JP2000138335A - 耐酸化処理銅材料およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い耐酸化性が得られ、ワイヤボンディング
性やハンダ付け性も良好であり、製造コストも安い耐酸
化処理銅材料を提供する。 【解決手段】 少なくとも表面の一部が銅または銅合金
で形成された本体１０と、前記銅または銅合金からなる
表面の少なくとも一部に形成された厚さ５０〜１５０オ
ングストロームの酸化膜３とを具備し、前記酸化膜３は
酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニ
オブ、酸化ニッケル、および酸化クロムから選択される
１種または２種以上から形成されている。
性やハンダ付け性も良好であり、製造コストも安い耐酸
化処理銅材料を提供する。 【解決手段】 少なくとも表面の一部が銅または銅合金
で形成された本体１０と、前記銅または銅合金からなる
表面の少なくとも一部に形成された厚さ５０〜１５０オ
ングストロームの酸化膜３とを具備し、前記酸化膜３は
酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニ
オブ、酸化ニッケル、および酸化クロムから選択される
１種または２種以上から形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームな
どのように表面の少なくとも一部が銅または銅合金で形
成された材料において、表面の耐酸化性を高める技術に
関する。
どのように表面の少なくとも一部が銅または銅合金で形
成された材料において、表面の耐酸化性を高める技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム、ＴＡＢテープ、プリン
ト基板等の各種電気部品のようにその表面の一部が銅ま
たは銅合金で形成されている材料においては、空気中で
保管する間に、銅または銅合金からなる表面に銅酸化膜
（主にＣｕ2Ｏ ）が生成し、表面が変色して美観を損な
うばかりでなく、銅酸化膜によりハンダ付けやワイヤボ
ンディング等で電気的接続を行うことが困難になり、接
続不良が生じたり、接続を行うべき表面の酸化膜を酸洗
等によって改めて除去することが必要となる。特に高温
多湿の条件下では、銅または銅合金の酸化が顕著であ
り、短時間空気に曝しただけで上記問題が生じる。
ト基板等の各種電気部品のようにその表面の一部が銅ま
たは銅合金で形成されている材料においては、空気中で
保管する間に、銅または銅合金からなる表面に銅酸化膜
（主にＣｕ2Ｏ ）が生成し、表面が変色して美観を損な
うばかりでなく、銅酸化膜によりハンダ付けやワイヤボ
ンディング等で電気的接続を行うことが困難になり、接
続不良が生じたり、接続を行うべき表面の酸化膜を酸洗
等によって改めて除去することが必要となる。特に高温
多湿の条件下では、銅または銅合金の酸化が顕著であ
り、短時間空気に曝しただけで上記問題が生じる。
【０００３】銅または銅合金材料の酸化を防止するため
に、従来から様々な表面処理が試みられており、例え
ば、表面に銀、パラジウムまたはニッケルを２μｍ程度
の厚さに湿式めっきをする方法や、ベンゾトリアゾール
などの表面処理剤により耐酸化性を高める方法が知られ
ている。
に、従来から様々な表面処理が試みられており、例え
ば、表面に銀、パラジウムまたはニッケルを２μｍ程度
の厚さに湿式めっきをする方法や、ベンゾトリアゾール
などの表面処理剤により耐酸化性を高める方法が知られ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】表面に銀、パラジウム
またはニッケルを２μｍ程度の厚さに湿式めっきをする
方法では、これら金属層の表面が銅や銅合金よりも酸化
されにくいため、高い耐酸化性を得ることができる。し
かしながら、湿式めっき処理のために作業も煩雑である
うえコストがかかる問題を有していた。
またはニッケルを２μｍ程度の厚さに湿式めっきをする
方法では、これら金属層の表面が銅や銅合金よりも酸化
されにくいため、高い耐酸化性を得ることができる。し
かしながら、湿式めっき処理のために作業も煩雑である
うえコストがかかる問題を有していた。
【０００５】また、ベンゾトリアゾールで変色を防ぐ場
合には、ベンゾトリアゾールの水またはアルコール溶液
に銅を浸漬して、ベンゾトリアゾールと銅との安定なキ
レート化合物を生成させ、銅を変色から保護するが、こ
の保護膜はハンダやボンディングワイヤ等の相手金属に
対する接合性を悪化させるので、ハンダ付けやワイヤボ
ンディングなどを行う場合には、その部分の保護膜をユ
ーザーが除去しなければならないという問題があり、生
産性を悪化させる問題があった。
合には、ベンゾトリアゾールの水またはアルコール溶液
に銅を浸漬して、ベンゾトリアゾールと銅との安定なキ
レート化合物を生成させ、銅を変色から保護するが、こ
の保護膜はハンダやボンディングワイヤ等の相手金属に
対する接合性を悪化させるので、ハンダ付けやワイヤボ
ンディングなどを行う場合には、その部分の保護膜をユ
ーザーが除去しなければならないという問題があり、生
産性を悪化させる問題があった。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、高い耐酸化性が得られ、ワイヤボンディング性やハ
ンダ付け性も良好であり、製造コストも安い耐酸化処理
銅材料を提供することを課題としている。
で、高い耐酸化性が得られ、ワイヤボンディング性やハ
ンダ付け性も良好であり、製造コストも安い耐酸化処理
銅材料を提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る耐酸化処理銅材料は、少なくとも表面
の一部が銅または銅合金で形成された本体と、前記銅ま
たは銅合金からなる表面の少なくとも一部に形成された
厚さ５０〜１５０オングストロームの酸化膜とを具備
し、前記酸化膜は酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化
タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、および酸化クロ
ムから選択される１種または２種以上の金属酸化物から
形成されていることを特徴としている。
め、本発明に係る耐酸化処理銅材料は、少なくとも表面
の一部が銅または銅合金で形成された本体と、前記銅ま
たは銅合金からなる表面の少なくとも一部に形成された
厚さ５０〜１５０オングストロームの酸化膜とを具備
し、前記酸化膜は酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化
タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、および酸化クロ
ムから選択される１種または２種以上の金属酸化物から
形成されていることを特徴としている。
【０００８】また、本発明に係るリードフレームは、イ
ンナーリードおよびアウターリードを有し、銅または銅
合金で形成されたリードフレーム本体と、前記リードフ
レーム本体の少なくとも前記インナーリードのワイヤー
ボンディング面に形成された厚さ５０〜１５０オングス
トロームの酸化膜とを具備し、前記酸化膜は酸化アルミ
ニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化
ニッケル、および酸化クロムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物によって形成されていることを特
徴とする。
ンナーリードおよびアウターリードを有し、銅または銅
合金で形成されたリードフレーム本体と、前記リードフ
レーム本体の少なくとも前記インナーリードのワイヤー
ボンディング面に形成された厚さ５０〜１５０オングス
トロームの酸化膜とを具備し、前記酸化膜は酸化アルミ
ニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化
ニッケル、および酸化クロムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物によって形成されていることを特
徴とする。
【０００９】一方、本発明に係る耐酸化処理銅材料の製
造方法は、少なくとも表面の一部が銅または銅合金で形
成された本体の前記銅または銅合金からなる表面の少な
くとも一部に、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、およびクロムから選択される１種または
２種以上の金属を蒸着し、これを酸化することにより厚
さ５０〜１５０オングストロームの酸化膜を形成するこ
とを特徴とする。アルミニウム蒸着を行う前に、蒸着箇
所をイオンエッチングしてもよい。
造方法は、少なくとも表面の一部が銅または銅合金で形
成された本体の前記銅または銅合金からなる表面の少な
くとも一部に、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、およびクロムから選択される１種または
２種以上の金属を蒸着し、これを酸化することにより厚
さ５０〜１５０オングストロームの酸化膜を形成するこ
とを特徴とする。アルミニウム蒸着を行う前に、蒸着箇
所をイオンエッチングしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を詳細に
説明する。本発明に係る耐酸化処理銅材料は、少なくと
も表面の一部が銅または銅合金で形成された本体と、前
記銅または銅合金からなる表面の少なくとも一部に形成
された厚さ５０〜１５０オングストロームの酸化膜とを
具備し、前記酸化膜は酸化アルミニウム、酸化チタン、
酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、および酸化
クロムから選択される１種または２種以上の金属酸化物
によって形成されていることを特徴としている。
説明する。本発明に係る耐酸化処理銅材料は、少なくと
も表面の一部が銅または銅合金で形成された本体と、前
記銅または銅合金からなる表面の少なくとも一部に形成
された厚さ５０〜１５０オングストロームの酸化膜とを
具備し、前記酸化膜は酸化アルミニウム、酸化チタン、
酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、および酸化
クロムから選択される１種または２種以上の金属酸化物
によって形成されていることを特徴としている。
【００１１】このように、酸化アルミニウム、酸化チタ
ン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、および
酸化クロムの少なくとも一種からなる厚さ５０〜１５０
オングストロームの酸化膜を形成したことにより、前記
本体の被成膜面に銅酸化膜が形成されることが抑制さ
れ、銅酸化膜の成長に伴う変色や、ハンダ付け性の悪
化、ワイヤボンディング性の低下などが抑制できる。よ
って、この材料を空気と長時間接触した場合にも、その
後に酸洗などを行って銅酸化膜を改めて除去することな
く、ハンダ付けやワイヤボンディングを行うことが可能
となる。
ン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、および
酸化クロムの少なくとも一種からなる厚さ５０〜１５０
オングストロームの酸化膜を形成したことにより、前記
本体の被成膜面に銅酸化膜が形成されることが抑制さ
れ、銅酸化膜の成長に伴う変色や、ハンダ付け性の悪
化、ワイヤボンディング性の低下などが抑制できる。よ
って、この材料を空気と長時間接触した場合にも、その
後に酸洗などを行って銅酸化膜を改めて除去することな
く、ハンダ付けやワイヤボンディングを行うことが可能
となる。
【００１２】酸化膜を形成しているにも拘わらず、ハン
ダ付けやワイヤボンディングが可能である理由は、次の
ように推測できる。ハンダ材料には通常、被ハンダ付け
面を清浄化するためにフラックスが含まれているが、酸
化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオ
ブ、酸化ニッケル、および酸化クロムからなる極薄の酸
化膜は、清浄力の強い塩素系フラックスを用いたハンダ
付けの場合には全く支障がない。また、ワイヤボンディ
ングには通常、超音波ワイヤボンディング法が使用され
ているが、この方法ではボンディングワイヤを被接合面
に押しつけながら超音波振動を加えるので、この際に極
薄の酸化膜は容易に破壊されてしまい、ワイヤボンディ
ングにはほとんど支障がないのである。
ダ付けやワイヤボンディングが可能である理由は、次の
ように推測できる。ハンダ材料には通常、被ハンダ付け
面を清浄化するためにフラックスが含まれているが、酸
化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオ
ブ、酸化ニッケル、および酸化クロムからなる極薄の酸
化膜は、清浄力の強い塩素系フラックスを用いたハンダ
付けの場合には全く支障がない。また、ワイヤボンディ
ングには通常、超音波ワイヤボンディング法が使用され
ているが、この方法ではボンディングワイヤを被接合面
に押しつけながら超音波振動を加えるので、この際に極
薄の酸化膜は容易に破壊されてしまい、ワイヤボンディ
ングにはほとんど支障がないのである。
【００１３】本発明に適用される銅または銅合金として
は、タフピッチ銅、無酸素銅、銀入り銅、リン脱酸銅な
どの純銅（Ｃｕ≧99.3％）；ベリリウム銅、クロム銅な
どの高銅合金（99.3＞Ｃｕ＞96％）；丹銅、黄銅などの
Ｃｕ−Ｚｎ系合金；鉛入り黄銅；錫入り黄銅；リン青
銅；鉛入り青銅；アルミニウム青銅；ケイ素青銅；特殊
黄銅；高力黄銅；白銅；洋白などが例示できる。
は、タフピッチ銅、無酸素銅、銀入り銅、リン脱酸銅な
どの純銅（Ｃｕ≧99.3％）；ベリリウム銅、クロム銅な
どの高銅合金（99.3＞Ｃｕ＞96％）；丹銅、黄銅などの
Ｃｕ−Ｚｎ系合金；鉛入り黄銅；錫入り黄銅；リン青
銅；鉛入り青銅；アルミニウム青銅；ケイ素青銅；特殊
黄銅；高力黄銅；白銅；洋白などが例示できる。
【００１４】また、本発明が適用可能な対象物（本体）
は、その表面の少なくとも一部が銅または銅合金によっ
て形成されている物品であればよく、例えば、リードフ
レーム、リードフレーム用素材、ＴＡＢテープ、半導体
装置や電子部品のリード（端子用部材）、ヒートシン
ク、プリント基板、接点用金属部材、接続用金属部材な
どが例示できる。
は、その表面の少なくとも一部が銅または銅合金によっ
て形成されている物品であればよく、例えば、リードフ
レーム、リードフレーム用素材、ＴＡＢテープ、半導体
装置や電子部品のリード（端子用部材）、ヒートシン
ク、プリント基板、接点用金属部材、接続用金属部材な
どが例示できる。
【００１５】酸化膜の厚さが５０オングストローム未満
では耐酸化性を向上する効果に乏しく、１５０オングス
トロームより厚いとハンダ付け性やワイヤボンディング
性等が低下する。酸化膜の厚さは、より好ましくは８０
〜１５０オングストローム、最適には１２０〜１５０オ
ングストロームである。
では耐酸化性を向上する効果に乏しく、１５０オングス
トロームより厚いとハンダ付け性やワイヤボンディング
性等が低下する。酸化膜の厚さは、より好ましくは８０
〜１５０オングストローム、最適には１２０〜１５０オ
ングストロームである。
【００１６】本発明に係る耐酸化処理銅材料を製造する
には、少なくとも表面の一部が銅または銅合金で形成さ
れた本体の、前記銅または銅合金からなる表面の少なく
とも一部に、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、およびクロムから選択される１種または
２種以上を蒸着し、これを酸化することにより厚さ５０
〜１５０オングストロームの酸化膜を形成する。
には、少なくとも表面の一部が銅または銅合金で形成さ
れた本体の、前記銅または銅合金からなる表面の少なく
とも一部に、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、およびクロムから選択される１種または
２種以上を蒸着し、これを酸化することにより厚さ５０
〜１５０オングストロームの酸化膜を形成する。
【００１７】アルミニウム、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、クロムを蒸着する方法は限定されない
が、図１に例示するイオンビーム照射法、図２に例示す
るイオンプレーティング法、図３に例示するスパッタリ
ング法、図４に例示する真空蒸着法などが挙げられる。
以下に各方法を簡単に説明する。
ブ、ニッケル、クロムを蒸着する方法は限定されない
が、図１に例示するイオンビーム照射法、図２に例示す
るイオンプレーティング法、図３に例示するスパッタリ
ング法、図４に例示する真空蒸着法などが挙げられる。
以下に各方法を簡単に説明する。
【００１８】図１に例示するイオンビーム照射法では、
まず、イオン発生器２０内でアルミニウム、チタン、タ
ンタル、ニオブ、ニッケル、またはクロムのイオンを発
生させる。イオン化法としては、周知の電界電離法、電
子衝撃法、荷電変換法、マイクロ波プラズマ法などが採
用できる。イオン発生器２０で発生したイオンは、イオ
ン加速器２２によって形成された高い電位差により加速
される。
まず、イオン発生器２０内でアルミニウム、チタン、タ
ンタル、ニオブ、ニッケル、またはクロムのイオンを発
生させる。イオン化法としては、周知の電界電離法、電
子衝撃法、荷電変換法、マイクロ波プラズマ法などが採
用できる。イオン発生器２０で発生したイオンは、イオ
ン加速器２２によって形成された高い電位差により加速
される。
【００１９】加速後のイオンのエネルギーは限定されな
いが、好ましくは０．３〜１．５ｋｅＶであり、より好
ましくは０．８〜１．２ｋｅＶである。イオンエネルギ
ーが高すぎると、イオンが被成膜面の内部に深く注入さ
れてしまい、表面に酸化膜が形成されにくくなる。ま
た、イオンのエネルギーが小さすぎると、表面を清浄化
する作用が乏しくなる。装置内の圧力は限定されない
が、２０〜４００ｍＰａであることが好ましく、より好
ましくは８０〜２００ｍＰａとされる。
いが、好ましくは０．３〜１．５ｋｅＶであり、より好
ましくは０．８〜１．２ｋｅＶである。イオンエネルギ
ーが高すぎると、イオンが被成膜面の内部に深く注入さ
れてしまい、表面に酸化膜が形成されにくくなる。ま
た、イオンのエネルギーが小さすぎると、表面を清浄化
する作用が乏しくなる。装置内の圧力は限定されない
が、２０〜４００ｍＰａであることが好ましく、より好
ましくは８０〜２００ｍＰａとされる。
【００２０】加速されたイオンビームは、質量分析磁石
２４により屈折され、イオンの質量差による屈折角度の
違いにより、不純物イオンがイオンビームから除去され
る。さらに、走査磁石２６によりイオンビームが走査さ
れ、本体２８の所定位置にイオンビームを照射して、ア
ルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、ク
ロムから選択される１種または２種以上を蒸着する。蒸
着後の金属膜は極薄いものであるから、本体を装置から
取り出して空気に触れさせるだけで容易に酸化し、酸化
アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオ
ブ、酸化ニッケル、酸化クロムに変化する。
２４により屈折され、イオンの質量差による屈折角度の
違いにより、不純物イオンがイオンビームから除去され
る。さらに、走査磁石２６によりイオンビームが走査さ
れ、本体２８の所定位置にイオンビームを照射して、ア
ルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、ク
ロムから選択される１種または２種以上を蒸着する。蒸
着後の金属膜は極薄いものであるから、本体を装置から
取り出して空気に触れさせるだけで容易に酸化し、酸化
アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオ
ブ、酸化ニッケル、酸化クロムに変化する。
【００２１】次に、図２に例示するイオンプレーティン
グ法では、アルゴンガスを導入した真空容器３２中に本
体２８を配置し、交流電源３６からの電力供給により、
アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、
およびクロムの少なくとも一種からなる蒸発源３８を抵
抗加熱する。本体２８の被成膜部には高圧電源３４の陰
極が接続される一方、蒸発源３８には高圧電源３４の陽
極が接続され、これにより、アルゴンガスのグロー放電
が生じる。グロー放電により生じたアルゴンイオンが本
体２８の被成膜面に衝突し、被成膜面が清浄化される。
清浄化が完了したら（あるいは清浄化と並行して）、蒸
発源３８からアルミニウム、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、クロムを蒸発させ、その蒸気をアルゴン
イオンと衝突させて前記金属のイオンを生じさせ、さら
に、これらのイオンを被成膜面に衝突させることによ
り、前記金属の薄膜を形成する。
グ法では、アルゴンガスを導入した真空容器３２中に本
体２８を配置し、交流電源３６からの電力供給により、
アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、
およびクロムの少なくとも一種からなる蒸発源３８を抵
抗加熱する。本体２８の被成膜部には高圧電源３４の陰
極が接続される一方、蒸発源３８には高圧電源３４の陽
極が接続され、これにより、アルゴンガスのグロー放電
が生じる。グロー放電により生じたアルゴンイオンが本
体２８の被成膜面に衝突し、被成膜面が清浄化される。
清浄化が完了したら（あるいは清浄化と並行して）、蒸
発源３８からアルミニウム、チタン、タンタル、ニオ
ブ、ニッケル、クロムを蒸発させ、その蒸気をアルゴン
イオンと衝突させて前記金属のイオンを生じさせ、さら
に、これらのイオンを被成膜面に衝突させることによ
り、前記金属の薄膜を形成する。
【００２２】真空容器３２内におけるアルゴンガスの圧
力は限定されないが、１０〜１００ｍＰａであることが
好ましく、より好ましくは３０〜５０ｍＰａとされる。
また、高圧電源３４の電圧は０．１〜１ｋＶであること
が好ましく、より好ましくは、０．４〜０．６ｋＶであ
る。さらに、アルゴンイオンによる清浄化は、被成膜面
を８０〜１５０オングストロームの深さまで削る条件、
すなわち自然酸化膜を除去できる条件であることが好ま
しい。
力は限定されないが、１０〜１００ｍＰａであることが
好ましく、より好ましくは３０〜５０ｍＰａとされる。
また、高圧電源３４の電圧は０．１〜１ｋＶであること
が好ましく、より好ましくは、０．４〜０．６ｋＶであ
る。さらに、アルゴンイオンによる清浄化は、被成膜面
を８０〜１５０オングストロームの深さまで削る条件、
すなわち自然酸化膜を除去できる条件であることが好ま
しい。
【００２３】次に、図３に例示するスパッタリング法で
は、アルゴンガスが導入された真空容器３２内におい
て、アルゴンイオン源から発生させたアルゴンイオン
を、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケ
ル、クロムの少なくとも１種からなるターゲット４２に
衝突させ、はじき飛ばされたターゲット材料を本体２８
の被成膜面に堆積させる。本体２８の被成膜面は高圧電
源４０の陽極に接続され、ターゲット４２は陰極に接続
される。
は、アルゴンガスが導入された真空容器３２内におい
て、アルゴンイオン源から発生させたアルゴンイオン
を、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケ
ル、クロムの少なくとも１種からなるターゲット４２に
衝突させ、はじき飛ばされたターゲット材料を本体２８
の被成膜面に堆積させる。本体２８の被成膜面は高圧電
源４０の陽極に接続され、ターゲット４２は陰極に接続
される。
【００２４】真空容器３２内におけるアルゴンガスの圧
力は限定されないが、５００〜８００ｍＰａであること
が好ましく、より好ましくは６００〜７００ｍＰａとさ
れる。また、高圧電源４０の出力（スパッタ電力）は５
０〜３００Ｗであることが好ましく、より好ましくは１
００〜２００Ｗである。
力は限定されないが、５００〜８００ｍＰａであること
が好ましく、より好ましくは６００〜７００ｍＰａとさ
れる。また、高圧電源４０の出力（スパッタ電力）は５
０〜３００Ｗであることが好ましく、より好ましくは１
００〜２００Ｗである。
【００２５】図４に例示する真空蒸着法では、アルゴン
ガスを導入した真空容器３２中に本体２８を配置し、交
流電源４６からの電力供給により、アルミニウム、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、およびクロムの少な
くとも１種からなる蒸発源４４を抵抗加熱する。また、
本体２８の裏面にはヒーター４８を配置し、交流電源５
０からの給電により、本体２８を適切な温度に加熱す
る。真空容器３２内におけるアルゴンガスの圧力は限定
されないが、１〜１００ｍＰａであることが好ましく、
より好ましくは４０〜７０ｍＰａとされる。真空蒸着法
では、被成膜面を清浄化する作用が得られないので、予
め被成膜面を十分に清浄化しておく必要がある。
ガスを導入した真空容器３２中に本体２８を配置し、交
流電源４６からの電力供給により、アルミニウム、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、およびクロムの少な
くとも１種からなる蒸発源４４を抵抗加熱する。また、
本体２８の裏面にはヒーター４８を配置し、交流電源５
０からの給電により、本体２８を適切な温度に加熱す
る。真空容器３２内におけるアルゴンガスの圧力は限定
されないが、１〜１００ｍＰａであることが好ましく、
より好ましくは４０〜７０ｍＰａとされる。真空蒸着法
では、被成膜面を清浄化する作用が得られないので、予
め被成膜面を十分に清浄化しておく必要がある。
【００２６】以上述べた中でも、本発明には、イオンビ
ーム薄膜形成法およびスパッタリング法が好適である。
これらの方法は、本体の銅または銅合金表面をイオン照
射によって削り清浄化しながら薄膜を形成することが可
能であるし、本体２８を高温に加熱する必要もないから
である。
ーム薄膜形成法およびスパッタリング法が好適である。
これらの方法は、本体の銅または銅合金表面をイオン照
射によって削り清浄化しながら薄膜を形成することが可
能であるし、本体２８を高温に加熱する必要もないから
である。
【００２７】なお、本体２８としてリードフレームなど
の電子部品を使用する場合、板素材からリードフレーム
等を打ち抜いた後に薄膜形成してもよいし、板材の両面
に薄膜を形成した後、薄膜形成してもよい。打ち抜き後
に薄膜を形成すれば、端面にも僅かながらイオンが回り
込んで付着し、端面にも酸化物薄膜が形成される。さら
に蒸着中に本体２８を運動させ、均一に薄膜が形成され
るようにしてもよい。
の電子部品を使用する場合、板素材からリードフレーム
等を打ち抜いた後に薄膜形成してもよいし、板材の両面
に薄膜を形成した後、薄膜形成してもよい。打ち抜き後
に薄膜を形成すれば、端面にも僅かながらイオンが回り
込んで付着し、端面にも酸化物薄膜が形成される。さら
に蒸着中に本体２８を運動させ、均一に薄膜が形成され
るようにしてもよい。
【００２８】また、いずれの方法においても、本体２８
として長尺のリードフレームなどを使用する場合には、
真空容器内にアンコイラとリコイラを配置し、アンコイ
ラからリードフレームを繰り出しながらリコイラで巻き
取り、その間に蒸着を行う方法なども可能である。
として長尺のリードフレームなどを使用する場合には、
真空容器内にアンコイラとリコイラを配置し、アンコイ
ラからリードフレームを繰り出しながらリコイラで巻き
取り、その間に蒸着を行う方法なども可能である。
【００２９】さらに、いずれの方法においても、真空容
器内に少量の酸素ガスを導入しておき、アルミニウム、
チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、およびクロムの
１種を蒸着すると同時にこれらを酸化させてもよい。酸
素分圧は１〜１００ｍＰａ程度が好適であり、より好ま
しくは１０〜５０ｍＰａである。１００ｍＰａよりも酸
素分圧が高いと本体２８の銅露出面が酸化するおそれが
ある。
器内に少量の酸素ガスを導入しておき、アルミニウム、
チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、およびクロムの
１種を蒸着すると同時にこれらを酸化させてもよい。酸
素分圧は１〜１００ｍＰａ程度が好適であり、より好ま
しくは１０〜５０ｍＰａである。１００ｍＰａよりも酸
素分圧が高いと本体２８の銅露出面が酸化するおそれが
ある。
【００３０】［リードフレーム材の実施形態］図５は、
本発明を適用したリードフレーム材の具体例を示す平面
図であり、図中符号１は、銅または銅合金からなる一定
幅で長尺の板状の基材である。この基材１の表面には、
幅方向の中心線に沿って帯状に、前述した酸化膜３が形
成されている。
本発明を適用したリードフレーム材の具体例を示す平面
図であり、図中符号１は、銅または銅合金からなる一定
幅で長尺の板状の基材である。この基材１の表面には、
幅方向の中心線に沿って帯状に、前述した酸化膜３が形
成されている。
【００３１】リードフレーム用の材質としては、いずれ
も標準組成（重量％）で、０．１％Ｆｅ−０．０３％Ｐ
−残部Ｃｕ（ＴＡＭＡＣ４：三菱伸銅株式会社製商品
名）、２．０％Ｓｎ−１．５％Ｎｉ−０．２％Ｓｉ−
０．３％Ｚｎ−残部Ｃｕ（ＴＡＭＡＣ１５：三菱伸銅株
式会社製商品名）、０．３％Ｃｒ−０．１％Ｚｒ−０．
０２％Ｓｉ−残部Ｃｕ（ＯＭＣＬ１：三菱伸銅株式会社
製商品名）、２．３５％Ｆｅ−０．０３％Ｐ−０．１２
％Ｚｎ−残部Ｃｕ（ＣＤＡ合金Ｃ１９４００）、３．２
％Ｎｉ−０．８％Ｓｉ−０．５％Ｚｎ−残部Ｃｕ、３．
５％Ｎｉ−０．７％Ｓｉ−０．３％Ｚｎ−０．２％Ｓｎ
−残部Ｃｕなどの材料が例示できる。しかし、本発明は
これらに限定されることなく、一般に使用されているリ
ードフレーム用合金であれば全て使用可能である。
も標準組成（重量％）で、０．１％Ｆｅ−０．０３％Ｐ
−残部Ｃｕ（ＴＡＭＡＣ４：三菱伸銅株式会社製商品
名）、２．０％Ｓｎ−１．５％Ｎｉ−０．２％Ｓｉ−
０．３％Ｚｎ−残部Ｃｕ（ＴＡＭＡＣ１５：三菱伸銅株
式会社製商品名）、０．３％Ｃｒ−０．１％Ｚｒ−０．
０２％Ｓｉ−残部Ｃｕ（ＯＭＣＬ１：三菱伸銅株式会社
製商品名）、２．３５％Ｆｅ−０．０３％Ｐ−０．１２
％Ｚｎ−残部Ｃｕ（ＣＤＡ合金Ｃ１９４００）、３．２
％Ｎｉ−０．８％Ｓｉ−０．５％Ｚｎ−残部Ｃｕ、３．
５％Ｎｉ−０．７％Ｓｉ−０．３％Ｚｎ−０．２％Ｓｎ
−残部Ｃｕなどの材料が例示できる。しかし、本発明は
これらに限定されることなく、一般に使用されているリ
ードフレーム用合金であれば全て使用可能である。
【００３２】酸化膜３の厚さが５０オングストローム未
満であると、耐酸化性を向上する効果が得られなくな
り、空気との接触により銅酸化物が厚く形成され、この
銅酸化物を除去しないとワイヤボンディングやハンダ付
けが十分にできないという不都合を生じる。ハンダ濡れ
性は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を成形工程でリード
フレームにチップを固定するダイボンディングの接合性
や、半導体素子を回路基板に組み込む実装工程でのアウ
ターリードの接合性に大きく影響を与える因子である。
一方、酸化膜３が１５０オングストロームより厚いと、
この酸化膜３のためにワイヤボンディングやハンダ付け
が十分にできないという不都合を生じる。製造コストお
よび効果のバランスの観点からすると、より好ましい保
護層の厚さは８０〜１５０オングストロームであり、最
適には１２０〜１５０オングストロームである。
満であると、耐酸化性を向上する効果が得られなくな
り、空気との接触により銅酸化物が厚く形成され、この
銅酸化物を除去しないとワイヤボンディングやハンダ付
けが十分にできないという不都合を生じる。ハンダ濡れ
性は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を成形工程でリード
フレームにチップを固定するダイボンディングの接合性
や、半導体素子を回路基板に組み込む実装工程でのアウ
ターリードの接合性に大きく影響を与える因子である。
一方、酸化膜３が１５０オングストロームより厚いと、
この酸化膜３のためにワイヤボンディングやハンダ付け
が十分にできないという不都合を生じる。製造コストお
よび効果のバランスの観点からすると、より好ましい保
護層の厚さは８０〜１５０オングストロームであり、最
適には１２０〜１５０オングストロームである。
【００３３】［リードフレームの実施形態］図６は、本
発明を適用したリードフレームの一例を示す平面図であ
る。このリードフレームは、図５に示すリードフレーム
材を打ち抜き加工して製造されるか、あるいは酸化膜３
を形成していない基材１に打ち抜き加工またはエッチン
グ等を行ってリードフレーム本体１０を形成した後、こ
のリードフレーム本体１０に酸化膜３を形成してもよ
い。後者の製造方法によれば、リードフレーム本体１０
の周縁端面にも酸化膜３が形成されるから、周辺端面の
耐酸化性も向上できる。なお、図６に示す形状はあくま
で一例であって、本発明はＩＣ、ＬＳＩ、ハイブリッド
素子、トランジスタを始め従来使用されている如何なる
形状の半導体素子用リードフレームにも適用可能であ
る。
発明を適用したリードフレームの一例を示す平面図であ
る。このリードフレームは、図５に示すリードフレーム
材を打ち抜き加工して製造されるか、あるいは酸化膜３
を形成していない基材１に打ち抜き加工またはエッチン
グ等を行ってリードフレーム本体１０を形成した後、こ
のリードフレーム本体１０に酸化膜３を形成してもよ
い。後者の製造方法によれば、リードフレーム本体１０
の周縁端面にも酸化膜３が形成されるから、周辺端面の
耐酸化性も向上できる。なお、図６に示す形状はあくま
で一例であって、本発明はＩＣ、ＬＳＩ、ハイブリッド
素子、トランジスタを始め従来使用されている如何なる
形状の半導体素子用リードフレームにも適用可能であ
る。
【００３４】図６において、符号１１は半導体チップを
固定するためのチップ固定部であり、このチップ固定部
１１の周囲には、ワイヤー（図示略）が接続されるイン
ナーリード１２が放射状に形成され、さらに各インナー
リード１２のそれぞれに対応してアウターリード１３が
形成されている。各アウターリード１３は、互いに離散
しないように架橋部１４で連結されている。これら架橋
部１４は、各アウターリード１３を分離するために後工
程で除去される。
固定するためのチップ固定部であり、このチップ固定部
１１の周囲には、ワイヤー（図示略）が接続されるイン
ナーリード１２が放射状に形成され、さらに各インナー
リード１２のそれぞれに対応してアウターリード１３が
形成されている。各アウターリード１３は、互いに離散
しないように架橋部１４で連結されている。これら架橋
部１４は、各アウターリード１３を分離するために後工
程で除去される。
【００３５】酸化膜３は、図６中斜線で示すように、チ
ップ固定部１１およびインナーリード１２のチップ側端
部を含む領域に形成されている。本発明では酸化膜３が
極めて薄いため、上記以外の領域に酸化膜３が形成され
ていても、材料コスト的には殆ど差はない。例えば、図
７に示すように、アウターリード１３も含めて、リード
フレーム本体１０の全面に中間層２および保護層３を形
成してもよい。
ップ固定部１１およびインナーリード１２のチップ側端
部を含む領域に形成されている。本発明では酸化膜３が
極めて薄いため、上記以外の領域に酸化膜３が形成され
ていても、材料コスト的には殆ど差はない。例えば、図
７に示すように、アウターリード１３も含めて、リード
フレーム本体１０の全面に中間層２および保護層３を形
成してもよい。
【００３６】酸化膜３を基材１に形成する時、基材１ま
たはリードフレーム本体１０を裏返して再度蒸着を行
い、両面に酸化膜３を形成してもよい。図５の例では基
材１の中心線に沿って帯状に酸化膜３を形成したが、基
材１の表面全面に亙って酸化膜３を形成してもよいし、
あるいはワイヤーボンディング箇所のみに局部的に酸化
膜３を形成してもよい。また、図５の基材１からリード
フレーム本体を形成した後、このリードフレーム本体の
裏面に再度、酸化膜３を蒸着形成することも可能であ
る。
たはリードフレーム本体１０を裏返して再度蒸着を行
い、両面に酸化膜３を形成してもよい。図５の例では基
材１の中心線に沿って帯状に酸化膜３を形成したが、基
材１の表面全面に亙って酸化膜３を形成してもよいし、
あるいはワイヤーボンディング箇所のみに局部的に酸化
膜３を形成してもよい。また、図５の基材１からリード
フレーム本体を形成した後、このリードフレーム本体の
裏面に再度、酸化膜３を蒸着形成することも可能であ
る。
【００３７】［ＴＡＢテープの実施形態］図８は本発明
をＴＡＢテープ６０に適用した例を示している。このＴ
ＡＢテープ６０は両側に孔６４が形成され、中央には開
口部７０が形成されたプラスチックテープ６２と、この
プラスチックテープ６２に接着された銅または銅合金箔
からなるパターン箔６６とから構成され、パターン箔６
６には開口部７０の内側へ突出する多数のリード端子６
８が形成されている。そしてこれらリード端子６８が半
導体チップ７２に接続されるようになっている。
をＴＡＢテープ６０に適用した例を示している。このＴ
ＡＢテープ６０は両側に孔６４が形成され、中央には開
口部７０が形成されたプラスチックテープ６２と、この
プラスチックテープ６２に接着された銅または銅合金箔
からなるパターン箔６６とから構成され、パターン箔６
６には開口部７０の内側へ突出する多数のリード端子６
８が形成されている。そしてこれらリード端子６８が半
導体チップ７２に接続されるようになっている。
【００３８】このＴＡＢテープ６０においても、図６ま
たは図７に示したリードフレームと同様に、パターン箔
６６の表面全面、もしくは、その内のリード端子６８の
表面のみに、前述の酸化膜３が形成されている。
たは図７に示したリードフレームと同様に、パターン箔
６６の表面全面、もしくは、その内のリード端子６８の
表面のみに、前述の酸化膜３が形成されている。
【００３９】［ハイブリッドＩＣの実施形態］図９は、
本発明をハイブリッドＩＣに適用した例を示し、このハ
イブリッドＩＣは、リードフレーム８０＋８２と、リー
ドフレーム中央部８２上に接着された絶縁層８４と、こ
の絶縁層８４上にパターン上に形成された導体配線８６
と、その上に接合された半導体チップ等の素子８８Ａ，
８８Ｂ，８８Ｃと、各部を相互に配線するボンディング
ワイヤ９０と、全体を封止するモールド９２とから構成
されている。そして、リードフレーム８０＋８２の一部
または全部の表面および導体配線８６の一部または全部
の表面に、予め前述の絶縁膜３が形成されている。これ
により、ＩＣ組立工程におけるリードフレーム８０＋８
２および導体配線８６の酸化によるワイヤボンディング
不良を低減することが可能である。
本発明をハイブリッドＩＣに適用した例を示し、このハ
イブリッドＩＣは、リードフレーム８０＋８２と、リー
ドフレーム中央部８２上に接着された絶縁層８４と、こ
の絶縁層８４上にパターン上に形成された導体配線８６
と、その上に接合された半導体チップ等の素子８８Ａ，
８８Ｂ，８８Ｃと、各部を相互に配線するボンディング
ワイヤ９０と、全体を封止するモールド９２とから構成
されている。そして、リードフレーム８０＋８２の一部
または全部の表面および導体配線８６の一部または全部
の表面に、予め前述の絶縁膜３が形成されている。これ
により、ＩＣ組立工程におけるリードフレーム８０＋８
２および導体配線８６の酸化によるワイヤボンディング
不良を低減することが可能である。
【００４０】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明の効果を実証す
る。 ［実験１］０．１％Ｆｅ−０．０３％Ｐ−残部Ｃｕ（Ｔ
ＡＭＡＣ４：三菱伸銅株式会社製商品名）からなる板材
（０．１５×１００×１００ｍｍ）上に、図１に示すよ
うなイオンビーム照射装置（昭和真空株式会社製「デン
トン冷陰極イオンソース」）により４通りの厚さでアル
ミニウムを蒸着し、次いで空気に接触させて酸化アルミ
ニウム膜を形成した。成膜条件は、ビーム電流を６００
ｍＡで統一し、成膜時間を４０，６０，９０，１２０分
とした。
る。 ［実験１］０．１％Ｆｅ−０．０３％Ｐ−残部Ｃｕ（Ｔ
ＡＭＡＣ４：三菱伸銅株式会社製商品名）からなる板材
（０．１５×１００×１００ｍｍ）上に、図１に示すよ
うなイオンビーム照射装置（昭和真空株式会社製「デン
トン冷陰極イオンソース」）により４通りの厚さでアル
ミニウムを蒸着し、次いで空気に接触させて酸化アルミ
ニウム膜を形成した。成膜条件は、ビーム電流を６００
ｍＡで統一し、成膜時間を４０，６０，９０，１２０分
とした。
【００４１】得られた４枚の酸化膜付き板材、および未
処理の板材を室温で室内空気に１７週間曝し、その間の
銅酸化膜の厚さ変化を測定した。銅酸化膜厚の測定は、
カソード還元電位法により行った。その結果を図１０に
示す。この図に示すように、酸化アルミニウム膜を形成
した板材では、保存中の酸化銅膜の厚さが２０オングス
トローム未満に抑制でき、変色が見られなかったが、未
処理板材では２週間目で５０オングストロームを越え、
明らかに変色した。
処理の板材を室温で室内空気に１７週間曝し、その間の
銅酸化膜の厚さ変化を測定した。銅酸化膜厚の測定は、
カソード還元電位法により行った。その結果を図１０に
示す。この図に示すように、酸化アルミニウム膜を形成
した板材では、保存中の酸化銅膜の厚さが２０オングス
トローム未満に抑制でき、変色が見られなかったが、未
処理板材では２週間目で５０オングストロームを越え、
明らかに変色した。
【００４２】［実験２］また、４枚の酸化膜付き板材、
および未処理の板材を、２５０℃の恒温炉内で加熱し、
銅酸化膜厚の経時変化を調べた結果を図１１に示す。こ
のグラフから明らかなように、アルミニウム蒸着時間の
長いものほど銅酸化膜の成長が遅く、酸化抑制作用が高
温でも発揮されることがわかった。
および未処理の板材を、２５０℃の恒温炉内で加熱し、
銅酸化膜厚の経時変化を調べた結果を図１１に示す。こ
のグラフから明らかなように、アルミニウム蒸着時間の
長いものほど銅酸化膜の成長が遅く、酸化抑制作用が高
温でも発揮されることがわかった。
【００４３】［実験３］実験１と同じ板材を使用し、同
じイオンビーム照射法により６００ｍＡ×６０分の条件
で成膜した試料と、同じ板材にスパッタリング法により
２０〜６０オングストロームのアルミニウム膜を形成し
たもの（酸化アルミニウム膜の厚さはアルミニウム膜の
厚さにほぼ等しい）を用意した。各試料のうち１つを、
室温で大気中に４週間放置しておき、他の１枚を２９０
℃で１分間加熱し、それぞれ銅酸化膜の厚さを計測し
た。結果を図１２に示す。このグラフから明らかなよう
に、酸化アルミニウム膜の厚さが２０オングストローム
の場合には、室温放置および加熱処理後のいずれの場合
にも酸化膜が相対的に厚く形成されたが、他の試料では
良好な酸化防止作用が得られた。
じイオンビーム照射法により６００ｍＡ×６０分の条件
で成膜した試料と、同じ板材にスパッタリング法により
２０〜６０オングストロームのアルミニウム膜を形成し
たもの（酸化アルミニウム膜の厚さはアルミニウム膜の
厚さにほぼ等しい）を用意した。各試料のうち１つを、
室温で大気中に４週間放置しておき、他の１枚を２９０
℃で１分間加熱し、それぞれ銅酸化膜の厚さを計測し
た。結果を図１２に示す。このグラフから明らかなよう
に、酸化アルミニウム膜の厚さが２０オングストローム
の場合には、室温放置および加熱処理後のいずれの場合
にも酸化膜が相対的に厚く形成されたが、他の試料では
良好な酸化防止作用が得られた。
【００４４】［実験４］実験１で作成した成膜時間４０
分の試料の成膜面に、アルゴンスパッタリング装置によ
りアルゴンイオンを照射し、徐々に成膜面を削りながら
厚さ方向の組成変化を調べた。スパッタリング条件は、
イオンガン出力：１ｋＶ×２５ｍＡ、加速電圧：５ｋＶ
×１μＡ、エッチング速度：アルミニウム換算で３０オ
ングストローム／ｍｉｎとした。その結果を図１３に示
す。このグラフから明らかなように、板材表面に１２０
〜１５０オングストローム程度の酸化アルミニウム膜が
形成されていた。
分の試料の成膜面に、アルゴンスパッタリング装置によ
りアルゴンイオンを照射し、徐々に成膜面を削りながら
厚さ方向の組成変化を調べた。スパッタリング条件は、
イオンガン出力：１ｋＶ×２５ｍＡ、加速電圧：５ｋＶ
×１μＡ、エッチング速度：アルミニウム換算で３０オ
ングストローム／ｍｉｎとした。その結果を図１３に示
す。このグラフから明らかなように、板材表面に１２０
〜１５０オングストローム程度の酸化アルミニウム膜が
形成されていた。
【００４５】［実験５］実験１で作成した成膜時間１２
０分の試料を多数用意し、これらを２９０℃×１分の条
件で加熱した後、その成膜面に、様々な条件で金線（直
径３８μｍ）を各１０本ワイヤボンディングし、接合し
たワイヤのプル強度を測定した。結果を図１４に示す。
このグラフから明らかなように、プル強度が規定値３ｇ
以上となる領域が広く現れた。なお、グラフ中、荷重と
はワイヤボンディングの際にワイヤを被接合面に押し当
てる力を示し、超音波出力とは、ワイヤボンディングの
際にワイヤ先端を振動させる超音波振動装置の出力を示
している。一方、酸化アルミニウム膜を形成しない未処
理材に対しても同様の試験を行ったが、銅酸化膜が厚く
形成されたためにワイヤボンディングが行えなかった。
０分の試料を多数用意し、これらを２９０℃×１分の条
件で加熱した後、その成膜面に、様々な条件で金線（直
径３８μｍ）を各１０本ワイヤボンディングし、接合し
たワイヤのプル強度を測定した。結果を図１４に示す。
このグラフから明らかなように、プル強度が規定値３ｇ
以上となる領域が広く現れた。なお、グラフ中、荷重と
はワイヤボンディングの際にワイヤを被接合面に押し当
てる力を示し、超音波出力とは、ワイヤボンディングの
際にワイヤ先端を振動させる超音波振動装置の出力を示
している。一方、酸化アルミニウム膜を形成しない未処
理材に対しても同様の試験を行ったが、銅酸化膜が厚く
形成されたためにワイヤボンディングが行えなかった。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る耐酸
化処理銅材料は、少なくとも表面の一部が銅または銅合
金で形成された本体と、前記銅または銅合金からなる表
面の少なくとも一部に形成された厚さ５０〜１５０オン
グストロームの酸化膜とを具備し、前記酸化膜は酸化ア
ルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、
酸化ニッケル、および酸化クロムから選択される１種ま
たは２種以上の金属酸化物によって形成されているもの
であるから、前記本体の被成膜面に銅酸化膜が形成され
ることが抑制され、銅酸化膜の成長に伴う変色や、ハン
ダ付け性の悪化、ワイヤボンディング性の低下などが抑
制できる。よって、この材料を空気と長時間接触した場
合にも、その後に酸洗などを行って銅酸化膜を改めて除
去することなく、ハンダ付けやワイヤボンディング等を
行うことが可能となる。また、本発明に係る耐酸化処理
銅材料の製造方法によれば、以上のような優れた効果を
奏する耐酸化処理銅材料が安く簡便に製造できる利点が
ある。
化処理銅材料は、少なくとも表面の一部が銅または銅合
金で形成された本体と、前記銅または銅合金からなる表
面の少なくとも一部に形成された厚さ５０〜１５０オン
グストロームの酸化膜とを具備し、前記酸化膜は酸化ア
ルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、
酸化ニッケル、および酸化クロムから選択される１種ま
たは２種以上の金属酸化物によって形成されているもの
であるから、前記本体の被成膜面に銅酸化膜が形成され
ることが抑制され、銅酸化膜の成長に伴う変色や、ハン
ダ付け性の悪化、ワイヤボンディング性の低下などが抑
制できる。よって、この材料を空気と長時間接触した場
合にも、その後に酸洗などを行って銅酸化膜を改めて除
去することなく、ハンダ付けやワイヤボンディング等を
行うことが可能となる。また、本発明に係る耐酸化処理
銅材料の製造方法によれば、以上のような優れた効果を
奏する耐酸化処理銅材料が安く簡便に製造できる利点が
ある。
【図１】 本発明の耐酸化処理銅材料の製造方法に使用
可能なイオンビーム照射装置の一例を示す概略図であ
る。
可能なイオンビーム照射装置の一例を示す概略図であ
る。
【図２】 本発明の耐酸化処理銅材料の製造方法に使用
可能なイオンプレーティング装置の一例を示す概略図で
ある。
可能なイオンプレーティング装置の一例を示す概略図で
ある。
【図３】 本発明の耐酸化処理銅材料の製造方法に使用
可能なスパッタリング装置の一例を示す概略図である。
可能なスパッタリング装置の一例を示す概略図である。
【図４】 本発明の耐酸化処理銅材料の製造方法に使用
可能な真空蒸着装置の一例を示す概略図である。
可能な真空蒸着装置の一例を示す概略図である。
【図５】 本発明の一実施形態としてリードフレーム材
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図６】 本発明の他の実施形態としてリードフレーム
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図７】 本発明の他の実施形態のリードフレームを示
す平面図である。
す平面図である。
【図８】 本発明の他の実施形態としてＴＡＢテープを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図９】 本発明の他の実施形態としてハイブリッドＩ
Ｃを示す平面図である。
Ｃを示す平面図である。
【図１０】 本発明の実施例の効果を示す酸化膜厚のグ
ラフである。
ラフである。
【図１１】 本発明の実施例の効果を示す酸化膜厚のグ
ラフである。
ラフである。
【図１２】 本発明の実施例の効果を示す酸化膜厚のグ
ラフである。
ラフである。
【図１３】 本発明の実施例の表層部の組成を示すグラ
フである。
フである。
【図１４】 本発明の実施例のワイヤボンディング性を
示すグラフである。
示すグラフである。
１ リードフレーム基材 ３ 酸化膜 １０ リードフレーム本体 １２ インナーリード １３ アウターリード ６６ パターン箔 ８０，８２ リードフレーム ８６ 導体配線 ９０ ボンディングワイヤ
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも表面の一部が銅または銅合金
で形成された本体と、前記銅または銅合金からなる表面
の少なくとも一部に形成された厚さ５０〜１５０オング
ストロームの酸化膜とを具備し、前記酸化膜は酸化アル
ミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸
化ニッケル、および酸化クロムから選択される１種また
は２種以上の金属酸化物から形成されていることを特徴
とする耐酸化処理銅材料。 - 【請求項２】 インナーリードおよびアウターリードを
有し、銅または銅合金で形成されたリードフレーム本体
と、前記リードフレーム本体の少なくとも前記インナー
リードのワイヤーボンディング面に形成された厚さ５０
〜１５０オングストロームの酸化膜とを具備し、前記酸
化膜は酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、
酸化ニオブ、酸化ニッケル、および酸化クロムから選択
される１種または２種以上の金属酸化物から形成されて
いることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 少なくとも表面の一部が銅または銅合金
で形成された本体の前記銅または銅合金からなる表面の
少なくとも一部に、アルミニウム、チタン、タンタル、
ニオブ、ニッケル、およびクロムから選択される１種ま
たは２種以上の金属を蒸着し、これを酸化することによ
り厚さ５０〜１５０オングストロームの酸化膜を形成す
ることを特徴とする耐酸化処理銅材料の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属の蒸着を行う前に、蒸着箇所を
イオンエッチングすることを特徴とする請求項３記載の
耐酸化処理銅材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31025598A JP2000138335A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 耐酸化処理銅材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31025598A JP2000138335A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 耐酸化処理銅材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138335A true JP2000138335A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18003053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31025598A Pending JP2000138335A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 耐酸化処理銅材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016182425A1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-11-17 | Chee Yang Ng | A lead frame for selective soldering |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP31025598A patent/JP2000138335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016182425A1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-11-17 | Chee Yang Ng | A lead frame for selective soldering |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050812 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060222 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061003 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090106 |
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