JP2000195793A

JP2000195793A - 多結晶シリコン膜の作製方法

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Publication number: JP2000195793A
Application number: JP10371427A
Authority: JP
Inventors: Michiko Takei; 美智子竹井; Akito Hara; 明人原; Yoshihiro Arimoto; 由弘有本; Sadahiro Kishii; 貞浩岸井
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-12-25
Filing date: 1998-12-25
Publication date: 2000-07-14
Anticipated expiration: 2018-12-25
Also published as: JP4063986B2

Abstract

(57)【要約】【課題】オフ電流が小さく、電界効果移動度の大きな
ＴＦＴの製造に適した多結晶シリコン膜の作製方法を提
供する。【解決手段】基板の表面上に、核形成前駆物質を含む
アモルファス状態のシリコン膜を形成する。シリコン膜
にエネルギを加えて結晶化させる。シリコン膜の表面上
に、核形成前駆物質に対してゲッタリング作用を示すゲ
ッタリング層を形成する。シリコン膜中の核形成前駆物
質を、ゲッタリング層内に吸収する。核形成前駆物質を
吸収したゲッタリング層を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶シリコン膜
の作製方法に関し、特に核形成前駆物質を用いてアモル
ファスシリコン膜を多結晶化する多結晶シリコン膜の作
製方法に関する。多結晶シリコン膜は、アクティブマト
リクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の
活性領域に適用される。

【０００２】

【従来の技術】活性領域に多結晶シリコンを用いたＴＦ
Ｔは、液晶表示装置の各画素のスイッチングのみなら
ず、その周辺駆動回路にも適用することができる。この
ため、表示部と駆動部とを１枚のガラス基板上に配置す
ることが可能になる。表示部のＴＦＴには、画素電極の
電圧を保持するために、オフ電流の少ない特性が要求さ
れる。

【０００３】オフ電流を少なくするには、良質な多結晶
シリコン膜を形成する必要がある。ところが、液晶表示
装置の基板に用いられているガラスの軟化点が約６００
℃であるため、この温度以上に加熱することはできな
い。ガラスの軟化点以下で、良質の多結晶シリコンを形
成する技術が望まれている。

【０００４】ガラス基板上にアモルファスシリコン膜を
形成し、エキシマレーザを照射してアモルファスシリコ
ンを溶融させ、多結晶化させる技術が知られている。こ
の方法で形成された多結晶シリコン膜を活性領域とする
ＴＦＴの特性は、照射したエキシマレーザのエネルギに
敏感である。従って、エキシマレーザのエネルギ及びそ
の面内分布を厳密に制御する必要があり、量産に適した
方法とはいえない。

【０００５】ガラス基板を、その軟化点よりもやや低い
温度まで加熱し、熱エネルギによってアモルファスシリ
コンを多結晶化することも可能である。しかし、この方
法では、十数時間といった長時間の熱処理が必要となる
ため、量産には適さない。さらに、軟化点に近い高温に
より、ガラス基板が変形する場合もある。

【０００６】特開平６−３３３９５１号公報及び特開平
６−３１８７０１号公報に、アモルファスシリコン中に
１×１０¹⁸ｃｍ^-3程度のニッケル（Ｎｉ）を添加するこ
とにより、シリコンの多結晶化に必要な温度を下げるこ
とができる技術が開示されている。さらに、シリコン中
に添加したニッケルの、素子特性への影響を抑制する技
術が、特開平８−３３０６０２号公報に開示されてい
る。この技術は、ＴＦＴのソース及びドレイン領域に添
加したリンのゲッタリング作用を利用して、チャネル中
のニッケル濃度を減少させるというものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本願発明者らの追試実
験によると、特開平８−３３０６０２号公報に記載され
た技術では、オフ電流の十分小さなＴＦＴを得ることが
困難であることがわかった。また、周辺駆動回路に用い
られるＴＦＴには、より大きな電界効果移動度が求めら
れる。

