JP2000156351A - Method of gas-cleaning reduced pressure cvd system - Google Patents
Method of gas-cleaning reduced pressure cvd systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、クリーニング用エ
ッチングガスを使用して、減圧ＣＶＤ装置の反応管の壁
及び反応管内に設けられた部品の壁に付着した被クリー
ニング膜をエッチング除去するガスクリーニング方法に
関し、更に詳細には、反応管内に被クリーニング膜が残
留しないようにガスクリーニングでき、しかも、従来の
方法に比べて、クリーニング時間を短縮できる、減圧Ｃ
ＶＤ装置のガスクリーニング方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas cleaning for etching and removing a film to be cleaned adhered to a wall of a reaction tube of a low pressure CVD apparatus and a wall of a component provided in the reaction tube by using a cleaning etching gas. More specifically, the method can perform gas cleaning so that a film to be cleaned does not remain in the reaction tube, and can reduce the cleaning time compared to the conventional method.
The present invention relates to a gas cleaning method for a VD device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造過程では、ポリシリコ
ンＣＶＤ膜、ＣＶＤ酸化膜、ＣＶＤ窒化膜等のＣＶＤ膜
を半導体基板上に成膜することが多く、それらのＣＶＤ
膜を成膜する際には、通常、減圧ＣＶＤ装置を使用する
ことが多い。減圧ＣＶＤ装置にも種々の形式があるもの
の、バッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置が多用されている。こ
こで、図１を参照して、バッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置の
構成を説明する。図１は、バッチ式縦型減圧ＣＶＤ装
置、特に反応管周辺の構成を示す模式的断面図である。
バッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置１０は、図１に示すよう
に、インナーチューブ１２とアウターチューブ１４との
二重円筒式の反応管１６と、反応管１６の周囲を取り巻
いて設けられたヒータ１８と、反応管１６の下部に接続
されたロードロック室２０、反応管１６のインナーチュ
ーブ１２の内側にプロセスガスを供給するプロセスガス
供給系統２１、及びインナーチューブ１２とアウターチ
ューブ１４との環状空間の下部に接続され、反応管１６
内を減圧する真空吸引系統（図示せず）に接続された排
気管２２を備えている。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, a CVD film such as a polysilicon CVD film, a CVD oxide film, or a CVD nitride film is often formed on a semiconductor substrate.
When a film is formed, a low pressure CVD apparatus is usually used in many cases. Although there are various types of low pressure CVD apparatuses, a batch type vertical low pressure CVD apparatus is often used. Here, the configuration of the batch type vertical reduced pressure CVD apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a batch type vertical reduced-pressure CVD apparatus, particularly a configuration around a reaction tube.
As shown in FIG. 1, the batch type vertical reduced-pressure CVD apparatus 10 includes a double cylindrical reaction tube 16 having an inner tube 12 and an outer tube 14, and a heater 18 provided around the reaction tube 16. A load lock chamber 20 connected to a lower portion of the reaction tube 16, a process gas supply system 21 for supplying a process gas to the inside of the inner tube 12 of the reaction tube 16, and a lower portion of an annular space between the inner tube 12 and the outer tube 14. And the reaction tube 16
An exhaust pipe 22 is connected to a vacuum suction system (not shown) for reducing the pressure inside.
