JP2000207712A - 磁気抵抗効果センサ及び該センサを備えた磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果センサ及び該センサを備えた磁気ヘッドの製造方法Info
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 5
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 135
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 218
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/123—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys having a L10 crystallographic structure, e.g. [Co,Fe][Pt,Pd] thin films
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反強磁性層の膜厚を厚くすることなく交換結
合エネルギを大きくすることのできるＭＲセンサの製造
方法及びこのＭＲセンサを備えた磁気ヘッドの製造方法
を提供する。 【解決手段】 規則系の反強磁性層と強磁性層との交換
結合によるバイアス磁界を利用したＭＲセンサの製造方
法であって、反強磁性層を所望の膜厚より厚くなるよう
に形成し、形成した反強磁性層を規則化熱処理し、その
後、反強磁性層を所望の膜厚となるように薄膜化加工す
る。
合エネルギを大きくすることのできるＭＲセンサの製造
方法及びこのＭＲセンサを備えた磁気ヘッドの製造方法
を提供する。 【解決手段】 規則系の反強磁性層と強磁性層との交換
結合によるバイアス磁界を利用したＭＲセンサの製造方
法であって、反強磁性層を所望の膜厚より厚くなるよう
に形成し、形成した反強磁性層を規則化熱処理し、その
後、反強磁性層を所望の膜厚となるように薄膜化加工す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、巨大磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）を利用した磁気抵抗効果（ＭＲ）センサの製
造方法、及びこのＭＲセンサを備えており例えばハード
ディスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録再生装置に用いら
れる磁気ヘッドの製造方法に関する。
（ＧＭＲ）を利用した磁気抵抗効果（ＭＲ）センサの製
造方法、及びこのＭＲセンサを備えており例えばハード
ディスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録再生装置に用いら
れる磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＨＤＤの高密度化に伴って高感度
及び高出力の磁気ヘッドが要求されており、このような
要求に答えるものとして、ＧＭＲを呈するセンサの１つ
であるスピンバルブを利用したＭＲセンサを備えた薄膜
磁気ヘッドが提案されている。スピンバルブは、２つの
強磁性層を非磁性金属層で磁気的に分離してサンドイッ
チ構造とし、その一方の強磁性層に反強磁性層を積層す
ることによってその界面で生じる交換バイアス磁界をこ
の一方の強磁性層（ピンド（ｐｉｎｎｅｄ）層）に印加
するようにしたものである。交換バイアス磁界を受ける
ピンド層と受けない他方の強磁性層（フリー（ｆｒｅ
ｅ）層）とでは磁化反転する磁界が異なるので、非磁性
金属層を挟むこれら２つの強磁性層の磁化の向きが平
行、反平行と変化し、これにより電気抵抗率が大きく変
化するのでＧＭＲが得られる。
及び高出力の磁気ヘッドが要求されており、このような
要求に答えるものとして、ＧＭＲを呈するセンサの１つ
であるスピンバルブを利用したＭＲセンサを備えた薄膜
磁気ヘッドが提案されている。スピンバルブは、２つの
強磁性層を非磁性金属層で磁気的に分離してサンドイッ
チ構造とし、その一方の強磁性層に反強磁性層を積層す
ることによってその界面で生じる交換バイアス磁界をこ
の一方の強磁性層（ピンド（ｐｉｎｎｅｄ）層）に印加
するようにしたものである。交換バイアス磁界を受ける
ピンド層と受けない他方の強磁性層（フリー（ｆｒｅ
ｅ）層）とでは磁化反転する磁界が異なるので、非磁性
金属層を挟むこれら２つの強磁性層の磁化の向きが平
行、反平行と変化し、これにより電気抵抗率が大きく変
化するのでＧＭＲが得られる。
【０００３】スピンバルブＭＲセンサの出力特性等は、
非磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性層（ピンド層及
びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリー
層の磁化方向は磁気記録媒体からの漏洩磁界の方向に容
易に向く。一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性層との
交換結合により一方向（ピンニングされる方向、ピンド
方向）に制御される。
非磁性金属層を挟むこれら２つの強磁性層（ピンド層及
びフリー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリー
層の磁化方向は磁気記録媒体からの漏洩磁界の方向に容
易に向く。一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性層との
交換結合により一方向（ピンニングされる方向、ピンド
方向）に制御される。
【０００４】規則系の反強磁性材料を用いた反強磁性層
とピンド層との間に交換結合を持たせるために、成膜後
に磁界中での規則化熱処理を行い、Ａｕ−Ｉ型の結晶構
造にする必要がある。
とピンド層との間に交換結合を持たせるために、成膜後
に磁界中での規則化熱処理を行い、Ａｕ−Ｉ型の結晶構
造にする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような規則系の反
強磁性層を用いたスピンバルブＭＲセンサにおいて、反
強磁性層の膜厚が薄いほうがＭＲセンサの出力特性が向
上する。即ち、スピンバルブＭＲセンサでは、センス電
流を流す導電層に対して、反強磁性層及び強磁性層が電
気的に並列に接続されるので、抵抗変化を大きくするに
