[go: up one dir, main page]

JP2000193974A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

Info

Publication number
JP2000193974A
JP2000193974A JP37330798A JP37330798A JP2000193974A JP 2000193974 A JP2000193974 A JP 2000193974A JP 37330798 A JP37330798 A JP 37330798A JP 37330798 A JP37330798 A JP 37330798A JP 2000193974 A JP2000193974 A JP 2000193974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
alignment film
voltage
display device
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP37330798A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4251697B2 (en
Inventor
Kunihiro Tashiro
国広 田代
Katsufumi Omuro
克文 大室
Yoshiro Koike
善郎 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP37330798A priority Critical patent/JP4251697B2/en
Priority to KR1019990043620A priority patent/KR100662059B1/en
Priority to TW088117506A priority patent/TW565732B/en
Priority to US09/416,972 priority patent/US6633356B1/en
Publication of JP2000193974A publication Critical patent/JP2000193974A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4251697B2 publication Critical patent/JP4251697B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板表面に設けた土手状突起物を利用して電
圧印加時における液晶分子の傾斜方向を制御する垂直配
向型の液晶表示装置に関し、パネルの輝度を改善しうる
液晶表示装置の構造を提供する。 【解決手段】 能動素子と、画素電極と、液晶分子を膜
面に垂直な方向に配向する第1の配向膜とを有する第1
の基板と;共通電極と、液晶分子を膜面に垂直方向に配
向する第2の配向膜とを有する第2の基板と;第1の基
板と第2の基板との間に封入された負の誘電率異方性を
もつ液晶層とを有する液晶表示装置であって、電極と配
向膜との間に液晶分子の傾斜方向を規制する突起を有
し、画素電極と共通電極との間に駆動電圧を印加したと
きに、突起が形成された領域の液晶層に印加される電圧
が、液晶閾値電圧とほぼ同程度若しくはそれ以下になる
ように制御されている。
(57) Abstract: A vertical alignment type liquid crystal display device that controls the tilt direction of liquid crystal molecules when a voltage is applied by using a bank-shaped protrusion provided on a substrate surface can improve the brightness of a panel. Provided is a structure of a liquid crystal display device. SOLUTION: A first device having an active element, a pixel electrode, and a first alignment film for aligning liquid crystal molecules in a direction perpendicular to the film surface.
A second substrate having a common electrode, and a second alignment film for aligning liquid crystal molecules in a direction perpendicular to the film surface; and a negative electrode sealed between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal display device having a liquid crystal layer having a dielectric anisotropy of: having a protrusion for regulating the tilt direction of liquid crystal molecules between the electrode and the alignment film, and between the pixel electrode and the common electrode. When a driving voltage is applied, the voltage applied to the liquid crystal layer in the region where the protrusions are formed is controlled so as to be substantially equal to or less than the liquid crystal threshold voltage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に係り、特に、基板表面に設けた土手状突
起物を利用して電圧印加時における液晶分子の傾斜方向
を制御する垂直配向型の液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a vertical alignment for controlling a tilt direction of liquid crystal molecules when a voltage is applied by using a bank-like projection provided on a substrate surface. Liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、アクティブマトリクスを用い
た液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)と
しては、正の誘電率異方性をもつ液晶材料を基板面に水
平に、且つ、対向する基板間で90度ツイストするよう
に配向させた、TN(TwistedNematic)モードの液晶表
示装置が広く用いられている。しかしながら、TNモー
ドの液晶表示装置は視角特性が悪いという大きな問題を
有しており、視角特性を改善すべく種々の検討が行われ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a liquid crystal display (LCD) using an active matrix, a liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy is horizontally disposed on a substrate surface and between the opposing substrates. A TN (Twisted Nematic) mode liquid crystal display device, which is oriented so as to be twisted by 90 degrees with a liquid crystal display, is widely used. However, the TN mode liquid crystal display device has a serious problem of poor viewing angle characteristics, and various studies have been made to improve the viewing angle characteristics.

【0003】本願発明者等は、係る観点から鋭意検討を
行い、TNモードに替わる方式として、負の誘電率異方
性をもつ液晶材料を垂直配向させ、且つ、基板表面に設
けた構造物、例えば土手状突起物により電圧印加時の液
晶分子傾斜方向を規制するMVA(Multi-domain Verti
cal Alignment)方式の液晶表示装置を提案し、視角特
性の大幅な改善に成功している(例えば、同一出願人に
よる特願平9−361384号明細書を参照)。
[0003] The inventors of the present application have conducted intensive studies from this point of view, and as an alternative to the TN mode, a structure in which a liquid crystal material having negative dielectric anisotropy is vertically aligned and provided on the substrate surface, For example, an MVA (Multi-domain Verti
Cal Alignment) type liquid crystal display devices have been proposed and the viewing angle characteristics have been greatly improved (for example, see Japanese Patent Application No. 9-361384 by the same applicant).

【0004】上記MVA方式の液晶表示装置は、負の誘
電率異方性をもつ液晶材料を垂直配向させるVA(Vert
ically Alignment)モードの液晶表示装置において、基
板上に光透過性樹脂(例えばレジストなど)からなる土
手状突起物を設け、電圧印加時の液晶分子が斜めに配向
される方向が、一画素内において複数の方向になるよう
に規制し、視角特性の改善を図るものである。
The MVA type liquid crystal display device has a VA (Vert) for vertically aligning a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy.
In a liquid crystal display device of the (icically aligned) mode, a bank-like projection made of a light-transmitting resin (eg, resist) is provided on a substrate, and the direction in which liquid crystal molecules are obliquely aligned when a voltage is applied is determined within one pixel. It is intended to improve the viewing angle characteristics by restricting the angle in a plurality of directions.

【0005】配向制御の発現のメカニズムについては諸
説あるが、一般的には電圧印加時に土手状突起物によっ
て液晶層の等電位面が歪められて土手状突起物の両エッ
ジ部で液晶が斜め逆方向に配向するためと考えられてい
る(図18(a)参照)。一方、両エッジ部での配向規
制力が等しい場合、土手状突起物上の液晶配向はエッジ
部と方位角が90度若しくは180度異なる方向、すな
わち土手状突起物が延在する方向と平行な方向に倒れ込
んで安定する。
Although there are various theories on the mechanism of the manifestation of the alignment control, the equipotential surface of the liquid crystal layer is generally distorted by the bank-like projections when a voltage is applied, and the liquid crystal is obliquely inverted at both edges of the bank-like projections. It is considered to be oriented in the direction (see FIG. 18A). On the other hand, when the alignment regulating forces at both edges are equal, the liquid crystal alignment on the bank-like projection is parallel to the direction in which the azimuth differs from the edge by 90 degrees or 180 degrees, that is, the direction in which the bank-like projection extends. It falls down and stabilizes.

【0006】光透過性樹脂の膜厚、すなわち土手状突起
物の高さを高くしていくと、白状態の透過率は上昇する
が黒状態で漏れ光が発生するため、コントラストが低下
する。MVA方式の液晶表示装置は、当初はモニター向
け用途に開発されたためコントラストを優先して土手状
突起物の高さを設定していた。
As the thickness of the light-transmitting resin, that is, the height of the bank-like projections, increases, the transmittance in the white state increases, but the leakage decreases in the black state, so that the contrast decreases. Since the MVA type liquid crystal display device was initially developed for use in monitors, the height of the bank-like projection was set with priority given to contrast.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】MVA方式の液晶表示
装置では、土手状突起物のような配向制御構造物を表示
部に形成し、また、構造物エッジでは液晶配向が所定の
方向に対して斜めになっているため、TNパネルに比較
して白状態での透過率が低くなる。すなわち、上記従来
の液晶表示装置では、土手状突起物の高さはコントラス
トを優先して設定されているため、透過率の面から最適
化されておらず、配向乱れの発生により透過率が低下し
ていた。具体的には、MVA方式の液晶表示装置におい
て土手状突起物上の液晶配向を観察したところ、液晶が
逆方向(90度と180度)に倒れ込んでくびれドメイ
ン(逆チルトドメイン)が発生しており、そこを起点に
土手の外まで配向乱れが発生しており(図18(b)参
照)、このような液晶配向の乱れが透過率の低下をもた
らしていた。
In an MVA type liquid crystal display device, an alignment control structure such as a bank-like projection is formed on a display portion, and at the edge of the structure, the liquid crystal alignment is in a predetermined direction. Due to the slant, the transmittance in the white state is lower than that of the TN panel. That is, in the above-described conventional liquid crystal display device, the height of the bank-shaped protrusions is set with priority given to contrast, and thus is not optimized in terms of transmittance, and the transmittance is reduced due to the occurrence of alignment disorder. Was. Specifically, when observing the liquid crystal orientation on the bank-shaped protrusions in the MVA type liquid crystal display device, the liquid crystal fell in the opposite direction (90 degrees and 180 degrees), and a constricted domain (reverse tilt domain) was generated. Thus, the alignment disorder was generated from the starting point to the outside of the bank (see FIG. 18B), and such disorder of the liquid crystal alignment caused a decrease in transmittance.

【0008】パネルの省電力化やノートパソコンへの搭
載を考えた場合、MVA方式の輝度改善は大きな課題で
あり、土手状突起物上及びエッジ部の透過率の低下を最
低限に抑えることが望まれている。本発明の目的は、M
VA方式の液晶表示装置における輝度を改善する液晶表
示装置の構造を提供することにある。
In consideration of power saving of a panel and mounting on a notebook personal computer, improvement of the brightness of the MVA system is a major problem, and it is necessary to minimize a decrease in transmittance on a bank-like projection and an edge portion. Is desired. The purpose of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a structure of a liquid crystal display device for improving luminance in a VA liquid crystal display device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的は、液晶を駆動
するための能動素子と、前記能動素子により駆動電圧が
印加される画素電極と、前記画素電極上に形成され、前
記駆動電圧を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な
方向に配向する第1の配向膜とを有する第1の基板と;
前記画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極上に
形成され、前記駆動電圧を印加しないときに液晶分子を
膜面に垂直方向に配向する第2の配向膜とを有する第2
の基板と;前記第1の基板と前記第2の基板との間に封
入された負の誘電率異方性をもつ液晶層とを有する液晶
表示装置であって、前記画素電極と前記第1の配向膜と
の間、及び/又は、前記共通電極と前記第2の配向膜と
の間に、前記駆動電圧を印加したときの液晶分子の傾斜
方向を規制する突起を有し、前記画素電極と前記共通電
極との間に前記駆動電圧を印加したときに、前記突起が
形成された領域の前記液晶層に印加される電圧が、液晶
閾値電圧とほぼ同程度若しくはそれ以下になるように制
御されていることを特徴とする液晶表示装置によって達
成される。
An object of the present invention is to provide an active element for driving a liquid crystal, a pixel electrode to which a driving voltage is applied by the active element, and an electrode formed on the pixel electrode for applying the driving voltage. A first substrate having a first alignment film for orienting liquid crystal molecules in a direction perpendicular to the film surface when not in operation;
A second electrode having a common electrode facing the pixel electrode, and a second alignment film formed on the common electrode and aligning liquid crystal molecules in a direction perpendicular to a film surface when the driving voltage is not applied.
A liquid crystal display device having a liquid crystal layer having a negative dielectric anisotropy sealed between the first substrate and the second substrate, wherein the pixel electrode and the first And / or between the common electrode and the second alignment film, between the common electrode and the second alignment film, the pixel electrode has a projection for regulating a tilt direction of liquid crystal molecules when the driving voltage is applied. When the driving voltage is applied between the liquid crystal layer and the common electrode, the voltage applied to the liquid crystal layer in the region where the protrusion is formed is controlled to be substantially equal to or less than the liquid crystal threshold voltage. This is achieved by a liquid crystal display device characterized in that:

【0010】また、上記の液晶表示装置において、前記
突起による電圧降下により、前記突起が形成された領域
の前記液晶層に印加される前記電圧を制御するようにし
てもよい。また、上記の液晶表示装置において、前記突
起の高さ及び/又は誘電率により、前記突起が形成され
た領域の前記液晶層に印加される前記電圧を制御するよ
うにしてもよい。
In the above liquid crystal display device, the voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed may be controlled by a voltage drop caused by the protrusion. In the above liquid crystal display device, the voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed may be controlled by the height and / or the dielectric constant of the protrusion.