【０００３】ロードロック室２０は、ウエハＷを収容し
たボート２４を反応管１６のインナーチューブ１２の内
側に搬出入する搬送装置３１を備えている。ウエハＷ
は、ウエハ面を水平にして多段で間隔を明けてボート２
４に積載、収容されて、搬送装置３１によりインナーチ
ューブ１２の内側に搬入、搬出される。ボート２４の下
部には、複数枚の断熱板２５がウエハＷと平行になるよ
うに設けてある。プロセスガス供給系統２１は、それぞ
れ、インナーチューブ１２の内側に、ＣｌＦ3 ガスを供
給するＣｌＦ3 ガス供給管２６、ＳｉＨ4 ガスを供給す
るＳｉＨ4 ガス供給管２８と、ＰＨ3 ガスを供給するＰ
Ｈ3 ガス供給管３０と、Ｎ2 ガスを供給するＮ2 ガス供
給管３２から構成され、アウターチューブ１４及びイン
ナーチューブ１２を貫通して、反応管２２の下部に接続
されている。反応室１６を構成するインナーチューブ１
２、アウターチューブ１４、ボート２４、及び断熱板２
５は、石英やＳｉＣにより形成されている。The load lock chamber 20 is provided with a transfer device 31 for transferring the boat 24 containing the wafer W into and out of the inner tube 12 of the reaction tube 16. Wafer W
Is the boat 2
4, are loaded and accommodated, and are carried into and out of the inner tube 12 by the transport device 31. A plurality of heat insulating plates 25 are provided below the boat 24 so as to be parallel to the wafer W. The process gas supply system 21, respectively, on the inside of the inner tube 12, the SiH 4 gas supply pipe 28 for supplying ClF 3 gas supply pipe 26, SiH 4 gas supplying ClF 3 gas, supplying PH 3 gas P
It is composed of an H 3 gas supply pipe 30 and an N 2 gas supply pipe 32 for supplying N 2 gas. Inner tube 1 constituting reaction chamber 16
2, outer tube 14, boat 24, and insulating plate 2
Reference numeral 5 is formed of quartz or SiC.
【０００４】ウエハＷは、ウエハ面を水平にして縦方向
に多段で間隔を明けてボート２４に積載され、ロードロ
ック室２０を経由して反応管１６の下部からインナーチ
ューブ１２内側に入炉される。ＳｉＨ4、ＰＨ3 等のプ
ロセスガスは、ＳｉＨ4 ガス供給管２８、ＰＨ3 ガス供
給管３０等から反応管１６のインナーチューブ１２の内
側下部に供給され、インナーチューブ１２及びアウター
チューブ１４を経て、アウターチューブ１４の下部から
排気管２２を経由して真空吸引系統に吸引されて反応管
１６外に流出する。The wafers W are loaded on the boat 24 at intervals in the vertical direction with the wafer surface horizontal, and the furnace W enters the inner tube 12 from the lower part of the reaction tube 16 via the load lock chamber 20. You. The process gas such as SiH 4 and PH 3 is supplied from the SiH 4 gas supply pipe 28 and the PH 3 gas supply pipe 30 to the lower inside of the inner tube 12 of the reaction tube 16, passes through the inner tube 12 and the outer tube 14, The air is sucked from the lower part of the outer tube 14 into the vacuum suction system via the exhaust pipe 22 and flows out of the reaction tube 16.
【０００５】減圧ＣＶＤ装置１０では、ＣＶＤ膜の成膜
作業時間が、累積的に経過するにつれて、反応管１６を
構成するインナーチューブ１２、アウターチューブ１
４、ボート２４及び断熱板２５上に、成膜しているＣＶ
Ｄ膜と略同じ膜質の膜、例えばＤＯＰＯＳ（Phos.Doped
Poly-Si）膜を成膜するときには、図２に示すように、
ＤＯＰＯＳ膜Ｆが、経時的に、付着、累積して行く。付
着した膜をそのまま放置して置くと、剥離してパーティ
クル状で飛散し、ウエハ上に付着し、パーティクルが付
着したウエハを後の工程に移送すると、後の工程で支障
を来すことになる。そこで、付着した膜厚（累積膜厚）
が所定の膜厚に到達すると、膜が剥離する前に、膜を除
去することが必要になる。従来は、洗浄液を収容した洗
浄槽に、膜の付着した反応管及び部品を浸漬して、膜を
洗浄、除去していた。[0005] In the low pressure CVD apparatus 10, the inner tube 12 and the outer tube 1 constituting the reaction tube 16 are gradually increased as the operation time of forming the CVD film elapses.
4. CV deposited on boat 24 and heat insulating plate 25
A film having substantially the same film quality as the D film, for example, DOPOS (Phos.Doped)
When forming a Poly-Si) film, as shown in FIG.