は、反強磁性層及び強磁性層の膜厚を小さくして、抵抗
値を増大させ、センス電流に対する反強磁性層及び強磁
性層の分流作用を低下させなければならない。反強磁性
層は、強磁性層よりも、かなり大きな膜厚として形成さ
れるので、分流作用を低下させるには、反強磁性層の膜
厚を低下させるのが効果的である。また、近年のＨＤＤ
の高密度化に伴って磁気ヘッドの狭ギャップ化が要求さ
れており、そのためには反強磁性層自体も薄膜化する必
要がある。
強磁性層を用いたスピンバルブＭＲセンサにおいて、反
強磁性層の膜厚が薄いほうがＭＲセンサの出力特性が向
上する。即ち、スピンバルブＭＲセンサでは、センス電
流を流す導電層に対して、反強磁性層及び強磁性層が電
気的に並列に接続されるので、抵抗変化を大きくするに
は、反強磁性層及び強磁性層の膜厚を小さくして、抵抗
値を増大させ、センス電流に対する反強磁性層及び強磁
性層の分流作用を低下させなければならない。反強磁性
層は、強磁性層よりも、かなり大きな膜厚として形成さ
れるので、分流作用を低下させるには、反強磁性層の膜
厚を低下させるのが効果的である。また、近年のＨＤＤ
の高密度化に伴って磁気ヘッドの狭ギャップ化が要求さ
れており、そのためには反強磁性層自体も薄膜化する必
要がある。
【０００６】一方、強磁性層は、強磁性層と反強磁性層
との間の交換結合により、強磁性層を一方向に磁化する
構造を有する。この場合、交換結合のエネルギは、反強
磁性層の膜厚が厚い程、大きくなる。このような観点か
ら、従来は、反強磁性層の膜厚を２５ｎｍ以上という比
較的大きな値に設定してあった。
との間の交換結合により、強磁性層を一方向に磁化する
構造を有する。この場合、交換結合のエネルギは、反強
磁性層の膜厚が厚い程、大きくなる。このような観点か
ら、従来は、反強磁性層の膜厚を２５ｎｍ以上という比
較的大きな値に設定してあった。
【０００７】なお、反強磁性層の膜厚が５ｎｍよりも小
さくなると、センサのＭＲ変化率が急激に小さくなり、
それにつれて、抵抗変化も急激に小さくなる。逆に、反
強磁性層の膜厚が２５ｎｍを越えると、スピンバルブＭ
ＲセンサのＭＲ変化率、及び、シート抵抗値が従来より
も小さくなり、スピンバルブＭＲセンサとしての抵抗変
化が、ＭＲ変化率の低下及びシート抵抗値の低下の影響
をうけて、小さくなる。
さくなると、センサのＭＲ変化率が急激に小さくなり、
それにつれて、抵抗変化も急激に小さくなる。逆に、反
強磁性層の膜厚が２５ｎｍを越えると、スピンバルブＭ
ＲセンサのＭＲ変化率、及び、シート抵抗値が従来より
も小さくなり、スピンバルブＭＲセンサとしての抵抗変
化が、ＭＲ変化率の低下及びシート抵抗値の低下の影響
をうけて、小さくなる。
【０００８】このように、スピンバルブＭＲセンサにお
いて、センス電流に対する分流作用の低下と、交換結合
エネルギ増大とは、反強磁性層の膜厚に関して、互いに
相反する関係にある。これらの２つの技術的事項は、ス
ピンバルブＭＲセンサにおける基本的な要求事項である
ので、一方の技術事項を満たすために、他方が犠牲にな
ってはならない。
いて、センス電流に対する分流作用の低下と、交換結合
エネルギ増大とは、反強磁性層の膜厚に関して、互いに
相反する関係にある。これらの２つの技術的事項は、ス
ピンバルブＭＲセンサにおける基本的な要求事項である
ので、一方の技術事項を満たすために、他方が犠牲にな
ってはならない。
【０００９】本発明の目的は、反強磁性層の膜厚を厚く
することなく交換結合エネルギを大きくすることのでき
るＭＲセンサの製造方法及びこのＭＲセンサを備えた磁
気ヘッドの製造方法を提供することにある。
することなく交換結合エネルギを大きくすることのでき
るＭＲセンサの製造方法及びこのＭＲセンサを備えた磁
気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、規則系
の反強磁性層と強磁性層との交換結合によるバイアス磁
界を利用したＭＲセンサの製造方法であって、反強磁性
層を所望の膜厚より厚くなるように形成し、形成した反
強磁性層を規則化熱処理し、その後、反強磁性層を所望
の膜厚となるように薄膜化加工するＭＲセンサの製造方
法及び磁気情報の再生用としてこのＭＲセンサを備えた
磁気ヘッドの製造方法が提供される。
の反強磁性層と強磁性層との交換結合によるバイアス磁
界を利用したＭＲセンサの製造方法であって、反強磁性
層を所望の膜厚より厚くなるように形成し、形成した反
強磁性層を規則化熱処理し、その後、反強磁性層を所望
の膜厚となるように薄膜化加工するＭＲセンサの製造方
法及び磁気情報の再生用としてこのＭＲセンサを備えた
磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１１】反強磁性層を規則化熱処理した後に、所望
の膜厚となるように薄膜化加工することにより、同じ膜
厚の反強磁性層を最初から形成した場合に比して、交換
結合エネルギを大きくすることができる。従って、反強
磁性層によるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の
値に保つことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつ
つ、強磁性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを
大きくすることができる。
の膜厚となるように薄膜化加工することにより、同じ膜
厚の反強磁性層を最初から形成した場合に比して、交換
結合エネルギを大きくすることができる。従って、反強
磁性層によるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の
値に保つことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつ
つ、強磁性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを
大きくすることができる。
【００１２】なお、特開平９−６９２１０号公報には、
磁区制御用の反強磁性層を磁気的に不活性な膜厚までエ
ッチングする点が記載されているが、これは、反強磁性
層をイオンミリングにより薄くしてＭＲ層との磁気的交
換結合を破壊することによりその反強磁性層をＭＲ層の
保護層として働かせるものであり、本発明とは正反対に
異なる技術を開示するものである。
磁区制御用の反強磁性層を磁気的に不活性な膜厚までエ
ッチングする点が記載されているが、これは、反強磁性
層をイオンミリングにより薄くしてＭＲ層との磁気的交
