JP2000211928A - Silica glass manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、主成分ガスと第2成分ガスを混合
させてバーナに送気するにあたり、混合時に両者が効率
良く混合され、また両者の混合比率が正確に設定値通り
に保持されるようにすることを目的とする。
【解決手段】 シリカガラス原料を気化させた主成分ガ
スと第2成分ガス等をラインの接続部A〜Dで混合する
にあたり、特に主成分ガスの流量が少ない接続部では、
第2成分ガス路の接続大径部Hの中央部に、主成分ガス
路の接続小径部Kを挿入した二重管構造の形態にして、
第2成分ガスの流路断面中央部に向けて、主成分ガスを
噴き出すようにすることで、混合効率を高めるようにす
る。また、ラインでガスが凝縮するのを防止するための
温調器15〜19をPID制御で制御し、オンオフ制御
のようなガスの体積の膨張、収縮に起因する混合成分比
率の不良を防止する。
(57) [Problem] To provide a burner in which a main component gas and a second component gas are mixed and sent to a burner, the two are efficiently mixed at the time of mixing, and the mixing ratio of both is accurately set. The purpose is to be kept as value. When a main component gas obtained by vaporizing a silica glass raw material and a second component gas or the like are mixed at connection portions A to D of a line, particularly at a connection portion where the flow rate of the main component gas is small,
In the form of a double pipe structure in which a connection small diameter portion K of the main component gas passage is inserted at the center of the connection large diameter portion H of the second component gas passage,
By mixing the main component gas toward the center of the cross section of the flow path of the second component gas, the mixing efficiency is improved. In addition, the temperature controllers 15 to 19 for preventing gas from condensing in the line are controlled by PID control to prevent a defective mixture component ratio due to expansion and contraction of gas volume such as on / off control. .
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信用シ
リカガラスファイバ母材や、LSIフォトマスク基板と
なるシリカガラス母材の製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a silica glass fiber preform for optical communication and a silica glass preform to be used as an LSI photomask substrate, for example.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、例えば光通信用ファイバ母材の製
造においては、母材の原料となる四塩化珪素(SiCl
4 )や屈折率を制御するためのドープ用化合物を気化さ
せて、酸水素火炎中で火炎加水分解反応を起こさせ、発
生したシリカ微粒子やドープ材料の微粒子を種棒上に付
着堆積することにより製造されるが、四塩化珪素(Si
Cl4 )の蒸気や、ドープ用化合物の蒸気は、通常それ
ぞれの蒸発器で主成分ガスとして生成され、流量制御器
を通して通気路に送り込まれるとともに、通気路の途中
で第2成分ガスと混合され、この混合されたガスが反応
を起こさせるためのバーナに送気されるようになってい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in the production of a fiber preform for optical communication, silicon tetrachloride (SiCl
4 ) By vaporizing the doping compound for controlling the refractive index and causing a flame hydrolysis reaction in an oxyhydrogen flame, the silica fine particles and the fine particles of the doped material are deposited and deposited on a seed rod. Manufactured but silicon tetrachloride (Si
The vapor of Cl 4 ) and the vapor of the doping compound are usually produced as main component gases in the respective evaporators, sent into the ventilation passage through the flow controller, and mixed with the second component gas in the middle of the ventilation passage. The mixed gas is sent to a burner for causing a reaction.
【0003】この際、主成分ガスが流通する通気路と第
2成分ガスが流通する第2成分ガス通路等の接続部の構
造は、例えば図3に示すような、いわゆるチーズユニオ
ンと呼ばれる接続構造が一般的である。[0003] At this time, the structure of a connecting portion such as an air passage through which the main component gas flows and a second component gas passage through which the second component gas flows is, for example, a connecting structure called a cheese union as shown in FIG. Is common.
【0004】また、主成分ガスが流通する通気路や流量
制御器などのライン配管等では、蒸発器の温度より10
〜15℃程度高い温度に保持されて、ガスの凝縮を防止
するようにされ、また第2成分ガスが流通するライン配
管も、主成分ガスと混合されるまで主成分ガスラインと
同等またはそれ以上の温度に保持されて、主成分ガスと
混合された時の凝縮の防止が図られている。更に、混合
されたガスが流通する混合ガスラインでは、第2成分ガ
スの比率が高いほど露点が低くなる傾向になるが、この
ライン配管も主成分ガスラインと同程度の温度に保持さ
れている。[0004] In addition, the temperature of the evaporator is set at 10 ° C. in a line pipe such as an air passage through which the main component gas flows or a flow controller.
The temperature is maintained at about 15 ° C. higher to prevent gas condensation, and the line piping through which the second component gas flows is also equal to or greater than the main component gas line until mixed with the main component gas. Is maintained at the temperature described above to prevent condensation when mixed with the main component gas. Further, in the mixed gas line through which the mixed gas flows, the dew point tends to be lower as the ratio of the second component gas is higher, but this line piping is also maintained at the same temperature as the main component gas line. .
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ファイバ
母材の製造では、コアロッドに屈折率分布などの光学的
特性を持たせるため、堆積コアの中心から外周にかけて
複数のバーナが使用されるが、特に光学的特性が重要視
される中心部に対応するバーナは、主成分ガス流量と第
2成分ガス流量が、他のバーナに較べて最も小流量なも
のであり、例えば汎用サイズのチューブでは、1/4イ
ンチサイズの最も細径の配管が使用されているにも拘わ
らず、流動状態を示すレイノズル数は1〜10程度また
はそれ以下の層流状態になっており、上記チーズユニオ
ン部位における流れの合流部で2層状態のまま流動し、
混合が容易に進行しないという問題があった。By the way, in the production of an optical fiber preform, a plurality of burners are used from the center to the outer periphery of the deposited core in order to give the core rod optical characteristics such as a refractive index distribution. In particular, the burner corresponding to the center where optical characteristics are regarded as important, the main component gas flow rate and the second component gas flow rate are those having the smallest flow rates as compared with other burners. Despite the use of the 1/4 inch size smallest diameter pipe, the number of Reynolds nozzles indicating the flow state is in a laminar flow state of about 1 to 10 or less. Flows in a two-layer state at the junction of
There was a problem that mixing did not proceed easily.