【０００８】本発明の目的は、オフ電流が小さく、電界
効果移動度の大きなＴＦＴの製造に適した多結晶シリコ
ン膜の作製方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、基板の表面上に、核形成前駆物質を含むアモルファ
ス状態のシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜
にエネルギを加えて結晶化させる工程と、前記シリコン
膜の表面上に、前記核形成前駆物質に対してゲッタリン
グ作用を示すゲッタリング層を形成する工程と、前記シ
リコン膜中の前記核形成前駆物質を、前記ゲッタリング
層内に吸収するゲッタリング工程と、前記核形成前駆物
質を吸収した前記ゲッタリング層を除去する工程とを有
するシリコン膜の作製方法が提供される。

【００１０】ゲッタリング工程において、核形成前駆物
質が、シリコン膜の厚さ方向に移動してゲッタリング層
に吸収される。このため、面内方向に移動する場合に比
べて、より効率的にゲッタリングを行うことができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の第１の
実施例によるシリコン膜の作製方法について説明する。

【００１２】ガラス基板１の表面上に、ＳｉＨ₄とＮ₂Ｏ
を用いたプラズマ励起型化学気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ）
により、厚さ３００ｎｍのＳｉＯ₂膜２を堆積する。Ｓ
ｉＯ₂膜２の成膜条件は、例えば、基板温度３００℃、
圧力４０Ｐａ、高周波印加電力３５０Ｗである。

【００１３】ＳｉＯ₂膜２の上に、ＳｉＨ₄とＨ₂を用い
たＰＥ−ＣＶＤにより厚さ４０ｎｍのシリコン膜５０ａ
を堆積する。シリコン膜５０ａの成膜条件は、例えば、
基板温度２５０℃、圧力１００Ｐａ、高周波印加電力８
０Ｗである。この条件で成膜されたシリコン膜５０ａ
は、アモルファス状態である。

【００１４】シリコン膜５０ａの表面上に濃度１０ｐｐ
ｍの酢酸ニッケル水溶液をスピン塗布する。その後、基
板温度５５０℃で４時間の熱処理を行う。このとき、ア
モルファス状態のシリコン膜５０ａ内にＮｉが拡散し、
このＮｉが触媒（核形成前駆物質）として働き、シリコ
ンの多結晶化が促進される。

【００１５】結晶化されずアモルファスのまま残された
部分を結晶化するために、ＸｅＣｌエキシマレーザを照
射する。レーザビームのエネルギ密度は４００ｍＪ／ｃ
ｍ²である。なお、熱処理のみで十分な多結晶化を行う
ことができる場合には、エキシマレーザの照射を行う必
要はない。

【００１６】図１（Ｂ）に示すように、多結晶化したシ
リコン膜５０ａの上に、ＰＥ−ＣＶＤによりアモルファ
ス状態の厚さ４０ｎｍのシリコン膜５１を堆積する。イ
オンドーピング法を用いて、シリコン膜５１にリン
（Ｐ）を注入する。この注入は、例えば、ドーピングガ
スとして水素で１０％に希釈されたＰＨ₃を用い、加速
電圧が３ｋＶ、ドーズ量がリンイオン換算で２×１０¹⁵
ｃｍ^-2となる条件で行う。

【００１７】図１（Ｃ）に示すように、ＸｅＣｌエキシ
マレーザを照射して、シリコン膜５１を多結晶化する。
その後、温度５５０℃で２時間の熱処理を行う。リンの
ゲッタリング作用により、シリコン膜５０ａ内のＮｉ原
子がシリコン膜５１に吸収される。なお、シリコン膜５
１がアモルファスの状態でゲッタリングを行ってもよ
い。

【００１８】ゲッタリング処理後のシリコン膜中のＮｉ
濃度を２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）により測定した
ところ、シリコン膜５１内のＮｉのピーク濃度が３×１
０¹⁹ｃｍ^-3であるのに対し、シリコン膜５０ａ内のＮｉ
濃度は検出限界、すなわち１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下であっ
た。

【００１９】図１（Ｄ）に示すように、シリコン膜５１
を除去する。シリコン膜５１の除去は、化学機械研磨
（ＣＭＰ）により行う。用いたスラリーは酸化マンガン
系のものであり、研磨液は、水と砥粒とを重量比で１０
０対１０に混ぜたものである。例えば、スラリーとし
て、ＭｎＯ、ＭｎＯ₂、Ｍｎ₃Ｏ₄、Ｍｎ₂Ｏ₃等を用いる
ことができる。

