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JP2000188249A - Aligner and manufacture of device - Google Patents

Aligner and manufacture of device

Info

Publication number
JP2000188249A
JP2000188249A JP10365067A JP36506798A JP2000188249A JP 2000188249 A JP2000188249 A JP 2000188249A JP 10365067 A JP10365067 A JP 10365067A JP 36506798 A JP36506798 A JP 36506798A JP 2000188249 A JP2000188249 A JP 2000188249A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chuck
sensor
wafer
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10365067A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Inoue
敬司 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP10365067A priority Critical patent/JP2000188249A/en
Publication of JP2000188249A publication Critical patent/JP2000188249A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve light exposure accuracy by enabling to monitore parameters on a photosensitive substrate, in an environment close to actual environment. SOLUTION: This aligner is provided with a substrate chuck for holding a photosensitive substrate, to which a pattern formed on an original plate is to be transferred through light exposure, a stage moving in two-dimensional directions within a reference plane while holding the substrate chuck, and sensors for detecting parameters on the photosensitive substrate held on the substrate chuck. The aligner performs suitable light exposure over the photosensitive substrate held on the chuck on the basis of detection results of the sensors. Sensors 11, 12 and 13 are provided on a chuck 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路や液
晶デバイス製造用の露光装置およびこれを用いたデバイ
ス製造方法に関し、さらに詳細には、xyステージ上に
ウエハ等の感光基板を保持する基板チャックを備えた露
光装置およびこれを用いたデバイス製造方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal device and a device manufacturing method using the same, and more particularly, to a substrate chuck for holding a photosensitive substrate such as a wafer on an xy stage. And a device manufacturing method using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子、液晶デバイス等をフ
ォトリソグラフィ工程を経て製造する場合には、レチク
ル等の原版のパターンを、表面にフォトレジスト等の感
光剤が塗布された基板たとえばウエハ上に投影光学系を
介して転写する露光装置が使用されている。このような
従来の露光装置では、xyステージ上にウエハを保持す
るためのウエハチャックが備えられているのが一般的で
ある。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor element or a liquid crystal device is manufactured through a photolithography process, a pattern of an original plate such as a reticle is formed on a substrate such as a wafer having a surface coated with a photosensitive agent such as a photoresist. An exposure apparatus that performs transfer via a projection optical system is used. Generally, such a conventional exposure apparatus is provided with a wafer chuck for holding a wafer on an xy stage.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
露光装置によれば、ウエハチャックの機能は、単にウエ
ハを平坦な状態に保持することだけであり、上記のよう
なパラメータは、ウエハチャックとは異なる位置でモニ
タリングしているため、実際のウエハの環境とは異なる
ものとなり、露光工程での精度向上には限界がある。
However, according to the conventional exposure apparatus, the function of the wafer chuck is merely to hold the wafer in a flat state, and the above parameters are different from those of the wafer chuck. Since the monitoring is performed at different positions, the environment is different from the actual wafer environment, and there is a limit in improving the accuracy in the exposure process.

【0004】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、露光装置およびデバイス製造方法におい
て、実際の環境により近い環境において感光基板に関す
るパラメータをモニタリングできるようにすることにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method capable of monitoring parameters relating to a photosensitive substrate in an environment closer to an actual environment in view of the problems of the related art.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】露光装置において、基板
チャックはその物理的な位置および構造上、実際に原版
のパターンを感光基板に焼き付ける際に、感光基板に密
着して動く構造体であることから、露光源の照度ムラ、
感光基板の周囲温度、感光基板が動く際の加速度等のパ
ラメータをモニタリングするには最も望ましい構造体で
ある。
In an exposure apparatus, a substrate chuck is a structure that moves in close contact with a photosensitive substrate when a pattern of an original is actually printed on the photosensitive substrate due to its physical position and structure. From the uneven illuminance of the exposure source,
This is the most desirable structure for monitoring parameters such as the ambient temperature of the photosensitive substrate and acceleration when the photosensitive substrate moves.

