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JP2000208448A - 回路基板製造方法および回路基板製造装置 - Google Patents

回路基板製造方法および回路基板製造装置

Info

Publication number
JP2000208448A
JP2000208448A JP11004288A JP428899A JP2000208448A JP 2000208448 A JP2000208448 A JP 2000208448A JP 11004288 A JP11004288 A JP 11004288A JP 428899 A JP428899 A JP 428899A JP 2000208448 A JP2000208448 A JP 2000208448A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
observation window
foreign matter
processing
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11004288A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Nakano
博之 中野
Toshihiko Nakada
俊彦 中田
Masayoshi Serizawa
正芳 芹澤
Hideaki Sasazawa
秀明 笹澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11004288A priority Critical patent/JP2000208448A/ja
Priority to US09/763,735 priority patent/US7355143B1/en
Priority to KR10-2001-7002481A priority patent/KR100389522B1/ko
Priority to PCT/JP1999/007342 priority patent/WO2000042642A1/ja
Publication of JP2000208448A publication Critical patent/JP2000208448A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
    • G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
    • G01N15/0227—Investigating particle size or size distribution by optical means using imaging; using holography
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01N15/0211—Investigating a scatter or diffraction pattern
    • G01N2015/0216—Investigating a scatter or diffraction pattern from fluctuations of diffraction pattern

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理室内に浮遊した異物の検出を、１つの観
測用窓と１つのユニットで構成された光学系によって行
えるようにすること。また、微弱な異物散乱光を精度良
く検出できるようにすること。 【解決手段】 処理室内の被処理体に所望の薄膜生成・
加工処理を施す際に、Ｐ偏光され、かつ、励起源の周波
数およびその整数倍とは異なる周波数で強度変調された
ビームを、Ｐ偏光である入力ビームに対してブリュース
ター角をなす傾斜をもつ観測用窓を通して、処理室内へ
照射する。そして、処理室内の異物によって散乱された
後方散乱光を、上記同一の観測用窓を通して、検出光学
系において受光および撮像し、受光信号の中から上記周
波数成分、および、上記強度変調したビームの波長成分
を検出し、この検出した成分および上記撮像した画像情
報を用いて、異物の個数、大きさ、分布を判別する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
基板などの回路基板の製造方法および製造装置に係り、
特に、薄膜の生成（成膜）やエッチング等の加工を行う
処理室（真空処理室）内に浮遊した異物を、ｉｎ−ｓｉ
ｔｕ計測する機能を備えた回路基板製造方法および回路
基板製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチング装置を始めとして、プラズマ
を用いた処理が半導体製造工程や液晶表示装置用基板製
造工程に広く適用されている。
【０００３】プラズマを用いた処理装置の１例として、
図１６に示す平行平板型プラズマエッチング装置があ
る。この種の装置は、図１６に示すように、シグナルジ
ェネレータ８３からの高周波信号によりパワーアンプ８
４の出力電圧を変調し、この高周波電圧を分配器８５に
より分配して、処理室内において互いに平行に配置した
上部電極８１と下部電極８２の間に印加し、両電極間８
１、８２での放電によりエッチング用ガスからプラズマ
７１を発生させ、その活性種で被処理体としての、例え
ば半導体基板（ウェハ）Ｗをエッチングするようになっ
ている。高周波信号としては、例えば４００ｋＨｚ程度
の周波数が用いられる。
【０００４】上記プラズマエッチング装置では、プラズ
マ処理によるエッチング反応によって生成された反応生
成物が、プラズマ処理室の壁面あるいは電極に堆積し、
これが時間経過に伴い、剥離して浮遊異物となることが
知られている。この浮遊異物は、エッチング処理が終了
しプラズマ放電が停止した瞬間に、ウェハ上に落下して
付着異物となり、回路の特性不良やパターン外観不良を
引き起こす。そして、最終的には、歩留まりの低下や素
子の信頼性低下の原因となる。
【０００５】上記ウェハ表面に付着した異物を検査する
装置は、多数報告され実用化されているが、これらは、
プラズマ処理装置から一旦ウェハを抜き出して検査を行
うもので、異物が多く発生していると判った時点では、
既に他のウェハの処理が進んでおり、不良の大量発生に
よる歩留まりの低下の問題がある。また、処理後の評価
では、処理室内の異物発生の分布、経時変化などは判ら
ない。
【０００６】従って、処理室内の汚染状況をｉｎ−ｓｉ
ｔｕでリアルタイムモニタする技術が、半導体製造や液