【0006】そして、特にガス流量の設定値が変化する
場合などは、配管内に停滞流域が形成されることがあ
り、この結果、バーナ反応点における主成分ガスと第2
成分ガスの成分比率が刻々変化し、製造されるプリフォ
ームの光学特性が長手方向に変化するという不具合があ
った。[0006] In particular, when the set value of the gas flow rate changes, a stagnant flow zone may be formed in the pipe, and as a result, the main component gas and the second gas at the burner reaction point may be disturbed.
There is a problem that the component ratio of the component gas changes every moment, and the optical characteristics of the manufactured preform change in the longitudinal direction.
【0007】また、主成分ガスラインや第2 ガス成分ガ
スラインや混合ガスラインのライン配管等の温度は、主
成分ガスが凝縮するのを防止するため露点温度以上に保
持されているが、このような加温機構は、通常配管表面
に温度センサを固定するとともに、配管に電気ヒータを
装着し、このヒータをオンオフ制御器で温度制御するよ
う構成されているのが一般的であり、特に小流量の配管
に対してオンオフ制御器を使用すると、オンオフ動作の
都度、ガスラインの流れの体積が膨張、収縮し、与えら
れた圧力差による強制対流よりも温度変動に起因する膨
張、収縮の影響による自然対流の方が支配的になってし
まい、その結果、主成分ガス流量と第2成分ガス流量を
それぞれの流量制御器で精密に管理していても、バーナ
に供給される混合気の組成や流量に変動が生じ、前記場
合と同様に、バーナ反応点における主成分ガスと第2成
分ガスの成分比率が刻々変化し、製造されるプリフォー
ムの光学特性が長手方向に変化するという不具合があっ
た。[0007] The temperature of the main component gas line, the second gas component gas line, the line piping of the mixed gas line, and the like is maintained at a dew point temperature or higher to prevent the main component gas from condensing. Such a heating mechanism is generally configured such that a temperature sensor is fixed to the surface of a pipe, an electric heater is mounted on the pipe, and the temperature of the heater is controlled by an on / off controller. When an on-off controller is used for a flow pipe, the volume of the gas line expands and contracts each time the on-off operation is performed, and the effect of expansion and contraction due to temperature fluctuations rather than forced convection due to a given pressure difference Natural convection is dominant. As a result, even if the main component gas flow rate and the second component gas flow rate are precisely controlled by the respective flow controllers, the mixing supplied to the burner is controlled. As described above, the composition ratio and the flow rate of the main component gas and the second component gas at the burner reaction point change every moment, and the optical characteristics of the manufactured preform change in the longitudinal direction. There was a defect.
【0008】そこで本発明は、主成分ガスと第2成分ガ
スが効率良く混合され、また両者の混合比率を正確に設
定値通りに保持してバーナに供給し得るようにすること
を目的とする。Accordingly, it is an object of the present invention to efficiently mix a main component gas and a second component gas, and to supply the mixture to a burner while maintaining the mixing ratio of the two components exactly as set. .
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、気化したシリカガラス原料を種棒に吹き付け
て火炎加水分解反応を起こさせて付着させる少なくとも
1基のバーナと、液体状のシリカガラス原料を種類別に
貯留する少なくとも1基の貯留容器と、この貯留容器内
の液体原料を気化させる蒸気発生機構と、気化された主
成分ガスを前記バーナに導く少なくとも1本の通気路
と、この通気路の途中に接続される第2成分ガス通路を
備え、通気路と第2成分ガス通路の接続部より下流側の
ラインで、主成分ガスと第2成分ガスを混合して前記バ
ーナに送り込むようにしたシリカガラスの製造装置にお
いて、通気路と第2成分ガス通路の接続部のうち、少な
くとも主成分ガスの流量が最小流量の通気路と第2成分
ガス通路の接続構造を、第2成分ガスの流路断面の中央
部に向けて主成分ガスを噴き出すことが出来るような構
造にした。According to the present invention, at least one burner for spraying a vaporized silica glass raw material onto a seed rod to cause a flame hydrolysis reaction to adhere to the seed rod is provided. At least one storage container that stores silica glass raw materials by type, a vapor generation mechanism that vaporizes the liquid raw material in the storage container, and at least one ventilation path that guides the vaporized main component gas to the burner; A second component gas passage connected in the middle of the ventilation path; a main component gas and a second component gas are mixed in a line downstream of a connection portion between the ventilation path and the second component gas path to be mixed with the burner; In the silica glass manufacturing apparatus to be fed, the connection structure between the ventilation path having the minimum flow rate of the main component gas and the second component gas path in the connection section between the ventilation path and the second component gas path. And a structure as can spewing the main component gas toward the central portion of the flow passage cross section of the second component gas.
【0010】このように流量の少ない主成分ガスを、第
2成分ガスの断面中央部に向けて噴き出させて、第2成
分ガスの流れの強い個所に主成分ガスを送り込むように
すれば、ガスを効率的に混合することが出来る。ここ
で、このような接続構造は、主成分ガスの流量が少ない
接続部では特に有効であるが、その他の接続部またはラ
インすべての接続部に適用するのは自由である。[0010] If the main component gas having a small flow rate is ejected toward the center of the cross section of the second component gas, and the main component gas is sent to a location where the flow of the second component gas is strong, The gas can be mixed efficiently. Here, such a connection structure is particularly effective at a connection portion where the flow rate of the main component gas is small, but is freely applicable to other connection portions or connection portions of all lines.
【0011】またこの際、請求項2のように、主成分ガ
スを噴き出す通気路の接続端の一部を、第2成分ガス通
路の配管の大径部内に挿入して部分的に二重管構造と
し、この二重管構造の下流側で、流路径を絞って小径部
にすれば、外側のガスの流路が狭められて強制的に内側
のガスの流れの内部に入り込むようになり、ガスの混合
が一層効率的に行われるようになる。In this case, a part of the connection end of the ventilation path for injecting the main component gas is inserted into the large diameter portion of the pipe of the second component gas passage to partially form the double pipe. If the diameter of the flow path is reduced to a small diameter portion on the downstream side of the double pipe structure, the flow path of the outer gas is narrowed, and the inner gas flow is forced to enter, The mixing of the gases is made more efficient.
【0012】また請求項3では、主成分ガスと第2成分
ガスが混合した直後の混合ガスの平均流速を、毎秒0.
50m以上とした。このように平均流速を0.50m以
上にすれば、例えばガスの流量設定値を変えた時等で
も、配管内に停滞流域が形成されず、ガスの混合を均一
にすることが出来る。According to a third aspect of the present invention, the average flow velocity of the mixed gas immediately after the mixing of the main component gas and the second component gas is set to 0.1 / sec.