The DOPOS film F adheres and accumulates over time. If the adhered film is left as it is, it peels off and scatters in particles, adheres to the wafer, and transports the wafer on which the particles are adhered to a subsequent process, which will hinder subsequent processes. . Therefore, the thickness of the deposited film (cumulative film thickness)
Reaches a predetermined film thickness, it is necessary to remove the film before the film is peeled off. Conventionally, the reaction tube and the parts having the film attached thereto are immersed in a cleaning tank containing a cleaning liquid to wash and remove the film.
【０００６】最近、ＣｌＦ3 ガスをエッチングガスとし
て使用し、反応管に付着した膜をエッチング除去するガ
スクリーニング方法が、提案され、実施されるようにな
っている。ガスクリーニング方法は、従来の洗浄法より
能率的に反応管から膜を除去できると評価されている。
以下に、ＣｌＦ3 ガスクリーニング法のクリーニング条
件の例を以下に示す。被クリーニング膜は、ＤＯＰＯＳ
膜である。 Recently, a gas cleaning method has been proposed and implemented in which a ClF 3 gas is used as an etching gas and a film attached to a reaction tube is removed by etching. It has been evaluated that the gas cleaning method can remove the film from the reaction tube more efficiently than the conventional cleaning method.
Hereinafter, examples of the cleaning conditions of the ClF 3 gas cleaning method are shown below. The film to be cleaned is DOPOS
It is a membrane.
【０００７】従来のガスクリーニングでは、反応管１６
内でガスの回り込み難い場所、例えばボート２４と断熱
板２５の接触部分などにもエッチングガスを流入させる
ために、反応管１６内の圧力をできるだけ低圧にしてク
リーニングを行っている。低圧では、エッチングガス原
子の平均自由行程が長くなり、クリーニングガスが狭い
所、奥まった所にも回り込み易くなるからである。In the conventional gas cleaning, a reaction tube 16 is used.
Cleaning is performed with the pressure in the reaction tube 16 as low as possible in order to allow the etching gas to flow into places where gas does not easily flow around, for example, the contact portion between the boat 24 and the heat insulating plate 25. This is because, at low pressure, the mean free path of the etching gas atoms becomes longer, and the cleaning gas can easily reach a narrow or deep place.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のガスク
リーニング方法では、反応管内を低圧にしてガスクリー
ニングを行っているため、エッチングレートが低下し、
クリーニングに要する時間が長くなり、その結果、減圧
ＣＶＤ装置のダウンタイムが大きくなり、減圧ＣＶＤ装
置の生産性が低下するという問題があった。そこで、本
発明の目的は、被クリーニング膜の除去ための処理時間
が短く、しかも確実に膜除去できる、減圧ＣＶＤ装置の
ガスクリーニング方法を提供することである。However, in the conventional gas cleaning method, since the gas cleaning is performed at a low pressure in the reaction tube, the etching rate is reduced.