換結合を破壊することによりその反強磁性層をＭＲ層の
保護層として働かせるものであり、本発明とは正反対に
異なる技術を開示するものである。
【００１３】本発明における薄膜化加工は、反強磁性層
を加工前より５ｎｍ以上薄くなるように加工するもので
あることが好ましい。
を加工前より５ｎｍ以上薄くなるように加工するもので
あることが好ましい。
【００１４】反強磁性層として、ＣｕＡｕ−Ｉ型の規則
結晶構造を有するＭｎ含有化合物を用いることが好まし
い。この場合、規則化熱処理後の反強磁性層を、（１１
１）結晶配向面に沿って配向させることがより好まし
い。
結晶構造を有するＭｎ含有化合物を用いることが好まし
い。この場合、規則化熱処理後の反強磁性層を、（１１
１）結晶配向面に沿って配向させることがより好まし
い。
【００１５】反強磁性層として、ＰｔＭｎを用いるこ
と、又は反強磁性層として、ＰｔＭｎを少なくとも８０
ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ
及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として
用いた合金を用いることが好ましい。この場合、Ｍｎの
含有量が４０〜６０ａｔ％のＰｔＭｎを用いることがよ
り好ましい。
と、又は反強磁性層として、ＰｔＭｎを少なくとも８０
ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ
及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として
用いた合金を用いることが好ましい。この場合、Ｍｎの
含有量が４０〜６０ａｔ％のＰｔＭｎを用いることがよ
り好ましい。
【００１６】反強磁性層として、ＮｉＭｎを用いるこ
と、又は反強磁性層として、ＮｉＭｎを少なくとも８０
ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加
物として用いた合金を用いることが好ましい。この場
合、Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＮｉＭｎを用い
ることがより好ましい。
と、又は反強磁性層として、ＮｉＭｎを少なくとも８０
ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添加
物として用いた合金を用いることが好ましい。この場
合、Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＮｉＭｎを用い
ることがより好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態とし
て、本発明の製造方法を用いて形成した薄膜磁気ヘッド
の主要部の構成を概略的に示す断面図であり、図２はそ
のＭＲセンサ部分の層構成を示す、浮上面（ＡＢＳ）方
向から見た断面図である。本実施形態の磁気ヘッドは、
ＭＲセンサで構成された読出しヘッド部とインダクティ
ブ磁気変換素子で形成された書込みヘッド部とを備えた
複合型薄膜磁気ヘッドである。
て、本発明の製造方法を用いて形成した薄膜磁気ヘッド
の主要部の構成を概略的に示す断面図であり、図２はそ
のＭＲセンサ部分の層構成を示す、浮上面（ＡＢＳ）方
向から見た断面図である。本実施形態の磁気ヘッドは、
ＭＲセンサで構成された読出しヘッド部とインダクティ
ブ磁気変換素子で形成された書込みヘッド部とを備えた
複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１８】図１において、１０はスライダの主要部を
構成する基板、１１は基板１０上に図示しない下地膜を
介して形成されている下部シールド層、１２は書込みヘ
ッド部の下部磁性層をも兼用する上部シールド層、１３
は絶縁層１４及び１５を介して下部シールド層１１及び
上部シールド層１２間に、ＡＢＳ１０ａに沿って伸長す
るように形成されたスピンバルブＭＲ層、１６は上部磁
性層、１７は有機樹脂で構成された絶縁層１８に取り囲
まれているコイル導電層、１９はギャップ層、２０は保
護層をそれぞれ示している。
構成する基板、１１は基板１０上に図示しない下地膜を
介して形成されている下部シールド層、１２は書込みヘ
ッド部の下部磁性層をも兼用する上部シールド層、１３
は絶縁層１４及び１５を介して下部シールド層１１及び
上部シールド層１２間に、ＡＢＳ１０ａに沿って伸長す
るように形成されたスピンバルブＭＲ層、１６は上部磁
性層、１７は有機樹脂で構成された絶縁層１８に取り囲
まれているコイル導電層、１９はギャップ層、２０は保
護層をそれぞれ示している。
【００１９】下部磁性層１２及び上部磁性層１６の先端
部は微小厚みのギャップ層１９を隔てて対向するポール
部１２ａ及び１６ａを構成しており、これらポール部１
２ａ及び１６ａにおいて書き込みが行われる。ヨーク部
を構成する下部磁性層１２及び上部磁性層１６のポール
部１２ａ及び１６ａとは反対側はバックギャップ部であ
り、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
コイル導電層１７は、絶縁層１８上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状に回るように形成されている。
部は微小厚みのギャップ層１９を隔てて対向するポール
部１２ａ及び１６ａを構成しており、これらポール部１
２ａ及び１６ａにおいて書き込みが行われる。ヨーク部
を構成する下部磁性層１２及び上部磁性層１６のポール
部１２ａ及び１６ａとは反対側はバックギャップ部であ
り、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
コイル導電層１７は、絶縁層１８上に、ヨーク部の結合
部のまわりを渦巻状に回るように形成されている。
【００２０】図２に示すように、スピンバルブＭＲセン
サ１３は、第１の強磁性層（フリー層）１３０を構成す
る軟磁性層１３０ａ及び１３０ｂと、非磁性導電層１３
１と、第２の強磁性層（ピンド層）１３２と、反強磁性
層１３３とを順次積層した構成となっている。
サ１３は、第１の強磁性層（フリー層）１３０を構成す
る軟磁性層１３０ａ及び１３０ｂと、非磁性導電層１３
１と、第２の強磁性層（ピンド層）１３２と、反強磁性
層１３３とを順次積層した構成となっている。
【００２１】本実施形態において、第１の強磁性層１３
０は、軟磁性層１３０ａ及び１３０ｂとを積層した２層
構造となっているが、このような２層構造の他に、単層
構造又は２層以上の多層構造を採用することもできる。
磁性層１３０ａとしては、例えば膜厚が約７ｎｍのＮｉ
Ｆｅ膜を用いることができ、磁性層１３０ｂとしては、
例えば、膜厚が約１ｎｍのＣｏ膜を用いることができ
る。
０は、軟磁性層１３０ａ及び１３０ｂとを積層した２層
構造となっているが、このような２層構造の他に、単層
構造又は２層以上の多層構造を採用することもできる。
磁性層１３０ａとしては、例えば膜厚が約７ｎｍのＮｉ
Ｆｅ膜を用いることができ、磁性層１３０ｂとしては、
例えば、膜厚が約１ｎｍのＣｏ膜を用いることができ
る。
【００２２】非磁性導電層１３１は、一方の面が軟磁性
層１３０ｂの一方の面に接している。この導電層１３１
は、例えば、膜厚が約３ｎｍのＣｕ膜によって構成され
る。
層１３０ｂの一方の面に接している。この導電層１３１
は、例えば、膜厚が約３ｎｍのＣｕ膜によって構成され
る。
【００２３】第２の強磁性層１３２は、一方の面が導電
層１３１の他方の面に接している。この強磁性層１３２
は、例えば、膜厚が約２ｎｍのＣｏ膜等によって構成さ
れる。
層１３１の他方の面に接している。この強磁性層１３２
は、例えば、膜厚が約２ｎｍのＣｏ膜等によって構成さ
れる。
【００２４】反強磁性層１３３は、規則系の反強磁性材
料であるＭｎ含有化合物からなる。Ｍｎ含有化合物は、
ＣｕＡｕ−Ｉ型の結晶構造を持ち、（１１１）結晶配向
面に沿って配向され、層厚が約５ｎｍ以上である。第２
の強磁性層１３２は、反強磁性層１３３と交換結合して
おり、この交換結合により一方向に固定磁化されてい
る。
料であるＭｎ含有化合物からなる。Ｍｎ含有化合物は、
ＣｕＡｕ−Ｉ型の結晶構造を持ち、（１１１）結晶配向
面に沿って配向され、層厚が約５ｎｍ以上である。第２
の強磁性層１３２は、反強磁性層１３３と交換結合して
おり、この交換結合により一方向に固定磁化されてい
る。
【００２５】図２には示されていないが、軟磁性層１３
０ａの下側には下地膜が備えられており、反強磁性層１
３３の上側には保護膜が備えられている。また、スピン
バルブ積層構造体の両側面には、第１の強磁性層１３０
に縦方向磁気バイアスを加える磁区制御層が備えられて
いる。磁区制御層は永久磁石層であってもよいし、反強
磁性層によって構成し、この反強磁性層と第１の強磁性
層１３０との間で交換結合を生じさせてもよい。さら
に、磁区制御層上には、リード導体層がそれぞれ積層さ
れている。これらリード導体層は、スピンバルブ積層構
造体の非磁性導電層１３１にセンス電流を流すために備
えられている。
０ａの下側には下地膜が備えられており、反強磁性層１
３３の上側には保護膜が備えられている。また、スピン
バルブ積層構造体の両側面には、第１の強磁性層１３０
に縦方向磁気バイアスを加える磁区制御層が備えられて
いる。磁区制御層は永久磁石層であってもよいし、反強
磁性層によって構成し、この反強磁性層と第１の強磁性
層１３０との間で交換結合を生じさせてもよい。さら
に、磁区制御層上には、リード導体層がそれぞれ積層さ
れている。これらリード導体層は、スピンバルブ積層構
造体の非磁性導電層１３１にセンス電流を流すために備
えられている。
【００２６】次に、本実施形態の製造方法について説明
する。まず、図３（Ａ）に示すように、基板上に第１の
強磁性層１３０を構成する軟磁性層１３０ａ及び１３０
ｂと、非磁性導電層１３１と、第２の強磁性層１３２
と、反強磁性層１３３′とを順次積層する。ただし、反
強磁性層１３３′は、所望の膜厚より厚くなるように形
成されている。
する。まず、図３（Ａ）に示すように、基板上に第１の
強磁性層１３０を構成する軟磁性層１３０ａ及び１３０
ｂと、非磁性導電層１３１と、第２の強磁性層１３２
と、反強磁性層１３３′とを順次積層する。ただし、反
強磁性層１３３′は、所望の膜厚より厚くなるように形
成されている。
【００２７】因みに、本実施形態では、磁性層１３０ａ
は膜厚が約７ｎｍのＮｉＦｅ、磁性層１３０ｂは膜厚が
約１ｎｍのＣｏ、非磁性導電層１３１は膜厚が約３ｎｍ
のＣｕ、第２の強磁性層１３２は膜厚が約２ｎｍのＣ
ｏ、反強磁性層１３３′は膜厚が約３００〜１００ｎｍ
のＭｎ含有化合物で形成される。
は膜厚が約７ｎｍのＮｉＦｅ、磁性層１３０ｂは膜厚が
約１ｎｍのＣｏ、非磁性導電層１３１は膜厚が約３ｎｍ
のＣｕ、第２の強磁性層１３２は膜厚が約２ｎｍのＣ
ｏ、反強磁性層１３３′は膜厚が約３００〜１００ｎｍ
のＭｎ含有化合物で形成される。
【００２８】次いで、図３（Ｂ）に示すように、形成し
た反強磁性層１３３′を規則化熱処理する。この規則化
熱処理は、３ｋＯｅの磁界中で２５０℃の温度を１０時
間保持した後、８０℃まで２２℃／時間で降温すること
によって行われる。
た反強磁性層１３３′を規則化熱処理する。この規則化
熱処理は、３ｋＯｅの磁界中で２５０℃の温度を１０時
間保持した後、８０℃まで２２℃／時間で降温すること
によって行われる。
【００２９】その後、反強磁性層１３３′を例えば逆ス
パッタリング、ミリング又はＲＩＥ（反応性イオンエッ
チング）等のドライエッチングによって薄膜化加工する
ことにより、図３（Ｃ）に示すように、所望の膜厚の反
強磁性層１３３を得た。
パッタリング、ミリング又はＲＩＥ（反応性イオンエッ
チング）等のドライエッチングによって薄膜化加工する
ことにより、図３（Ｃ）に示すように、所望の膜厚の反
強磁性層１３３を得た。
【００３０】このように、反強磁性層１３３′を規則化
熱処理した後に、所望の膜厚となるように薄膜化加工す
ることにより、同じ膜厚の反強磁性層を最初から形成し
た場合に比して、交換結合エネルギを大きくすることが
できる。従って、反強磁性層によるセンス電流の分流作
用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセンサとして
の出力特性を維持しつつ、強磁性層及び反強磁性層の間
の交換結合エネルギを大きくすることができる。
熱処理した後に、所望の膜厚となるように薄膜化加工す
ることにより、同じ膜厚の反強磁性層を最初から形成し
た場合に比して、交換結合エネルギを大きくすることが
できる。従って、反強磁性層によるセンス電流の分流作
用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセンサとして
の出力特性を維持しつつ、強磁性層及び反強磁性層の間
の交換結合エネルギを大きくすることができる。
【００３１】
【実施例】以下、反強磁性層の材料の異なる種々のスピ
ンバルブＭＲセンサについて、反強磁性層の最終的な膜