【0006】この点に着目し、本発明では、原版に形成
されたパターンが露光により転写される感光基板を保持
する基板チャックと、この基板チャックを保持して基準
平面内を2次元方向に移動するステージと、前記基板チ
ャック上に保持される感光基板に関するパラメータを検
出するためのセンサとを備え、この検出結果に基づいて
前記基板チャック上に保持される感光基板に対して適正
な露光を行う露光装置において、前記センサを前記基板
チャック上に設けるようにしている。
Focusing on this point, in the present invention, a substrate chuck for holding a photosensitive substrate onto which a pattern formed on an original is transferred by exposure, and holding the substrate chuck to move in a two-dimensional direction within a reference plane. And a sensor for detecting parameters relating to the photosensitive substrate held on the substrate chuck, and performing appropriate exposure on the photosensitive substrate held on the substrate chuck based on the detection result. In the exposure apparatus, the sensor is provided on the substrate chuck.

【0007】また、本発明のデバイス製造方法では、こ
のような露光装置を用い、その基板チャック上に設けら
れたセンサの検出結果に基づいて適正な露光を行うこと
によりデバイスを製造することを特徴とする。
The device manufacturing method of the present invention is characterized in that a device is manufactured by using such an exposure apparatus and performing appropriate exposure based on the detection result of a sensor provided on the substrate chuck. And

【0008】これによれば、実際に原版のパターンを感
光基板に焼き付ける際に感光基板に密着して動く基板チ
ャック上において感光基板に関するパラメータがモニタ
リングされるため、実際の環境により近い環境において
感光基板に関するパラメータがモニタリングされる。し
たがって、露光工程での精度向上が図られる。
According to this, when the pattern of the original is actually printed on the photosensitive substrate, the parameters related to the photosensitive substrate are monitored on the substrate chuck that moves in close contact with the photosensitive substrate. Parameters are monitored. Therefore, the accuracy in the exposure step is improved.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、前記センサとしてはたとえば、前記パラメータと
して前記ステージの振動の度合を検出するための加速度
センサ、前記パラメータとして前記基板チャック上に保
持される感光基板の周囲温度を検出するための温度セン
サ、または前記パラメータとして前記基板チャック上に
保持される感光基板の基板面での露光光の照度ムラを検
出するための照度センサが該当する。
In a preferred embodiment of the present invention, the sensor is, for example, an acceleration sensor for detecting the degree of vibration of the stage as the parameter, and is held on the substrate chuck as the parameter. A temperature sensor for detecting the ambient temperature of the photosensitive substrate or an illuminance sensor for detecting, as the parameter, illuminance unevenness of exposure light on the substrate surface of the photosensitive substrate held on the substrate chuck.

【0010】加速度センサは、基板チャックを保持して
移動するステージの位置決め時に必要な感光基板の加速
度あるいは移動状態を、実際に原版のパターンを感光基
板に焼き付ける際に、感光基板に密着して動く基板チャ
ック上で高精度にモニタリングする。温度センサは、実
際に原版のパターンを感光基板に焼き付ける際に、感光
基板に密着して動く基板チャック上で感光基板の周囲温
度あるいは温度環境を高精度でモニタリングする。照度
センサは、実際に原版のパターンを感光基板に焼き付け
る際に、感光基板に密着して動く基板チャック上で基板
面の照度ムラの測定を精確に行う。
The acceleration sensor determines the acceleration or the moving state of the photosensitive substrate necessary for positioning the stage that moves while holding the substrate chuck, and moves in close contact with the photosensitive substrate when the original pattern is actually printed on the photosensitive substrate. Monitoring with high precision on the substrate chuck. The temperature sensor monitors the ambient temperature or the temperature environment of the photosensitive substrate with high accuracy on a substrate chuck that moves in close contact with the photosensitive substrate when the original pattern is actually printed on the photosensitive substrate. The illuminance sensor accurately measures uneven illuminance on the substrate surface on a substrate chuck that moves in close contact with the photosensitive substrate when actually printing the pattern of the original on the photosensitive substrate.

