JP2000173969A - Rinsing method and photovoltaic element - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電析法を用いて、
太陽電池下引き層に適用する光閉込め効果を有する凹凸
を備えた酸化亜鉛薄膜をする工程にいて、当該酸化亜鉛
薄膜を洗浄するためのリンス方法に関する。さらに、本
発明は、当該リンス方法を含む製造工程により製造され
た光起電力素子に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electrodeposition method,
The present invention relates to a rinsing method for cleaning a zinc oxide thin film in a step of forming a zinc oxide thin film having irregularities having a light confinement effect applied to a solar cell undercoat layer. Further, the present invention relates to a photovoltaic device manufactured by a manufacturing process including the rinsing method.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、水素化非晶質シリコン、水素
化非晶質シリコンゲルマニウム、水素化非晶質シリコン
カーバイド、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンなど
からなる光起電力素子は、長波長における収集効率を改
善するために、裏面反射層が利用されてきた。かかる裏
面反射層は、半導体材料のバンド端に近くその吸収の小
さくなる波長、即ち800nmから1200nmで有効
な反射特性を示すことが好ましい。このような条件を十
分に満たすのは、金・銀・銅・アルミニウムといった金
属である。2. Description of the Related Art Conventionally, a photovoltaic element made of hydrogenated amorphous silicon, hydrogenated amorphous silicon germanium, hydrogenated amorphous silicon carbide, microcrystalline silicon, polycrystalline silicon, or the like has been used at a long wavelength. Backside reflective layers have been used to improve collection efficiency. Such a backside reflective layer preferably exhibits effective reflection characteristics at a wavelength near the band edge of the semiconductor material where its absorption is reduced, that is, from 800 nm to 1200 nm. It is metals such as gold, silver, copper, and aluminum that sufficiently satisfy such conditions.
【0003】また、光閉じ込め効果として知られる所定
の波長範囲で、光学的に透明な凸凹層を設けることも行
なわれており、一般的には、前記裏面反射層と半導体層
の間に透明な凹凸層を設けて、反射光を有効に利用して
短絡電流密度Jscを改善することもある。[0003] An optically transparent uneven layer is also provided in a predetermined wavelength range known as an optical confinement effect. Generally, a transparent layer is provided between the back reflection layer and the semiconductor layer. An uneven layer may be provided to improve the short-circuit current density Jsc by effectively using reflected light.
【0004】さらに、シャントパスによる特性低下を防
止するため、この裏面金属層と半導体層の間に導電性を
示す透光性の材料による層、即ち透明導電層を設けるこ
とが行なわれている。Further, in order to prevent deterioration in characteristics due to a shunt path, a layer made of a light-transmitting material having conductivity, that is, a transparent conductive layer is provided between the back metal layer and the semiconductor layer.
【0005】一般的には、上述した各層は、真空蒸着や
スパッタといった方法により堆積されたもので、短絡電
流密度Jscにして1mA/cm2以上の改善を示して
いる。Generally, each of the above-described layers is deposited by a method such as vacuum deposition or sputtering, and shows an improvement of 1 mA / cm 2 or more in short-circuit current density Jsc.
【0006】この例として、「29p−MF−22ステ
ンレス基板上のa−SiGe太陽電池における光閉じ込
め効果」(1990年秋季)第51回応用物理学会学術
講演会講演予稿集p747、先行技術2:”P−IA−
15a−SiC/a−Si/a−SiGe Multi
−Bandgap Stacked Solar Ce
lls With Bandgap Profilin
g,”Sannomiya et al.,Techn
ical Digest of the Intern
ational PVSEC−5,Kyoto,Jap
an,p381,1990、などに、銀原子から構成さ
れる反射層における反射率とテクスチャー構造について
検討されている。As an example of this, “Light confinement effect in a-SiGe solar cell on 29p-MF-22 stainless steel substrate” (Autumn 1990), Proceedings of the 51st Annual Conference of the Japan Society of Applied Physics, p747, Prior Art 2: "P-IA-
15a-SiC / a-Si / a-SiGe Multi
-Bandgap Stacked Solar Ce
lls With Bandgap Profilin
g, "Sannomiya et al., Techn.
ical Digest of the Intern
ational PVSEC-5, Kyoto, Japan
an, p381, 1990, etc., have studied the reflectance and texture structure of a reflective layer composed of silver atoms.
【0007】これらの先行技術例においては、裏面反射
層を、基板温度を変えた銀の2層堆積とすることにより
有効な凹凸を形成し、この凹凸と酸化亜鉛薄膜とのコン
ビネーションにより、光閉じ込め効果による短絡電流の
増大を達成したとしている。In these prior art examples, the back reflection layer is formed by depositing two layers of silver at different substrate temperatures to form effective concavities and convexities, and light confinement is achieved by the combination of the concavities and convexities and the zinc oxide thin film. It is said that the effect has increased the short-circuit current.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述した光閉じ込め層
として用いられる透明導電層は、抵抗加熱や電子ビーム
による真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、CVD法などによって堆積されている。The transparent conductive layer used as the light confinement layer described above is deposited by a vacuum deposition method using a resistance heating or an electron beam, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method, or the like.
【0009】しかしながら、これらの方法は、ターゲッ
ト材料などの作成工賃が高いとともに、真空装置の償却
費が大きく、さらに材料の利用効率が悪かった。このた
め、これらの方法を用いて製造される光起電力素子のコ
ストが極めて高いものとなってしまい、太陽電池を産業
的に応用しようとする上で大きな障害となっていた。[0009] However, in these methods, the labor for producing the target material and the like is high, the depreciation cost of the vacuum apparatus is large, and the utilization efficiency of the material is poor. For this reason, the cost of the photovoltaic element manufactured by using these methods becomes extremely high, which has been a major obstacle to industrial application of the solar cell.
【0010】これらの障害に対して、スパッタリング法
により形成された裏面金属層と、電析法により形成され
た透明導電層を組み合わせる方法が考えられる。To cope with these obstacles, a method of combining a back metal layer formed by a sputtering method and a transparent conductive layer formed by an electrodeposition method can be considered.
【0011】このような方法を用いることにより、高価
な真空装置および高価なターゲットが不要であるため、
酸化亜鉛薄膜からなる透明導電層の製造コストを飛躍的
に削減することができる。また、大面積基板上にも酸化
亜鉛薄膜からなる透明導電層を堆積することができるた
め、太陽電池のような大面積光起電力素子には有望であ
る。By using such a method, an expensive vacuum apparatus and an expensive target are not required.
The manufacturing cost of the transparent conductive layer made of a zinc oxide thin film can be reduced drastically. Further, since a transparent conductive layer made of a zinc oxide thin film can be deposited on a large-area substrate, it is promising for a large-area photovoltaic element such as a solar cell.
【0012】しかしながら、酸化亜鉛薄膜からなる透明
導電層を電気化学的に析出する方法は、以下の問題点を
有していた。However, the method of electrochemically depositing a transparent conductive layer composed of a zinc oxide thin film has the following problems.
【0013】第一の問題点として、電析浴である電解質
溶液は、硝酸塩を非常に析出しやすい水溶液であるた
め、基板を乾燥させた際に、酸化亜鉛薄膜上に白い筋状
のシミが発生し、膜の信頼性(密着性)が低下するとと
もに、外観不良の原因となっていた。[0013] The first problem is that the electrolyte solution, which is an electrodeposition bath, is an aqueous solution in which nitrate is very easily precipitated. Therefore, when the substrate is dried, white streak-like stains appear on the zinc oxide thin film. This caused the reliability (adhesion) of the film to decrease and caused poor appearance.
【0014】この酸化亜鉛薄膜を光起電力素子の一部と
して用いた場合には、これらのシミが、光学特性低下に
よる電流値の低下を引き起こし、さらには光起電力素子
との密着性を低減させてしまう。When this zinc oxide thin film is used as a part of a photovoltaic element, these spots cause a decrease in the current value due to a decrease in optical characteristics, and further reduce the adhesion to the photovoltaic element. Let me do it.
【0015】第二の問題点として、電解析出により酸化
亜鉛薄膜からなる透明導電層を形成するためのロール・
ツー・ロール形式において、最適なリンス方法が確立さ
れていなかった。As a second problem, a roll for forming a transparent conductive layer composed of a zinc oxide thin film by electrolytic deposition is used.
In the two-roll format, an optimal rinsing method has not been established.
【0016】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであって、量産性に優れ、高性能かつ低コストで、
基板密着性に優れた酸化亜鉛薄膜を安定的に形成するた
めの酸化亜鉛薄膜のリンス方法を提供することを目的と
する。また、本発明は、このような酸化亜鉛薄膜を形成
した光起電力素子を太陽電池に組み入れることにより、
太陽光発電の本格的な普及に貢献することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has excellent mass productivity, high performance and low cost.
An object of the present invention is to provide a method for rinsing a zinc oxide thin film for stably forming a zinc oxide thin film having excellent substrate adhesion. In addition, the present invention incorporates a photovoltaic element formed with such a zinc oxide thin film into a solar cell,
The purpose is to contribute to the full-fledged spread of solar power generation.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明に係るリンス方法
は、上述した目的を達成するため、少なくとも硝酸イオ
ンと、亜鉛イオンを含有してなる水溶液中に、導電性基
体かならる基板を浸漬し、該水溶液中に浸漬された対向
電極に対して負の電流を通電することにより、前記基板
上に酸化亜鉛薄膜を堆積させる工程において形成される
前記酸化亜鉛薄膜のリンス方法であって、リンスに使用
されるリンス浴の電気伝導度を150μS/cm以下に
管理することを特徴とするものである。According to the rinsing method of the present invention, in order to achieve the above-mentioned object, a substrate consisting of a conductive substrate is immersed in an aqueous solution containing at least nitrate ions and zinc ions. A method for rinsing the zinc oxide thin film formed in the step of depositing the zinc oxide thin film on the substrate by applying a negative current to the counter electrode immersed in the aqueous solution, comprising: The electrical conductivity of the rinsing bath used for the above is controlled to 150 μS / cm or less.
【0018】また、リンスに使用されるリンス浴の電気
伝導度を1μS/cm以下に管理することが好ましい。It is preferable that the electrical conductivity of the rinsing bath used for rinsing is controlled to 1 μS / cm or less.
【0019】また、ロール・ツー・ロール形式で酸化亜
鉛薄膜を堆積させることが好ましい。Further, it is preferable to deposit the zinc oxide thin film in a roll-to-roll manner.
【0020】また、シャワー槽、第一リンス浴槽、第二
リンス浴槽を設け、この順で洗浄を行うことが好まし
い。Further, it is preferable to provide a shower tub, a first rinsing bath, and a second rinsing bath, and to perform cleaning in this order.
【0021】また、太陽電池に利用する光起電力素子
は、上述した電解析出により形成される酸化亜鉛薄膜の
リンス方法を含む製造工程により製造することが好まし
い。Further, the photovoltaic element used for the solar cell is preferably manufactured by a manufacturing process including the above-described rinsing method of the zinc oxide thin film formed by electrolytic deposition.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】光起電力素子 本発明に係るリンス方法を含む製造工程により製造され
る光起電力素子について、図1を用いて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Photovoltaic device A photovoltaic device manufactured by a manufacturing process including a rinsing method according to the present invention will be described with reference to FIG.
【0023】図1は、本発明に係るリンス方法を含む製
造工程により製造される光起電力素子の断面を示す模式
図である。FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of a photovoltaic element manufactured by a manufacturing process including a rinsing method according to the present invention.
【0024】図1に示すように、光起電力素子は、SU
S等の導電性基板からなる支持体101上に、金、銀、
銅、アルミニウム等の金属からなる裏面反射層102、
電解析出された酸化亜鉛薄膜からなる透明導電層10
3、水素化非晶質シリコン、水素化非晶質シリコンゲル
マニウム、水素化非晶質シリコンカーバイド、微結晶シ
リコンまたは多結晶シリコン等からなる半導体層10
4、ITO等からなる透明電極層105、銀ペースト等
からなる集電電極層106を、この順で形成したもので
ある。各層のうち、支持体101と裏面反射層102
が、本発明でいう光反射性金属基板を形成している。な
お、透明な基板を用いて、当該基板側から光が入射する
構成の場合には、支持体101および裏面反射層102
を除いて、各層が逆の順番で形成される。As shown in FIG. 1, the photovoltaic element is an SU
Gold, silver, and the like on a support 101 made of a conductive substrate such as S
A back reflection layer 102 made of a metal such as copper or aluminum;
Transparent conductive layer 10 composed of electrolytically deposited zinc oxide thin film
3. Semiconductor layer 10 made of hydrogenated amorphous silicon, hydrogenated amorphous silicon germanium, hydrogenated amorphous silicon carbide, microcrystalline silicon, polycrystalline silicon, or the like
4. A transparent electrode layer 105 made of ITO or the like and a current collecting electrode layer 106 made of a silver paste or the like are formed in this order. Among the layers, the support 101 and the back reflection layer 102
This forms the light-reflective metal substrate according to the present invention. Note that in the case where a transparent substrate is used and light enters from the substrate side, the support 101 and the back reflection layer 102 are used.
Except for, each layer is formed in reverse order.
【0025】電析装置 図10は、導電性基体303(図1に示す支持体10
1)上に、酸化亜鉛薄膜(図1に示す透明導電層)を形
成するための装置の概略構成図である。Electrodeposition apparatus FIG. 10 shows a conductive substrate 303 (support 10 shown in FIG. 1).
FIG. 1 is a schematic structural view of an apparatus for forming a zinc oxide thin film (the transparent conductive layer shown in FIG. 1) on 1).
【0026】図10に示すように、酸化亜鉛薄膜を形成
するための装置は、電解析出水溶液302(電析浴)を
満たした耐腐食容器301を備えており、この耐腐食容
器301の一側面には、吸水口308と射出口307を
設け、吸水口308に吸入溶液パイプ309の一端部を
連通接続し、射出口307に射出溶液パイプ310の一
端部を連通接続するとともに、吸入溶液パイプ309と
射出溶液パイプ310の他端部に溶液循環ポンプ311
を連通接続して、耐腐食容器301内の電解析出水溶液
302が循環するようになっている。As shown in FIG. 10, the apparatus for forming a zinc oxide thin film includes a corrosion-resistant container 301 filled with an electrolytic deposition aqueous solution 302 (electrodeposition bath). A water inlet 308 and an outlet 307 are provided on the side surface, one end of a suction solution pipe 309 is connected to the water inlet 308, and one end of an injection solution pipe 310 is connected to the outlet 307. 309 and a solution circulation pump 311 at the other end of the injection solution pipe 310.
Are connected so that the electrolytic deposition aqueous solution 302 in the corrosion-resistant container 301 circulates.
【0027】また、耐腐食容器301中には、電解析出
水溶液302を加温するためのヒーター312と、電解
析出水溶液302の温度を計測するための温度計313
が設けられている。A heater 312 for heating the electrolytic deposition aqueous solution 302 and a thermometer 313 for measuring the temperature of the electrolytic deposition aqueous solution 302 are provided in the corrosion-resistant container 301.
Is provided.
【0028】そして、電解析出水溶液302中に、導電
性基体303と対向電極304とを対向させて配置し、
導電性基体303および対向電極304に、負荷抵抗3
06を介して電源305を接続することにより、導電性
基体303の表面に酸化亜鉛薄膜を形成させるようにな
っている。Then, the conductive substrate 303 and the counter electrode 304 are arranged in the aqueous electrolytic deposition solution 302 so as to face each other.
The load resistance 3 is applied to the conductive base 303 and the counter electrode 304.
By connecting a power supply 305 via the reference numeral 06, a zinc oxide thin film is formed on the surface of the conductive substrate 303.
【0029】電解析出水溶液302の硝酸イオン、亜鉛
イオン濃度は、好ましくは0.002mol/l〜3.
0mol/l、さらに好ましくは0.0mol/l〜
1.5mol/l、最適には0.05mol/l〜0.
7mol/lである。また、異常性成長防止のために、
サッカロースまたはデキストリンを含む電解析出水溶液
302を用いる場合には、サッカロースの濃度は、好ま
しくは500g/l〜1g/l、さらに好ましくは10
0g/l〜3g/lとし、デキストリンの濃度は、好ま
しくは10g/l〜0.01g/l、さらに好ましくは
1g/l〜0.025g/lとすることにより、光閉じ
込め効果に適したテクスチャー構造の酸化亜鉛薄膜を効
率よく形成することができる。The concentration of nitrate ion and zinc ion in the aqueous electrolytic deposition solution 302 is preferably 0.002 mol / l to 3.0 mol / l.
0 mol / l, more preferably 0.0 mol / l
1.5 mol / l, optimally 0.05 mol / l to 0.1 mol / l.
7 mol / l. Also, to prevent abnormal growth,
When using an aqueous solution of electrolytic deposition 302 containing saccharose or dextrin, the concentration of saccharose is preferably 500 g / l to 1 g / l, more preferably 10 g / l.
The texture suitable for the light confinement effect is adjusted to 0 g / l to 3 g / l and the dextrin concentration is preferably 10 g / l to 0.01 g / l, more preferably 1 g / l to 0.025 g / l. A zinc oxide thin film having a structure can be efficiently formed.
【0030】また、電解析出水溶液302の温度を60
℃以上とすることにより、異常成長の少ない均一な酸化
亜鉛薄膜を効率よく形成することができる。The temperature of the electrolytic deposition aqueous solution 302 is set to 60
By setting the temperature to not less than ° C., a uniform zinc oxide thin film with little abnormal growth can be efficiently formed.
【0031】導電性基体303と対向電極304間の電
流密度は、好ましくは0.1mA/cm2〜100mA
/cm2、さらに好ましくは1mA/cm2〜30mA/
cm2、最適には4mA/cm2〜20mA/cm2であ
る。The current density between the conductive substrate 303 and the counter electrode 304 is preferably 0.1 mA / cm 2 to 100 mA.
/ Cm 2 , more preferably 1 mA / cm 2 to 30 mA /
cm 2, and optimally 4mA / cm 2 ~20mA / cm 2 .
【0032】なお、小規模な装置であれば、上述した溶
液循環ポンプ311を用いた循環系ではなく、磁気攪拌
子を用いることができる。In the case of a small-scale apparatus, a magnetic stirrer can be used instead of the circulation system using the solution circulation pump 311 described above.
【0033】[リンス工程]電解析出に用いる電析浴
は、乾燥時に硝酸塩として析出しやすく、溶液濃度が高
い場合、目視では白いシミ状に見える。この対策とし
て、十分なリンス工程が必要不可欠である。またリンス
性を向上させるために、温水を使用することもある。な
お、リンスの同義語として、濯ぎ水洗、洗浄等が用いら
れることもある。[Rinse Step] The electrodeposition bath used for electrolytic deposition tends to precipitate as a nitrate during drying, and when the concentration of the solution is high, it looks like a white stain visually. As a countermeasure, a sufficient rinsing step is indispensable. In addition, hot water may be used to improve the rinsing property. Note that, as a synonym for rinsing, rinsing water washing, washing, and the like are sometimes used.
【0034】本発明は、量産性に優れた、太陽電池特性
向上に有効な、光閉じ込め効果の高く、信頼性の高い酸
化亜鉛薄膜を形成し、光収集電流を増大せしめると共に
信頼性の向上に寄与するものである。しかもその達成を
工業的に安く安定して行うというものである。The present invention forms a highly reliable zinc oxide thin film which is excellent in mass productivity, effective in improving solar cell characteristics, has a high light confinement effect, and increases light collection current and reliability. It will contribute. In addition, this is achieved stably at low cost industrially.
【0035】そのために、電解析出による酸化亜鉛薄膜
堆積後、リンス工程を設け、このリンスに使用するリン
ス浴を150μS/cm以下、好ましくは1μS/cm
以下に管理することで、硝酸塩の析出によるシミの発生
を防ぎ、信頼性の高い酸化亜鉛薄膜を製造するものであ
る。For this purpose, after depositing the zinc oxide thin film by electrolytic deposition, a rinsing step is provided, and the rinsing bath used for this rinsing is 150 μS / cm or less, preferably 1 μS / cm.
By controlling in the following manner, it is possible to prevent the occurrence of spots due to precipitation of nitrate and to produce a highly reliable zinc oxide thin film.
【0036】長尺基板への電析装置 [電析装置の主要構造]以下、本発明に係る電析装置の
実施形態を説明する。 Electrodeposition apparatus on long substrate [Main structure of electrodeposition apparatus] An embodiment of an electrodeposition apparatus according to the present invention will be described below.
【0037】まず、本発明に係る電析装置の主要な構造
について説明する。First, the main structure of the electrodeposition apparatus according to the present invention will be described.
【0038】本発明に係る電析装置は、主な装置とし
て、酸化亜鉛を電気化学的に堆積せしめる電析浴を保持
する電析槽と、電析槽に対してそれぞれの電析浴(電解
質溶液)を所定温度に加熱して送る循環槽と、電析槽と
循環槽とで保持する全電析浴を一度に溜めることのでき
る独立した排液槽電析槽とを二組備えている。The electrodeposition apparatus according to the present invention comprises, as main devices, an electrodeposition tank for holding an electrodeposition bath for electrochemically depositing zinc oxide, and a respective electrodeposition bath (electrolyte) for the electrodeposition tank. Solution) is heated to a predetermined temperature and fed, and two sets of an independent drainage tank capable of storing all the electrodeposition baths held in the electrodeposition tank and the circulation tank at one time. .
【0039】本発明に係る電析装置で用いられる電析槽
は、耐食性のステンレスまたは耐熱塩化ビニールあるい
はFRPなどで構成され、保温性をよくするために断熱
材を挟んだ二重構造とすることもある。電析槽は、その
内部にアノードと長尺基板との電析のために両電極を有
するため、これら両電極からの電流迷走を防ぐよう、槽
壁などの金属部が露出しない構成とするのがよく、金属
槽を用いる場合には、内部に絶縁体の内張りを設け、さ
らに、電析槽自体をフロート電位とすることが好まし
い。The electrodeposition tank used in the electrodeposition apparatus according to the present invention is made of corrosion-resistant stainless steel, heat-resistant vinyl chloride, FRP, or the like, and has a double structure in which a heat insulating material is interposed to improve heat insulation. There is also. Since the electrodeposition tank has two electrodes inside for electrodeposition of the anode and the long substrate, metal parts such as the tank wall are not exposed to prevent current stray from both electrodes. When a metal bath is used, it is preferable to provide an insulating lining inside and further to set the electrodeposition bath itself at a float potential.
【0040】また、複数の電析槽について異なる濃度の
電析浴とすることも可能である。It is also possible to use different electrodeposition baths for a plurality of electrodeposition tanks.
【0041】本発明に係る電析装置で用いられる循環槽
は、耐食性で耐熱性に優れたステンレスで構成され、ヒ
ーターが内蔵されて電析浴を加熱する。加熱の効率をよ
くするために、電析槽と同じく二重構造とすることもで
きる。また、加熱の効率をよくするために、循環槽を循
環していく電析浴が、ヒーターの周りを流れていく流れ
を形成するとよい。このためには、通常、循環槽の上部
から電析浴を戻し、下部から加熱済みの電析浴を電析槽
に送ってゆく構造とするのがよい。また、電析浴を電析
槽に送る経路を複数設けることにより、さらに加熱の効
率をよくすることができる。The circulation tank used in the electrodeposition apparatus according to the present invention is made of stainless steel having excellent corrosion resistance and heat resistance, and has a built-in heater for heating the electrodeposition bath. In order to improve the heating efficiency, a double structure can be used similarly to the electrodeposition tank. Further, in order to improve the heating efficiency, it is preferable that the electrodeposition bath circulating in the circulation tank forms a flow flowing around the heater. For this purpose, it is generally preferable to adopt a structure in which the electrodeposition bath is returned from the upper part of the circulation tank, and the heated electrodeposition bath is sent to the electrodeposition tank from the lower part. Further, by providing a plurality of paths for sending the electrodeposition bath to the electrodeposition tank, the heating efficiency can be further improved.
【0042】本発明に係る電析装置で用いられる排液槽
は、少なくとも電析槽の電析浴をすべて保持できる内容
量とし、電析槽と循環槽とを合わせた電析浴の容量を保
持できるように構成されていることが、一層好ましい。
排液槽は、必ずしも耐熱性である必要はないが、緊急時
に全ての電析浴を保持する目的のためには、電析槽のよ
うに耐熱性の材料で形成することが好ましい。The drainage tank used in the electrodeposition apparatus according to the present invention has an internal capacity capable of holding at least all of the electrodeposition bath of the electrodeposition tank, and the capacity of the electrodeposition bath including the electrodeposition tank and the circulation tank is adjusted. More preferably, it is configured to be able to hold.
The drainage tank does not necessarily need to be heat-resistant, but is preferably made of a heat-resistant material such as an electrodeposition tank for the purpose of holding all the electrodeposition baths in an emergency.
【0043】本発明に係る電析装置で用いられる空気攪
拌手段は、電析浴が、電析槽内で長尺基板表面を浴交換
できるだけの電析浴の移動をもたらすもので、さらに長
尺基板を使用する場合、長尺基板面で空気溜りを形成し
ないように構成されているものとする。具体的な空気攪
拌手段としては、例えば、管に穿ったオリフィスから長
尺基板成膜面に浮力でバブルが当たるように形成するこ
とができる。この攪拌は、電析浴が常に新鮮なものとし
て長尺基板面に触れるようにするために、特に堆積速度
が大きい場合に重要となる。The air stirring means used in the electrodeposition apparatus according to the present invention is such that the electrodeposition bath moves the electrodeposition bath so that the surface of the long substrate can be exchanged in the electrodeposition bath. When a substrate is used, it is configured such that an air pocket is not formed on the long substrate surface. As a specific air stirring means, for example, the air stirring means can be formed such that bubbles come into contact with the long substrate film formation surface from the orifice formed in the tube by buoyancy. This stirring is important particularly when the deposition rate is high, so that the electrodeposition bath is always fresh and touches the surface of the long substrate.
【0044】[電析装置の具体的構成]以下、図面に基
づいて、長尺基板に対して酸化亜鉛膜等からなる透明導
電層を形成する場合に使用する電析装置の具体的構成を
詳しく説明する。[Specific Configuration of Electrodeposition Apparatus] The specific configuration of the electrodeposition apparatus used when forming a transparent conductive layer made of a zinc oxide film or the like on a long substrate will be described in detail below with reference to the drawings. explain.
【0045】図2は、長尺基板に透明導電層を形成する
場合に使用する電析装置の具体的構成を示す構成図であ
る。また、図3〜9は、図2に示す電析装置を構成する
各装置の拡大図であり、図3は、巻出装置の拡大図、図
4は、第一電析槽及び第一循環槽の拡大図、図5は、第
二電析槽及び第二循環槽の拡大図、図6は、第一排液槽
及び第二排液槽の拡大図、図7は、純水シャワー槽、第
一温水槽、第二温水槽、乾燥部、巻取装置の拡大図、図
8は、純水加熱槽の拡大図、図9は、排気ダクト付近の
拡大図をそれぞれ示す。FIG. 2 is a configuration diagram showing a specific configuration of an electrodeposition apparatus used for forming a transparent conductive layer on a long substrate. 3 to 9 are enlarged views of each device constituting the electrodeposition apparatus shown in FIG. 2, FIG. 3 is an enlarged view of the unwinding apparatus, and FIG. 4 is a first electrodeposition tank and a first circulation unit. FIG. 5 is an enlarged view of a second electrodeposition tank and a second circulation tank, FIG. 6 is an enlarged view of a first drainage tank and a second drainage tank, and FIG. 7 is a pure water shower tank. , A first hot water tank, a second hot water tank, a drying unit, an enlarged view of a winding device, FIG. 8 is an enlarged view of a pure water heating tank, and FIG. 9 is an enlarged view of the vicinity of an exhaust duct.