【0011】また、上記の液晶表示装置において、前記
第1の配向膜及び/又は前記第2の配向膜による電圧降
下により、前記突起が形成された領域の前記液晶層に印
加される前記電圧を制御するようにしてもよい。また、
上記の液晶表示装置において、前記第1の配向膜又は前
記第2の配向膜の膜厚及び/又は誘電率により、前記突
起が形成された領域の前記液晶層に印加される前記電圧
を制御するようにしてもよい。
In the above liquid crystal display device, the voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed is reduced by a voltage drop caused by the first alignment film and / or the second alignment film. You may make it control. Also,
In the above liquid crystal display device, the voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed is controlled by a film thickness and / or a dielectric constant of the first alignment film or the second alignment film. You may do so.

【0012】また、上記の液晶表示装置において、前記
第1の配向膜又は前記第2の配向膜は、前記突起が形成
された領域の膜厚が他の領域よりも厚くなるようにして
もよい。また、上記の液晶表示装置において、前記突起
が形成された領域の前記第1の配向膜及び前記第2の配
向膜の垂直配向能を、他の領域の前記第1の配向膜及び
前記第2の配向膜の垂直配向能よりも高めることによ
り、前記突起が形成された領域の液晶閾値電圧を他の領
域の液晶閾値電圧よりも高めてもよい。
In the above liquid crystal display device, the first alignment film or the second alignment film may be formed such that a region where the protrusion is formed is thicker than another region. . In the above liquid crystal display device, the vertical alignment capability of the first alignment film and the second alignment film in the region where the protrusion is formed is different from the vertical alignment capability of the first alignment film and the second alignment film in another region. The liquid crystal threshold voltage of the region where the protrusions are formed may be higher than the liquid crystal threshold voltage of another region by increasing the vertical alignment ability of the alignment film.

【0013】また、上記の液晶表示装置において、前記
画素電極と前記突起との間、及び/又は、前記共通電極
と前記突起との間に、高抵抗電極層を更に有し、前記高
抵抗電極層による電圧降下により、前記突起が形成され
た領域の前記液晶層に印加される前記電圧を制御するよ
うにしてもよい。また、上記の液晶表示装置において、
前記突起が形成された領域の前記画素電極又は前記共通
電極が高抵抗化されており、高抵抗化された前記画素電
極又は前記共通電極の領域における電圧降下によって前
記突起が形成された領域の前記液晶層に印加される前記
電圧を制御するようにしてもよい。
In the above liquid crystal display device, a high resistance electrode layer may be further provided between the pixel electrode and the protrusion and / or between the common electrode and the protrusion. The voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed may be controlled by a voltage drop caused by the layer. Further, in the above liquid crystal display device,
The pixel electrode or the common electrode in the region where the protrusion is formed has a high resistance, and the voltage drop in the region of the pixel electrode or the common electrode where the resistance has been increased in the region where the protrusion is formed. The voltage applied to the liquid crystal layer may be controlled.

【0014】また、上記目的は、液晶を駆動するための
能動素子と、前記能動素子により駆動電圧が印加される
画素電極と、前記画素電極上に形成され、前記駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な方向に配向
する第1の配向膜とを有する第1の基板と;前記画素電
極と対向する共通電極と、前記共通電極上に形成され、
前記駆動電圧を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直
方向に配向する第2の配向膜とを有する第2の基板と;
前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された負
の誘電率異方性をもつ液晶層と、前記画素電極と前記第
1の配向膜との間、及び/又は、前記共通電極と前記第
2の配向膜との間に、前記駆動電圧を印加したときの液
晶分子の傾斜方向を規制する突起を有する液晶表示装置
において、前記画素電極と前記共通電極との間に前記駆
動電圧を印加したときに、前記突起が形成された領域の
前記液晶層に印加される電圧が液晶閾値電圧とほぼ同程
度若しくはそれ以下になるように、前記突起が形成され
た領域の前記液晶層に印加される前記電圧を制御するこ
とを特徴とする液晶表示装置の電圧制御方法によっても
達成される。
[0014] Further, the object is to provide an active element for driving a liquid crystal, a pixel electrode to which a driving voltage is applied by the active element, and a liquid crystal formed on the pixel electrode when the driving voltage is not applied. A first substrate having a first alignment film for orienting molecules in a direction perpendicular to the film surface; a common electrode facing the pixel electrode; and a common electrode formed on the common electrode;
A second substrate having a second alignment film for aligning liquid crystal molecules in a direction perpendicular to the film surface when the drive voltage is not applied;
A liquid crystal layer having a negative dielectric anisotropy sealed between the first substrate and the second substrate, between the pixel electrode and the first alignment film, and / or In a liquid crystal display device having a protrusion between a common electrode and the second alignment film for regulating a tilt direction of liquid crystal molecules when the driving voltage is applied, the liquid crystal display device has a structure in which the pixel electrode and the common electrode are disposed between the pixel electrode and the common electrode. When a driving voltage is applied, the liquid crystal in the region where the protrusions are formed is such that the voltage applied to the liquid crystal layer in the region where the protrusions are formed is substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. The present invention is also achieved by a voltage control method for a liquid crystal display device, wherein the voltage applied to a layer is controlled.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】[MVA方式の液晶表示装置の構
造]MVA方式の液晶表示装置の構造について図1及び
図2を用いて説明する。図1は本実施形態による液晶表
示装置における画素部の平面図、図2は図1のA−A′
線断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [Structure of MVA liquid crystal display device] The structure of an MVA liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of a pixel portion in the liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG.
It is a line sectional view.

【0016】図1及び図2に示すように、ガラス基板1
0上には、補助容量を形成するためのCS電極12と、
TFTのゲート電極を含むゲートバスライン14が形成
されている。CS電極12及びゲートバスライン14が
形成されたガラス基板10上には、ゲート絶縁膜16が
形成されている。ゲート絶縁膜16上には、TFTのチ
ャネル領域を構成する活性層18が形成されている。活
性層18が形成されたゲート絶縁膜16上には、活性層
18の一方の側に接続されたソース電極20と、活性層
18の他方の側に接続されたドレイン電極を含むドレイ
ンバスライン22とが形成されている。ソース電極20
及びドレインバスライン22が形成されたゲート絶縁膜
16上には、絶縁膜24が形成されている。絶縁膜24
上には、ソース電極20に接続された画素電極26が形
成されている。絶縁膜24上及び画素電極26上には、
ジグザグ状に屈曲して設けられた光透過性の材料よりな
る土手状突起物28が形成されている。画素電極26、
土手状突起物28が形成された絶縁膜24上には、液晶
分子を垂直方向に配向する配向膜30が形成されてい
る。
As shown in FIG. 1 and FIG.
0, a CS electrode 12 for forming a storage capacitor;
A gate bus line 14 including a TFT gate electrode is formed. On the glass substrate 10 on which the CS electrode 12 and the gate bus line 14 are formed, a gate insulating film 16 is formed. On the gate insulating film 16, an active layer 18 constituting a channel region of the TFT is formed. On the gate insulating film 16 on which the active layer 18 is formed, a source electrode 20 connected to one side of the active layer 18 and a drain bus line 22 including a drain electrode connected to the other side of the active layer 18 are formed. Are formed. Source electrode 20
An insulating film 24 is formed on the gate insulating film 16 on which the drain bus lines 22 are formed. Insulating film 24
On the top, a pixel electrode 26 connected to the source electrode 20 is formed. On the insulating film 24 and the pixel electrode 26,
A bank-like projection 28 made of a light-transmitting material is provided in a zigzag shape. Pixel electrode 26,
On the insulating film 24 on which the bank-like projections 28 are formed, an alignment film 30 for vertically aligning liquid crystal molecules is formed.

【0017】一方、ガラス基板40上には、ブラックマ
トリクス層42が形成されている。ブラックマトリクス
層42が形成されたガラス基板40上には、カラーフィ
ルタを形成する着色(CF)樹脂層46が形成されてい
る。着色樹脂層46上には、コモン電極48が形成され
ている。コモン電極48上には、基板10上に形成され
た土手状突起物28に対して半ピッチずらしてジグザグ
状に屈曲して設けられた光透過性の材料よりなる土手状
突起物50が形成されている。土手状突起物50が形成
されたコモン電極上には、液晶分子を垂直方向に配向す
る配向膜52が形成されている。
On the other hand, on the glass substrate 40, a black matrix layer 42 is formed. On the glass substrate 40 on which the black matrix layer 42 is formed, a coloring (CF) resin layer 46 forming a color filter is formed. A common electrode 48 is formed on the colored resin layer 46. On the common electrode 48, a bank-shaped protrusion 50 made of a light-transmitting material and formed in a zigzag shape and shifted by a half pitch with respect to the bank-shaped protrusion 28 formed on the substrate 10 is formed. ing. On the common electrode on which the bank-shaped protrusions 50 are formed, an alignment film 52 for aligning liquid crystal molecules in a vertical direction is formed.

【0018】このように構成されたガラス基板10(T
FT基板)及びガラス基板40(CF基板)は、配向膜
30、52が互いに向かい合うように対向して配置さ
れ、これら基板の間には誘電率異方性が負であるネガ型
の液晶材料60が封止される。こうして、MVA方式の
液晶表示装置が構成されている。本発明は、上述のよう
なMVA方式の液晶表示装置において、土手状突起物2
8、50上の液晶層60に印加される実質的な電圧を適
宜制御することにより、パネルの透過率向上を図るもの
である。すなわち、液晶表示装置の駆動電圧範囲におい
て土手状突起物28、50上の液晶層60に印加される
電圧を液晶閾値電圧とほぼ同程度若しくはそれ以下とな
るように制御することにより、土手状突起物28、50
上におけるくびれドメインの発生を抑制し、配向乱れに
よる透過率の低下を抑えるものである。
The glass substrate 10 (T
The FT substrate) and the glass substrate 40 (CF substrate) are arranged to face each other so that the alignment films 30 and 52 face each other, and a negative liquid crystal material 60 having a negative dielectric anisotropy is disposed between these substrates. Is sealed. Thus, an MVA liquid crystal display device is configured. The present invention relates to an MVA type liquid crystal display device as described above, wherein
By appropriately controlling the substantial voltage applied to the liquid crystal layer 60 on the layers 8 and 50, the transmittance of the panel is improved. That is, the voltage applied to the liquid crystal layer 60 on the bank-like projections 28 and 50 in the driving voltage range of the liquid crystal display device is controlled so as to be substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. Thing 28, 50
It suppresses the occurrence of a constricted domain on the upper side and suppresses a decrease in transmittance due to alignment disorder.

【0019】液晶分子のチルト角は、図3に示すよう
に、印加電圧の増加とともに減少し、これとともにくび
れドメインは増大する。すなわち、液晶層に印加される
電圧を低くできれば、特に、液晶閾値電圧よりも低い電
圧まで低下することができれば、液晶分子の倒れ込みが
十分に抑えられ、くびれドメインも軽微なものに抑えら
れる。したがって、土手状突起物上の液晶分子に選択的
にこのような電圧が印加されるように液晶表示装置の装
置パラメータを制御することにより、パネルの透過率を
向上することができる。
As shown in FIG. 3, the tilt angle of the liquid crystal molecule decreases as the applied voltage increases, and the constricted domain increases with the increase in the applied voltage. That is, if the voltage applied to the liquid crystal layer can be reduced, particularly if the voltage can be lowered to a voltage lower than the liquid crystal threshold voltage, the collapse of the liquid crystal molecules can be sufficiently suppressed, and the constricted domain can be suppressed to a small value. Therefore, by controlling the device parameters of the liquid crystal display device so that such a voltage is selectively applied to the liquid crystal molecules on the bank-like projections, the transmittance of the panel can be improved.