【0011】前記センサは複数であってもよい。この場
合、実際に原版のパターンを感光基板に焼き付ける際
に、感光基板に密着して動く基板チャック上で複数のパ
ラメータを同時にモニタリングすることにより、露光工
程での精度向上が図られる。また、加速度センサ、温度
センサ、照度センサを組み合わせて設け、複数種のパラ
メータを同時にモニタリングすることにより、より高精
度の露光が行われる。
[0011] The sensor may be plural. In this case, when the pattern of the original is actually printed on the photosensitive substrate, a plurality of parameters are simultaneously monitored on a substrate chuck that moves in close contact with the photosensitive substrate, thereby improving the accuracy in the exposure process. Further, by providing an acceleration sensor, a temperature sensor, and an illuminance sensor in combination and monitoring a plurality of parameters simultaneously, exposure with higher precision is performed.

【0012】照度ムラを検出するセンサは複数であって
も、1つであってもよい。複数ある場合は、実際の感光
基板面での照度ムラが正確にモニタリングされる。1つ
の場合は、照度ムラを検出するために、たとえば、その
1つのセンサを基板チャックの半径方向に移動させる手
段と、基板チャックを回転させる手段とを有する。
There may be a plurality of sensors or one sensor for detecting unevenness in illuminance. When there are a plurality, the illuminance unevenness on the actual photosensitive substrate surface is accurately monitored. In one case, in order to detect illuminance non-uniformity, for example, a means for moving one sensor in the radial direction of the substrate chuck and a means for rotating the substrate chuck are provided.

【0013】照度ムラを検出するセンサを有する場合、
露光時における感光基板の基板面の高さ位置での照度ム
ラが検出できるように、基板チャックの高さを調整する
手段を有する。
When a sensor for detecting uneven illuminance is provided,
There is provided a means for adjusting the height of the substrate chuck so that illuminance unevenness at the height position of the photosensitive substrate during exposure can be detected.

【0014】[0014]

【実施例】(第1の実施例)以下、本発明の第1の実施
例を図1および図2に基づいて説明する。図1は本発明
の第1の実施例に係る露光装置のウエハチャックを示
す。同図において、10はウエハを保持するウエハチャ
ックであり、ウエハを吸着するために多孔質部材によっ
て形成されている。11は実際にレチクルのパターンを
ウエハに焼き付ける際に、ウエハチャック10を保持し
て基準平面内を2次元方向に移動するステージの振動の
度合いを検出するための加速度センサ、12は実際にレ
チクルのパターンをウエハに焼き付ける際に、ウエハチ
ャック10に保持されているウエハの周囲温度を検出す
るための複数の温度センサ、13はウエハチャック10
上で露光源の照度ムラを検出するための複数の照度セン
サである。加速度センサ11、温度センサ12および照
度センサ13は、ウエハチャック10上に設けられてい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 shows a wafer chuck of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a wafer chuck for holding a wafer, which is formed of a porous member for sucking the wafer. Reference numeral 11 denotes an acceleration sensor for detecting the degree of vibration of a stage that moves in a two-dimensional direction in a reference plane while holding the wafer chuck 10 when actually printing a reticle pattern on a wafer. When printing a pattern on a wafer, a plurality of temperature sensors 13 for detecting the ambient temperature of the wafer held by the wafer chuck 10 are provided.
Above are a plurality of illuminance sensors for detecting illuminance unevenness of the exposure source. The acceleration sensor 11, the temperature sensor 12, and the illuminance sensor 13 are provided on the wafer chuck 10.

