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JP2000129471A - Substrate treating device - Google Patents

Substrate treating device

Info

Publication number
JP2000129471A
JP2000129471A JP10300872A JP30087298A JP2000129471A JP 2000129471 A JP2000129471 A JP 2000129471A JP 10300872 A JP10300872 A JP 10300872A JP 30087298 A JP30087298 A JP 30087298A JP 2000129471 A JP2000129471 A JP 2000129471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
holding
tank
lifter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10300872A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naotada Maekawa
直嗣 前川
Koji Hasegawa
公二 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10300872A priority Critical patent/JP2000129471A/en
Publication of JP2000129471A publication Critical patent/JP2000129471A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an immersion type substrate treating device capable of well subjecting a substrate surface to treatment over the entire surface. SOLUTION: A lifter 10 receives the plural untreated substrates W on the outside above a treating vessel 5 and descends to hand over the substrates W to an in-vessel holder 14. The portions held in contact with the substrates W are thereby alternated from longitudinally grooves which are the substrate holding part of the lifter 10 to the in-vessel holder 14. The main treatment process by a treating liquid 6 progresses while the substrates W are held by the in-vessel holder 14 and during this time, the substrate holding parts of the lifter 10 are evacuated below the substrates W. The portions held by the substrate holding parts of the lifter 10 among the peripheral edges of the substrates W and the portions W14 held by the in-vessel holder 14 are separate portions. Such substrate portions where the contact with the fresh treating liquid is hindered are, therefore, eliminated over the entire part of a series of the process and the good treatment may be executed over the entire surface of the substrates surfaces.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
表示装置用基板などの基板(以下単に「基板」という)
を薬液や洗浄液などの基板処理液(以下単に「処理液」
という)に浸漬させ基板の表面処理を施す浸漬型基板乾
燥装置に関する。
The present invention relates to a substrate such as a semiconductor substrate or a substrate for a liquid crystal display (hereinafter simply referred to as a "substrate").
To a substrate processing solution such as a chemical solution or a cleaning solution (hereinafter simply referred to as “processing solution”).
The present invention relates to an immersion type substrate drying apparatus for immersing the substrate in a surface treatment.

【0002】[0002]

【発明の背景】一般に、精密電子装置用基板の表面処理
プロセスにおいては、フッ酸等の薬液によるエッチング
処理や純水による洗浄処理等の基板処理を行う必要があ
る。このような目的で使用される基板処理装置としては
様々の形式のものが知られており、処理液を貯留した処
理槽内に基板を浸漬させることにより表面処理を施す浸
漬型基板処理装置もその1つである。
BACKGROUND OF THE INVENTION Generally, in the surface treatment process of a substrate for a precision electronic device, it is necessary to perform a substrate treatment such as an etching treatment with a chemical such as hydrofluoric acid or a cleaning treatment with pure water. Various types of substrate processing apparatuses used for such purposes are known, and immersion-type substrate processing apparatuses that perform surface treatment by immersing a substrate in a processing tank storing a processing liquid are also known. One.

【0003】このような浸漬型基板処理装置は基板昇降
機構を有し、該基板昇降機構は基板保持部として例えば
基板と係合する溝を有する。そして、基板昇降機構が昇
降することにより、基板保持部が処理液の内部と外部と
の間で移動する。
Such an immersion type substrate processing apparatus has a substrate elevating mechanism, and the substrate elevating mechanism has, for example, a groove for engaging with a substrate as a substrate holding portion. Then, the substrate holding unit moves between the inside and the outside of the processing liquid as the substrate elevating mechanism moves up and down.

【0004】この浸漬型基板処理装置は基板保持部と基
板との相互関係において以下の2種類に大別される。
The immersion type substrate processing apparatus is roughly classified into the following two types in relation to the substrate holder and the substrate.

【0005】その1は、基板保持部が、処理液への基
板の投入から引上げまでの期間にわたって基板とともに
同じ処理液中に浸漬された状態にあるタイプの装置であ
る。この明細書ではこのタイプを「液中待機型の基板処
理装置」と呼ぶことにする。
[0005] The first type is an apparatus of a type in which a substrate holding unit is immersed in the same processing liquid together with the substrate for a period from the introduction of the substrate to the processing liquid until the substrate is pulled up. In this specification, this type is referred to as a "submerged-substrate-type substrate processing apparatus".