【0020】土手状突起物上の液晶分子に選択的に異な
る電圧を印加する手法としては種々の方法が考えられる
が、例えば、土手状突起物の高さを所定の高さに規定す
る方法、配向膜の膜厚を所定の膜厚に規定する方法、土
手状突起物上の配向膜の垂直配向能を選択的に高める方
法、土手状突起物と電極との間に高抵抗電極層を介在さ
せる方法などが考えられる。
There are various methods for selectively applying different voltages to the liquid crystal molecules on the bank-like projections. For example, there are a method for defining the height of the bank-like projections at a predetermined height, A method for regulating the thickness of the alignment film to a predetermined thickness, a method for selectively increasing the vertical alignment ability of the alignment film on the bank-like projection, and a high-resistance electrode layer interposed between the bank-like projection and the electrode There is a method for causing the above to occur.

【0021】以下、上記手段を達成するための実施形態
をそれぞれ詳述する。 [第1実施形態]本発明の第1実施形態による液晶表示
装置について図3を用いて説明する。図4は本実施形態
による液晶表示装置の構造を説明する部分断面図及び回
路図である。
Hereinafter, embodiments for achieving the above means will be described in detail. [First Embodiment] The liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. FIG. 4 is a partial sectional view and a circuit diagram illustrating the structure of the liquid crystal display device according to the present embodiment.

【0022】土手状突起物上の液晶層に印加される電圧
は、土手状突起物によってある程度減衰されるが、土手
状突起物の高さが低いと電圧の減衰幅は小さいため、液
晶の倒れ込みは大きくなり、ドメインは強く出て土手外
へ配向乱れを誘発する。一方、土手状突起物の高さが十
分高いと電圧の減衰幅は大きくなるため液晶の倒れ込み
は小さくなり、くびれドメインは軽微なものに抑えられ
て土手外へ配向乱れを誘発しにくくなる。また、液晶層
に印加される電圧が液晶閾値電圧とほぼ同程度より低く
なると、図3に示すように、パネルの透過率の改善は飽
和に達する。したがって、土手状突起物上の液晶層に印
加される電圧が液晶閾値電圧若しくはそれ以下となるよ
うに制御することにより、くびれドメインは軽微なもの
に抑えられる。
The voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections is attenuated to some extent by the bank-like projections. However, if the height of the bank-like projections is low, the voltage attenuation width is small, and the liquid crystal falls. Becomes large, and the domain emerges strongly and induces misalignment out of the bank. On the other hand, if the height of the bank-like projections is sufficiently high, the attenuation width of the voltage becomes large, so that the tilting of the liquid crystal becomes small, and the constricted domain is suppressed to a small one, which makes it difficult to induce alignment disturbance outside the bank. When the voltage applied to the liquid crystal layer becomes lower than the liquid crystal threshold voltage, the improvement of the transmittance of the panel reaches saturation as shown in FIG. Therefore, by controlling the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-shaped projections to be equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage, the constricted domain can be suppressed to a small value.

【0023】そこで、本実施形態では、土手状突起物を
所定の高さにすることにより、土手状突起物上の液晶層
に印加される電圧を液晶閾値電圧若しくはそれ以下とな
るように制御した液晶表示装置について説明する。図2
に示す液晶表示装置において、土手状突起物が形成され
た領域は、図4(a)に示すような断面構造となってい
る。すなわち、画素電極26とコモン電極48とが液晶
60を封止した状態で対向して配置されており、画素電
極26上には土手状突起物28が形成されている。な
お、コモン電極48上にも土手状突起物が形成される領
域は存在するが、画素電極26上に形成される場合と異
なるところはないのでここでは省略する。
Therefore, in the present embodiment, the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-shaped projection is controlled to be equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage by setting the bank-shaped projection to a predetermined height. The liquid crystal display will be described. FIG.
In the liquid crystal display device shown in FIG. 4, the region where the bank-shaped protrusions are formed has a cross-sectional structure as shown in FIG. That is, the pixel electrode 26 and the common electrode 48 are opposed to each other while sealing the liquid crystal 60, and the bank-like projection 28 is formed on the pixel electrode 26. Although a region where a bank-shaped protrusion is formed also exists on the common electrode 48, there is no difference from the case where the bank-shaped protrusion is formed on the pixel electrode 26, and thus description thereof is omitted here.

【0024】このような構造において、画素電極26と
コモン電極48との間に構成される電気回路を考える
と、図4(b)に示すように、液晶層60と土手状突起
物28はそれぞれ抵抗とコンデンサとを組み合わせた合
成回路と見なすことができる。ここで、Rlcは液晶層の
抵抗、Rrは土手状突起物の抵抗、Clcは液相層の静電
容量、Crは土手状突起物の静電容量である。
In such a structure, considering an electric circuit formed between the pixel electrode 26 and the common electrode 48, as shown in FIG. 4B, the liquid crystal layer 60 and the bank-like projection 28 are respectively formed. It can be regarded as a combination circuit combining a resistor and a capacitor. Here, R lc is the liquid crystal layer resistance, R r is the resistance of the bank-like projections, the C lc capacitance of the liquid phase layer, is C r is the capacitance of the bank-like projections.

【0025】図4(b)の回路において、交流印加時に
おける液晶層60と土手状突起物28の抵抗値が十分に
高い場合を考慮すると、抵抗回路に流れる電流は微量で
あり、無視できるレベルとなる。従って、図4(a)に
示す断面構造の等価回路は、図4(c)に示すようなコ
ンデンサの直列接続と近似することができるので、液晶
表示装置の駆動電圧をVとすると、突起物上の液晶層に
印加される電圧Vlcは次式によって求められる。
In the circuit shown in FIG. 4B, considering the case where the resistance values of the liquid crystal layer 60 and the bank-like projections 28 are sufficiently high when AC is applied, the current flowing through the resistance circuit is very small and can be ignored. Becomes Therefore, the equivalent circuit of the sectional structure shown in FIG. 4A can be approximated to the series connection of capacitors as shown in FIG. 4C. The voltage V lc applied to the upper liquid crystal layer is obtained by the following equation.

【0026】 Vlc={Cr/(Cr+Clc)}V …(1) 静電容量Clc、Crは、液晶層の比誘電率をεlc、土手
状突起物の比誘電率をεr、真空誘電率をε0、土手状突
起物の形成領域の面積をS、液晶層の厚さをd lc、土手
状突起物の厚さをdrとすると、 Clc=ε0εlcS/dlc、Cr=ε0εrS/dr …(2) として表されるので、式(2)を式(1)に代入すると
以下のようになる。
Vlc= {Cr/ (Cr+ Clc)} V (1) Capacitance Clc, CrSets the relative dielectric constant of the liquid crystal layer to εlc,bank
Let the relative permittivity ofr, The vacuum permittivity is ε0, Embankment
The area of the formation area of the origin is S, and the thickness of the liquid crystal layer is d. lc,bank
Let d be the thickness of the projectionrThen Clc= Ε0εlcS / dlc, Cr= Ε0εrS / dr .. (2) is substituted into equation (1).
It looks like this:

【0027】 Vlc={εrlc/(εrlc+εlcr)}V …(3) 従って、土手状突起物上の液晶層に印加される電圧Vlc
は液晶層と土手状突起物の誘電率、厚さによって規定す
ることができ、液晶層の誘電率と液晶パネルの厚さが決
まれば、土手状突起物により電圧Vlcを液晶閾値電圧と
ほぼ同程度若しくはそれ以下となるように制御すること
ができる。
[0027] V lc = {ε r d lc / (ε r d lc + ε lc d r)} V ... (3) Therefore, the voltage V lc applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections
Can be defined by the dielectric constant and the thickness of the liquid crystal layer and the bank-shaped protrusions. Once the dielectric constant of the liquid crystal layer and the thickness of the liquid crystal panel are determined, the voltage V lc is approximately equal to the liquid crystal threshold voltage by the bank-shaped protrusions. It can be controlled to be equal to or less than that.

【0028】また、式(3)は、樹脂膜の誘電率と膜厚
の双方を含むものであり、いずれか一方又は双方を制御
することにより透過率の最適化を図ることができる。例
えば、土手状突起物を形成するための樹脂膜によっては
厚膜塗布を行うと均一性が損なわれたりパターン形成が
困難になるものもあるが、膜厚と誘電率とを組み合わせ
で制御すれば、膜厚をそれほど厚くせずに透過率を改善
することも可能である。
Equation (3) includes both the dielectric constant and the film thickness of the resin film, and the transmittance can be optimized by controlling one or both of them. For example, depending on the resin film for forming the bank-like projections, there is a case where the application of a thick film impairs the uniformity or makes it difficult to form a pattern, but if the thickness and the dielectric constant are controlled in combination, It is also possible to improve the transmittance without making the film thickness too large.

【0029】なお、土手状突起物の誘電率は配向制御を
行うため液晶の誘電率より小さい。また、土手状突起物
は、パターンの形成しやすさから高分子樹脂が用いられ
ることが多い。一方、高分子樹脂の誘電率は概ね2.0
以上であるが、液晶閾値電圧の近傍で負の誘電率異方性
をもつ液晶の誘電率は概ね3.0〜5.0の範囲にあ
り、土手状突起物に用いる高分子樹脂の誘電率は2.0
〜5.0の範囲となる。また、液晶閾値電圧は概ね2.
0〜3.0Vである。したがって、これらの値を式
(3)に代入することにより上記条件を満たす土手状突
起物の膜厚drの範囲を求めると、土手状突起物の膜厚
rは、液晶パネルの厚さdの比において、 0.3≦dr/d≦0.6 となる。
The dielectric constant of the bank-shaped projection is smaller than the dielectric constant of the liquid crystal for controlling the alignment. In addition, a polymer resin is often used for the bank-like projections because of the ease of pattern formation. On the other hand, the dielectric constant of the polymer resin is approximately 2.0.
As described above, the dielectric constant of the liquid crystal having a negative dielectric anisotropy in the vicinity of the liquid crystal threshold voltage is generally in the range of 3.0 to 5.0, and the dielectric constant of the polymer resin used for the bank-like projections Is 2.0
~ 5.0. The liquid crystal threshold voltage is approximately 2.
0-3.0V. Therefore, when determining the range of the film thickness d r of the conditions are satisfied bank-like projections by substituting these values into equation (3), the thickness d r of the bank-like projection is the liquid crystal panel thickness In the ratio of d, 0.3 ≦ d r /d≦0.6.

【0030】このように、本実施形態によれば、土手状
突起物上の液晶層に印加される電圧が液晶閾値電圧とほ
ぼ同程度若しくはそれ以下となるように土手状突起物の
膜厚を制御するので、土手状突起物上の液晶の倒れ込み
を小さくできる。これによりくびれドメインを軽微なも
のに抑えることができるので、土手外への配向乱れの誘
発による透過率の低下を抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, the thickness of the bank-like projection is adjusted so that the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projection is substantially equal to or less than the liquid crystal threshold voltage. Since the control is performed, the inclination of the liquid crystal on the bank-shaped protrusion can be reduced. As a result, the constricted domain can be suppressed to a small one, so that it is possible to suppress a decrease in transmittance due to the induction of alignment disorder outside the bank.

【0031】[第2実施形態]本発明の第2実施形態に
よる液晶表示装置について図5及び図6を用いて説明す
る。なお、図4に示す第1実施形態による液晶表示装置
と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略或
いは簡略にする。図5は本実施形態による液晶表示装置
の構造を説明する部分断面図及び回路図、図6は配向膜
の塗布膜厚とスピナーの回転数との関係を示すグラフで
ある。
[Second Embodiment] The liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention will be explained with reference to FIGS. The same components as those of the liquid crystal display device according to the first embodiment shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified. FIG. 5 is a partial sectional view and a circuit diagram for explaining the structure of the liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG. 6 is a graph showing the relationship between the coating film thickness of the alignment film and the rotation speed of the spinner.