晶製造等の分野で求められている。
【０００７】処理室内で浮遊する異物の大きさは、サブ
ミクロンから数百μｍの範囲であるが、２５６Ｍｂｉｔ
ＤＲＡＭ、さらには１ＧｂｉｔＤＲＡＭへと高集積化が
進む半導体の分野においては、回路パターンの最小線幅
は０．２５〜０．１８μｍと微細化の一途を辿ってお
り、検出すべき異物の大きさもサブミクロンオーダが要
求されている。
【０００８】プラズマ処理室等の処理室（真空処理室）
内に浮遊した異物をモニタする従来技術としては、特開
昭５７−１１８６３０号公報（従来技術１）、特開平３
−２５３５５号公報（従来技術２）、特開平３−１４７
３１７号公報（従来技術３）、特開平６−８２３５８号
公報（従来技術４）、特開平６−１２４９０２号公報
（従来技術５）に開示された技術が挙げられる。
【０００９】上記従来技術１には、反応空間における自
己発光光のスペクトルと異なったスペクトルを有する平
行光を反応空間に照射する手段と、上記平行光の照射を
受けて上記反応空間において発生する微粒子からの散乱
光を検出する手段とを、具備した蒸着装置が開示されて
いる。
【００１０】また、上記従来技術２には、半導体装置用
基板表面に付着した微細粒子及び浮遊している微細粒子
を、レーザ光による散乱を用いて測定する微細粒子測定
装置において、波長が同一で相互の位相差がある所定の
周波数で変調された２本のレーザ光を発生させるレーザ
光位相変調部と、上記２本のレーザ光を上記の測定対象
である微細粒子を含む空間において交差させる光学系
と、上記２本のレーザ光の交差された領域において測定
対象である微細粒子により散乱させた光を受光し、電気
信号に変換する光検出部と、この散乱光による電気信号
の中で上記レーザ光位相変調部での位相変調信号と周波
数が同一または２倍で、かつ上記位相変調信号との位相
差が時間的に一定である信号成分を取り出す信号処理部
とを、備えた微細粒子測定装置が開示されている。
【００１１】また、上記従来技術３には、コヒーレント
光を走査照射して反応容器内で散乱する光をその場で発
生させるステップと、上記反応容器内で散乱する光を検
出するステップとを含み、それにより上記散乱光を解析
することで、上記反応容器内の汚染状況を測定する技術
が記載されている。
【００１２】また、上記従来技術４には、レーザ光を生
成するレーザ手段と、観測されるべき粒子を含むプラズ
マ処理ツールの反応室内の領域を上記レーザ光で走査す
るスキャナ手段と、上記領域内の粒子によって散乱した
レーザ光のビデオ信号を生成するビデオカメラと、上記
ビデオ信号のイメージを処理し表示する手段とを、有す
る粒子検出器が記載されている。
【００１３】また、上記従来技術５には、プラズマ処理
室内のプラズマ発生領域を観測するカメラ装置と、該カ
メラ装置により得られた画像を処理して目的とする情報
を得るデータ処理部と、該データ処理部にて得られた情
報に基づいてパーティクルを減少させるように排気手
段、プロセスガス導入手段、高周波電圧印加手段及びパ
ージガス導入手段のうち少なくとも１つを制御する制御
部とを、備えたプラズマ処理装置が記載されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記した各従来技術
は、処理装置の側面に設けられた観測用窓からレーザ光
を照射し、対向した側面あるいはその他の側面に設けら
れた上記レーザ照射用観測窓とは異なる観測用窓から、
レーザ前方散乱光や側方散乱光を検出するものである。
したがって、これらの前方散乱光や側方散乱光を検出す
る方式では、照射光学系と検出光学系とが各々異なるユ
ニットで形成され、これらを取り付ける観測用窓も２つ
必要であり、また、光軸調整等も、照射・検出光学系で
各々行わなければならず、取り扱いが面倒なものとなっ
ていた。
【００１５】また、通常、プラズマ処理室などの処理室
の側面の観測用窓は、プラズマ発光などをモニタするた
めにほとんどの機種に設けられているが、この観察窓は
１つのみしか備え付けられていない場合も少なくない。
従って、観測用窓を２つ必要とする従来手法は、観測用
窓を１つしか備えていない処理室をもつ製造装置には、
適用することができないという問題がある。
【００１６】さらに、前方散乱光や側方散乱光を検出す
る従来方式においては、処理室へ照射する照射ビームを
回転走査させて、ウェハ等の被処理体の全面上の異物発
生状況を観察しようとした場合には、多数の観察窓と検
出光学系とを必要とし、大幅なコストアップ要因となる
上、多数の観察窓や検出光学系を設けることも、スペー
スファクター上の制約から実際には非常に困難である。
【００１７】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、１つの観測用窓を照射光学系
と検出光学系で兼用し、処理室内に浮遊した異物の検出
を、１つのユニットで構成された光学系によって行える
ようにすることにある。また、本発明の目的とするとこ
ろは、微弱な異物散乱光を精度良く検出できる、信頼性
の高い方法および装置を実現することにある。また、本
発明の目的とするところは、ウェハ等の被処理体の全面
上の異物発生状況を判定できる方法および装置を実現す
ることにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、例えば、処理室内の被処理体に
所望の薄膜生成または加工処理を施す際に、Ｐ偏光で、
かつ、励起源の周波数およびその整数倍とは異なる周波
数で強度変調された所望の波長のレーザビームを、Ｐ偏
光である入射ビームに対してブリュースター角をなす傾
斜をもつ観測用窓を通して、処理室内へ照射する。そし
て、処理室内の異物によって散乱された後方散乱光を、
上記同一の観測用窓を通して、検出光学系において受光
および撮像し、受光信号の中から上記周波数成分、およ
び、上記強度変調したビームの波長成分を検出し、この
検出した成分および上記撮像した画像情報を用いて、異
物の個数、大きさ、分布を判別して、この判別結果をデ
ィスプレイ上に表示する。また、上記観測用窓を通して
上記処理室内に照射する照射ビームを、水平方向に回転
走査するようにして、異物の２次元分布を判定する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図１５を用いて説明する。なお、以下に述べる本発
明の各実施形態では、プラズマドライエッチング装置に
利用されている、平行平板型プラズマエッチング装置へ
の適用例を示すが、本発明の適用範囲はこれに限定され
るものではなく、本発明は、スパッタ装置やＣＶＤ装置
などの薄膜生成（成膜）装置、あるいは、ＥＣＲエッチ
ング装置やマイクロ波エッチング装置、またはアッシン