【００２０】この条件でＣＭＰを行うと、シリコン膜５
１が除去されシリコン膜５０ａが露出した時点で基板表
面の色が変化する。このため、外観により明瞭に研磨の
終点を知ることができる。なお、研磨液として、水と砥
粒とを重量比で１００対（２〜１５）に混ぜたものを使
用してもよい。

【００２１】従来の方法では、ＴＦＴのチャネル領域の
Ｎｉ原子がソース／ドレイン領域に吸収される。すなわ
ち、Ｎｉ原子はシリコン膜の面内方向に移動する。ま
た、Ｎｉを除去すべき領域とＮｉを吸収する領域とが、
ほとんど線で接する。

【００２２】これに対し、第１の実施例では、図１
（Ｃ）の工程において、Ｎｉを除去すべきシリコン膜５
０ａとＮｉをゲッタリングするシリコン膜５１とが、広
い面で接している。また、シリコン膜５０ａの厚さは数
十ｎｍ〜数百ｎｍ程度であり、シリコン膜５０ａ内のＮ
ｉ原子は、その厚さ方向に移動する。すなわち、ゲッタ
リングにより移動すべき距離は高々数十ｎｍ〜数百ｎｍ
程度であり、面内方向に移動する場合に比べて短い。こ
のため、効率的にＮｉをゲッタリングすることができ
る。

【００２３】次に、図２を参照して、上記第１の実施例
で作製したシリコン膜５０ａを使用したＴＦＴの製造方
法を説明する。

【００２４】図２（Ａ）に示すように、ガラス基板１の
表面上にＳｉＯ₂膜２が形成されている。ＳｉＯ₂膜２の
上に、多結晶シリコンからなる活性領域５０が形成され
ている。活性領域５０は、上記第１の実施例の方法で形
成された多結晶シリコン膜５０ａをパターニングして形
成される。シリコン膜５０ａのエッチングは、ＣＦ ₄と
Ｏ₂とを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によ
り行うことができる。

【００２５】活性領域５０を覆うように、ＳｉＯ₂膜２
の上にＳｉＯ₂からなる厚さ１２０ｎｍのゲート絶縁膜
２３を形成する。ゲート絶縁膜２３の形成は、ＳｉＨ₄
とＮ ₂Ｏを用いたＰＥ−ＣＶＤにより行う。

【００２６】ゲート絶縁膜２３の表面のうち、活性領域
５０の上方の一部の領域上に、ＡｌＳｉ合金からなる厚
さ３００ｎｍのゲート電極２５を形成する。なお、Ａｌ
Ｓｉ合金の代わりにＡｌＳｃ合金を用いてもよい。ゲー
ト電極２５のＳｉ濃度は、例えば０．２重量％である。
ＡｌＳｉ合金膜の堆積は、ＡｌＳｉ合金ターゲットを用
いたスパッタリングにより行い、ＡｌＳｉ合金膜のエッ
チングは、リン酸系のエッチャントを用いたウェットエ
ッチング、またはＣｌ系ガスを用いたＲＩＥにより行
う。

【００２７】図２（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜２
３をパターニングし、ゲート絶縁膜２３ａを残す。ゲー
ト絶縁膜２３のエッチングは、ＣＨＦ₃とＯ₂との混合
ガスを用いたＲＩＥにより行う。ゲート絶縁膜２３ａ
は、ゲート電極２５の両側に約１μｍ程度張り出してい
る。ゲート絶縁膜２３ａの両側には、活性領域５０が張
り出している。

【００２８】本実施例では、ゲート電極２５とゲート絶
縁膜２３ａとの位置合わせを、通常のフォトリソグラフ
ィ技術を用いて行うが、自己整合的に両者の位置合わせ
を行ってもよい。例えば、特開平８−３３２６０２号公
報に開示されているＡｌゲート電極の陽極酸化を利用し
て、ゲート絶縁膜２３ａの張り出し部分を自己整合的に
形成することができる。

