JP2000133449A - Laminated structure of organic el element - Google Patents
Laminated structure of organic el elementInfo
- Publication number
- JP2000133449A JP2000133449A JP10298600A JP29860098A JP2000133449A JP 2000133449 A JP2000133449 A JP 2000133449A JP 10298600 A JP10298600 A JP 10298600A JP 29860098 A JP29860098 A JP 29860098A JP 2000133449 A JP2000133449 A JP 2000133449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic
- layer
- cathode electrode
- emitting portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、有機ＥＬ素子に関す
るものであり、特に輝度向上に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL device, and more particularly to an improvement in luminance.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４に従来の有機ＥＬ素子を用いたフル
カラーディスプレイのＥＬパネル部５０を示す。ＥＬパ
ネル部５０においては、ガラス基板３の上に、短冊状の
アノード電極５１が矢印８１方向（行方向）に並べられ
ている。アノード電極５１の上には、青発光層７１、緑
発光層７２、赤発光層７３が順次、矢印８１の属する平
面上でかつ矢印８１と直交する矢印８２方向（列方向）
に並べられている。青発光層７１、緑発光層７２、赤発
光層７３の上には、短冊状のカソード電極６１が矢印８
１方向に順次並べられている。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows an EL panel section 50 of a full-color display using a conventional organic EL element. In the EL panel section 50, strip-shaped anode electrodes 51 are arranged on the glass substrate 3 in the direction of arrow 81 (row direction). On the anode electrode 51, a blue light-emitting layer 71, a green light-emitting layer 72, and a red light-emitting layer 73 are sequentially formed on a plane to which the arrow 81 belongs and in a direction of an arrow 82 (column direction) orthogonal to the arrow 81.
It is arranged in. On the blue light emitting layer 71, the green light emitting layer 72, and the red light emitting layer 73, a strip-shaped cathode electrode 61 is provided with an arrow 8.
They are arranged sequentially in one direction.
【０００３】所定のアノード電極５１およびカソード電
極６１に所定の電圧を印加することにより、所望の位置
のＥＬ素子が発光する。ＲＧＢの発光率を調整すること
により、フルカラー表示が可能となる。When a predetermined voltage is applied to a predetermined anode electrode 51 and a predetermined cathode electrode 61, an EL element at a desired position emits light. By adjusting the RGB light emission rates, full-color display is possible.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｅ
Ｌパネル部５０においては、次のような問題点があっ
た。青発光層７１、緑発光層７２、赤発光層７３という
３種類の発光層を並列に配置しているので、詳細な表示
をするには、モノクロディスプレイと比べて３倍の微細
加工が要求される。However, the above E
The L panel section 50 has the following problems. Since three types of light-emitting layers, ie, a blue light-emitting layer 71, a green light-emitting layer 72, and a red light-emitting layer 73, are arranged in parallel, a finer display is required to be three times as fine as a monochrome display for detailed display. You.
【０００５】さらに、モノクロディスプレイの場合の１
／３の面積で同等の輝度を確保する必要がある。そのた
め、電流を３倍にすることも考えられるが、発光層の寿
命が著しく低下する。[0005] Furthermore, in the case of a monochrome display, 1
It is necessary to secure the same luminance in the area of. Therefore, the current may be tripled, but the life of the light emitting layer is significantly reduced.