厚は同じであるが成膜時の膜厚を変えた場合の（即ち薄
膜化加工量が異なる）サンプルを作成し、交換結合磁界
Ｈｕａを測定した結果を説明する。
ンバルブＭＲセンサについて、反強磁性層の最終的な膜
厚は同じであるが成膜時の膜厚を変えた場合の（即ち薄
膜化加工量が異なる）サンプルを作成し、交換結合磁界
Ｈｕａを測定した結果を説明する。
【００３２】各サンプルは、基板としてアルミナ膜付き
のＡｌＴｉＣを使用し、その上に、Ｔａ（５ｎｍ）／Ｎ
ｉＦｅ（７ｎｍ）／Ｃｏ（１ｎｍ）／Ｃｕ（３ｎｍ）／
Ｃｏ（２ｎｍ）／反強磁性層を順次積層して成膜し、規
則化熱処理した後に、反強磁性層が所望の膜厚となるよ
うに薄膜化加工し、その後、Ｔａ膜を５ｎｍ成膜してい
る。なお、薄膜化加工しないものは、反強磁性層を最初
から所望の膜厚に成膜してＴａ膜を５ｎｍ成膜した後、
規則化熱処理した。
のＡｌＴｉＣを使用し、その上に、Ｔａ（５ｎｍ）／Ｎ
ｉＦｅ（７ｎｍ）／Ｃｏ（１ｎｍ）／Ｃｕ（３ｎｍ）／
Ｃｏ（２ｎｍ）／反強磁性層を順次積層して成膜し、規
則化熱処理した後に、反強磁性層が所望の膜厚となるよ
うに薄膜化加工し、その後、Ｔａ膜を５ｎｍ成膜してい
る。なお、薄膜化加工しないものは、反強磁性層を最初
から所望の膜厚に成膜してＴａ膜を５ｎｍ成膜した後、
規則化熱処理した。
【００３３】図４は、反強磁性層としてＰｔＭｎを用い
た場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚
を表１に示す。ただし、この例における反強磁性層の最
終的な膜厚（所望の膜厚）は３０ｎｍである。ＰｔＭｎ
の組成は、Ｐｔ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
た場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚
を表１に示す。ただし、この例における反強磁性層の最
終的な膜厚（所望の膜厚）は３０ｎｍである。ＰｔＭｎ
の組成は、Ｐｔ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００３４】
【表１】
【００３５】図５は、反強磁性層としてＮｉＭｎを用い
た場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚
を表２に示す。ただし、この例における反強磁性層の最
終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＮｉＭｎ
の組成は、Ｎｉ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
た場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚
を表２に示す。ただし、この例における反強磁性層の最
終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。ＮｉＭｎ
の組成は、Ｎｉ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００３６】
【表２】
【００３７】図６は、反強磁性層としてＰｔＭｎを用い
た場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚
を表３に示す。ただし、この例における反強磁性層の最
終的な膜厚（所望の膜厚）は５ｎｍである。ＰｔＭｎの
組成は、Ｐｔ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
た場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の膜厚
を表３に示す。ただし、この例における反強磁性層の最
終的な膜厚（所望の膜厚）は５ｎｍである。ＰｔＭｎの
組成は、Ｐｔ５０ａｔ％、Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００３８】
【表３】
【００３９】図７は、反強磁性層としてＰｔＰｄＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表４に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は２０ｎｍである。Ｐｔ
ＰｄＭｎの組成は、Ｐｔ４５ａｔ％、Ｐｄ５ａｔ％、Ｍ
ｎ５０ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表４に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は２０ｎｍである。Ｐｔ
ＰｄＭｎの組成は、Ｐｔ４５ａｔ％、Ｐｄ５ａｔ％、Ｍ
ｎ５０ａｔ％である。
【００４０】
【表４】
【００４１】図８は、反強磁性層としてＰｔＲｕＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表５に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は３５ｎｍである。Ｐｔ
ＲｕＭｎの組成は、Ｐｔ４６ａｔ％、Ｒｕ５ａｔ％、Ｍ
ｎ４９ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表５に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は３５ｎｍである。Ｐｔ
ＲｕＭｎの組成は、Ｐｔ４６ａｔ％、Ｒｕ５ａｔ％、Ｍ
ｎ４９ａｔ％である。
【００４２】
【表５】
【００４３】図９は、反強磁性層としてＰｔＲｈＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表６に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｐｔ
ＲｈＭｎの組成は、Ｐｔ４５ａｔ％、Ｒｈ７ａｔ％、Ｍ
ｎ４８ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表６に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｐｔ
ＲｈＭｎの組成は、Ｐｔ４５ａｔ％、Ｒｈ７ａｔ％、Ｍ
ｎ４８ａｔ％である。
【００４４】
【表６】
【００４５】図１０は反強磁性層としてＰｔＡｕＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表７に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｐｔ
ＡｕＭｎの組成は、Ｐｔ４３ａｔ％、Ａｕ９ａｔ％、Ｍ
ｎ４８ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表７に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｐｔ
ＡｕＭｎの組成は、Ｐｔ４３ａｔ％、Ａｕ９ａｔ％、Ｍ
ｎ４８ａｔ％である。
【００４６】
【表７】
【００４７】図１１は反強磁性層としてＮｉＰｔＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表８に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎｉ
ＰｔＭｎの組成は、Ｎｉ４０ａｔ％、Ｐｔ１５ａｔ％、
Ｍｎ４５ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表８に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎｉ
ＰｔＭｎの組成は、Ｎｉ４０ａｔ％、Ｐｔ１５ａｔ％、
Ｍｎ４５ａｔ％である。
【００４８】
【表８】
【００４９】図１２は反強磁性層としてＮｉＡｇＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表９に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎｉ
ＡｇＭｎの組成は、Ｎｉ４５ａｔ％、Ａｇ５ａｔ％、Ｍ
ｎ５０ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表９に示す。ただし、この例における反強磁性層
の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎｉ
ＡｇＭｎの組成は、Ｎｉ４５ａｔ％、Ａｇ５ａｔ％、Ｍ
ｎ５０ａｔ％である。
【００５０】
【表９】
【００５１】図１３は反強磁性層としてＮｉＦｅＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表１０に示す。ただし、この例における反強磁性
層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎ
ｉＦｅＭｎの組成は、Ｎｉ４５ａｔ％、Ｆｅ５ａｔ％、
Ｍｎ５０ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表１０に示す。ただし、この例における反強磁性
層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎ
ｉＦｅＭｎの組成は、Ｎｉ４５ａｔ％、Ｆｅ５ａｔ％、
Ｍｎ５０ａｔ％である。
【００５２】
【表１０】
【００５３】図１４は反強磁性層としてＰｔＣｒＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表１１に示す。ただし、この例における反強磁性
層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｐ
ｔＣｒＭｎの組成は、Ｐｔ４３ａｔ％、Ｃｒ９ａｔ％、
Ｍｎ４８ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表１１に示す。ただし、この例における反強磁性
層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｐ
ｔＣｒＭｎの組成は、Ｐｔ４３ａｔ％、Ｃｒ９ａｔ％、
Ｍｎ４８ａｔ％である。
【００５４】
【表１１】
【００５５】図１５は反強磁性層としてＮｉＲｕＭｎを
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表１２に示す。ただし、この例における反強磁性
層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎ
ｉＲｕＭｎの組成は、Ｎｉ４３ａｔ％、Ｒｕ９ａｔ％、
Ｍｎ４８ａｔ％である。
用いた場合である。各サンプルの成膜時の反強磁性層の
膜厚を表１２に示す。ただし、この例における反強磁性
層の最終的な膜厚（所望の膜厚）は１５ｎｍである。Ｎ
ｉＲｕＭｎの組成は、Ｎｉ４３ａｔ％、Ｒｕ９ａｔ％、
Ｍｎ４８ａｔ％である。
【００５６】
【表１２】
【００５７】図４〜図１５から明らかのように、反強磁
性層の成膜時の膜厚が厚いほど、即ち、薄膜化加工量が
多いほど、最終的な膜厚は同じであっても交換結合磁界
Ｈｕａが大きくなっている。従って、最終的な膜厚を従
来と同じにすることにより反強磁性層によるセンス電流
の分流作用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセン
サとしての出力特性を維持しつつも、強磁性層及び反強
磁性層の間の交換結合エネルギを大きくすることができ
る。
性層の成膜時の膜厚が厚いほど、即ち、薄膜化加工量が
多いほど、最終的な膜厚は同じであっても交換結合磁界
Ｈｕａが大きくなっている。従って、最終的な膜厚を従
来と同じにすることにより反強磁性層によるセンス電流
の分流作用を従来と同等以上の値に保つことでＭＲセン
サとしての出力特性を維持しつつも、強磁性層及び反強
磁性層の間の交換結合エネルギを大きくすることができ
る。
【００５８】図４及び図８からも分かるように、薄膜化
加工量が５ｎｍ未満であると、薄膜化加工しないものよ
りも交換結合磁界Ｈｕａが小さくなってしまう。これ
は、反強磁性層の表面近傍が酸化によって反強磁性層と
しての機能を持たなくなってしまうため、この不感領域
を取り除くのに５ｎｍ以上の加工が必要となるからであ
る。従って、薄膜化加工は、反強磁性層を５ｎｍ以上薄
くなるように加工するものであることが好ましい。
加工量が５ｎｍ未満であると、薄膜化加工しないものよ
りも交換結合磁界Ｈｕａが小さくなってしまう。これ
は、反強磁性層の表面近傍が酸化によって反強磁性層と
しての機能を持たなくなってしまうため、この不感領域
を取り除くのに５ｎｍ以上の加工が必要となるからであ
る。従って、薄膜化加工は、反強磁性層を５ｎｍ以上薄
くなるように加工するものであることが好ましい。
【００５９】なお、反強磁性層として、ＣｕＡｕ−Ｉ型
の規則結晶構造を有し、規則化熱処理後に（１１１）結
晶配向面に沿って配向するＭｎ含有化合物を用いること
が好ましい。この場合、ＰｔＭｎを少なくとも８０ａｔ
％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及び
Ｃｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用い
た合金を用いることが好ましい。また、Ｍｎの含有量が
４０〜６０ａｔ％のＰｔＭｎを用いることがより好まし
い。この範囲をはずれると、一般に規則結晶構造を形成
できなくなり、反強磁性を示さなくなる。あるいは、反
強磁性層として、ＮｉＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上
含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及び
Ｃｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用い
た合金を用いることが好ましい。この場合、Ｍｎの含有
量が４０〜６０ａｔ％のＮｉＭｎを用いることがより好
ましい。この範囲をはずれると、一般に規則結晶構造を
形成できなくなり、反強磁性を示さなくなる。
の規則結晶構造を有し、規則化熱処理後に（１１１）結
晶配向面に沿って配向するＭｎ含有化合物を用いること
が好ましい。この場合、ＰｔＭｎを少なくとも８０ａｔ
％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及び
Ｃｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用い
た合金を用いることが好ましい。また、Ｍｎの含有量が
４０〜６０ａｔ％のＰｔＭｎを用いることがより好まし
い。この範囲をはずれると、一般に規則結晶構造を形成
できなくなり、反強磁性を示さなくなる。あるいは、反
強磁性層として、ＮｉＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上
含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及び
Ｃｒから選ばれた少なくとも１種類を添加物として用い
た合金を用いることが好ましい。この場合、Ｍｎの含有
量が４０〜６０ａｔ％のＮｉＭｎを用いることがより好
ましい。この範囲をはずれると、一般に規則結晶構造を
形成できなくなり、反強磁性を示さなくなる。
【００６０】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００６１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、反強磁性層を規則化熱処理した後に、所望の膜厚と
なるように薄膜化加工することにより、同じ膜厚の反強
磁性層を最初から形成した場合に比して、交換結合エネ
ルギを大きくすることができる。従って、反強磁性層に
よるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の値に保つ
ことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつつ、強磁
性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを大きくす
ることができる。
ば、反強磁性層を規則化熱処理した後に、所望の膜厚と
なるように薄膜化加工することにより、同じ膜厚の反強
磁性層を最初から形成した場合に比して、交換結合エネ
ルギを大きくすることができる。従って、反強磁性層に
よるセンス電流の分流作用を従来と同等以上の値に保つ
ことでＭＲセンサとしての出力特性を維持しつつ、強磁
性層及び反強磁性層の間の交換結合エネルギを大きくす
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態として、本発明の製造方法
を用いて形成した薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を概略
的に示す断面図である。
を用いて形成した薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を概略
的に示す断面図である。
【図２】図１のＭＲセンサ部分の層構成を示す、ＡＢＳ
方向から見た断面図である。
方向から見た断面図である。
【図３】図１の実施形態における製造方法を説明する図
である。
である。
【図４】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
【図５】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
【図６】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
【図７】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
【図８】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
【図９】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種々
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結果
を示す図である。
【図１０】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
【図１１】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
【図１２】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
【図１３】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
【図１４】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
【図１５】反強磁性層の成膜時の膜厚を変えた場合の種
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
々のサンプルについて交換結合磁界Ｈｕａを測定した結
果を示す図である。
１０ 基板 １１ 下部シールド層 １２ 上部シールド層 １２ａ、１６ａ ポール部 １３ スピンバルブＭＲ層 １４、１５、１８ 絶縁層 １６ 上部磁性層 １７ コイル導電層 １９ ギャップ層 ２０ 保護層 １３０ 第１の強磁性層 １３０ａ、１３０ｂ 軟磁性層 １３１ 非磁性導電層 １３２ 第２の強磁性層 １３３、１３３′ 反強磁性層