グ装置などの各種薄膜加工装置への適用が可能である。
【００２０】まず、本発明の第１実施形態に係るプラズ
マエッチング装置を、図１〜図８に基づいて説明する。
図１は、本第１実施形態に係る、プラズマ中浮遊異物計
測装置をもつエッチング処理装置１の構成を示す図であ
る。
【００２１】図１に示すように、エッチング処理装置１
では、シグナルジェネレータ８３からの高周波信号によ
りパワーアンプ８４の出力電圧を変調し、この高周波電
圧を分配器８５によって分配して、処理室５内において
互いに平行に配置した上部電極８１と下部電極８２の間
に印加し、両電極間８１、８２での放電によりエッチグ
用ガスからプラズマ７１を発生させ、その活性種で被処
理体としての半導体基板（ウェハ）Ｗをエッチングす
る。高周波信号としては、例えば４００ｋＨｚが用いら
れる。
【００２２】上記のプラズマ中浮遊異物計測装置は、レ
ーザ照明光学系２０００と散乱光検出光学系３０００と
信号処理系６０００とにより主として構成され、レーザ
照明光学系２０００および散乱光検出光学系３０００に
おける照射光出口部・検出光入口部は、処理室５の側面
に設けられた観測用窓１０に対向するように配置されて
いる。
【００２３】レーザ照明光学系２０００では、まずレー
ザ２１源（例えばＹＡＧの第２次高調波レーザ；波長５
３２ｎｍ）から出射されたＳ偏光ビーム１０１を、ＡＯ
（Ａｃｏｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ）変調器２２に入射
する。ＡＯ変調器２２に発振器２３から出力された例え
ば周波数１７０ｋＨｚ、好ましくはデューティ５０％の
矩形波信号を印加し、レーザビーム（Ｓ偏光ビーム）１
０１を上記周波数で強度変調する。ここで、エッチング
処理装置の電極に印加する高周波電圧を４００ｋＨｚと
した本実施形態では、レーザ強度変調周波数は、４００
ｋＨｚおよびその高調波成分８００ｋＨｚ、１．２ＭＨ
ｚ…とは異なる上記周波数１７０ｋＨｚなどが良い。理
由については後で述べる。
【００２４】強度変調されたビーム１０２は、偏光ビー
ムスプリッタ２４と、ガルバノミラー２５により反射さ
れ、処理室５の側面に設けられた観測用窓１０を通して
処理室５内へと導かれる。ここで、ガルバノミラー２５
を回転させ、ビームをウェハ面に平行な面内で走査する
ことにより、ウェハ直上全面での異物検出が可能とな
る。
【００２５】図２の（ａ）に示すように、観測用窓１０
は、Ｐ偏光となる入射ビーム１０２に対してブリュース
ター角θB1をなすような傾斜が設けてあり、この面での
反射率は、理論上Ｐ偏光である入射ビーム１０２に対し
て零となる。ここで、ブリュースター角θB1は、θB1＝
ｔａｎ~1（ｎ2／ｎ1）（ｎ1：空気の屈折率、ｎ2：観測
用窓のガラス材の屈折率）で表され、レーザの波長を５
３２ｎｍ、観測用窓１０のガラス材を合成石英（５３２
ｎｍでの屈折率１．４６）とした場合、θB1＝５５．６
°となる。また、同様にθB2についても、θB2＝３４．
４°となる。なおまた、図２の（ｂ）に示すように、観
測用窓１０は、ガルバノミラー２５の回転による入射ビ
ーム１０２の回転走査に際し、入射ビーム１０２に対し
常に同一傾斜となるように湾曲した形状に形成されてい
る。
【００２６】処理室５内へ導かれたビーム１０３は、プ
ラズマ中の浮遊異物７２により散乱される。異物散乱光
のうちビーム１０３と同一の光軸を伝搬する後方散乱光
は、観測用窓１０を通過してガルバノミラー２５により
反射され、偏光ビームスプリッタ２４へと向かう。この
後方散乱光のうち、偏光ビームスプリッタ２４を透過す
るＰ偏光成分のみを、結像レンズ３１で集光する。
【００２７】集光された散乱光は、異物の大きさおよび
発生位置を特定するため、ビームスプリッタ４２により
２つのビーム２０１、２０２に分離し、それぞれＣＣＤ
カメラ４１およびバンドルファイバ３３で撮像あるいは
受光する。
【００２８】ビームスプリッタ４２を通過したビーム２
０１は、レーザ波長（５３２ｎｍ）に透過中心波長を持
つ干渉フィルタ４０を通過し、プラズマ発光から異物散
乱光を波長分離した後、ＣＣＤカメラ４１で撮像され
る。図３は、散乱光をＣＣＤカメラ４１で撮像する様子
を簡略化して表したもので、図３の（ａ）に示すよう
に、ウェハ手前の７３ａとＣＣＤカメラ４１の入射面と
が結像関係にあり、ウェハ中心７３ｂ、ウェハ奥７３ｃ
からの散乱光の像は、デフォーカスしているため、図３
の（ｂ）に示すように、同じ異物からの散乱光に対して
得られる像の大きさが異なる。従って、撮像された画像
から、異物がどの位置で発生したか知るための手がかり
となる情報が得られる。ただし、大きさの異なる異物と
の識別ができない。そこで、異物サイズについては、次
に説明する方法により得られた信号と上記撮像信号から
判定する。
【００２９】ビームスプリッタ４２で反射されるビーム
２０２は、結像レンズ３１によりバンドルファイバ３３
の入射面に集光される。図４に示すように、ウェハ中央
の７３ｂとバンドルファイバ３３の入射面とが結像関係
になっているが、入射端面のファイバ束領域（受光領
域）は、デフォーカスしたウェハ両端７３ａ、７３ｃか
らの散乱光も検出可能な大きさとなっている。従って、
ウェハ手前から奥までの異物後方散乱光を同じ感度で検
出できる。また、処理室５内壁で生じる散乱光は、バン
ドルファイバ３３の受光面の手前で結像するため、その
結像位置に空間フィルタ３６を設置し遮光する。バンド
ルファイバ３３の出射端は、レーザ波長に設定されたモ
ノクロメータや干渉フィルタなどの分光器３４に接続さ
れ、プラズマ発光から異物散乱光を波長分離した後、光
電変換素子３５で光電変換される。光電変換された検出
信号は、レーザ変調周波数よりも十分広い帯域をもつア
ンプ５０で増幅された後、ロックインアンプ５１によ
り、レーザ光の強度変調に用いた発振器２３から出力さ
れた周波数１７０ｋＨｚ、デューティ５０％の矩形波信
号を参照信号として同期検波され、検出信号から周波数
１７０ｋＨｚの異物散乱光成分を抽出する。
【００３０】プラズマ発光の強度はプラズマ励起周波数
に同期していることを、本願発明者らは実験によって検
証しており、プラズマ発光から波長分離しプラズマ励起
周波数およびその整数倍と異なる上記周波数１７０ｋＨ
ｚで変調・同期検波して得た異物信号は、図５に示すよ
うに、プラズマ発光から、波長・周波数２つの領域で分
離され、検出される。この変調・同期検波方式により、
プラズマ発光から微弱な異物散乱光を感度良く検出でき
ることを、本願発明者らは実験的に確認している。
【００３１】このように、本実施形態では、後方散乱光
検出では大きな雑音となりうる観測用窓表面からの反射
光および処理室内壁散乱光の影響を実質的になくし、さ