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解決
し、長寿命でかつ高輝度の有機ＥＬ素子を用いたフルカ
ラー表示パネルを提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a full-color display panel using a long-life and high-luminance organic EL element.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
にかかる有機ＥＬ素子の積層構造においては、青発光
部、緑発光部、赤発光部が積層されており、前記青発光
部と前記緑発光部との間、および前記緑発光部と前記赤
発光部の間には、絶縁層が形成されている。したがっ
て、並列に並べた場合と比べて、輝度を向上させること
ができる。また、前記３つの発光層は、光の放出面から
近い順に、青発光部、緑発光部と赤発光部の順に積層さ
れている。したがって、短波長の光が長波長の発光層で
吸収されることがない。これにより、さらに輝度を向上
させることができる。In the laminated structure of the organic EL device according to the present invention, a blue light emitting portion, a green light emitting portion, and a red light emitting portion are laminated, and the blue light emitting portion and the green light emitting portion are stacked. An insulating layer is formed between the light emitting unit and between the green light emitting unit and the red light emitting unit. Therefore, the luminance can be improved as compared with the case where the pixels are arranged in parallel. Further, the three light emitting layers are stacked in the order of blue light emitting portion, green light emitting portion and red light emitting portion in order from the light emitting surface. Therefore, short wavelength light is not absorbed by the long wavelength light emitting layer. Thereby, the luminance can be further improved.
【０００８】本発明にかかる有機ＥＬ素子の積層構造に
おいては、前記赤発光部のカソード電極は金属電極であ
り、それ以外のアノード電極およびカソード電極は、透
明電極である。したがって、前記各発光層から放出され
た光は前記放出面から一番遠いカソード電極によって反
射される。これにより、輝度を向上できるとともに、配
線抵抗を減少させることができる。In the stacked structure of the organic EL device according to the present invention, the cathode electrode of the red light emitting portion is a metal electrode, and the other anode and cathode electrodes are transparent electrodes. Therefore, light emitted from each light emitting layer is reflected by the cathode electrode farthest from the emission surface. Thereby, the luminance can be improved and the wiring resistance can be reduced.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について、図
面に基づいて説明する。図１に第１の実施形態であるＥ
Ｌパネル部１を示す。An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows the first embodiment E
1 shows an L panel unit 1.
【００１０】ＥＬパネル部１は、ガラス基板３の上に、
短冊状のアノード電極５が矢印８１方向に並べられてい
る。本実施形態においては、アノード電極として透明電
極であるＩＴＯを採用した。アノード電極５の上には、
青発光層１５が矢印８２方向に並べられている。青発光
層１５の上には、短冊状のカソード電極２５が矢印８１
方向に並べられている。カソード電極１５は、図２に示
すように、絶縁層であるシリコン酸化膜３１で覆われて
いる。アノード電極５とカソード電極２５とは、青色の
光を発光する為の電極である。本実施形態においては、
アノード電極５、青発光層１５およびカソード電極２５
で青発光部を構成する。The EL panel section 1 has a glass substrate 3
Strip-shaped anode electrodes 5 are arranged in the direction of arrow 81. In the present embodiment, ITO, which is a transparent electrode, is employed as the anode electrode. On the anode electrode 5,
The blue light emitting layers 15 are arranged in the direction of arrow 82. On the blue light emitting layer 15, a strip-shaped cathode electrode 25 is indicated by an arrow 81.
It is arranged in the direction. The cathode electrode 15 is covered with a silicon oxide film 31 which is an insulating layer, as shown in FIG. The anode electrode 5 and the cathode electrode 25 are electrodes for emitting blue light. In the present embodiment,
Anode electrode 5, blue light emitting layer 15, and cathode electrode 25
Constitutes a blue light emitting portion.
【００１１】シリコン酸化膜３１の上には、同様に、緑
発光部が設けられている。すなわち、短冊状のアノード
電極７が矢印８１方向に並べられている。アノード電極
７の上には、緑発光層１７が矢印８２方向に並べられて
いる。青発光層７の上には、短冊状のカソード電極２７
が矢印８１方向に順次並べられている。カソード電極２
７は、図２に示すように、シリコン酸化膜３３で覆われ
ている。On the silicon oxide film 31, similarly, a green light emitting portion is provided. That is, the strip-shaped anode electrodes 7 are arranged in the arrow 81 direction. Green light-emitting layers 17 are arranged in the direction of arrow 82 on the anode electrode 7. On the blue light emitting layer 7, a strip-shaped cathode electrode 27 is provided.