【0046】図2に示すように、本発明の一実施形態に
係る電析装置は、大きく分けて、コイル状に巻かれた長
尺基板2006を送り出すための巻出装置2012、第
一の電析膜を堆積または処理せしめる第一電析槽206
6、第二の電析膜を堆積または処理せしめる第二電析槽
2116、第一電析槽2066に加熱された電析浴を循
環供給するための第一循環槽2120、第二電析槽21
16に加熱された電析浴を循環供給するための第二循環
槽2222、第一電析槽2066の電析浴を排するに際
し一旦浴を貯めるための第一排液槽2172、第二電析
槽2116の電析浴を排するに際し一旦浴を貯めるため
の第二排液槽2274、第一電析槽2066内の電析浴
内の粉体を取り除き電析浴を清浄化するためのフィルタ
ー循環系(第一電析槽フィルター循環フィルター216
1に繋がる配管系(図4に詳しく示す))、第二電析槽
2116内の電析浴内の粉体を取り除き電析浴を清浄化
するためのフィルター循環系(第二電析槽フィルター循
環フィルター2263を用いる配管系(図5に詳しく示
す))、第一電析槽2066と第二電析槽2116にそ
れぞれ浴攪拌用の圧搾空気を送る配管系(圧搾空気導入
口2182から始まる配管系(図4,5,6に詳しく示
す))、電析膜を堆積された長尺基板2006を純水の
シャワーで洗浄するための純水シャワー槽2360、第
一の純水リンス洗浄を行うための第一温水槽2361、
第二の純水リンス洗浄を行うための第二温水槽236
2、これら温水槽2361,2362に必要な純水の温
水を供給するための純水加熱槽2339、洗浄された長
尺基板2006を乾燥させるための乾燥部2363、膜
堆積の完了した長尺基板2006を再びコイル状に巻き
上げるための巻取装置2296、電析浴や純水の加熱段
階あるいは乾燥段階で発生する水蒸気の排気系(電析水
洗系排気ダクト2020または乾燥系排気ダクト237
0で構成される排気系(図4,5,7に詳しく示す))
とからなっている。As shown in FIG. 2, the electrodeposition apparatus according to one embodiment of the present invention is roughly divided into an unwinding device 2012 for feeding a long substrate 2006 wound in a coil shape, and a first electrodeposition device. First electrodeposition tank 206 for depositing or processing an deposited film
6, a second electrodeposition tank 2116 for depositing or processing a second electrodeposited film, a first circulation tank 2120 for circulating and supplying a heated electrodeposition bath to the first electrodeposition tank 2066, a second electrodeposition tank 21
A second circulating tank 2222 for circulating and supplying the electrodepositing bath heated to 16; a first drain tank 2172 for temporarily storing the electrodepositing bath in the first electrodepositing tank 2066; A second drainage tank 2274 for temporarily storing the electrodeposition bath when the electrodeposition bath of the electrodeposition bath 2116 is drained, and a powder for purifying the electrodeposition bath by removing powder in the electrodeposition bath in the first electrodeposition tank 2066. Filter circulation system (first electrodeposition tank filter circulation filter 216
1 (shown in detail in FIG. 4), a filter circulation system for removing powder in the electrodeposition bath in the second electrodeposition tank 2116 and cleaning the electrodeposition bath (second electrodeposition tank filter). A piping system using a circulation filter 2263 (shown in detail in FIG. 5), a piping system for sending compressed air for bath stirring to the first electrodeposition tank 2066 and the second electrodeposition tank 2116 (a pipe starting from the compressed air inlet 2182) System (shown in detail in FIGS. 4, 5, and 6), a pure water shower tank 2360 for cleaning the long substrate 2006 on which the electrodeposited film is deposited with a pure water shower, and first pure water rinse cleaning. First hot water tank 2361 for
Second hot water tank 236 for performing second pure water rinsing cleaning
2. A pure water heating tank 2339 for supplying hot water required for the hot water tanks 2361 and 2362, a drying unit 2363 for drying the washed long substrate 2006, and a long substrate on which film deposition has been completed. Winding device 2296 for winding coil 2006 again into a coil shape, an exhaust system for water vapor generated in a heating stage or a drying stage of an electrodeposition bath or pure water (electrodeposition washing exhaust duct 2020 or drying exhaust duct 237)
Exhaust system composed of 0 (shown in detail in FIGS. 4, 5, and 7)
It consists of
【0047】なお、長尺基板2006は、図2中左から
右へ向かって、巻出装置2012、第一電析槽206
6、第二電析槽2116、純水シャワー槽2360、第
一温水槽2361、第二温水槽2362、乾燥部236
3、巻取装置2296の順に流れてゆき、所定の電析膜
が堆積される。It should be noted that the long substrate 2006 is unrolled from left to right in FIG.
6, second electrodeposition tank 2116, pure water shower tank 2360, first hot water tank 2361, second hot water tank 2362, drying unit 236
3. Flowing in the order of the winding device 2296, a predetermined electrodeposited film is deposited.
【0048】[巻出装置]図3に示すように、巻出装置
2012には、巻出装置長尺基板ボビン2001に巻か
れたコイル状の長尺基板2006がセットされており、
巻出装置繰出し調整ローラー2003、巻出装置方向転
換ローラー2004、巻出装置排出ローラー2005を
順に経て長尺基板2006を送出してゆく。[Unwinding Device] As shown in FIG. 3, the unwinding device 2012 is set with a coil-shaped long substrate 2006 wound on an unwinding device long substrate bobbin 2001.
The long substrate 2006 is sent out through the unwinding device feeding adjustment roller 2003, the unwinding device direction change roller 2004, and the unwinding device discharge roller 2005 in this order.
【0049】コイル状の長尺基板2006には、殊に下
引き層が予め堆積されている場合に、長尺基板2006
あるいは層保護のために、インターリーフ(合紙)が巻
き込まれた形で供給されてくる。このため、巻出装置2
012には、巻出装置インターリーフ巻取りボビン20
02が設けられている。したがって、長尺基板2006
にインターリーフが巻き込まれている場合には、長尺基
板2006の繰出しとともに巻出装置インターリーフ巻
取りボビン2002にインターリーフ2007を巻き取
る。長尺基板2006の搬送方向は矢印2010で示さ
れており、巻出装置長尺基板ボビン2001の回転方向
は矢印2009で示されており、巻出装置インターリー
フ巻取りボビン2002の巻取り方向は矢印2008で
示されている。The coil-shaped long substrate 2006 is used especially when an undercoat layer is previously deposited.
Alternatively, in order to protect the layers, interleaf (interleaf paper) is supplied in a entangled form. For this reason, the unwinding device 2
012, the unwinding bobbin 20
02 is provided. Therefore, the long substrate 2006
When the interleaf is wound around the interleaf 2007, the interleaf 2007 is wound around the unwinding interleaf take-up bobbin 2002 with the unwinding of the long substrate 2006. The transport direction of the long substrate 2006 is indicated by an arrow 2010, the rotation direction of the unwinding device long substrate bobbin 2001 is indicated by an arrow 2009, and the winding direction of the unwinding device interleaf winding bobbin 2002 is This is indicated by arrow 2008.
【0050】巻出装置長尺基板ボビン2001から排出
される長尺基板2006と、巻出装置インターリーフ巻
取りボビン2002に巻き上げられるインターリーフ
は、それぞれ搬送開始時の位置と搬送終了時の位置で干
渉が起きないようになっている。また、巻出装置201
2全体は、防塵のため、ヘパフィルターとダウンフロー
を用いた巻出し装置クリーンブース2011で覆われた
構造となっている。The long substrate 2006 discharged from the unwinding device long substrate bobbin 2001 and the interleaf wound on the unwinding device interleaf winding bobbin 2002 are located at the position at the start of the transfer and the position at the end of the transfer, respectively. Interference does not occur. Also, the unwinding device 201
The entire structure 2 is covered with an unwinder clean booth 2011 using a hepa filter and a down flow for dust prevention.
【0051】[第一電析槽]図4に示すように、第一電
析槽2066は、電析浴に対して腐食せずに電析浴を保
温できる第一電析浴保持槽2065中に、温度制御され
た電析浴が第一電析浴浴面2025となるように保持さ
れている。[First Electrodeposition Tank] As shown in FIG. 4, the first electrodeposition tank 2066 is provided in a first electrodeposition bath holding tank 2065 capable of keeping the electrodeposition bath warm without corroding the electrodeposition bath. The temperature-controlled electrodeposition bath is held so as to be the first electrodeposition bath surface 2025.
【0052】この第一電析浴浴面2025の位置は、第
一電析浴保持槽2065内に設けられた仕切板(図示せ
ず)によるオーバーフローで実現されている。仕切板
は、電析浴を第一電析浴保持槽2065全体で奥側に向
かって落とすように設置されており、樋構造により第一
電析槽オーバーフロー戻り口2024に集められて溢れ
た電析浴は、第一電析槽オーバーフロー戻り路2117
を経て第一循環槽2120へ至り、ここで加熱されて、
再び第一電析槽上流循環噴流管2063と第一電析槽下
流循環噴流管2064とから第一電析浴保持槽2065
に還流され、オーバーフローを促すに足るだけの電析浴
の流入を形成する。The position of the first electrodeposition bath surface 2025 is realized by an overflow by a partition plate (not shown) provided in the first electrodeposition bath holding tank 2065. The partition plate is installed so as to drop the electrodeposition bath toward the back side in the entire first electrodeposition bath holding tank 2065, and the gutter structure collects and overflows the electrodeposition bath at the first electrodeposition tank overflow return port 2024. The deposition bath is the first electrodeposition tank overflow return path 2117
Through the first circulation tank 2120, where it is heated,
The first electrodeposition bath holding tank 2065 is again formed from the first electrodeposition tank upstream circulation jet pipe 2063 and the first electrodeposition tank downstream circulation jet pipe 2064.
To form an inflow of electrodeposition bath sufficient to promote overflow.
【0053】長尺基板2006は、電析槽入口折返しロ
ーラー2013(図3に示す)、第一電析槽進入ローラ
ー2014、第一電析槽退出ローラー2015、電析槽
間折返しローラー2016を経て、第一電析槽2066
内を通過する。第一電析槽進入ローラー2014と第一
電析槽退出ローラー2015との間では、少なくも成膜
面である長尺基板2006の下側面(以下、「表面(お
もてめん)」と記す)は、電析浴の中にあって、28個
のアノード2026〜2053と対向している。実際の
電析は、長尺基板2006に負の電位を与えるととも
に、アノード2026〜2053に正の電位を与えて、
電析浴中で両者の間に、電気化学反応を伴う電析電流を
流すことによって行う。The long substrate 2006 passes through an electrodeposition tank turn-back roller 2013 (shown in FIG. 3), a first electrodeposition tank entrance roller 2014, a first electrodeposition tank exit roller 2015, and an electrodeposition tank turnover roller 2016. , First electrodeposition tank 2066
Pass through. A lower surface of the long substrate 2006 which is at least a film forming surface (hereinafter, referred to as a “front surface”) is provided between a first electrodeposition tank entrance roller 2014 and a first electrodeposition tank exit roller 2015. ) Are in the electrodeposition bath and face the 28 anodes 2026-2053. In actual deposition, while applying a negative potential to the long substrate 2006 and applying a positive potential to the anodes 2026 to 2053,
It is carried out by flowing an electrodeposition current involving an electrochemical reaction between the two in the electrodeposition bath.
【0054】第一電析槽2066におけるアノード20
26〜2053は、七つのアノード載置台2054〜2
060に、各4個ずつ載置されている。各アノード載置
台2054〜2060は、絶縁板を介してそれぞれのア
ノード2026〜2053を置く構造となっており、独
立の電源から独自の電位を印加されるようになってい
る。また、アノード載置台2054〜2060は、電析
浴中で長尺基板2006とアノード2026〜2053
との間隔を保持する機能も担っている。このため、アノ
ード載置台2054〜2060は、予め決められた間隔
を保持するべく、高さ調整ができるように設計製作され
ていることが好ましい。The anode 20 in the first electrodeposition tank 2066
Reference numerals 26 to 2053 denote seven anode mounting tables 2054-2.
060 are placed on each of them. Each of the anode mounting tables 2054 to 2060 has a structure in which the respective anodes 2026 to 2053 are placed via an insulating plate, and a unique electric potential is applied from an independent power supply. Further, the anode mounting tables 2054 to 2060 are connected to the long substrate 2006 and the anodes 2026 to 2053 in the electrodeposition bath.
It also has the function of maintaining the interval between the two. Therefore, it is preferable that the anode mounting tables 2054 to 2060 are designed and manufactured so that the height can be adjusted so as to maintain a predetermined interval.
【0055】第一電析槽退出ローラー2015の直前に
は、第一電析槽裏面電極2061が設けられている。こ
の第一電析槽裏面電極2061は、浴中で長尺基板20
06の成膜面と反対側の面(以下、「裏面(うらめ
ん)」と記す)に堆積された膜を電気化学的に除去する
ためのもので、長尺基板2006に対して第一電析槽裏
面電極2061を負側の電位とすることで、これを実現
する。第一電析槽裏面電極2061が実際に効力を持つ
ことは、電界の回り込みによって長尺基板2006の成
膜面と反対側の裏面に電気化学的に付着する膜であっ
て、長尺基板2006の成膜面に形成されるものと同じ
材質の膜が、目視下でみるみる除去されてゆくことで確
認される。Immediately before the first electrodeposition roller 2015, a back electrode 2061 of the first electrodeposition tank is provided. The electrode 2061 on the back side of the first electrodeposition bath is
06 is for electrochemically removing the film deposited on the surface opposite to the film-forming surface (hereinafter referred to as “back surface (uramen)”). This is realized by setting the electrode 2061 on the back of the deposition tank to a negative potential. The fact that the back electrode 2061 of the first electrodeposition tank is actually effective is a film that electrochemically adheres to the back surface opposite to the film formation surface of the long substrate 2006 due to the wraparound of the electric field. It is confirmed that the film of the same material as that formed on the film forming surface is visually and visually removed.
【0056】第一電析槽退出ローラー2015を通過し
電析浴から出た長尺基板2006には、第一電析槽出口
シャワー2067から電析浴がかけられて、成膜面が乾
燥してムラを生じるのを防止している。また第一電析槽
2066と第二電析槽2116との渡り部分に設けられ
た電析槽間カバー2019も、電析浴から発生する蒸気
を閉じ込め、長尺基板2006の成膜面が乾燥するのを
防止している。さらに、第二電析槽入口シャワー208
6も同様の働きをする。The long substrate 2006 that passed through the first electrodeposition tank exit roller 2015 and exited from the electrodeposition bath was subjected to the electrodeposition bath from the first electrodeposition tank outlet shower 2067, and the film deposition surface was dried. To prevent unevenness. In addition, the cover 2019 between electrodeposition tanks provided at a transition portion between the first electrodeposition tank 2066 and the second electrodeposition tank 2116 also traps vapor generated from the electrodeposition bath, and the film formation surface of the long substrate 2006 is dried. Is prevented from doing so. Further, the second electrodeposition tank entrance shower 208
6 works similarly.
【0057】[第一循環槽]図4に示すように、第一循
環槽2120は、第一電析槽2066中の電析浴の加熱
保温ならびに噴流循環を担うものである。上述したよう
に、第一電析槽2066でオーバーフローした電析浴
は、第一電析槽オーバーフロー戻り口2024に集めら
れ、第一電析槽オーバーフロー戻り路2117を通り、
第一電析槽オーバーフロー戻り路絶縁フランジ2118
を経て、第一循環槽加熱貯槽2121へ至る。第一循環
槽加熱貯槽2121内には、8本の第一循環槽ヒーター
2122〜2129が設けられており、室温の電析浴を
初期加熱する際や、循環によって浴温が低下する電析浴
を再加熱して、電析浴を所定の温度に保持する際に機能
する。[First Circulation Tank] As shown in FIG. 4, the first circulation tank 2120 is responsible for heating and keeping the temperature of the electrodeposition bath in the first electrodeposition tank 2066 and for circulating the jet. As described above, the electrodeposition bath that overflowed in the first electrodeposition tank 2066 is collected at the first electrodeposition tank overflow return port 2024 and passed through the first electrodeposition tank overflow return path 2117,
First electrodeposition tank overflow return path insulation flange 2118
, And reaches the first circulation tank heating storage tank 2121. Eight first circulating tank heaters 2122 to 2129 are provided in the first circulating tank heating storage tank 2121, and are used for initial heating of the electrodeposition bath at room temperature or for the electrodeposition bath in which the bath temperature is reduced by circulation. Reheats to maintain the electrodeposition bath at a predetermined temperature.
【0058】第一循環槽加熱貯槽2121には、二つの
循環系が接続されている。すなわち、第一循環槽電析浴
上流循環元バルブ2130、第一循環槽電析浴上流循環
ポンプ2132、第一循環槽電析浴上流循環バルブ21
35、第一循環槽電析浴上流循環フレキシブルパイプ2
136、第一循環槽電析浴上流循環フランジ絶縁配管2
137を経て、第一電析槽上流循環噴流管2063から
第一電析浴保持槽2065へ戻る第一電析槽上流循環還
流系と、第一循環槽電析浴下流循環元バルブ2139、
第一循環槽電析浴下流循環ポンプ2142、第一循環槽
電析浴下流循環バルブ2145、第一循環槽電析浴下流
循環フレキシブルパイプ2148、第一循環槽電析浴下
流循環フランジ絶縁配管2149を経て、第一電析槽下
流循環噴流管2064から第一電析浴保持槽2065へ
戻る第一電析槽下流循環還流系とである。Two circulation systems are connected to the first circulation tank heating storage tank 2121. That is, the first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation source valve 2130, the first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pump 2132, the first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 21
35, first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flexible pipe 2
136, first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flange insulation pipe 2
137, a first electrodeposition tank upstream circulation recirculation system returning from the first electrodeposition tank upstream circulation jet pipe 2063 to the first electrodeposition bath holding tank 2065, a first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation source valve 2139,
First circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump 2142, first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 2145, first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flexible pipe 2148, first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flange insulation pipe 2149 Through the first electrodeposition tank downstream circulation jet pipe 2064 to return to the first electrodeposition bath holding tank 2065.
【0059】第一電析槽上流循環噴流管2063と第一
電析槽下流循環噴流管2064とから第一電析槽206
6に戻る電析浴は、第一電析浴保持槽2065内での電
析浴の交換を効果ならしめるように、第一電析浴保持槽
2065下部に設けられた第一電析槽上流循環噴流管2
063と第一電析槽下流循環噴流管2064から、それ
ぞれの噴流管に穿かれたオリフィスを経て噴流として還
流される。The first electrodeposition tank 206 is circulated from the first electrodeposition tank upstream circulation jet pipe 2063 and the first electrodeposition tank downstream circulation jet pipe 2064.
The electrodeposition bath returned to 6 is upstream of the first electrodeposition tank provided below the first electrodeposition bath holding tank 2065 so as to make the exchange of the electrodeposition bath in the first electrodeposition bath holding tank 2065 effective. Circulating jet 2
063 and the circulating jet pipe 2064 downstream of the first electrodeposition tank are returned as jets through orifices formed in the respective jet pipes.
【0060】それぞれの循環還流系での還流量は、主に
第一循環槽電析浴上流循環バルブ2135または第一循
環槽電析浴下流循環バルブ2145の開閉度によって制
御され、さらに細かい調節は、第一循環槽電析浴上流循
環ポンプ2132または第一循環槽電析浴下流循環ポン
プ2142の出口と入口を短絡して接続したバイパス系
に設けられた第一循環槽電析浴上流循環ポンプバイパス
バルブ2133または第一循環槽電析浴下流循環ポンプ
バイパスバルブ2141によって制御される。The amount of reflux in each circulation reflux system is mainly controlled by the degree of opening and closing of the first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 2135 or the first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 2145. A first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pump 2132 or a first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pump provided in a bypass system in which the outlet and the inlet of the first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump 2142 are short-circuited and connected. The bypass valve 2133 or the first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump bypass valve 2141 is controlled.
【0061】バイパス系は、還流量を少なくした場合
や、浴温が極めて沸点に近い場合に、ポンプ内でのキャ
ビテーションを防止する役目も果たしている。すなわ
ち、浴液が沸騰気化して液体を送り込めなくなるキャビ
テーションは、ポンプの寿命を著しく短くしてしまうた
め、バイパス系によりこれを防止しているのである。The bypass system also serves to prevent cavitation in the pump when the amount of reflux is reduced or when the bath temperature is very close to the boiling point. In other words, the cavitation in which the bath liquid evaporates and the liquid cannot be sent due to boiling vaporization shortens the life of the pump remarkably, and is prevented by the bypass system.
【0062】第一電析槽上流循環噴流管2063と第一
電析槽下流循環噴流管2064とにオリフィスを穿って
噴流を形成する場合、還流量は、第一電析槽上流循環噴
流管2063と第一電析槽下流循環噴流管2064へ戻
す浴液の圧力によってほぼ定まる。これを知るために、
第一循環槽電析浴上流循環圧力ゲージ2134と第一循
環槽電析浴下流循環圧力ゲージ2143が設けられてお
り、還流量のバランスは、これらの圧力ゲージ213
4,2143により知ることができる。When an orifice is formed in the upstream circulation jet pipe 2063 of the first electrodeposition tank and the downstream circulation jet pipe 2064 of the first electrodeposition tank, the amount of reflux is determined by the upstream circulation jet pipe 2063 of the first electrodeposition tank. And the pressure of the bath solution returned to the circulation jet pipe 2064 downstream of the first electrodeposition tank. To know this,
A first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pressure gauge 2134 and a first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pressure gauge 2143 are provided, and the balance of the reflux amount is determined by these pressure gauges 213.
4,2143.
【0063】オリフィスから吹き出す還流浴液量は、正
確にはベルヌーイの定理に従うが、噴流管2963,2
064に穿ったオリフィスが数ミリ以下の径の場合に
は、第一電析槽上流循環噴流管2063ないし第一電析
槽下流循環噴流管2064全体にわたって噴流量を実質
的に一定とすることができる。さらに、還流量が十分に
大きい場合には、電析浴の交換が極めてスムーズに行わ
れるので、第一電析槽2066がかなり長くとも、電析
浴の濃度の均一化や温度の均一化を効果的に図ることが
できる。なお、第一電析槽オーバーフロー戻り路211
7は、十分な還流量を流しうる太さを有している。The amount of the reflux bath discharged from the orifice exactly follows Bernoulli's theorem.
In the case where the orifice bored in 064 has a diameter of several millimeters or less, the jet flow rate may be substantially constant over the entirety of the first electrodeposition tank upstream circulation jet pipe 2063 or the first electrodeposition tank downstream circulation jet pipe 2064. it can. Further, when the reflux amount is sufficiently large, the exchange of the electrodeposition bath is performed extremely smoothly. Therefore, even if the first electrodeposition tank 2066 is considerably long, it is necessary to make the concentration of the electrodeposition bath uniform and the temperature uniform. It can be achieved effectively. The first electrodeposition tank overflow return path 211
7 has a thickness that allows a sufficient reflux amount to flow.
【0064】それぞれの循環還流系に設けられた第一循
環槽電析浴上流循環フレキシブルパイプ2136と第一
循環槽電析浴下流循環フレキシブルパイプ2148は、
配管系の歪みを吸収するものであり、特に歪みに対して
機械的強度が不足しがちなフランジ絶縁配管などを用い
る場合には有効である。The first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flexible pipe 2136 and the first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flexible pipe 2148 provided in each circulation reflux system are:
It absorbs distortion in the piping system, and is particularly effective when using flange-insulated piping or the like, which tends to have insufficient mechanical strength against distortion.
【0065】それぞれの循環還流系に設けられた第一循
環槽電析浴上流循環フランジ絶縁配管2137と第一循
環槽電析浴下流循環フランジ絶縁配管2149は、第一
電析槽オーバーフロー戻り路2117の途中に設けられ
た第一電析槽オーバーフロー戻り路絶縁フランジ211
8とともに第一循環槽2120と第一電析槽2066と
を電気的に浮かせるものである。これは、不要な電流経
路の形成を絶つことにより、迷走電流を防止して電析電
流のほとんどを電気化学的な成膜反応に用いることがで
きる、という本発明者等の知見に基づくものである。The first circulating tank electrodeposition bath upstream circulating flange insulating pipe 2137 and the first circulating tank electrodepositing bath downstream circulating flange insulating pipe 2149 provided in each circulating reflux system are connected to the first electrodeposition tank overflow return path 2117. Of the first electrodeposition tank overflow return path insulating flange 211 provided in the middle of
8, the first circulation tank 2120 and the first electrodeposition tank 2066 are electrically floated. This is based on the knowledge of the present inventors that by preventing formation of unnecessary current paths, stray current can be prevented and most of the deposited current can be used for an electrochemical film formation reaction. is there.
【0066】一方の循環還流系には、直接第一循環槽加
熱貯槽2121へ戻る第一循環槽電析浴バイパス循環フ
レキシブルパイプ2146及び第一循環槽電析浴バイパ
ス循環バルブ2147からなるバイパス還流系が設けら
れている。このバイパス環流系は、第一電析槽2066
に浴液を還流することなく電析浴の循環を行わしめたい
場合、例えば室温から所定温度への昇温時などに用いる
ものである。One of the circulation recirculation systems is a bypass recirculation system comprising a first circulation tank electrodeposition bath bypass circulation flexible pipe 2146 and a first circulation tank electrodeposition bath bypass circulation valve 2147 which return directly to the first circulation tank heating storage tank 2121. Is provided. This bypass recirculation system is provided with a first electrodeposition tank 2066.
When it is desired to circulate the electrodeposition bath without refluxing the bath solution, it is used, for example, when the temperature is raised from room temperature to a predetermined temperature.
【0067】また、第一循環槽2066からの一方の循
環還流系には、第一電析槽退出ローラー2015を通過
し電析浴から出た長尺基板2006に対して、電析浴を
かけるための第一電析槽出口シャワー2067へ至る送
液系が設けられている。この送液系は、第一電析槽出口
シャワーバルブ2150を介して第一電析槽出口シャワ
ー2067へ繋がっている。第一電析槽出口シャワー2
067からの電析液噴霧量は、第一電析槽出口シャワー
バルブ2150の開閉度を調節することによって調整さ
れる。The electrodeposition bath is applied to one of the circulation reflux systems from the first circulation tank 2066 to the long substrate 2006 that has passed through the first electrodeposition tank exit roller 2015 and exited from the electrodeposition bath. Liquid supply system to the first electrodeposition tank outlet shower 2067 for the purpose of the present invention is provided. This liquid feed system is connected to the first electrodeposition tank outlet shower 2067 via the first electrodeposition tank outlet shower valve 2150. First electrodeposition bath outlet shower 2
The amount of the electrodeposition liquid sprayed from 067 is adjusted by adjusting the degree of opening and closing of the first electrodeposition bath outlet shower valve 2150.
【0068】第一循環槽加熱貯槽2121には、蓋(図
示せず)が設けられており、蒸気となって水分が失われ
ゆくのを防止する構造となっている。浴温が高い場合に
は、蓋の温度も高くなるので、作業の安全面から、蓋の
表面に断熱材を貼るなどの考慮が必要である。The first circulating tank heating storage tank 2121 is provided with a lid (not shown), and has a structure for preventing loss of water as steam. When the bath temperature is high, the temperature of the lid also increases. Therefore, it is necessary to consider, for example, attaching a heat insulating material to the surface of the lid from the viewpoint of work safety.