Claims (11)
- 【請求項１】 規則系の反強磁性層と強磁性層との交換
結合によるバイアス磁界を利用した磁気抵抗効果センサ
の製造方法であって、前記反強磁性層を所望の膜厚より
厚くなるように形成し、該形成した反強磁性層を規則化
熱処理し、その後、該反強磁性層を所望の膜厚となるよ
うに薄膜化加工することを特徴とする磁気抵抗効果セン
サの製造方法。 - 【請求項２】 前記薄膜化加工が、前記反強磁性層を加
工前より５ｎｍ以上薄くなるように加工するものである
ことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記反強磁性層として、ＣｕＡｕ−Ｉ型
の規則結晶構造を有するＭｎ含有化合物を用いることを
特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 規則化熱処理後の前記反強磁性層を、
（１１１）結晶配向面に沿って配向させることを特徴と
する請求項３に記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記反強磁性層として、ＰｔＭｎを用い
たことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記
載の製造方法。 - 【請求項６】 前記反強磁性層として、ＰｔＭｎを少な
くとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種類を添
加物として用いた合金を用いたことを特徴とする請求項
１から４のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項７】 Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＰｔ
Ｍｎを用いたことを特徴とする請求項５又は６に記載の
製造方法。 - 【請求項８】 前記反強磁性層として、ＮｉＭｎを用い
たことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記
載の製造方法。 - 【請求項９】 前記反強磁性層として、ＮｉＭｎを少な
くとも８０ａｔ％以上含み、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＣｒから選ばれた少なくとも１種
類を添加物として用いた合金を用いたことを特徴とする
請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項１０】 Ｍｎの含有量が４０〜６０ａｔ％のＮ
ｉＭｎを用いたことを特徴とする請求項８又は９に記載
の製造方法。 - 【請求項１１】 磁気情報の再生に用いる磁気抵抗効果
センサを、請求項１から１０のいずれか１項に記載の製
造方法によって形成することを特徴とする磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00406299A JP3840826B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 磁気抵抗効果センサ及び該センサを備えた磁気ヘッドの製造方法 |
| US09/472,837 US6319544B1 (en) | 1999-01-11 | 1999-12-28 | Manufacturing method of magnetoresistive effect sensor and manufacturing method of magnetic head with the sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00406299A JP3840826B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 磁気抵抗効果センサ及び該センサを備えた磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000207712A true JP2000207712A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3840826B2 JP3840826B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=11574373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00406299A Expired - Fee Related JP3840826B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 磁気抵抗効果センサ及び該センサを備えた磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6319544B1 (ja) |
| JP (1) | JP3840826B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531032B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-05-12 | Mattel, Inc. | Acrylic based paint for polymeric surfaces |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3635504B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2005-04-06 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置 |
-
1999
- 1999-01-11 JP JP00406299A patent/JP3840826B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-28 US US09/472,837 patent/US6319544B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6319544B1 (en) | 2001-11-20 |
| JP3840826B2 (ja) | 2006-11-01 |
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