The time required for cleaning becomes longer, and as a result, the downtime of the reduced pressure CVD apparatus increases, and there is a problem that the productivity of the reduced pressure CVD apparatus decreases. Accordingly, an object of the present invention is to provide a gas cleaning method for a low-pressure CVD apparatus, which can shorten the processing time for removing a film to be cleaned and can surely remove the film.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る減圧ＣＶＤ装置のガスクリーニング方
法は、クリーニング用エッチングガスを使用して、減圧
ＣＶＤ装置の反応管の壁及び反応管内に設けられた部品
の壁に付着した被クリーニング膜をエッチング除去する
ガスクリーニング方法において、クリーニング用エッチ
ングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニン
グ条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１の
ステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッ
チングレートより被クリーニング膜のエッチングレート
が低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリー
ニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有す
ることを特徴としている。In order to achieve the above object, a gas cleaning method for a low-pressure CVD apparatus according to the present invention uses a cleaning etching gas to form a reaction tube wall and a reaction tube inside a low-pressure CVD apparatus. In the gas cleaning method for etching and removing the film to be cleaned attached to the wall of the component provided in the first step, a cleaning etching gas is introduced into the reaction tube to etch and remove the film to be cleaned under the first gas cleaning condition. And a second step of etching and removing the film to be cleaned of the reaction tube under gas cleaning conditions in which the etching rate of the film to be cleaned is lower than the etching rate of the film to be cleaned in the first step. And
【００１０】本発明方法で、反応管内に設けられた部品
とは、石英またはＳｉＣ等で形成されたボート、断熱板
等を言う。本発明方法で使用するクリーニング用エッチ
ングガスは、被クリーニング膜種によって異なり、例え
ばＤＯＰＯＳ膜を除去するにはＣｌＦ3 ガス等を使用す
る。第２のステップで、被クリーニング膜に対するエッ
チングレートを低くするには、好適には、第２のステッ
プでは、反応管内のクリーニングガスの圧力を、第１ス
テップでの反応管内のクリーニングガスの圧力より低い
圧力にする。また、第２ステップでは、反応管内の温度
を、第１ステップでの反応管内の温度より低い温度にす
る。In the method of the present invention, the components provided in the reaction tube include a boat, a heat insulating plate and the like made of quartz or SiC. The cleaning etching gas used in the method of the present invention differs depending on the type of the film to be cleaned. For example, a ClF 3 gas or the like is used to remove the DOPOS film. In order to lower the etching rate for the film to be cleaned in the second step, preferably, in the second step, the pressure of the cleaning gas in the reaction tube is set to be lower than the pressure of the cleaning gas in the reaction tube in the first step. Reduce pressure. In the second step, the temperature in the reaction tube is set lower than the temperature in the reaction tube in the first step.
【００１１】本発明方法での第１のステップのガスクリ
ーニング条件は、従来のガスクリーニング方法のエッチ
ングレートと実質的に同じ、又はそれ以上のエッチング
レートになる条件である。第２のステップで、第１のス
テップより被クリーニング膜に対するエッチングレート
が低い条件で、例えば低圧のクリーニング条件で、又は
低温のクリーニング条件で、第１のステップに引き続い
て連続的にガスクリーニングを行うことにより、第１ス
テップ時にクリーニングガスが回り込まなかった場所に
もクリーニングガスが流入して残留被クリーニング膜に
接触し、被クリーニング膜のエッチング除去が行われ
る。低圧又は低温で、ガスクリーニングを行うことによ
り、ガス原子の平均自由行程が長くなり、クリーニング
ガスが回り込み易くなるからである。The gas cleaning conditions of the first step in the method of the present invention are conditions under which the etching rate is substantially equal to or higher than the etching rate of the conventional gas cleaning method. In the second step, gas cleaning is performed continuously after the first step under a condition that the etching rate of the film to be cleaned is lower than that in the first step, for example, under a low-pressure cleaning condition or a low-temperature cleaning condition. As a result, the cleaning gas also flows into a place where the cleaning gas did not flow around during the first step, comes into contact with the remaining cleaning target film, and the cleaning target film is removed by etching. This is because performing gas cleaning at low pressure or low temperature increases the mean free path of gas atoms and makes it easier for the cleaning gas to flow.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る減圧ＣＶＤ装置のガスク
リーニング方法の実施形態の一例である。本実施形態例
のガスクリーニング方法は、クリーニング用エッチング
ガスとしてＣｌＦ3 ガスを使用して、減圧ＣＶＤ装置の
反応管１６に付着したＤＯＰＯＳ膜を被クリーニング膜
種として除去する例である。ここで、反応管１６は、イ
ンナーチューブ１２、アウターチューブ１４、ボート２
４、断熱板２５等を含む概念とし、ＤＯＰＯＳ膜は、イ
ンナーチューブ１２の内外壁、アウターチューブ１４の
内壁、ボート２４の内外壁、断熱板２５の上板面等に付
着しているものとする。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment 1 This embodiment is an example of an embodiment of a gas cleaning method for a low pressure CVD apparatus according to the present invention. Gas cleaning method of this embodiment uses the ClF 3 gas as cleaning etching gas, a DOPOS film attached to the reaction tube 16 of the low pressure CVD apparatus is an example of removing a target cleaning film type. Here, the reaction tube 16 includes the inner tube 12, the outer tube 14, and the boat 2.