50 m or more. By setting the average flow velocity to 0.50 m or more in this way, even when the gas flow rate setting value is changed, for example, a stagnant flow area is not formed in the pipe, and the gas can be mixed uniformly.
【0013】この際、請求項4のように、混合ガスの平
均流速が毎秒0.50m以上にされる個所に、内径の1
0倍以上の管路を有する管を使用すれば、停滞流域の防
止をより効率的に達成できる。At this time, as described in claim 4, where the average flow velocity of the mixed gas is set to 0.50 m / sec or more, one of the inner diameters is set.
The use of a pipe having 0 or more pipes can more effectively prevent a stagnant basin.
【0014】また請求項5では、気化したシリカガラス
原料を種棒に吹き付けて火炎加水分解反応を起こさせて
付着させる少なくとも1基のバーナと、液体状のシリカ
ガラス原料を種類別に貯留する少なくとも1基の貯留容
器と、この貯留容器内の液体原料を気化させる蒸気発生
機構と、気化された主成分ガスを前記バーナに導く少な
くとも1本の通気路と、この通気路の途中に接続される
第2成分ガス通路を備え、通気路と第2成分ガス通路の
接続部より下流側のラインで、主成分ガスと第2成分ガ
スを混合して前記バーナに送り込むようにしたシリカガ
ラスの製造装置において、接続部より上流側の通気路
と、第2成分ガス通路と、接続部より下流側の通気路の
各配管をPID制御のヒータで加熱するようにした。According to a fifth aspect of the present invention, at least one burner for spraying a vaporized silica glass raw material to a seed rod to cause a flame hydrolysis reaction to adhere thereto, and at least one burner for storing a liquid silica glass raw material for each type. A base storage container, a vapor generation mechanism for vaporizing the liquid raw material in the storage container, at least one ventilation path for guiding the vaporized main component gas to the burner, and a second connection partway through the ventilation path. An apparatus for producing silica glass, comprising a two-component gas passage, wherein a main component gas and a second component gas are mixed and sent to the burner in a line downstream of a connection portion between the ventilation path and the second component gas passage. The pipes of the ventilation passage upstream of the connection, the second component gas passage, and the ventilation passage downstream of the connection are heated by PID-controlled heaters.
【0015】このように、従来のオンオフ制御のヒータ
に代わって、変化率を計算しその値から円滑に目標値を
算出して制御信号を発するようなPID制御のヒータで
加熱することで、従来の制御方式のように、オンオフ時
にガスの体積が膨張、収縮するような不具合がなくな
り、混合ガスの流量や成分比率が変化するのを防止する
ことが出来る。As described above, instead of the conventional heater of the on / off control, heating is performed by the heater of the PID control which calculates the rate of change, smoothly calculates the target value from the calculated value, and generates a control signal. As in the control method described above, there is no problem that the volume of the gas expands and contracts when it is turned on and off, and it is possible to prevent the flow rate and the component ratio of the mixed gas from changing.
【0016】また請求項6のように、請求項1乃至請求
項4のいずれか1項に記載のシリカガラスの製造装置
と、請求項5に記載のシリカガラスの製造装置を組合わ
せれば、ガスの混合がより効率的に行われるようにな
り、しかも混合ガスの成分比率を正確に保持することが
出来て、製造される製品の品質を安定させることが出来
る。According to a sixth aspect of the present invention, when the apparatus for producing a silica glass according to any one of the first to fourth aspects is combined with the apparatus for producing a silica glass according to the fifth aspect, gas Can be more efficiently mixed, the component ratio of the mixed gas can be accurately maintained, and the quality of the manufactured product can be stabilized.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について添付
した図面に基づき説明する。ここで図1は本発明に係る
シリカガラスの製造装置の構成例図、図2は本発明に係
る通気路と第2成分ガス通路の接続部等の接続構造の説
明図、図3は従来の接続構造の説明図である。Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Here, FIG. 1 is a structural example diagram of a silica glass manufacturing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory view of a connecting structure of a connecting portion between an air passage and a second component gas passage according to the present invention, and FIG. It is explanatory drawing of a connection structure.
【0018】本発明に係るシリカガラスの製造装置は、
例えばシングルモード光ファイバ母材を製造する装置に
適用され、この装置は、図1に示すように、複数のチャ
ンバQ1 、Q2 を備えるとともに、各チャンバQ1 、Q
2 内で種棒Tを回転させながら軸方向に引上げてコア形
成用バーナ1、2及びクラッド形成用バーナ3から気化
した四塩化珪素(SiCl4 )ガスを吹き付けるととも
に、コア形成用バーナ1からは屈折率制御用の四塩化ゲ
ルマニウム(GeCl4 )ガスを吹き付けることで、種
棒Tの軸方向にシリカ微粒子やドープ材微粒子を付着堆
積し、ファイバ母材Pを成長させるようにしている。The apparatus for producing silica glass according to the present invention comprises:
For example, the present invention is applied to an apparatus for manufacturing a single mode optical fiber preform. This apparatus includes a plurality of chambers Q1, Q2 as shown in FIG.
While rotating the seed rod T in the inside 2, it is pulled up in the axial direction and sprays vaporized silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas from the core forming burners 1 and 2 and the cladding forming burner 3. By spraying germanium tetrachloride (GeCl 4 ) gas for controlling the refractive index, silica fine particles and dope fine particles are deposited and deposited in the axial direction of the seed rod T to grow the fiber preform P.
【0019】そして、各バーナ1〜3に対する四塩化珪
素(SiCl4 )ガスと四塩化ゲルマニウム(GeCl
4 )ガスは、共通の金属製容器4、5に種類別に貯留し
た液体状の四塩化珪素(SiCl4 )と四塩化ゲルマニ
ウム(GeCl4 )を、それぞれの蒸気発生機構6、7
で気化して主成分ガスとして生成し、これを分配供給す
るようにされている。Then, silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas and germanium tetrachloride (GeCl 4 ) for each of the burners 1 to 3 are used.
4 ) Gases include liquid silicon tetrachloride (SiCl 4 ) and germanium tetrachloride (GeCl 4 ) stored in the common metal containers 4 and 5 according to their types, and the respective vapor generating mechanisms 6 and 7.