らに、上記変調・同期検波方式により、プラズマ中異物
検出で問題となるプラズマ発光雑音から、微弱な異物散
乱信号を感度良く検出できる。また、後方散乱光検出と
することで、レーザ照明光学系と散乱光検出光学系を１
つのユニットで構成でき、１つの観測用窓１０のみをも
つ処理装置であっても適用可能となる上、照明光学系と
検出光学系とが分離したものと比較すると光軸調整等も
容易となり、トータルとしての光学系がコンパクトなも
のになる。
【００３２】ここで、浮遊異物はプラズマ・シース界面
に多く存在すると言われるが、電極間隔等の処理条件に
よりプラズマ・シース界面の位置は異なり、かつプラズ
マ・シース以外にも異物は存在する。そこで、１つのユ
ニットで構成した本レーザ照明光学系２０００および散
乱光検出光学系３０００は、図６に示すように、観測用
窓１０の上記した傾斜と平行に、斜めに上下動可能であ
るように構成してある。かような構成をとることによ
り、プラズマ中の異なる高さ領域での異物検出が可能と
なる。
【００３３】ロックインアンプ５１の出力は計算機６１
に送られる。計算機６１では、取り込んだ信号を、例え
ば図７の（ａ）に示すような形で逐一ディスプレイ上に
表示する。ここで、検出信号は、アンプ５０、ロックイ
ンアンプ５１等で生じる電気雑音ＮE を含んでいるた
め、表示の際にしきい値処理を行い、図７の（ｂ）のよ
うに、ＮE 以下の信号は０ｍＶとし、ＮE 以上の大きさ
の信号のみを表示すると、異物信号の判定が容易にな
る。
【００３４】信号処理系６０００では、得られた異物信
号強度とＣＣＤカメラ４１の撮像画像とから、異物の大
きさ、個数、発生位置を判定する。そこで、ＣＣＤカメ
ラ４１の撮像画像については、ロックインアンプ出力に
対してしきい値Ｉthを設定し、信号強度がしきい値Ｉth
を超えたときのみ異物が発生したとみなし、像を記録す
る。
【００３５】次に、計算機６１では、予め実験により得
られた粒径に対する信号強度および撮像画像データと、
検出された異物信号強度および撮像画像とを比較し、異
物の大きさ、発生位置、発生個数を判定し、その結果
を、例えば図７の（ｃ）に示すようにディスプレイ上に
表示する。
【００３６】ここで、本実施形態では、ガルバノミラー
２５によりビームをウェハ全面にわたって走査できる構
成としたので、計算機６１では、ガルバノドライバ２９
を介して走査信号をガルバノミラー２５に送り、ビーム
を走査しつつ各走査位置での異物信号および画像をガル
バノミラー動作に同期して取り込めば、ウェハ前後での
異物発生位置に加え、図８に示すように、ウェハ面上で
の２次元分布を把握できる。
【００３７】また、計算機６１では、発生した異物の個
数を計数して処理室内の汚染状況を判断し、異物発生総
数が予め設定した基準値を超えたときは、エッチング処
理を終了する。更にこの旨をアラームなどで操作者に知
らせれば、その情報を基に、操作者は処理室クリーニン
グなどの作業を行うことができる。
【００３８】以上のように本実施形態によれば、後方散
乱光検出では大きな雑音となりうる観測用窓表面からの
反射光および処理室内壁散乱光の影響を実質的になく
し、さらに、上記変調・同期検波方式により、プラズマ
中異物検出で問題となるプラズマ発光雑音から微弱な異
物散乱信号を分離して検出するため、検出感度が向上
し、従来法では検出が困難であると予想される、サブミ
クロンオーダの微小異物の検出も可能となる。
【００３９】また、本実施形態によれば、後方散乱光検
出としたため、照射・検出光学系を１つのユニットで構
成でき、取付けおよび調整が簡単で、かつ、小型な異物
検出装置を構成することが可能となる。また、後方散乱
光検出としたため、照射ビームを水平方向に回転走査す
ることができ、異物の２次元分布を把握することが容易
に可能となる。
【００４０】さらに、本発形態では、照射・検出光学系
を斜め上下方向にスライドできる構成としたので、異な
るプラズマ領域を観測でき、異物の上下方向の分布を知
ることができる。この際、照射光学系と検出光学系が１
つのユニットで構成されているため、スライドさせても
照射・検出の光軸がずれることは無く、再調整の必要は
ない。
【００４１】さらに、本実施形態によれば、ウェハ上全
面で異物検出を行って、異物の個数、大きさ、分布を判
定するので、操作者は、その情報をディスプレイ上でリ
アルタイムで確認できる。
【００４２】また、本実施形態によれば、得られた異物
の発生個数、大きさ、分布の情報をもとに、処理室内の
汚染状況をリアルタイムで判断できるため、クリーニン
グ時期の最適化がなされ、スループットが向上するとと
もに、ドカ不良の発生（一度に大量の不良が発生するこ
と）が防止できて、歩留まりが向上する。また、処理室
内の異物個数を常にモニタしながら処理を進められるた
め、このようにして製造された半導体基板や液晶基板
は、基準値以上の異物を含まない環境で製造された、高
品質で、信頼性の高い製品となる。
【００４３】また、本実施形態によれば、ダミーウェハ
を用いた処理室の汚染状況判断や、抜き取り検査による
汚染状況判断の必要がないため、ダミーウェハのコスト
削減、スループットの向上がなされる。
【００４４】次に、本発明の第２実施形態を、図９およ
び図１０に基づいて説明する。図９は、本第２実施形態
に係る、プラズマ中浮遊異物計測装置をもつエッチング
処理装置２の構成を示す図である。
【００４５】本実施形態におけるプラズマ中浮遊異物計
測装置は、プラズマ発光観測等の目的で、既に観測用窓
１１を備えたエッチング処理装置に搭載する場合を想定
しており、観測用窓にブリュースター角を設けるなどの
特殊な構造を持たないもの、つまり、観測用窓の表面か
らの反射光が多く発生する場合にも有効な、プラズマ中
浮遊異物計測装置についての実施形態である。
【００４６】本実施形態においては、プラズマ中浮遊異
物計測装置の照射・検出光学系のエッチング処理装置へ
の搭載は、観測用窓１１の近傍にベース板などのアタッ
チメントを取り付け、そのアタッチメントを介して搭載
するなどの手段をとる。さらに、上記した第１実施形態
と同様に、照明・検出光学系は、アタッチメント上を上
下方向に移動でき、高さの異なるプラズマ領域での異物
検出が可能な構成となっている。
【００４７】また、上記第１実施形態では、Ｐ偏光で照
射し、異物散乱光のうち照射光と直交したＳ偏光成分を
検出する構成となっていた。しかし、一般に、散乱光は
入射光と同じ偏光方向が強い。そこで、本実施形態で
は、入射光と同じ偏光方向成分を取り出す構成を実現す
る。また、観測用窓への入射ビームの偏光は、上記第１
実施形態のようにＰ偏光に限定するものではない。
【００４８】プラズマ処理室および処理方法は、上記第
１実施形態と同様であるので説明を省略する。また、第
１実施形態と同様に、変調・同期検波の技術を用い、異
物散乱光をプラズマ発光から波長・周波数２つの領域で
分離して検出し、プラズマ処理室内壁散乱光は空間フィ
ルタにより遮光する。
【００４９】本実施形態におけるプラズマ中浮遊異物計
測装置は、レーザ照明光学系２００１と散乱光検出光学
系３００１と信号処理系６０００とで主として構成され
る。信号処理系６０００に関しては第１実施形態と同様
であるので説明を省略する。
【００５０】本第２実施形態では、強度変調されたＰ偏
光ビーム１０２は、偏光ビームスプリッタ２４を通過
し、スリットの設けられた１／２波長板２７のスリット
部を通過した後、ガルバノミラー２５を介して観測用窓
１１を通して処理室５内へと導かれる。１／２波長板２
７のスリット方向については、観測用窓反射光の光路や
散乱光受光の様子を簡略化して表現した図１０に示す方
向である。
【００５１】プラズマ７１中の浮遊異物７２により発生
した後方散乱光は、観測用窓１１を通過し、ガルバノミ
ラー２５を介して１／２波長板２７へと向かう。そのう
ち図１０中で斜線で示す１／２波長板２７を通過した散
乱光は、偏光方向が９０°回転しＳ偏光となるため、偏
光ビームスプリッタ２４で反射され、散乱光検出光学系
により検出される。一方、観測用窓１１の表面および裏
面からの直接反射光は、１／２波長板２７のスリット部
を通過するためＰ偏光のままで、偏光ビームスプリッタ
２４で反射し、散乱光検出光学系では検出されない。
【００５２】ここで、観測用窓１１のレーザ入射側に
は、入射ビームの波長、偏光および入射角に対して反射
が最低になるような反射防止コートを施すことで、反射
光を低減させることが可能となる。散乱光の受光・撮像
については、上記第１実施形態と同様であるので説明は
省略する。
【００５３】計算機６１は、得られた情報をプラズマ処
理装置などに出力するための端子や、プラズマ処理装置
からの累積放電時間などの稼働情報を得るための入力端
子を備え、第１実施形態と同様に、プラズマ中浮遊異物
計測装置から得られた情報をもとに、プラズマ処理装置
を監視・制御できるようになっている。
【００５４】このように、本実施形態によれば、第１実
施形態と同様の効果が得られるだけではなく、特殊な構
造を持たない観測用窓で反射光が生じるような場合で
も、その影響を受けること無く、異物散乱光を検出でき
る。
【００５５】また、本実施形態によれば、照射光と同じ
偏光方向の異物散乱光を検出でき、異物散乱信号をより
効率的に検出できる。
【００５６】次に、本発明の第３実施形態を、図１１お
よび図１２に基づいて説明する。図１１は、本第３実施
形態に係る、プラズマ中浮遊異物計測装置をもつエッチ
ング処理装置２の構成を示す図である。
【００５７】本実施形態におけるプラズマ中浮遊異物計
測装置は、上記第２実施形態と同様に、プラズマ発光観
測等の目的で、既に観測用窓１１を備えたエッチング処
理装置に搭載する場合を想定しており、観測用窓にブリ
ュースター角を設けるなどの特殊な構造を持たないも
の、つまり観測用窓の表面からの反射光が存在する場合
にも有効な、プラズマ中浮遊異物計測装置についての実
施形態である。
【００５８】本実施形態においては、上記第２実施形態
と同様に、プラズマ中浮遊異物計測装置の照射・検出光
学系のエッチング処理装置への搭載は、観測用窓１１に
ベース板などのアタッチメントを取り付け、そのアタッ
チメントを介して搭載するなどの手段をとる。さらに、
上記した第１実施形態と同様に、照明・検出光学系は、
アタッチメント上を上下方向に移動でき、高さの異なる
プラズマ領域での異物検出が可能な構成となっている。
【００５９】本実施形態が上記第２実施形態と異なるの
は、円偏光照明・円偏光検出を行う点にある。
【００６０】プラズマ処理室及び処理方法は、上記第１
実施形態と同様であるので説明を省略する。また、第１
実施形態と同様に、変調・同期検波の技術を用い、異物
散乱光をプラズマ発光から波長・周波数２つの領域で分
離して検出し、処理室内壁散乱光は空間フィルタで遮光
する。
【００６１】本実施形態におけるプラズマ中浮遊異物計
測装置は、レーザ照明光学系２００２と散乱光検出光学
系３００２と信号処理系６０００とで主として構成され
る。信号処理系６０００に関しては第１実施形態と同様
であるので説明を省略する。
【００６２】上記第１、第２実施形態と同様に、強度変
調されたＰ偏光ビーム１０２は、偏光ビームスプリッタ
２４を通過し、１／４波長板２６により円偏光ビーム１
０４となり、ガルバノミラー２５を介して観測用窓１１
を通して処理室５内へと導かれる。
【００６３】図１２は、観測用窓反射光の光路や散乱光
受光の様子を、簡略化して表現した図である。図１１、
図１２に示すように、プラズマ７１中の浮遊異物７２に
より発生した後方散乱光は、観測用窓１１を通過し、ガ
ルバノミラーを介して１／４波長板２６へと向かう。再
度１／４波長板２６を通過した散乱光は、偏光方向が９
０°回転しＳ偏光となるため、偏光ビームスプリッタ２
４で反射され、散乱光検出光学系により検出される。一
方、観測用窓の表面及び裏面からの直接反射光も、１／
４波長板２６を通過するためＳ偏光となり、偏光ビーム
スプリッタ２４で反射され、散乱光検出光学系へと向か
う。そこで、空間フィルタ３６を結像レンズ３１の手前
もしくは後ろに設置し、観測用窓反射光を遮光する。
【００６４】ここで、観測用窓１１のレーザ入射側に
は、上記第１、第２実施形態と同様に、入射ビームの波
長および入射角に対して反射が最低になるような反射防
止コート１５を施してあり、反射光を低減させることが
可能となっている。
【００６５】このように、本実施形態では、円偏光照明
・円偏光検出により、第２実施形態と同様のプラズマ中
浮遊異物計測装置を構成できる。
【００６６】また、本実施形態においても、第２実施形
態と同様に、信号処理系で得られた情報をプラズマ処理
装置などに出力するための端子や、プラズマ処理装置か
らの累積放電時間などの稼働情報を得るための入力端子
を備えれば、プラズマ中浮遊異物計測装置によってプラ
ズマ処理装置を監視・制御することができる。
【００６７】このように、本実施形態によれば、第２実
施形態と同様に、特殊な構造を持たない観測用窓で反射
光が生じるような場合でも、その影響を受けること無
く、円偏光照明・円偏光検出により異物散乱光を検出で
きる。
【００６８】また、本実施形態によれば、円偏光照明・
円偏光検出を行うため、第１実施形態に比べ異物散乱光
をより効率的に検出できる。
【００６９】次に、本発明の第４実施形態を、図１３お
よび図１４に基づいて説明する。図１３は、本第４実施
形態に係る、プラズマ中浮遊異物計測装置をもつエッチ
ング処理装置２の構成を示す図である。
【００７０】本実施形態におけるプラズマ中浮遊異物計
測装置は、レーザ照明光学系２００３と散乱光検出光学
系３００３と信号処理系６０００とで主として構成され
る。
【００７１】本実施形態が上記第３実施形態と異なるの
は、上記第３実施形態においては、観測用窓からの反射
光を空間フィルタを用いて遮光していたのに対し、本実
施形態においては、直線偏光板を用いて遮光するように
した点にある。本実施形態は、上記第３実施形態と全く
同様の効果を奏するものであるので、第３実施形態と異
なる箇所のみ説明する。
【００７２】第３実施形態と同様に、強度変調されたＰ
偏光ビームは、偏光ビームスプリッタ２４を通過し、Ｐ
偏光を通過するように設置された直線偏光板２８を通過
した後、１／４波長板２６により円偏光となり、ガルバ
ノミラー２５を介して観測用窓１１を通して処理室５内
へと導かれる。
【００７３】図１４は、観測用窓反射光の光路や散乱光
受光の様子を、簡略化して表現した図である。図１３、
図１４に示すように、プラズマ７１中の浮遊異物７２に
より発生した後方散乱光は、観測用窓１１を通過し、ガ
ルバノミラーを介して１／４波長板２６へと向かう。１
／４波長板２６を通過した散乱光は、偏光方向が９０°
回転しＳ偏光となるため、直線偏光板２８によって遮光
される僅かな領域を除いては、偏光ビームスプリッタ２
４で反射され、散乱光検出光学系により検出される。一
方、観測用窓１１の表面および裏面からの直接反射光
は、１／４波長板２６を通過するためＳ偏光となり、直
線偏光板２８によって遮光される。従って、本実施形態
においても、上記第３実施形態と同様に、観測用窓反射
光は検出されない。
【００７４】また、本実施形態においても、上記第２、
第３実施形態と同様に、信号処理系で得られた情報をプ
ラズマ処理装置などに出力するための端子や、プラズマ
処理装置からの累積放電時間などの稼働情報を得るため
の入力端子を備えれば、プラズマ中浮遊異物計測装置に
よってプラズマ処理装置を監視・制御することができ
る。
【００７５】このように、本実施形態によれば、上記第
２、第３実施形態と同様に、特殊な構造を持たず観測用
窓で反射光が生じるような場合でも、その影響を受ける
こと無く、異物散乱光を検出できる。
【００７６】また、本実施形態によれば、円偏光照明・
円偏光検出を行うため、第１実施形態に比べ異物散乱光
をより効率的に検出できる。
【００７７】次に、本発明の第５実施形態を、図１５に
基づいて説明する。本第５実施形態は、先に述べたプラ
ズマ中浮遊異物計測装置付きエッチング処理装置（プラ
ズマエッチング処理装置）を、半導体製造ラインのホト
リソグラフィ工程に導入したものであり、図１５は、半
導体製造ラインのホトリソグラフィ工程を処理の流れに
沿って模式的に示した図である。
【００７８】図１５に示すように、まず、膜付け装置１
００１により、半導体ウェハ上にシリコン酸化膜等の被
加工膜が形成される。次に、膜厚測定装置１００２によ
りウェハ上複数点での膜厚が測定された後、レジスト塗
布装置１００３によりレジスト膜が塗布される。次に、
露光装置１００４により、レチクルやマスク上の所望の
回路パターンが転写される。露光された半導体ウェハ
は、現像装置１００５で転写パターンに対応したレジス
ト部が除去される。
【００７９】次に、エッチング処理装置（プラズマエッ
チング処理装置）１００６では、レジストパターンをマ
スクとして、レジスト除去部の被加工膜がエッチングさ
れる。エッチング処理装置１００６内の異物は、プラズ
マ中浮遊異物計測装置１１００で検出され、その信号を
もとに、プラズマ中浮遊異物計測装置１１００の信号処
理系６０００の判定部で処理室内の汚染状況が判定され
る。異物数が規定値を超えると、エッチング処理装置の
操作者に知らされ、処理室内のクリーニングが行われ
る。異物数が規定値を超えない場合は、エッチング終了
後、半導体ウェハはアッシング装置１００７によりレジ
スト膜が除去された後、洗浄装置１００８に送られる。
【００８０】異物モニタ装置（プラズマ中浮遊異物計測
装置１１００）を備えないエッチング処理装置では、必
ずしも適切な時間で処理室のクリーニングが行われな
い。従って、本来クリーニングしなくても良い時期にク
リーニングを行い、スループットを低下させたり、逆に
クリーニングすべき時期を過ぎているにもかかわらず処
理を続け、不良品を大量に生じさせ歩留まりを低下させ
ることもある。また、処理室内異物チェックのためのダ
ミーウェハによる先行作業を行い、その結果からクリー
ニング時期を決める方法もある。この場合、ホトリソグ
ラフィ工程中に余分な作業が入るため、ホトリソグラフ
ィ工程のスループットが低下し、ダミーウェハ分のコス
トが必要とされた。しかし、ウェハの大口径化に伴い、
ダミーウェハのコストの増加は必至で、処理室内異物チ
ェックのためのダミーウェハによる先行作業の削減も大
きな問題になっている。
【００８１】これに対し本実施形態によれば、処理室内
の汚染状況をリアルタイムでモニタしながら被処理体の
処理を行えるため、クリーニング時期の最適化が図ら
れ、ダミーウェハによる先行作業も必要ないため、スル
ープットが向上し、ダミーウェハのコスト削減が可能と
なる。また、本実施形態の工程により製造された製品
は、規定値以上の異物を含まない良質の製品となる。
【００８２】なお、以上の実施形態においては、エッチ
ング処理装置への適用例について述べたが、先にも記載
したように、本発明の適用範囲はこれに限定されるもの
ではなく、例えば、本発明をアッシング装置や成膜装置
に適用することで、アッシング装置内および成膜装置内
の異物のリアルタイムモニタリングが可能となり、以っ
て、ホトリソグラフィ工程中のアッシング工程および成
膜工程起因の不良を低減することが可能となり、不良品
の発生防止と歩留まりの向上とを図ることができる。
【００８３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、後方散乱
光検出としたため、照射・検出光学系を１つのユニット
で構成でき、取付けおよび調整が簡単で、小形な異物検
出装置を実現できる。
【００８４】また、後方散乱光検出では大きな雑音とな
りうる観測用窓表面からの反射光および処理室内壁散乱
光を検出せず、さらに、プラズマ中異物検出で問題とな
るプラズマ発光雑音から微弱な異物散乱信号を分離して
検出するため、検出感度が向上し、従来法では検出が困
難であると予想される、サブミクロンオーダの微小異物
の検出も可能となる。
【００８５】さらに、照明光を走査できる構成とし、更
には照射・検出光学系を上下方向にスライドできる構成
としたので、異なるプラズマ領域を観測できるととも
に、ウェハ上全面で異物検出を行い、異物の個数、大き
さ、分布を知ることができ、操作者は、その情報をディ
スプレイ上でリアルタイムで確認できる。
【００８６】さらに、本発明によれば、得られた異物の
発生個数、大きさ、分布の情報をもとに、処理室内の汚
染状況をリアルタイムで判断できるため、クリーニング
時期の最適化がなされ、スループットが向上するととも
に、ドカ不良の発生を防止でき、歩留まりの向上がなさ
れる。また、処理室内の異物個数を常にモニタしながら
処理を進められるため、このようにして製造された回路
基板は、基準値以上の異物を含まない高品質の信頼性の
高い製品となる。
【００８７】また、本発明によれば、ダミーウェハを用
いた処理室の汚染状況判断や、抜き取り検査による汚染
状況判断の必要がないため、ダミーウェハのコスト削
減、スループットの向上がなされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る、プラズマ中浮遊
異物計測装置をもつエッチング処理装置の構成を示す説
明図である。
【図２】本発明の第１実施形態における、観測用窓およ
びレーザ光入射角度を示す説明図である。
【図３】本発明の第１実施形態における、ＣＣＤカメラ
による異物散乱光の撮像の様子を示す説明図である。
【図４】本発明の第１実施形態における、バンドルファ
イバによる異物散乱光の受光の様子を示す説明図であ
る。
【図５】本発明の第１実施形態における、異物散乱光の
プラズマ発光からの波長・周波数分離の様子を示す説明
図である。
【図６】本発明の第１実施形態における、プラズマ中浮
遊異物計測装置の照明・検出光学系のスライド機能を示
す説明図である。
【図７】本発明の第１実施形態における、検出信号、し
きい値処理後の信号、ディスプレイへの表示例をそれぞ
れ示す説明図である。
【図８】本発明の第１実施形態における、検出信号、異
物サイズと異物発生数、異物の２次元分布の表示例をそ
れぞれ示す説明図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る、プラズマ中浮遊
異物計測装置をもつエッチング処理装置の構成を示す説
明図である。
【図１０】本発明の第２実施形態における、異物散乱光
検出のための光学系の説明図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る、プラズマ中浮
遊異物計測装置をもつエッチング処理装置の構成を示す
説明図である。
【図１２】本発明の第３実施形態における、異物散乱光
検出のための光学系の説明図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る、プラズマ中浮
遊異物計測装置をもつエッチング処理装置の構成を示す
説明図である。
【図１４】本発明の第４実施形態における、異物散乱光
検出のための光学系の説明図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に係る、プラズマ中浮
遊異物計測装置付きエッチング処理装置を導入した、半
導体製造ラインのホトリソグラフィ工程を、処理の流れ
に沿って模式的に示した説明図である。
【図１６】平行平板型プラズマエッチング装置を示す説
明図である。
【符号の説明】
１、２ エッチング処理装置 ５ 処理室 １０、１１ 観測用窓 ２０００、２００１、２００２、２００３ レーザ照明
光学系 ２１ レーザ源 ２２ ＡＯ変調器 ２３ 発振器 ２４ 偏光ビームスプリッタ ２５ ガルバノミラー ２６ １／４波長板 ２７ スリット付き１／２波長板 ２８ 直線偏光板 ２９ ガルバノドライバ ３０００、３００１、３００２、３００３ 散乱光検出
光学系 ３１ 結像レンズ ３３ バンドルファイバ ３４ 分光器 ３５ 光電変換素子 ３６ 空間フィルタ ４０ 干渉フィルタ ４１ ＣＣＤカメラ ４２ ビームスプリッタ ５０ アンプ ５１ ロックインアンプ ６０００ 信号処理系 ６１ 計算機 ６４ａ、６４ｂ、６４ｃ 異物信号 Ｗ ウェハ ７１ プラズマ ７２ 浮遊異物 ８１ 上部電極 ８２ 下部電極 ８３ シグナルジェネレータ ８４ パワーアンプ ８５ 分配器 １００１ 膜付け装置 １００２ 膜厚測定装置 １００３ レジスト膜塗布装置 １００４ 露光装置 １００５ 現像装置 １００６ エッチング装置 １００７ アッシング装置 １００８ 洗浄装置 １１００ プラズマ中浮遊異物計測装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芹澤 正芳 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 笹澤 秀明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 4M106 AA20 BA05 BA06 CA41 CA42 CA43 DB01 DB03 DB04 DB08 DB21 DJ17 DJ20 DJ24 5F004 AA16 BA04 BD01 CB09

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理室内の被処理体に所望の薄膜生成ま
    たは加工処理を施す際に、所望の偏光でかつ所望の周波
    数で強度変調した所望の波長のレーザ光を、観測用窓を
    通して上記処理室内に照射し、上記処理室内の異物によ
    って散乱された後方散乱光を上記同一の観察窓を通して
    上記波長成分のみを波長分離して受光して、受光信号の
    中から上記周波数成分を検出し、この検出信号によっ
    て、少なくとも異物の個数、大きさを判定するようにし
    たことを特徴とする回路基板製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載において、 上記処理室内の異物によって散乱された上記後方散乱光
    を上記同一の観察窓を通して上記波長成分のみを波長分
    離して受光および撮像して、受光信号の中から上記周波
    数成分を検出し、この検出信号と上記撮像した画像とに
    よって、異物の個数、大きさ、分布を判定するようにし
    たことを特徴とする回路基板製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載において、 上記観測用窓は、無反射処理されあるいは所望の傾斜が
    設けられていることを特徴とする回路基板製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項３記載において、 上記所望の偏光はＰ偏光であり、上記観測用窓の上記し