【0015】図2はウエハチャック10を組み込んだ本
実施例の露光装置の構造を示すブロック図である。同図
に示すように、この露光装置は、レチクル9に形成され
たパターンが転写される感光ウエハ8を保持する上述の
ウエハチャック10と、ウエハチャック10を保持して
基準平面内を2次元方向に移動するxyステージ14と
を備える。
FIG. 2 is a block diagram showing the structure of the exposure apparatus of the present embodiment in which the wafer chuck 10 is incorporated. As shown in FIG. 1, the exposure apparatus includes a wafer chuck 10 for holding a photosensitive wafer 8 onto which a pattern formed on a reticle 9 is transferred, and a two-dimensional direction in a reference plane for holding the wafer chuck 10. And an xy stage 14 that moves to

【0016】この露光装置では、レチクル9のパターン
をウエハ8に焼き付ける動作に先立って、露光源23か
らの光をウエハチャックに対して照射し、照度センサ1
3によりあらかじめウエハチャック10上での照度分布
を検出しておく。この際、ウエハチャック10の上面と
実際のウエハ8面とではウエハ8の厚み分の差があるた
め、高さ補正機構15によりウエハ8の厚み分の差を補
正できるようになっている。そしてこの照度分布データ
を基に、照度ムラ補正レンズ22によって、実際にレチ
クル9のパターンをウエハ8に焼き付ける際の照度に補
正を施すことが可能である。
In this exposure apparatus, prior to the operation of printing the pattern of the reticle 9 on the wafer 8, light from the exposure source 23 is applied to the wafer chuck, and the illuminance sensor 1
3, the illuminance distribution on the wafer chuck 10 is detected in advance. At this time, since there is a difference in the thickness of the wafer 8 between the upper surface of the wafer chuck 10 and the actual wafer 8 surface, the difference in the thickness of the wafer 8 can be corrected by the height correction mechanism 15. Then, based on the illuminance distribution data, the illuminance when the pattern of the reticle 9 is actually printed on the wafer 8 can be corrected by the illuminance unevenness correction lens 22.

【0017】実際にレチクル9のパターンをウエハ8に
焼き付ける際には、ウエハ8はウエハチャック10によ
って吸着保持され、ステップ&リピート方式により、露
光源23からの光によってレチクル9のパターンが焼き
付けられる。したがって、ウエハチャック10を保持し
ているステージ14が2次元方向に移動する際に発生す
る振動は、ウエハ8そのものをも振動させることにな
る。しかしながら、ウエハチャック10上に設けられた
加速度センサ11により、直接ウエハ8の振動の度合い
を検出し、この振動を抑制すべくマウント20をフィー
ドバック制御することにより、高精度の焼き付けを行う
ことができる。
When the pattern of the reticle 9 is actually printed on the wafer 8, the wafer 8 is suction-held by the wafer chuck 10, and the pattern of the reticle 9 is printed by light from the exposure source 23 in a step-and-repeat manner. Therefore, the vibration generated when the stage 14 holding the wafer chuck 10 moves in the two-dimensional direction also vibrates the wafer 8 itself. However, high-precision printing can be performed by directly detecting the degree of vibration of the wafer 8 by the acceleration sensor 11 provided on the wafer chuck 10 and performing feedback control of the mount 20 to suppress the vibration. .

【0018】また、実際にパターンの焼き付けを行って
いるときのウエハチャック10上の複数ポイントでの温
度が温度センサ12により検出され、これに基づいて、
温度勾配によるウエハチャック10の部材の歪みによる
ウエハ8ヘの影響も補正することが可能である。
Further, the temperature at a plurality of points on the wafer chuck 10 when the pattern is actually printed is detected by the temperature sensor 12, and based on the detected temperature,
It is also possible to correct the influence on the wafer 8 due to the distortion of the member of the wafer chuck 10 due to the temperature gradient.

【0019】以上のように、ウエハチャック10上に個
別に設けられた加速度センサ11、温度センサ12およ
び照度センサ13により、露光工程での精度向上が実現
される。
As described above, the acceleration sensor 11, the temperature sensor 12, and the illuminance sensor 13 individually provided on the wafer chuck 10 realize improvement in accuracy in the exposure process.

