、チャンバ１
０１を圧力１ＰａのＨｅ雰囲気にして行ったが、Ｃ_２Ｈ
_２、Ｃ_２Ｈ_４等の炭化水素系ガス、ＣＯ、ＣＯ_２、
Ｏ_２、Ｈ_２、Ｎ_２あるいは各種の希ガス中で、１０Ｔｏ
ｒｒ以下の低圧力から１０^−３〜１０^−４Ｔｏｒｒまで
の中高真空雰囲気で行うことが可能である。

【００２５】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る
電子放出源の製造方法に使用する装置の概略図である。
図５において、ＳＵＳ３０４で形成され陽極として機能
するチャンバ５０１内には、陰極５０２、遮蔽板５０
３、Ｍｏにより形成されたトリガ電極５０５、基板固定
台５０６が配設されている。

【００２６】基板固定台５０６は、絶縁部材５０７によ
って電気的にフロートした状態でチャンバ５０１に固定
されており又、基板固定台５０６には、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃ
ｏあるいはＦｅによって形成された基板５０４が固定さ
れている。基板５０４は、陰極５０２に対向して配設さ
れており、例えば、陰極５０２の表面から８５ｍｍ程度
離間した位置に配設されている。尚、基板５０４は、絶
縁体、半導体あるいは金属導体によって形成された各種
基板を適宜使用することができる。

【００２７】粒子生成用材料である陰極５０２の材料と
しては、第１の実施の形態と同様に、グラファイトやＮ
ｉ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｏ、ｐｔ、Ｒｈ、Ｗ、Ｖ、Ｐｄ又はこ
れらの混合物等の触媒金属を含有するグラファイト等、
グラファイトを使用した種々の材料が使用できる。

【００２８】例えば、グラファイト（純度９９．９９８
ｗｔ％）やＮｉ−Ｙ含有グラファイト（Ｎｉ；１４．６
ｗｔ％、Ｙ；４．９ｗｔ％）、Ｎｉ含有グラファイト
（Ｎｉ；３．２ｗｔ％）、Ｙ含有グラファイト（Ｙ；
０．８２ｗｔ％）、Ｆｅ含有グラファイト（Ｆｅ；３．
０ｗｔ％）又はＣｏ含有グラファイト（Ｃｏ；３．０ｗ
ｔ％）等の触媒金属を含有するグラファイト等が利用で
きる。

【００２９】チャンバ５０１の外部には、絶縁部材５０
７を介して保護抵抗５１０及びアーク放電時に流れる電
流を検出するための電流計５０９が接続されており又、
アーク放電が生じる領域を所定の範囲内に制限するため
の磁石５０８及びアーク放電を行うための電源（図示せ
ず）が設けられている。また、注入口５１３からはＨｅ
が注入されるようになっており又、排出口側には、隔膜
真空計５１１及びオートバルブ５１２が設けられてい
る。

【００３０】先ず、注入口５１３からＨｅを供給するこ
とによりチャンバ５０１内を圧力０．５ＰａのＨｅ雰囲
気にした後、直流１００Ａのアーク電流を流す。尚、ア
ーク放電を生じさせる方式として、パルスを供給するパ
ルスアーク放電方式でもよい。これにより磁石５０８に
よって制限された領域内でアーク放電させて、陰極５０
２を局所的に加熱させると、陰極５０２を構成する陰極
材料が飛散し、微少な粒子である飛散小滴が生成され
る。

【００３１】図１に関して説明したのと同様に、前記陰
極材料表面の溶融部から粒子が生成する際、一度溶融し
た後、急激に冷却されることにより、原子状の炭素から
カーボンナノチューブの結晶成長が行われる。これによ
り、炭素あるいは炭素と触媒金属の化合物を核として、
その表面が多数のカーボンナノチューブで覆われた前記
粒子が生成される。前記粒子は、陰極５０２の近傍に対
向して配設された基板５０４に被着する。

【００３２】図６は、成膜時間を１分とし、前記条件下
で前記粒子が被着した基板５０４を走査電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）により観察した写真で、図７はその部分拡大写真
である。細い線状に見える部分がカーボンナノチューブ
であり、前記粒子の表面が多数のカーボンナノチューブ
で覆われていることがわかる。

【００３３】図８は、図５に示した装置を用いた電子放
出源の製造方法を説明するための部分側断面図である。
図８において、基板としての電子放出源用基板８００
は、ガラス製の基板８０１、第１の電極としてのカソー
ド電極８０２、抵抗層８０３、絶縁層８０４、第２の電
極としてのゲート電極８０５及びリフトオフ膜８０６が
積層配設されると共に、抵抗層８０３が露出するように
凹部８０７が形成されている。