Are sequentially arranged in the arrow 81 direction. Cathode electrode 2
7 is covered with a silicon oxide film 33 as shown in FIG.
【００１２】シリコン酸化膜３３の上には、同様に、赤
発光部が設けられている。すなわち、短冊状のアノード
電極９が矢印８１方向に並べられている。アノード電極
９の上には、赤発光層１９が矢印８２方向に並べられて
いる。赤発光層９の上には、短冊状のカソード電極２９
が矢印８１方向に順次並べられている。カソード電極２
９は、金属電極で構成されている。Similarly, a red light emitting portion is provided on the silicon oxide film 33. That is, the strip-shaped anode electrodes 9 are arranged in the arrow 81 direction. On the anode electrode 9, the red light emitting layers 19 are arranged in the direction of the arrow. On the red light emitting layer 9, a strip-shaped cathode electrode 29 is provided.
Are sequentially arranged in the arrow 81 direction. Cathode electrode 2
Reference numeral 9 is composed of a metal electrode.
【００１３】本実施形態においては、ＲＧＢの各発光層
を積層している。したがって、短冊状の各有機ＥＬ層の
幅を大きくすることができる。これにより高輝度のＥＬ
パネル部を提供することができる。さらに、光を放出す
る放出面３ａから、Ｂ、Ｇ、Ｒの順で積層している。し
たがって、短波長の光が長波長の発光層で吸収されるこ
とがない。In this embodiment, the respective light emitting layers of RGB are laminated. Therefore, the width of each strip-shaped organic EL layer can be increased. This enables high-brightness EL
A panel unit can be provided. Further, B, G, and R are stacked in this order from the light emitting surface 3a that emits light. Therefore, short wavelength light is not absorbed by the long wavelength light emitting layer.
【００１４】このように、本実施形態においては、ガラ
ス基板３の上に、青発光部４５、緑発光部４７、赤発光
部４９が、順次積層されている。各発光部の電極は透明
電極である。各発光層間には、シリコン酸化膜３１、３
３が設けられている。したがって、短波長の光が長波長
の発光層で吸収されることがなく、光放出面３ａから放
出される。また、光放出面３ａから一番離れた発光部の
カソード電極２９は、金属電極で構成されている。これ
により、光が反射される。これにより、輝度を高くでき
る。したがって、電流密度を低くしても十分な輝度の表
示パネルを提供できる。As described above, in this embodiment, the blue light emitting portion 45, the green light emitting portion 47, and the red light emitting portion 49 are sequentially laminated on the glass substrate 3. The electrode of each light emitting unit is a transparent electrode. Between each light emitting layer, a silicon oxide film 31, 3
3 are provided. Therefore, the short wavelength light is emitted from the light emitting surface 3a without being absorbed by the long wavelength light emitting layer. Further, the cathode electrode 29 of the light emitting portion farthest from the light emitting surface 3a is formed of a metal electrode. Thereby, light is reflected. Thereby, the luminance can be increased. Therefore, a display panel with sufficient luminance can be provided even when the current density is reduced.
【００１５】本実施形態においては、赤発光部４７のカ
ソード電極以外の電極は、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ薄膜
をＩＴＯセラミクスターゲットとＡｒスパッタガスとを
用いた高周波スパッタ法で形成した。透明電極２はＩＴ
Ｏ以外にＩｎ2Ｏ3、Ａｕなど仕事関数が４．５ｅＶ以上
ある導電性材料で構成してもよい。なお、スパッタ法以
外に、ＥＢ蒸着法で形成してもよい。In this embodiment, the electrodes other than the cathode electrode of the red light emitting portion 47 are formed by forming a 150 nm thick ITO thin film by a high frequency sputtering method using an ITO ceramic target and an Ar sputtering gas. Transparent electrode 2 is IT
In addition to O, a conductive material such as In 2 O 3 or Au having a work function of 4.5 eV or more may be used. In addition, you may form by EB vapor deposition method other than a sputtering method.