【0020】(第2の実施例)次に、本発明の第2の実
施例を図3および図4に基づいて説明する。図4は本発
明の第2の実施例に係る露光装置の構造を示すブロック
図であり、図3はそれに組み込まれたウエハチャックを
示す。この場合、ウエハチャック10には、照度センサ
13は1個のみが設けられ、かつ照度センサ13を、ウ
エハチャック10の半径線上で移動させる機構が設けら
れている。また、ウエハが保持されていない状態におい
てウエハチャック10を1回転させる機構16が設けら
れている。他の構成は、第1実施例の場合と同様であ
る。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a block diagram showing a structure of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows a wafer chuck incorporated therein. In this case, only one illuminance sensor 13 is provided on the wafer chuck 10, and a mechanism for moving the illuminance sensor 13 on the radius line of the wafer chuck 10 is provided. Further, a mechanism 16 for rotating the wafer chuck 10 once in a state where the wafer is not held is provided. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

【0021】この露光装置においては、レチクル9のパ
ターンをウエハ8に焼き付ける動作に先立って、露光源
23からの光がウエハチャック10に対して照射される
と、照度センサ13は、ウエハチャック10の半径線上
を移動する。この照度センサの移動に同期してウエハチ
ャック10自身は回転を始める。この2つの動作によ
り、あらかじめウエハチャック10上での照度分布が検
出される。この際、ウエハチャック10の上面と実際の
ウエハ8面とではウエハ8の厚み分の差があるため、高
さ補正機構15によりウエハ8の厚み分の差を補正でき
るようになっている。そしてこの照度分布データを基
に、実際にレチクル9のパターンをウエハ8に焼き付け
る際に、照度に補正を施すことが可能となる。また、ウ
エハチャック10上に設けられた加速度センサ11と温
度センサ12については、第1実施例と同様に動作す
る。
In this exposure apparatus, prior to the operation of printing the pattern of the reticle 9 on the wafer 8, when light from the exposure source 23 is irradiated on the wafer chuck 10, the illuminance sensor 13 Move on a radius line. The wafer chuck 10 itself starts rotating in synchronization with the movement of the illuminance sensor. By these two operations, the illuminance distribution on the wafer chuck 10 is detected in advance. At this time, since there is a difference in the thickness of the wafer 8 between the upper surface of the wafer chuck 10 and the actual surface of the wafer 8, the difference in the thickness of the wafer 8 can be corrected by the height correction mechanism 15. Then, based on the illuminance distribution data, it is possible to correct the illuminance when actually printing the pattern of the reticle 9 on the wafer 8. The acceleration sensor 11 and the temperature sensor 12 provided on the wafer chuck 10 operate in the same manner as in the first embodiment.

【0022】本実施例では照度センサ13がウエハチャ
ック10上を移動する機構と、ウエハチャック10を回
転させる機構16を設けたことにより、さらに詳細なウ
エハ面上での照度分布の検出が可能となり、露光工程の
精度向上を実現することができる。
In this embodiment, a mechanism for moving the illuminance sensor 13 on the wafer chuck 10 and a mechanism 16 for rotating the wafer chuck 10 are provided, so that it is possible to detect the illuminance distribution on the wafer surface in more detail. Thus, the accuracy of the exposure process can be improved.