【００２９】イオンドーピング法により、活性領域５０
のうちゲート絶縁膜２３ａの両側に張り出した部分にリ
ンイオンを注入する。リンイオンの注入は、ドーピング
ガスとしてＨ₂で１０％に希釈されたＰＨ₃を用い、加速
電圧が１０ｋＶ、ドーズ量がリンイオン換算で１×１０
¹⁵ｃｍ^-2となる条件で行う。この条件では、ゲート絶縁
膜２３ａに覆われている部分には、リンイオンが注入さ
れない。

【００３０】図２（Ｃ）に示すように、イオンドーピン
グ法により２回目のリンイオンの注入を行う。このとき
の加速電圧は７０ｋＶ、ドーズ量は２×１０¹⁴ｃｍ^-2と
する。この条件では、ゲート絶縁膜２３ａのうちゲート
電極２５の両側に張り出した部分の下方までリンイオン
が到達する。エキシマレーザアニールを行い、注入され
たＰを活性化する。照射レーザビームのパルス幅は２０
ｎｓ、そのエネルギ密度は２３０ｍＪ／ｃｍ²である。

【００３１】ゲート絶縁膜２３ａのうちゲート電極２５
の両側に張り出した部分の下方に、ソース低濃度領域２
６Ｓ及びドレイン低濃度領域２６Ｄが形成される。活性
領域５０の、ゲート絶縁膜２３ａの両側に張り出した領
域に、ソース高濃度領域２４Ｓ及びドレイン高濃度領域
２４Ｄが形成される。このようにして、ＬＤＤ構造を有
するＴＦＴが形成される。

【００３２】このようにして作製したＴＦＴの電流電圧
特性から求めた電界効果移動度は約２６０ｃｍ²／Ｖｓ
であった。これに対し、ゲッタリングを行わないで作製
したＴＦＴの電界効果移動度は、約２２０ｃｍ²／Ｖｓ
であった。第１の実施例による方法で作製した多結晶シ
リコン膜を活性領域として用いることにより、電界効果
移動度の大きなＴＦＴを得ることができる。また、第１
の実施例によるシリコン膜を用いることにより、ＴＦＴ
のオフ電流も減少した。

【００３３】上記第１の実施例では、図１（Ｂ）の工程
で形成したリンドープのシリコン膜５１がゲッタリング
層として作用する。ゲッタリング層として、リンの代わ
りにボロン（Ｂ）をドープしたシリコン層を用いてもよ
い。例えば、図１（Ｂ）に示すリンドープのシリコン層
５１の代わりに、４０ｐｐｍのボロンをドープした厚さ
１５０ｎｍのシリコン層を用いることができる。

【００３４】ボロンドープのシリコン層の堆積は、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｈ₂、及びＢ₂Ｈ₆を用いたＰＥ−ＣＶＤにより行う
ことができる。成膜条件は、例えば圧力１００Ｐａ、成
長温度３００℃、高周波印可電力８０Ｗである。

【００３５】図３は、図２（Ｃ）に示すＴＦＴを適用し
たアクティブマトリクス型液晶表示装置の断面図を示
す。ガラス基板１の上に形成されたＴＦＴを覆うよう
に、ＳｉＯ₂膜２の上に、厚さ４００ｎｍのＳｉＯ₂膜
３０が形成されている。ＳｉＯ₂膜３０は、例えばＰＥ
−ＣＶＤにより形成される。ＳｉＯ₂膜３０の、ドレイ
ン高濃度領域２４Ｄ及びソース高濃度領域２４Ｓに対応
する位置に、それぞれコンタクトホール３１及び３２が
形成されている。コンタクトホール３１及び３２の形成
は、例えばＣＨＦ₃とＯ₂との混合ガスを用いたＲＩＥ
により行う。

【００３６】ＳｉＯ₂膜３０の表面上に、ドレインバス
ライン３３が形成されている。ドレインバスライン３３
は、コンタクトホール３１内を経由してドレイン高濃度
領域２４Ｄに接続されている。ドレインバスライン３３
は、厚さ５０ｎｍのＴｉ膜と厚さ２００ｎｍのＡｌＳｉ
合金膜との２層構造を有する。

【００３７】ＳｉＯ₂膜３０の表面上の、コンタクトホ
ール３２に対応する位置に、ソース高濃度領域２４Ｓご
とに接続電極３４が形成されている。接続電極３４は、
対応するソース高濃度領域２４Ｓに接続されている。