【００３４】尚、基板８０１として、電子放出源の構造
等に応じて、セラミック製の基板、半導体性や導電性の
基板又はプラスチック製基板等、絶縁体、半導体あるい
は金属導体によって形成された各種基板を適宜使用する
ことができる。また、基板８０１に直接、直流バイアス
やＲＦバイアスを加えて、生成条件を制御することもで
きる。

【００３５】電子放出源を製造する場合には、図５にお
いて、基板５０４の代わりに、前記電子放出源用基板８
００を基板固定台５０６に固定し、陰極５０２の近傍に
対向配設する。この状態で、前述の如くしてアーク放電
を起こして粒子８０８を生成し、粒子８０８を電子放出
源用基板８００に被着させる。

【００３６】これにより、図８に示すように、抵抗層８
０３及びリフトオフ膜８０６に粒子８０８が被着する。
この状態で、リフトオフ膜８０６を剥離除去することに
より、図４と同様に、粒子８０８が抵抗層８０３にのみ
被着してエミッタが形成され、これにより電子放出源が
形成される。この場合にも、過電流防止のための抵抗層
８０３を使用しない場合には、粒子８０８はカソード電
極８０２上に直接被着される。

【００３７】以上のように構成された電子放出源は、カ
ソード電極８０２とゲート電極８０５の間に電圧を印加
することにより、電界の作用によって、エミッタとして
の粒子８０８から電子が放出される。これを電子管等の
表示装置のカソードとして用いることができる。

【００３８】尚、本実施の形態においては、チャンバ１
０１を圧力０．５ＰａのＨｅ雰囲気にして行ったが、Ｃ
_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４等の炭化水素系ガス、ＣＯ、ＣＯ_２、
Ｏ_２、Ｈ_２、Ｎ_２あるいは各種の希ガス中で、１０Ｔｏ
ｒｒ以下の低圧力から１０^−３〜１０^−４Ｔｏｒｒまで
の中高真空雰囲気で行うことが可能である。

【００３９】以上述べた各実施の形態においては、Ｃ_２
Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４等の炭化水素系ガス、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｏ
_２、Ｈ_２、Ｎ_２あるいは各種の希ガス等の所定ガス中１
０Ｔｏｒｒから１０^−４Ｔｏｒｒの雰囲気で、グラファ
イト又は所定の触媒金属を含有するグラファイトから成
る粒子生成用材料を局所的に加熱することにより粒子を
生成し、前記粒子を基板に被着してエミッタとして使用
することを特徴としているので、殻からカーボンナノチ
ューブを抽出する等の作業が不要になり、製造が容易な
電子放出源の製造方法を提供することが可能になる。

【００４０】このとき、所定ガス１０Ｔｏｒｒから１０
^−４Ｔｏｒｒの雰囲気で粒子を生成させているため、イ
ンピーダンスが高く、長時間安定して前記粒子を生成す
ることが可能になる。

【００４１】また、従来は、陰極と陽極をミリメータの
オーダで対向離間させ、前記両電極間に安定な電圧を印
加することにより、アーク放電を安定維持させる必要が
あるため、極めて高度な制御が必要であったが、前記各
実施の形態によれば、陰極の表面上に、トリガ電極でプ
ラズマを形成させるだけという簡単な制御で、容易に長
時間にわたり安定して、表面にカーボンナノチューブが
形成された粒子を生成することができる。

【００４２】尚、前記したグラファイト等の材料の表面
を局所的に加熱して溶融させることが可能な方法であれ
ば、アーク放電に限らず、レーザ照射による加熱、フラ
ッシュランプによる加熱あるいはこれらの組み合わせに
よる加熱等、種々の加熱方法が適用できる。

【００４３】また、前記粒子を収集してペースト状にす
る等の方法により、前記基板に被着することにより、製
造が容易な電子放出源の製造方法を提供することが可能
になる。尚、基板に被着する方法としては、印刷法、ド
クターブレード法、電着法、インクジェット印刷法等が
適用できる。

【００４４】さらに、前記粒子を生成する雰囲気中に基
板を配設した状態で、前記基板に前記粒子を被着するこ
とにより、製造が容易な電子放出源の製造方法を提供す
ることが可能になる。

【００４５】さらにまた、前記基板には、カソード電
極、抵抗層、絶縁層、ゲート電極及びリフトオフ層が積
層されると共に前記抵抗層が露出するように凹部が形成
されて成り、前記基板に前記粒子を被着させた後、前記
リフトオフ層を除去して、前記粒子をエミッタとして前
記抵抗層に被着することにより、製造が容易な電子放出
源の製造方法を提供することが可能になる。これによ
り、カソード電極とゲート電極間に、その表面にカーボ
ンナノチューブを有する粒子により形成されたエミッタ
を配設して成る電子放出源が得られる。