【0069】第一電析槽電析浴中の粉体を除去するため
に、フィルター循環系が設けられている。第一電析槽2
066に対するフィルター循環系は、第一電析槽フィル
ター循環戻りフレキシブルパイプ2151、第一電析槽
フィルター循環戻りフランジ絶縁配管2152、第一電
析槽フィルター循環元バルブ2154、第一電析槽フィ
ルター循環サクションフィルター2156、第一電析槽
フィルター循環ポンプ2157、第一電析槽フィルター
循環ポンプバイパスバルブ2158、第一電析槽フィル
ター循環圧力スイッチ2159、第一電析槽フィルター
循環圧力ゲージ2160、第一電析槽フィルター循環フ
ィルター2161、第一電析槽フィルター循環フレキシ
ブルパイプ2164、第一電析槽フィルター循環フラン
ジ絶縁配管2165、第一電析槽フィルター循環バルブ
2166、第一電析槽フィルター循環系電析浴上流戻り
バルブ2167、第一電析槽フィルター循環系電析浴中
流戻りバルブ2168、第一電析槽フィルター循環系電
析浴下流戻りバルブ2169、からなっている。A filter circulation system is provided to remove the powder in the electrodeposition bath of the first electrodeposition tank. First electrodeposition tank 2
066, the first electrodeposition tank filter circulation return flexible pipe 2151, the first electrodeposition tank filter circulation return flange insulating pipe 2152, the first electrodeposition tank filter circulation source valve 2154, the first electrodeposition tank filter circulation. Suction filter 2156, first electrodeposition tank filter circulation pump 2157, first electrodeposition tank filter circulation pump bypass valve 2158, first electrodeposition tank filter circulation pressure switch 2159, first electrodeposition tank filter circulation pressure gauge 2160, first electrodeposition tank filter Electrodeposition tank filter circulation filter 2161, first electrodeposition tank filter circulation flexible pipe 2164, first electrodeposition tank filter circulation flange insulating pipe 2165, first electrodeposition tank filter circulation valve 2166, first electrodeposition tank filter circulation system Precipitation bath upstream return valve 2167, First electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath midstream return valve 2168, which is from the first electrodeposition vessel filter circulation system electrodeposition bath downstream return valve 2169,.
【0070】電析浴は、この経路を第一電析槽フィルタ
ー循環方向2155、同2162、同2163の方向に
流れてゆく。除去されるべき粉体は、機外から飛び込む
こともあるし、また電析反応に応じて、電極表面や浴中
で形成されることもある。除去されるべき粉体の最小の
大きさは、第一電析槽フィルター循環フィルター216
1のフィルターサイズで定まる。The electrodeposition bath flows along this path in the direction of the first electrodeposition tank filter circulation 2155, 2162 and 2163. The powder to be removed may jump in from outside the machine, or may be formed on the electrode surface or in a bath depending on the electrodeposition reaction. The minimum size of the powder to be removed is determined by the first electrodeposition tank filter circulation filter 216.
It is determined by the filter size of 1.
【0071】第一電析槽フィルター循環戻りフレキシブ
ルパイプ2151ならびに第一電析槽フィルター循環フ
レキシブルパイプ2164は、配管の歪みを吸収して、
配管接続部からの液漏れを極小化するとともに、機械強
度に劣る絶縁配管を保護し、ポンプを始めとする循環系
の構成部品の配置自由度を上げるためのものである。The first electrodeposition tank filter circulation return flexible pipe 2151 and the first electrodeposition tank filter circulation flexible pipe 2164 absorb the distortion of the piping,
The purpose is to minimize liquid leakage from the pipe connection portion, protect insulating pipes having poor mechanical strength, and increase the degree of freedom in arranging components of a circulation system such as a pump.
【0072】第一電析槽フィルター循環戻りフランジ絶
縁配管2152ならびに第一電析槽フィルター循環フラ
ンジ絶縁配管2165は、大地アースからフロートとし
た第一電析浴保持槽2065が大地アースに落ちること
を防止するため、電気的に浮かせることを目的としたも
のである。The first electrodeposition tank filter circulation return flange insulating pipe 2152 and the first electrodeposition tank filter circulation flange insulation pipe 2165 are used to prevent the first electrodeposition bath holding tank 2065, which has been floated from the earth ground, to fall to the earth ground. It is intended to float electrically to prevent it.
【0073】第一電析槽フィルター循環サクションフィ
ルター2156は、いわゆる「茶漉し」のような金網で
あり、大きなごみを取り除き、後に続く第一電析槽フィ
ルター循環ポンプ2157や第一電析槽フィルター循環
フィルター2161を保護するためのものである。The first electrodeposition tank filter circulating suction filter 2156 is a wire mesh such as a so-called “tea strainer” for removing large debris, and following the first electrodeposition tank filter circulation pump 2157 and the first electrodeposition tank filter. This is for protecting the circulation filter 2161.
【0074】第一電析槽フィルター循環フィルター21
61は、この循環系の主役であり、電析浴中に混入ある
いは発生した粉体を除去するためのものである。First electrodeposition tank filter circulation filter 21
Numeral 61 is a main part of this circulation system, and is for removing powder mixed or generated in the electrodeposition bath.
【0075】本循環系の電析浴の循環流量は、主に第一
電析槽フィルター循環バルブ2166により微調整され
るとともに、従として第一電析槽フィルター循環ポンプ
2157に並列に設けられた第一電析槽フィルター循環
ポンプバイパスバルブ2158により微調整される。こ
れらのバルブ調整による循環流量を把握するために、第
一電析槽フィルター循環圧力ゲージ2160が設けられ
ている。また、第一電析槽フィルター循環ポンプバイパ
スバルブ2158は、流量の微調整の他、フィルター循
環流量全体を絞った時に、キャビテーションが発生して
第一電析槽フィルター循環ポンプ2157が破損するこ
とを防止している。The circulation flow rate of the electrodeposition bath of the present circulation system is finely adjusted mainly by the first electrodeposition tank filter circulation valve 2166, and is provided in parallel with the first electrodeposition tank filter circulation pump 2157. Fine adjustment is made by the first electrodeposition tank filter circulation pump bypass valve 2158. A first electrodeposition tank filter circulating pressure gauge 2160 is provided to grasp the circulating flow rate due to these valve adjustments. Also, the first electrodeposition tank filter circulation pump bypass valve 2158 prevents fine adjustment of the flow rate as well as damage to the first electrodeposition tank filter circulation pump 2157 due to cavitation when the entire filter circulation flow rate is reduced. Preventing.
【0076】[第一排液槽]図4,6に示すように、第
一電析槽フィルター循環戻りフランジ絶縁配管2152
を経て、第一電析槽排水バルブ2153から第一排液槽
2172へ電析浴を移送することができる。この移送
は、電析浴交換、電析装置のメンテナンス、さらには緊
急時に行われるものである。移送される排液としての電
析浴は、重力落下にて第一排液槽排液貯槽2144へ落
とされる。メンテナンスや緊急時の目的のためには、第
一排液槽排液貯槽2144が、第一電析槽2066およ
び第一循環槽2120の浴容量の合計を貯めるだけの容
量をもつことが好ましい。第一排液槽排液貯槽2144
には、第一排液槽排液貯槽上蓋2277が設置されてい
るとともに、電析浴の重力落下移送を効果的ならしめる
ために、第一排液槽空気抜き2171及び第一排液槽空
気抜きバルブ2170が設けられている。[First drainage tank] As shown in FIGS. 4 and 6, the first electrodeposition tank filter circulation return flange insulating pipe 2152
, The electrodeposition bath can be transferred from the first electrodeposition tank drain valve 2153 to the first liquid drainage tank 2172. This transfer is performed for electrodeposition bath replacement, maintenance of the electrodeposition apparatus, and in an emergency. The electrodeposition bath as the drainage to be transferred is dropped to the first drainage drainage storage tank 2144 by gravity drop. For maintenance and emergency purposes, it is preferable that the first drainage tank drainage storage tank 2144 has a capacity sufficient to store the total bath capacity of the first electrodeposition tank 2066 and the first circulation tank 2120. First drainage tank drainage storage tank 2144
Is provided with a first drainage tank drainage tank upper lid 2277, and a first drainage tank air vent 2171 and a first drainage tank air vent valve in order to make the gravity drop transfer of the electrodeposition bath effective. 2170 are provided.
【0077】図6に示すように、一旦、第一排液槽排液
貯槽2144に落とされた電析浴は、温度が下がった
後、第一排液槽排水バルブ2173より建物側の廃水処
理施設に送られるか、あるいは第一排液槽排液回収バル
ブ2174、排液回収元バルブ2175、排液回収サク
ションフィルター2176と排液回収ポンプ2177を
経てドラム缶(図示せず)に回収され、然るべき処分が
行われる。回収や処分に先立って、第一排液槽排液貯槽
2144内で、水による希釈や薬液による処理などを行
ってもよい。As shown in FIG. 6, after the temperature of the electrodeposition bath once dropped into the first drainage tank drainage storage tank 2144 is lowered, the wastewater treatment on the building side is performed by the first drainage tank drainage valve 2173. It is sent to a facility or is collected in a drum (not shown) via a first drainage tank drainage recovery valve 2174, a drainage recovery source valve 2175, a drainage recovery suction filter 2176, and a drainage recovery pump 2177. Disposition takes place. Prior to collection and disposal, dilution with water, treatment with a chemical solution, and the like may be performed in the first drainage tank drainage storage tank 2144.
【0078】[攪拌空気導入手段]図4に示すように、
電析浴を攪拌し電析成膜を均一化ならしめるために、第
一電析浴保持槽2065底部に設置された第一電析槽攪
拌空気導入管2062に穿った複数のオリフィスから、
空気バブルを噴出させるようになっている。[Agitating Air Introducing Means] As shown in FIG.
In order to stir the electrodeposition bath and equalize the film deposition, a plurality of orifices drilled in the first electrodeposition tank stirring air introduction pipe 2062 installed at the bottom of the first electrodeposition bath holding tank 2065,
Air bubbles are blown out.
【0079】空気バブルとなる空気は、工場に供給され
る圧搾空気を圧搾空気導入口2182(図6に示す)か
ら取り込み、電析浴攪拌用圧搾空気圧力スイッチ218
3を経て、第一電析槽圧搾空気導入方向2184に示さ
れる方向で、順に第一電析槽圧搾空気元バルブ218
5、第一電析槽圧搾空気流量計2186、第一電析槽圧
搾空気レギュレーター2187、第一電析槽圧搾空気ミ
ストセパレーター2188、第一電析槽圧搾空気導入バ
ルブ2189、第一電析槽圧搾空気フレキシブルパイプ
2190、第一電析槽圧搾空気絶縁配管2191、そし
て第一電析槽圧搾空気上流側制御バルブ2193または
第一電析槽圧搾空気下流側制御バルブ2192を通り第
一電析槽攪拌空気導入管2062へ至る。The air serving as the air bubble takes compressed air supplied to the factory through a compressed air inlet 2182 (shown in FIG. 6) and presses the compressed air pressure switch 218 for stirring the electrodeposition bath.
3 and in the direction indicated by the first electrodeposition tank compressed air introduction direction 2184 in the order shown in FIG.
5, first electrodeposition tank compressed air flow meter 2186, first electrodeposition tank compressed air regulator 2187, first electrodeposition tank compressed air mist separator 2188, first electrodeposition tank compressed air introduction valve 2189, first electrodeposition tank The first electrodeposition tank passes through a compressed air flexible pipe 2190, a first electrodeposition tank compressed air insulation pipe 2191, and a first electrodeposition tank compressed air upstream control valve 2193 or a first electrodeposition tank compressed air downstream control valve 2192. It reaches the stirring air introduction pipe 2062.
【0080】電析槽間折返しローラー2016を経て第
二電析槽2116に搬送された長尺基板2006は、第
二の電析膜を堆積または処理される。第二の電析膜は第
一の電析膜と同一のものであるが、第一の電析膜と第二
の電析膜とが一つの膜を形成することもあるし、また同
じ材質ながら別の特性を付与された二層の積層であるこ
ともあるし(例えば、酸化亜鉛で粒径の異なる層の積層
など)、同じ特性を持ちながら別の材質からなる二層の
積層であることもあるし(例えば、透明導電膜として酸
化インジウムと酸化亜鉛の積層など)、あるいは全く異
なる二層の積層であることもある。The long substrate 2006 conveyed to the second electrodeposition tank 2116 through the inter-electrodeposition tank return roller 2016 is deposited or treated with a second electrodeposition film. The second electrodeposition film is the same as the first electrodeposition film, but the first electrodeposition film and the second electrodeposition film may form one film, or the same material It may be a two-layer laminate with different properties (for example, a layer of zinc oxide with different particle sizes) or a two-layer laminate with the same properties but different materials. In some cases, for example, the transparent conductive film may be a stack of indium oxide and zinc oxide, or may be a completely different stack of two layers.
【0081】さらに、第一電析槽2066で低酸化物を
堆積し、第二電析槽2116で酸化進行処理を行った
り、第一電析槽2066で低酸化物を堆積し、第二電析
槽2116で食刻処理を行ったり、といった組み合わせ
が可能となる。Further, a low oxide is deposited in the first electrodeposition tank 2066, an oxidation progressing treatment is performed in the second electrodeposition tank 2116, or a low oxide is deposited in the first electrodeposition tank 2066, and a second electrodeposition is performed. It is possible to perform a combination such as performing an etching process in the analysis tank 2116.
【0082】したがって、電析浴あるいは処理浴、浴温
度、浴循環量、電流密度、攪拌量等の電析または処理条
件は、それぞれの目的に合わせて選択される。例えば、
電析または処理時間を第一電析槽2066と第二電析槽
2116とで変える必要がある場合には、長尺基板20
06の通過時間を第一電析槽2066と第二電析槽21
16とで変えればよい。そのためには、第一電析槽20
66と第二電析槽2116とで槽の長さを変えたり、ま
たは長尺基板2006の折り返しを行うことで調整す
る。Therefore, electrodeposition or treatment conditions such as an electrodeposition bath or treatment bath, bath temperature, bath circulation amount, current density, and stirring amount are selected according to each purpose. For example,
When it is necessary to change the electrodeposition or processing time between the first electrodeposition tank 2066 and the second electrodeposition tank 2116, the long substrate 20
06 was passed through the first electrodeposition tank 2066 and the second electrodeposition tank 21.
You can change it with 16. For this purpose, the first electrodeposition tank 20
The length is adjusted by changing the length of the tank between the first electrode 66 and the second electrodeposition tank 2116 or by turning the long substrate 2006 back.
【0083】[第二電析槽]図5に示すように、第二電
析槽2116は、電析浴に対して腐食せずに電析浴を保
温できる第二電析浴保持槽2115中に、温度制御され
た電析浴が第二電析浴浴面2025となるように保持さ
れている。[Second electrodeposition bath] As shown in FIG. 5, the second electrodeposition bath 2116 has a second electrodeposition bath holding tank 2115 which can keep the electrodeposition bath warm without corroding the electrodeposition bath. In addition, the temperature-controlled electrodeposition bath is held so as to be the second electrodeposition bath surface 2025.
【0084】この第二電析浴浴面2025の位置は、第
二電析浴保持槽2115内に設けられた仕切板(図示せ
ず)によるオーバーフローで実現されている。仕切板
は、電析浴を第二電析浴保持槽2115全体で奥側に向
かって落とすように設置されており、樋構造により第二
電析槽オーバーフロー戻り口2075に集められて溢れ
た電析浴は、第二電析槽オーバーフロー戻り路2219
を経て第二循環槽2222へ至り、ここで加熱されて、
再び第二電析槽上流循環噴流管2113と第二電析槽下
流循環噴流管2114とから第二電析浴保持槽2115
へ還流され、オーバーフローを促すに足るだけの電析浴
の流入を形成する。The position of the second electrodeposition bath surface 2025 is realized by an overflow by a partition plate (not shown) provided in the second electrodeposition bath holding tank 2115. The partition plate is installed so as to drop the electrodeposition bath toward the back side in the entire second electrodeposition bath holding tank 2115, and the gutter structure collects and overflows the electrodeposition bath at the second electrodeposition tank overflow return port 2075. The deposition bath is provided with a second electrodeposition tank overflow return path 2219.
To reach the second circulation tank 2222, where it is heated,
The second electrodeposition bath holding tank 2115 is again formed from the second electrodeposition tank upstream circulation jet pipe 2113 and the second electrodeposition tank downstream circulation jet pipe 2114.
To form an inflow of electrodeposition bath sufficient to promote overflow.
【0085】長尺基板2006は、電析槽間折返しロー
ラー2016(図4に示す)、第二電析槽進入ローラー
2069、第二電析槽退出ローラー2070、純水シャ
ワー槽折返し進入ローラー2279を経て、第二電析槽
2116内を通過する。The long substrate 2006 is provided with a folding roller 2016 (shown in FIG. 4) between the electrodeposition tanks, a second electrodeposition tank entry roller 2069, a second electrodeposition tank exit roller 2070, and a pure water shower tank return entry roller 2279. After that, it passes through the inside of the second electrodeposition tank 2116.
【0086】第二電析槽進入ローラー2069と第二電
析槽退出ローラー2070との間で、長尺基板2006
の表面は、電析浴の中にあって、28個の第二電析槽ア
ノード2076〜2103と対向している。実際の電析
は、長尺基板2006に負の電位を与えるとともに、ア
ノードに正の電位を与えて、電析浴中で両者の間に、電
気化学反応を伴う電析電流を流すことによって行う。The long substrate 2006 is inserted between the second electrode 2069 and the second electrode 2070.
Is located in the electrodeposition bath and faces the 28 second electrodeposition tank anodes 2076 to 2103. The actual deposition is performed by applying a negative potential to the long substrate 2006 and applying a positive potential to the anode, and flowing an electrodeposition current involving an electrochemical reaction between the two in the electrodeposition bath. .
【0087】第二電析槽2116におけるアノード20
76〜2103は、七つの第二電析槽アノード載置台2
104〜2110に、各4個ずつ載置されている。アノ
ード載置台2104〜2110は、絶縁板を介してそれ
ぞれのアノード2076〜2103を置く構造となって
おり、独立の電源から独自の電位を印加されるようにな
っている。また、アノード載置台2104〜2110
は、電析浴中で長尺基板2006とアノード2076〜
2103との間隔を保持する機能も担っている。このた
め、アノード載置台2104〜2110は、予め決めら
れた間隔を保持するべく、高さ調整ができるように設計
製作されていることが好ましい。The anode 20 in the second electrodeposition tank 2116
76 to 2103 are the seven second electrodeposition tank anode mounting tables 2
Four pieces are placed on each of 104 to 2110. Each of the anode mounting tables 2104 to 2110 has a structure in which the respective anodes 2076 to 2103 are placed via an insulating plate, and a unique electric potential is applied from an independent power supply. In addition, anode mounting tables 2104 to 2110
Is a long substrate 2006 and an anode 2076 ~ in an electrodeposition bath.
It also has the function of maintaining the interval with the reference numeral 2103. For this reason, it is preferable that the anode mounting tables 2104 to 2110 are designed and manufactured so that the height can be adjusted so as to maintain a predetermined interval.
【0088】第二電析槽退出ローラー2070の直前に
設けられた第二電析槽裏面電極2111は、電析浴中で
長尺基板2006の裏面に堆積された膜を電気化学的に
除去するためのもので、長尺基板2006に対して第二
電析槽裏面電極2111を負側の電位とすることで、こ
れを実現する。第二電析槽裏面電極2111が実際に効
力を持つことは、電界の回り込みによって長尺基板20
06の成膜面と反対側の裏面に電気化学的に付着する膜
であって、長尺基板2006の成膜面に形成されるもの
と同じ材質の膜が、目視下でみるみる除去されてゆくこ
とで確認される。The second electrode on the back side of the second electrodeposition tank 2111 provided immediately before the second electrodeposition roller 2070 electrochemically removes the film deposited on the backside of the long substrate 2006 in the electrodeposition bath. This is realized by setting the back electrode 2111 of the second electrodeposition tank to a negative potential with respect to the long substrate 2006. The fact that the back electrode 2111 of the second electrodeposition tank is actually effective is that the long substrate 20
A film that is electrochemically attached to the back surface opposite to the film-forming surface of the substrate 06 and is formed of the same material as that formed on the film-forming surface of the long substrate 2006 is visually removed. It is confirmed by
【0089】第二電析槽退出ローラー2070を通過し
電析浴から出た長尺基板2006には、第二電析槽出口
シャワー2297から電析浴がかけられて、成膜面が乾
燥してムラを生じるのを防止している。また、第二電析
槽2116と純水シャワー槽2360との渡り部分に設
けられた純水シャワー槽折返し進入ローラーカバー23
18も、電析浴から発生する蒸気を閉じ込め、長尺基板
2006の成膜面が乾燥するのを防止している。さら
に、純水シャワー槽入口表面純水シャワー2299や純
水シャワー槽入口裏面純水シャワー2300(図7に示
す)も、電析浴を洗浄して落とすだけでなく、同様の働
きをする。The long substrate 2006 that has passed through the second electrodeposition tank exit roller 2070 and exited from the electrodeposition bath is subjected to an electrodeposition bath from the second electrodeposition tank outlet shower 2297 to dry the film forming surface. To prevent unevenness. In addition, a pure water shower tank folded entry roller cover 23 provided at a transition portion between the second electrodeposition tank 2116 and the pure water shower tank 2360.
18 also traps the vapor generated from the electrodeposition bath and prevents the deposition surface of the long substrate 2006 from drying. Further, the pure water shower tank entrance surface pure water shower 2299 and the pure water shower tank entrance rear pure water shower 2300 (shown in FIG. 7) not only wash and remove the electrodeposition bath but also perform the same function.
【0090】[第二循環槽]図5に示すように、第二循
環槽2222は、第二電析槽2116中の電析浴の加熱
保温ならびに噴流循環を担うものである。上述したよう
に、第二電析槽2116でオーバーフローした電析浴
は、第二電析槽オーバーフロー戻り口2075に集めら
れ、第二電析槽オーバーフロー戻り路2219を通り、
第二電析槽オーバーフロー戻り路絶縁フランジ2220
を経て、第二循環槽加熱貯槽2223へ至る。第二循環
槽加熱貯槽2223内には、8本の第二循環槽ヒーター
2224〜2231が設けられており、室温の電析浴を
初期加熱する際や、循環によって浴温が低下する電析浴
を再加熱して、電析浴を所定の温度に保持する際に機能
する。[Second Circulation Tank] As shown in FIG. 5, the second circulation tank 2222 serves to heat and keep the electrodeposition bath in the second electrodeposition tank 2116 and to circulate the jet. As described above, the electrodeposition bath overflowed in the second electrodeposition tank 2116 is collected at the second electrodeposition tank overflow return port 2075, passes through the second electrodeposition tank overflow return path 2219, and
Second electrodeposition tank overflow return path insulation flange 2220
, And reaches the second circulation tank heating storage tank 2223. Eight second circulating tank heaters 2224 to 2231 are provided in the second circulating tank heating storage tank 2223, and are used when initially heating the electrodeposition bath at room temperature or when the bath temperature is reduced by circulation. Reheats to maintain the electrodeposition bath at a predetermined temperature.
【0091】第二循環槽加熱貯槽2223には、二つの
循環系が接続されている。すなわち、第二循環槽電析浴
上流循環元バルブ2232、第二循環槽電析浴上流循環
ポンプ2234、第二循環槽電析浴上流循環バルブ22
37、第二循環槽電析浴上流循環フレキシブルパイプ2
238、第二循環槽電析浴上流循環フランジ絶縁配管2
239を経て、第二電析槽上流循環噴流管2113から
第二電析浴保持槽2115に戻る第二電析槽上流循環還
流系と、第二循環槽電析浴下流循環元バルブ2242、
第二循環槽電析浴下流循環ポンプ2245、第二循環槽
電析浴下流循環バルブ2247、第二循環槽電析浴下流
循環フレキシブルパイプ2248、第二循環槽電析浴下
流循環フランジ絶縁配管2249を経て、第二電析槽下
流循環噴流管2114から第二電析浴保持槽2115に
戻る第二電析槽下流循環還流系とである。The second circulation tank heating storage tank 2223 is connected with two circulation systems. That is, the second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation source valve 2232, the second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pump 2234, the second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 22
37, Flexible pipe 2 circulating upstream of the electrodeposition bath in the second circulation tank
238, 2nd circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flange insulation pipe 2
239, a second electrodeposition tank upstream circulation recirculation system returning from the second electrodeposition tank upstream circulation jet pipe 2113 to the second electrodeposition bath holding tank 2115, a second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation source valve 2242,
Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump 2245, second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 2247, second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flexible pipe 2248, second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flange insulation pipe 2249 Through the second electrodeposition tank downstream circulation circulation jet pipe 2114 to return to the second electrodeposition bath holding tank 2115.
【0092】第二電析槽上流循環噴流管2113と第二
電析槽下流循環噴流管2114とから第二電析槽211
6に戻る電析浴は、第二電析浴保持槽2115内での電
析浴の交換を効果ならしめるように、第二電析浴保持槽
2115下部に設けられた第二電析槽上流循環噴流管2
113と第二電析槽下流循環噴流管2114から、それ
ぞれの噴流管に穿かれたオリフィスを経て噴流として還
流される。The second electrodeposition tank 211 is formed from the upstream circulation jet pipe 2113 and the downstream circulation jet pipe 2114 of the second electrodeposition tank.
The electrodeposition bath returning to 6 is provided upstream of the second electrodeposition bath provided below the second electrodeposition bath holding tank 2115 so that the exchange of the electrodeposition bath in the second electrodeposition bath holding tank 2115 can be effectively performed. Circulating jet 2
From the 113 and the second electrodeposition tank downstream circulating jet pipe 2114, it is recirculated as a jet via orifices formed in each jet pipe.
【0093】それぞれの循環還流系での還流量は、主に
第二循環槽電析浴上流循環バルブ2237または第二循
環槽電析浴下流循環バルブ2247の開閉度によって制
御され、さらに細かい調節は、第二循環槽電析浴上流循
環ポンプ2234または第二循環槽電析浴下流循環ポン
プ2245の出口と入口を短絡して接続したバイパス系
に設けられた第二循環槽電析浴上流循環ポンプバイパス
バルブ2235または第二循環槽電析浴下流循環ポンプ
バイパスバルブ2244によって制御される。The amount of reflux in each circulation reflux system is controlled mainly by the opening / closing degree of the second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 2237 or the second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 2247. A second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pump 2234 or a second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pump provided in a bypass system in which the outlet and the inlet of the second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump 2245 are short-circuited and connected. The bypass valve 2235 or the second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump bypass valve 2244 is controlled.
【0094】バイパス系は、還流量を少なくした場合
や、浴温が極めて沸点に近い時に、ポンプ内でのキャビ
テーションを防止する役目も果たしている。第一電析槽
2066の説明でも述べたが、浴液が沸騰気化して液体
を送り込めなくなるキャビテーションは、ポンプの寿命
を著しく短くしてしまうため、バイパス系によりこれを
防止しているのである。The bypass system also serves to prevent cavitation in the pump when the amount of reflux is reduced or when the bath temperature is very close to the boiling point. As described in the description of the first electrodeposition tank 2066, the cavitation in which the bath liquid evaporates and the liquid cannot be sent due to the evaporation of the bath liquid is remarkably shortened in the service life of the pump. .
【0095】第二電析槽上流循環噴流管2113と第二
電析槽下流循環噴流管2114とにオリフィスを穿って
噴流を形成する場合、還流量は第二電析槽上流循環噴流
管2113と第二電析槽下流循環噴流管2114へ戻す
浴液の圧力によってほぼ定まる。これを知るために、第
二循環槽電析浴上流循環圧力ゲージ2236と第二循環
槽電析浴下流循環圧力ゲージ2246が設けられてお
り、還流量のバランスはこれらの圧力ゲージ2236,
2246により知ることができる。When an orifice is formed in the upstream circulation jet pipe 2113 of the second electrodeposition tank and the downstream circulation jet pipe 2114 of the second electrodeposition tank to form a jet, the amount of recirculation is equal to that of the upstream circulation jet pipe 2113 of the second electrodeposition tank. It is almost determined by the pressure of the bath liquid returned to the downstream circulation jet pipe 2114 of the second electrodeposition tank. In order to know this, a second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pressure gauge 2236 and a second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pressure gauge 2246 are provided.
2246.