【0023】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図5は微小デバイス(ICやLSI等の半導
体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回
路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステッ
プ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)では
シリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ
5(組立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、
パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ス
テップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て、半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷(ステップ7)される。
<Embodiment of Device Manufacturing Method> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 5 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin film magnetic heads, micro machines, etc.). In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass.
Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes an assembly process (dicing, bonding),
It includes steps such as a packaging step (chip encapsulation). In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0024】図6は上記ウエハプロセス(ステップ4)
の詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形
成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。
ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 6 shows the wafer process (step 4).
The detailed flow of is shown. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist processing), a resist is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus or exposure method to align and print the circuit pattern of the mask on a plurality of shot areas of the wafer.
Step 17 (development) develops the exposed wafer.
In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps,
Multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0025】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a large-sized device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
実際に原版のパターンを感光基板に焼き付ける際に、感
光基板に密着して動く基板チャック上すなわち実際の環
境により近い環境において感光基板に関するパラメータ
をモニタリングすることができる。したがって、露光工
程での精度向上を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
When a pattern of an original is actually printed on a photosensitive substrate, parameters relating to the photosensitive substrate can be monitored on a substrate chuck that moves in close contact with the photosensitive substrate, that is, in an environment closer to the actual environment. Therefore, it is possible to improve the accuracy in the exposure process.

【0027】また、基板チャックを保持して基準平面内
を2次元方向に移動するステージの位置決め時に必要な
加速度センサを基板チャック上に設けることにより、実
際の感光基板の移動状態を高精度にモニタリングするこ
とができる。
Further, by providing an acceleration sensor on the substrate chuck required for positioning the stage which moves in the reference plane two-dimensionally while holding the substrate chuck, the actual movement state of the photosensitive substrate can be monitored with high accuracy. can do.

【0028】また、基板チャックに保持される感光基板
の周囲温度を測定する温度センサを基板チャック上に設
けることにより、実際の感光基板の温度環境を高精度に
モニタリングすることができる。
By providing a temperature sensor on the substrate chuck for measuring the ambient temperature of the photosensitive substrate held on the substrate chuck, the actual temperature environment of the photosensitive substrate can be monitored with high accuracy.

【0029】また、基板チャック上に複数のセンサを設
けることにより、実際に原版のパターンを感光基板に焼
き付ける際に、感光基板に密着して動く基板チャック上
で複数のパラメータを同時にモニタリングして露光工程
での精度向上を実現することができる。
Further, by providing a plurality of sensors on the substrate chuck, when actually printing the pattern of the original on the photosensitive substrate, a plurality of parameters are simultaneously monitored on the substrate chuck moving in close contact with the photosensitive substrate to perform exposure. The accuracy in the process can be improved.

【0030】また、基板チャックによって保持される感
光基板の基板面での露光源の照度ムラを測定する照度セ
ンサを複数基板チャック上に設けることにより、実際の
基板面での照度ムラを正確にモニタリングすることがで
きる。
Further, by providing illuminance sensors for measuring the illuminance unevenness of the exposure source on the substrate surface of the photosensitive substrate held by the substrate chuck on a plurality of substrate chucks, the illuminance unevenness on the actual substrate surface can be accurately monitored. can do.

【0031】また、基板チャック上に加速度センサ、温
度センサ、照度センサの複数のセンサを組み合わせて設
けることにより、より高精度の露光装置およびデバイス
製造方法を提供することができる。
Further, by providing a combination of a plurality of acceleration sensors, temperature sensors, and illuminance sensors on the substrate chuck, it is possible to provide a more accurate exposure apparatus and device manufacturing method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例に係るウエハチャック
の構造を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a wafer chuck according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1のウエハチャックを有する露光装置の構
成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus having the wafer chuck of FIG.

【図3】 本発明の第2の実施例に係るウエハチャック
の構造を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a structure of a wafer chuck according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 図3のウエハチャックを有する露光装置の構
成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus having the wafer chuck of FIG.

【図5】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing a device manufacturing method that can use the exposure apparatus of the present invention.

【図6】 図5中のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
FIG. 6 is a detailed flowchart of a wafer process in FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8:ウエハ、9:レチクル、10:ウエハチャック、1
1:加速度センサ、12:温度センサ、13:照度セン
サ、14:ステージ、15:ウエハチャック高さ調整機
構、16:ウエハチャック回転機構、20:マウント、
21:ステージ常盤、22:照度ムラ補正レンズ、2
3:露光源。
8: wafer, 9: reticle, 10: wafer chuck, 1
1: acceleration sensor, 12: temperature sensor, 13: illuminance sensor, 14: stage, 15: wafer chuck height adjustment mechanism, 16: wafer chuck rotation mechanism, 20: mount,
21: stage normal plate, 22: illumination unevenness correction lens, 2
3: exposure source.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 原版に形成されたパターンが露光により
転写される感光基板を保持する基板チャックと、この基
板チャックを保持して基準平面内を2次元方向に移動す
るステージと、前記基板チャック上に保持される感光基
板に関するパラメータを検出するためのセンサとを備
え、この検出結果に基づいて前記基板チャック上に保持
される感光基板に対して適正な露光を行う露光装置にお
いて、前記センサは前記基板チャック上に設けられてい
ることを特徴とする露光装置。
1. A substrate chuck for holding a photosensitive substrate onto which a pattern formed on an original is transferred by exposure, a stage for holding the substrate chuck and moving two-dimensionally in a reference plane, and A sensor for detecting a parameter relating to the photosensitive substrate held in the exposure apparatus that performs an appropriate exposure on the photosensitive substrate held on the substrate chuck based on the detection result, the sensor is the An exposure apparatus provided on a substrate chuck.
【請求項2】 前記センサは、前記パラメータとして前
記ステージの振動の度合を検出するための加速度センサ
であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the sensor is an acceleration sensor for detecting a degree of vibration of the stage as the parameter.
【請求項3】 前記センサは、前記パラメータとして前
記基板チャック上に保持される感光基板の周囲温度を検
出するための温度センサであることを特徴とする請求項
1または2に記載の露光装置。
3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the sensor is a temperature sensor for detecting an ambient temperature of a photosensitive substrate held on the substrate chuck as the parameter.
【請求項4】 前記センサは、前記パラメータとして前
記基板チャック上に保持される感光基板の基板面での露
光光の照度ムラを検出するための照度センサであること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光
装置。
4. The sensor according to claim 1, wherein the sensor is an illuminance sensor for detecting illuminance unevenness of exposure light on a substrate surface of the photosensitive substrate held on the substrate chuck as the parameter. 4. The exposure apparatus according to claim 3.
【請求項5】 前記センサは複数であることを特徴とす
る請求項1〜4のいずれか1項に記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the sensors are provided.
【請求項6】 前記照度センサは複数であることを特徴
とする請求項4に記載の露光装置。
6. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the number of the illuminance sensors is plural.
【請求項7】 前記照度センサは1つであり、照度ムラ
を検出するために、このセンサを前記基板チャックの半
径方向に移動させる手段と、前記基板チャックを回転さ
せる手段とを有することを特徴とする請求項4に記載の
露光装置。
7. The apparatus according to claim 1, wherein the illuminance sensor is one, and includes means for moving the sensor in a radial direction of the substrate chuck and means for rotating the substrate chuck in order to detect illuminance unevenness. The exposure apparatus according to claim 4, wherein
【請求項8】 前記照度センサを、露光時における前記
感光基板の基板面の高さ位置での照度ムラが検出できる
ように、前記基板チャックの高さを調整する手段を有す
ることを特徴とする請求項4、6または7に記載の露光
装置。
8. A device for adjusting the height of the substrate chuck so that the illuminance sensor can detect illuminance unevenness at a height position of the substrate surface of the photosensitive substrate during exposure. An exposure apparatus according to claim 4, 6, or 7.
【請求項9】 請求項1〜8のいずれかの露光装置を用
い、その基板チャック上に設けられたセンサの検出結果
に基づいて適正な露光を行うことによりデバイスを製造
することを特徴とするデバイス製造方法。
9. A device is manufactured by performing an appropriate exposure based on a detection result of a sensor provided on a substrate chuck using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8. Device manufacturing method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009054665A (en) * 2007-08-24 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd Adjusting method for position of transfer arm and jig for position detection

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