【００１６】また、カソード電極２９は、膜厚２００ｎ
ｍのＭｇとＡｇの合金の金属薄膜を、製膜前の到達真空
度は１×１０-9Ｔｏｒｒ以下、基板温度は室温の製膜条
件のもと、抵抗線加熱による真空蒸着法で製膜したが、
これ以外にも、ＬｉＦ，Ｃ系の仕事関数の小さな金属を
アルミニウム電極の間に挿入する様にしてもよい。The cathode electrode 29 has a thickness of 200 n.
A metal thin film of an alloy of Mg and Ag of m is formed by a vacuum deposition method using resistance wire heating under a film forming condition that the ultimate vacuum degree before forming the film is 1 × 10 −9 Torr or less and the substrate temperature is room temperature. But
In addition, a metal having a small work function of LiF and C may be inserted between the aluminum electrodes.
【００１７】また、有機化合物の発光層は、膜厚５０ｎ
ｍのトリフェニルアミン誘導体およびアルミキノリン錯
体薄膜を、製膜前の到達真空度は１×１０-5〜１×１０
-7Ｔｏｒｒ、基板温度は室温の製膜条件のもと、抵抗線
加熱による真空蒸着法で製膜した。The light emitting layer of the organic compound has a thickness of 50 n.
m of the triphenylamine derivative and the aluminum quinoline complex thin film, and the ultimate vacuum degree before film formation is 1 × 10 −5 to 1 × 10
Under a film forming condition of -7 Torr and a substrate temperature of room temperature, a film was formed by a vacuum deposition method using resistance wire heating.
【００１８】なお、発光層としては、アントラセン誘導
体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、スチルベン誘導
体、ベリレン誘導体、キノン誘導体、フェナンスレン誘
導体、ナフタン誘導体、ナフタルイミド誘導体、フタロ
ベリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、シアニン
誘導体、その他可視領域で強い蛍光を発する有機物を採
用してもよい。The light emitting layer includes an anthracene derivative, a pyrene derivative, a tetracene derivative, a stilbene derivative, a berylen derivative, a quinone derivative, a phenanthrene derivative, a naphtan derivative, a naphthalimide derivative, a phthalovelinone derivative, a cyclopentadiene derivative, a cyanine derivative, and other visible light. An organic substance that emits strong fluorescence in the region may be employed.
【００１９】また、本実施形態においては、絶縁層を膜
厚１５０ｎｍのシリコン酸化膜で構成したが、他の絶縁
材料も用いてもよい。In the present embodiment, the insulating layer is formed of a silicon oxide film having a thickness of 150 nm, but other insulating materials may be used.
【００２０】なお、本明細書において、有機ＥＬ層を、
トリフェニルアミン誘導体およびアルミキノリン錯体薄
膜の２層構造としたが、説明を簡略化するために、図面
においては１層で記述している。なお、有機ＥＬ層の構
成については任意であり、電子輸送層等の発光させる補
助層を設けて、３層型、４層型、５層型の多層型で構成
するようにしてもよい。In this specification, the organic EL layer is
Although a two-layer structure of a triphenylamine derivative and an aluminum quinoline complex thin film is used, for simplicity of description, only one layer is shown in the drawings. The configuration of the organic EL layer is arbitrary, and a three-layer, four-layer, or five-layer multilayer structure may be provided by providing an auxiliary layer that emits light such as an electron transport layer.
【００２１】図３に、第２実施形態であるＥＬパネル部
１００を示す。ＥＬパネル部１００は、第１実施形態と
異なり、ガラス基板３とは逆側から、光を放出する。短
冊状の金属電極としてのカソード電極１２９が図１の矢
印８１方向に並べられている。カソード電極１２９の上
には、赤発光層１１９が図１の矢印８２方向に並べられ
ている。赤発光層１１９の上には、短冊状のアノード電
極１０９が図１の矢印８１方向に並べられている。アノ
ード電極１０９は、図２に示すように、シリコン酸化膜
３１で覆われている。アノード電極１０９とカソード電
極１２９とは、赤色の光を発光する為の電極である。本
実施形態においては、アノード電極１０９、赤発光層１
１９およびカソード電極１２９で赤発光部を構成する。
なお、カソード電極１２９は、金属電極で構成されてい
る。FIG. 3 shows an EL panel section 100 according to a second embodiment. The EL panel unit 100 emits light from the side opposite to the glass substrate 3 unlike the first embodiment. Cathode electrodes 129 as strip-shaped metal electrodes are arranged in the direction of arrow 81 in FIG. On the cathode electrode 129, red light emitting layers 119 are arranged in the direction of arrow 82 in FIG. On the red light emitting layer 119, strip-shaped anode electrodes 109 are arranged in the direction of arrow 81 in FIG. The anode electrode 109 is covered with the silicon oxide film 31, as shown in FIG. The anode electrode 109 and the cathode electrode 129 are electrodes for emitting red light. In the present embodiment, the anode electrode 109, the red light emitting layer 1
19 and the cathode electrode 129 constitute a red light emitting portion.
Note that the cathode electrode 129 is formed of a metal electrode.
【００２２】シリコン酸化膜３１の上には、同様に、緑
発光部が設けられている。すなわち、短冊状のカソード
電極１２７が矢印８１方向に並べられている。カソード
電極１２７の上には、緑発光層１１７が矢印８２方向に
並べられている。青発光層１１７の上には、短冊状のア
ノード電極１０７が矢印８１方向に順次並べられてい
る。アノード電極１０７は、図２に示すように、シリコ
ン酸化膜３３で覆われている。Similarly, a green light emitting portion is provided on the silicon oxide film 31. That is, the strip-shaped cathode electrodes 127 are arranged in the arrow 81 direction. Green light emitting layers 117 are arranged in the direction of arrow 82 on cathode electrode 127. On the blue light emitting layer 117, strip-shaped anode electrodes 107 are sequentially arranged in the arrow 81 direction. The anode electrode 107 is covered with the silicon oxide film 33 as shown in FIG.
【００２３】シリコン酸化膜３３の上には、同様に、青
発光部が設けられている。すなわち、短冊状のカソード
電極１２５が矢印８１方向に並べられている。カソード
電極１２５の上には、青発光層１１５が矢印８２方向に
並べられている。青発光層１１５の上には、短冊状のア
ノード電極１０５が矢印８１方向に順次並べられてい
る。On the silicon oxide film 33, similarly, a blue light emitting portion is provided. That is, the strip-shaped cathode electrodes 125 are arranged in the arrow 81 direction. On the cathode electrode 125, the blue light emitting layers 115 are arranged in the direction of the arrow 82. On the blue light emitting layer 115, strip-shaped anode electrodes 105 are sequentially arranged in the direction of arrow 81.
【００２４】このように、ガラス基板との逆側から、光
の放出する場合でも、同様に、放出面１０５ａからＢＧ
Ｒの順に発光層を積層することができる。また、放出面
１０５ａから一番離れたカソード電極を金属で構成する
ことによって、光を反射させ輝度向上を図ることができ
る。As described above, even when light is emitted from the side opposite to the glass substrate, the BG is similarly emitted from the emission surface 105a.
The light emitting layers can be stacked in the order of R. Further, by configuring the cathode electrode farthest from the emission surface 105a with a metal, it is possible to reflect light and improve luminance.
【図１】第１の実施形態であるパネル部の構造を示す斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating a structure of a panel unit according to a first embodiment.
【図２】図１のＢ−Ｂ断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図３】第２の実施形態であるパネル部１００を示す要
部断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a main part of a panel unit 100 according to a second embodiment.
【図４】従来のＥＬパネル部を示す。FIG. 4 shows a conventional EL panel unit.
３・・・・・・・・ガラス基板 ５・・・・・・・・アノード電極（青） ７・・・・・・・・アノード電極（緑） ９・・・・・・・・アノード電極（赤） １５・・・・・・・・青発光層 １７・・・・・・・・緑発光層 １９・・・・・・・・赤発光層 ２５・・・・・・・・カソード電極（青） ２７・・・・・・・・カソード電極（緑） ２９・・・・・・・・カソード電極（赤） ３１・・・・・・・・シリコン酸化膜 ３３・・・・・・・・シリコン酸化膜 １０５・・・・・・・・アノード電極（青） １０７・・・・・・・・アノード電極（緑） １０９・・・・・・・・アノード電極（赤） １１５・・・・・・・・青発光層 １１７・・・・・・・・緑発光層 １１９・・・・・・・・赤発光層 １２５・・・・・・・・カソード電極（青） １２７・・・・・・・・カソード電極（緑） １２９・・・・・・・・カソード電極（赤） 3 ... Glass substrate 5 ... Anode electrode (blue) 7 ... Anode electrode (green) 9 ... Anode electrode (Red) 15 blue light emitting layer 17 green light emitting layer 19 red light emitting layer 25 cathode electrode (Blue) 27 ..... Cathode electrode (green) 29 ..... Cathode electrode (red) 31 ..... silicon oxide film 33 ... ··· Silicon oxide film 105 ····· Anode electrode (blue) 107 ····· Anode electrode (green) 109 ····· Anode electrode (red) 115 ... Blue light emitting layer 117... Green light emitting layer 119... Red light emitting layer 125... Cathode electrode (blue) 1 27 ····· Cathode electrode (green) 129 ······ Cathode electrode (red)
Claims (2)
3)赤発光部を積層させた有機ＥＬ素子の積層構造であっ
て、 a1)以下を有する青発光部、 a11)所定の電圧が印加されると、青発光する有機ＥＬ
層、、 a12)前記有機ＥＬ層の第１の表面側に位置するアノード
電極、 a13)前記有機ＥＬ層の第１の表面側とは逆側の第２の表
面側に位置するカソード電極、 a2)以下を有する緑発光部、 a21)所定の電圧が印加されると、緑発光する有機ＥＬ
層、、 a22)前記有機ＥＬ層の第１の表面側に位置するアノード
電極、 a23)前記有機ＥＬ層の第１の表面側とは逆側の第２の表
面側に位置するカソード電極、 a3)以下を有する赤発光部、 a31)所定の電圧が印加されると、赤発光する有機ＥＬ
層、、 a32)前記有機ＥＬ層の第１の表面側に位置するアノード
電極、 a33)前記有機ＥＬ層の第１の表面側とは逆側の第２の表
面側に位置するカソード電極、 Ｂ）前記青発光部と前記緑発光部との間、および前記緑
発光部と前記赤発光部の間には、絶縁層が形成されてお
り、 Ｃ）前記３つの発光層は、光の放出面から近い順に、青
発光部、緑発光部と赤発光部の順に積層されているこ
と、 を特徴とする有機ＥＬ素子の積層構造。1. A) The following a1) blue light-emitting portion, a2) green light-emitting portion, a
3) A stacked structure of an organic EL element in which red light emitting portions are stacked, a1) a blue light emitting portion having the following: a11) an organic EL device that emits blue light when a predetermined voltage is applied.
A12) an anode electrode located on the first surface side of the organic EL layer; a13) a cathode electrode located on a second surface side opposite to the first surface side of the organic EL layer; a2 A) a green light-emitting portion having the following: a21) an organic EL that emits green light when a predetermined voltage is applied
A22) an anode electrode located on the first surface side of the organic EL layer; a23) a cathode electrode located on a second surface side opposite to the first surface side of the organic EL layer; a3 A) a red light-emitting portion having the following: a31) an organic EL that emits red light when a predetermined voltage is applied.
A32) an anode electrode located on the first surface side of the organic EL layer; a33) a cathode electrode located on a second surface side opposite to the first surface side of the organic EL layer; B A) an insulating layer is formed between the blue light emitting section and the green light emitting section, and between the green light emitting section and the red light emitting section; and C) the three light emitting layers have a light emitting surface. A blue light-emitting portion, a green light-emitting portion, and a red light-emitting portion in this order.
て、 前記赤発光部のカソード電極は金属電極であり、それ以
外のアノード電極およびカソード電極は、透明電極であ
ること、を特徴とするもの。2. The stacked structure of an organic EL device according to claim 1, wherein the cathode electrode of the red light emitting portion is a metal electrode, and the other anode electrode and cathode electrode are transparent electrodes. thing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298600A JP2000133449A (en) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | Laminated structure of organic el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298600A JP2000133449A (en) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | Laminated structure of organic el element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133449A true JP2000133449A (en) | 2000-05-12 |
Family
ID=17861840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10298600A Pending JP2000133449A (en) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | Laminated structure of organic el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133449A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022037A (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Sony Corp | Display panel and display device using the same |
| JP2005203352A (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Chi Mei Optoelectronics Corp | EL display device and manufacturing method thereof |
| JP2006114453A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | ORGANIC EL DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC EL DEVICE |
| JP2011096679A (en) * | 2005-09-22 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic-light emitting element, and manufacturing method thereof |
| EP1711311B2 (en) † | 2004-01-15 | 2011-07-20 | Carl Zeiss Vision GmbH | Device and method for polishing an optical surface and method for the production of a polishing tool |
| JP2012043812A (en) * | 2005-05-20 | 2012-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting element |
| KR101120924B1 (en) * | 2007-03-20 | 2012-03-13 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | Lamination type display element and its manufacturing method |
-
1998
- 1998-10-20 JP JP10298600A patent/JP2000133449A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022037A (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Sony Corp | Display panel and display device using the same |
| JP2005203352A (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Chi Mei Optoelectronics Corp | EL display device and manufacturing method thereof |
| EP1711311B2 (en) † | 2004-01-15 | 2011-07-20 | Carl Zeiss Vision GmbH | Device and method for polishing an optical surface and method for the production of a polishing tool |
| JP2006114453A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | ORGANIC EL DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ORGANIC EL DEVICE |
| JP2012043812A (en) * | 2005-05-20 | 2012-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting element |
| JP2011096679A (en) * | 2005-09-22 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic-light emitting element, and manufacturing method thereof |
| KR101120924B1 (en) * | 2007-03-20 | 2012-03-13 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | Lamination type display element and its manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6811808B2 (en) | Organic electroluminescent display panel and method of manufacturing the same | |
| JP4164251B2 (en) | Organic EL color display and manufacturing method thereof | |
| US5399936A (en) | Organic electroluminescent device | |
| US6356032B1 (en) | Organic element with metallic cathode | |
| KR101591743B1 (en) | Polychromatic electronic display device with electroluminescent screen | |
| US6885147B2 (en) | Organic light emitting diode devices with improved anode stability | |
| JPH10275680A (en) | Organic EL device | |
| JPH1050481A (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP2000195664A (en) | Luminescent device | |
| JP2000091083A (en) | Organic EL display | |
| JP2001338770A (en) | Light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US7061175B2 (en) | Efficiency transparent cathode | |
| JPH1012386A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP3143362B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP2000133449A (en) | Laminated structure of organic el element | |
| JPH08185982A (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP2002260858A (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JPH10223371A (en) | Light emitting display and manufacturing method thereof | |
| JPH065367A (en) | Electroluminescence element | |
| JP3143350B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP2000133450A (en) | Organic EL panel | |
| JPH09306668A (en) | EL element and manufacturing method thereof | |
| JP2000133462A (en) | Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same, and organic electroluminescent display and method of manufacturing the same | |
| JP2005038763A (en) | Organic el panel | |
| JP3518682B2 (en) | Organic electroluminescence device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040120 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060512 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060703 |