【００４６】このようにして得られた電子放出源におい
ては、固体粒子の表面にウニ状に多数のカーボンナノチ
ューブが形成されているので、これをペースト化して基
板に印刷する際に、いかなる方向に粒子が置かれても、
常に基板に対して上を向いているカーボンナノチューブ
が一定の割合以上密に存在し、前記基板に対して効率よ
く垂直に立たせることが可能になる。

【００４７】したがって、電子放出効率が高い電子放出
源を構成することが可能になる。例えば、スピント（Ｓ
ｐｉｎｄｔ）型電子放出源と比較した場合、より低い駆
動電圧で電子放出が可能になると共に、エミッタとゲー
ト電極間の距離を大きくとることができるため製造が容
易になり又、エミッタとゲート電極間の短絡の発生を防
止することが可能になる。

【００４８】また、小滴状となるため、スクリーン印
刷、インクジェット印刷、電着、スラリー等、塗布形成
する際に溶剤に分散させるだけでよく、ペースト化が容
易である。

【００４９】尚、粒子の大きさは、使用する材料、密
度、陰極電極に添加する金属材料、プラズマ生成条件及
び固化条件等により異なるため、これらの条件を必要に
応じて適宜設定することにより、特定の大きさの分布を
もった粒子が得られる。したがって、適宜設定した条件
によって生成した粒子を収集して、所望の大きさの粒子
を選択分級し、これをペースト又は静電塗布により、所
定の導電層又は抵抗層の領域上に被着して、エミッタを
形成することができる。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、製造が容易な電子放出
源の製造方法を提供することが可能になる。また、本発
明によれば、製造が容易な電子放出源を提供することが
可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法に使用する装置の概略図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によ
って生成された粒子を示す走査電子顕微鏡写真である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によ
って生成された粒子を示す透過型電子顕微鏡写真であ
る。

【図４】本発明の実施の形態に係る電子放出源を示す図
である。

【図５】本発明の第２の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法に使用する装置の概略図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係る製造法によっ
て製造された基板の走査電子顕微鏡写真である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る製造法によっ
て製造された基板の拡大された走査電子顕微鏡写真であ
る。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための部分側断面図である。

【符号の説明】

１０１、５０１・・・チャンバ１０２、５０２・・・陰極５０４・・・基板１０４・・・ガラス製基板４０２、８０２・・・第１の電極としてのカソード電極４０３、８０３・・・抵抗層４０４、８０４・・・絶縁層４０５、８０５・・・第２の電極としてのゲート電極４０６、８０８・・・粒子４０７、８０７・・・凹部５０６・・・基板固定台８００・・・基板としての電子放出源用基板８０６・・・リフトオフ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G046 CA00 CA01 CA02 CB08 CC02 CC08 4G075 AA27 CA02 CA17 CA62 CA65 EC21 FB02 FB03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定ガス１０Ｔｏｒｒから１０^−４Ｔｏ
ｒｒの雰囲気中でグラファイト又は所定の触媒金属を含
有するグラファイトから成る粒子生成用材料を加熱する
ことにより粒子を生成し、前記粒子を基板に被着してエ
ミッタとして使用することを特徴とする電子放出源の製
造方法。
【請求項２】前記ガスは、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４等の炭
化水素系ガス、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｈ_２、Ｎ_２あるい
は希ガスであることを特徴とする請求項１記載の電子放
出源の製造方法。
【請求項３】前記触媒金属は、Ｎｉ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、ｐｔ、Ｒｈ、Ｗ、Ｖ、Ｐｄ又はこれらの混合物であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の電子放出源の
製造方法。
【請求項４】前記基板は、前記粒子生成用材料に対向
して配設され、前記粒子を直接被着することにより前記
エミッタを形成することを特徴とする請求項１乃至３の
いずれか一に記載の電子放出源の製造方法。
【請求項５】前記基板には、直流バイアス又はＲＦバ
イアスを印加することを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか一に記載の電子放出源の製造方法。
【請求項６】前記基板に、ペースト状又は粉体状の前
記粒子を被着することにより前記エミッタを形成するこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の電
子放出源の製造方法。
【請求項７】前記基板は、第１の電極、抵抗層、絶縁
層、第２の電極及びリフトオフ層が積層されると共に前
記抵抗層が露出するように凹部が形成されて成り、前記
基板に前記粒子を被着させた後、前記リフトオフ層を除
去することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に
記載の電子放出源の製造方法。
【請求項８】所定ガス１０Ｔｏｒｒから１０^−４Ｔｏ
ｒｒの雰囲気中で、グラファイト又は所定の触媒金属を
含有するグラファイトから成る粒子生成用材料を加熱す
ることにより粒子を発生させて前記粒子を基板に被着し
てエミッタとして使用することを特徴とする電子放出
源。
【請求項９】第１の電極と第２の電極間に、その表面
にカーボンナノチューブを有する粒子により形成された
エミッタを配設して成ることを特徴とする電子放出源。