【0032】本実施形態では、土手状突起物上に形成さ
れた配向膜によって突起物上の液晶層に印加される電圧
を液晶閾値電圧若しくはそれ以下となるように制御した
液晶表示装置について説明する。配向膜は、通常液晶層
や土手状突起物に比べてその膜厚が十分に薄いため、配
向膜によって減衰される電圧成分は一般には小さい。こ
のため、第1実施形態による液晶表示装置では配向膜に
関して考慮しなかったが、配向膜の膜厚を厚く塗布する
場合にはその値は無視できないものとなり、土手状突起
物と同様に液晶層に印加される電圧Vlcを制御する因子
となりうる。
In the present embodiment, a description will be given of a liquid crystal display device in which the voltage applied to the liquid crystal layer on the protrusions is controlled to be equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage by an alignment film formed on the bank-like protrusions. . Since the thickness of the alignment film is usually sufficiently smaller than that of the liquid crystal layer or the bank-shaped protrusions, the voltage component attenuated by the alignment film is generally small. For this reason, in the liquid crystal display device according to the first embodiment, no consideration was given to the alignment film. However, when the thickness of the alignment film is large, the value cannot be ignored. Can be a factor for controlling the voltage Vlc applied to.

【0033】この場合、土手状突起物が形成された領域
は、図5(a)に示すような断面構造となる。すなわ
ち、画素電極26とコモン電極48とが液晶60を封止
した状態で対向して配置されており、画素電極26上に
は土手状突起物28が形成され、土手状突起物28上に
は配向膜30が形成されている。このような構造におい
て、画素電極26とコモン電極48との間に構成される
電気回路を考えると、第1実施形態で示したように、等
価回路は液晶層60によって構成されるコンデンサと、
配向膜30によって構成されるコンデンサと、土手状突
起物28によって構成されるコンデンサとの直列接続と
なる(図5(b))。したがって、配向膜上の液晶層に
印加される電圧Vlcは、 Vlc={εalεrlc/(εrεlcal+εalεrlc+εlcεalr)}V …(4) となる。なお、εalは配向膜の比誘電率を、dalは配向
膜の膜厚である。
In this case, the area where the bank-shaped projections are formed has a sectional structure as shown in FIG. That is, the pixel electrode 26 and the common electrode 48 are arranged to face each other in a state where the liquid crystal 60 is sealed, and a bank-like protrusion 28 is formed on the pixel electrode 26, and the bank-like protrusion 28 is formed on the bank-like protrusion 28. An alignment film 30 is formed. In such a structure, considering an electric circuit formed between the pixel electrode 26 and the common electrode 48, as shown in the first embodiment, the equivalent circuit includes a capacitor formed by the liquid crystal layer 60,
A capacitor composed of the alignment film 30 and a capacitor composed of the bank-like projections 28 are connected in series (FIG. 5B). Therefore, the voltage V lc applied to the liquid crystal layer on the alignment film, V lc = {ε al ε r d lc / (ε r ε lc d al + ε al ε r d lc + ε lc ε al d r)} V ... (4) Here, ε al is the relative dielectric constant of the alignment film, and d al is the thickness of the alignment film.

【0034】したがって、土手状突起物上の液晶層に印
加される電圧Vlcは配向膜の膜厚や誘電率によっても制
御することができ、これにより、土手状突起物上の液晶
層に印加される電圧Vlcを液晶閾値電圧とほぼ同程度若
しくはそれ以下に設定することが可能となる。但し、配
向膜の誘電率が液晶のそれと異なると焼き付きなどの現
象が出やすくなるため、透過率の制御は配向膜の膜厚を
厚くすることにより行うことが望ましい。また、土手状
突起物上以外の配向膜まで厚くしてしまうと駆動電圧が
全体的に低電圧側にシフトして透過率の低下につながる
ため、土手状突起物上の配向膜のみを選択的に厚くする
ことが望ましい。
Therefore, the voltage V lc applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections can be controlled also by the film thickness and the dielectric constant of the alignment film. This makes it possible to set the applied voltage Vlc to be substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. However, if the dielectric constant of the alignment film is different from that of the liquid crystal, a phenomenon such as image sticking is likely to occur. Therefore, it is desirable to control the transmittance by increasing the thickness of the alignment film. Also, if the thickness of the alignment film other than on the bank-like protrusions is increased, the driving voltage is shifted to a lower voltage side as a whole, leading to a decrease in transmittance. Therefore, only the alignment film on the bank-like protrusions is selectively used. It is desirable to make it thicker.

【0035】配向膜は、通常、スピンコート法により形
成されており、配向膜の膜厚はスピナーの回転数によっ
て制御することができる。例えば、図6に示すように、
配向膜の塗布膜厚はスピナーの回転数の増加とともに薄
くなる傾向にあり、例えば従来用いられている80nm
の塗布膜厚を得るためには、約1500rpmの回転数
で塗布すればよい。
The alignment film is usually formed by spin coating, and the thickness of the alignment film can be controlled by the rotation speed of the spinner. For example, as shown in FIG.
The coating film thickness of the alignment film tends to decrease with an increase in the rotation speed of the spinner.
In order to obtain a coating film thickness of, coating may be performed at a rotation speed of about 1500 rpm.

【0036】また、配向膜の膜厚を選択的に厚くする方
法には様々な方法が考えられるが、例えば、所定の膜厚
の配向膜を全面に形成し、次いでリソグラフィーにより
土手状突起物上の配向膜のみを残存するように配向膜を
パターニングし、その後、全面に配向膜を再度塗布する
ことにより、土手状突起物上の膜厚が他の領域の膜厚よ
りも厚い配向膜を形成することができる。
Various methods are conceivable for selectively increasing the thickness of the alignment film. For example, an alignment film having a predetermined thickness is formed on the entire surface and then formed on the bank-like projections by lithography. The alignment film is patterned so that only the alignment film remains, and then the alignment film is applied again on the entire surface to form an alignment film in which the thickness on the bank-like projections is larger than the thickness in other regions. can do.

【0037】このように、本実施形態によれば、土手状
突起物上の液晶層に印加される電圧が液晶閾値電圧とほ
ぼ同程度若しくはそれ以下となるように配向膜の膜厚を
制御するので、土手状突起物上の液晶の倒れ込みを小さ
くできる。これによりくびれドメインを軽微なものに抑
えることができるので、土手外への配向乱れの誘発によ
る透過率の低下を抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, the thickness of the alignment film is controlled so that the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections is substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. Therefore, the inclination of the liquid crystal on the bank-like projections can be reduced. As a result, the constricted domain can be suppressed to a small one, so that it is possible to suppress a decrease in transmittance due to the induction of alignment disorder outside the bank.

【0038】なお、上記実施形態では配向膜のみを制御
する場合について記載したが、配向膜と土手状突起物の
双方を制御することにより土手状突起物上の液晶層に印
加される電圧が液晶閾値電圧とほぼ同程度若しくはそれ
以下となるようにしてもよい。 [第3実施形態]本発明の第3実施形態による液晶表示
装置について図7及び図8を用いて説明する。なお、図
4乃至図6に示す第1及び第2実施形態による液晶表示
装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省
略或いは簡略にする。
In the above embodiment, the case where only the alignment film is controlled has been described. However, by controlling both the alignment film and the bank-like protrusion, the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like protrusion is controlled by the liquid crystal. The threshold voltage may be substantially equal to or lower than the threshold voltage. [Third Embodiment] The liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention will be explained with reference to FIGS. The same components as those of the liquid crystal display device according to the first and second embodiments shown in FIGS. 4 to 6 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.

【0039】図7は本実施形態による液晶表示装置の構
造を説明する部分断面図、図8は垂直配向能の変化に伴
う液晶閾値電圧の変化を示すグラフである。本実施形態
では、配向膜の垂直配向能を制御することにより、突起
物上の液晶層に印加される電圧を液晶閾値電圧若しくは
それ以下となるように制御した液晶表示装置について説
明する。
FIG. 7 is a partial sectional view for explaining the structure of the liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG. 8 is a graph showing a change in the liquid crystal threshold voltage with a change in the vertical alignment capability. In the present embodiment, a liquid crystal display device in which the voltage applied to the liquid crystal layer on the protrusion is controlled to be equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage by controlling the vertical alignment ability of the alignment film.

【0040】液晶層の配向性は、配向膜の有する垂直配
向能に依存する。すなわち、配向膜の垂直配向能が高い
ほどに液晶分子の配向膜へのアンカリングが強くなり、
電圧印加に対して配向しにくくなる。したがって、土手
状突起物上の配向膜の垂直配向能を選択的に高めること
により、土手状突起物上の液晶層を選択的に配向しにく
くすることができる。
The alignment of the liquid crystal layer depends on the vertical alignment capability of the alignment film. That is, the higher the vertical alignment capability of the alignment film, the stronger the anchoring of the liquid crystal molecules to the alignment film,
It becomes difficult to orient to voltage application. Therefore, by selectively increasing the vertical alignment ability of the alignment film on the bank-like projection, it is possible to make it difficult to selectively align the liquid crystal layer on the bank-like projection.

【0041】すなわち、図7に示すように、土手状突起
物28が形成された領域に、垂直配向能を高めた配向膜
30a、52aを選択的に形成することにより、土手状
突起物28上の液晶層60に印加される電圧が液晶閾値
電圧とほぼ同程度若しくはそれ以下となるように制御す
ることができる。配向膜の垂直配向能は、配向膜の構成
材料中に、垂直配向成分(側鎖に長いアルキル基をもつ
ポリイミド)を多く配合することにより液晶分子の垂直
配向性を高めることができる。例えば、従来の配向膜よ
りも垂直配向成分を約30%増加した配向膜を構成する
ことにより、図8に示すように、透過率が飽和量の約1
0%となる電圧、すなわち液晶分子の閾値電圧を、約
4.1Vから約6.0Vまで高めることができた。
That is, as shown in FIG. 7, by selectively forming the alignment films 30a and 52a having enhanced vertical alignment ability in the region where the bank-like projections 28 are formed, Can be controlled so that the voltage applied to the liquid crystal layer 60 is substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. The vertical alignment ability of the alignment film can be improved by blending a large amount of a vertical alignment component (a polyimide having a long alkyl group in a side chain) into a constituent material of the alignment film. For example, by forming an alignment film in which the vertical alignment component is increased by about 30% as compared with the conventional alignment film, the transmittance becomes approximately 1% of the saturation amount as shown in FIG.
The voltage at which the voltage becomes 0%, that is, the threshold voltage of the liquid crystal molecules was increased from about 4.1 V to about 6.0 V.

【0042】このように土手状突起物上の配向膜の垂直
配向能を高めることにより、土手状突起物が形成された
領域では同じ電圧を印加しても液晶は倒れ込み難くな
り、土手状突起物上の液晶層のみ液晶閾値電圧は高電圧
側にシフトする。そのため、駆動電圧を減衰させなくて
も突起物上の液晶層に印加される電圧を液晶閾値電圧と
ほぼ同程度若しくはそれ以上となるように制御すること
ができる。
As described above, by increasing the vertical alignment ability of the alignment film on the bank-like projections, the liquid crystal is unlikely to fall down in the region where the bank-like projections are formed even when the same voltage is applied, and Only in the upper liquid crystal layer, the liquid crystal threshold voltage shifts to the higher voltage side. Therefore, the voltage applied to the liquid crystal layer on the protrusion can be controlled to be substantially equal to or higher than the liquid crystal threshold voltage without attenuating the drive voltage.

【0043】なお、配向膜の垂直配向能を選択的に高め
る方法には様々な方法が考えられるが、例えば、垂直配
向能の高い配向膜を全面に形成し、次いで通常のリソグ
ラフィー技術により土手状突起物上の配向膜のみを残存
するように配向膜をパターニングし、その後、全面に垂
直配向能の低い配向膜を再度塗布することにより、土手
状突起物上の垂直配向能が他の領域の垂直配向能よりも
高い配向膜を形成することができる。
Various methods are conceivable for selectively increasing the vertical alignment capability of the alignment film. For example, an alignment film having a high vertical alignment capability is formed on the entire surface, and then a bank-like shape is formed by ordinary lithography. The alignment film is patterned so that only the alignment film on the protrusion remains, and then, an alignment film having a low vertical alignment capability is applied again on the entire surface, so that the vertical alignment capability on the bank-like projections is in other regions. It is possible to form an alignment film higher than the vertical alignment ability.