4. The concept includes the heat insulating plate 25 and the like, and the DOPOS film is attached to the inner and outer walls of the inner tube 12, the inner wall of the outer tube 14, the inner and outer walls of the boat 24, the upper plate surface of the heat insulating plate 25, and the like. .
【００１３】１）本実施形態例では、先ず、従来のガス
クリーニング方法と同様にして、反応管１６内を真空吸
引して数Ｐａ以下の到達真空度の減圧状態にし、反応管
１６内の残留ガスをパージする。 ２）第１ステップとして、従来のガスクリーニング条件
よりエッチングレートが高い、以下のガスクリーニング
条件でガスクリーニングを行う。 1) In the present embodiment, first, the inside of the reaction tube 16 is evacuated to a reduced pressure of the ultimate vacuum of several Pa or less in the same manner as in the conventional gas cleaning method, Purge gas. 2) As a first step, gas cleaning is performed under the following gas cleaning conditions, which have a higher etching rate than conventional gas cleaning conditions.
【００１４】 第１のステップのクリーニング条件で
は、従来のガスクリーニング方法に比べて、エッチング
レートが大きいため、従来より短時間で反応室内のＤＯ
ＰＯＳ膜の大部分がエッチング除去される。しかし、ボ
ート２４と断熱板２５の接触部分など、エッチングガス
の回り込み難い場所では、ＤＯＰＯＳ膜がエッチングさ
れずに残留している。Under the cleaning conditions of the first step, the etching rate is higher than that of the conventional gas cleaning method.
Most of the POS film is etched away. However, the DOPOS film remains without being etched in a place where the etching gas is hard to flow such as a contact portion between the boat 24 and the heat insulating plate 25.
【００１５】３）そこで、本実施形態例では、次に、第
２ステップとして、第１のステップより低い圧力、従っ
てエッチングレートが低くなる、以下のクリーニング条
件で行う。 3) Therefore, in the present embodiment, the second step is performed under the following cleaning conditions at which the pressure is lower than that of the first step, and hence the etching rate becomes lower.
【００１６】第２のステップでは、第１のステップに引
き続いて連続的に低圧のクリーニング条件でガスクリー
ニングを行うことにより、第１のステップ時にエッチン
グガスが回り込まなかった場所にも、エッチングガス
が、流入して、残留するＤＯＰＯＳ膜に接触し、エッチ
ング除去する。また、第１のステップでガスクリーニン
グが終了した領域では、下地部材、例えば石英製ボート
や石英製インナーチューブでは、下地となる石英が、Ｓ
ｉＣ製ボートやＳｉＣ製インナーチューブでは、下地と
なるＳｉＣが露出して、エッチングガスと接触するが、
エッチングレートが低いため、下地部材へのアタックは
小さい。従って、エッチングによるボートやインナーチ
ューブなどの消耗が、問題になるようなことはない。In the second step, the gas cleaning is performed continuously under the low pressure cleaning condition following the first step, so that the etching gas is also supplied to the place where the etching gas did not flow around in the first step. It flows in, contacts the remaining DOPOS film, and is removed by etching. In the region where the gas cleaning has been completed in the first step, the base material, for example, in the case of a quartz boat or a quartz inner tube, the base quartz is S
In iC boats and SiC inner tubes, the underlying SiC is exposed and comes into contact with the etching gas.
Since the etching rate is low, the attack on the base member is small. Therefore, the consumption of the boat and the inner tube due to the etching does not cause a problem.
【００１７】４）その後、従来のガスクリーニング方法
と同様にして、反応管１６内の真空吸引パージを数回行
い、完全にＣｌＦ3 ガスを除去する。以上、本実施形態
例によれば、ガスクリーニングを２回のステップで行う
ことにより、従来よりもガスクリーニング時間を短縮で
き、しかもＤＯＰＯＳ膜が残留しないように、反応管１
６内の壁に付着したＤＯＰＯＳ膜を完全に除去すること
ができる。4) Then, similarly to the conventional gas cleaning method, the vacuum suction purge in the reaction tube 16 is performed several times to completely remove the ClF 3 gas. As described above, according to the present embodiment, by performing the gas cleaning in two steps, the gas cleaning time can be shortened as compared with the conventional case, and the reaction tube 1 is formed so that the DOPOS film does not remain.
The DOPOS film adhered to the inner wall of the inside 6 can be completely removed.
【００１８】実施形態例２ 本実施形態例は、本発明に係る減圧ＣＶＤ装置のガスク
リーニング方法の実施形態の別の例である。本実施形態
例のガスクリーニング方法は、クリーニング用エッチン
グガスとしてＣｌＦ3 ガスを使用して、減圧ＣＶＤ装置
の反応管１６に付着したＤＯＰＯＳ膜を被クリーニング
膜種として除去する別の例でである。 Embodiment 2 This embodiment is another example of the embodiment of the gas cleaning method of the low pressure CVD apparatus according to the present invention. The gas cleaning method of this embodiment is another example of removing a DOPOS film attached to a reaction tube 16 of a low-pressure CVD apparatus as a type of a film to be cleaned, using a ClF 3 gas as a cleaning etching gas.
【００１９】１）本実施形態例では、先ず、従来のガス
クリーニング方法と同様にして、反応管１６内を真空吸
引して数Ｐａ以下の到達真空度の減圧状態にし、反応管
１６内の残留ガスをパージする。 ２）第１ステップとして、従来のガスクリーニング条件
よりエッチングレートが高い、以下のガスクリーニング
条件でガスクリーニングを行う。 1) In this embodiment, first, the inside of the reaction tube 16 is evacuated to a reduced pressure of a final vacuum of several Pa or less in the same manner as in the conventional gas cleaning method. Purge gas. 2) As a first step, gas cleaning is performed under the following gas cleaning conditions, which have a higher etching rate than conventional gas cleaning conditions.
【００２０】 第１のステップのクリーニング条件で
は、従来のガスクリーニング方法に比べて、エッチング
レートが大きいため、従来より短時間で反応室内のＤＯ
ＰＯＳ膜の大部分がエッチング除去される。しかし、ボ
ート２４と断熱板２５の接触部分など、エッチングガス
の回り込み難い場所では、ＤＯＰＯＳ膜がエッチングさ
れずに残留している。Under the cleaning conditions of the first step, the etching rate is higher than that of the conventional gas cleaning method.
Most of the POS film is etched away. However, the DOPOS film remains without being etched in a place where the etching gas is hard to flow such as a contact portion between the boat 24 and the heat insulating plate 25.
【００２１】３）そこで、本実施形態例では、次に、第
２ステップとして、第１のステップより温度が低い、従
ってエッチングレートが低くなる、以下のクリーニング
条件でガスクリーニングを行う。 3) Therefore, in the present embodiment, as the second step, gas cleaning is performed under the following cleaning conditions at which the temperature is lower than that of the first step, and hence the etching rate is lower.
【００２２】第２のステップでは、第１のステップより
低温、低圧のガスクリーニング条件で第１のステップに
引き続いて連続的にガスクリーニングを行うことによ
り、第１ステップ時にエッチングガスが回り込まなかっ
た場所にも、エッチングガスが、流入して、残留するＤ
ＯＰＯＳ膜に接触し、エッチング除去する。また、実施
形態例１と同様に、第１のステップでガスクリーニング
が終了した領域では、下地部材、例えば石英製ボートや
石英製インナーチューブでは、下地となる石英が、Ｓｉ
Ｃ製ボートやＳｉＣ製インナーチューブでは、下地とな
るＳｉＣが露出して、エッチングガスと接触するが、エ
ッチングレートが低いため、下地部材へのアタックは小
さい。従って、エッチングによるボートやインナーチュ
ーブなどの消耗が、問題になるようなことはない。In the second step, gas cleaning is performed continuously after the first step under gas cleaning conditions at a lower temperature and a lower pressure than in the first step, so that the etching gas does not flow around in the first step. Also, the etching gas flows in and the remaining D
It comes into contact with the OPOS film and is removed by etching. Further, as in the first embodiment, in the region where the gas cleaning is completed in the first step, in the base member, for example, in a quartz boat or a quartz inner tube, the base quartz is made of Si.