【0096】オリフィスから吹き出す還流浴液量は、正
確にはベルヌーイの定理に従うが、噴流管2113,2
114に穿ったオリフィスが数ミリ以下の径の時には、
第二電析槽上流循環噴流管2113ないし第二電析槽下
流循環噴流管2114全体にわたって噴流量を実質的に
一定とすることができる。さらに、還流量が十分に大き
い場合には、電析浴の交換が極めてスムーズに行われる
ので、第二電析槽2116がかなり長くとも、電析浴の
濃度の均一化や温度の均一化を効果的に図ることができ
る。なお、第二電析槽オーバーフロー戻り路2219
は、十分な還流量を流しうる太さを有している。The amount of the reflux bath blown out from the orifice exactly follows Bernoulli's theorem.
When the orifice drilled in 114 has a diameter of several millimeters or less,
The jet flow rate can be made substantially constant over the whole of the second electrodeposition tank upstream circulation jet pipe 2113 to the second electrodeposition tank downstream circulation jet pipe 2114. Further, when the reflux amount is sufficiently large, the exchange of the electrodeposition bath is performed extremely smoothly. Therefore, even if the second electrodeposition tank 2116 is considerably long, it is necessary to make the concentration of the electrodeposition bath uniform and the temperature uniform. It can be achieved effectively. The second electrodeposition tank overflow return path 2219
Has a thickness that allows a sufficient reflux amount to flow.
【0097】それぞれの循環還流系に設けられた第二循
環槽電析浴上流循環フレキシブルパイプ2238と第二
循環槽電析浴下流循環フレキシブルパイプ2248は、
配管系の歪みを吸収するものであり、特に歪みに対して
機械的強度が不足しがちなフランジ絶縁配管などを用い
る場合には有効である。The second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flexible pipe 2238 and the second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flexible pipe 2248 provided in each circulation reflux system are
It absorbs distortion in the piping system, and is particularly effective when using flange-insulated piping or the like, which tends to have insufficient mechanical strength against distortion.
【0098】それぞれの循環還流系に設けられた第二循
環槽電析浴上流循環フランジ絶縁配管2239と第二循
環槽電析浴下流循環フランジ絶縁配管2249は、第二
電析槽オーバーフロー戻り路2219の途中に設けられ
た第二電析槽オーバーフロー戻り路絶縁フランジ222
0とともに第二循環槽2222と第二電析槽2116と
を電気的に浮かせるものである。これは、不要な電流経
路の形成を絶つことにより、迷走電流を防止して電析電
流のほとんどを電気化学的な成膜反応に用いることがで
きる、という本発明者等の知見に基づくものである。The second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flange insulation pipe 2239 and the second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flange insulation pipe 2249 provided in each circulation reflux system are connected to the second electrodeposition tank overflow return path 2219. Second electrodeposition tank overflow return path insulating flange 222 provided in the middle of
In addition to 0, the second circulation tank 2222 and the second electrodeposition tank 2116 are electrically floated. This is based on the knowledge of the present inventors that by preventing formation of unnecessary current paths, stray current can be prevented and most of the deposited current can be used for an electrochemical film formation reaction. is there.
【0099】一方の循環還流系には、直接第二循環槽加
熱貯槽2223へ戻る第二循環槽電析浴バイパス循環フ
レキシブルパイプ2250及び第二循環槽電析浴バイパ
ス循環バルブ2251からなるバイパス還流系が設けら
れている。このバイパス環流系は、第二電析槽2116
に浴液を還流することなく電析浴の循環を行わしめたい
場合、例えば室温から所定温度への昇温時などに用いる
ものである。One of the circulation recirculation systems is a bypass recirculation system comprising a second circulation tank electrodeposition bath bypass circulation flexible pipe 2250 and a second circulation tank electrodeposition bath bypass circulation valve 2251 which returns directly to the second circulation tank heating storage tank 2223. Is provided. This bypass reflux system is provided in the second electrodeposition tank 2116.
When it is desired to circulate the electrodeposition bath without refluxing the bath solution, it is used, for example, when the temperature is raised from room temperature to a predetermined temperature.
【0100】また、第二循環槽2166からの両循環還
流系には、第二電析槽進入ローラー2069に至る直前
に長尺基板2006に電析浴をかけるための第二電析槽
入口シャワー2068へ至る送液系と、第二電析槽退出
ローラー2070を通過し電析浴から出た長尺基板20
06に電析浴をかけるための第二電析槽出口シャワー2
297へ至る二つの送液系が設けられている。前者の送
液系は、第二電析槽入口シャワーバルブ2241を介し
て第二電析槽入口シャワー2068へ繋がっており、後
者の送液系は、第二電析槽出口シャワーバルブ2252
を介して第二電析槽出口シャワー2297へ繋がってい
る。In addition, the two circulation circulation system from the second circulation tank 2166 has a second electrodeposition tank entrance shower for applying an electrodeposition bath to the long substrate 2006 immediately before reaching the second electrodeposition tank entrance roller 2069. And a long substrate 20 that has passed through the second electrodeposition tank exit roller 2070 and exited from the electrodeposition bath.
Electrodeposition bath outlet shower 2 for applying an electrodeposition bath to 06
297 are provided. The former liquid feeding system is connected to a second electrodeposition tank inlet shower 2068 via a second electrodeposition tank inlet shower valve 2241, and the latter liquid feeding system is connected to a second electrodeposition tank outlet shower valve 2252.
Through the second electrodeposition tank outlet shower 2297.
【0101】第二電析槽入口シャワー2068からの電
析液噴霧量は、第二電析槽入口シャワーバルブ2241
の開閉度を調節することによって、また、第二電析槽出
口シャワー2297からの電析液噴霧量は、第二電析槽
出口シャワーバルブ2252の開閉度を調節することに
よって調整される。The spray amount of the electrodeposition liquid from the second electrodeposition tank inlet shower 2068 is equal to the second electrodeposition tank inlet shower valve 2241.
And the amount of the deposited liquid sprayed from the second electrodeposition tank outlet shower 2297 is adjusted by adjusting the degree of opening and closing of the second electrodeposition tank outlet shower valve 2252.
【0102】第二循環槽加熱貯槽2223は、蓋(図示
せず)が設けられており、蒸気となって水分が失われゆ
くのを防止する構造となっている。浴温が高い場合に
は、蓋の温度も高くなるので、作業の安全面から、蓋の
表面に断熱材を貼るなどの考慮が必要である。The second circulating tank heating storage tank 2223 is provided with a lid (not shown), and has a structure for preventing loss of water as steam. When the bath temperature is high, the temperature of the lid also increases. Therefore, it is necessary to consider, for example, attaching a heat insulating material to the surface of the lid from the viewpoint of work safety.
【0103】第二電析槽電析浴中の粉体を除去するため
に、フィルター循環系が設けられている。第二電析槽2
116に対するフィルター循環系は、第二電析槽フィル
ター循環戻りフレキシブルパイプ2253、第二電析槽
フィルター循環戻りフランジ絶縁配管2254、第二電
析槽フィルター循環元バルブ2256、第二電析槽フィ
ルター循環サクションフィルター2258、第二電析槽
フィルター循環ポンプ2260、第二電析槽フィルター
循環ポンプバイパスバルブ2259、第二電析槽フィル
ター循環圧力スイッチ2261、第二電析槽フィルター
循環圧力ゲージ2262、第二電析槽フィルター循環フ
ィルター2263、第二電析槽フィルター循環フレキシ
ブルパイプ2266、第二電析槽フィルター循環フラン
ジ絶縁配管2267、第二電析槽フィルター循環バルブ
2268、第二電析槽フィルター循環系電析浴上流戻り
バルブ2269、第二電析槽フィルター循環系電析浴中
流戻りバルブ2270、第二電析槽フィルター循環系電
析浴下流戻りバルブ2271からなっている。A filter circulation system is provided for removing powder in the electrodeposition bath of the second electrodeposition tank. Second electrodeposition tank 2
The filter circulation system for 116 includes a second electrodeposition tank filter circulation return flexible pipe 2253, a second electrodeposition tank filter circulation return flange insulating pipe 2254, a second electrodeposition tank filter circulation source valve 2256, and a second electrodeposition tank filter circulation. Suction filter 2258, second electrodeposition tank filter circulation pump 2260, second electrodeposition tank filter circulation pump bypass valve 2259, second electrodeposition tank filter circulation pressure switch 2261, second electrodeposition tank filter circulation pressure gauge 2262, second electrode Electrodeposition tank filter circulation filter 2263, second electrodeposition tank filter circulation flexible pipe 2266, second electrodeposition tank filter circulation flange insulation pipe 2267, second electrodeposition tank filter circulation valve 2268, second electrodeposition tank filter circulation system Precipitation bath upstream return valve 2269, Second electrodeposition vessel filter circulation system electrodeposition bath midstream return valve 2270, which is from the second electrodeposition vessel filter circulation system electrodeposition bath downstream return valve 2271.
【0104】電析浴は、この経路を第二電析槽フィルタ
ー循環方向2257、同2264、同2265の方向に
流れてゆく。除去されるべき粉体は、機外から飛び込む
こともあるし、また電析反応に応じて、電極表面や浴中
で形成されることもある。除去されるべき粉体の最小の
大きさは、第二電析槽フィルター循環フィルター226
3のフィルターサイズで定まる。The electrodeposition bath flows in this path in the direction of circulation in the second electrodeposition tank filter 2257, 2264 and 2265. The powder to be removed may jump in from outside the machine, or may be formed on the electrode surface or in a bath depending on the electrodeposition reaction. The minimum size of the powder to be removed is the second electrodeposition tank filter circulation filter 226.
It is determined by the filter size of 3.
【0105】第二電析槽フィルター循環戻りフレキシブ
ルパイプ2253ならびに第二電析槽フィルター循環フ
レキシブルパイプ2266は、配管の歪みを吸収して、
配管接続部からの液漏れを極小化するとともに、機械強
度に劣る絶縁配管を保護し、ポンプを始めとする循環系
の構成部品の配置自由度を上げるためのものである。The second electrodeposition tank filter circulation return flexible pipe 2253 and the second electrodeposition tank filter circulation flexible pipe 2266 absorb the distortion of the piping,
The purpose is to minimize liquid leakage from the pipe connection portion, protect insulating pipes having poor mechanical strength, and increase the degree of freedom in arranging components of a circulation system such as a pump.
【0106】第二電析槽フィルター循環戻りフランジ絶
縁配管2254ならびに第二電析槽フィルター循環フラ
ンジ絶縁配管2267は、大地アースからフロートとし
た第二電析浴保持槽2115が大地アースに落ちること
を防止するため、電気的に浮かせることを目的としたも
のである。The second electrodeposition tank filter circulating return flange insulating pipe 2254 and the second electrodeposition tank filter circulating flange insulating pipe 2267 are used to prevent the second electrodeposition bath holding tank 2115, which has been floated from earth ground, to fall to earth ground. It is intended to float electrically to prevent it.
【0107】第二電析槽フィルター循環サクションフィ
ルター2258は、いわゆる「茶漉し」のような金網で
あり、大きなごみを取り除き、後に続く第二電析槽フィ
ルター循環ポンプ2260や第二電析槽フィルター循環
フィルター2263を保護するためのものである。The second electrodeposition tank filter circulating suction filter 2258 is a wire mesh such as a so-called “tea strainer” for removing large debris, and following the second electrodeposition tank filter circulation pump 2260 and the second electrodeposition tank filter. This is for protecting the circulation filter 2263.
【0108】第二電析槽フィルター循環フィルター22
63は、この循環系の主役であり、電析浴中に混入ある
いは発生した粉体を除去するためのものである。Second Electrodeposition Tank Filter Circulation Filter 22
Numeral 63 is a main part of this circulation system, and is for removing powder mixed or generated in the electrodeposition bath.
【0109】本循環系の電析浴の循環流量は、主に第二
電析槽フィルター循環バルブ2268により微調整され
るとともに、従として第二電析槽フィルター循環ポンプ
2260に並列に設けられた第二電析槽フィルター循環
ポンプバイパスバルブ2259により微調整される。こ
れらのバルブ調整による循環流量を把握するために、第
二電析槽フィルター循環圧力ゲージ2262が設けられ
ている。また、第二電析槽フィルター循環ポンプバイパ
スバルブ2259は、流量の微調整の他、フィルター循
環流量全体を絞った時に、キャビテーションが発生して
第二電析槽フィルター循環ポンプ2260が破損するの
を防止している。The circulation flow rate of the electrodeposition bath in this circulation system is finely adjusted mainly by the second electrodeposition tank filter circulation valve 2268, and is provided in parallel with the second electrodeposition tank filter circulation pump 2260. Fine adjustment is made by the second electrodeposition tank filter circulation pump bypass valve 2259. A second electrodeposition tank filter circulating pressure gauge 2262 is provided to grasp the circulating flow rate by adjusting these valves. Also, the second electrodeposition tank filter circulation pump bypass valve 2259 can be used for fine adjustment of the flow rate and for preventing the second electrodeposition tank filter circulation pump 2260 from being damaged due to cavitation when the entire filter circulation flow rate is reduced. Preventing.
【0110】[第二排液槽]図5,6に示すように、第
二電析槽フィルター循環戻りフランジ絶縁配管2254
を経て、第二電析槽排水バルブ2255から第二排液槽
2274へ電析浴を移送することができる。この移送
は、電析浴交換、電析装置のメンテナンス、さらには緊
急時に行われるものである。移送される排液としての電
析浴は、重力落下により第二排液槽排液貯槽2273に
落とされる。メンテナンスや緊急時の目的のためには、
第二排液槽排液貯槽2273が、第二電析槽2116お
よび第二循環槽2222の浴容量の合計を貯めるだけの
容量をもつことが好ましい。第二排液槽排液貯槽227
3には、第二排液槽排液貯槽上蓋2278が設置されて
いるとともに、電析浴の重力落下移送を効果的ならしめ
るために、第二排液槽空気抜き2276及び第二排液槽
空気抜きバルブ2275が設けられている。[Second drainage tank] As shown in FIGS. 5 and 6, the second electrodeposition tank filter circulation return flange insulating pipe 2254
, The electrodeposition bath can be transferred from the second electrodeposition tank drain valve 2255 to the second liquid drainage tank 2274. This transfer is performed for electrodeposition bath replacement, maintenance of the electrodeposition apparatus, and in an emergency. The electrodeposition bath as the drainage to be transferred is dropped into the second drainage drainage storage tank 2273 by gravity drop. For maintenance and emergency purposes,
It is preferable that the second drainage tank 2273 has a capacity enough to store the total bath capacity of the second electrodeposition tank 2116 and the second circulation tank 2222. Second drain tank drain storage tank 227
3 is provided with a second drainage tank drainage tank upper lid 2278, and a second drainage tank air vent 2276 and a second drainage tank air vent in order to make the gravity drop transfer of the electrodeposition bath effective. A valve 2275 is provided.
【0111】図6に示すように、一旦、第二排液槽排液
貯槽2273に落とされた電析浴は、温度が下がった
後、第二排液槽排水バルブ2180より建物側の廃水処
理施設に送られるか、あるいは第二排液槽排液回収バル
ブ2181、排液回収元バルブ2175、排液回収サク
ションフィルター2176と排液回収ポンプ2177を
経てドラム缶(図示せず)に回収され、然るべき処分が
行われる。回収や処分に先立って、第二排液槽排液貯槽
2273内で、水による希釈や薬液による処理などを行
ってもよい。As shown in FIG. 6, after the temperature of the electrodepositing bath once dropped in the second drainage tank drainage storage tank 2273 is lowered, the wastewater treatment on the building side from the second drainage tank drainage valve 2180 is performed. It is sent to a facility or is collected in a drum (not shown) via a second drainage tank drainage recovery valve 2181, a drainage recovery source valve 2175, a drainage recovery suction filter 2176, and a drainage recovery pump 2177, and Disposition takes place. Prior to collection and disposal, dilution with water, treatment with a chemical solution, and the like may be performed in the second drainage tank 2273.
【0112】[攪拌空気導入手段]図5に示すように、
電析浴を攪拌し電析成膜を均一化ならしめるために、第
二電析浴保持槽2115底部に設置された第二電析槽攪
拌空気導入管2112に穿った複数のオリフィスから空
気バブルを噴出させるようになっている。[Agitating Air Introducing Means] As shown in FIG.
In order to stir the electrodeposition bath and to make the film deposition uniform, air bubbles are blown out from a plurality of orifices formed in the second electrodeposition tank stirring air introduction pipe 2112 installed at the bottom of the second electrodeposition bath holding tank 2115. Squirt.
【0113】空気バブルとなる空気は、工場に供給され
る圧搾空気を圧搾空気導入口2182(図6に示す)か
ら取り込み、電析浴攪拌用圧搾空気圧力スイッチ218
3を経て、第二電析槽圧搾空気導入方向2194に示さ
れる方向で、順に第二電析槽圧搾空気元バルブ219
5、第二電析槽圧搾空気流量計2196、第二電析槽圧
搾空気レギュレーター2197、第二電析槽圧搾空気ミ
ストセパレーター2198、第二電析槽圧搾空気導入バ
ルブ2199、第二電析槽圧搾空気フレキシブルパイプ
2220、第二電析槽圧搾空気絶縁配管2201、そし
て第二電析槽圧搾空気上流側制御バルブ2202または
第二電析槽圧搾空気下流側制御バルブ2272を通り第
二電析槽攪拌空気導入管2112へ至る。The air serving as an air bubble takes in compressed air supplied to the factory from a compressed air inlet 2182 (shown in FIG. 6), and presses a compressed air pressure switch 218 for stirring the electrodeposition bath.
3, the second electrodeposition tank compressed air source valve 219 in the direction indicated by the second electrodeposition tank compressed air introduction direction 2194.
5, second electrodeposition tank compressed air flow meter 2196, second electrodeposition tank compressed air regulator 2197, second electrodeposition tank compressed air mist separator 2198, second electrodeposition tank compressed air introduction valve 2199, second electrodeposition tank The second electrodeposition tank passes through the compressed air flexible pipe 2220, the second electrodeposition tank compressed air insulation pipe 2201, and the second electrodeposition tank compressed air upstream control valve 2202 or the second electrodeposition tank compressed air downstream control valve 2272. It reaches the stirring air introduction pipe 2112.
【0114】[予備導入系]図4,5,6に示すよう
に、第一電析槽2066や第二電析槽2116には、予
備の液体または気体が導入できるように、予備導入系が
設置されている。電析槽予備導入口2213からの液体
または気体は、電析槽予備導入バルブ2214を介し
て、第一電析槽予備導入バルブ2215、第一電析槽予
備導入絶縁配管2216を経て第一電析槽2066へ送
られる。同様に、電析槽予備導入口2213からの液体
または気体は、電析槽予備導入バルブ2214を介し
て、第二電析槽予備導入バルブ2217、第二電析槽予
備導入絶縁配管2218を経て第二電析槽2116へ送
られる。[Preliminary Introducing System] As shown in FIGS. 4, 5, and 6, a preliminary introducing system is provided in the first electrodeposition tank 2066 and the second electrodeposition tank 2116 so that a preliminary liquid or gas can be introduced. is set up. The liquid or gas from the electrodeposition tank pre-introduction port 2213 passes through the electrodeposition tank pre-introduction valve 2214, passes through the first electrodeposition tank pre-introduction valve 2215, passes through the first electrodeposition tank pre-introduction insulation pipe 2216, and the first electrode. It is sent to the precipitation tank 2066. Similarly, the liquid or gas from the electrodeposition tank preliminary introduction port 2213 passes through the electrodeposition tank preliminary introduction valve 2214, the second electrodeposition tank preliminary introduction valve 2217, and the second electrodeposition tank preliminary introduction insulating pipe 2218. It is sent to the second electrodeposition tank 2116.
【0115】予備導入系で最も可能性の高いものは、電
析浴の能力を長時間一定に保つための保持剤や補充薬で
あるが、場合によっては、電析浴に溶かす気体であった
り、また粉体を除去する酸であったりする。The most probable pre-introduction system is a holding agent or replenisher for keeping the performance of the electrodeposition bath constant for a long time. In some cases, however, a gas dissolved in the electrodeposition bath may be used. Or an acid that removes powder.
【0116】[リンス]図7に示すように、本発明に係
るリンス工程は、純水シャワー槽2360、第一温水槽
2361、第二温水槽2362の3段で行われる。この
リンス工程では、第二温水槽2362に加温された純水
が供給され、その排液が第一温水槽2361で用いら
れ、さらにその排液が純水シャワー槽2360で用いら
れる構成となっている。このことにより、長尺基板20
06は、電析槽での電析を終了した後、次第に純度の高
い水で洗われてゆく。また、このような構成とすること
により、少なくとも第二温水槽2362における電気伝
導度が、常に150μS/cm以下、好ましくは1μS
/cm以下となるように管理されているが、純水シャワ
ー槽2360、第一温水槽2361、第二温水槽236
2の全てがこのように管理されていることが好ましい。[Rinse] As shown in FIG. 7, the rinse step according to the present invention is performed in three stages: a pure water shower tank 2360, a first hot water tank 2361, and a second hot water tank 2362. In this rinsing step, heated pure water is supplied to the second hot water tank 2362, the drainage thereof is used in the first hot water tank 2361, and the drainage is used in the pure water shower tank 2360. ing. As a result, the long substrate 20
06 is gradually washed with high-purity water after completion of the electrodeposition in the electrodeposition tank. In addition, with such a configuration, the electric conductivity in at least the second hot water tank 2362 is always 150 μS / cm or less, preferably 1 μS / cm.
/ Cm or less, but a pure water shower tank 2360, a first hot water tank 2361, and a second hot water tank 236.
Preferably, all of the two are managed in this way.
【0117】この純水は、長尺基板2006が退出して
ゆく直前の第二温水槽出口裏面純水シャワー2309、
第二温水槽出口表面純水シャワー2310へ供給され
る。This pure water is a pure water shower 2309 at the back surface of the outlet of the second hot water tank immediately before the elongate substrate 2006 exits.
It is supplied to the pure water shower 2310 on the outlet surface of the second hot water tank.
【0118】図8に示すように、供給すべき純水は、水
洗系純水口2337から水洗系純水供給元バルブ233
8を経て一旦純水加熱槽2339に貯められ、純水加熱
槽純水加熱ヒーター2340〜2343で所定の温度に
暖められ、純水加熱槽純水送出バルブ2344、純水加
熱槽純水送出ポンプ2346、純水加熱槽圧力スイッチ
2347、純水加熱槽カートリッジ式フィルター234
9、純水加熱槽流量計2350を通り、一方は第二温水
槽出口裏面シャワーバルブ2351から第二温水槽出口
裏面純水シャワー2309(図7に示す)へ至り、他方
は第二温水槽出口表面シャワーバルブ2352から第二
温水槽出口表面純水シャワー2310(図7に示す)へ
至る。なお、純水を加温するのは、洗浄効果を向上させ
るためである。As shown in FIG. 8, pure water to be supplied is supplied from a rinse pure water inlet 2337 to a rinse pure water supply source valve 233.
8 and once stored in a pure water heating tank 2339, heated to a predetermined temperature by pure water heating tank pure water heaters 2340 to 2343, a pure water heating tank pure water delivery valve 2344, a pure water heating tank pure water delivery pump 2346, pure water heating tank pressure switch 2347, pure water heating tank cartridge type filter 234
9, through the pure water heating tank flow meter 2350, one reaches from the second hot water tank outlet backside shower valve 2351 to the second hot water tank outlet backside pure water shower 2309 (shown in FIG. 7), and the other is the second hot water tank outlet From the surface shower valve 2352 to the second hot water tank outlet surface pure water shower 2310 (shown in FIG. 7). The reason why the pure water is heated is to improve the cleaning effect.
【0119】図7に示すように、シャワー2309,2
310ヘ供給されて第二温水槽温水保持槽2317へ溜
まった純水は、純水リンス浴を形成する。ここで、長尺
基板2006は静水での洗浄が行われる。また、純水の
温度が下がらないようにするため、第二温水槽2361
には、第二温水槽温水保温ヒーター2307が設けられ
ている。[0119] As shown in FIG.
Pure water supplied to 310 and stored in the second hot water tank hot water holding tank 2317 forms a pure water rinsing bath. Here, the long substrate 2006 is washed with still water. In addition, in order to prevent the temperature of the pure water from dropping, the second hot water tank 2361 is used.
Is provided with a second hot water tank warm water keeping heater 2307.
【0120】第一温水槽2361へは、第二温水槽温水
保持槽2317から溢れた純水が、第二温水槽2362
に設けられた温水槽間連結管2232を介して、第一温
水槽温水保持槽2362へ供給される。第一温水槽温水
保持槽2362には、第二温水槽2317と同様に、第
一温水槽温水保温ヒーター2304が設置されており、
純水の温度を保持するようになっている。さらに、第一
温水槽2361には、超音波源2306が設置されてお
り、積極的に長尺基板2006表面の汚れを、第一温水
槽ローラー2282と第二温水槽折返し進入ローラー2
283の間で除去するようになっている。The pure water overflowing from the second hot water tank 2317 is supplied to the first hot water tank 2361.
Is supplied to the first hot water tank hot water holding tank 2362 through the hot water tank connecting pipe 2232 provided in the first hot water tank. In the first hot water tank hot water holding tank 2362, similarly to the second hot water tank 2317, a first hot water tank hot water holding heater 2304 is installed,
It keeps the temperature of pure water. Further, an ultrasonic source 2306 is provided in the first hot water tank 2361, and positively removes dirt on the surface of the long substrate 2006 by using the first hot water tank roller 2282 and the second hot water tank return entry roller 2.
283.
【0121】図8に示すように、第一温水槽温水保持槽
2316からの純水は、純水シャワー槽純水シャワー供
給元バルブ2323に続いて、純水シャワー槽純水シャ
ワー供給ポンプ2325、純水シャワー槽純水シャワー
供給圧力スイッチ2326、純水シャワー槽純水シャワ
ー供給カートリッジ式フィルター2328、純水シャワ
ー槽純水シャワー供給流量計2329を経て、純水シャ
ワー槽入口表面純水シャワーバルブ2330から純水シ
ャワー槽入口表面純水シャワー2299(図7に示す)
へ送られるとともに、純水シャワー槽入口裏面純水シャ
ワーバルブ2331から純水シャワー槽入口裏面純水シ
ャワー2300(図7に示す)へ送られる。As shown in FIG. 8, the pure water from the first hot water tank hot water holding tank 2316 is supplied to a pure water shower tank pure water shower supply valve 2323, followed by a pure water shower tank pure water shower supply pump 2325, A pure water shower tank pure water shower supply pressure switch 2326, a pure water shower tank pure water shower supply cartridge type filter 2328, a pure water shower tank pure water shower supply flow meter 2329, and a pure water shower tank entrance surface pure water shower valve 2330. To pure water shower tank entrance surface pure water shower 2299 (shown in FIG. 7)
Along with the pure water shower tank inlet back surface pure water shower valve 2331 to the pure water shower tank inlet back surface pure water shower 2300 (shown in FIG. 7).
【0122】また、この純水は、純水シャワー槽出口裏
面純水シャワーバルブ2332から純水シャワー槽出口
裏面純水シャワー2302(図7に示す)へ送られると
ともに、純水シャワー槽出口表面純水シャワーバルブ2
333から純水シャワー槽出口表面純水シャワー230
3(図7に示す)へ送られる。The pure water is sent from the pure water shower tank outlet back surface pure water shower valve 2332 to the pure water shower tank outlet back surface pure water shower 2302 (shown in FIG. 7), and the pure water shower tank outlet surface pure surface Water shower valve 2
333 to pure water shower tank outlet surface pure water shower 230
3 (shown in FIG. 7).
【0123】そして、図7に示すように、純水シャワー
槽2360の入口と出口で、それぞれ長尺基板2006
の表面と裏面に洗浄用シャワー流がかけられる。Then, as shown in FIG. 7, the long substrate 2006
A washing shower flow is applied to the front and back surfaces of the cleaning device.
【0124】シャワー後の水は、純水シャワー槽受け槽
2315で受けられ、そのまま第一温水槽温水保持槽2
316と第二温水槽温水保持槽2317の一部と合流し
て水洗系排水2336に捨てられる。通常は、洗浄済み
の水にはイオンその他が含まれているため、所定の処理
を必要とする。The water after the shower is received in a pure water shower tank receiving tank 2315, and is directly received in the first hot water tank hot water holding tank 215.