【0044】このように、本実施形態によれば、土手状
突起物上の液晶層に印加される電圧が液晶閾値電圧とほ
ぼ同程度若しくはそれ以下となるように配向膜の垂直配
向能を制御するので、土手状突起物上の液晶の倒れ込み
を小さくできる。これによりくびれドメインを軽微なも
のに抑えることができるので、土手外への配向乱れの誘
発による透過率の低下を抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, the vertical alignment ability of the alignment film is controlled so that the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections is substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. Therefore, the inclination of the liquid crystal on the bank-shaped protrusion can be reduced. As a result, the constricted domain can be suppressed to a small one, so that it is possible to suppress a decrease in transmittance due to the induction of alignment disorder outside the bank.

【0045】[第4実施形態]本発明の第4実施形態に
よる液晶表示装置について図9及び図10を用いて説明
する。なお、図4乃至図8に示す第1乃至第3実施形態
による液晶表示装置と同様の構成要素には同一の符号を
付し、説明を省略或いは簡略にする。図9は本実施形態
による液晶表示装置の構造を説明する部分断面図及び回
路図、図10はITO膜の抵抗値と成膜時の酸素分圧と
の関係を示すグラフである。
[Fourth Embodiment] The liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention will be explained with reference to FIGS. The same components as those of the liquid crystal display device according to the first to third embodiments shown in FIGS. 4 to 8 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified. FIG. 9 is a partial sectional view and a circuit diagram for explaining the structure of the liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG. 10 is a graph showing the relationship between the resistance value of the ITO film and the oxygen partial pressure during film formation.

【0046】本実施形態では、土手状突起物と電極との
間に高抵抗電極層を設け、高抵抗電極層の抵抗値を制御
することにより、突起物上の液晶層に印加される電圧を
液晶閾値電圧若しくはそれ以下となるように制御した液
晶表示装置について説明する。一般に、画素電極やコモ
ン電極に用いられる電極材料の抵抗は十分小さいもので
あり、これら電極によって減衰する電圧成分は無視して
考えている。しかし、電極抵抗を大きくすることにより
その値は無視できないものとなり、土手状突起物上の液
晶層に印加される電圧Vlcを制御する因子となりうる。
また、土手状突起物下の領域の電極部分を選択的に高抵
抗化処理を施したり、土手状突起物と電極との間に高抵
抗の電極層を介在させることとすれば、このように形成
した高抵抗層によって土手状突起物上の液晶層に印加さ
れる電圧Vlcを制御することもできる。
In this embodiment, a high-resistance electrode layer is provided between the bank-shaped protrusions and the electrodes, and the resistance applied to the high-resistance electrode layers is controlled to reduce the voltage applied to the liquid crystal layer on the protrusions. A liquid crystal display device controlled to have a liquid crystal threshold voltage or lower will be described. In general, the resistance of the electrode material used for the pixel electrode and the common electrode is sufficiently small, and the voltage components attenuated by these electrodes are ignored. However, by increasing the electrode resistance, the value becomes nonnegligible , and can be a factor for controlling the voltage Vlc applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections.
In addition, if the electrode portion in the region below the bank-shaped protrusion is selectively subjected to a high resistance treatment, or if a high-resistance electrode layer is interposed between the bank-shaped protrusion and the electrode, such a case can be obtained in this manner. The voltage V lc applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections can be controlled by the formed high resistance layer.

【0047】この場合、土手状突起物が形成された領域
は、図9(a)に示すような断面構造となる。すなわ
ち、画素電極26とコモン電極48とが液晶60を封止
した状態で対向して配置されており、画素電極26上に
は土手状突起物28が形成され、土手状突起物28と画
素電極26との間には高抵抗電極層64が形成されてい
る。
In this case, the region where the bank-shaped protrusions are formed has a cross-sectional structure as shown in FIG. That is, the pixel electrode 26 and the common electrode 48 are arranged to face each other in a state where the liquid crystal 60 is sealed, and the bank-like projection 28 is formed on the pixel electrode 26, and the bank-like projection 28 and the pixel electrode 26, a high resistance electrode layer 64 is formed.

【0048】このような構造において、画素電極26と
コモン電極48との間に構成される電気回路を考える
と、第1実施形態で示したように、等価回路は液晶層6
0によって構成されるコンデンサと、土手状突起物28
によって構成されるコンデンサと、高抵抗電極層64と
の直列接続となる(図9(b))。したがって、土手状
突起物上の液晶層に印加される電圧Vlcは、 Vlc={εrlc/(εrlc+εlcr)}(V−IRel) …(5) となる。なお、Relは高抵抗電極層の抵抗値、Iは電流
である。
In such a structure, considering an electric circuit formed between the pixel electrode 26 and the common electrode 48, as shown in the first embodiment, the equivalent circuit is the liquid crystal layer 6.
0 and a bank 28
Is connected in series with the high resistance electrode layer 64 (FIG. 9B). Therefore, the voltage V lc applied to the liquid crystal layer on the bank-like protrusions are, V lc = {ε r d lc / (ε r d lc + ε lc d r)} (V-IR el) ... (5) Become. Note that R el is the resistance value of the high resistance electrode layer, and I is the current.

【0049】従って、土手状突起物上の液晶層に印加さ
れる電圧Vlcは高抵抗電極層によっても制御することが
でき、これにより、土手状突起物上の液晶層に印加され
る電圧Vlcを液晶閾値電圧とほぼ同程度若しくはそれ以
下に設定することが可能となる。なお、画素電極やコモ
ン電極としてはITO膜などの透明電極材料が用いられ
ているが、ITO膜の場合、例えばスパッタによる成膜
時のガス分圧を制御することにより行うことにより抵抗
値を制御することができる。すなわち、図9に示すよう
に、Arガスに対するO2ガスのガス分圧(PO2
Ar)を増加するほどにITO膜の抵抗値が増加する関
係にあり、式(5)によって得られた抵抗値に基づいて
酸素分圧を求めることにより、所定の抵抗値の高抵抗電
極層を形成することができる。
Therefore, the voltage V lc applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections can be controlled by the high-resistance electrode layer, whereby the voltage V lc applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections can be controlled. It is possible to set lc to be substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. A transparent electrode material such as an ITO film is used for the pixel electrode and the common electrode. In the case of an ITO film, for example, the resistance value is controlled by controlling the gas partial pressure during film formation by sputtering. can do. That is, as shown in FIG. 9, the gas partial pressure of O 2 gas relative to Ar gas (P O2 /
The resistance value of the ITO film increases as the value of P Ar increases, and the oxygen partial pressure is determined based on the resistance value obtained by equation (5), whereby the high-resistance electrode layer having a predetermined resistance value is obtained. Can be formed.

【0050】また、高抵抗電極層を選択的に形成する方
法には様々な方法が考えられるが、例えば、土手状突起
物の形成予定領域を露出するレジストパターンを通常の
リソグラフィー技術により形成した後、全面に高抵抗の
ITO膜をスパッタ法により堆積し、次いでレジストパ
ターンをその上層のITO膜とともに除去し、土手状突
起物の形成予定領域のみにITO膜を残存させることに
より、土手状突起物の形成予定領域のみに選択的に高抵
抗電極層を形成することができる。
Various methods are conceivable for selectively forming the high-resistance electrode layer. For example, after a resist pattern exposing a region where a bank-like projection is to be formed is formed by ordinary lithography, By depositing a high-resistance ITO film on the entire surface by sputtering, and then removing the resist pattern together with the overlying ITO film and leaving the ITO film only in the region where the bank-like projection is to be formed, the bank-like projection is formed. It is possible to selectively form a high-resistance electrode layer only in a region in which is formed.

【0051】このように、本実施形態によれば、土手状
突起物上の液晶層に印加される電圧が液晶閾値電圧とほ
ぼ同程度若しくはそれ以下となるように高抵抗電極層の
抵抗値を制御するので、土手状突起物上の液晶の倒れ込
みを小さくできる。これによりくびれドメインを軽微な
ものに抑えることができるので、土手外への配向乱れの
誘発による透過率の低下を抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, the resistance value of the high-resistance electrode layer is adjusted so that the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections is substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. Since the control is performed, the inclination of the liquid crystal on the bank-shaped protrusion can be reduced. As a result, the constricted domain can be suppressed to a small one, so that it is possible to suppress a decrease in transmittance due to the induction of alignment disorder outside the bank.

【0052】なお、上記実施形態では高抵抗電極層の抵
抗値のみを制御する場合について記載したが、抵抗値と
土手状突起物の双方を制御することにより土手状突起物
上の液晶層に印加される電圧が液晶閾値電圧とほぼ同程
度若しくはそれ以下となるようにしてもよい。また、第
2実施形態に示したように、配向膜を更に考慮してもよ
い。
In the above embodiment, the case where only the resistance value of the high-resistance electrode layer is controlled has been described. However, by controlling both the resistance value and the bank-like projection, the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projection is controlled. The applied voltage may be approximately equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. Further, as described in the second embodiment, an alignment film may be further considered.

【0053】また、上記実施形態では、画素電極と土手
状突起物との間に高抵抗電極層を設けた場合について説
明したが、図11に示すように、画素電極26及びコモ
ン電極48の全体を高抵抗材料からなる画素電極26
a、コモン電極48aで形成する場合(図11
(a))、土手状突起物28が形成された領域の画素電
極28又はコモン電極48の一部の領域に高抵抗電極2
6bを形成する場合(図11(b))にも同様に適用す
ることができる。
In the above embodiment, the case where the high-resistance electrode layer is provided between the pixel electrode and the bank-shaped projection has been described. However, as shown in FIG. Is a pixel electrode 26 made of a high-resistance material.
a, when formed with the common electrode 48a (FIG. 11)
(A), the high-resistance electrode 2 is formed on a part of the pixel electrode 28 or the common electrode 48 in the area where the bank-shaped protrusion 28 is formed.
The same applies to the case of forming 6b (FIG. 11B).

【0054】また、画素電極又はコモン電極の一部を高
抵抗化する場合には、電極の膜厚を選択的に薄くした領
域26cを形成することによっても抵抗値を高めること
ができる(図11(c))。
When the resistance of a part of the pixel electrode or the common electrode is increased, the resistance can be increased by forming the region 26c in which the thickness of the electrode is selectively reduced (FIG. 11). (C)).

【0055】[0055]

【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。なお、実施
例における液晶表示装置の特性評価は、次のように作成
した評価パネルに基づいて行った。まず、評価基板上
に、アクリル系樹脂r1(εr1=3.2)又はアクリル
系樹脂r2(εr2=2.6)を用い、土手状突起物が交
互に配置されるように形成した。
Examples of the present invention will be described below. In addition, the characteristic evaluation of the liquid crystal display device in an Example was performed based on the evaluation panel created as follows. First, an acrylic resin r 1r1 = 3.2) or an acrylic resin r 2r2 = 2.6) is formed on the evaluation substrate so that bank-like projections are alternately arranged. did.

【0056】次いで、このように形成した土手状突起物
の表面をプラズマアッシングにより改質した。次いで、
スピナーにて垂直配向膜(εal=4.3)を塗布し、配
向膜の硬化後にセル組みを行った。セル組み後、負の誘
電率異方性をもつフッ素系液晶(εlc=4.15、Vth
=2.43)を注入してセル厚d=4.0μmの評価パ
ネルを作成した。
Next, the surface of the bank-like projection formed in this manner was modified by plasma ashing. Then
A vertical alignment film (ε al = 4.3) was applied by a spinner, and a cell was assembled after the alignment film was cured. After cell assembly, a fluorine-based liquid crystal having negative dielectric anisotropy (ε lc = 4.15, V th
= 2.43) to prepare an evaluation panel having a cell thickness d = 4.0 μm.

【0057】なお、以下の実施例中に示す比較例は従来
用いられていた条件にて土手状突起物を作成した評価パ
ネルであり、土手状突起物材料としてアクリル樹脂r1
を用い、膜厚1.4μmの土手状突起物、膜厚80nm
の配向膜を形成したものである。 [実施例1]アクリル系樹脂r1を用い、土手状突起物
の膜厚の異なる複数の評価パネルを上記の手順により作
成した。
The comparative example shown in the following examples is an evaluation panel in which a bank-like projection was prepared under the conditions conventionally used, and an acrylic resin r 1 was used as the bank-like projection material.
A 1.4 μm-thick bank-like projection, 80 nm thick
Is formed. Using Example 1 acrylic resin r 1, a plurality of evaluation panels with different thicknesses of the bank-like protrusions created by the above procedure.