In a boat made of C or an inner tube made of SiC, the underlying SiC is exposed and comes into contact with the etching gas. However, since the etching rate is low, the attack on the underlying member is small. Therefore, the consumption of the boat and the inner tube due to the etching does not cause a problem.
【００２３】４）その後、従来のガスクリーニング方法
と同様にして、反応管１６内の真空吸引パージを数回行
い、完全にＣｌＦ3 ガスを除去する。以上、本実施形態
例によれば、ガスクリーニングを２回のステップで行う
ことにより、従来よりもガスクリーニング時間を短縮で
き、しかもＤＯＰＯＳ膜が残留しないように、反応管１
６内の壁に付着したＤＯＰＯＳ膜を完全に除去すること
ができる。4) Then, similarly to the conventional gas cleaning method, the vacuum suction purge in the reaction tube 16 is performed several times to completely remove the ClF 3 gas. As described above, according to the present embodiment, by performing the gas cleaning in two steps, the gas cleaning time can be shortened as compared with the conventional case, and the reaction tube 1 is formed so that the DOPOS film does not remain.
The DOPOS film adhered to the inner wall of the inside 6 can be completely removed.
【００２４】上述の実施形態例では、減圧ＣＶＤ装置の
反応管の壁に付着したＤＯＰＯＳ膜の除去を例にして説
明したが、本発明方法は、被クリーニング膜種の膜種を
問わず適用でき、例えばＬＰ−ＳｉＮ膜や、ＬＰ−ＴＥ
ＯＳなどの酸化膜を成膜した減圧ＣＶＤ装置のガスクリ
ーニングにも適用できる。また、上述の実施形態例で
は、クリーニングガスとしてＣｌＦ3 ガスを使用してい
るが、ＣｌＦ3 ガスに限らず、ＮＦ3 など他のクリーニ
ングガスを使用しても良い。更に、本発明方法は、上述
のバッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置に限らず、減圧ＣＶＤ装
置の構造に制約なく適用でき、バッチ式縦型減圧ＣＶＤ
装置、バッチ式横型減圧ＣＶＤ装置、及び枚葉式減圧Ｃ
ＶＤ装置に適用できる。In the above-described embodiment, the removal of the DOPOS film adhered to the wall of the reaction tube of the low pressure CVD apparatus has been described as an example. However, the method of the present invention can be applied to any type of film to be cleaned. For example, LP-SiN film, LP-TE
The present invention can also be applied to gas cleaning of a low-pressure CVD apparatus in which an oxide film such as an OS is formed. In the above-described embodiment, the ClF 3 gas is used as the cleaning gas. However, the cleaning gas is not limited to the ClF 3 gas, and another cleaning gas such as NF 3 may be used. Further, the method of the present invention is not limited to the above-described batch type vertical low pressure CVD apparatus, and can be applied to the structure of the low pressure CVD apparatus without any limitation.
Apparatus, batch type horizontal reduced pressure CVD apparatus, and single wafer type reduced pressure C
Applicable to VD devices.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明方法によれば、ガスクリーニング
を第１のステップと第２のステップの２回のステップに
分け、第１のステップでエッチングレートの高いガスク
リーニング条件で被クリーニング膜をエッチングし、第
２のステップで第１のステップより低いエッチングレー
トで被クリーニング膜をエッチングすることにより、従
来の湿式洗浄法や従来のガスクリーニング方法よりもガ
スクリーニング時間を短縮し、しかも、被クリーニング
膜が反応管内に残留しないようにクリーニングできるの
で、従来よりも装置のダウンタイムが小さくなり、生産
性を向上させることができる。According to the method of the present invention, gas cleaning is divided into two steps, a first step and a second step. In the first step, a film to be cleaned is etched under a gas cleaning condition having a high etching rate. In the second step, the film to be cleaned is etched at a lower etching rate than in the first step, so that the gas cleaning time can be reduced as compared with the conventional wet cleaning method and the conventional gas cleaning method, Can be cleaned so as not to remain in the reaction tube, so that downtime of the apparatus can be reduced as compared with the related art, and productivity can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】バッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置の構成を示す模式
的断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration of a batch type vertical reduced pressure CVD apparatus.
【図２】バッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置の反応管内に被ク
リーニング膜が付着した状態を示すバッチ式縦型減圧Ｃ
ＶＤ装置の模式的断面図である。FIG. 2 is a batch type vertical decompression C showing a state in which a film to be cleaned adheres to a reaction tube of a batch type vertical decompression CVD apparatus.
It is a typical sectional view of a VD device.
１０……減圧ＣＶＤ装置、１２……インナーチューブ、
１４……アウターチューブ、１６……反応管、１８……
ヒータ、２０……ロードロック室、２１……プロセスガ
ス供給系統、２２……排気管、２４……ボート、２５…
…断熱板、２６……ＣｌＦ3 ガス供給管、２８……Ｓｉ
Ｈ4 ガス供給管、３０……ＰＨ3 ガス供給管、３１……
搬送装置、３２……Ｎ2 ガス供給管。10 ... reduced pressure CVD device, 12 ... inner tube,
14 ... outer tube, 16 ... reaction tube, 18 ...
Heater, 20 Load lock chamber, 21 Process gas supply system, 22 Exhaust pipe, 24 Boat, 25
... heat insulating plate, 26 ... ClF 3 gas supply pipe, 28 ... Si
H 4 gas supply pipe, 30 ...... PH 3 gas supply pipe, 31 ......
Conveying device, 32 ...... N 2 gas supply pipe.
Claims (3)
て、減圧ＣＶＤ装置の反応管の壁及び反応管内に設けら
れた部品の壁に付着した被クリーニング膜をエッチング
除去するガスクリーニング方法において、 クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、
第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッ
チング除去する第１のステップと、 第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレート
より被クリーニング膜のエッチングレートが低くなるガ
スクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエ
ッチング除去する第２のステップとを有することを特徴
とする減圧ＣＶＤ装置のガスクリーニング方法。A gas cleaning method for etching and removing a film to be cleaned adhered to a wall of a reaction tube of a low pressure CVD apparatus and a wall of a component provided in the reaction tube by using a cleaning etching gas. Gas is introduced into the reaction tube,
A first step of etching and removing the film to be cleaned under the first gas cleaning condition; and a gas cleaning condition in which the etching rate of the film to be cleaned is lower than the etching rate of the film to be cleaned in the first step. And a second step of removing the cleaning film by etching.
ニングガスの圧力が、第１ステップでの反応管内のクリ
ーニングガスの圧力より低い圧力であることを特徴とす
る請求項１に記載の減圧ＣＶＤ装置のガスクリーニング
方法。2. The reduced pressure CVD according to claim 1, wherein in the second step, the pressure of the cleaning gas in the reaction tube is lower than the pressure of the cleaning gas in the reaction tube in the first step. Gas cleaning method for equipment.
が、第１ステップでの反応管内の温度より低い温度であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の減圧ＣＶＤ装
置のガスクリーニング方法。3. The gas cleaning method according to claim 1, wherein in the second step, the temperature in the reaction tube is lower than the temperature in the reaction tube in the first step. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329786A JP2000156351A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Method of gas-cleaning reduced pressure cvd system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329786A JP2000156351A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Method of gas-cleaning reduced pressure cvd system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000156351A true JP2000156351A (en) | 2000-06-06 |
Family
ID=18225256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10329786A Pending JP2000156351A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Method of gas-cleaning reduced pressure cvd system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000156351A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099840A (en) * | 2011-12-27 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Cleaning method, method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
-
1998
- 1998-11-19 JP JP10329786A patent/JP2000156351A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099840A (en) * | 2011-12-27 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Cleaning method, method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
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