    た傾斜は、Ｐ偏光である入射ビームに対してブリュース
    ター角をなす傾斜であることを特徴とする回路基板製造
    方法。
  5. 【請求項５】 請求項３記載において、 上記観測用窓を通して上記処理室内に照射する照射ビー
    ムを、水平方向に回転走査するようにして、異物の２次
    元分布を判定するようにしたことを特徴とする回路基板
    製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載において、 上記観測用窓は、上記照射ビームの回転走査に際し、照
    射ビームに対し常に同一傾斜となるように湾曲した形状
    に形成されたことを特徴とする回路基板製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６の何れか１つに記載にお
    いて、 上記所望の周波数は、上記薄膜生成または加工処理に使
    用される励起源の周波数およびその整数倍とは、異なる
    周波数であることを特徴とする回路基板製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載において、 上記薄膜生成または加工処理はプラズマを用いた処理で
    あって、上記した異物散乱光を、プラズマ発光から波長
    並びに周波数の２つの領域で分離して検出することを特
    徴とする回路基板製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項１記載において、 上記光の偏光は、直線偏光あるいは任意の偏光であるこ
    とを特徴とする回路基板製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れか１つに記載に
    おいて、 上記異物による上記処理室内の汚染状況をモニタしなが
    ら、処理装置の制御を行いつつ、処理を進めることを特
    徴とする回路基板製造方法。
  11. 【請求項１１】 被処理体に所望の薄膜生成または加工
    処理を施すための処理室内に、所望の偏光でかつ所望の
    周波数で強度変調した光を照射するための照射手段と、 この照射手段からの光を上記処理室内に導くための、上
    記処理室側面に設けられた観察窓と、 この観測用窓からの反射光を実質的になくす手段もしく
    は低減する手段もしくは遮光する手段と、 上記処理室内の異物によって散乱された後方散乱光を、
    上記同一の観察窓を通して上記所望の波長成分のみを波
    長分離して受光する手段を含む、散乱光検出手段と、 この散乱光検出手段による受光信号の中から、上記所望
    の周波数成分を検出し、検出信号から、少なくとも異物
    の個数、大きさを判定する信号処理手段と、 この信号処理手段から得られた情報を表示する表示手段
    とを、備えたことを特徴とする回路基板製造装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載において、 上記散乱光検出手段には、上記処理室内の異物によって
    散乱された上記後方散乱光を、上記同一の観察窓を通し
    て撮像する撮像手段が含まれ、 この撮像手段で撮像した画像と、上記した周波数成分の
    検出信号とから、上記信号処理手段は、異物の個数、大
    きさ、分布を判定することを特徴と回路基板製造装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１１または１２記載において、 上記観測用窓は、無反射処理されかつ所望の傾斜が設け
    られていることを特徴とする回路基板製造装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載において、 上記所望の偏光はＰ偏光であり、上記観測用窓の上記し
    た傾斜は、Ｐ偏光である入射ビームに対してブリュース
    ター角をなす傾斜であることを特徴とする回路基板製造
    装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１１記載において、 上記照射手段には、上記観測用窓を通して上記処理室内
    に照射する照射ビームを、水平方向に回転走査する手段
    が含まれ、 上記信号処理手段は、異物の２次元分布を判定可能とす
    ることを特徴とする回路基板製造装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載において、 上記観測用窓は、上記照射ビームの回転走査に際し、照
    射ビームに対し常に同一傾斜となるように湾曲した形状
    に形成されたことを特徴とする回路基板製造装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１３乃至１６の記載において、 上記照射手段と上記散乱光検出手段の主要光学系は１つ
    の可動体としてユニット化され、この１つの可動ユニッ
    トは、上記観測用窓の上記した傾斜と平行に、斜めに上
    下動可能とされたことを特徴とする回路基板製造装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１１乃至１７の記載において、 上記所望の周波数は、上記薄膜生成または加工処理に使
    用される励起源の周波数およびその整数倍とは、異なる
    周波数であることを特徴とする回路基板製造装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載において、 上記薄膜生成または加工処理はプラズマを用いた処理で
    あって、上記した異物散乱光を、プラズマ発光から波長
    並びに周波数の２つの領域で分離して検出することを特
    徴とする回路基板製造方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１１記載において、 上記光の偏光は、直線偏光あるいは円偏光であることを
    特徴とする回路基板製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１１乃至２０の何れか１つに記
    載において、 上記信号処理手段は、上記異物による上記処理室内の汚
    染状況を判断する汚染状況判定手段を含み、この汚染状
    況判定手段の出力を処理装置の制御に反映させて、処理
    を進めることを特徴とする回路基板製造方法。
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