【0058】液晶表示装置の駆動電圧の上限が5V程度
と考えた場合、土手状突起物上の液晶層に印加される電
圧が液晶閾値電圧とほぼ同程度又はそれ以下となる土手
状突起物の膜厚dr1は、式(3)に上記各値を代入する
ことにより、 Vlc=Vth≧{εr1lc/(εr1lc+εlcr1)}V 2.43≧{(3.2×(4−dr1))/(3.2×(4−dr1)+4.15×
r1}×5 と表される。したがって、この式を解くことにより、膜
厚dr1は、 dr1≧1.80μm と求められる。
When the upper limit of the driving voltage of the liquid crystal display device is considered to be about 5 V, the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projection is substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. the film thickness d r1, by substituting the above values into equation (3), V lc = V th ≧ {ε r1 d lc / (ε r1 d lc + ε lc d r1)} V 2.43 ≧ {(3.2 × (4-d r1 )) / (3.2 × (4-d r1 ) + 4.15 ×
It is represented as d r1 } × 5. Therefore, by solving this equation, the film thickness d r1 is obtained as d r1 ≧ 1.80 μm.

【0059】そこで、アクリル系樹脂r1からなる土手
状突起物の膜厚d1を1.4μm、1.6μm、1.8
μm、2.2μmとして、評価パネルを作成し、それぞ
れの透過率の測定及び配向観察を行った。その結果、評
価パネルの透過率は、図12に示すように、土手状突起
物の膜厚を増加することにより増加することが判った。
特に、上記の計算によって得られた1.8μm以上の膜
厚で土手状突起物を形成した場合には、駆動電圧印加時
における透過率が、膜厚1.4μmの場合と比較して約
6%(Tmax/Tmim=1.06)向上していた。
Therefore, the thickness d 1 of the bank-like projection made of the acrylic resin r 1 is set to 1.4 μm, 1.6 μm, and 1.8.
An evaluation panel was prepared with a thickness of μm and 2.2 μm, and the measurement of each transmittance and the orientation observation were performed. As a result, as shown in FIG. 12, the transmittance of the evaluation panel was found to increase by increasing the thickness of the bank-like projections.
In particular, when the bank-like projections are formed with the film thickness of 1.8 μm or more obtained by the above calculation, the transmittance when the driving voltage is applied is about 6 μm as compared with the case where the film thickness is 1.4 μm. % (Tmax / Tmim = 1.06).

【0060】また、配向観察を行った結果、図13に示
すように、土手状突起物の膜厚が薄いと土手状突起物上
のくびれドメインは顕著になり、くびれドメインを基点
とする土手外の配向乱れも大きくなっているが(図13
(a))、土手状突起物の膜厚の増加とともにくびれド
メインは減少し(図13(b))、土手状突起物の膜厚
が1.8μm以上になるとくびれドメインは軽微になり
くびれドメインを基点とする土手外の配向乱れが抑制さ
れていることが判った(図13(c))。
As a result of observation of the orientation, as shown in FIG. 13, when the thickness of the bank-like projection is small, the constricted domain on the bank-shaped projection becomes prominent, and the outside of the bank starting from the constricted domain is used. Although the orientation disorder of the
(A)), the constricted domain decreases with an increase in the thickness of the bank-like projection (FIG. 13B), and when the thickness of the bank-like projection becomes 1.8 μm or more, the constricted domain becomes small and the constricted domain It was found that the disturbance of the orientation outside the bank based on the base was suppressed (FIG. 13C).

【0061】以上の結果から、式(3)に基づいて得ら
れる土手状突起物膜厚以上で土手状突起物を形成するこ
とにより、突起物上の液晶に印加される電圧は液晶閾値
電圧以下となるため液晶の倒れ込みは小さく抑えられ、
くびれドメインは軽微なものとなることが明らかとなっ
た。 [実施例2]アクリル系樹脂r2を用い、土手状突起物
の膜厚の異なる複数の評価パネルを上記の手順により作
成した。
From the above results, the voltage applied to the liquid crystal on the protrusions is equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage by forming the bank-like protrusions with a thickness equal to or greater than the thickness of the protrusions obtained based on the equation (3). The tilt of the liquid crystal is kept small,
The constriction domain was found to be minor. [Example 2] Acrylic resin r 2, a plurality of evaluation panels with different thicknesses of the bank-like protrusions created by the above procedure.

【0062】液晶表示装置の駆動電圧の上限が5V程度
と考えた場合、土手状突起物上の液晶層に印加される電
圧が液晶閾値電圧とほぼ同程度又はそれ以下となる土手
状突起物の膜厚dr2は、式(3)に上記各値を代入する
ことにより、 Vlc=Vth≧{εr2lc/(εr2lc+εlcr2)}V 2.43≧{(2.6×(4−dr2))/(2.6×(4−dr2)+4.15×
r2}×5 と表される。したがって、この式を解くことにより、膜
厚dr2は、 dr2≧1.59μm と求められる。
When the upper limit of the driving voltage of the liquid crystal display device is considered to be about 5 V, the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections is substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. the film thickness d r2, by substituting the above values into equation (3), V lc = V th ≧ {ε r2 d lc / (ε r2 d lc + ε lc d r2)} V 2.43 ≧ {(2.6 × (4-d r2 )) / (2.6 × (4-d r2 ) + 4.15 ×
It is expressed as d r2 } × 5. Therefore, by solving this equation, the film thickness d r2 is obtained as d r2 ≧ 1.59 μm.

【0063】そこで、アクリル系樹脂r2からなる土手
状突起物の膜厚dr2を1.6μmとして評価パネルを作
成し、透過率の測定及び配向観察を行った。その結果、
評価パネルの透過率は、図14に示すように、アクリル
系樹脂r1を用いて1.4μm厚の土手状突起物を形成
した場合、及び、アクリル系樹脂r 1を用いて1.6μ
m厚の土手状突起物を形成した場合よりも増加すること
が判った。特に、アクリル系樹脂r1を用いて1.4μ
m厚の土手状突起物を形成した従来の条件と比較する
と、駆動電圧印加時における透過率は約6%向上してい
た。
Therefore, the acrylic resin rTwoEmbankment consisting of
Film thickness dr21.6 μm to make an evaluation panel
Then, the transmittance was measured and the orientation was observed. as a result,
As shown in FIG. 14, the transmittance of the evaluation panel
System resin1To form 1.4μm thick bank-like projections
And acrylic resin r 11.6μ using
Increased than when m-thick bank-shaped protrusions are formed
I understood. In particular, acrylic resin11.4μ using
Compared with the conventional condition of forming m-shaped bank-shaped protrusions
And the transmittance at the time of applying the driving voltage is improved by about 6%.
Was.

【0064】また、配向観察を行った結果、図13に示
す実施例1の場合と同様に、配向乱れが抑制されている
ことが判った。以上の結果から、式(3)に基づいて得
られる土手状突起物膜厚以上で土手状突起物を形成する
ことにより、突起物上の液晶に印加される電圧は液晶閾
値電圧以下となるため液晶の倒れ込みは小さく抑えら
れ、くびれドメインは軽微なものとなることが明らかと
なった。
As a result of observing the alignment, it was found that the alignment disorder was suppressed as in the case of Example 1 shown in FIG. From the above results, the voltage applied to the liquid crystal on the protrusions becomes equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage by forming the bank-like protrusions with the film thickness larger than the bank-like protrusion obtained based on the equation (3). It was clarified that the tilting of the liquid crystal was suppressed to a small level and the constricted domain was small.

【0065】[実施例3]アクリル系樹脂r1からなる
膜厚1.4μmの土手状突起物を有し、その上面が膜厚
の異なる配向膜で覆われた複数の評価パネルを上記の手
順により作成した。液晶表示装置の駆動電圧の上限が5
V程度と考えた場合、土手状突起物上の液晶層に印加さ
れる電圧が液晶閾値電圧とほぼ同程度又はそれ以下とな
る配向膜の膜厚dalは、式(4)に上記各値を代入する
ことにより、 Vlc={εalεrlc/(εrεlcal+εalεrlc
εlcεalr)}V 1.43≧{(4.3×2.6×(2.6−dal))/(3.2×4.15×dal
+4.3×3.2×(2.6−dal)+4.15×4.3×1.4)}×5 と表される。したがって、この式を解くことにより、膜
厚dalは、 dal≧460nm と求められる。
Example 3 A plurality of evaluation panels each having a 1.4 μm-thick bank-like projection made of an acrylic resin r 1 and having the upper surface covered with alignment films having different thicknesses were subjected to the above procedure. Created by The upper limit of the driving voltage of the liquid crystal display device is 5
When it is considered to be about V, the thickness d al of the alignment film at which the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections becomes substantially equal to or less than the liquid crystal threshold voltage is expressed by the above equation (4). V lc = ε al ε r d lc / (ε r ε lc d al + ε al ε r d lc +
ε lc ε al d r)} V 1.43 ≧ {(4.3 × 2.6 × (2.6-d al)) / (3.2 × 4.15 × d al
+ 4.3 × 3.2 × (2.6−d al ) + 4.15 × 4.3 × 1.4)} × 5 Therefore, by solving this equation, the film thickness d al is obtained as d al ≧ 460 nm.

【0066】そこで、アクリル系樹脂r1からなる膜厚
1.4μmの土手状突起物上に、土手状突起物上の膜厚
が約500nm、その他の領域の膜厚が約80nmであ
る配向膜が形成された評価パネルを作成し、透過率の測
定及び配向観察を行った。なお、膜厚を選択的に厚くし
た配向膜は、以下の手順により形成した。まず、土手状
突起物を形成した基板上に、500〜1000rpm程
度の条件で配向膜を重ね塗りして約420nmの膜厚の
配向膜を形成した。次いで、通常のリソグラフィー技術
により土手状突起物上の配向膜のみを残存するように配
向膜をパターニングした。その後、1500rpmの条
件で配向膜を再度全面に塗布した。こうして、土手状突
起物上の膜厚が約500nm、それ以外の領域の膜厚が
80nmである配向膜を形成した。
Therefore, an alignment film having a thickness of about 500 nm on the bank-shaped projections and a thickness of about 80 nm in other regions is formed on the 1.4 μm-thick bank-shaped projections made of the acrylic resin r 1. Was formed, and the transmittance was measured and the orientation was observed. The alignment film having a selectively increased thickness was formed by the following procedure. First, an alignment film having a thickness of about 420 nm was formed on the substrate on which the bank-like projections were formed by applying an alignment film repeatedly at about 500 to 1000 rpm. Next, the orientation film was patterned by a usual lithography technique so that only the orientation film on the bank-like projections remained. Thereafter, an alignment film was applied again on the entire surface under the condition of 1500 rpm. Thus, an alignment film having a thickness of about 500 nm on the bank-like projections and a thickness of 80 nm in other areas was formed.

【0067】このように作成した評価パネルの透過率を
測定した結果、図15に示すように、配向膜の膜厚を8
0nmとした従来の条件と比較して、駆動電圧印加時に
おける透過率は約6%向上していた。また、配向観察を
行った結果、図13に示す実施例1の場合と同様に、配
向乱れが抑制されていることが判った。
As a result of measuring the transmittance of the evaluation panel prepared as described above, as shown in FIG.
Compared with the conventional condition of 0 nm, the transmittance at the time of applying the driving voltage was improved by about 6%. Further, as a result of orientation observation, it was found that the orientation disorder was suppressed as in the case of Example 1 shown in FIG.