To produce a main component gas, which is distributed and supplied.
【0020】すなわち、四塩化珪素(SiCl4 )を貯
留する金属製容器4と、四塩化ゲルマニウム(GeCl
4 )を貯留する金属製容器5には、各チャンバQ1 、Q
2 に向けて主成分ガスを送気するための分配ラインが構
成されるとともに、各チャンバQ1 (Q2 )内のライン
構成は、四塩化珪素(SiCl4 )の金属製容器4に接
続される通気路ライン0−1から各バーナ1、2、3に
向けて、それぞれ通気路ライン1−1、2−1、3−1
が分岐して設けられ、これら各ライン1−1、2−1、
3−1には、第2成分ガス通路としての各ライン1−
2、2−2、3−2がそれぞれの接続部A、C、Dで接
続されている。因みに、この第2成分ガスは、ライン1
−2と2−2がArガスであり、ライン3−2がO2 ガ
スである。That is, a metal container 4 for storing silicon tetrachloride (SiCl 4 ) and germanium tetrachloride (GeCl 4 )
4 ) Each of the chambers Q1 and Q
Ventilation with dispensing line is configured for insufflation of the main component gas toward the 2, line configuration in each chamber Q1 (Q2) is connected to the metallic container 4 of silicon tetrachloride (SiCl 4) From the line 0-1 to the respective burners 1, 2, 3 respectively, the ventilation line 1-1, 2-1 and 3-1
Are provided in a branched manner, and each of these lines 1-1, 2-1 and
3-1 includes each line 1- as a second component gas passage.
2, 2-2 and 3-2 are connected at respective connection portions A, C and D. Incidentally, this second component gas is supplied to the line 1
-2 and 2-2 are Ar gas, and line 3-2 is O 2 gas.
【0021】一方、四塩化ゲルマニウム(GeCl4 )
を貯留する金属製容器5には、通気路ライン1−3が接
続され、この通気路ライン1−3は、前記接続部Aから
延びる通気路ライン1−4に接続部Bで接続され、この
接続部Bとコア形成用バーナ1は、通気路ライン1−5
で接続されている。また前記接続部Cとコア形成用バー
ナ2は、通気路ライン2−3で接続され、また前記接続
部Dとクラッド形成用バーナ3は、通気路ライン3−3
で接続されている。On the other hand, germanium tetrachloride (GeCl 4 )
A vent line 1-3 is connected to the metal container 5 for storing the air, and the vent line 1-3 is connected to a vent line 1-4 extending from the connection part A at a connection part B. The connecting portion B and the core forming burner 1 are connected to the ventilation line 1-5.
Connected by The connecting portion C and the core forming burner 2 are connected by a vent line 2-3, and the connecting portion D and the cladding forming burner 3 are connected by a vent line 3-3.
Connected by
【0022】そして、四塩化珪素(SiCl4 )ガスの
通気路ライン1−1、2−1、3−1には、それぞれ流
通するガス量を制御する温調器付きの質量流量制御器
(以下、MFCという。)8、9、10が配設されると
ともに、四塩化ゲルマニウム(GeCl4 )ガスの通気
路ライン1−3にも温調器付きのMFC11が配設さ
れ、また第2成分ガスのライン1−2、2−2、3−2
には、それぞれMFC12、13、14が配設されてい
る。A mass flow controller (hereinafter, referred to as a temperature controller) having a temperature controller for controlling the amount of flowing gas is provided in the ventilation line lines 1-1, 2-1 and 3-1 for the silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas. , MFC.) 8, 9, 10 are provided, and an MFC 11 with a temperature controller is also provided in a gas passage line 1-3 of germanium tetrachloride (GeCl 4 ) gas. Lines 1-2, 2-2, 3-2
Are provided with MFCs 12, 13, and 14, respectively.
【0023】また、各ラインには、配管本体及びMFC
の温度を所定温度に保持する各種温調器が配設され、こ
れら温調器は温度検出器、温度調整器、加熱ヒータ等か
ら構成されるとともに、温度変化率を計算して目標温度
に円滑に制御するPID制御により温度を一定に保持す
るようにしている。Each line includes a pipe body and an MFC
Various temperature controllers are provided to maintain the temperature at a predetermined temperature.These temperature controllers consist of a temperature detector, a temperature controller, a heater, etc., and calculate the rate of temperature change to smoothly reach the target temperature. The temperature is kept constant by PID control.
【0024】すなわち、四塩化珪素(SiCl4 )ガス
の接続部A、C、Dより上流側の通気路ライン1−1、
2−1、3−1と、第2成分ガスのライン1−2、2−
2、3−2は、温調器15(TIC-SiCl4 )によってPI
D制御されるようにされ、四塩化ゲルマニウム(GeC
l4 )ガスの接続部Bより上流側の通気路ライン1−3
は、温調器16(TIC-GeCl4 )によってPID制御され
るようになっている。また、接続部B、C、Dより下流
側の通気路ライン1−5、2−3、3−3にもそれぞれ
PID制御用の温調器17、18、19が配設されてい
る。因みに、従来の装置の各ラインの温調器はオンオフ
制御が主体であった。That is, the air passage lines 1-1, upstream of the connection portions A, C, D of silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas.
2-1 and 3-1 and second component gas lines 1-2 and 2-
2 and 3-2 are PIs by the temperature controller 15 (TIC-SiCl 4 ).
D controlled so that germanium tetrachloride (GeC
l 4 ) Ventilation line line 1-3 upstream of gas connection B
Are PID controlled by the temperature controller 16 (TIC-GeCl 4 ). Further, temperature controllers 17, 18, and 19 for PID control are also provided on the ventilation line lines 1-5, 2-3, and 3-3 downstream of the connection portions B, C, and D, respectively. Incidentally, the temperature controller of each line of the conventional apparatus mainly controlled on / off.