【００３８】ＳｉＯ₂膜３０の上に、ドレインバスライ
ン３３及び接続電極３４を覆うように、ＳｉＮ膜３５が
形成されている。ＳｉＮ膜３５の表面上に、インジウム
錫オキサイド（ＩＴＯ）からなる画素電極３６が形成さ
れている。画素電極３６は、ＳｉＮ膜３５に形成された
コンタクトホールを介して接続電極３４に接続されてい
る。ＳｉＮ膜３５の上に、画素電極３６を覆うように配
向膜３７が形成されている。

【００３９】ガラス基板１に対向するように、対向基板
４０が配置されている。対向基板４０の対向面上に、Ｉ
ＴＯからなる共通電極４１が形成されている。共通電極
４１の表面の所定の遮光すべき領域上に、遮光膜４２が
形成されている。共通電極４１の表面上に、遮光膜４２
を覆うように配向膜４３が形成されている。２枚の配向
膜３７及び４３の間に、液晶材料４５が充填されてい
る。

【００４０】第１の実施例による多結晶シリコン膜を活
性領域５０とするＴＦＴを用いると、オフ電流の増加を
抑制することができる。このため、画素電極３６に印加
された電圧を長時間維持することが可能になる。また、
電界効果移動度の大きなＴＦＴを得ることができるた
め、周辺駆動回路をガラス基板１上に形成することが可
能になる。

【００４１】上記第１の実施例では、図１（Ｂ）に示す
工程において、ノンドープのアモルファスシリコン膜５
１を堆積した後リンイオンの注入を行ったが、ＰＥ−Ｃ
ＶＤによりリンを添加されたアモルファスシリコン膜を
堆積してもよい。例えば、シリコン膜の成長雰囲気中に
ＰＨ₃を加えることにより、リンを５ｐｐｍドープされ
た厚さ２００ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成す
る。続いて、温度６００℃で１２時間のゲッタリング処
理を行う。この方法によっても、効率的にＮｉをゲッタ
リングすることができる。

【００４２】次に、図４を参照して第２の実施例による
多結晶シリコン膜の形成方法について説明する。第１の
実施例の図１（Ａ）で説明した工程と同様の工程を経て
図４（Ａ）の状態に至る。

【００４３】図４（Ｂ）に示すように、シリコン膜５０
ａの上にＰＥ−ＣＶＤにより厚さ３０ｎｍのＳｉＯ₂膜
５２を形成する。ＳｉＯ₂膜５２の上に、ＰＥ−ＣＶＤ
によりアモルファス状態の厚さ１００ｎｍのシリコン膜
５３を形成する。イオンドーピング法により、リンイオ
ンを注入する。ドーピング条件は、例えば加速電圧２０
ｋＶ、リンイオン換算のドーズ量１×１０¹⁵ｃｍ^-2とす
る。エキシマレーザ照射を行い、シリコン膜５３を多結
晶化する。

【００４４】図４（Ｃ）に示す工程において、温度６０
０℃で４時間のゲッタリング処理を行う。シリコン基板
５０ａ内のＮｉ原子がＳｉＯ₂膜５２を通してシリコン
膜５３に吸収される。Ｎｉ原子が、シリコン膜５０ａの
厚さ方向に移動してゲッタリングされるため、第１の実
施例の場合と同様に、効率的にＮｉ原子をゲッタリング
することができる。

【００４５】ゲッタリング処理後、シリコン膜５３及び
ＳｉＯ₂膜５２を除去する。シリコン膜５３は、例えば
ＣＦ₄とＯ₂との混合ガスを用いた反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）により除去することができる。エッチング
条件は、例えば高周波印可電力１ｋＷ、圧力１３Ｐａで
ある。このとき、ＳｉＯ₂膜５２がエッチング停止層と
して機能する。ＳｉＯ₂膜５２は、例えばフッ酸水溶液
を用いたウェットエッチングにより除去することができ
る。

【００４６】第２の実施例では、ＳｉＯ₂膜５２がエッ
チング停止層として機能するため、シリコン膜５０ａを
再現性よく残すことが可能になる。

【００４７】上記実施例では、アモルファスシリコンを
多結晶化するときの核形成前駆物質としてＮｉを用いた
場合を説明したが、Ｎｉ以外に、Ｇｅ等の金属元素を用
いてもよい。また、核形成前駆物質に対してゲッタリン
グ作用を示す不純物としてリン及びボロンを用いた場合
を説明したが、その他核形成前駆物質に対してゲッタリ
ング作用を示すＩＩＩ族またはＶ族の元素、例えばＧ
ａ、Ａｓ等を用いてもよい。

【００４８】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シリコン膜中のＮｉ原子のゲッタリング処理において、
Ｎｉ原子を膜の厚さ方向に移動させる。このため、膜の
面内方向に移動させてゲッタリングを行う場合に比べ
て、より効率的にゲッタリングを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるシリコン膜の作製
方法を説明するための基板の断面図である。

【図２】第１の実施例によるシリコン膜を用いたＴＦＴ
の作製方法を説明するための基板の断面図である。

【図３】図２に示すＴＦＴを用いた液晶表示装置の断面
図である。

【図４】本発明の第２の実施例によるシリコン膜の作製
方法を説明するための基板の断面図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２、３０、５２ＳｉＯ₂膜２３ゲート絶縁膜２４Ｓソース高濃度領域２４Ｄドレイン高濃度領域２５ゲート電極２６Ｓソース低濃度領域２６Ｄドレイン低濃度領域３１、３２コンタクトホール３３ドレインバスライン３４接続電極３５ＳｉＮ膜３６画素電極３７、４３配向膜４０対向基板４１共通電極４２遮光膜４５液晶材料５０活性領域５０ａ、５３シリコン膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者有本由弘神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者岸井貞浩神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 5F052 AA02 AA11 BB07 CA02 DA02 DB03 EA02 EA11 HA01 HA07 JA01 5F110 AA01 AA06 BB02 CC02 DD02 DD13 EE03 EE44 FF02 FF30 GG02 GG06 GG13 GG25 GG45 HJ01 HJ04 HJ13 HJ23 HM15 NN02 NN23 NN24 NN35 PP03 PP10 PP29 PP34 PP38 QQ11 QQ28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面上に、核形成前駆物質を含む
アモルファス状態のシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜にエネルギを加えて結晶化させる工程
と、前記シリコン膜の表面上に、前記核形成前駆物質に対し
てゲッタリング作用を示すゲッタリング層を形成する工
程と、前記シリコン膜中の前記核形成前駆物質を、前記ゲッタ
リング層内に吸収するゲッタリング工程と、前記核形成前駆物質を吸収した前記ゲッタリング層を除
去する工程とを有するシリコン膜の作製方法。
【請求項２】前記核形成前駆物質がＮｉである請求項
１に記載のシリコン膜の作製方法。
【請求項３】前記ゲッタリング層が、リンもしくはボ
ロンを含むシリコンにより形成されている請求項２に記
載のシリコン膜の作製方法。
【請求項４】前記アモルファス状態のシリコン膜を形
成する工程の後、前記ゲッタリング層を形成する工程の
前に、さらに、前記シリコン膜及び前記ゲッタリング層
のいずれともエッチング耐性の異なる材料からなるエッ
チング停止層を形成する工程を含む請求項１〜３のいず
れかに記載のシリコン膜の作製方法。
【請求項５】前記ゲッタリング層を除去する工程の
後、さらに、前記エッチング停止層を除去する工程を含
む請求項４に記載のシリコン膜の作製方法。
【請求項６】前記エッチング停止層がＳｉＯ₂で形成
されている請求項４または５に記載のシリコン膜の作製
方法。
【請求項７】前記ゲッタリング層を除去する工程にお
いて、酸化マンガン系スラリーを用いた化学機械研磨に
より前記ゲッタリング層を除去する請求項１〜６のいず
れかに記載のシリコン膜の作製方法。
【請求項８】前記ゲッタリング層を除去する工程にお
いて、水と砥粒との重量比を１００対（２〜１５）とし
て化学機械研磨を行う請求項７に記載のシリコン膜の作
製方法。