【0068】以上の結果から、式(4)に基づいて得ら
れる膜厚以上で配向膜を形成することにより、突起物上
の液晶に印加される電圧は液晶閾値電圧以下となるため
液晶の倒れ込みは小さく抑えられ、くびれドメインは軽
微なものとなることが明らかとなった。 [実施例4]アクリル系樹脂r1からなる膜厚1.4μ
mの土手状突起物を有し、突起形成領域の垂直配向能が
他の領域の垂直配向能とは異なる複数の評価パネルを上
記の手順により作成した。
From the above results, by forming the alignment film with a thickness not less than the thickness obtained based on the equation (4), the voltage applied to the liquid crystal on the protrusion becomes equal to or less than the liquid crystal threshold voltage, so that the liquid crystal falls. Was kept small, and the constriction domain was found to be minor. Consisting Example 4 Acrylic resin r 1 thickness 1.4μ
A plurality of evaluation panels having m bank-like projections and having a vertical alignment ability in the projection forming area different from that in the other areas were prepared by the above procedure.

【0069】すなわち、土手状突起物が形成された領域
の配向膜として、垂直配向成分(側鎖に長いアルキル基
をもつポリイミド成分)の混合比を約30%増加した配
向膜を選択的に形成した。なお、垂直配向能を選択的に
高めた配向膜は、まず、垂直配向能の高い配向膜を全面
に形成し、次いでリソグラフィーにより土手状突起物上
の配向膜のみを残存するように配向膜をパターニング
し、その後、全面に垂直配向能の低い配向膜を再度塗布
することにより形成した。
That is, as the alignment film in the region where the bank-like projections are formed, an alignment film in which the mixing ratio of the vertical alignment component (polyimide component having a long alkyl group in the side chain) is increased by about 30% is selectively formed. did. In addition, the alignment film in which the vertical alignment ability is selectively enhanced, first, an alignment film having a high vertical alignment ability is formed on the entire surface, and then the alignment film is formed by lithography such that only the alignment film on the bank-like projections remains. After patterning, an alignment film having a low vertical alignment ability was applied again on the entire surface to form a film.

【0070】このように形成した評価パネルについて透
過率の測定及び配向観察を行った。その結果、評価パネ
ルの透過率は、図16に示すように、垂直配向成分の混
合比を30%増加した配向膜を用いることにより、従来
の配向膜を用いた場合と比較して、駆動電圧印加時にお
ける透過率は約6%向上していた。また、配向観察を行
った結果、図13に示す実施例1の場合と同様に、配向
乱れが抑制されていることが判った。
The transmittance of the evaluation panel thus formed was measured and the orientation was observed. As a result, as shown in FIG. 16, the transmittance of the evaluation panel was higher than that in the case of using the conventional alignment film by using the alignment film in which the mixing ratio of the vertical alignment component was increased by 30%. The transmittance at the time of application was improved by about 6%. Further, as a result of orientation observation, it was found that the orientation disorder was suppressed as in the case of Example 1 shown in FIG.

【0071】以上の結果から、土手状突起物の形成領域
における配向膜の垂直配向能を選択的に高めることによ
り、突起物上の液晶に印加される電圧は液晶閾値電圧以
下となるため液晶の倒れ込みは小さく抑えられ、くびれ
ドメインは軽微なものとなることが明らかとなった。
[実施例5] アクリル系樹脂r1からなる膜厚1.4μmの土手状突
起物を有し、突起物下の電極の抵抗値が異なる複数の評
価パネルを上記の手順により作成した。
From the above results, by selectively increasing the vertical alignment ability of the alignment film in the region where the bank-like projections are formed, the voltage applied to the liquid crystal on the projections becomes equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. It was revealed that the collapse was kept small and the constricted domain was small.
Example 5 A plurality of evaluation panels having a 1.4 μm-thick bank-shaped protrusion made of an acrylic resin r 1 and having different resistance values of electrodes under the protrusion were prepared by the above procedure.

【0072】液晶表示装置の駆動電圧の上限が5V程度
と考えた場合、土手状突起物上の液晶層に印加される電
圧が液晶閾値電圧とほぼ同程度又はそれ以下となるに必
要な電極抵抗Relは、式(5)に上記各値を代入するこ
とにより、 Vlc={εrlc/(εrlc+εlcr)}(V−IR
el) 2.43≧{(3.2×2.6)/(3.2×2.6)+4.15×1.4}×(5−
IRel) と表される。したがって、この式を解くことにより、I
elは、 IRel≧0.866 [V] となる。ここで、駆動電源の周波数fを30Hz、突起
面積を1.0cm2×0.25とすると、電流IはI=
2πfCVと表されるので、 I=Ilc=2πfClclc=2×3.14×30×3.53×10-10×2.43 =1.62×10-7 [A] と求められる。したがって、電極抵抗Rは、 R≧5.34×106[Ω] と求められる。
Assuming that the upper limit of the driving voltage of the liquid crystal display device is about 5 V, the electrode resistance necessary for the voltage applied to the liquid crystal layer on the bank-like projections to be substantially equal to or less than the liquid crystal threshold voltage. R el, by substituting the above values into equation (5), V lc = { ε r d lc / (ε r d lc + ε lc d r)} (V-IR
el ) 2.43 ≧ {(3.2 × 2.6) / (3.2 × 2.6) + 4.15 × 1.4} × (5-
IR el ). Therefore, by solving this equation, I
R el becomes IR el ≧ 0.866 [V]. Here, assuming that the frequency f of the drive power supply is 30 Hz and the protrusion area is 1.0 cm 2 × 0.25, the current I is I =
Since denoted 2PaifCV, obtained as I = I lc = 2πfC lc V lc = 2 × 3.14 × 30 × 3.53 × 10 -10 × 2.43 = 1.62 × 10 -7 [A]. Therefore, the electrode resistance R is determined as R ≧ 5.34 × 10 6 [Ω].

【0073】そこで、アクリル系樹脂r1からなる膜厚
1.4μmの土手状突起物下の電極の抵抗値を5×10
6Ωとした評価パネルを作成し、透過率の測定及び配向
観察を行った。その結果、評価パネルの透過率は、図1
7に示すように、電極抵抗を5×10 -5Ωとした従来の
条件と比較して、駆動電圧印加時における透過率は約6
%向上していた。
Therefore, the acrylic resin r1Consisting of
The resistance value of the electrode under the 1.4 μm bank-like projection is 5 × 10
6Create an evaluation panel with Ω, measure transmittance and orientation
Observations were made. As a result, the transmittance of the evaluation panel was as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, the electrode resistance was 5 × 10 -FiveConventional Ω
Compared to the conditions, the transmittance when the driving voltage is applied is about 6
% Had improved.

【0074】また、配向観察を行った結果、図13に示
す実施例1の場合と同様に、配向乱れが抑制されている
ことが判った。以上の結果から、式(5)に基づいて得
られる抵抗値以上の電極を土手状突起物下に形成するこ
とにより、突起物上の液晶に印加される電圧は液晶閾値
電圧以下となるため液晶の倒れ込みは小さく抑えられ、
くびれドメインは軽微なものとなることが明らかとなっ
た。
As a result of observing the orientation, it was found that the disorder of the orientation was suppressed as in the case of Example 1 shown in FIG. From the above results, by forming an electrode having a resistance value or more based on the equation (5) below the bank-shaped protrusion, the voltage applied to the liquid crystal on the protrusion becomes equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. Is kept small,
The constriction domain was found to be minor.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、液晶を駆
動するための能動素子と、能動素子により駆動電圧が印
加される画素電極と、画素電極上に形成され、駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な方向に配向
する第1の配向膜とを有する第1の基板と;画素電極と
対向する共通電極と、共通電極上に形成され、駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直方向に配向す
る第2の配向膜とを有する第2の基板と;第1の基板と
第2の基板との間に封入された負の誘電率異方性をもつ
液晶層と、画素電極と第1の配向膜との間、及び/又
は、共通電極と第2の配向膜との間に、駆動電圧を印加
したときの液晶分子の傾斜方向を規制する突起とを有す
る液晶表示装置において、画素電極と共通電極との間に
駆動電圧を印加したときに、突起が形成された領域の液
晶層に印加される電圧を、液晶閾値電圧とほぼ同程度若
しくはそれ以下になるように制御するので、突起上にお
けるくびれドメインの発生や液晶配向の乱れを防止する
ことができる。また、液晶配向乱れに伴うパネルの透過
率の低下を抑制することができる。
As described above, according to the present invention, an active element for driving a liquid crystal, a pixel electrode to which a drive voltage is applied by the active element, and a drive voltage not applied are formed on the pixel electrode. A first substrate having a first alignment film for orienting liquid crystal molecules in a direction perpendicular to the film surface; a common electrode facing the pixel electrode; and a drive electrode formed on the common electrode without applying a driving voltage. A second substrate having a second alignment film for aligning liquid crystal molecules in a direction perpendicular to the film surface; and a negative dielectric anisotropy sealed between the first substrate and the second substrate. Between the liquid crystal layer and the pixel electrode and the first alignment film, and / or between the common electrode and the second alignment film, to control the tilt direction of liquid crystal molecules when a driving voltage is applied. Drive voltage was applied between the pixel electrode and the common electrode in the liquid crystal display device having In this case, the voltage applied to the liquid crystal layer in the region where the protrusions are formed is controlled so as to be substantially equal to or lower than the liquid crystal threshold voltage. Can be prevented. Further, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the panel due to the disorder of the liquid crystal alignment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】MVA方式の液晶表示装置の構造を示す平面図
である。
FIG. 1 is a plan view showing a structure of an MVA liquid crystal display device.

【図2】MVA方式の液晶表示装置の構造を示す概略断
面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a structure of an MVA type liquid crystal display device.

【図3】液晶分子のチルト角と印加電圧との関係を示す
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing a relationship between a tilt angle of liquid crystal molecules and an applied voltage.

【図4】本発明の第1実施形態による液晶表示装置の構
造を示す部分断面図及び回路図である。
FIG. 4 is a partial sectional view and a circuit diagram showing a structure of the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施形態による液晶表示装置の構
造を示す部分断面図及び回路図である。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view and a circuit diagram illustrating a structure of a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.

【図6】配向膜の塗布膜厚とスピナーの回転数との関係
を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing a relationship between a coating film thickness of an alignment film and a rotation speed of a spinner.

【図7】本発明の第3実施形態による液晶表示装置の構
造を示す部分断面図である。
FIG. 7 is a partial cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.

【図8】垂直配向能の変化に伴う液晶閾値電圧の変化を
示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing a change in liquid crystal threshold voltage with a change in vertical alignment ability.

【図9】本発明の第4実施形態による液晶表示装置の構
造を示す部分断面図及び回路図である。
FIG. 9 is a partial sectional view and a circuit diagram showing a structure of a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】ITO膜の抵抗値と成膜時の酸素分圧との関
係を示すグラフである。
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the resistance value of an ITO film and the oxygen partial pressure during film formation.

【図11】第4実施形態の変形例による液晶表示装置の
構造を示す部分断面図である。
FIG. 11 is a partial cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display according to a modification of the fourth embodiment.

【図12】実施例1の評価パネルにおける透過率と印加
電圧との関係を示すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing the relationship between the transmittance and the applied voltage in the evaluation panel of Example 1.

【図13】実施例1の評価パネルについて配向観察を行
った結果を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing the results of observing the orientation of the evaluation panel of Example 1;

【図14】実施例2の評価パネルにおける透過率と印加
電圧との関係を示すグラフである。
FIG. 14 is a graph showing the relationship between the transmittance and the applied voltage in the evaluation panel of Example 2.

【図15】実施例3の評価パネルにおける透過率と印加
電圧との関係を示すグラフである。
FIG. 15 is a graph showing the relationship between the transmittance and the applied voltage in the evaluation panel of Example 3.

【図16】実施例4の評価パネルにおける透過率と印加
電圧との関係を示すグラフである。
FIG. 16 is a graph showing the relationship between the transmittance and the applied voltage in the evaluation panel of Example 4.

【図17】実施例5の評価パネルにおける透過率と印加
電圧との関係を示すグラフである。
FIG. 17 is a graph showing the relationship between the transmittance and the applied voltage in the evaluation panel of Example 5.