【0025】また、前記接続部A、B、C、Dのすべて
の接続構造は、図2に示すような形態に構成されてい
る。すなわち、四塩化珪素(SiCl4 )ガスと第2成
分ガスを混合する接続部A、C、Dでは、第2成分ガス
のライン1−2、2−2、3−2の配管の端部を接続大
径部Hとし、四塩化珪素(SiCl4 )ガスの通気路ラ
イン1−1、2−1、3−1の接続小径部Kを、接続大
径部Hの中心部に挿入して二重管構造とし、流速u2 で
流動する第2成分ガスの断面中心部に向けて四塩化珪素
(SiCl4)ガスを流速u1 で噴き出すことが出来る
ようにしている。Further, all connection structures of the connection portions A, B, C, D are configured as shown in FIG. That is, at the connection points A, C, and D where the silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas and the second component gas are mixed, the ends of the pipes of the lines 1-2, 2-2, and 3-2 of the second component gas are connected. The connection small diameter portion K of the gas passage line 1-1, 2-1 and 3-1 of the silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas is inserted into the central portion of the connection large diameter portion H as the connection large diameter portion H. It has a double tube structure so that silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas can be jetted at a flow rate u1 toward the center of the cross section of the second component gas flowing at a flow rate u2.
【0026】また、四塩化珪素(SiCl4 )ガスと第
2成分ガスが混合した混合ガスに、四塩化ゲルマニウム
(GeCl4 )ガスを混合させる接続部Bでは、通気路
ライン1−4の接続大径部Hに対して、四塩化ゲルマニ
ウム(GeCl4 )ガスの通気路ライン1−3の接続小
径部Kを挿入して二重管構造とし、流速u2 で流動する
混合ガスの断面中心部に向けて四塩化ゲルマニウム(G
eCl4 )ガスを流速u1 で噴き出すことが出来るよう
にしている。At a connection portion B for mixing germanium tetrachloride (GeCl 4 ) gas with a mixed gas obtained by mixing silicon tetrachloride (SiCl 4 ) gas and the second component gas, the connection size of the ventilation line 1-4 is increased. A small-diameter portion K of a gas passage line 1-3 of germanium tetrachloride (GeCl 4 ) gas is inserted into the diameter portion H to form a double pipe structure, which is directed toward the center of the cross-section of the mixed gas flowing at a flow rate u2. Germanium tetrachloride (G
eCl 4 ) gas can be ejected at a flow rate u1.
【0027】また、二重管構造の下流側には、外側管の
径が絞られた小径部Sが設けられている。そしてこの小
径部Sの長さLは、小径部Sの内径D4 の10倍以上と
している。On the downstream side of the double pipe structure, there is provided a small diameter portion S in which the diameter of the outer pipe is reduced. The length L of the small diameter portion S is at least 10 times the inner diameter D4 of the small diameter portion S.
【0028】尚、本実施形態では、すべての接続部A〜
Dの接続構造を図2に示すような形態にしているが、こ
のような構造は特に主成分ガスの流量の少ない個所にお
いて、混合効率を高めるのに有効であるため、少なくと
も主成分ガスの流量が最小となるラインの接続部には適
用するようにする。In this embodiment, all of the connection parts A to A
Although the connection structure of D is configured as shown in FIG. 2, such a structure is effective in increasing the mixing efficiency particularly in a place where the flow rate of the main component gas is small. Is applied to the connection part of the line in which is minimized.
【0029】以上のように構成した製造装置において、
金属製容器4、5内の四塩化珪素(SiCl4 )と四塩
化ゲルマニウム(GeCl4 )を、それぞれの蒸気発生
機構6、7によって気化し、主成分ガスを生成する。こ
の際、気化速度は加熱量に比例するため、前記各蒸気発
生機構6、7は、総消費蒸気流量の変化に応じて加熱量
を増減出来るようにされており、また気相圧力は、例え
ば複数の通気ラインの中で、最高の背圧となるラインの
圧力値より少なくとも0.35kg/cm2以上高い圧力値と
なるよう精度良く保持されるようにしている。そして、
前記各MFC8〜11は、この0.35kg/cm2以上高い
圧力差を利用してガス流量を制御するようにしている。In the manufacturing apparatus configured as described above,
Silicon tetrachloride (SiCl 4 ) and germanium tetrachloride (GeCl 4 ) in metal containers 4 and 5 are vaporized by respective steam generating mechanisms 6 and 7 to generate a main component gas. At this time, since the vaporization rate is proportional to the amount of heating, each of the steam generating mechanisms 6 and 7 can increase or decrease the amount of heating in accordance with a change in the total consumed steam flow rate. Among the plurality of ventilation lines, the pressure is maintained accurately so that the pressure value is at least 0.35 kg / cm 2 or more higher than the pressure value of the line having the highest back pressure. And
Each of the MFCs 8 to 11 controls the gas flow using the pressure difference higher than 0.35 kg / cm 2 .
【0030】以上のような圧力差によって送気される主
成分ガスと、所定圧で送気される第2成分ガスは、コア
形成用バーナ2とクラッド形成用バーナ3については、
それぞれ接続部C、Dで混合された後、各バーナ2、3
に向けて送気される。また、コア形成用バーナ1につい
ては、接続部Aで混合された後、更に接続部Bでドープ
材料と混合されてバーナ1に向けて送気される。これら
各接続部A〜Dでは、いずれも図2に示すように、混合
する一方側のガスを他方側のガス流れの強い中央部に向
け且つ流れ方向に沿って噴き出すようにしているため、
図3に示すような従来のチーズユニオン構造に較べて効
率良く混合することが出来、また二重管構造の下流側の
径を絞って小径部Sにするとともに、その長さLを内径
D4 の10倍以上としているため、外側のガスの流路は
強制的に狭められて内側のガスの中に入り込み、一層効
率良く混合することが出来る。The main component gas sent by the pressure difference as described above and the second component gas sent at a predetermined pressure are used for the burner 2 for forming the core and the burner 3 for forming the clad.
After being mixed at the connection portions C and D respectively, each burner 2, 3
Air is sent to Further, the core forming burner 1 is mixed at the connection portion A, further mixed with the dope material at the connection portion B, and sent to the burner 1. In each of these connection parts A to D, as shown in FIG. 2, one side gas to be mixed is blown out toward the strong central portion of the gas flow on the other side and along the flow direction.
Mixing can be performed more efficiently as compared with the conventional cheese union structure as shown in FIG. 3, and the diameter on the downstream side of the double tube structure is reduced to a small diameter portion S, and the length L is changed to the inner diameter D4. Since it is 10 times or more, the flow path of the outer gas is forcibly narrowed and penetrates into the inner gas, so that mixing can be performed more efficiently.
【0031】また、ライン中を流動するそれぞれのガス
は、各ラインに配設されるPID制御の温調器で適正温
度に加熱されるため、ライン内におけるガスの凝縮によ
る不具合が防止されるとともに、従来のオンオフ制御に
よるような流れの膨張、収縮がなくなり、混合ガスの成
分比率を適正に保持することが出来る。Further, since each gas flowing in the line is heated to an appropriate temperature by a PID-controlled temperature controller provided in each line, problems due to gas condensation in the line are prevented, and In addition, the expansion and contraction of the flow caused by the conventional on / off control are eliminated, and the component ratio of the mixed gas can be appropriately maintained.
【0032】そして以上のようなガス混合の効率化、成
分比率の適正化によって、製品プリフォームの光学的特
性を安定化させることが出来る。The optical characteristics of the product preform can be stabilized by increasing the efficiency of gas mixing and optimizing the component ratio as described above.
【0033】[0033]
【実施例】次に、本発明の実施例と比較例について説明
する。 (実施例1)光ファイバ母材の製造装置として、共有の
蒸発器(金属製容器及び蒸気発生機構)を1セット設
け、80℃の温水を熱源にするとともに、その加熱量を
調整することによって、主成分ガスの気相圧力が0.5
KGで、69℃に保持されるようにした。この時の蒸発器
の内径は200mmφ、容量10リットルであり、チャ
ンバQ1 、Q2 の2基分のラインを接続するとともに、
それぞれのチャンバQ1 、Q2の各バーナ1〜3は、5
0SCCM、100SCCM、1SLM の3基1組で、各バーナ1
〜3での背圧は最大0.1KGであった。Next, examples of the present invention and comparative examples will be described. (Example 1) As an apparatus for manufacturing an optical fiber preform, one set of a common evaporator (metal container and steam generating mechanism) was provided, and hot water of 80 ° C was used as a heat source, and the amount of heating was adjusted. , The gas pressure of the main component gas is 0.5
KG so as to be kept at 69 ° C. At this time, the inner diameter of the evaporator was 200 mmφ, the capacity was 10 liters, and two lines of the chambers Q1 and Q2 were connected.
Each burner 1-3 of each chamber Q1, Q2 is 5
0 SCCM, 100 SCCM, 1 SLM, one set of 3 units, each burner 1
Back pressure at ~ 3 was a maximum of 0.1KG.
【0034】この時、ラインの接続部A、B、C、Dの
接続構造は、すべて図2に示すような構造であり、この
時、接続小径部Kの内径をD1 、外径をD2 、接続大径
部Hの内径をD3 、小径部Sの内径をD4 、小径部Sの
長さをLとした場合に、これらの寸法諸元を表1のよう
にした。At this time, the connection structures of the connection portions A, B, C, and D of the line are all as shown in FIG. 2. At this time, the inside diameter of the connection small diameter portion K is D1, and the outside diameter is D2, When the inside diameter of the connection large diameter portion H is D3, the inside diameter of the small diameter portion S is D4, and the length of the small diameter portion S is L, the dimensions are shown in Table 1.
【0035】[0035]
【表1】 [Table 1]
【0036】この結果、接続部A〜Dにおける混合前の
各ガスの流量SCCM、流速u1 、u2、及び混合後のガス
の流速u3 は表2の通りであり、混合ガスの流速u3
は、すべて0.50Nm/s以上であった。また、仕上がっ
たコアロッドを使用して作製した製品プリフォームは、
後述する表4の通り、全量が規格内に入り合格した。As a result, the flow rates SCCM and flow rates u1 and u2 of the gases before mixing and the flow rates u3 of the gases after mixing at the connection points A to D are as shown in Table 2, and the flow rates u3 of the mixed gases are shown in Table 2.
Were all 0.50 Nm / s or more. Also, product preforms made using the finished core rod are
As shown in Table 4 below, all of the materials passed the specifications and passed.
【0037】[0037]
【表2】 [Table 2]
【0038】(比較例1)これに対して、接続部A〜D
の構造が図3に示すような従来構造の装置を使用したと
ころ、接続部A〜Dにおける混合前の各ガスの流量SCC
M、流速u1 、u2、及び混合後のガスの流速u3 は表3
の通りであり、混合ガスの流速u3 が0.50Nm/s以上
であったのは、クラッド形成用バーナ3だけであり、特
に主成分ガスの流量が少ないラインでは、ガスの混合が
容易に進行せず、特に流量設定値が変化する場合など
は、配管内に停滞流域が形成されることがあり、この結
果、コアロッドの成長が中途で付着不良となったり、仕
上がったコアロッドを使用して作製した製品プリフォー
ムの光学特性が長手方向に著しく変化することがあり、
表4のように歩留りが悪かった。(Comparative Example 1) On the other hand, connecting portions A to D
FIG. 3 shows a conventional apparatus having a structure shown in FIG.
Table 3 shows the M, the flow rates u1, u2, and the flow rate u3 of the mixed gas.
It is only the clad forming burner 3 that the flow velocity u3 of the mixed gas was 0.50 Nm / s or more, and especially in the line where the flow rate of the main component gas is small, the gas mixing easily proceeds. In particular, when the flow rate set value changes, etc., a stagnant flow area may be formed in the piping, and as a result, the growth of the core rod may be incomplete and adhesion may be poor, or the core rod may be manufactured using a finished core rod. The optical properties of the product preform may change significantly in the longitudinal direction,
As shown in Table 4, the yield was poor.
【0039】[0039]
【表3】 [Table 3]
【0040】[0040]
【表4】 [Table 4]
【0041】(実施例2)図1に示すような装置構成に
より、各ラインの配管本体に配設した温調器15〜1
9、及び主成分ガスラインのMFC8〜11に設けた温
調器によってPID制御により、各ラインのガス温度を
表5に示すような設定温度で温度制御した。この結果、
表5に示すように、すべての流路において温度変化は±
2℃以内に保持され、またそれに伴う流量変動は±1%
以内で、仕上がったコアロッドを使用して作製した製品
プリフォームは、後述する表7の通り、全量規格内に入
り合格した。(Embodiment 2) The temperature controllers 15 to 1 provided in the pipe main body of each line by the apparatus configuration as shown in FIG.
The gas temperature of each line was controlled at a set temperature as shown in Table 5 by PID control using temperature controllers provided in the MFCs 9 and 11 of the main component gas lines. As a result,
As shown in Table 5, the temperature change was ±
Maintained within 2 ° C and the flow rate fluctuation is ± 1%
The product preforms manufactured using the finished core rods were all within the specification as shown in Table 7 below.
【0042】[0042]
【表5】 [Table 5]
【0043】(比較例2)これに対して、ラインの温調
器をオンオフ制御する従来の装置を使用して同じ温度設
定で温度制御したところ、表6に示すように、温度変化
は±8℃まで増加し、それに伴う流量変動も大きく増加
し、特に四塩化ゲルマニウム(GeCl4)ガスのよう
な微小流量の流れでは、配管内においてオンオフ制御作
動の都度、流れの体積に著しい膨張と収縮が発生した。
その結果、バーナ反応点において、ガス成分の比率が刻
々変化し、表7に示すように、製品プリフォームの光学
特性の長手方向の変化が大きくなり、製品歩留りの低下
が認められた。(Comparative Example 2) On the other hand, when the temperature was controlled at the same temperature setting using a conventional apparatus for controlling the on / off of the temperature controller of the line, as shown in Table 6, the temperature change was ± 8. ° C, and the flow fluctuations associated therewith also increase greatly. Particularly in a flow of a small flow rate such as germanium tetrachloride (GeCl 4 ) gas, a significant expansion and contraction occurs in the flow volume every time the on / off control operation is performed in the piping. Occurred.
As a result, at the burner reaction point, the ratio of the gas components changed every moment, and as shown in Table 7, the change in the optical characteristics of the product preform in the longitudinal direction became large, and a decrease in the product yield was recognized.
【0044】[0044]
【表6】 [Table 6]
【0045】[0045]
【表7】 [Table 7]
【0046】以上のことから本発明の有効性が確認され
た。From the above, the effectiveness of the present invention was confirmed.
【0047】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。The present invention is not limited to the above embodiment. The above embodiment is an exemplification, and has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
【0048】例えば各バーナ1〜3の配設数等は任意で
あり、また第2成分ガスの種類等も任意である。また、
接続部の構造は、主成分ガスの流量が多い個所には特に
設けなくても良い。For example, the number of the burners 1 to 3 is optional, and the type of the second component gas is optional. Also,
The structure of the connecting portion may not be particularly provided at a place where the flow rate of the main component gas is large.
【0049】[0049]
【発明の効果】以上のように本発明に係るシリカガラス
の製造装置は、気化した主成分ガスと第2成分ガスを混
合してバーナに送気するような装置において、主成分ガ
スの通気路と第2成分ガス通路の接続部のうち、所定の
接続部の接続構造として、第2成分ガスの流路断面の中
央部に向けて主成分ガスを噴き出すことが出来るように
したため、ガスを効率的に混合することが出来る。この
際、接続部の一部を二重管構造とし、この二重管構造の
下流側で、流路径を絞って小径部にすれば、外側のガス
の流路が狭められて強制的に内側のガスの流れの内部に
入り込み一層効率的に混合することが出来る。As described above, the apparatus for producing silica glass according to the present invention is an apparatus for mixing a vaporized main component gas and a second component gas and sending the mixture to a burner. The main component gas can be ejected toward the center of the cross section of the flow path of the second component gas as a connection structure of a predetermined connection portion of the connection portions of the second component gas passage and the second component gas passage. Can be mixed. At this time, if a part of the connecting portion has a double pipe structure, and the flow path diameter is reduced to a small diameter portion on the downstream side of the double pipe structure, the flow path of the outer gas is narrowed and the inner gas is forcibly forced. Of the gas flow into the inside of the gas flow can be mixed more efficiently.
【0050】また、主成分ガスと第2成分ガスが混合し
た直後の混合ガスの平均流速を、所定速度以上とすれ
ば、例えばガスの流量設定値を変えた時等でも、配管内
に停滞流域が形成されず、ガスの混合を均一にすること
が出来る。また、この混合ガスの平均流速を所定速度以
上にする個所に、所定長の管路を有する管を使用すれ
ば、停滞流域の防止をより効率的に達成できる。If the average flow velocity of the mixed gas immediately after the main component gas and the second component gas are mixed is equal to or higher than a predetermined speed, even when the gas flow rate is changed, for example, the stagnant flow region is formed in the pipe. Is not formed, and the gas mixture can be made uniform. Further, if a pipe having a predetermined length of pipe is used at a location where the average flow velocity of the mixed gas is equal to or higher than a predetermined speed, prevention of a stagnant flow area can be achieved more efficiently.
【0051】また、接続部より上流側の通気路と、第2
成分ガス通路と、接続部より下流側の通気路の各配管を
PID制御のヒータで加熱すれば、従来のようにオンオ
フ制御時にガス流れの体積が膨張、収縮するような不具
合がなくなり、混合ガスの成分比率が変化するのを防止
することが出来る。そして、接続部の接続構造と、ライ
ンのPID温度制御を組合わせれば、ガスの混合を効率
的に行うことが出来るとともに、成分比率を正確に保持
することが出来、製造される製品の品質を安定させるこ
とが出来る。Further, the air passage upstream of the connection portion is connected to the second air passage.
Heating the component gas passages and each pipe of the ventilation path downstream of the connection portion with a PID control heater eliminates the problem that the volume of the gas flow expands and contracts during on / off control as in the related art. Can be prevented from changing. If the connection structure of the connection part and the PID temperature control of the line are combined, the gas can be efficiently mixed, the component ratio can be accurately maintained, and the quality of the manufactured product can be improved. Can be stabilized.
【図1】本発明に係るシリカガラスの製造装置の構成例
図である。FIG. 1 is a structural example diagram of an apparatus for producing silica glass according to the present invention.
【図2】本発明に係る通気路と第2成分ガス通路の接続
部等の接続構造の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a connection structure such as a connection portion between an air passage and a second component gas passage according to the present invention.
【図3】従来の接続構造の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional connection structure.
1…コア形成用バーナ、 2…コア形成用バーナ、3…
クラッド形成用バーナ、 4…金属製容器、 5…金属
製容器、6…蒸気発生機構、 7…蒸気発生機構、8…
質量流量制御器(MFC)、 9…MFC、 10…M
FC、11…MFC、 12…MFC、 13…MF
C、 14…MFC、15…温調器、 16…温調器、
17…温調器、 18…温調器、19…温調器、A…
接続部、 B…接続部、 C…接続部、 D…接続部、
H…接続大径部、 K…接続小径部、 S…小径部、
T…種棒、P…ファイバ母材、 Q1 …チャンバ、 Q
2 …チャンバ。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Burner for core formation, 2 ... Burner for core formation, 3 ...
Burner for forming cladding, 4 ... Metal container, 5 ... Metal container, 6 ... Steam generating mechanism, 7 ... Steam generating mechanism, 8 ...
Mass flow controller (MFC), 9 ... MFC, 10 ... M
FC, 11 ... MFC, 12 ... MFC, 13 ... MF
C, 14: MFC, 15: temperature controller, 16: temperature controller,
17: Temperature controller, 18: Temperature controller, 19: Temperature controller, A ...
Connection part, B ... Connection part, C ... Connection part, D ... Connection part,
H: Connection large diameter part, K: Connection small diameter part, S: Small diameter part,
T: seed rod, P: fiber preform, Q1: chamber, Q
2 ... chamber.
フロントページの続き (72)発明者 平沢 秀夫 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 Fターム(参考) 4G014 AH12 4G021 EB06 Continued on the front page (72) Inventor Hideo Hirasawa 2-13-1 Isobe, Annaka-shi, Gunma F-term in Shin-Etsu Kagaku Kogyo Co., Ltd. Precision Functional Materials Laboratory 4G014 AH12 4G021 EB06
Claims (6)
付けて火炎加水分解反応を起こさせて付着させる少なく
とも1基のバーナと、液体状のシリカガラス原料を種類
別に貯留する少なくとも1基の貯留容器と、この貯留容
器内の液体原料を気化させる蒸気発生機構と、気化され
た主成分ガスを前記バーナに導く少なくとも1本の通気
路と、この通気路の途中に接続される第2成分ガス通路
を備え、前記通気路と第2成分ガス通路の接続部より下
流側のラインで、主成分ガスと第2成分ガスを混合して
前記バーナに送り込むようにしたシリカガラスの製造装
置であって、前記通気路と第2成分ガス通路の接続部の
うち、少なくとも主成分ガスの流量が最小流量となる通
気路と第2成分ガス通路の接続構造は、第2成分ガスの
流路断面の中央部に向けて主成分ガスを噴き出すことが
出来るような構造にされることを特徴とするシリカガラ
スの製造装置。At least one burner for spraying a vaporized silica glass raw material onto a seed rod to cause a flame hydrolysis reaction to adhere thereto, and at least one storage container for storing liquid silica glass raw material by type A vapor generation mechanism for vaporizing the liquid raw material in the storage container, at least one ventilation path for guiding the vaporized main component gas to the burner, and a second component gas passage connected in the middle of the ventilation path An apparatus for producing silica glass, wherein a main component gas and a second component gas are mixed and sent to the burner in a line downstream of a connection portion between the ventilation path and the second component gas passage, The connection structure between the ventilation path and the second component gas passage, in which the flow rate of the main component gas is at a minimum flow rate, in the connection portion between the ventilation path and the second component gas passage, is a central portion of the cross section of the second component gas flow path To An apparatus for producing silica glass, which has a structure capable of ejecting a main component gas toward the apparatus.
置において、前記主成分ガスを噴き出す通気路の接続端
の一部は、第2成分ガス通路の配管の大径部内に挿入さ
れて部分的に二重管構造とされ、この二重管構造の下流
側では、流路径が絞られて小径部にされることを特徴と
するシリカガラスの製造装置。2. The silica glass manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a part of a connection end of an air passage for injecting the main component gas is inserted into a large diameter portion of a pipe of the second component gas passage. An apparatus for producing silica glass, characterized in that the flow path diameter is reduced to a small diameter portion downstream of the double pipe structure.
ラスの製造装置において、前記主成分ガスと第2成分ガ
スが混合した直後の混合ガスの平均流速は、毎秒0.5
0m以上とされることを特徴とするシリカガラスの製造
装置。3. The silica glass manufacturing apparatus according to claim 1, wherein an average flow velocity of the mixed gas immediately after the mixing of the main component gas and the second component gas is 0.5 / sec.
An apparatus for producing silica glass, wherein the length is 0 m or more.
置において、前記混合ガスの平均流速が毎秒0.50m
以上にされる個所には、内径の10倍以上の管路を有す
る管が使用されることを特徴とするシリカガラスの製造
装置。4. The apparatus for producing silica glass according to claim 3, wherein the average flow rate of the mixed gas is 0.50 m / sec.
An apparatus for producing silica glass, wherein a pipe having a pipe line having a diameter of 10 times or more is used in the above-mentioned location.
付けて火炎加水分解反応を起こさせて付着させる少なく
とも1基のバーナと、液体状のシリカガラス原料を種類
別に貯留する少なくとも1基の貯留容器と、この貯留容
器内の液体原料を気化させる蒸気発生機構と、気化され
た主成分ガスを前記バーナに導く少なくとも1本の通気
路と、この通気路の途中に接続される第2成分ガス通路
を備え、前記通気路と第2成分ガス通路の接続部より下
流側のラインで、主成分ガスと第2成分ガスを混合して
前記バーナに送り込むようにしたシリカガラスの製造装
置であって、前記接続部より上流側の通気路と、第2成
分ガス通路と、接続部より下流側の通気路の各配管をP
ID制御のヒータで加熱するようにしたことを特徴とす
るシリカガラスの製造装置。5. At least one burner for spraying a vaporized silica glass raw material onto a seed rod to cause a flame hydrolysis reaction to adhere thereto, and at least one storage container for storing liquid silica glass raw material by type. A vapor generation mechanism for vaporizing the liquid raw material in the storage container, at least one ventilation path for guiding the vaporized main component gas to the burner, and a second component gas passage connected in the middle of the ventilation path An apparatus for producing silica glass, wherein a main component gas and a second component gas are mixed and sent to the burner in a line downstream of a connection portion between the ventilation path and the second component gas passage, Each pipe of the ventilation path upstream of the connection, the second component gas passage, and the ventilation path downstream of the connection is
An apparatus for producing silica glass, wherein the apparatus is heated by an ID-controlled heater.
記載のシリカガラスの製造装置と、請求項5に記載のシ
リカガラスの製造装置を組合わせることを特徴とするシ
リカガラスの製造装置。6. A method for producing silica glass, comprising combining the apparatus for producing silica glass according to claim 1 with the apparatus for producing silica glass according to claim 5. apparatus.
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