316 and a part of the second hot water tank hot water holding tank 2317 are merged and discarded in the washing system drainage 2336. Normally, since the washed water contains ions and the like, a predetermined treatment is required.
【0125】洗浄のための純水シャワー槽2360、第
一温水槽2361、第二温水槽2362では、長尺基板
2006は、純水シャワー槽折返し進入ローラー227
9、純水シャワー槽ローラー2280、第一温水槽折返
し進入ローラー2281、第一温水槽ローラー228
2、第二温水槽折返し進入ローラー2283、第二温水
槽ローラー2284、乾燥折返しローラー2285へ送
られてゆく。また、純水シャワー槽折返し進入ローラー
2279の直後には、純水シャワー槽裏面ブラシ229
8が設けられており、長尺基板2006の裏面に付着す
る比較的大きな粉や付着力の弱い生成物を取り除けるよ
うになっている。In the pure water shower tank 2360, the first hot water tank 2361, and the second hot water tank 2362 for cleaning, the long substrate 2006
9, pure water shower tank roller 2280, first hot water tank return entry roller 2281, first hot water tank roller 228
2. It is sent to the second hot water tank return entry roller 2283, the second hot water tank roller 2284, and the dry return roller 2285. Immediately after the pure water shower tub turning-back roller 2279, the pure water shower tub back brush 229 is disposed.
8 are provided so as to remove relatively large powders and products having low adhesiveness attached to the back surface of the long substrate 2006.
【0126】乾燥部2363に至った長尺基板2006
は、まず乾燥部入口で乾燥部入口裏面エアーナイフ23
11、乾燥部入口表面エアーナイフ2312による水切
りが行われる。エアーナイフヘの空気の導入は、図8に
示すように、乾燥系圧搾空気導入口2353、乾燥系圧
搾空気圧力スイッチ2354、乾燥系圧搾空気フィルタ
ーレギュレーター2355、乾燥系圧搾空気ミストセパ
レーター2356、乾燥系圧搾空気供給バルブ2357
を経て、乾燥部入口裏面エアーナイフバルブ2358ま
たは乾燥部入口表面エアーナイフバルブ2359という
経路でなされる。The long substrate 2006 which reached the drying unit 2363
First, the air knife 23 on the back side of the drying section entrance at the drying section entrance
11. Draining is performed by the air knife 2312 on the drying unit entrance surface. As shown in FIG. 8, the introduction of air into the air knife is performed by a drying system compressed air inlet 2353, a drying system compressed air pressure switch 2354, a drying system compressed air filter regulator 2355, a drying system compressed air mist separator 2356, and a drying system compressed air. Supply valve 2357
Through the path of the drying section inlet back surface air knife valve 2358 or the drying section inlet front surface air knife valve 2359.
【0127】乾燥部2363に供給される空気は、特に
水滴等を含むと不都合なので、乾燥系圧搾空気ミストセ
パレーター2356の役割は重要である。すなわち、乾
燥部2363に供給される空気は、乾燥系圧搾空気ミス
トセパレーター2356により水滴等が除去される。Since the air supplied to the drying unit 2363 is inconvenient if it particularly contains water droplets, the role of the drying system compressed air mist separator 2356 is important. That is, water supplied to the drying unit 2363 is removed by the drying system compressed air mist separator 2356.
【0128】図7に示すように、長尺基板2006は、
続いて乾燥折返しローラー2285から巻取装置進入ロ
ーラー2286に搬送される過程で、並列して設けたI
Rランプ2313の輻射熱によって乾燥が行われる。I
Rランプ2313の輻射熱が十分であれば、電析膜を成
膜後、長尺基板2006をCVD装置などの真空装置に
投入しても不都合は生じない。長尺基板2006の乾燥
時には、水切りによる霧の発生と、IRランプ輻射によ
る水蒸気の発生があるため、排気ダクトに繋がる乾燥部
排気口2314は不可欠である。As shown in FIG. 7, the long substrate 2006
Subsequently, in the process of being conveyed from the drying turn-back roller 2285 to the take-up device entry roller 2286, the I
Drying is performed by the radiant heat of the R lamp 2313. I
If the radiant heat of the R lamp 2313 is sufficient, there is no inconvenience even if the long substrate 2006 is put into a vacuum device such as a CVD device after forming the electrodeposited film. At the time of drying the long substrate 2006, since there is generation of fog due to draining and generation of water vapor due to IR lamp radiation, the drying section exhaust port 2314 connected to the exhaust duct is indispensable.
【0129】図9に示すように、乾燥系排気ダクト23
70に集められた水蒸気は、乾燥系凝縮器2371でそ
のほとんどが水に戻り、乾燥系凝縮器排水ドレイン23
73へ捨てられ、一部は乾燥系排気2374へ捨てられ
てゆく。なお、水蒸気に有害気体を含む場合には、排気
は所定の処理を行うべきである。[0129] As shown in FIG.
Most of the water vapor collected in 70 is returned to water in the drying condenser 2371, and the drying condenser drainage drain 23
It is discarded to 73 and a part is discarded to drying system exhaust 2374. When the vapor contains a harmful gas, the exhaust gas should be subjected to a predetermined treatment.
【0130】[巻取装置]図7に示すように、巻取装置
2296には、巻取装置進入ローラー2286、巻取装
置方向転換ローラー2287、巻取り調整ローラー22
88が設けられており、この順で長尺基板2006を長
尺基板巻上げボビン2289にコイル状に巻取ってゆ
く。また、巻取装置2296には、インターリーフ繰り
出しボビン2290が設けられており、堆積した層保護
が必要な場合には、インターリーフ繰出しボビン229
0からインターリーフを繰出し、長尺基板2006に巻
き込ませる。[Winding device] As shown in FIG. 7, the winding device 2296 includes a winding device entering roller 2286, a winding device direction changing roller 2287, and a winding adjusting roller 22.
The long substrate 2006 is wound in a coil shape on the long substrate winding bobbin 2289 in this order. Further, the take-up device 2296 is provided with an inter-leaf feeding bobbin 2290. When protection of the deposited layer is required, the inter-leaf feeding bobbin 229 is provided.
The interleaf is extended from 0 and is wound around the long substrate 2006.
【0131】長尺基板2006の搬送方向は、矢印22
92で示されており、長尺基板巻上げボビン2289の
回転方向は矢印2293で示されており、インターリー
フ繰出しボビン2290の巻取り方向は矢印2294で
示されている。図7中、長尺基板巻上げボビン2289
へ巻き上げられる長尺基板2006と、インターリーフ
繰出しボビン2290から繰り出されるインターリーフ
は、それぞれ搬送開始時の位置と搬送終了時の位置で干
渉が起きないようになっている。また、巻取装置229
6の全体は、防塵のために、ヘパフィルターとダウンフ
ローを用いた巻取装置クリーンブース2295で覆われ
た構造となっている。The transport direction of the long substrate 2006 is indicated by an arrow 22.
The rotation direction of the long substrate winding bobbin 2289 is indicated by an arrow 2293, and the winding direction of the interleaf feeding bobbin 2290 is indicated by an arrow 2294. In FIG. 7, a long substrate winding bobbin 2289 is provided.
The long substrate 2006 that is wound up and the interleaf that is fed out from the interleaf feeding bobbin 2290 do not interfere with each other at the position at the start of conveyance and the position at the end of conveyance. Also, the winding device 229
6 is covered with a take-up device clean booth 2295 using a hepa filter and a down flow for dust prevention.
【0132】巻取装置2296に設けた巻取装置方向転
換ローラー2287には、長尺基板2006の蛇行を修
正する機能が付与されている。すなわち、巻取装置方向
転換ローラー2287と巻取り調整ローラー2288と
の間に設置された蛇行検知器(図示せず)からの信号に
基づいて、油圧のサーボで巻取装置方向転換ローラー2
287を巻取装置進入ローラー2286側にセットされ
た軸を中心として振ってやることで、蛇行の修正が可能
となる。The winding device direction changing roller 2287 provided in the winding device 2296 has a function of correcting the meandering of the long substrate 2006. That is, based on a signal from a meandering detector (not shown) provided between the winding device direction changing roller 2287 and the winding adjustment roller 2288, the winding device direction changing roller 2 is controlled by hydraulic servo.
By waving 287 about the axis set on the winding device entrance roller 2286 side, the meandering can be corrected.
【0133】巻取装置方向転換ローラー2287の制御
は、図7中、近似的に手前側あるいは奥側へのローラー
の移動であり、その移動の向きは、蛇行検出器からの長
尺基板蛇行検出方向と逆である。また、サーボのゲイン
は、長尺基板2006の搬送速度によるが、一般に大き
なものを必要としない。数百メートルの長さの長尺基板
2006を巻き上げても、その端面はサブミリの精度で
揃えられる。The control of the winding device direction change roller 2287 is approximately the movement of the roller to the near side or the back side in FIG. 7, and the direction of the movement is determined by detecting the long board meandering from the meandering detector. The direction is opposite. The servo gain depends on the transport speed of the long substrate 2006, but generally does not need to be large. Even when a long substrate 2006 having a length of several hundred meters is wound up, its end faces are aligned with sub-millimeter accuracy.
【0134】[排気ダクト]電析浴や温水を室温より高
い温度で使うと、必然的に水蒸気が発生する。特に80
℃を越える温度の場合には、水蒸気の発生はかなりのも
のとなる。槽の浴面から発生する水蒸気は、槽の浴面上
に溜まり、電析装置の隙間から勢いよく吹き出したり、
蓋の開閉時に大量の放出を見たり、また電析装置の隙間
から水滴となって流れ落ちたりして、電析装置の操作環
境を悪化させる。このため、電析水洗系排気ダクト20
20を介して強制的に吸引排気させるのが好ましい。[Exhaust Duct] When an electrodeposition bath or hot water is used at a temperature higher than room temperature, steam is inevitably generated. Especially 80
At temperatures above ℃, the evolution of water vapor is considerable. The water vapor generated from the bath surface of the tank accumulates on the bath surface of the bath and blows out vigorously from the gap of the electrodeposition device,
When the lid is opened and closed, a large amount of discharge is seen, and water drops from gaps in the electrodeposition apparatus to flow down, thereby deteriorating the operating environment of the electrodeposition apparatus. Therefore, the electrodeposition water washing system exhaust duct 20
It is preferable to forcibly suck and exhaust the air through the exhaust pipe 20.
【0135】図4に示すように、第一電析槽2066の
第一電析槽上流排気口2021、第一電析槽中流排気口
2022、第一電析槽下流排気口2023には、電析水
洗系排気ダクト2020が連通接続されている。As shown in FIG. 4, the first electrodeposition tank 2066 has a first electrodeposition tank upstream exhaust port 2021, a first electrodeposition tank midstream exhaust port 2022, and a first electrodeposition tank downstream exhaust port 2023. An effluent duct 2020 is connected to the rinsing water washing system.
【0136】また、図5に示すように、第二電析槽21
16の第二電析槽上流排気口2071、第二電析槽中流
排気口2072、第二電析槽下流排気口2073には、
電析水洗系排気ダクト2020が連通接続されている。Further, as shown in FIG.
16 second electrodeposition tank upstream exhaust port 2071, second electrodeposition tank midstream exhaust port 2072, and second electrodeposition tank downstream exhaust port 2073,
An electrodeposition water washing system exhaust duct 2020 is connected in communication.
【0137】さらに、図9に示すように、純水シャワー
槽2360の純水シャワー槽排気口2301、第一温水
槽2361の第一温水槽排気口2305、第二温水槽2
362の第二温水槽排気口2308には、電析水洗系排
気ダクト2020が連通接続されている。Further, as shown in FIG. 9, a pure water shower tank exhaust port 2301 of the pure water shower tank 2360, a first hot water tank exhaust port 2305 of the first hot water tank 2361, and a second hot water tank 2
The second hot water tank exhaust port 2308 362 is connected to an electrodeposition water washing system exhaust duct 2020.
【0138】図9に示すように、電析水洗系排気ダクト
2020に集められた水蒸気は、絶縁フランジ2365
を通り、電析水洗系排気ダクト凝縮器2366でそのほ
とんどが水に戻り、電析水洗系排気ダクト凝縮器排水ド
レイン2368へ捨てられ、一部は電析水洗系排気23
69へ捨てられてゆく。なお、水蒸気に有害気体を含む
場合には、排気は所定の処理を行うべきである。As shown in FIG. 9, the water vapor collected in the electrodeposition water washing system exhaust duct 2020 is supplied to the insulating flange 2365.
Most of the water returns to the water in the electrodeposition washing system exhaust duct condenser 2366, and is discarded to the electrodeposition washing system exhaust duct condenser drainage drain 2368, and part of the electrodeposition washing system exhaust system 23
It is thrown away to 69. When the vapor contains a harmful gas, the exhaust gas should be subjected to a predetermined treatment.
【0139】また、本実施形態に係る電析装置では、排
気ダクト2020をステンレスで構成したので、第一電
析槽2066の第一電析浴保持槽2065及び第二電析
槽2116の第二電析浴保持槽2115を大地アースか
らフロート電位とするために、電析水洗系排気ダクト基
幹絶縁フランジ2365と電析水洗系排気ダクト水洗側
絶縁フランジ2364を設け、電気的に切り離した。In the electrodeposition apparatus according to this embodiment, since the exhaust duct 2020 is made of stainless steel, the first electrodeposition bath holding tank 2065 of the first electrodeposition tank 2066 and the second electrodeposition tank of the second electrodeposition tank 2116 are formed of stainless steel. In order to make the electrodeposition bath holding tank 2115 have a float potential from the earth ground, an electrodeposition washing system exhaust duct main insulating flange 2365 and an electrodeposition washing system exhaust duct washing side insulating flange 2364 were provided and electrically separated.
【0140】[基板]本実施形態に係る電析装置で用い
られる基板材料は、膜成膜面に電気的な導通がとれ、電
析浴に侵されないものならどのような材料であってもよ
く、例えばSUS、Al、Cu、Fe、などの金属が用
いられる。また、金属コーティングを施したPETフィ
ルムなども利用可能である。これらの中で、素子化プロ
セスを後工程で行うには、SUSが長尺基板2006と
して優れている。[Substrate] The substrate material used in the electrodeposition apparatus according to the present embodiment may be any material as long as it is electrically conductive on the film deposition surface and is not affected by the electrodeposition bath. For example, metals such as SUS, Al, Cu, and Fe are used. Further, a PET film with a metal coating can be used. Among them, SUS is excellent as the long substrate 2006 for performing the element formation process in a later step.
【0141】SUSは、非磁性SUS、磁性SUSのい
ずれも適用することができる。代表的な非磁性SUSは
SUS304であり、研磨性に優れていて0.1s程度
の鏡面とすることも可能である。代表的な磁性SUSは
フェライト系のSUS430であり、磁力を利用した搬
送において有効に利用される。As SUS, either non-magnetic SUS or magnetic SUS can be applied. A typical non-magnetic SUS is SUS304, which has excellent polishing properties and can have a mirror surface of about 0.1 s. A typical magnetic SUS is a ferrite-based SUS 430, which is effectively used in conveyance using magnetic force.
【0142】基板表面は、平滑であってもよいし、粗面
でもあってもよい。SUSの表面性は、その圧延プロセ
スにおいて圧延ローラーの種類を変えたりすることによ
り変更することができる。例えば、BAと称するSUS
は鏡面に近く、2Dと称するSUSは凹凸が顕著であ
る。いずれの面においても、SEM(電子顕微鏡)下で
の観察では、ミクロン単位の快れなどが目立つことがあ
る。太陽電池基板としては、大きなうねり状の凹凸より
も、ミクロン単位の構造の方が、太陽電池の特性に対し
て良い方向にも悪い方向にも大きく反映する。The surface of the substrate may be smooth or rough. The surface properties of SUS can be changed by changing the type of rolling roller in the rolling process. For example, SUS called BA
Is close to a mirror surface, and SUS called 2D has noticeable unevenness. In any case, when observed under an SEM (electron microscope), pleasure on the order of microns may be conspicuous. As a solar cell substrate, a micron-scale structure has a greater effect on the characteristics of the solar cell in both good and bad directions than large undulating irregularities.
【0143】さらに、これら基板は別の導電性材料が成
膜されていてもよく、電析の目的に応じて選択される。
場合によっては、酸化亜鉛のごく薄層を予め他の方法で
形成しておくことが、電析法での堆積速度を安定的に向
上することができて好ましい。確かに、電析法はコスト
が安く済むのがメリットであるが、多少高価な方法を付
加的に採用しても、総合的にコストダウンが可能なら
ば、2方式の併用は有利である。Further, these substrates may be formed of another conductive material, and are selected according to the purpose of electrodeposition.
In some cases, it is preferable to form a very thin layer of zinc oxide in advance by another method since the deposition rate in the electrodeposition method can be stably improved. Certainly, the electrodeposition method is advantageous in that the cost is low. However, even if a somewhat expensive method is additionally employed, if the cost can be reduced comprehensively, the combination of the two methods is advantageous.
【0144】[インターリーフ]堆積された膜を保護す
るインターリーフとしては、ノーメックスを代表とする
不織布や、PETを代表とする樹脂フィルム等を利用す
ることができる。PETなどの樹脂フィルムは、さらに
柔らかいCuやAlの金属を薄くコートしたものを利用
することも可能である。もちろん、樹脂のフィルムは、
あまり高温だと溶けたり融着を起こしたりするので、予
め長尺基板2006が十分な温度にまで冷えていること
を確認する必要がある。インターリーフは、結局のとこ
ろ捨ててしまうことになるので、低価格化技術の点か
ら、高価な材料はできるだけ避けることが好ましい。[Interleaf] As an interleaf for protecting the deposited film, a nonwoven fabric represented by Nomex, a resin film represented by PET, or the like can be used. As a resin film such as PET, it is also possible to use a thin film coated with a softer Cu or Al metal. Of course, the resin film
If the temperature is too high, melting or fusion may occur, so it is necessary to confirm in advance that the long substrate 2006 has cooled to a sufficient temperature. Since the interleaf is eventually discarded, it is preferable to avoid expensive materials as much as possible from the viewpoint of cost reduction technology.
【0145】[テンション]長尺基板2006を巻出装
置長尺基板ボビン2001と長尺基板巻上げボビン22
89との間に張る張力は、長尺基板2006の幅lcm
あたり0.05〜50kgとする。テンションが弱すぎ
ると、長尺基板2006が不用意に垂れ下がったり、所
定の搬送パスから外れたり、ローラーからずれて端部を
擦ったり、あるいは蛇行修正の制御性を著しく悪化させ
る。反対に、テンションが強すぎると、長尺基板200
6自体が伸びたり、あるいは搬送に片寄りがある場合に
は、幅方向の端部だけ伸びていわゆる「ワカメ」状にな
って、装置全体を歪ませることがある。[Tension] Elongating substrate 2006 unwinding device Long substrate bobbin 2001 and long substrate winding bobbin 22
89 and the width of the long substrate 2006 is 1 cm in width.
0.05-50 kg per unit. If the tension is too weak, the long substrate 2006 may inadvertently hang down, deviate from a predetermined transport path, rub off the end portion off the rollers, or significantly deteriorate the controllability of meandering correction. Conversely, if the tension is too strong, the long substrate 200
If the sheet 6 itself is stretched or the conveyance is uneven, the sheet 6 may be stretched only at the end in the width direction to form a so-called "wakame", which may distort the entire apparatus.
【0146】テンションは、長尺基板巻上げボビン22
89を巻き上げる力と、巻出装置長尺基板ボビン200
1の軸に取り付けられたクラッチ(パウダークラッチな
どが利用される)との滑りから、発生させることができ
る。この場合、テンションの大きさにかかわらず搬送経
路がほとんど変わらないとともに、中間のローラーをす
べて従動ローラーとすることができるので、ローラーを
始めとする搬送構成部品配置の設計自由度は極めて高く
なる。一方、非搬送時にはテンションが発生しないの
で、長尺基板2006が静止時に垂れ下がるのを防止す
るために、別のロック手段が必要となる。The tension is applied to the long substrate winding bobbin 22.
89 and the unwinding device long substrate bobbin 200
It can be generated from slippage with a clutch (a powder clutch or the like is used) attached to one shaft. In this case, the transport path hardly changes irrespective of the size of the tension, and all the intermediate rollers can be driven rollers, so that the degree of freedom in designing the layout of the transport components including the rollers is extremely high. On the other hand, since tension is not generated during non-transportation, another locking means is required to prevent the long substrate 2006 from hanging down at rest.
【0147】テンションは、その軸を移動できるテンシ
ョンローラーの類を用いることでも発生させることがで
きる。この場合、テンションの制御やモニターは容易で
あるが、テンションローラーの位置が変化するため、そ
のストロークをとるための設計が必要であり、またロー
ラーの平行度がずれて蛇行が発生しやすい。The tension can also be generated by using a tension roller capable of moving its axis. In this case, control and monitoring of the tension are easy, but the position of the tension roller changes, so that a design for taking the stroke is necessary, and the parallelism of the roller is deviated, and meandering is likely to occur.
【0148】さらにまた、テンションは、中間のローラ
ーを、長尺基板2006と摩擦が起こる方向に積極的に
動かすことによっても発生させることができる。この方
法では、搬送経路は変わらず、また、静止中でもテンシ
ョンが働くという利点がある。一方、動摩擦と静止摩擦
が大きく異なるような材料では、設計は面倒である。Further, the tension can also be generated by positively moving the intermediate roller in a direction in which friction occurs with the long substrate 2006. This method has the advantage that the transport path does not change and that the tension works even when the apparatus is stationary. On the other hand, for a material in which the dynamic friction and the static friction are significantly different, the design is troublesome.
【0149】テンションは、当然のことながら、水平に
接触するローラーよりも、その周を大きく覆う形で搬送
されるローラーに対して、その効果をもたらす。その効
果を期待するものとしては、巻取りローラーはもちろ
ん、給電ローラーや蛇行修正ローラーが挙げられる。Naturally, the tension exerts its effect on the roller which is conveyed in such a manner as to cover the circumference thereof more than the roller which comes into contact with the horizontal. In order to expect the effect, not only a winding roller but also a feeding roller and a meandering correction roller can be cited.
【0150】[搬送速度]長尺基板2006の搬送速度
は、専ら、必要な電析膜の膜厚と、その成膜速度との兼
ね合いから決定される。実際には、第一電析槽2066
と第二電析槽2116に合計56個のアノードがあり、
それぞれの膜堆積速度の総和で、長尺基板2006の搬
送速度が決められる。[Transport Speed] The transport speed of the long substrate 2006 is determined solely based on the balance between the required film thickness of the electrodeposited film and the film deposition speed. In practice, the first electrodeposition tank 2066
And the second electrodeposition tank 2116 has a total of 56 anodes,
The transport speed of the long substrate 2006 is determined by the sum of the respective film deposition rates.
【0151】本実施形態に係る電析装置では、長尺基板
2006の搬送速度を、0.5m/min〜5m/mi
nの範囲で設計した。また、実験において、最低の設計
速度であっても、最高の設計速度であっても、500m
以上の長尺基板2006に対して、85℃の昇温状態で
良好なる搬送のもと、酸化亜鉛の堆積が可能であること
を実証した。In the electrodeposition apparatus according to this embodiment, the transport speed of the long substrate 2006 is set to 0.5 m / min to 5 m / mi.
n. In experiments, even at the lowest design speed or the highest design speed, 500 m
It has been demonstrated that zinc oxide can be deposited on the long substrate 2006 with good transport at a temperature rise of 85 ° C.
【0152】[ローラー]本実施形態に係る電析装置に
用いられるローラーは、長尺基板2006の搬送経路を
定めることの他に、長尺基板2006に必要な電位を印
加することと、不必要な電流迷走経路を形成しない等の
機能を満たすべきである。[Roller] The roller used in the electrodeposition apparatus according to the present embodiment not only determines the transport path of the long substrate 2006, but also applies a necessary potential to the long substrate 2006, and Functions such as not forming a large current stray path.
【0153】搬送の経路を定めることは特に重要で、初
期に平行度がしっかりと出ていることはもちろん、電析
浴の温度が高温(例えば90℃)に上がって、大きな浴
槽が熱膨張を起こしても、位置の変位が最小に抑えられ
ているべきである。実際には、サブミリのガタは許容で
きるが、平行度に関しては100分台の精度が昇温時に
確保されていることが好ましい。平行度のずれ、ねじれ
は、特に電析槽内での長尺基板2006の片寄りを生じ
てしまい、この場合には、非常にしばしば端部擦れを起
こすとともに、いわゆる「ワカメ」が発生してしまう。It is particularly important to determine the transport route, and not only that the parallelism is firmly obtained at the beginning, but also that the temperature of the electrodeposition bath rises to a high temperature (for example, 90 ° C.), and that a large bathtub causes thermal expansion. If so, displacement of the position should be kept to a minimum. Actually, sub-milli play is acceptable, but it is preferable that the accuracy of the parallelism is on the order of 100 minutes when the temperature rises. The deviation of the parallelism and the twist cause the long substrate 2006 to be shifted particularly in the electrodeposition tank. In this case, the edge portion is rubbed very often, and so-called “wakame” is generated. I will.
【0154】長尺基板2006のコシがある場合には、
平行ローラーを用いて、特に表面加工を考慮する必要は
ないが、Alホイルなどの様に軟らかな基板の場合に
は、ローラーをクラウンと呼ぶ太鼓型に膨らませたり、
水切り用の溝を設けることが好ましい。また、その場合
には、ローラーを従動にするだけのテンションがかから
ないこともあって、ローラーを同期駆動することが効果
的である。If the long substrate 2006 has a stiffness,
It is not necessary to consider the surface processing using parallel rollers, but in the case of a soft substrate such as Al foil, the rollers can be expanded into a drum shape called a crown,
It is preferable to provide a drainage groove. In such a case, it is effective to drive the rollers synchronously, since there is no tension required to make the rollers driven.
【0155】ローラーを電気的に浮かせるために、ナイ
ロンやポリエチレンなどの樹脂によりローラーを形成す
ることもできるし、また、金属ローラーの軸を樹脂製と
することもできる。さらに、軸受けの設置部に樹脂の部
材を挟み込んで絶縁をとることもできる。In order to electrically float the roller, the roller may be formed of a resin such as nylon or polyethylene, or the shaft of the metal roller may be formed of a resin. Further, a resin member may be interposed between the bearing installation portions to provide insulation.
【0156】長尺基板2006に直接ブラシ等で給電を
行ったり、あるいは浴を介して給電するのでなければ、
給電ローラーと呼ばれる電位を与えるローラーを、少な
くとも一本設けることが好ましい。電析部分に近いロー
ラーを給電ローラーとすることができれば、電析電流に
係る電気経路の設計は最もすっきりとする。Unless power is supplied directly to the long substrate 2006 with a brush or the like, or power is supplied via a bath,
It is preferable to provide at least one roller that applies a potential called a power supply roller. If the roller close to the electrodeposition part can be used as the power supply roller, the design of the electric path for the electrodeposition current is the simplest.
【0157】電析浴と触って電析浴中の化学物質が反応
するため、給電ローラーをアノード近傍に置けない場合
には、ブラシ給電や浴給電など他方式の代替もしくは併
用を考慮すべきである。これは、長尺基板2006の抵
抗がメートルあたり0.01Ω程度あって、数十Aの電
析電流を用いる場合には、極めて大きな熱損失が発生す
るからである。If the power supply roller cannot be placed near the anode because the chemical substance in the electrodeposition bath reacts by touching the electrodeposition bath, alternative or combined use of other methods such as brush power supply or bath power supply should be considered. is there. This is because the long substrate 2006 has a resistance of about 0.01 Ω per meter, and an extremely large heat loss occurs when an electrodeposition current of several tens of amperes is used.
【0158】蛇行修正では、概念として、ローラーの平
行度を出すことにより、ほとんどずれない搬送系を確立
し、ほんの少しずれる分を巻上げ直前で修正することが
好ましい。この場合、修正量を検知し、フィードフォワ
ードまたはフィードバック系で修正量を蛇行修正ローラ
ーに返してやればよい。フィードフォワード系は、計算
は厄介であるが、秒あたり数mを越える高速のシステム
に向いている。一方、フィードバック系は、高速の搬送
には不向きであるが、構成を簡便なものとすることがで
きる。In the meandering correction, as a concept, it is preferable to establish a transport system that hardly shifts by giving the parallelism of the rollers, and to correct a slight shift just before winding. In this case, the correction amount may be detected, and the correction amount may be returned to the meandering correction roller by a feed forward or feedback system. Feed-forward systems are suitable for high-speed systems that are computationally tedious but exceed a few meters per second. On the other hand, the feedback system is not suitable for high-speed conveyance, but can have a simple configuration.
【0159】いずれの場合にも、修正しようとする方向
に長尺基板2006を動かす蛇行修正ローラーを持つこ
とが好ましい。本実施形態に係る電析装置では、巻取装
置方向転換ローラー2287が、蛇行修正ローラーを兼
ねている。修正しようとする方向に長尺基板2006を
動かすためには、長尺基板2006との摩擦が大きい方
が好ましい。一方、修正移動を起こしたことによる長尺
基板2006の歪みを吸収するためには、長尺基板20
06が蛇行修正ローラー上で滑ることが好ましい。実際
に用いられる摩擦の大きさは、テンションを含めて、実
験的に決められる。場合によっては、長尺基板2006
との間で摩擦を最適化する材質を選んだり、表面を粗面
加工すると効果がある。修正しようとする方向に長尺基
板2006を動かすために、ローラー全体が平行移動す
るように構成されてもよいし、また、ある程度離れた軸
を支点に、首振り運動をするような形(タンジェント・
ローラーと呼ぶ)でもよい。平行移動ローラーは大きな
ずれに対して効果がある。一方、タンジェント・ローラ
ーは、装置構成が簡単になる。In any case, it is preferable to have a meandering correction roller for moving the long substrate 2006 in the direction to be corrected. In the electrodeposition apparatus according to this embodiment, the winding device direction change roller 2287 also serves as a meandering correction roller. In order to move the long substrate 2006 in the direction to be corrected, it is preferable that the friction with the long substrate 2006 is large. On the other hand, in order to absorb the distortion of the long substrate 2006 due to the correction movement, the long substrate 20 is required.
06 preferably slides on a meandering correction roller. The magnitude of the friction actually used is experimentally determined, including the tension. In some cases, the long substrate 2006
It is effective to select a material that optimizes the friction between the two and to roughen the surface. In order to move the long substrate 2006 in the direction to be corrected, the entire roller may be configured to move in parallel, or a shape that makes a swinging motion about an axis at a certain distance (tangent)・
Roller). The translation roller is effective for large displacement. On the other hand, the tangent roller simplifies the device configuration.
【0160】[槽・管・その他浴保持材の電気的構成]
迷走電流を減らして、流れる電流をほとんどすべて電析
に寄与させ、長尺基板2006とアノード間に流れる電
流とするために、電析槽、それに繋がる配管、さらには
浴保持槽内の部品などは、絶縁処理をすることが好まし
い。基本的には、アノードと長尺基板2006とを直接
に、あるいは浴を介して、接する金属部分を最小とする
ことにより、流れる電流をほとんどすべて電析に寄与さ
せることができる。[Electrical configuration of bath, pipe, and other bath holding material]
In order to reduce the stray current and contribute almost all of the flowing current to the electrodeposition and make it a current flowing between the long substrate 2006 and the anode, the electrodeposition tank, the piping connected thereto, and the components in the bath holding tank, etc. It is preferable to perform insulation treatment. Basically, almost all the flowing current can contribute to the electrodeposition by minimizing the metal part in contact with the anode and the long substrate 2006 directly or through a bath.
【0161】また、フロート電位とすることにより迷走
電流を少なくすることができるため、本実施形態に係る
電析装置では、電析槽や基板搬送ローラーを構成する金
属部分を大地アースから浮かした構造としている。絶縁
配管、径の太いフランジ絶縁配管、オーバーフロー戻り
系に製作した絶縁フランジ、排気ダクト中に設けた絶縁
フランジなどは、すべてこの目的のためのものである。In addition, since the stray current can be reduced by setting the float potential, the electrodeposition apparatus according to the present embodiment has a structure in which the metal part constituting the electrodeposition tank and the substrate transport roller is floated from the ground. And Insulated piping, large diameter flanged insulated piping, insulating flanges made in overflow return systems, insulating flanges provided in exhaust ducts, etc. are all for this purpose.
【0162】[絶縁フランジ]電気的に切り離しておき
たい配管部には、塩化ビニールや耐熱塩化ビニール等の
絶縁体で形成されたフランジ付き配管を用いることが好
ましい。本実施形態に係る電析装置の第一電析槽オーバ
ーフロー戻り路2117に設けられた第一電析槽オーバ
ーフロー戻り路絶縁フランジ2118、第二電析槽オー
バーフロー戻り路2219に設けられた第二電析槽オー
バーフロー戻り路絶縁フランジ2220、電析水洗系排
気ダクト2020に設けられた電析水洗系排気ダクト水
洗側絶縁フランジ2364および電析水洗系排気ダクト
基幹絶縁フランジ2365などは、四角の断面をもつ導
管に設けられており、導管端部に口金を製作し、それら
を絶縁性ゴムを挟んで絶縁ボルトで締め付けている。絶
縁性のゴムは、例えばバイトン(商品名)のように高温
下において使用することができるが、圧縮すると突然導
電性を示すものがあり、その選択には注意が必要であ
る。[Insulating Flange] It is preferable to use a flanged pipe made of an insulator such as vinyl chloride or heat-resistant vinyl chloride for a pipe portion to be electrically disconnected. The first electrodeposition tank overflow return path insulating flange 2118 provided on the first electrodeposition tank overflow return path 2117 and the second electrode provided on the second electrodeposition tank overflow return path 2219 of the electrodeposition apparatus according to this embodiment. The deposition tank overflow return path insulation flange 2220, the electrodeposition water washing system exhaust duct provided in the electrodeposition water washing system exhaust duct 2020, the washing side insulation flange 2364, the electrodeposition water washing system exhaust duct main insulation flange 2365, and the like have square cross sections. It is provided on the conduit, and the bases are manufactured at the end of the conduit, and they are fastened with insulating bolts with insulating rubber therebetween. The insulating rubber can be used at a high temperature, for example, Viton (trade name), but when it is compressed, some of them suddenly show conductivity, so care must be taken in the selection.
【0163】[電析浴]電析浴は、基本的にビーカーな
どの小さな実験装置で確認したものを使用することがで
きる。太陽電池下引き層に適用する光閉込め効果を有
し、凹凸を有する酸化亜鉛の堆積については、例えば、
少なくとも硝酸イオンと、亜鉛イオンを含有してなる水
溶液が好ましく使用できる。硝酸イオン、亜鉛イオン濃
度は、好ましくは0.002mol/l〜3.0mol
/l、さらに好ましくは0.0mol/l〜1.5mo
l/l、最適には0.05mol/l〜0.7mol/
lである。また、異常性成長防止のために、サッカロー
スまたはデキストリンを含む電析浴を用いる場合には、
サッカロースの濃度は、好ましくは500g/l〜1g
/l、さらに好ましくは100g/l〜3g/lとし、
デキストリンの濃度は、好ましくは10g/l〜0.0
1g/l、さらに好ましくは1g/l〜0.025g/
lとすることにより、光閉じ込め効果に適したテクスチ
ャー構造の酸化亜鉛薄膜を効率よく形成することができ
る。[Electrodeposition bath] As the electrodeposition bath, a bath confirmed by a small experimental device such as a beaker can be basically used. For the deposition of zinc oxide having a light confinement effect applied to a solar cell undercoat layer and having irregularities, for example,
An aqueous solution containing at least nitrate ions and zinc ions can be preferably used. The nitrate ion and zinc ion concentrations are preferably 0.002 mol / l to 3.0 mol.
/ L, more preferably 0.0 mol / l to 1.5 mo
l / l, optimally 0.05 mol / l to 0.7 mol /
l. When using an electrodeposition bath containing saccharose or dextrin to prevent abnormal growth,
The concentration of saccharose is preferably between 500 g / l and 1 g
/ L, more preferably 100 g / l to 3 g / l,
The concentration of dextrin is preferably between 10 g / l and 0.0
1 g / l, more preferably 1 g / l to 0.025 g / l
By setting l, a zinc oxide thin film having a texture structure suitable for the light confinement effect can be efficiently formed.
【0164】また、電析浴の温度を60℃以上とするこ
とにより、異常成長の少ない均一な酸化亜鉛薄膜を効率
よく形成することができる。By setting the temperature of the electrodeposition bath to 60 ° C. or higher, a uniform zinc oxide thin film with little abnormal growth can be efficiently formed.
【0165】電析浴が高温で、蒸気の発生が顕著な場合
は、排気ダクトを設けて蒸気を吸引することが好まし
い。排気ダクトを設けることにより、電析装置の隙間か
ら蒸気やその凝結した水滴が出てくるのを防止すること
ができる。When the temperature of the electrodeposition bath is high and the generation of steam is remarkable, it is preferable to provide an exhaust duct to suck the steam. By providing the exhaust duct, it is possible to prevent the vapor and the condensed water droplets from coming out of the gap of the electrodeposition apparatus.
【0166】また、槽に蓋が設置されている場合には、
蓋を開けた際に水蒸気が吹き出してきて危険である。し
たがって、この場合にも、排気ダクトを設けることが好
ましい。When a lid is provided in the tank,
Water vapor blows out when the lid is opened, which is dangerous. Therefore, also in this case, it is preferable to provide an exhaust duct.
【0167】電析浴からの蒸気発生・排気吸引によって
液量が減る場合には、純水を定期的に補給するとよい。When the amount of liquid is reduced due to the generation of steam from the electrodeposition bath and the exhaust suction, pure water may be supplied periodically.
【0168】[槽・配管の断熱構造]昇温された浴や純
水を保持・給排水する槽・配管は、断熱構造とすること
が、省エネルギーならびに危険防止の意味から好まし
い。槽の断熱構造は、グラスウール等の断熱材を挟んだ
二重壁構造とする他、外側に断熱材を張ることでも実現
することができる。配管の断熱構造は、一般に、断熱材
でカバーすることで実現することができる。[Heat insulation structure of bath / pipe] It is preferable that the bath / pipe for holding / supplying / draining the heated bath or pure water has a heat insulation structure from the viewpoint of energy saving and prevention of danger. The heat insulating structure of the tank can be realized by a double wall structure sandwiching a heat insulating material such as glass wool, or by providing a heat insulating material on the outside. In general, the heat insulating structure of the pipe can be realized by covering with a heat insulating material.
【0169】[電析条件]電析を行うにあたっては、長
尺基板2006に負の電位を印加するとともに、アノー
ドに正の電位を印加して、電気化学反応を駆動する。膜
厚の制御を行うために、電流制御により電析を行うのが
適当である。電流は、電流密度で規定することが好まし
く、0.3〜100mA/cm2の範囲で設定する。[Electrodeposition Conditions] In performing the electrodeposition, a negative potential is applied to the long substrate 2006 and a positive potential is applied to the anode to drive an electrochemical reaction. In order to control the film thickness, it is appropriate to perform electrodeposition by current control. The current is preferably defined by the current density, and is set in the range of 0.3 to 100 mA / cm 2 .
【0170】[アノード]アノードとしては、溶解性ア
ノードとして純度2Nないし4Nの亜鉛板を使用するこ
とができる。長尺基板2006の表面が汚れている場合
には、希硝酸で軽く洗えばよい。アノードヘの給電線
は、SUSボルトで締め付ける構成にすることが、確実
な電気接触を長期間保証できて好ましい。非溶解性アノ
ードとして、SUSやPtを使うこともできる。[Anode] As the anode, a zinc plate having a purity of 2N to 4N can be used as a soluble anode. If the surface of the long substrate 2006 is dirty, it may be washed lightly with diluted nitric acid. It is preferable that the power supply line to the anode be configured to be tightened with SUS bolts, since reliable electrical contact can be guaranteed for a long period of time. SUS or Pt can be used as the insoluble anode.
【0171】特に、溶解性アノードを使用する場合に
は、発生する酸化亜鉛粉が電析浴中に発塵してゆくこと
を防止するために、溶解性アノードをアノードバッグで
包むことが好ましい。アノードバッグの材質としては、
浴中で侵されない木綿やアミド樹脂繊維などが使用で
き、適当なメッシュ状とすることが好ましい。メッシュ
の目の大きさは、電析浴が確実に表面に触り、かつ発塵
する粉体の最大の大きさを規定して定める。例えば、一
般的なメッシュ目の大きさは、0.5mmから数mmを
選択する。In particular, when a soluble anode is used, it is preferable that the soluble anode be wrapped in an anode bag in order to prevent the generated zinc oxide powder from generating dust in the electrodeposition bath. As the material of the anode bag,
Cotton or amide resin fibers that are not attacked in the bath can be used, and it is preferable to form an appropriate mesh. The size of the mesh is determined by defining the maximum size of the powder that the electrodeposition bath surely touches the surface and generates dust. For example, the size of a general mesh is selected from 0.5 mm to several mm.
【0172】[電析電源]電析を行うための各電源は、
フロート出力を持っていることが好ましい。また、電圧
制御として、所定の電位を印加すると、電流が吸い込み
方向に流れる可能性がある場合には、吸い込み型の電源
とすべきである。[Electrodeposition power source] Each power source for performing electrodeposition is as follows.
It is preferable to have a float output. As voltage control, when a predetermined potential is applied and a current may flow in a suction direction, a power supply of a suction type should be used.
【0173】各電源は、単一の、あるいは取りまとめら
れた複数のアノードに電位を印加し、電流を流す。電源
同士の干渉を防ぐために、アノード同士を結ぶ電流の経
路は、できるだけ出現しないようにしておくことが好ま
しい。このために、テフロンや塩化ビニールなどの絶縁
板を浴中に設置することが効果的である。Each power supply applies a potential to a single anode or a plurality of combined anodes to flow a current. In order to prevent interference between the power sources, it is preferable that a current path connecting the anodes should not appear as much as possible. For this purpose, it is effective to install an insulating plate such as Teflon or vinyl chloride in the bath.
【0174】[ポンプ]ポンプは、基本的に十分な流量
を稼げることが必要であるが、同時に、キャビテーショ
ンを防止することができる配置とすべきである。特に、
90℃を越える温度では、吸引しようとする負圧で一気
に水が蒸発してしまい、ポンプ内部の送液フィンを気体
が空回りするという、キャビテーション現象を起こしや
すい。一旦、キャビテーションが起きるとポンプが空転
し、しばしば焼き付きが生じたり、フィンが割れたりす
る等、ポンプの破損につながる。キャビテーションの発
生によるポンプの破損を防止するためには、ポンプをな
るべく低い位置に配置して浴液が押し込まれる構成、す
なわち負圧が発生しにくい構成とすることが好ましい。[Pump] The pump basically needs to obtain a sufficient flow rate, but at the same time, should be arranged so as to prevent cavitation. In particular,
At a temperature exceeding 90 ° C., the water evaporates at a stretch due to the negative pressure to be sucked, and the gas tends to idle around the liquid sending fins inside the pump, which tends to cause a cavitation phenomenon. Once cavitation occurs, the pump idles, often causing seizure or breaking fins, resulting in damage to the pump. In order to prevent the pump from being damaged due to the occurrence of cavitation, it is preferable to arrange the pump at a position as low as possible so that the bath liquid is pushed in, that is, a structure in which negative pressure is hardly generated.
【0175】[バルブ]バルブは、手動のものであって
もよく、自動のものであってもよい。また、誤動作を減
らすために、自動弁と手動弁を直列に配置してもよい。[Valve] The valve may be a manual one or an automatic one. In order to reduce malfunction, an automatic valve and a manual valve may be arranged in series.
【0176】本実施形態に係る電析装置のバルブのいく
つかは、所定の条件に基づいて調整され、流量を制御す
るものである。その代表が、第一循環槽電析浴上流循環
バルブ2135、第一循環槽電析浴下流循環バルブ21
45、第一電析槽フィルター循環系電析浴上流戻りバル
ブ2167、第一電析槽フィルター循環系電析浴中流戻
りバルブ2168、第一電析槽フィルター循環系電析浴
下流戻りバルブ2169、第一電析槽フィルター循環バ
ルブ2166、第一電析槽圧搾空気導入バルブ218
9、第一電析槽攪拌空気上流側制御バルブ2193、第
一電析槽攪拌空気下流側制御バルブ2192あるいは、
第二循環槽電析浴上流循環バルブ2237、第二循環槽
電析浴下流循環バルブ2247、第二電析槽フィルター
循環系電析浴上流戻りバルブ2269、第二電析槽フィ
ルター循環系電析浴中流戻りバルブ2270、第二電析
槽フィルター循環系電析浴下流戻りバルブ2271、第
二電析槽フィルター循環バルブ2268、第二電析槽圧
搾空気導入バルブ2199、第二電析槽攪拌空気上流側
制御バルブ2202、第二電析槽攪拌空気下流側制御バ
ルブ2272などである。また、シャワーやエアーナイ
フに至るバルブも、所定の条件に基づいて調整され、流
量を制御している。Some of the valves of the electrodeposition apparatus according to this embodiment are adjusted based on predetermined conditions to control the flow rate. Representatives are the first circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 2135 and the first circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 21
45, a first electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath upstream return valve 2167, a first electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath middle flow return valve 2168, a first electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath downstream return valve 2169, First electrodeposition tank filter circulation valve 2166, first electrodeposition tank compressed air introduction valve 218
9. First electrodeposition tank stirring air upstream control valve 2193, first electrodeposition tank stirring air downstream control valve 2192 or
Second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 2237, second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 2247, second electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath upstream return valve 2269, second electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition In-bath flow return valve 2270, second electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath downstream return valve 2271, second electrodeposition tank filter circulation valve 2268, second electrodeposition tank compressed air introduction valve 2199, second electrodeposition tank stirring air An upstream control valve 2202, a downstream control valve 2272 for the second electrodeposition tank stirring air, and the like. Also, the valves leading to the shower and the air knife are adjusted based on predetermined conditions to control the flow rate.
【0177】[フィルター]浴液系に用いられるフィル
ターは、カートリッジ式フィルターで代表されるサブミ
クロンから10ミクロン程度の粒子を除去するためのフ
ィルターと、数ミリ以上の大きさのゴミを除去するため
の、基本的に金網からなるサクションフィルターの類に
大別される。[Filter] A filter used in the bath solution system is a filter for removing particles of submicron to about 10 microns represented by a cartridge type filter, and a filter for removing dust having a size of several mm or more. However, they are roughly classified into suction filters that basically consist of wire mesh.
【0178】粒子除去フィルターは、内部で発生する粉
体を浴液系から積極的に除去するために必要とされる。
このフィルターサイズにより、最終的に巻き上がる長尺
基板2006上に成膜された膜に残るゴミのサイズが定
められる。したがって、必要なフィルターサイズは、膜
の必要な特性に基づいて決定される。The particle removing filter is required to positively remove powder generated inside from the bath liquid system.
The size of the dust remaining on the film formed on the long substrate 2006 that is finally rolled up is determined by the filter size. Therefore, the required filter size is determined based on the required properties of the membrane.
【0179】サクションフィルターは、ポンプやバルブ
の破損防止のために用いられる。The suction filter is used for preventing damage to the pump and the valve.
【0180】空気系に用いられるフィルターは、主に圧
搾空気に混じるオイルミストや水分を取り除くためのも
のである。The filter used in the air system is mainly for removing oil mist and moisture mixed in the compressed air.
【0181】[配管]配管の太さは、当該配管における
必要な流量から定められるが、大きな流量が必要な部分
では、呼び径40A以上とすることが好ましい。本実施
形態に係る電析装置にあっては、図2において、太い管
として示した部分は呼び径40Aを用い、細い管として
示した部分は呼び径25Aを用いている。[Piping] The thickness of the pipe is determined based on the required flow rate in the pipe. In a portion where a large flow rate is required, the diameter is preferably 40 A or more. In the electrodeposition apparatus according to the present embodiment, in FIG. 2, a portion shown as a thick tube uses a nominal diameter of 40A, and a portion shown as a thin tube uses a nominal diameter of 25A.
【0182】管の材質は、ステンレスが極めて好条件で
使用されるが、電気的接続が好ましくない場合には、耐
熱塩化ビニールなどの管を一部だけ使用することも可能
である。また、継手による接続は、細い管や同一材料で
はインサートで十分であるが、塩化ビニールとステンレ
スの太い管の接続には、熱膨張収縮の繰り返しで液漏れ
が発生するのを防止するために、フランジ継手を使うこ
とが好ましい。As the material of the tube, stainless steel is used under extremely favorable conditions, but when electric connection is not preferable, it is also possible to use only a part of a tube such as heat-resistant vinyl chloride. In addition, for the connection with the joint, a thin pipe or the same material is sufficient with the insert, but for the connection of the thick pipe of vinyl chloride and stainless steel, in order to prevent the occurrence of liquid leakage due to repeated thermal expansion and contraction, It is preferred to use a flange joint.
【0183】[循環量]浴液の循環量は、温度を均一化
し、使用されてゆく電析浴の濃度を均一化するために十
分な量を確保すべきである。例えば、数百リットルの電
析浴に対して、数十l/min以上あればよい。循環浴
液は、アノード面や長尺基板2006面を動いて、常に
新たな電析浴を補給する流れを形成していることが好ま
しい。[Circulation Amount] The circulation amount of the bath solution should be sufficient to make the temperature uniform and to make the concentration of the electrodeposition bath used uniform. For example, it may be several tens of l / min or more for an electrodeposition bath of several hundred liters. It is preferable that the circulating bath liquid moves on the anode surface and the long substrate 2006 surface to always form a flow for replenishing a new electrodeposition bath.
【0184】[攪拌空気量]空気攪拌は、本実施形態に
係る電析装置においては、極めて有効な浴液の攪拌手段
である。例えば、数百リットルの電析浴に対して、数m
3/hr程度以上の流量であることが好ましい。空気攪
拌を行うには、空気を小さなバブルとして放出すること
が、攪拌効果を高める上で好ましい。このためには、例
えば、攪拌空気をオリフィスから電析浴に吹き出す構成
とすればよい。[Agitated Air Volume] In the electrodeposition apparatus according to the present embodiment, air agitation is a very effective means for agitating the bath liquid. For example, for several hundred liters of electrodeposition bath, several meters
The flow rate is preferably about 3 / hr or more. In order to perform air stirring, it is preferable to discharge air as small bubbles in order to enhance the stirring effect. For this purpose, for example, a configuration may be adopted in which agitated air is blown from the orifice into the electrodeposition bath.
【0185】また、長尺基板2006下に空気溜りがで
きてしまうと、電析反応が進まないので、成膜が進まな
い。このため、吹き出された空気は、淀まずに浮き上が
ってゆくこと必要である。Further, if an air pocket is formed under the long substrate 2006, the electrodeposition reaction does not proceed, so that the film formation does not proceed. For this reason, it is necessary for the blown-out air to rise without stagnating.
【0186】[裏面電極]長尺基板2006の裏面に成
膜される不必要な電析膜は、裏面電極で除去される。裏
面電極には、長尺基板2006に対して負の電位を印加
する。このため、特に電析用の電源との干渉を防ぐため
に、両者は互いにフロート出力である必要がある。一つ
の電析槽に設置した裏面電極あたり、1A〜30Aの電
流が用いられる。[Backside Electrode] Unnecessary electrodeposited film formed on the backside of the long substrate 2006 is removed by the backside electrode. A negative potential is applied to the back electrode with respect to the long substrate 2006. For this reason, especially in order to prevent interference with the power source for electrodeposition, the two need to have a floating output from each other. A current of 1 A to 30 A is used per back electrode installed in one electrodeposition tank.
【0187】裏面電極の材質は、水素過電圧の高いTi
やSUSなどが好ましい。長尺基板2006の裏面より
剥ぎ取られて裏面電極部に溜まる酸化亜鉛などの電析物
は、繰り返し利用するために、装置外で機械的に剥ぎ取
ってもよいし、また裏面電極を使い捨てとして電極ごと
に廃棄してもよい。The material of the back electrode is Ti having a high hydrogen overvoltage.
And SUS are preferred. Electrodeposits such as zinc oxide that are peeled off from the back surface of the long substrate 2006 and accumulate in the back electrode portion may be mechanically peeled outside the apparatus for repeated use, or the back electrode may be disposable. It may be discarded for each electrode.
【0188】[0188]
【実施例】以下、本発明に係るリンス方法の具体的な実
験結果を、実施例1〜5に基づいて説明する。EXAMPLES Specific experimental results of the rinsing method according to the present invention will be described below with reference to Examples 1 to 5.
【0189】[実施例1]実施例1の実験では、図10
の装置を用い、負側の電極(導電性基体303)とし
て、厚さ0.2mmのステンレス430BAに、銀を2
000Åスパッタしたものを用い、正側の対向電極30
4として、厚さ1mmの4−Nの亜鉛を使用した。ま
た、電解析出水溶液302は、80℃、0.2mol/
lの硝酸亜鉛溶液を用いた。[Example 1] In the experiment of Example 1, FIG.
As a negative electrode (conductive substrate 303), a stainless steel 430BA having a thickness of 0.2 mm
000 ° sputtered, and the positive counter electrode 30
As 4, 1-mm thick 4-N zinc was used. Further, the aqueous solution of electrolytic deposition 302 is 80 ° C., 0.2 mol /
1 zinc nitrate solution was used.
【0190】そして、正側の対向電極304と負側の電
極(導電性基体303)との間で、5.0mA/cm2
(0.5A/dm2)の電流を5分間通電し、約1.2
μmの酸化亜鉛薄膜が堆積したサンプルを作製した。そ
の後、リンスなし、純水100cc、400cc、10
00cc、20000cc、流水(20cc/secで
60sec)、流水(20cc/secで300se
c)というリンス条件で、それぞれリンスを行なった。Then, 5.0 mA / cm 2 is applied between the positive electrode 304 and the negative electrode (conductive substrate 303).
(0.5 A / dm 2 ) for 5 minutes.
A sample on which a μm zinc oxide thin film was deposited was prepared. After that, no rinse, pure water 100cc, 400cc, 10cc
00cc, 20000cc, running water (60sec at 20cc / sec), running water (300sec at 20cc / sec)
Rinsing was performed under the rinsing conditions of c).
【0191】つぎに、サンプルを取り出した直後のリン
ス浴の電気伝導度(横川電気SC−82)を測定し、サ
ンプルの表面観察を目視にて行なった。さらに、当該サ
ンプルを、温度85℃、湿度85%の環境下に1000
時間放置し、碁盤目テープ法(JISK54008.
5.2)を行った。Next, the electrical conductivity (Yokokawa Electric SC-82) of the rinsing bath immediately after taking out the sample was measured, and the surface of the sample was visually observed. Further, the sample was placed in an environment at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 1000
After leaving it for a time, the cross-cut tape method (JIS K540008.
5.2) was performed.
【0192】実験結果を表1に示す。Table 1 shows the experimental results.
【0193】[0193]
【表1】 [Table 1]
【0194】表1から以下のことがわかる。Table 1 shows the following.
【0195】目視チェックにおいて、リンス条件として
リンス浴を150μS/cm以下に管理することによ
り、白いシミは確認されなかった。In a visual check, white spots were not observed by controlling the rinsing bath to 150 μS / cm or less as rinsing conditions.
【0196】また、碁盤目テープ法によれば、リンス条
件としてリンス浴を1μS/cm以下に管理することに
より、一層信頼性の高い酸化亜鉛薄膜を得ることができ
る。According to the grid tape method, a more reliable zinc oxide thin film can be obtained by controlling the rinsing bath to 1 μS / cm or less as a rinsing condition.
【0197】[実施例2]実施例2の実験では、図10
の装置を用い、負側の電極(導電性基体303)とし
て、厚さ0.12mのステンレス430BAに、銀を2
000Åスパッタしたものを用い、正側の対向電極30
4として、厚さ1mmの4−Nの亜鉛を使用した。ま
た、電解析出水溶液302は、80℃、0.2mol/
lの硝酸亜鉛溶液を用いた。Example 2 In the experiment of Example 2, FIG.
Using the apparatus described above, silver was applied to 0.12 m thick stainless steel 430BA as the negative electrode (conductive base 303).
000 ° sputtered, and the positive counter electrode 30
As 4, 1-mm thick 4-N zinc was used. Further, the aqueous solution of electrolytic deposition 302 is 80 ° C., 0.2 mol /
1 zinc nitrate solution was used.
【0198】そして、正側の対向電極304と負側の電
極(導電性基体303)との間で、5.0mA/cm2
(0.5A/dm2)の電流を5分間通電し、約1.2
μmの酸化亜鉛薄膜が堆積したサンプルを作製した。そ
の後、シャワー(20cc/secで5sec)の有
無、さらにリンス浴の交換なし、300ccのリンス浴
を1回交換というリンス条件で、それぞれリンスを行な
った。Then, 5.0 mA / cm 2 is applied between the positive side counter electrode 304 and the negative side electrode (conductive substrate 303).
(0.5 A / dm 2 ) for 5 minutes.
A sample on which a μm zinc oxide thin film was deposited was prepared. Thereafter, rinsing was performed under the rinsing conditions of the presence or absence of a shower (5 sec at 20 cc / sec), no rinsing bath replacement, and one rinsing bath of 300 cc.
【0199】つぎに、サンプルを取り出した直後のリン
ス浴の電気伝導度(横川電気SC−82)を測定し、サ
ンプルの表面観察を目視にて行なった。また、光学特性
(日本分光(株)V−570)の波形から、800nm
の反射率を求めた。Next, the electrical conductivity (Yokokawa Electric SC-82) of the rinsing bath immediately after taking out the sample was measured, and the surface of the sample was visually observed. From the waveform of the optical characteristics (J-Spectrum Co., Ltd., V-570), 800 nm
Was determined.
【0200】実験結果を表2に示す。The experimental results are shown in Table 2.
【0201】[実施例3]実施例3の実験では、リンス
条件として800ccのリンス浴を用いた以外は、実施
例2と同様の条件でサンプルを作製し実験を行った。Example 3 In the experiment of Example 3, a sample was prepared under the same conditions as in Example 2 except that an 800 cc rinsing bath was used as a rinsing condition.
【0202】サンプルを取り出した直後のリンス浴の電
気伝導度(横川電気SC−82)を測定し、サンプルの
表面観察を目視にて行なった。The electrical conductivity (Yokokawa Electric SC-82) of the rinsing bath immediately after taking out the sample was measured, and the surface of the sample was visually observed.
【0203】実験結果を表2に示す。Table 2 shows the experimental results.
【0204】[0204]
【表2】 [Table 2]
【0205】表2から以下のことがわかる。Table 2 shows the following.
【0206】リンス浴を交換することにより、リンス性
を効果的に改善することができる。すなわち、少ない純
水量で伝導度を低くすることができる。By replacing the rinsing bath, rinsing properties can be effectively improved. That is, the conductivity can be reduced with a small amount of pure water.
【0207】また、シャワーをリンス工程に加えること
により、リンス性を効果的に改善することができる。Further, by adding a shower to the rinsing step, rinsing properties can be effectively improved.
【0208】さらに、リンス浴を交換することにより、
リンス性をより効果的に改善することができる。Further, by replacing the rinsing bath,
Rinsing can be more effectively improved.
【0209】[実施例4]実施例4の実験では、図10
の装置を用い、負側の電極(導電性基体303)とし
て、厚さ0.12mmのステンレス430BAに、銀を
2000Åスパッタしたものを用い、正側の対向電極3
04として、厚さ1mmの4−Nの亜鉛を使用した。ま
た、電解析出水溶液302は、80℃、0.2mol/
lの硝酸亜鉛溶液を用いた。[Embodiment 4] In the experiment of Embodiment 4, FIG.
Using the apparatus described in (1), a negative electrode (conductive substrate 303) was prepared by sputtering 2,000 ° of silver on stainless steel 430BA having a thickness of 0.12 mm.
As 04, 4-N zinc having a thickness of 1 mm was used. Further, the aqueous solution of electrolytic deposition 302 is 80 ° C., 0.2 mol /
1 zinc nitrate solution was used.
【0210】そして、正側の対向電極304と負側の電
極(導電性基体303)との間で、5.0mA/cm2
(0.5A/dm2)の電流を5分間通電し、約1.2
μmの酸化亜鉛薄膜が堆積したサンプルを作製した。そ
の後、リンスなし、純水l00cc、400cc、10
00cc、20000cc、流水(20cc/secで
60sec)、流水(20cc/secで300se
c)というリンス条件で、それぞれリンスを行なった。Then, 5.0 mA / cm 2 between the positive counter electrode 304 and the negative electrode (conductive substrate 303).
(0.5 A / dm 2 ) for 5 minutes.
A sample on which a μm zinc oxide thin film was deposited was prepared. After that, no rinse, pure water 100cc, 400cc, 10cc
00cc, 20000cc, running water (60sec at 20cc / sec), running water (300sec at 20cc / sec)
Rinsing was performed under the rinsing conditions of c).
【0211】その後、半導体層104として、CVD法
によりn型非晶質シリコン(a−Si)を200Å、ノ
ンドープ非晶質シリコン(a−Si)を2000Å、p
型微結晶シリコン(mc−Si)を140Åの順で堆積
させた。Then, as the semiconductor layer 104, n-type amorphous silicon (a-Si) was deposited at 200.degree., Non-doped amorphous silicon (a-Si) was deposited at 2000.degree.
Type microcrystalline silicon (mc-Si) was deposited in the order of 140 °.
【0212】さらに、酸素雰囲気の加熱蒸着でlT0を
650Å蒸着し、反射防止効果のある上部電極としての
透明電極層105とした。また、透明電極層105の上
に、銀によるグリッドを加熱蒸着により堆積して集電電
極層106を形成し、光起電力素子とした。Further, 1T0 was deposited at 650 ° by heating in an oxygen atmosphere to form a transparent electrode layer 105 as an upper electrode having an antireflection effect. Further, a grid made of silver was deposited on the transparent electrode layer 105 by heating and vapor deposition to form a current collecting electrode layer 106, thereby forming a photovoltaic element.
【0213】この光起電力素子を、ソーラーシミュレー
ター(AM1.5、100mW/cm2、表面温度25
℃)を用いて、短絡電流密度、変換効率を測定した。This photovoltaic element was used in a solar simulator (AM 1.5, 100 mW / cm 2 , surface temperature 25
° C), the short-circuit current density and the conversion efficiency were measured.
【0214】さらに、この光起電力素子を温度85℃、
湿度85%の環境下に1000時間放置し、変換効率の
劣化率を測定した。Further, this photovoltaic element was heated at a temperature of 85 ° C.
It was left for 1000 hours in an environment with a humidity of 85%, and the conversion efficiency deterioration rate was measured.
【0215】実験結果を表3に示す。Table 3 shows the test results.
【0216】[0216]
【表3】 [Table 3]
【0217】表3から以下のことがわかる。Table 3 shows the following.
【0218】本発明に係るリンス方法を用いて酸化亜鉛
薄膜をリンスすることにより、信頼性が高く、短絡電流
密度および変換効率の優れた光起電力素子を製造するこ
とができる。すなわち、リンス条件としてリンス浴を1
50μS/cm以下に管理することにより、短絡電流密
度および変換効率の優れた素子を製造することができ、
さらに、リンス条件としてリンス浴を1μS/cm以下
に管理することにより、一層信頼性の高い光起電力素子
を製造することができる。By rinsing the zinc oxide thin film using the rinsing method according to the present invention, a photovoltaic device having high reliability, excellent short-circuit current density and excellent conversion efficiency can be manufactured. That is, a rinsing bath is used as a rinsing condition.
By controlling it to 50 μS / cm or less, it is possible to manufacture an element having excellent short-circuit current density and conversion efficiency,
Further, by controlling the rinsing bath to 1 μS / cm or less as a rinsing condition, a more reliable photovoltaic element can be manufactured.
【0219】[実施例5]実施例5の実験では、図10
の装置を用い、負側の電極(導電性基体303)とし
て、厚さ0.2mmのステンレス430・2Dに、銀を
2000Åスパッタしたものを用い、正側の対向電極3
04として、厚さ1mmの4−Nの亜鉛を使用した。ま
た、電解析出水溶液302は、80℃、0.2mol/
lの硝酸亜鉛溶液を用いた。[Embodiment 5] In the experiment of Embodiment 5, FIG.
The negative electrode (conductive substrate 303) was prepared by sputtering 2000 mm thick stainless steel 430 · 2D with silver at 2,000 °, and using the positive counter electrode 3 as the negative electrode (conductive substrate 303).
As 04, 4-N zinc having a thickness of 1 mm was used. Further, the aqueous solution of electrolytic deposition 302 is 80 ° C., 0.2 mol /
1 zinc nitrate solution was used.
【0220】そして、正側の対向電極304と負側の電
極(導電性基体303)との間で、5.0mA/cm2
(0.5A/dm2)の電流を5分間通電し、約1.2
μmの酸化亜鉛薄膜が堆積したサンプルを作製した。そ
の後、シャワーなし、シャワーあり(20cc/sec
で5sec)、さらにリンス浴の交換なし、リンス浴を
1回交換というリンス条件で、それぞれリンスを行なっ
た。Then, 5.0 mA / cm 2 between the positive electrode 304 and the negative electrode (conductive substrate 303).
(0.5 A / dm 2 ) for 5 minutes.
A sample on which a μm zinc oxide thin film was deposited was prepared. After that, without shower, with shower (20cc / sec
The rinsing was further performed under the rinsing conditions of 5 seconds), no rinsing bath replacement, and one rinsing bath replacement.
【0221】その後、半導体層104として、CVD法
によりn型非晶質シリコン(a−Si)を200Å、ノ
ンドープ非晶質シリコン(a−Si)を2000Å、p
型微結晶シリコン(mc−Si)を140Åの順で堆積
させた。Then, as the semiconductor layer 104, n-type amorphous silicon (a-Si) is 200 °, non-doped amorphous silicon (a-Si) is 2000 °
Type microcrystalline silicon (mc-Si) was deposited in the order of 140 °.
【0222】さらに、酸素雰囲気の加熱蒸着でIT0を
650Å蒸着し、反射防止効果のある上部電極としての
透明電極層105とした。また、透明電極層105の上
に、銀によるグリッドを加熱蒸着により堆積して集電電
極層106を形成し、光起電力素子とした。Further, IT0 was deposited at 650 ° by heating deposition in an oxygen atmosphere to form a transparent electrode layer 105 as an upper electrode having an antireflection effect. Further, a grid made of silver was deposited on the transparent electrode layer 105 by heating and vapor deposition to form a current collecting electrode layer 106, thereby forming a photovoltaic element.
【0223】この光起電力素子を、ソーラーシミュレー
ター(AM1.5、100mW/cm2、表面温度25
℃)を用いて、短絡電流密度、変換効率を測定した。The photovoltaic element was used in a solar simulator (AM 1.5, 100 mW / cm 2 , surface temperature 25
° C), the short-circuit current density and the conversion efficiency were measured.
【0224】さらに、この光起電力素子を温度85℃、
湿度85%の環境下に1000時間放置し、変換効率の
劣化率を測定した。Further, this photovoltaic element was heated at a temperature of 85 ° C.
It was left for 1000 hours in an environment with a humidity of 85%, and the conversion efficiency deterioration rate was measured.
【0225】実験結果を表4に示す。Table 4 shows the test results.
【0226】[0226]
【表4】 [Table 4]
【0227】表4から以下のことがわかる。Table 4 shows the following.
【0228】酸化亜鉛薄膜のリンス方法として、リンス
浴を交換すること、シャワーをリンス工程に加えるこ
と、さらには、シャワーをした後にリンス浴を交換する
ことにより、信頼性が高く、短絡電流密度および変換効
率の優れた光起電力素子を効果的に製造することができ
る。As a rinsing method of the zinc oxide thin film, replacing the rinsing bath, adding a shower to the rinsing step, and replacing the rinsing bath after showering, provide high reliability, short-circuit current density and A photovoltaic element having excellent conversion efficiency can be manufactured effectively.
【0229】[実施例6]さらに、図2に示す電析装置
を用いて、実験を行った。Example 6 An experiment was further performed using the electrodeposition apparatus shown in FIG.
【0230】この実験では、予め、ロール状のSUS4
30・2D・101に、ロール対応のDCマグネトロン
スパッタ装置により、2000Åのアルミニウムを堆積
させて裏面反射層102を形成し、裏面反射層102の
上に、同様のロール対応のDCマグネトロンスパッタ装
置により、1000Åの酸化亜鉛薄膜を堆積させた。こ
のような長尺基板2006上に、図2に示すロール・ツ
ー・ロール形式の電析装置を用いて、酸化亜鉛薄膜から
なる透明導電層103を形成した。In this experiment, a rolled SUS4
On the 30 2D 101, a roll-type DC magnetron sputtering apparatus is used to deposit 2000 ア ル ミ ニ ウ ム of aluminum to form a back reflection layer 102. On the back reflection layer 102, a similar roll-compatible DC magnetron sputtering apparatus is used. A 1000 ° zinc oxide thin film was deposited. A transparent conductive layer 103 made of a zinc oxide thin film was formed on such a long substrate 2006 by using a roll-to-roll type electrodeposition apparatus shown in FIG.
【0231】図2に示す電析装置では、長尺基板200
6は、搬送ローラーを経て、酸化亜鉛層を形成するため
の第一電析槽2066、第二電析槽2116に搬送され
る。In the electrodeposition apparatus shown in FIG.
6 is transported via a transport roller to a first electrodeposition tank 2066 and a second electrodeposition tank 2116 for forming a zinc oxide layer.
【0232】第一電析槽2066、第二電析槽2116
には、電析浴として、水1リットル中に硝酸亜鉛・6水
塩70g(0.2mol/l)、デキストリン0.5g
を含んだ水溶液が満たされており、電析浴中を攪拌する
ために液循環処理がなされている。電析浴の液温は、8
0℃に保たれており、pHは、4.0〜6.0に保持さ
れている。First electrodeposition tank 2066, second electrodeposition tank 2116
As an electrodeposition bath, zinc nitrate hexahydrate 70 g (0.2 mol / l) and dextrin 0.5 g per liter of water were used.
And a liquid circulation treatment is performed to stir the inside of the electrodeposition bath. The liquid temperature of the electrodeposition bath is 8
It is kept at 0 ° C. and the pH is kept between 4.0 and 6.0.
【0233】第一電析槽アノード2026〜2053、
第二電析槽アノード2076〜2103には、亜鉛板
(350cmx150cm)が用いられており、ロール
状の長尺基板2006を負側の電極とし、正側の対向電
極である第一電析槽アノード2026〜2053、第二
電析槽アノード2076〜2103との間で、それぞれ
10.0mA/cm2(1.0A/dm2)の電流を通電
することにより、膜厚1.2μmの酸化亜鉛薄膜が形成
された。First electrodeposition tank anodes 2026-2053,
A zinc plate (350 cm × 150 cm) is used for the second electrode anodes 2076 to 2103, and the roll-shaped long substrate 2006 is used as a negative electrode, and the first electrode is used as a positive counter electrode. A current of 10.0 mA / cm 2 (1.0 A / dm 2 ) is passed between the electrodes 2026 to 2053 and the anodes 2076 to 2103 of the second electrodeposition tank, respectively. Was formed.
【0234】酸化亜鉛薄膜の電解析出をおこなった後の
長尺基板2006は、純水シャワー槽2360、第一温
水槽2361、第二温水槽2362の順で洗浄が行わ
れ、乾燥工程2363を経て、巻取装置2296により
巻き取られる。After the zinc oxide thin film is electrolytically deposited, the long substrate 2006 is washed in the order of a pure water shower tank 2360, a first hot water tank 2361, and a second hot water tank 2362, and a drying step 2363 is performed. After that, it is wound by the winding device 2296.
【0235】この時、第一温水槽2361、第二温水槽
2362の電気伝導度は、それぞれ3μS/cm、0.
8μS/cmであった。また、長尺基板2006の搬送
速度は、2000mm/mであった。このようにして、
支持体上101(長尺基板2006)上に、裏面反射層
102と、透明導電槽103(酸化亜鉛薄膜)を形成
し、さらに、ロール対応CVD装置によりトリプル構造
の半導体層104を形成した。At this time, the electric conductivity of the first hot water tank 2361 and the second hot water tank 2362 are 3 μS / cm and 0.
It was 8 μS / cm. The transport speed of the long substrate 2006 was 2000 mm / m. In this way,
On the support 101 (elongated substrate 2006), a back reflection layer 102 and a transparent conductive bath 103 (a zinc oxide thin film) were formed, and a triple structure semiconductor layer 104 was formed by a roll-compatible CVD apparatus.
【0236】半導体層104の形成では、まず、シラン
とフォスフィンと水素の混合ガスを用いて、基板となる
支自体上101に形成した裏面反射層102と透明導電
層103を340℃に加熱し、400WのRFパワーを
投入してn型層を形成する。次に、シランとゲルマンと
水素の混合ガスを用いて、基板温度を450℃として、
マイクロ波パワーを投入してi層を形成する。さらに、
基板温度を250℃として、三フッ化ボロンとシランと
水素の混合ガスからp型層を形成し、ボトムpin層と
した。In the formation of the semiconductor layer 104, first, the back reflection layer 102 and the transparent conductive layer 103 formed on the substrate itself 101 are heated to 340 ° C. using a mixed gas of silane, phosphine and hydrogen. An n-type layer is formed by applying an RF power of 400 W. Next, using a mixed gas of silane, germane, and hydrogen, the substrate temperature was set to 450 ° C.
Microwave power is applied to form an i-layer. further,
At a substrate temperature of 250 ° C., a p-type layer was formed from a mixed gas of boron trifluoride, silane and hydrogen to form a bottom pin layer.
【0237】続いて、i層におけるシランとゲルマンの
混合比を増やし、同様の手順にて、ミドルnip層を形
成し、さらに、同様の手順でi層をシランと水素から堆
積してトップpin層を形成した。この後、ロール対応
スパッタ装置により、IT0を透明電極層105として
堆積せしめた。さらに、銀ペーストで集電電極層106
を形成した。Subsequently, the mixture ratio of silane and germane in the i layer was increased, a middle nip layer was formed in the same procedure, and the i layer was deposited from silane and hydrogen in the same procedure to form a top pin layer. Was formed. Thereafter, ITO was deposited as a transparent electrode layer 105 by a roll-compatible sputtering apparatus. Further, the current collecting electrode layer 106 is made of silver paste.
Was formed.
【0238】このようにして形成した光起電力素子を、
ソーラーシミュレーター(AM1.5、100mW/c
m2、表面温度25℃)を用いて、短絡電流密度、変換
効率を測定した。The photovoltaic element thus formed is
Solar simulator (AM1.5, 100mW / c
(m 2 , surface temperature 25 ° C.), the short-circuit current density and the conversion efficiency were measured.
【0239】さらに、この光起電力素子を、加速試験と
して、HH試験(温度85℃、湿度85%の環境下の環
境試験箱に1000時間投入)を行い、短絡電流密度、
変換効率の劣化率を測定した。Further, this photovoltaic element was subjected to an HH test (1000 hours in an environment test box under an environment of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%) as an acceleration test,
The conversion efficiency deterioration rate was measured.
【0240】実験結果を表5に示す。The experimental results are shown in Table 5.
【0241】なお、表5は、上述した実施例4、実施例
5との比較結果を表したものである。Table 5 shows the results of comparison with Examples 4 and 5 described above.
【0242】[0242]
【表5】 [Table 5]
【0243】表5から以下のことがわかる。Table 5 shows the following.
【0244】本発明に係るリンス方法を用いることによ
り、ロール・ツー・ロール形式の電析装置においても、
短絡電流密度、変換効率、さらには信頼性の改善に大き
な効果をもたらすことができる。By using the rinsing method according to the present invention, even in a roll-to-roll type electrodeposition apparatus,
This has a great effect on improving the short-circuit current density, the conversion efficiency, and the reliability.
【0245】[0245]
【発明の効果】本発明に係る電解析出により形成される
酸化亜鉛薄膜のリンス方法では、リンスに使用されるリ
ンス浴の電気伝導度を150μS/cm以下に管理して
いる。According to the method for rinsing a zinc oxide thin film formed by electrolytic deposition according to the present invention, the electric conductivity of a rinsing bath used for rinsing is controlled to 150 μS / cm or less.
【0246】したがって、電析に用いる水溶液中に含ま
れる硝酸塩が、酸化亜鉛薄膜上に白いシミとなって発生
することを抑制することができるので、酸化亜鉛薄膜の
信頼性(密着性)を向上させることができるとともに、
外観不良を引き起こすこともない。Therefore, it is possible to prevent the nitrate contained in the aqueous solution used for electrodeposition from forming as white spots on the zinc oxide thin film, thereby improving the reliability (adhesion) of the zinc oxide thin film. As well as
It does not cause poor appearance.
【0247】また、リンスに使用されるリンス浴の電気
伝導度を1μS/cm以下に管理することにより、高温
高湿下においても密着性に優れ、信頼性の高い酸化亜鉛
薄膜を得ることができる。By controlling the electrical conductivity of the rinsing bath used for rinsing to 1 μS / cm or less, a highly reliable zinc oxide thin film having excellent adhesion even under high temperature and high humidity can be obtained. .
【0248】また、ロール・ツー・ロール形式で酸化亜
鉛薄膜を堆積させたり、シャワー槽、第一リンス浴槽、
第二リンス浴槽の順で洗浄を行うことにより、信頼性が
高く、高性能な酸化亜鉛薄膜を連続的かつ効率的に製作
することができる。In addition, a zinc oxide thin film is deposited in a roll-to-roll format, and a shower bath, a first rinsing bath,
By performing washing in the order of the second rinsing bath, a highly reliable and high-performance zinc oxide thin film can be continuously and efficiently manufactured.
【0249】さらに、硝酸塩の析出によるシミのない酸
化亜鉛薄膜を形成する技術を、太陽電池製造プロセスに
導入することにより、太陽電池の短絡電流密度、変換効
率を改善することができるとともに、収率特性および耐
久性を向上させることができる。Further, by introducing a technique for forming a zinc oxide thin film free from stains due to nitrate precipitation into the solar cell manufacturing process, the short-circuit current density and conversion efficiency of the solar cell can be improved, and the yield can be improved. Characteristics and durability can be improved.
【0250】また、スパッタリング法や蒸着法と比較し
て、材料コスト、ランニングコストの面で非常に有利と
なるため(例えば、約100分の1のコストとなる)、
太陽光発電の本格的な普及に寄与することができる。Further, as compared with the sputtering method and the vapor deposition method, the material cost and the running cost are very advantageous (for example, the cost is reduced to about 1/100).
It can contribute to the full-fledged spread of solar power generation.
【図1】本発明に係るリンス方法を含む製造工程により
製造される光起電力素子の断面を示す模式図。FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of a photovoltaic element manufactured by a manufacturing process including a rinsing method according to the present invention.
【図2】本発明に係る電析装置の一実施形態を示す構成
図。FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of an electrodeposition apparatus according to the present invention.
【図3】図2に示す巻出装置の拡大図。FIG. 3 is an enlarged view of the unwinding device shown in FIG. 2;
【図4】図2に示す第一電析槽及び第一循環槽の拡大
図。FIG. 4 is an enlarged view of a first electrodeposition tank and a first circulation tank shown in FIG. 2;
【図5】図2に示す第二電析槽及び第二循環槽の拡大
図。FIG. 5 is an enlarged view of a second electrodeposition tank and a second circulation tank shown in FIG. 2;
【図6】図2に示す第一排液槽及び第二排液槽の拡大
図。FIG. 6 is an enlarged view of a first drainage tank and a second drainage tank shown in FIG. 2;
【図7】図2に示す純水シャワー槽、第一温水槽、第二
温水槽、乾燥部、巻取装置の拡大図。FIG. 7 is an enlarged view of a pure water shower tank, a first hot water tank, a second hot water tank, a drying unit, and a winding device shown in FIG.
【図8】図2に示す純水加熱槽の拡大図。FIG. 8 is an enlarged view of the pure water heating tank shown in FIG.
【図9】図2に示す排気ダクト付近の拡大図。FIG. 9 is an enlarged view around the exhaust duct shown in FIG. 2;
【図10】本発明に係る電析装置の他の実施形態を示す
構成図。FIG. 10 is a configuration diagram showing another embodiment of the electrodeposition apparatus according to the present invention.
101 支持体 102 裏面反射層 103 透明導電層 104 半導体層 105 透明電極層 106 集電電極層 301 耐腐食容器 302 電解析出水溶液 303 導電性基体 304 対向電極 305 電源 306 負荷抵抗 307 射出口 308 吸入口 309 吸入溶液パイプ 310 射出溶液パイプ 311 溶液循環ポンプ 312 ヒーター 313 温度計 2001 巻出装置長尺基板ボビン 2002 巻出装置インターリーフ巻取りボビン 2003 巻出装置繰出し調整ローラー 2004 巻出装置方向転換ローラー 2005 巻出装置排出ローラー 2006 長尺基板 2007 巻取りインターリーフ 2008 インターリーフ巻取り方向 2009 巻出装置長尺基板ボビン回転方向 2010 長尺基板巻出し方向 2011 巻出装置クリーンブース 2012 巻出装置 2013 電析槽入口折返しローラー 2014 第一電析槽進入ローラー 2015 第一電析槽退出ローラー 2016 電析槽間折返しローラー 2017 電析槽入口折返しローラーカバー 2018 第一電析浴保持槽カバー 2019 電析槽間カバー 2020 電析水洗系排気ダクト 2021 第一電析槽上流排気口 2022 第一電析槽中流排気口 2023 第一電析槽下流排気口 2024 第一電析槽オーバーフロー戻り口 2025 第一電析浴浴面 2026〜2053 第一電析槽アノード 2054〜2060 第一電析槽アノード載置台 2061 第一電析槽裏面電極 2062 第一電析槽攪拌空気導入管 2063 第一電析槽上流循環噴流管 2064 第一電析槽下流循環噴流管 2065 第一電析浴保持槽 2066 第一電析槽 2067 第一電析槽出口シャワー 2068 第二電析槽入口シャワー 2069 第二電析槽進入ローラー 2070 第二電析槽退出ローラー 2071 第二電析槽上流排気口 2072 第二電析槽中流排気口 2073 第二電析槽下流排気口 2074 第二電析浴浴面 2075 第二電析槽オーバーフロー戻り口 2076〜2103 第二電析槽アノード 2104〜2110 第二電析槽アノード載置台 2111 第二電析槽裏面電極 2112 第二電析槽攪拌空気導入管 2113 第二電析槽上流還流噴流管 2114 第二電析槽下流還流噴流管 2115 第二電析浴保持槽 2116 第二電析槽 2117 第一電析槽オーバーフロー戻り路 2118 第一電析槽オーバーフロー戻り路絶縁フラン
ジ 2119 第一電析槽オーバーフロー戻り方向 2120 第一循環槽 2121 第一循環槽加熱貯槽 2122〜2129 第一循環槽ヒーター 2130 第一循環槽電析浴上流循環元バルブ 2131 第一循環槽電析浴上流循環方向 2132 第一循環槽電析浴上流循環ポンプ 2133 第一循環槽電析浴上流循環ポンプバイパスバ
ルブ 2134 第一循環槽電析浴上流循環圧力ゲージ 2135 第一循環槽電析浴上流循環バルブ 2136 第一循環槽電析浴上流循環フレキシブルパイ
プ 2137 第一循環槽電析浴上流循環フランジ絶縁配管 2138 第二電析浴保持槽カバー 2139 第一循環槽電析浴下流循環元バルブ 2140 第一循環槽電析浴下流循環方向 2141 第一循環槽電析浴下流循環ポンプバイパスバ
ルブ 2142 第一循環槽電析浴下流循環ポンプ 2143 第一循環槽電析浴下流循環圧力ゲージ 2144 第一排液槽排液貯槽 2145 第一循環槽電析浴下流循環バルブ 2146 第一循環槽電析浴バイパス循環フレキシブル
パイプ 2147 第一循環槽電析浴バイパス循環バルブ 2148 第一循環槽電析浴下流循環フレキシブルパイ
プ 2149 第一循環槽電析浴下流循環フランジ絶縁配管 2150 第一循環槽出口シャワーバルブ 2151 第一電析槽フィルター循環戻りフレキシブル
パイプ 2152 第一電析槽フィルター循環戻りフランジ絶縁
配管 2153 第一電析槽排水バルブ 2154 第一電析槽フィルター循環元バルブ 2155 第一電析槽フィルター循環方向 2156 第一電析槽フィルター循環サクションフィル
ター 2157 第一電析槽フィルター循環ポンプ 2158 第一電析槽フィルター循環ポンプバイパスバ
ルブ 2159 第一電析槽フィルター循環圧力スイッチ 2160 第一電析槽フィルター循環圧力ゲージ 2161 第一電析槽フィルター循環フィルター 2162 第一電析槽フィルター循環方向 2163 第一電析槽フィルター循環方向 2164 第一電析槽フィルター循環フレキシブルパイ
プ 2165 第一電析槽フィルター循環フランジ絶縁配管 2166 第一電析槽フィルター循環バルブ 2167 第一電析槽フィルター循環系電析浴上流戻り
バルブ 2168 第一電析槽フィルター循環系電析浴中流戻り
バルブ 2169 第一電析槽フィルター循環系電析浴下流戻り
バルブ 2170 第一排液槽空気抜きバルブ 2171 第一排液槽空気抜き 2172 第一排液槽 2173 第一排液槽排水バルブ 2174 第一排液槽排液回収バルブ 2175 排液回収元バルブ 2176 排液回収サクションフィルター 2177 排液回収ポンプ 2178 排液回収口 2179 排液槽共通排水口 2180 第二排液槽排水バルブ 2181 第二排液槽排液回収バルブ 2182 圧搾空気導入口 2183 電析浴攪拌用圧搾空気圧力スイッチ 2184 第一電析槽圧搾空気導入方向 2185 第一電析槽圧搾空気元バルブ 2186 第一電析槽圧搾空気流量計 2187 第一電析槽圧搾空気レギュレーター 2188 第一電析槽圧搾空気ミストセパレーター 2189 第一電析槽圧搾空気導入バルブ 2190 第一電析槽圧搾空気フレキシブルパイプ 2191 第一電析槽圧搾空気絶縁配管 2192 第一電析槽攪拌空気下流側制御バルブ 2193 第一電析槽攪拌空気上流側制御バルブ 2194 第二電析槽圧搾空気導入方向 2195 第二電析槽圧搾空気元バルブ 2196 第二電析槽圧搾空気流量計 2197 第二電析槽圧搾空気レギュレーター 2198 第二電析槽圧搾空気ミストセパレーター 2199 第二電析槽圧搾空気導入バルブ 2200 第二電析槽圧搾空気フレキシブルパイプ 2201 第二電析槽圧搾空気絶縁配管 2202 第二電析槽攪拌空気上流側制御バルブ 2203 電析槽系純水導入口 2204 電析槽系純水導入バルブ 2205 第一加熱貯槽純水導入フレキシブルパイプ 2206 第一加熱貯槽純水導入バルブ 2207 第一電析槽純水導入バルブ 2208 第一電析槽純水導入絶縁配管 2209 第二加熱貯槽純水導入フレキシブルパイプ 2210 第二加熱貯槽純水導入バルブ 2211 第二電析槽純水導入バルブ 2212 第二電析槽純水導入絶縁配管 2213 電析槽予備導入口 2214 電析槽予備導入バルブ 2215 第一電析槽予備導入バルブ 2216 第一電析槽予備導入絶縁配管 2217 第二電析槽予備導入バルブ 2218 第二電析槽予備導入絶縁配管 2219 第二電析槽オーバーフロー戻り路 2220 第二電析槽オーバーフロー戻り路絶縁フラン
ジ 2221 第二電析槽オーバーフロー戻り方向 2222 第二循環槽 2223 第二循環槽加熱貯槽 2224〜2231 第二循環槽ヒーター 2232 第二循環槽電析浴上流循環元バルブ 2233 第二循環槽電析浴上流循環方向 2234 第二循環槽電析浴上流循環ポンプ 2235 第二循環槽電析浴上流循環ポンプバイパスバ
ルブ 2236 第二循環槽電析浴上流循環圧力ゲージ 2237 第二循環槽電析浴上流循環バルブ 2238 第二循環槽電析浴上流循環フレキシブルパイ
プ 2239 第二循環槽電析浴上流循環フランジ絶縁配管 2240 第二循環槽入口シャワーフレキシブルパイプ 2241 第二循環槽入口シャワーバルブ 2242 第二循環槽電析浴下流循環元バルブ 2243 第二循環槽電析浴下流循環方向 2244 第二循環槽電析浴下流循環ポンプバイパスバ
ルブ 2245 第二循環槽電析浴下流循環ポンプ 2246 第二循環槽電析浴下流循環圧力ゲージ 2247 第二循環槽電析浴下流循環バルブ 2248 第二循環槽電析浴下流循環フレキシブルパイ
プ 2249 第二循環槽電析浴下流循環フランジ絶縁配管 2250 第二循環槽電析浴バイパス循環フレキシブル
パイプ 2251 第二循環槽電析浴バイパス循環バルブ 2252 第二電析槽出口シャワーバルブ 2253 第二電析槽フィルター循環戻りフレキシブル
パイプ 2254 第二電析槽フィルター循環戻りフランジ絶縁
配管 2255 第二電析槽排水バルブ 2256 第二電析槽フィルター循環元バルブ 2257 第二電析槽フィルター循環方向 2258 第二電析槽フィルター循環サクションフィル
ター 2259 第二電析槽フィルター循環ポンプバイパスバ
ルブ 2260 第二電析槽フィルター循環ポンプ 2261 第二電析槽フィルター循環圧力スイッチ 2262 第二電析槽フィルター循環圧力ゲージ 2263 第二電析槽フィルター循環フィルター 2264 第二電析槽フィルター循環方向 2265 第二電析槽フィルター循環方向 2266 第二電析槽フィルター循環フレキシブルパイ
プ 2267 第二電析槽フィルター循環フランジ絶縁配管 2268 第二電析槽フィルター循環バルブ 2269 第二電析槽フィルター循環系電析浴上流戻り
バルブ 2270 第二電析槽フィルター循環系電析浴中流戻り
バルブ 2271 第二電析槽フィルター循環系電析浴下流戻り
バルブ 2272 第二電析槽攪拌空気下流側制御バルブ 2273 第二排液槽排液貯槽 2274 第二排液槽 2275 第二排液槽空気抜きバルブ 2276 第二排液槽空気抜き 2277 第一排液槽排液貯槽上蓋 2278 第二排液槽排液貯槽上蓋 2279 純水シャワー槽折返し進入ローラー 2280 純水シャワー槽ローラー 2281 第一温水槽折返し進入ローラー 2282 第一温水槽ローラー 2283 第二温水槽折返し進入ローラー 2284 第二温水槽ローラー 2285 乾燥折返しローラー 2286 巻取装置進入ローラー 2287 巻取装置方向転換ローラー 2288 巻取り調整ローラー 2289 長尺基板巻上げボビン 2290 インターリーフ繰出しボビン 2292 長尺基板巻取り方向 2293 長尺基板巻取りボビン回転方向 2294 インターリーフ繰出しボビン回転方向 2295 巻取装置クリーンブース 2296 巻取装置 2297 第二電析槽出口シャワー 2298 純水シャワー槽裏面ブラシ 2299 純水シャワー槽入口表面純水シャワー 2300 純水シャワー槽入口裏面純水シャワー 2301 純水シャワー槽排気口 2302 純水シャワー槽出口裏面純水シャワー 2303 純水シャワー槽出口表面純水シャワー 2304 第一温水槽温水保温ヒーター 2305 第一温水槽排気口 2306 第一温水槽超音波源 2307 第二温水槽温水保温ヒーター 2308 第二温水槽排気口 2309 第二温水槽出口裏面純水シャワー 2310 第二温水槽出口表面純水シャワー 2311 乾燥部入口裏面エアーナイフ 2312 乾燥部入口表面エアーナイフ 2313 IRランプ 2314 乾燥部排気口 2315 純水シャワー槽受け槽 2316 第一温水槽温水保持槽 2317 第二温水槽温水保持槽 2318 純水シャワー槽折返し進入ローラーカバー 2319 第一温水槽折返し進入ローラーカバー 2320 第二温水槽折返し進入ローラーカバー 2321 乾燥部カバー 2322 温水槽間連結管 2323 純水シャワー槽純水シャワー供給元バルブ 2324 純水シャワー槽純水シャワー供給ポンプバイ
パスバルブ 2325 純水シャワー槽純水シャワー供給ポンプ 2326 純水シャワー槽純水シャワー供給圧力スイッ
チ 2327 純水シャワー槽純水シャワー供給圧力ゲージ 2328 純水シャワー槽純水シャワー供給カートリッ
ジ式フィルター 2329 純水シャワー槽純水シャワー供給流量計 2330 純水シャワー槽入口表面純水シャワーバルブ 2331 純水シャワー槽入口裏面純水シャワーバルブ 2332 純水シャワー槽出口裏面純水シャワーバルブ 2333 純水シャワー槽出口表面純水シャワーバルブ 2334 第一温水槽温水保持槽排水バルブ 2335 第二温水槽温水保持槽排水バルブ 2336 水洗系排水 2337 水洗系純水口 2338 水洗系純水供給元バルブ 2339 純水加熱槽 2340〜2343 純水加熱槽純水加熱ヒーター 2344 純水加熱槽純水送出バルブ 2345 純水加熱槽純水送出ポンプバイパスバルブ 2346 純水加熱槽純水送出ポンプ 2347 純水加熱槽圧力スイッチ 2348 純水加熱槽圧力ゲージ 2349 純水加熱槽カートリッジ式フィルター 2350 純水加熱槽流量計 2351 第二温水槽出口裏面シャワーバルブ 2352 第二温水槽出口表面シャワーバルブ 2353 乾燥系圧搾空気導入口 2354 乾燥系圧搾空気圧力スイッチ 2355 乾燥系圧搾空気フィルターレギュレーター 2356 乾燥系圧搾空気ミストセパレータ 2357 乾燥系圧搾空気供給バルブ 2358 乾燥部入口裏面エアーナイフバルブ 2359 乾燥部入口表面エアーナイフバルブ 2360 純水シャワー槽 2361 第一温水槽 2362 第二温水槽 2363 乾燥部 2364 電析水洗系排気ダクト水洗側絶縁フランジ 2365 電析水洗系排気ダクト基幹絶縁フランジ 2366 電析水洗系排気ダクト凝縮器 2367 電析水洗系排気ダクト熱交換グリッド 2368 電析水洗系排気ダクト凝縮器排水ドレイン 2369 電析水洗系排気 2370 乾燥系排気ダクト 2371 乾燥系凝縮器 2372 乾燥系熱交換グリッド 2373 乾燥系凝縮器排水ドレイン 2374 乾燥系排気DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Support body 102 Back reflection layer 103 Transparent conductive layer 104 Semiconductor layer 105 Transparent electrode layer 106 Current collecting electrode layer 301 Corrosion-resistant container 302 Electrolytic deposition aqueous solution 303 Conductive substrate 304 Counter electrode 305 Power supply 306 Load resistance 307 Injection port 308 Suction port 309 Inhalation solution pipe 310 Injection solution pipe 311 Solution circulation pump 312 Heater 313 Thermometer 2001 Unwinding device Long substrate bobbin 2002 Unwinding device Interleaf winding bobbin 2003 Unwinding device unwinding adjusting roller 2004 Unwinding device direction change roller 2005 Rolling Unloading device discharge roller 2006 Long substrate 2007 Rewinding interleaf 2008 Interleaf rewinding direction 2009 Unwinding device Long substrate bobbin rotation direction 2010 Long substrate unwinding direction 2011 Unwinding device clean booth 012 Unwinding device 2013 Electrodeposition tank entrance turning roller 2014 First electrodeposition tank entry roller 2015 First electrodeposition tank exit roller 2016 Electrodeposition tank interposition tank turning roller 2017 Electrodeposition tank entrance turning roller cover 2018 First electrodeposition bath holding tank Cover 2019 Cover between electrodeposition tanks 2020 Exhaust duct for electrodeposition water washing 2021 Upstream exhaust port for first electrodeposition tank 2022 Exhaust port for middle flow of first electrodeposition tank 2023 Exhaust port for downstream of first electrodeposition tank 2024 Overflow return port for first electrodeposition tank 2025 First electrodeposition bath bath surface 2026-2053 First electrodeposition tank anode 2054-2060 First electrodeposition tank anode mounting table 2061 First electrodeposition tank back surface electrode 2062 First electrodeposition tank stirring air introduction pipe 2063 First electrode Spouting pipe upstream of the deposition tank 2064 Spouting pipe downstream of the first electrodeposition tank 2065 First electrodeposition bath holding tank 2066 Vessel 2067 First electrodeposition tank outlet shower 2068 Second electrodeposition tank inlet shower 2069 Second electrodeposition tank entrance roller 2070 Second electrodeposition tank exit roller 2071 Second electrodeposition tank upstream exhaust port 2072 Second electrodeposition tank middle exhaust Port 2073 second electrodeposition tank downstream exhaust port 2074 second electrodeposition bath surface 2075 second electrodeposition tank overflow return port 2076-2103 second electrodeposition tank anode 2104-2110 second electrodeposition tank anode mounting table 2111 second Electrode on backside of electrodeposition tank 2112 Second electrodeposition tank stirring air introduction pipe 2113 Second electrodeposition tank upstream reflux jet pipe 2114 Second electrodeposition tank downstream reflux jet pipe 2115 Second electrodeposition bath holding tank 2116 Second electrodeposition tank 2117 First electrodeposition tank overflow return path 2118 First electrodeposition tank overflow return path insulating flange 2119 First electrodeposition tank overflow return direction 2 Reference Signs List 120 First circulation tank 2121 First circulation tank heating storage tank 2122 to 2129 First circulation tank heater 2130 First circulation tank electrodeposition bath upstream circulation source valve 2131 First circulation tank electrodeposition bath upstream circulation direction 2132 First circulation tank electrodeposition Bath upstream circulation pump 2133 First circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pump bypass valve 2134 First circulation tank electrodeposition bath upstream circulation pressure gauge 2135 First circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 2136 First circulation tank electrodeposition bath upstream circulation Flexible pipe 2137 First circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flange insulation pipe 2138 Second electrodeposition bath holding tank cover 2139 First circulation tank electrodeposition bath downstream circulation source valve 2140 First circulation tank electrodeposition bath downstream circulation direction 2141 First Circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump bypass valve 2142 First circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump 2143 Under first circulation tank electrodeposition bath Circulation pressure gauge 2144 First drainage tank Drainage storage tank 2145 First circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 2146 First circulation tank electrodeposition bath bypass circulation flexible pipe 2147 First circulation tank electrodeposition bath bypass circulation valve 2148 First circulation Flexible circulation pipe downstream of the electrodeposition bath 2149 First circulation tank downstream circulation flange insulation pipe 2150 First circulation tank outlet shower valve 2151 First electrodeposition tank filter circulation return flexible pipe 2152 First electrodeposition tank filter circulation return flange Insulation pipe 2153 First electrodeposition tank drain valve 2154 First electrodeposition tank filter circulation source valve 2155 First electrodeposition tank filter circulation direction 2156 First electrodeposition tank filter circulation suction filter 2157 First electrodeposition tank filter circulation pump 2158 No. One electrodeposition tank filter circulation pump Bypass valve 2159 First electrodeposition tank filter circulation pressure switch 2160 First electrodeposition tank filter circulation pressure gauge 2161 First electrodeposition tank filter circulation filter 2162 First electrodeposition tank filter circulation direction 2163 First electrodeposition tank filter circulation direction 2164 First electrodeposition tank filter circulation flexible pipe 2165 First electrodeposition tank filter circulation flange insulating pipe 2166 First electrodeposition tank filter circulation valve 2167 First electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath upstream return valve 2168 First electrodeposition tank Return valve in the electrodeposition bath of the filter circulation system 2169 First return valve in the electrodeposition bath filter circulation system downstream valve 2170 First drainage tank air vent valve 2171 First drainage tank air vent 2172 First drainage tank 2173 First drainage Tank drain valve 2174 First drain tank drain recovery tank 2175 Drainage collection source valve 2176 Drainage collection suction filter 2177 Drainage collection pump 2178 Drainage collection port 2179 Drainage tank common drainage port 2180 Second drainage tank drainage valve 2181 Second drainage tank drainage collection valve 2182 Pressing Air inlet 2183 Compressed air pressure switch for electrodeposition bath stirring 2184 First electrodeposition tank compressed air introduction direction 2185 First electrodeposition tank compressed air main valve 2186 First electrodeposition tank compressed air flow meter 2187 First electrodeposition tank compressed Air regulator 2188 First electrodeposition tank compressed air mist separator 2189 First electrodeposition tank pressed air flexible pipe 2190 First electrodeposition tank compressed air flexible pipe 2191 First electrodeposition tank compressed air insulation pipe 2192 First electrodeposition tank stirring air Downstream control valve 2193 First electrodeposition tank stirring air upstream control valve 2194 Two electrodeposition tank compressed air introduction direction 2195 Second electrodeposition tank compressed air main valve 2196 Second electrodeposition tank compressed air flow meter 2197 Second electrodeposition tank compressed air regulator 2198 Second electrodeposition tank compressed air mist separator 2199 Second Electrodeposition tank compressed air introduction valve 2200 Second electrodeposition tank compressed air flexible pipe 2201 Second electrodeposition tank compressed air insulation pipe 2202 Second electrodeposition tank stirring air upstream control valve 2203 Electrodeposition tank pure water inlet 2204 Deposition tank pure water introduction valve 2205 First heating storage tank pure water introduction flexible pipe 2206 First heating storage tank pure water introduction valve 2207 First electrodeposition tank pure water introduction valve 2208 First electrodeposition tank pure water introduction insulation pipe 2209 Second Heating tank pure water introduction flexible pipe 2210 Second heating tank pure water introduction valve 2211 Second electrodeposition tank pure water introduction valve 2212 second electrodeposition tank pure water introduction insulating pipe 2213 electrodeposition tank preliminary introduction port 2214 electrodeposition tank preliminary introduction valve 2215 first electrodeposition tank preliminary introduction valve 2216 first electrodeposition tank preliminary introduction insulation pipe 2217 second electrodeposition tank Preliminary introduction valve 2218 Second electrodeposition tank preliminary introduction insulating pipe 2219 Second electrodeposition tank overflow return path 2220 Second electrodeposition tank overflow return path insulating flange 2221 Second electrodeposition tank overflow return direction 2222 Second circulation tank 2223 Second Circulating tank heating storage tank 2224 to 2231 Second circulating tank heater 2232 Second circulating tank electrodeposition bath upstream circulation source valve 2233 Second circulating tank electrodeposition bath upstream circulation direction 2234 Second circulating tank electrodeposition bath upstream circulation pump 2235 Second circulation Tank circulation bath upstream circulation pump bypass valve 2236 Second circulation bath electrodeposition bath upstream circulation pressure gauge 223 Second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation valve 2238 Second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flexible pipe 2239 Second circulation tank electrodeposition bath upstream circulation flange insulation pipe 2240 Second circulation tank inlet shower flexible pipe 2241 Second circulation tank inlet Shower valve 2242 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation source valve 2243 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump direction 2244 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump bypass valve 2245 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pump 2246 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation pressure gauge 2247 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation valve 2248 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flexible pipe 2249 Second circulation tank electrodeposition bath downstream circulation flange insulation pipe 2250 Second Circulation tank electrodeposition bath bypass circulation flexible pipe 2251 Second circulation tank electrodeposition bath bypass circulation Valve 2252 Second electrodeposition tank outlet shower valve 2253 Second electrodeposition tank filter circulation return flexible pipe 2254 Second electrodeposition tank filter circulation return flange insulated pipe 2255 Second electrodeposition tank drain valve 2256 Second electrodeposition tank filter circulation source Valve 2257 Second electrodeposition tank filter circulation direction 2258 Second electrodeposition tank filter circulation suction filter 2259 Second electrodeposition tank filter circulation pump bypass valve 2260 Second electrodeposition tank filter circulation pump 2261 Second electrodeposition tank filter circulation pressure switch 2262 Second electrodeposition tank filter circulation pressure gauge 2263 Second electrodeposition tank filter circulation filter 2264 Second electrodeposition tank filter circulation direction 2265 Second electrodeposition tank filter circulation direction 2266 Second electrodeposition tank filter circulation flexible pipe 2 267 Second electrodeposition tank filter circulation flange insulating pipe 2268 Second electrodeposition tank filter circulation valve 2269 Second electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath upstream return valve 2270 Second electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath return valve 2271 Second electrodeposition tank filter circulation system electrodeposition bath downstream return valve 2272 Second electrodeposition tank stirring air downstream control valve 2273 Second drainage tank drainage storage tank 2274 Second drainage tank 2275 Second drainage tank air release valve 2276 Second drain tank air vent 2277 First drain tank drain storage tank top lid 2278 Second drain tank drain storage tank top lid 2279 Pure water shower tank return entry roller 2280 Pure water shower tank roller 2281 First hot water tank return entry roller 2282 First hot water tank roller 2283 Second hot water tank turn-back entry roller 2284 Second hot water tank roller 2285 Drying turn-back roller 2286 Take-up device entry roller 2287 Take-up device direction change roller 2288 Take-up adjustment roller 2289 Long substrate winding bobbin 2290 Interleaf feeding bobbin 2292 Long substrate winding direction 2293 Long substrate winding bobbin rotating direction 2294 Interleaf feeding bobbin rotation direction 2295 Take-up device clean booth 2296 Take-up device 2297 Second electrodeposition tank outlet shower 2298 Pure water shower tank back brush 2299 Pure water shower tank inlet surface pure water shower 2300 Pure water shower tank inlet back pure water Shower 2301 Pure water shower tank exhaust port 2302 Pure water shower tank outlet back side pure water shower 2303 Pure water shower tank outlet surface pure water shower 2304 First hot water tank hot water insulated heater 2305 First hot water tank exhaust 2306 First hot water tank ultrasonic source 2307 Second hot water tank warm water heater 2308 Second hot water tank outlet 2309 Second hot water tank outlet back pure water shower 2310 Second hot water tank outlet front pure water shower 2311 Drying section inlet rear air knife 2312 Drying section inlet surface air knife 2313 IR lamp 2314 Drying section exhaust port 2315 Pure water shower tank receiving tank 2316 First hot water tank hot water holding tank 2317 Second hot water tank hot water holding tank 2318 Pure water shower tank folding entry roller cover 2319 First Hot water tank return entry roller cover 2320 Second hot water tank return entry roller cover 2321 Drying section cover 2322 Hot water tank connection pipe 2323 Pure water shower tank pure water shower supply valve 2324 pure water shower tank pure water shower supply pump bypass valve 2325 pure water Shower tank pure water shower supply pump 2326 Pure water shower tank pure water shower supply pressure switch 2327 pure water shower tank pure water shower supply pressure gauge 2328 pure water shower tank pure water shower supply cartridge type filter 2329 pure water shower tank pure water shower supply Flow meter 2330 Pure water shower tub inlet surface pure water shower valve 2331 Pure water shower tub inlet back pure water shower valve 2332 Pure water shower tub outlet back pure water shower valve 2333 Pure water shower tub outlet surface pure water shower valve 2334 First temperature Water tank hot water holding tank drain valve 2335 Second hot water tank hot water holding tank drain valve 2336 Rinse system drainage 2337 Rinse system pure water port 2338 Rinse system pure water supply valve 2339 Pure water heating tank 2340-2343 Pure water heating tank Pure water heater 2344 Pure water Heat tank pure water delivery valve 2345 Pure water heating tank pure water delivery pump bypass valve 2346 pure water heating tank pure water delivery pump 2347 pure water heating tank pressure switch 2348 pure water heating tank pressure gauge 2349 pure water heating cartridge filter 2350 pure Water heating tank flow meter 2351 Second hot water tank outlet back surface shower valve 2352 Second hot water tank outlet front surface shower valve 2353 Drying compressed air inlet 2354 Drying compressed air pressure switch 2355 Drying compressed air filter regulator 2356 Drying compressed air mist Separator 2357 Drying system compressed air supply valve 2358 Drying unit inlet back surface air knife valve 2359 Drying unit inlet surface air knife valve 2360 Pure water shower tank 2361 First hot water tank 2362 Second hot water tank 2363 Drying unit 2364 Electrodeposition rinsing system exhaust duct Rinsing flange 2365 Electrodeposition rinsing system exhaust duct main insulating flange 2366 Electrodeposition rinsing system exhaust duct condenser 2367 Electrodeposition rinsing system exhaust duct heat exchange grid 2368 Electrodeposition rinsing system exhaust duct condenser drain drain 2369 Electrodeposition washing system exhaust 2370 Dry system exhaust duct 2371 Dry system condenser 2372 Dry system heat exchange grid 2373 Dry system condenser drain drain 2374 Dry system exhaust
フロントページの続き (72)発明者 遠山 上 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 宮本 祐介 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5F051 AA05 BA12 BA14 CB27 CB29 CB30 FA02 GA02 HA06 HA07Continuation of the front page (72) Inventor: Toyama, 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor: Yusuke Miyamoto 3-30-2, Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. F term (reference) 5F051 AA05 BA12 BA14 CB27 CB29 CB30 FA02 GA02 HA06 HA07
Claims (5)
含有してなる水溶液中に、導電性基体かならる基板を浸
漬し、該水溶液中に浸漬された対向電極に対して負の電
流を通電することにより、前記基板上に酸化亜鉛薄膜を
堆積させる工程において形成される前記酸化亜鉛薄膜の
リンス方法であって、 リンスに使用されるリンス浴の電気伝導度を150μS
/cm以下に管理することを特徴とするリンス方法。1. A substrate consisting of a conductive substrate is immersed in an aqueous solution containing at least nitrate ions and zinc ions, and a negative current is applied to a counter electrode immersed in the aqueous solution. A method for rinsing the zinc oxide thin film formed in the step of depositing the zinc oxide thin film on the substrate, wherein the electrical conductivity of the rinsing bath used for rinsing is set to 150 μS.
/ Cm / cm or less.
度を1μS/cm以下に管理することを特徴とする請求
項1記載のリンス方法。2. The rinsing method according to claim 1, wherein the electrical conductivity of the rinsing bath used for rinsing is controlled to 1 μS / cm or less.
膜を堆積させることを特徴とする請求項1または2記載
のリンス方法。3. The rinsing method according to claim 1, wherein the zinc oxide thin film is deposited by a roll-to-roll method.
ス浴槽を設け、この順で洗浄を行うことを特徴とする請
求項3記載のリンス方法。4. The rinsing method according to claim 3, wherein a shower tub, a first rinsing tub, and a second rinsing tub are provided, and cleaning is performed in this order.
ス方法を含む製造工程により製造されたことを特徴とす
る光起電力素子。5. A photovoltaic device manufactured by a manufacturing process including the rinsing method according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10343690A JP2000173969A (en) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Rinsing method and photovoltaic element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10343690A JP2000173969A (en) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Rinsing method and photovoltaic element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000173969A true JP2000173969A (en) | 2000-06-23 |
Family
ID=18363506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10343690A Pending JP2000173969A (en) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Rinsing method and photovoltaic element |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2000173969A (en) |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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