【図18】従来の液晶表示装置の課題を説明する図であ
る。
FIG. 18 is a diagram illustrating a problem of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ガラス基板 12…CS電極 14…ゲートバスライン 16…ゲート絶縁膜 18…活性層 20…ソース電極 22…ドレインバスライン 24…絶縁膜 26…画素電極 28…土手状突起物 30…配向膜 40…ガラス基板 42…ブラックマトリクス層 46…CF樹脂層 48…コモン電極 50…土手状突起物 52…配向膜 60…液晶材料 62…液晶分子 64…高抵抗電極層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Glass substrate 12 ... CS electrode 14 ... Gate bus line 16 ... Gate insulating film 18 ... Active layer 20 ... Source electrode 22 ... Drain bus line 24 ... Insulating film 26 ... Pixel electrode 28 ... Bank-shaped protrusion 30 ... Alignment film 40 … Glass substrate 42… Black matrix layer 46… CF resin layer 48… Common electrode 50… Bank-like projections 52… Alignment film 60… Liquid crystal material 62… Liquid crystal molecules 64… High resistance electrode layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小池 善郎 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 2H090 HA14 HC05 HC10 HD14 JA03 JC03 KA04 LA01 LA04 MA01 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiro Koike 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term in Fujitsu Limited (reference) 2H090 HA14 HC05 HC10 HD14 JA03 JC03 KA04 LA01 LA04 MA01

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を駆動するための能動素子と、前記
能動素子により駆動電圧が印加される画素電極と、前記
画素電極上に形成され、前記駆動電圧を印加しないとき
に液晶分子を膜面に垂直な方向に配向する第1の配向膜
とを有する第1の基板と;前記画素電極と対向する共通
電極と、前記共通電極上に形成され、前記駆動電圧を印
加しないときに液晶分子を膜面に垂直方向に配向する第
2の配向膜とを有する第2の基板と;前記第1の基板と
前記第2の基板との間に封入された負の誘電率異方性を
もつ液晶層とを有する液晶表示装置であって、 前記画素電極と前記第1の配向膜との間、及び/又は、
前記共通電極と前記第2の配向膜との間に、前記駆動電
圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を規制する突起
を有し、 前記画素電極と前記共通電極との間に前記駆動電圧を印
加したときに、前記突起が形成された領域の前記液晶層
に印加される電圧が、液晶閾値電圧とほぼ同程度若しく
はそれ以下になるように制御されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
An active element for driving a liquid crystal, a pixel electrode to which a driving voltage is applied by the active element, and a liquid crystal molecule formed on the pixel electrode, the liquid crystal molecules being applied when the driving voltage is not applied. A first substrate having a first alignment film oriented in a direction perpendicular to the pixel electrode; a common electrode facing the pixel electrode; and a liquid crystal molecule formed on the common electrode and not applied with the driving voltage. A second substrate having a second alignment film oriented in a direction perpendicular to the film surface; and a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy sealed between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal display device comprising: a layer between the pixel electrode and the first alignment film; and / or
A projection between the common electrode and the second alignment film for regulating a tilt direction of liquid crystal molecules when the driving voltage is applied; and a driving voltage between the pixel electrode and the common electrode. Wherein the voltage applied to the liquid crystal layer in the region where the protrusions are formed is controlled to be substantially equal to or less than the liquid crystal threshold voltage. .
【請求項2】 請求項1記載の液晶表示装置において、 前記突起による電圧降下により、前記突起が形成された
領域の前記液晶層に印加される前記電圧が制御されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed is controlled by a voltage drop caused by the protrusion. Display device.
【請求項3】 請求項2記載の液晶表示装置において、 前記突起の高さ及び/又は誘電率により、前記突起が形
成された領域の前記液晶層に印加される前記電圧が制御
されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed is controlled by a height and / or a dielectric constant of the protrusion. A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 請求項1記載の液晶表示装置において、 前記第1の配向膜及び/又は前記第2の配向膜による電
圧降下により、前記突起が形成された領域の前記液晶層
に印加される前記電圧が制御されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a voltage drop caused by the first alignment film and / or the second alignment film is applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed. A liquid crystal display device, wherein the voltage is controlled.
【請求項5】 請求項4記載の液晶表示装置において、 前記第1の配向膜又は前記第2の配向膜の膜厚及び/又
は誘電率により、前記突起が形成された領域の前記液晶
層に印加される前記電圧が制御されていることを特徴と
する液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein a thickness and / or a dielectric constant of the first alignment film or the second alignment film is applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed. A liquid crystal display device, wherein the applied voltage is controlled.
【請求項6】 請求項4又は5記載の液晶表示装置にお
いて、 前記第1の配向膜又は前記第2の配向膜は、前記突起が
形成された領域の膜厚が他の領域よりも厚くなっている
ことを特徴とする液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the first alignment film or the second alignment film has a thickness in a region where the protrusion is formed is larger than in other regions. A liquid crystal display device comprising:
【請求項7】 請求項1記載の液晶表示装置において、 前記突起が形成された領域の前記第1の配向膜及び前記
第2の配向膜の垂直配向能を、他の領域の前記第1の配
向膜及び前記第2の配向膜の垂直配向能よりも高めるこ
とにより、前記突起が形成された領域の液晶閾値電圧が
他の領域の液晶閾値電圧よりも高められていることを特
徴とする液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a vertical alignment capability of the first alignment film and the second alignment film in a region where the protrusion is formed is different from that of the first alignment film in another region. A liquid crystal threshold voltage in a region where the protrusion is formed is higher than a liquid crystal threshold voltage in another region by increasing the vertical alignment ability of the alignment film and the second alignment film. Display device.
【請求項8】 請求項1記載の液晶表示装置において、 前記画素電極と前記突起との間、及び/又は、前記共通
電極と前記突起との間に、高抵抗電極層を更に有し、 前記高抵抗電極層による電圧降下により、前記突起が形
成された領域の前記液晶層に印加される前記電圧が制御
されていることを特徴とする液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a high-resistance electrode layer between the pixel electrode and the protrusion and / or between the common electrode and the protrusion. A liquid crystal display device, wherein the voltage applied to the liquid crystal layer in a region where the protrusion is formed is controlled by a voltage drop caused by a high resistance electrode layer.
【請求項9】 請求項1記載の液晶表示装置において、 前記突起が形成された領域の前記画素電極又は前記共通
電極が高抵抗化されており、高抵抗化された前記画素電
極又は前記共通電極の領域における電圧降下によって前
記突起が形成された領域の前記液晶層に印加される前記
電圧が制御されていることを特徴とする液晶表示装置。
9. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a resistance of the pixel electrode or the common electrode in a region where the protrusion is formed is increased, and the resistance of the pixel electrode or the common electrode is increased. Wherein the voltage applied to the liquid crystal layer in the region where the protrusion is formed is controlled by the voltage drop in the region.
【請求項10】 液晶を駆動するための能動素子と、前
記能動素子により駆動電圧が印加される画素電極と、前
記画素電極上に形成され、前記駆動電圧を印加しないと
きに液晶分子を膜面に垂直な方向に配向する第1の配向
膜とを有する第1の基板と;前記画素電極と対向する共
通電極と、前記共通電極上に形成され、前記駆動電圧を
印加しないときに液晶分子を膜面に垂直方向に配向する
第2の配向膜とを有する第2の基板と;前記第1の基板
と前記第2の基板との間に封入された負の誘電率異方性
をもつ液晶層と、前記画素電極と前記第1の配向膜との
間、及び/又は、前記共通電極と前記第2の配向膜との
間に、前記駆動電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方
向を規制する突起を有する液晶表示装置において、 前記画素電極と前記共通電極との間に前記駆動電圧を印
加したときに、前記突起が形成された領域の前記液晶層
に印加される電圧が液晶閾値電圧とほぼ同程度若しくは
それ以下になるように、前記突起が形成された領域の前
記液晶層に印加される前記電圧を制御することを特徴と
する液晶表示装置の電圧制御方法。
10. An active element for driving a liquid crystal, a pixel electrode to which a driving voltage is applied by the active element, and a liquid crystal molecule formed on the pixel electrode, the liquid crystal molecules being applied when the driving voltage is not applied. A first substrate having a first alignment film oriented in a direction perpendicular to the pixel electrode; a common electrode facing the pixel electrode; and a liquid crystal molecule formed on the common electrode and not applied with the driving voltage. A second substrate having a second alignment film oriented in a direction perpendicular to the film surface; and a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy sealed between the first substrate and the second substrate. The tilt direction of the liquid crystal molecules when the driving voltage is applied between the layer and the pixel electrode and the first alignment film and / or between the common electrode and the second alignment film. In a liquid crystal display device having a regulating protrusion, the pixel electrode and the common electrode The protrusions are formed such that, when the driving voltage is applied between the electrodes, the voltage applied to the liquid crystal layer in the region where the protrusions are formed is substantially equal to or less than the liquid crystal threshold voltage. Controlling the voltage applied to the liquid crystal layer in a specified area.
JP37330798A 1998-10-12 1998-12-28 Liquid crystal display Expired - Fee Related JP4251697B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37330798A JP4251697B2 (en) 1998-12-28 1998-12-28 Liquid crystal display
KR1019990043620A KR100662059B1 (en) 1998-10-12 1999-10-09 Liquid crystal display and method for fabricating the same
TW088117506A TW565732B (en) 1998-10-12 1999-10-11 Liquid crystal display and method for fabricating the same
US09/416,972 US6633356B1 (en) 1998-10-12 1999-10-12 Liquid crystal display and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37330798A JP4251697B2 (en) 1998-12-28 1998-12-28 Liquid crystal display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000193974A true JP2000193974A (en) 2000-07-14
JP4251697B2 JP4251697B2 (en) 2009-04-08

Family

ID=18501943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37330798A Expired - Fee Related JP4251697B2 (en) 1998-10-12 1998-12-28 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4251697B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007147793A (en) * 2005-11-25 2007-06-14 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display
KR100743823B1 (en) 2003-03-31 2007-07-30 샤프 가부시키가이샤 Liquid crystal display device
US7656465B2 (en) 2001-09-07 2010-02-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2017054143A (en) * 2011-05-05 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7656465B2 (en) 2001-09-07 2010-02-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR100743823B1 (en) 2003-03-31 2007-07-30 샤프 가부시키가이샤 Liquid crystal display device
JP2007147793A (en) * 2005-11-25 2007-06-14 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display
JP2017054143A (en) * 2011-05-05 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
US10068926B2 (en) 2011-05-05 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10283530B2 (en) 2011-05-05 2019-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11942483B2 (en) 2011-05-05 2024-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4251697B2 (en) 2009-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8804079B2 (en) Liquid crystal display device
CN101241279B (en) Broad view angle liquid crystal display
US7508385B2 (en) Liquid crystal display device and driving method of the same
US7474292B2 (en) Liquid crystal display device
US20030107695A1 (en) Liquid crystal display device
US7605897B2 (en) Multi-domain vertical alignment liquid crystal displays with improved angular dependent gamma curves
JP3164702B2 (en) Liquid crystal display
US20050200784A1 (en) Liquid crystal display device
US6404474B1 (en) Horizontal electric field LCD with increased capacitance between pixel and common electrodes
US7471348B2 (en) Liquid crystal display device with control capacitance section
JP2011118432A (en) Multi-domain liquid crystal display device
JP4882140B2 (en) Multi-domain liquid crystal display device
JPH0822023A (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
WO2000057242A1 (en) Liquid crystal display device and method of producing the same
JPH08334771A (en) Orientation-film formation material, orientation film using it, liquid-crystal display device using said orientation film, manufacture of orientation-film formation material andmanufacture of orientation film
JP2005258194A (en) Liquid crystal display
WO2021142582A1 (en) Liquid crystal panel and display device
JP4251697B2 (en) Liquid crystal display
JP2005084237A (en) Liquid crystal display device
JP2006208995A (en) Liquid crystal display device and its manufacturing method
CN211293518U (en) Blue phase liquid crystal display panel and display device
JP2004301879A (en) Liquid crystal display
JP4519691B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device including the same
JP2003222869A (en) Liquid crystal display device
KR100508059B1 (en) Vertical alignment mode liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050712

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050713

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050719

A621 Written request for application examination

Effective date: 20050907

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Effective date: 20070510

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080115

A521 Written amendment

Effective date: 20080312

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20080527

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080724

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Effective date: 20090120

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Effective date: 20090120

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees