JP2000155915A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗素子とシールド層との間の絶縁層を
厚くすることなく、磁気抵抗素子に接続される電極とシ
ールド層との間の絶縁性能を向上させる。 【解決手段】 下部シールド層３は、ＭＲ素子５に接続
される電極を構成する導電層７ｂを収容するための空間
を有する枠状に形成される。導電層７ｂは、下部シール
ド層３の空間（溝）内に、絶縁膜２ａを介して下部シー
ルド層３に対して絶縁された状態で配置される。ＭＲ素
子５と導電層７ｂは、電極層７ａによって接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも読み出
し用の磁気抵抗素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異
方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Re
sistive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大
磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）
と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素
子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲ
ヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭ
Ｒヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１
ギガビット／（インチ）² を超える再生ヘッドとして利
用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）² を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。

【０００３】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料あるいは構造に変える方法や、ＭＲ膜のＭＲ
ハイトを最適化する方法等がある。このＭＲハイトと
は、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の
端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング面の加
工の際の研磨量によって制御されるものである。なお、
ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドの、磁
気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも呼ばれ
る。

【０００４】ところで、再生ヘッドとしては、ＭＲ素子
を磁性材料によって電気的および磁気的にシールド（遮
蔽）した構造のものが多い。

【０００５】ここで、図２４ないし図３３を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図２４ないし図３１において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０００６】この製造方法では、まず、図２４に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を、２〜３μｍの
厚みに形成する。

【０００７】次に、図２５に示したように、下部シール
ド層１０３上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニ
ウムを５０〜１００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁
層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成する。
次に、下部シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭ
Ｒ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚
みに形成する。次に、このＭＲ膜上に、ＭＲ素子１０５
を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパターン１
０６を形成する。このとき、リフトオフを容易に行うこ
とができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォト
レジストパターン１０６を形成する。次に、フォトレジ
ストパターン１０６をマスクとして、例えばイオンミリ
ングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５
を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でも
よいし、ＡＭＲ素子でもよい。

【０００８】次に、図２６に示したように、下部シール
ドギャップ膜１０４上に、フォトレジストパターン１０
６をマスクとして、ＭＲ素子１０５に電気的に接続され
る一対の第１の電極層１０７を、数十ｎｍの厚みに形成
する。第１の電極層１０７は、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰ
ｔ，ＴｉＷ，Ｔａを積層して形成される。次に、図２７
に示したように、フォトレジストパターン１０６をリフ
トオフする。次に、図２７では図示しないが、第１の電
極層１０７に電気的に接続される一対の第２の電極層
を、５０〜１００ｎｍの厚みで、所定のパターンに形成
する。第２の電極層は、例えば、銅（Ｃｕ）によって形
成される。第１の電極層１０７および第２の電極層は、
ＭＲ素子１０５に電気的に接続される電極（リードとも
言う。）を構成する。

【０００９】次に、図２８に示したように、下部シール
ドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５上に、絶縁層
としての上部シールドギャップ膜１０８を、５０〜１５
０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャ
ップ膜１０４，１０８内に埋設する。次に、上部シール
ドギャップ膜１０８上に、磁性材料からなり、再生ヘッ
ドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下
部磁極（以下、上部シールド層と記す。）１０９を、約
３μｍの厚みに形成する。

【００１０】次に、図２９に示したように、上部シール
ド層１０９上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記
録ギャップ層１１０を、０．２〜０．３μｍの厚みに形
成し、この記録ギャップ層１１０上に、スロートハイト
を決定するフォトレジスト層１１１を、約１．０〜２．
０μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。次に、フ
ォトレジスト層１１１上に、誘導型の記録ヘッド用の第
１層目の薄膜コイル１１２を、３μｍの厚みに形成す
る。次に、フォトレジスト層１１１およびコイル１１２
上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形
成する。次に、フォトレジスト層１１３上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を、３μｍの厚みに形成する。次
に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、
フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成す
る。

【００１１】次に、図３０に示したように、コイル１１
２，１１４よりも後方（図３０（ａ）における右側）の
位置において、磁路形成のために、記録ギャップ層１１
０を部分的にエッチングする。次に、記録ギャップ層１
１０、フォトレジスト層１１１，１１３，１１５上に、
記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材のパ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁極１
１６を、約３μｍの厚みに形成する。この上部磁極１１
６は、コイル１１２，１１４よりも後方の位置におい
て、上部シールド層（下部磁極）１０９と接触し、磁気
的に連結している。

【００１２】次に、図３１に示したように、上部磁極１
１６をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギ
ャップ層１１０と上部シールド層（下部磁極）１０９を
エッチングする。次に、上部磁極１１６上に、例えばア
ルミナよりなるオーバーコート層１１７を、２０〜３０
μｍの厚みに形成する。最後に、スライダの機械加工を
行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。図３１に示
したように、上部磁極１１６、記録ギャップ層１１０お
よび上部シールド層（下部磁極）１０９の一部の各側壁
が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Tri
m）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラ
ックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効ト
ラック幅の増加を防止することができる。

【００１３】図３２は、下部シールドギャップ膜１０４
上に、ＭＲ素子１０５、第１の電極層１０７および第２
の電極層１１８を形成した後の状態を示す平面図であ
る。図３３は、上述のようにして製造された薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。なお、図３３では、オーバーコー
ト層１１７を省略している。なお、図２４ないし図３１
における（ａ）は、図３３におけるＡ−Ａ′線断面を表
し、（ｂ）は、図３３におけるＢ−Ｂ′線断面を表して
いる。

【００１４】図３２および図３３から分かるように、従
来の薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子１０５をシールドす
るための下部シールド層１０３と上部シールド層１０９
との間に、広い領域にわたって、極めて薄い下部シール
ドギャップ膜１０４、上部シールドギャップ膜１０８を
介して、ＭＲ素子１０５に接続された電極層１０７，１
１８が介挿された構造になっている。そのため、電極層
１０７，１１８とシールド層１０３，１０９との間のシ
ールドギャップ膜１０４，１０８に、高い絶縁性能が求
められる。また、この絶縁性能が、薄膜磁気ヘッドの歩
留りを大きく左右していた。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、再生ヘッド
の性能が向上してくると、サーマルアスピリティ（Ther
mal Asperity）が問題となってくる。サーマルアスピリ
ティとは、再生時における再生ヘッドの自己発熱による
再生特性の劣化を言う。このサーマルアスピリティを克
服するため、従来は、下部シールド層１０３やシールド
ギャップ膜１０４，１０８の材料として冷却効率の優れ
た材料が求められていた。そのため、従来、下部シール
ド層１０３には、パーマロイやセンダスト等の磁性材料
が用いられていた。また、シールドギャップ膜１０４，
１０８は、アルミナ等を例えば１００〜１５０ｎｍの厚
みでスパッタによって形成していた。そして、このシー
ルドギャップ膜１０４，１０８によって、ＭＲ素子１０
５および電極層１０７，１１８とシールド層１０３，１
０９との間の磁気的および電気的な絶縁を得るようにな
っていた。

【００１６】また、再生ヘッドの性能を向上させるに
は、サーマルアスピリティの克服が避けられないことか
ら、最近では、シールドギャップ膜１０４，１０８の厚
みを、例えば５０〜１００ｎｍにする等、どんどん薄く
することによって、ＭＲ素子１０５の冷却効率を上げ
て、サーマルアスピリティを克服する方法が採られてい
た。

【００１７】しかしながら、シールドギャップ膜１０
４，１０８はスパッタによって形成するため、パーティ
クル（微粒子）や膜のピンホールによって、ＭＲ素子１
０５および電極層１０７，１１８と、シールド層１０
３，１０９との間の磁気的および電気的な絶縁の不良が
発生しやすく、これは、シールドギャップ膜１０４，１
０８を薄くすると、より顕著になるという問題点があ
る。

【００１８】また、再生ヘッドの出力特性を向上させる
には、ＭＲ素子における微小な抵抗変化に対応する微小
な出力信号変化を検出できるように、ＭＲ素子に接続さ
れる電極の配線抵抗は低いほどよい。そのため、従来
は、電極層１１８は、大面積となるように設計される場
合が多い。しかしながら、そうすると、電極層１１８と
シールドギャップ膜１０４，１０８が対向する部分の面
積も大きくなり、上述のようにシールドギャップ膜１０
４，１０８が薄い場合には、電極層１１８とシールド層
１０３，１０９との間の磁気的および電気的な絶縁の不
良がより多く発生しやすいという問題点がある。

【００１９】また、上述のように、再生ヘッドの出力特
性を向上させるために、ＭＲ素子に接続される電極の配
線抵抗は低いことが望まれるが、従来の薄膜磁気ヘッド
では、シールド層１０３，１０９間に介挿された、厚み
が５０〜１００ｎｍ程度の薄い電極層１０７，１１８に
よって電極が形成されているため、電極の配線抵抗を低
くするのには限界があるという問題点があった。

【００２０】また、薄膜磁気ヘッドでは、狭トラック幅
が要求されることから、ＭＲ素子も微小なものが要求さ
れる。特にＧＭＲヘッドになると、微小なＭＲ素子の出
力信号を正確に読み取る必要がある。そのためには、誘
導型の記録ヘッドにおけるコイル等の内部要因やハード
ディスク装置のモータ等の外部要因によるノイズの低減
を図る必要がある。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッ
ドでは、電極層１１８にノイズが乗り、このノイズが再
生ヘッドの性能を劣化させるおそれがあるという問題点
があった。

【００２１】なお、特開平９−３１２００６号公報に
は、リードの電気抵抗を下げると共に、リードと上シー
ルドとの間の絶縁不良を防止するために、ＭＲ素子に接
続されたリードを上下シールド間から引き出す方向の下
シールドの寸法を、上シールドの寸法よりも短く形成す
ると共に、リードの厚さを、上下シールド間に挟まれた
部分で薄く形成し、下シールドから外れた部分で下方に
突出して厚く形成する技術が示されている。

【００２２】しかしながら、この技術では、リードは下
シールドによってほとんどシールドされない構造となる
ため、高出力を求めるＧＭＲヘッドでは、コイルからの
磁束をひろいやすく、そのため、リードにノイズが乗り
やすくなるという問題点がある。

【００２３】また、特開平１０−３６１７号公報には、
ＭＲ素子に接続された導体を、ＭＲ素子とシールド層と
の間の絶縁層に形成された溝部に埋め込むことにより、
シールドギャップ間隔を小さくする技術が示されてい
る。

【００２４】しかしながら、この技術では、リードとシ
ールド層との間の絶縁性能が向上されるわけではない。

【００２５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、磁気抵抗素子とシールド層と
の間の絶縁層を厚くすることなく、磁気抵抗素子に接続
される電極とシールド層との間の絶縁性能を向上させる
ことができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造
方法を提供することにある。

【００２６】本発明の第２の目的は、磁気抵抗素子に接
続される電極の配線抵抗をより低くできるようにした薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。

【００２７】本発明の第３の目的は、磁気抵抗素子に対
するノイズの影響を低減できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドおよびその製造方法を提供することにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟んで対向す
るように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための
２つのシールド層と、磁気抵抗素子と各シールド層との
間に設けられた絶縁層と、磁気抵抗素子に接続される電
極とを備え、一方のシールド層は、電極の一部を収容す
るための空間を有する枠状に形成され、電極の少なくと
も一部は、一方のシールド層の空間内に、一方のシール
ド層に対して絶縁された状態で配置されているものであ
る。

【００２９】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗素
子を挟んで対向するように配置された２つのシールド層
のうちの一方のシールド層が、電極の一部を収容するた
めの空間を有する枠状に形成され、電極の少なくとも一
部が、一方のシールド層の空間内に、一方のシールド層
に対して絶縁された状態で配置される。

【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、一方
のシールド層と電極は、例えば、これらの間に設けられ
た絶縁膜によって絶縁されている。

【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、更
に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層
と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルとを
有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を備えていても
よい。

【００３２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
に配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１お
よび第２のシールド層と、磁気抵抗素子と第１および第
２のシールド層との間に設けられた第１および第２の絶
縁層と、磁気抵抗素子に接続される電極とを備えた薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、第１のシールド層を形
成する工程と、第１のシールド層の上に、第１の絶縁層
を形成する工程と、第１の絶縁層の上に、磁気抵抗素子
を形成する工程と、磁気抵抗素子および第１の絶縁層の
上に、第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層の
上に、第２のシールド層を形成する工程とを含み、第１
のシールド層を形成する工程または第２のシールド層を
形成する工程が、電極の一部を収容するための空間を有
する枠状に、第１のシールド層または第２のシールド層
を形成し、更に、電極の少なくとも一部が、空間内に、
第１のシールド層または第２のシールド層に対して絶縁
された状態で配置されるように、電極を形成する工程を
含むものである。

【００３３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置された２つの
シールド層のうちの一方のシールド層が、電極の一部を
収容するための空間を有する枠状に形成され、電極の少
なくとも一部が、一方のシールド層の空間内に、一方の
シールド層に対して絶縁された状態で配置される。

【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、一方のシールド層と電極は、例えば、これらの間
に設けられた絶縁膜によって絶縁される。

【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、電極を形成する工程は、例えば、一方のシールド
層の空間内および一方のシールド層の上に、絶縁膜を介
して、電極の一部となる電極用層を形成し、一方のシー
ルド層が露出するように、電極用層を平坦化して、電極
の一部を形成する。

【００３６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向す
る側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの
磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイ
ルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成す
る工程を含んでいてもよい。

【００３７】

【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。まず、図１ないし図１１を参照して、本発明の第１
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。な
お、図１ないし図９において、（ａ）はエアベアリング
面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリ
ング面に平行な断面を示している。

【００３８】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂ Ｏ₃
・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａ
ｌ₂Ｏ₃ ）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積
する。

【００３９】次に、図示しないが、絶縁層２の上に、下
部シールド層をフレームめっき法にて形成する際に使用
される電極膜としてのシード層を、スパッタによって形
成する。

【００４０】次に、図２に示したように、シード層の上
に、フォトレジスト膜をマスクとして、フレームめっき
法にて、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）を約
２〜３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の
下部シールド層３を形成する。次に、下部シールド層３
が形成されない領域におけるシード層を選択的に除去す
る。後で詳しく説明するが、本実施の形態では、下部シ
ールド層３は、その内側に、後述する電極の一部をなす
導電層を収容するための空間を有する枠状に形成され
る。

【００４１】次に、下部シールド層３および絶縁層２の
上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜２ａを、０．３〜
０．８μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜２ａの上
に、ＭＲ素子に接続される電極（リード）の一部となる
一対の電極用層７Ａを、例えば銅（Ｃｕ）によって、３
〜４μｍの厚みに形成する。この電極用層７Ａは、例え
ば、めっき法や、スパッタや、ＣＶＤ（chemical vapor
deposition ）によって形成される。

【００４２】次に、図３に示したように、機械的な研磨
やＣＭＰ（化学機械研磨）によって、電極用層７Ａを、
下部シールド層３の表面に至るまで研磨して平坦化す
る。次に、下部シールド層３用の不要部分のフレームパ
ターンと、電極用層７Ａの不要な部分を選択的にエッチ
ングによって除去する。これにより、電極用層７Ａは、
ＭＲ素子に接続される電極の一部をなす導電層７ｂとな
る。このようにして、枠状の下部シールド層３の内側に
形成された空間内に、絶縁膜２ａを介して、自己整合的
に導電層７ｂが収容された構造が得られる。

【００４３】このように、導電層７ｂは、０．３〜０．
８μｍの厚みの絶縁膜２ａによって完全に覆われた下部
シールド層３の内側の空間内に、自己整合的に正確に収
容されるように形成される。従って、導電層７ｂと下部
シールド層３との間の絶縁性能は極めて高く、導電層７
ｂと下部シールド層３との間において、パーティクルや
膜のピンホール等による磁気的および電気的な絶縁の不
良をなくすことができる。

【００４４】次に、図４に示したように、下部シールド
層３および導電層７ｂの上に、スパッタにより、チッ化
アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、約４０〜１００
ｎｍの厚みに形成して、絶縁層としての下部シールドギ
ャップ膜４ａを形成する。下部シールドギャップ膜４ａ
を形成する際には、予め、後述する電極層と導電層７ｂ
とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成す
る部分に、リフトオフを容易に行うことができるよう
に、例えばＴ型のフォトレジストパターンを形成してお
き、下部シールドギャップ膜４ａの形成後、フォトレジ
ストパターンをリフトオフすることにより、コンタクト
ホールを形成する。なお、コンタクトホールは、フォト
リソグラフィを用いて、下部シールドギャップ膜４ａを
選択的にエッチングして形成してもよい。また、同様に
して、下部シールドギャップ膜４ａには、導電層７ｂ
を、スライダに形成されるパッドとの接続用の導電層に
接続するためのコンタクトホール２１が形成される。

【００４５】次に、下部シールドギャップ膜４ａの上
に、再生用のＭＲ素子５を形成するためのＭＲ膜を、ス
パッタにより、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、この
ＭＲ膜の上に、ＭＲ素子５を形成すべき位置に選択的
に、図示しないフォトレジストパターンを形成する。こ
のとき、リフトオフを容易に行うことができるように、
例えばＴ型のフォトレジストパターンを形成する。次
に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えば、
アルゴン系のイオンミリングによってＭＲ膜をエッチン
グして、ＭＲ素子５を形成する。なお、ＭＲ素子５は、
ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。

【００４６】次に、下部シールドギャップ膜４ａの上
に、同じフォトレジストパターンをマスクとして、ＭＲ
素子５に電気的に接続される一対の電極層７ａを、スパ
ッタにより、８０〜１５０ｎｍの厚みに形成する。電極
層７ａは、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰｔ，ＴｉＷ，Ｔａ，
Ａｕを積層して形成される。また、電極層７ａは、下部
シールドギャップ膜４ａに形成されたコンタクトホール
を介して、導電層７ｂに対して電気的に接続される。電
極層７ａおよび導電層７ｂが、ＭＲ素子５に接続される
電極を構成する。

【００４７】次に、下部シールドギャップ膜４ａ、ＭＲ
素子５および電極層７ａの上に、スパッタにより、チッ
化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、約５０〜１０
０ｎｍの厚みに形成して、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜４ｂを形成して、ＭＲ素子５をシールドギャ
ップ膜４ａ，４ｂ内に埋設する。

【００４８】次に、上部シールドギャップ膜４ｂの上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、上部
シールド層と記す。）８を形成する。この上部シールド
層８は、ＮｉＦｅや、チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合
物、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密
度材を用いて形成してもよいし、ＮｉＦｅと高飽和磁束
密度材を重ねて形成してもよい。また、上部シールド層
８を形成する際に同時に、上部シールド層８と同じ材料
を用い、コンタクトホール２１の上に、導電層７ｂに接
続される導電層２２を形成する。

【００４９】次に、図５に示したように、ＮｉＦｅや上
述のような高飽和磁束密度材を用いて、それぞれ１．５
〜２．５μｍの厚みで、上部シールド層８の上に下部磁
極チップ９を形成し、上下の磁極層を接続する部分にお
ける上部シールド層８の上に磁路形成用の磁性層１０を
形成し、導電層２２の上に導電層２３を形成する。

【００５０】次に、全体にアルミナ膜あるいはシリコン
酸化膜よりなる絶縁層１１を、６〜８μｍの厚みに形成
する。そして、下部磁極チップ９、磁性層１０および導
電層２３の表面が露出するように、全体を平坦化する。
この平坦化は、機械的な研磨やＣＭＰ等を用いて行うこ
とができる。このような平坦化処理を行うことにより、
ＭＲ素子５のパターンによって下部磁極チップ９に発生
する段差がなくなり、下部磁極チップ９の表面が平坦に
なり、その後に形成される記録ヘッドの磁極部分の記録
ギャップ層を平坦にすることができる。その結果、高周
波領域における書き込み特性を向上させることができ
る。

【００５１】次に、図６に示したように、平坦化された
面の上に、アルミナ膜等の絶縁膜よりなる記録ギャップ
層１２を、０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。次
に、フォトリソグラフィを用いて、磁性層１０および導
電層２３の上の記録ギャップ層１２を部分的にエッチン
グして、コンタクトホールを形成する。

【００５２】次に、磁極部分における記録ギャップ層１
２の上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、記録ヘッ
ドのトラック幅を決定する上部磁極チップ１３を例えば
２〜３μｍの厚みに形成すると共に、磁性層１０の上
に、上部磁極チップ１３と同じ材料を用いて、磁路形成
用の磁性層１４を例えば２〜３μｍの厚みに形成する。
上部磁極チップ１３は、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）
等の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、
チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物等の高飽和磁束密度材
をスパッタし、パターニングして形成してもよい。な
お、上部磁極チップ１３の材料としては、上記の例の他
に、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密
度材を用いても良い。また、上部磁極チップ１３は、上
述の種々の材料を２種類以上重ねて形成してもよい。上
部磁極チップ１３に高飽和磁束密度材を用いることによ
り、コイルによって発生する磁束が、途中で飽和するこ
となく、有効に、磁極部分に到達するようになるため、
記録密度の高い記録ヘッドを形成することができる。

【００５３】次に、磁極部分において、上部磁極チップ
１３の両側における記録ギャップ層１２をドライエッチ
ングにより除去した後、露出した下部磁極チップ９を、
上部磁極チップ１３をマスクとして、イオンミリングに
よって、例えば０．３〜０．５μｍエッチングして、ト
リム構造とする。

【００５４】次に、記録ギャップ層１２の上に、記録ヘ
ッド用の第１層目の薄膜コイル１５を、例えばめっき法
により、１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。このと
き、同時に、導電層２３の上に導電層２４を形成する。

【００５５】次に、図７に示したように、全体にアルミ
ナ膜あるいはシリコン酸化膜等の絶縁層１６を、３〜４
μｍの厚みに形成する。そして、上部磁極チップ１３お
よび磁性層１４の表面が露出するように、全体を平坦化
する。この平坦化は、機械的な研磨やＣＭＰ等を用いて
行うことができる。次に、第１層目の薄膜コイル１５と
後述する第２層目の薄膜コイルとの接続部分、および導
電層２４の上の部分において、絶縁層１６にコンタクト
ホールを形成する。

【００５６】次に、絶縁層１６の上に、第２層目の薄膜
コイル１７を、例えばめっき法により、１．５〜２．５
μｍの厚みに形成する。このとき、同時に、導電層２４
の上に導電層２５を形成する。次に、絶縁層１５および
コイル１７の上に、フォトレジストよりなる絶縁層１８
を、所定のパターンに形成する。次に、例えば２５０°
Ｃ程度の温度にてキュアを施す。

【００５７】次に、図８に示したように、上部磁極チッ
プ１３から絶縁層１８を経て磁性層１４に至る領域の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極層１９
を、約３〜４μｍの厚みに形成する。この上部磁極層１
９は、磁性層１４，１０を介して上部シールド層８と接
触し、磁気的に連結している。次に、上部磁極層１９の
上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２０を
形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録
ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００５８】ここで、上部シールド層（下部磁極層）
８、下部磁極チップ９、記録ギャップ層１２、上部磁極
チップ１３、上部磁極層１９、磁性層１０，１４および
薄膜コイル１５，１７は、本発明における誘導型磁気変
換素子に対応する。

【００５９】図１０は下部シールド層３の平面図、図１
１は図４の平面図である。これらの図に示したように、
下部シールド層３は、内側に導電層７ｂを収容するため
の空間３ａを有する枠状に形成されている。導電層７ｂ
は、絶縁膜２ａを介して、下部シールド層３の内側の空
間内に収容されている。

【００６０】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、ＭＲ素子に５接続される電極（リード）の一部をな
す導電層７ｂを、絶縁膜２ａを介して、下部シールド層
３の内側の空間内に収容したので、導電層７ｂと下部シ
ールド層３との間の絶縁性能を極めて高くすることがで
き、導電層７ｂと下部シールド層３との間の磁気的およ
び電気的な絶縁の不良をなくすことができる。

【００６１】また、導電層７ｂの一部は、下部シールド
ギャップ膜４ａおよび上部シールドギャップ膜４ｂを介
して上部シールド層８と対向するが、大部分は上部シー
ルド層８と対向しない構造であるため、導電層７ｂと上
部シールド層８との間の絶縁性能も極めて高くすること
ができ、導電層７ｂと上部シールド層８との間の磁気的
および電気的な絶縁の不良をなくすことができる。

【００６２】また、本実施の形態によれば、導電層７ｂ
が下部シールドギャップ膜４ａと上部シールドギャップ
膜４ｂとの間に介挿された構造ではないので、導電層７
ｂが下部シールドギャップ膜４ａ、上部シールドギャッ
プ膜４ｂを介して下部シールド層３、上部シールド層８
と広い面積で対向することがない。従って、下部シール
ドギャップ膜４ａ、上部シールドギャップ膜４ｂを薄く
しても、導電層７ｂと下部シールド層３および上部シー
ルド層８との間の絶縁性能を高く維持することができ
る。

【００６３】このように本実施の形態によれば、下部シ
ールドギャップ膜４ａおよび上部シールドギャップ膜４
ｂを厚くすることなく、ＭＲ素子５に接続される電極と
下部シールド層３および上部シールド層８との間の絶縁
性能を向上させることができる。

【００６４】また、本実施の形態によれば、サーマルア
スピリティを改善するために、下部シールドギャップ膜
４ａおよび上部シールドギャップ膜４ｂを十分薄くする
ことが可能となり、再生ヘッドの性能を向上させること
ができる。

【００６５】また、本実施の形態によれば、導電層７ｂ
を十分厚く形成することができるので、ＭＲ素子５に接
続される電極の配線抵抗をより低くすることができる。
これにより、ＭＲ素子５における微小な抵抗変化に対応
する微小な出力信号変化を感度よく検出することが可能
となり、この点からも再生ヘッドの性能を向上させるこ
とができる。

【００６６】また、本実施の形態では、導電層７ｂのう
ちの、下部シールド層３の空間３ａ内に配置された部分
は、両側から下部シールド層３に挟み込まれてシールド
される構造となっている。従って、ＭＲ素子５に対す
る、誘導型の記録ヘッドにおけるコイルから発生する磁
気等の内部要因やハードディスク装置のモータ等の外部
要因によるノイズの影響を低減することができる。特
に、ＭＲ素子５の近傍では、導電層７ｂは、両側面側が
下部シールド層３によってシールドされ、上面側が上部
シールド層８によってシールドされる構造となっている
ので、電極層７ａを介して導電層７ｂに接続されるＭＲ
素子５に対するノイズの影響をより低減することができ
る。これらの点からも、再生ヘッドの性能を向上させる
ことができる。

【００６７】また、本実施の形態によれば、記録ヘッド
における上部側の磁性層を、上部磁極チップ１３と上部
磁極層１９とに分離したので、上部磁極チップ１３の微
細化が可能となり、サブミクロン寸法の狭トラックの記
録ヘッドを簡単に形成することが可能となる。また、上
部磁極層１９は、上部磁極チップ１３の上面と３つの側
面の計４面で、上部磁極チップ１３に接する。そのた
め、上部磁極層１９を通過する磁束が、飽和することな
く効率よく、上部磁極チップ１３に流れ込むため、記録
密度の高い記録ヘッドを形成することができる。また、
本実施の形態によれば、微細に形成した上部磁極チップ
１３をマスクとして、下部磁極チップ９をエッチングし
てトリム構造とすることができるので、狭トラックの書
き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅
の増加を防止することができる。

【００６８】［第２の実施の形態］次に、図１２ないし
図２３を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法について説明する。なお、図１２ないし図２
０において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を
示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断
面を示している。

【００６９】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１２に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂ Ｏ
₃ ・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ
（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで
堆積する。

【００７０】次に、図１３に示したように、絶縁層２の
上に、めっき法によって、磁性材料、例えばパーマロイ
（ＮｉＦｅ）を約２〜３μｍの厚みで選択的に形成し
て、再生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。

【００７１】次に、下部シールド層３および絶縁層２の
上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜２ａを、０．３〜
０．８μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜２ａの上
に、ＭＲ素子に接続される電極の一部となる一対の電極
用層７Ａを、例えば銅（Ｃｕ）によって、３〜４μｍの
厚みに形成する。この電極用層７Ａは、例えば、めっき
法や、スパッタや、ＣＶＤによって形成される。次に、
全体にアルミナ膜あるいはシリコン酸化膜よりなる絶縁
層３１を、４〜５μｍの厚みに形成する。

【００７２】次に、図１４に示したように、下部シール
ド層３の表面が露出するように、全体を平坦化する。こ
の平坦化は、機械的な研磨やＣＭＰ等を用いて行うこと
ができる。この平坦化により、電極用層７Ａは導電層７
ｂとなり、枠状の下部シールド層３の内側に形成された
空間内に、絶縁膜２ａを介して、自己整合的に導電層７
ｂが収容された構造が得られる。また、この平坦化によ
り、導電層７ｂのうちの外縁部は露出し、その内側の大
部分は、絶縁層３１によって覆われた構造が得られる。

【００７３】このように、導電層７ｂは、０．３〜０．
８μｍの厚みの絶縁膜２ａによって完全に覆われた下部
シールド層３の内側の空間内に、自己整合的に正確に収
容されるように形成される。従って、導電層７ｂと下部
シールド層３との間の絶縁性能は極めて高く、導電層７
ｂと下部シールド層３との間において、パーティクルや
膜のピンホール等による磁気的および電気的な絶縁の不
良をなくすことができる。

【００７４】次に、図１５に示したように、下部シール
ド層３、導電層７ｂおよび絶縁層３１の上に、スパッタ
により、チッ化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、
約５０〜１００ｎｍの厚みに形成して、第１の下部シー
ルドギャップ膜４４ａを形成する。第１の下部シールド
ギャップ膜４４ａを形成する際には、予め、後述する電
極層と導電層７ｂとを電気的に接続するためのコンタク
トホールと、導電層７ｂをパッドとの接続用の導電層に
接続するためのコンタクトホール２１とを形成する。

【００７５】次に、電極層と導電層７ｂとを接続するた
めのコンタクトホールよりも磁極部分とは反対側の部分
における第１の下部シールドギャップ膜４４ａの上に、
チッ化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、０．１〜
０．３μｍの厚みに形成して、第２の下部シールドギャ
ップ膜４４ｂを形成する。なお、便宜上、図では、第１
の下部シールドギャップ膜４４ａと第２の下部シールド
ギャップ膜４４ｂを、１つの層で表している。

【００７６】次に、磁極部分における第１の下部シール
ドギャップ膜４４ａの上に、再生用のＭＲ素子５を形成
するためのＭＲ膜を、スパッタにより、数十ｎｍの厚み
に形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子５を形
成すべき位置に選択的に、図示しないフォトレジストパ
ターンを形成する。このとき、リフトオフを容易に行う
ことができるように、例えばＴ型のフォトレジストパタ
ーンを形成する。次に、フォトレジストパターンをマス
クとして、例えば、アルゴン系のイオンミリングによっ
てＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子５を形成する。な
お、ＭＲ素子５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子
でもよい。

【００７７】次に、導電層７ｂの上に、同じフォトレジ
ストパターンをマスクとして、ＭＲ素子５に電気的に接
続される一対の電極層７ａを、スパッタにより、８０〜
１５０ｎｍの厚みに形成する。電極層７ａは、例えば、
ＴｉＷ，ＣｏＰｔ，ＴｉＷ，Ｔａ，Ａｕを積層して形成
される。また、電極層７ａは、第１の下部シールドギャ
ップ膜４４ａに形成されたコンタクトホールを介して、
導電層７ｂに対して電気的に接続される。電極層７ａお
よび導電層７ｂが、ＭＲ素子５に接続される電極を構成
する。

【００７８】次に、電極層７ａおよび第２の下部シール
ドギャップ膜４４ｂの上に、スパッタにより、チッ化ア
ルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、約５０〜１００ｎ
ｍの厚みに形成して、第１の上部シールドギャップ膜４
４ｃを形成する。次に、ＭＲ素子５および第１の上部シ
ールドギャップ膜４４ｃの上に、スパッタにより、チッ
化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、０．１〜０．
３μｍの厚みに形成して、第２の上部シールドギャップ
膜４４ｄを形成して、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜
４４ａ，４４ｄ内に埋設する。なお、便宜上、図では、
第１の上部シールドギャップ膜４４ｃと第２の上部シー
ルドギャップ膜４４ｄを、１つの層で表している。

【００７９】次に、第２の上部シールドギャップ膜４４
ｄの上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッド
の双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以
下、上部シールド層と記す。）８を形成する。この上部
シールド層８は、ＮｉＦｅや、チッ化鉄（ＦｅＮ）やそ
の化合物、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和
磁束密度材を用いて形成してもよいし、ＮｉＦｅと高飽
和磁束密度材を重ねて形成してもよい。また、上部シー
ルド層８を形成する際に同時に、上部シールド層８と同
じ材料を用い、コンタクトホール２１の上に、導電層７
ｂに接続される導電層２２を形成する。

【００８０】次に、図１６に示したように、ＮｉＦｅや
上述のような高飽和磁束密度材を用いて、それぞれ１．
５〜２．５μｍの厚みで、上部シールド層８の上に下部
磁極チップ９を形成し、上下の磁極層を接続する部分に
おける上部シールド層８の上に磁路形成用の磁性層１０
を形成し、導電層２２の上に導電層２３を形成する。

【００８１】次に、全体にアルミナ膜あるいはシリコン
酸化膜よりなる絶縁膜３２を、０．３〜０．５μｍの厚
みに形成する。次に、絶縁膜３２の上に、記録ヘッド用
の第１層目の薄膜コイル３３を、例えばめっき法によ
り、１〜２μｍの厚みに形成する。次に、全体にアルミ
ナ膜あるいはシリコン酸化膜よりなる絶縁層３４を、４
〜６μｍの厚みに形成する。そして、下部磁極チップ
９、磁性層１０および導電層２３の表面が露出するよう
に、全体を平坦化する。この平坦化は、機械的な研磨や
ＣＭＰ等を用いて行うことができる。このような平坦化
処理を行うことにより、ＭＲ素子５のパターンによって
下部磁極チップ９に発生する段差がなくなり、下部磁極
チップ９の表面が平坦になり、その後に形成される記録
ヘッドの磁極部分の記録ギャップ層を平坦にすることが
できる。その結果、高周波領域における書き込み特性を
向上させることができる。

【００８２】次に、図１７に示したように、平坦化され
た面の上に、アルミナ膜等の絶縁膜よりなる記録ギャッ
プ層１２を、０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。次
に、例えば、反応性イオンエッチング、イオンビームミ
リング等のドライエッチングを用いて、磁性層１０の
上、導電層２３の上、および第１層目の薄膜コイル３３
と第２層目の薄膜コイルとの接続部分における記録ギャ
ップ層１２を部分的にエッチングして、コンタクトホー
ルを形成する。

【００８３】次に、磁極部分における記録ギャップ層１
２の上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、記録ヘッ
ドのトラック幅を決定する上部磁極チップ１３を例えば
３〜５μｍの厚みに形成すると共に、磁性層１０の上
に、上部磁極チップ１３と同じ材料を用いて、磁路形成
用の磁性層１４を例えば３〜５μｍの厚みに形成する。
上部磁極チップ１３は、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）
等の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、
チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物等の高飽和磁束密度材
をスパッタし、パターニングして形成してもよい。な
お、上部磁極チップ１３の材料としては、上記の例の他
に、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密
度材を用いても良い。また、上部磁極チップ１３は、上
述の種々の材料を２種類以上重ねて形成してもよい。上
部磁極チップ１３に高飽和磁束密度材を用いることによ
り、コイルによって発生する磁束が、途中で飽和するこ
となく、有効に、磁極部分に到達するようになるため、
記録密度の高い記録ヘッドを形成することができる。

【００８４】次に、磁極部分において、上部磁極チップ
１３の両側における記録ギャップ層１２をドライエッチ
ングにより除去した後、露出した下部磁極チップ９を、
上部磁極チップ１３をマスクとして、イオンミリングに
よって、例えば０．４μｍエッチングして、トリム構造
とする。

【００８５】次に、全体にアルミナ膜あるいはシリコン
酸化膜よりなる絶縁膜３５を、０．３〜０．５μｍの厚
みに形成する。なお、絶縁膜３５には、第１層目の薄膜
コイル３３と第２層目の薄膜コイルとの接続部分にコン
タクトホールを形成する。次に、絶縁膜３５の上に、記
録ヘッド用の第２層目の薄膜コイル３６を、例えばめっ
き法により、１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。こ
のとき、同時に、導電層２３の上に導電層２４を形成す
る。次に、全体にアルミナ膜あるいはシリコン酸化膜よ
りなる絶縁層３７を、４〜５μｍの厚みに形成する。そ
して、上部磁極チップ１３および磁性層１４の表面が露
出するように、全体を平坦化する。この平坦化は、機械
的な研磨やＣＭＰ等を用いて行うことができる。この平
坦化により、上部磁極チップ１３の最終的な厚みを２〜
３μｍにする。

【００８６】次に、図１８に示したように、絶縁層３７
に、第２層目の薄膜コイル３６と第３層目の薄膜コイル
との接続部分と、導電層２４の上の部分とにコンタクト
ホールを形成する。次に、絶縁層３７の上に、第３層目
の薄膜コイル３８を、例えばめっき法により、１．５〜
２．５μｍの厚みに形成する。このとき、同時に、導電
層２４の上に導電層２５を形成する。次に、絶縁層３７
およびコイル３８の上に、フォトレジストよりなる絶縁
層３９を、所定のパターンに形成する。次に、例えば２
５０°Ｃ程度の温度にてキュアを施す。

【００８７】次に、図１９に示したように、上部磁極チ
ップ１３から絶縁層３９を経て磁性層１４に至る領域の
上に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極層１９
を、２〜３μｍの厚みに形成する。この上部磁極層１９
は、磁性層１４，１０を介して上部シールド層８と接触
し、磁気的に連結している。

【００８８】次に、図２０に示したように、上部磁極層
１９の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層
２０を形成する。最後に、スライダの機械加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を
形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００８９】図２１は下部シールド層３の平面図、図２
２は図１４の平面図、図２３は図１９の平面図である。
これらの図に示したように、下部シールド層３は、内側
に導電層７ｂを収容するための空間３ａを有する枠状に
形成されている。導電層７ｂは、絶縁膜２ａを介して、
下部シールド層３の内側の空間内に収容されている。

【００９０】本実施の形態では、３層のコイル３３，３
６，３８を備えたので、狭トラックでオーバーライト特
性が優れ、高周波に対応可能な薄膜磁気ヘッドを得るこ
とができる。また、本実施の形態では、１層目のコイル
３３を、記録ギャップ層１２の下側の下部磁極チップ９
と磁性層１０との間の空間に配置しているので、３層の
コイル３３，３６，３８を備えながら、エイペックス
部、すなわち山状に盛り上がったコイル部分の高さを低
くでき、その結果、記録トラック幅を決定する上部磁極
チップ１３および上部磁極層１９を微細に形成すること
ができ、記録トラック幅を小さくすることが可能とな
る。

【００９１】また、本実施の形態では、１層目のコイル
３３の形成後、および２層目のコイル３６の形成後に、
それぞれコイル３３，３６を覆う絶縁層３４，３７を平
坦化しているので、２層目のコイル３６および３層目の
コイル３８の微細化が可能となり、薄膜磁気ヘッド全体
に占めるコイルの面積を小さくすることができ、その結
果、磁路長を短くでき、記録ヘッドの性能を向上させる
ことが可能となる。

【００９２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【００９３】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
さない。例えば、上記各実施の形態では、基体側に読み
取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘
導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

【００９４】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記各実
施の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下
部磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記各実施の形態に示した下
部磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成
することにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換
素子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用さ
せることが好ましい。

【００９５】従って、このような構造の薄膜磁気ヘッド
では、ＭＲ素子の上部シールド層が、本発明における一
方のシールド層に対応する。つまり、上部シールド層の
溝内に導電層が配置される。

【００９６】なお、このような構造の薄膜磁気ヘッドで
は、凹部を形成した基体を用いることが好ましい。そし
て、基体の凹部に、コイル部を形成することによって、
薄膜磁気ヘッド自体の大きさを更に縮小化することがで
きる。

【００９７】更に、異なる形態としては、誘導型磁気変
換素子のコイル部を構成する各薄膜コイル間に形成され
る絶縁層を、全て無機絶縁層としてもよい。

【００９８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし３の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項４ないし
７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置された２
つのシールド層のうちの一方のシールド層が、電極の一
部を収容するための空間を有する枠状に形成され、電極
の少なくとも一部が、一方のシールド層の空間内に、一
方のシールド層に対して絶縁された状態で配置されるよ
うにしたので、電極と各シールド層との間の絶縁性能を
高くすることができると共に、電極が絶縁層を介して両
シールド層間に介挿された構造とならないので、磁気抵
抗素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすることな
く、磁気抵抗素子に接続される電極とシールド層との間
の絶縁性能を向上させることができるという効果を奏す
る。更に、電極を十分厚く形成することができるので、
電極の配線抵抗をより低くすることができるという効果
を奏する。更に、電極のうち、一方のシールド層の空間
内に配置された部分が、一方のシールド層によって挟み
込まれてシールドされるので、電極に対するノイズの影
響を低減することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１０】本実施の形態の第１の実施の形態における下
部シールド層の平面図である。

【図１１】図４の平面図である。

【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２１】本実施の形態の第２の実施の形態における下
部シールド層の平面図である。

【図２２】図１４の平面図である。

【図２３】図１９の平面図である。

【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３２】従来の薄膜磁気ヘッドの製造途中の状態を示
す平面図である。

【図３３】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４ａ…下
部シールドギャップ膜、４ｂ…上部シールドギャップ
膜、５…ＭＲ素子、７ａ…電極層、７ｂ…導電層、８…
上部シールド層、９…下部磁極チップ、１２…記録ギャ
ップ層、１３…上部磁極チップ、１５，１７…薄膜コイ
ル、１９…上部磁極層、２０…オーバーコート層。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗素子と、 この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前
   記磁気抵抗素子をシールドするための２つのシールド層
   と、 前記磁気抵抗素子と各シールド層との間に設けられた絶
   縁層と、 前記磁気抵抗素子に接続される電極とを備え、 一方のシールド層は、前記電極の一部を収容するための
   空間を有する枠状に形成され、 前記電極の少なくとも一部は、前記一方のシールド層の
   前記空間内に、前記一方のシールド層に対して絶縁され
   た状態で配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ド。
2. 【請求項２】 前記一方のシールド層と前記電極は、こ
   れらの間に設けられた絶縁膜によって絶縁されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体
   に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向す
   る磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からな
   る２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された
   薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子
   を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜
   磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟
   んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシー
   ルドするための第１および第２のシールド層と、前記磁
   気抵抗素子と前記第１および第２のシールド層との間に
   設けられた第１および第２の絶縁層と、前記磁気抵抗素
   子に接続される電極とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方
   法であって、 第１のシールド層を形成する工程と、 前記第１のシールド層の上に、第１の絶縁層を形成する
   工程と、 前記第１の絶縁層の上に、磁気抵抗素子を形成する工程
   と、 前記磁気抵抗素子および第１の絶縁層の上に、第２の絶
   縁層を形成する工程と、 前記第２の絶縁層の上に、第２のシールド層を形成する
   工程とを含み、 前記第１のシールド層を形成する工程または前記第２の
   シールド層を形成する工程が、前記電極の一部を収容す
   るための空間を有する枠状に、第１のシールド層または
   第２のシールド層を形成し、 更に、電極の少なくとも一部が、前記空間内に、第１の
   シールド層または第２のシールド層に対して絶縁された
   状態で配置されるように、電極を形成する工程を含むこ
   とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 前記一方のシールド層と前記電極は、こ
   れらの間に設けられた絶縁膜によって絶縁されることを
   特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
6. 【請求項６】 前記電極を形成する工程は、前記一方の
   シールド層の空間内および前記一方のシールド層の上
   に、絶縁膜を介して、前記電極の一部となる電極用層を
   形成し、前記一方のシールド層が露出するように、前記
   電極用層を平坦化して、前記電極の一部を形成すること
   を特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体
   に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向す
   る磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からな
   る２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された
   薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子
   を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４ないし
   ６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。