【0006】他の1は、基板保持部が基板を処理液に
投入または引き上げる期間にのみ処理液の内部に存在
し、その他の期間は処理液の内部に存在する必要がない
ものである。
Another one is that the substrate holding unit exists inside the processing liquid only during a period in which the substrate is charged or pulled up into the processing liquid, and does not need to be inside the processing liquid during the other periods.

【0007】具体的には、基板昇降機構が開閉する一対
のチャックを備えたものである。該チャックには基板保
持部として基板と係合する溝が形成されている。そし
て、該チャックで基板を把持して処理液中へ投入した
後、その基板昇降機構はチャックを開いて基板を処理液
中に残した状態でいったん当該処理槽の外部に出る。そ
して、基板の処理が完了する頃に基板昇降機構が当該処
理槽に戻って基板を処理液から引き上げる。この明細書
ではこのタイプを「液外移動型の基板処理装置」と呼
ぶ。
[0007] More specifically, the apparatus has a pair of chucks that are opened and closed by a substrate lifting mechanism. The chuck has a groove for engaging with the substrate as a substrate holding portion. Then, after the substrate is gripped by the chuck and put into the processing liquid, the substrate lifting / lowering mechanism once opens the chuck and exits the processing tank once with the substrate remaining in the processing liquid. When the processing of the substrate is completed, the substrate elevating mechanism returns to the processing tank and lifts the substrate from the processing liquid. In this specification, this type is referred to as an “out-of-liquid transfer type substrate processing apparatus”.

【0008】これらのうち、液外移動型の基板処理装置
は、当該処理槽において基板の処理が進行中に基板昇降
機構が他の処理槽での基板の搬送などに使用可能である
ために基板の搬送効率がよいという利点がある。しかし
ながら、異なる処理液や雰囲気に触れた後のチャックが
最初の処理槽に戻ってくるため、処理後の基板に対して
異物が付着しやすいという性質があり、その防止のため
にチャック専用の洗浄槽を別途に設けるなどの対策が必
要になる。
[0008] Among them, the out-of-liquid transfer type substrate processing apparatus uses a substrate elevating mechanism that can be used for transporting a substrate in another processing tank while the processing of the substrate is in progress in the processing tank. There is an advantage that the transfer efficiency is good. However, since the chuck after touching a different processing solution or atmosphere returns to the first processing tank, foreign matter easily adheres to the substrate after processing. Countermeasures such as providing a separate tank are required.

【0009】これに対して、液中待機型の基板処理装置
では基板昇降機構の基板保持部が常に基板に随伴して同
じ処理液の中にあるため、処理後の基板が異物によって
汚染されることが少ないという利点がある。
On the other hand, in a substrate processing apparatus of a submerged type, the substrate holding portion of the substrate elevating mechanism is always in the same processing liquid accompanying the substrate, so that the processed substrate is contaminated by foreign matter. There is an advantage that there is little.

【0010】[0010]

【従来の技術】従来より使用されている液中待機型の基
板処理装置としては、例えば特開平7−161678号
公報に開示されたものがある。この装置では、複数の基
板のそれぞれの周縁部が基板昇降機構(リフタ)の基板
保持部材に刻設している縦溝(基板保持部に該当す
る。)に嵌入され、起立姿勢(主面を水平方向に向けた
縦姿勢)にて保持されている。そして、縦溝は、それら
の基板を保持したまま、処理槽への投入から引上げまで
の期間に渡り、基板とともに浸漬されている。
2. Description of the Related Art As a conventionally used substrate processing apparatus of a standby type in a liquid, for example, there is one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-161678. In this apparatus, the peripheral edge of each of the plurality of substrates is fitted into a vertical groove (corresponding to a substrate holding portion) formed in a substrate holding member of a substrate lifting / lowering mechanism (lifter). (Vertical attitude toward the horizontal direction). Then, the vertical grooves are immersed together with the substrates over a period from input to the processing tank to pulling up while holding the substrates.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来技
術ではリフタの基板保持部材に刻設されている縦溝に基
板が嵌入され保持されたまま処理を進行させているた
め、この縦溝と接触・近接している基板の部分には新鮮
な処理液が到達しづらく、表面処理が不十分となる。そ
の結果、基板のこの部分では、他の部分に比べ処理品質
が低下するという好ましくない状況が生じる。
However, in this prior art, since the process proceeds while the substrate is fitted and held in the vertical groove formed in the substrate holding member of the lifter, the vertical groove is in contact with the vertical groove. -The fresh processing solution hardly reaches the part of the substrate that is in proximity, and the surface treatment becomes insufficient. As a result, an unfavorable situation arises in this part of the substrate where the processing quality is lower than in other parts.

【0012】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板表面の全面にわたり良好に処理を施すこと
ができる浸漬型基板処理装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an immersion type substrate processing apparatus capable of performing excellent processing over the entire surface of a substrate.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、処理液に基板を浸漬させること
により前記基板の表面処理を行うにあたって、前記基板
を保持して前記処理液の内部と外部との間で昇降移動す
る手段の基板保持部が、前記処理液への前記基板の投入
から引上げまでの期間にわたって前記基板とともに前記
処理液中に浸漬された状態にある基板処理装置であっ
て、(a)前記処理液を貯留する処理槽と、(b)前記処理
槽内に配置され、前記処理液中の所定位置に前記基板を
保持する槽内保持手段と、(c)前記基板のうち前記槽内
保持手段により保持される部分とは異なる部分を保持す
る基板保持部を有し、前記処理槽外で前記基板の受渡し
を行うとともに、前記所定位置において前記槽内保持手
段との間の前記基板の受渡しを行い、かつ前記所定位置
で前記基板の処理が行われている間は前記処理液中にお
いて前記基板保持部が前記基板から離れて待避する移動
保持機構と、を備えている。
According to a first aspect of the present invention, in performing a surface treatment of a substrate by immersing the substrate in a processing solution, the substrate is held in the processing solution. The substrate processing apparatus, wherein the substrate holding unit of the means for moving up and down between the inside and the outside of the substrate is immersed in the processing liquid together with the substrate for a period from the introduction of the substrate to the processing liquid until the substrate is pulled up. (A) a processing tank for storing the processing liquid, (b) an in-tank holding means disposed in the processing tank and holding the substrate at a predetermined position in the processing liquid, (c) A substrate holding unit that holds a part of the substrate that is different from a part held by the in-tank holding unit; delivering and transferring the substrate outside the processing tank; and the in-tank holding unit at the predetermined position. Receiving the substrate between Perform teeth, and during the processing of the substrate at the predetermined position is performed and a, a movable holding mechanism which the substrate holder is retracted away from the substrate in the treatment solution.

【0014】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記槽内保持手段は、(b
-1) 互いに間隔を隔てて配置され、前記処理槽内で起立
姿勢とされた前記基板の下半部の両側を保持する保持部
材の組、を備え、前記移動保持機構は、前記保持部材の
組の間の前記間隔において前記基板の下側周縁部を保持
するものであり、前記所定位置で前記基板の処理が行わ
れている間は、前記移動保持機構の基板保持部が前記所
定位置の下方において基板から離れて待避している。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the holding means in the tank comprises:
-1) a set of holding members that are arranged at an interval from each other and hold both sides of the lower half of the substrate that has been set upright in the processing tank; The lower peripheral portion of the substrate is held at the interval between the sets, and while the processing of the substrate is being performed at the predetermined position, the substrate holding portion of the moving and holding mechanism is at the predetermined position. It is separated from the substrate and evacuated below.

【0015】また、請求項3の発明は、請求項2の発明
に係る基板処理装置において、前記保持部材の組は、前
記基板の周縁部を保持するための溝を刻設した板材の組
である。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the set of holding members is a set of plate members provided with a groove for holding a peripheral portion of the substrate. is there.

【0016】また、請求項4の発明は、請求項2の発明
に係る基板処理装置において、前記保持部材の組は、前
記基板の周縁部を保持するための溝を刻設した棒材の組
である。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the set of holding members is a set of bar members provided with a groove for holding a peripheral portion of the substrate. It is.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】<基板処理ユニットの概要>図1
は、本発明の実施形態である基板処理装置100を組み
込んだ基板処理ユニットUを示す概略構成図であり、こ
の基板処理ユニットUの全体構成は、後述する各実施形
態に共通の例となっている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <Outline of Substrate Processing Unit> FIG.
1 is a schematic configuration diagram illustrating a substrate processing unit U incorporating a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. The overall configuration of the substrate processing unit U is an example common to each embodiment described later. I have.

【0018】この処理ユニットUは、半導体ウェハなど
の基板をフッ酸等の薬液および純水に浸漬させ基板処理
を行った後、基板を回転させることによって乾燥処理を
行うユニットである。
The processing unit U is a unit for immersing a substrate such as a semiconductor wafer in a chemical solution such as hydrofluoric acid or the like and pure water to perform the substrate processing, and then performing a drying process by rotating the substrate.

【0019】この処理ユニットUでは、複数の基板Wを
収納したカセットCが搬出入部110に搬入され、この
カセットCは基板取出部120に移送される。基板取出
部120は、カセットCから複数の未処理基板Wを突き
上げて基板搬送ロボットTRに渡す。基板搬送ロボット
TRは、水平方向に移動自在であり、基板Wを3つの基
板処理装置100および基板乾燥部130に順次搬送す
る。
In the processing unit U, a cassette C containing a plurality of substrates W is loaded into the loading / unloading unit 110, and the cassette C is transferred to the substrate unloading unit 120. The substrate unloading unit 120 pushes up a plurality of unprocessed substrates W from the cassette C and transfers the unprocessed substrates W to the substrate transport robot TR. The substrate transfer robot TR is freely movable in the horizontal direction, and sequentially transfers the substrate W to the three substrate processing apparatuses 100 and the substrate drying unit 130.

【0020】3つの基板処理装置100は、それぞれ基
板Wに対して薬液処理または純水洗浄処理を行う処理装
置である。なお、基板処理装置100の詳細については
後述する。そして、純水による洗浄処理が終了した基板
Wは基板搬送ロボットTRによって基板乾燥部130に
渡され、乾燥処理に供される。
Each of the three substrate processing apparatuses 100 is a processing apparatus for performing a chemical solution process or a pure water cleaning process on the substrate W. The details of the substrate processing apparatus 100 will be described later. Then, the substrate W having been subjected to the cleaning process with the pure water is transferred to the substrate drying unit 130 by the substrate transport robot TR, and is subjected to the drying process.

【0021】乾燥処理が終了した基板Wは、再び基板搬
送ロボットTRによって基板取出部120上方にまで搬
送される。そして、基板取出部120は、処理済みの基
板Wを基板搬送ロボットTRから受け取ってカセットC
に収納する。複数の処理済み基板Wを収納したカセット
Cは搬出入部110に渡され、そこから処理ユニットU
の外部に搬出される。
The substrate W for which the drying process has been completed is transported by the substrate transport robot TR to a position above the substrate take-out unit 120 again. Then, the substrate extracting unit 120 receives the processed substrate W from the substrate transport robot TR, and
To be stored. The cassette C accommodating the plurality of processed substrates W is transferred to the loading / unloading unit 110, from which the processing unit U
It is carried out of the outside.

【0022】<第1実施形態の基板処理装置100の要
部構成>図2は、本発明の第1実施形態としての基板処
理装置100の要部構成を示す正面図である。また、図
3は、この基板処理装置100の要部構成を示す側面図
である。
<Main Configuration of Substrate Processing Apparatus 100 of First Embodiment> FIG. 2 is a front view showing the main configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a side view showing a configuration of a main part of the substrate processing apparatus 100.

【0023】基板処理装置100は、処理槽5を備える
とともに、複数の基板Wを相互に所定の間隔を隔てた起
立姿勢で保持できる昇降自在なリフタ10を備える。
The substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 5 and a lifter 10 capable of holding a plurality of substrates W in an upright posture at a predetermined interval from each other.

【0024】処理槽5は、基板Wの直径よりやや広い幅
を有しており、その上方は外方に広がったテーパ形状を
し、処理液6が貯留されている。また、処理槽5の底部
は、その中央部が若干低くなった谷形状の断面となって
いる。
The processing tank 5 has a width slightly larger than the diameter of the substrate W, and has a tapered shape that expands outward above the processing tank 5, and stores a processing liquid 6. In addition, the bottom of the processing tank 5 has a valley-shaped cross section in which the center is slightly lower.

【0025】また、処理槽5は上部に開口9を有し、当
該開口9からは後述の処理液供給パイプ7から供給され
る処理液が溢れ出る。こうすることによって、新鮮でな
い処理液を開口9から処理槽5外へ溢れ出させることが
できるので、基板に新鮮な処理液を供給し続けることが
できる。また、汚染物質が処理液中に浮遊していても開
口9から排出されるので、基板には清浄な処理液を供給
することができる。なお、この実施の形態では、処理槽
5は上部がテーパ形状をしているが、テーパがない形状
の処理槽であってもよい。
The processing tank 5 has an opening 9 at an upper portion, and a processing liquid supplied from a processing liquid supply pipe 7 described later overflows from the opening 9. By doing so, the processing liquid that is not fresh can overflow out of the processing tank 5 through the opening 9, so that the processing liquid can be continuously supplied to the substrate. Further, even if a contaminant is suspended in the processing liquid, the contaminant is discharged from the opening 9, so that a clean processing liquid can be supplied to the substrate. In this embodiment, the processing tank 5 has a tapered upper portion, but may be a processing tank having no taper.

【0026】処理槽5の底部の両隅には、2本の処理液
供給パイプ7がその長手方向を図2の紙面に垂直な方向
に配して溶着され液漏れのない状態でそれぞれ固着され
ている。なお、これらの処理液供給パイプ7は一定間隔
を隔てほぼ平行に配置されている。処理液供給パイプ7
は、スリット状の噴出孔8が処理液供給パイプ7の長手
方向(図2の紙面に対し直交する方向)に直交して複数
平行に設けられている。
At the two corners at the bottom of the processing tank 5, two processing liquid supply pipes 7 are welded with their longitudinal directions arranged in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. ing. Note that these processing liquid supply pipes 7 are arranged substantially in parallel at regular intervals. Processing liquid supply pipe 7
In FIG. 2, a plurality of slit-shaped ejection holes 8 are provided in parallel with a longitudinal direction of the processing liquid supply pipe 7 (a direction perpendicular to the plane of FIG. 2).

【0027】リフタ10には、吊設部材11および、吊
設部材11の下部に一体的に接続されている基板保持枠
12が設けられている。基板保持枠12からは、3つの
基板保持部材13が水平に伸びている(図3参照)。
The lifter 10 is provided with a suspension member 11 and a substrate holding frame 12 integrally connected to a lower portion of the suspension member 11. Three substrate holding members 13 extend horizontally from the substrate holding frame 12 (see FIG. 3).

【0028】基板保持部材13には、後述する図4のVI
I−VII断面図に相当する図7に示すように側面視で略Y
字状の縦溝13Gが所定の間隔を隔て刻設され、複数の
基板W(仮想線で示す)は、その下側の端部が縦溝13
Gに嵌入することにより、起立姿勢で整立保持される。
この縦溝13Gが、リフタ10における基板保持部に該
当する。
The substrate holding member 13 has a VI (described later) of FIG.
As shown in FIG. 7 corresponding to the I-VII sectional view, substantially Y
A vertical groove 13G is formed at a predetermined interval, and a plurality of substrates W (indicated by phantom lines) have lower ends formed by vertical grooves 13G.
By fitting into G, it is maintained in a standing posture.
This vertical groove 13 </ b> G corresponds to the substrate holding part of the lifter 10.

【0029】さらに、処理槽5内壁から中心部に向けて
伸び、処理槽5内で基板Wを保持できる4つの板状の槽
内ホルダ14が互いに間隔を隔てて固定的に設けられて
いる。槽内ホルダ14にも、図2のVI−VI断面図に相当
する図6に示すようなV字状の縦溝14Gが所定の間隔
で刻設され、基板Wの下半部の両側を起立姿勢で保持で
きるようになっている。この縦溝14Gが、槽内ホルダ
14における基板保持部に該当する。ただし、槽内ホル
ダ14で保持される基板Wの周縁部表面部分W14(図
2参照)は、リフタ10により保持される基板Wの周縁
部表面部分W13(図4参照)と異なるように槽内ホル
ダ14を配置する。
Further, four plate-like in-tank holders 14 extending from the inner wall of the processing tank 5 toward the center and capable of holding the substrate W in the processing tank 5 are fixedly provided at intervals. V-shaped vertical grooves 14G as shown in FIG. 6 corresponding to the sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 2 are also formed at predetermined intervals in the in-tank holder 14, and both sides of the lower half of the substrate W are erected. It can be held in a posture. The vertical groove 14 </ b> G corresponds to the substrate holding part of the in-tank holder 14. However, the peripheral surface portion W14 of the substrate W held by the in-tank holder 14 (see FIG. 2) is different from the peripheral surface portion W13 of the substrate W held by the lifter 10 (see FIG. 4). The holder 14 is arranged.

【0030】図3において、処理槽5の外部には、リフ
タ10を昇降させる昇降駆動機構20が設けられてい
る。昇降駆動機構20はモータ21を備えており、この
モータ21により回転駆動される駆動プーリ22が設け
られている。駆動プーリ22と従動プーリ23の間には
ベルト24が掛け渡されている。ベルト24には駆動ロ
ッド25の下端部が固定され、この駆動ロッド25の上
端部はリフタ10に連結されている。
In FIG. 3, an elevating drive mechanism 20 for raising and lowering the lifter 10 is provided outside the processing tank 5. The lifting drive mechanism 20 includes a motor 21, and a drive pulley 22 that is driven to rotate by the motor 21 is provided. A belt 24 is stretched between the driving pulley 22 and the driven pulley 23. A lower end of a drive rod 25 is fixed to the belt 24, and an upper end of the drive rod 25 is connected to the lifter 10.

【0031】モータ21の正または逆回転は、駆動プー
リ22を回動させる。駆動プーリ22の回動はベルト2
4に伝達され、このベルト24に下端部が固定されてい
る駆動ロッド25は上下方向に移動する。そして、駆動
ロッド25の上下運動により、これに連結したリフタ1
0が昇降する。このような構成により、リフタ10は、
基板搬送ロボットTRと基板Wの受渡しを行う基板受渡
位置(図5の位置)と、槽内ホルダ14と基板Wの受渡
しを行う基板移載位置(図2の仮想線位置)と、処理槽
5内の基板処理位置(図2の実線位置)との間で昇降機
構20によって昇降されることとなる。
The forward or reverse rotation of the motor 21 causes the drive pulley 22 to rotate. The rotation of the driving pulley 22 is the belt 2
4, the drive rod 25 having a lower end fixed to the belt 24 moves in the vertical direction. The lifter 1 connected to the drive rod 25 is moved up and down by the drive rod 25.
0 goes up and down. With such a configuration, the lifter 10
The substrate transfer position (position in FIG. 5) for transferring the substrate W to and from the substrate transfer robot TR, the substrate transfer position (virtual line position in FIG. 2) for transferring the in-tank holder 14 and the substrate W, and the processing tank 5 Is moved up and down by the elevating mechanism 20 to and from the substrate processing position (solid line position in FIG. 2).

【0032】また、槽内ホルダ14は、リフタ10の移
動経路(この実施形態の例では図2の上下方向の昇降経
路)を避けて配置されている。これにより、リフタ10
が昇降移動した際に槽内ホルダ14がリフタ10と干渉
しないようになっている。なお、リフタ10を昇降駆動
させる機構としては、上記の形態に限定されるものでは
なく、エアシリンダやアクチュエータ等を用いた昇降駆
動機構であってもよい。
The in-tank holder 14 is arranged so as to avoid the moving path of the lifter 10 (in this embodiment, the vertical moving path in FIG. 2). Thereby, the lifter 10
When the is moved up and down, the in-tank holder 14 does not interfere with the lifter 10. The mechanism for driving the lifter 10 to move up and down is not limited to the above-described embodiment, and may be a lift drive mechanism using an air cylinder, an actuator, or the like.

【0033】<基板処理装置100の動作>このような
構成を有する基板処理装置100の動作は以下の通りで
ある。
<Operation of Substrate Processing Apparatus 100> The operation of the substrate processing apparatus 100 having such a configuration is as follows.

【0034】まず、図1の基板搬送ロボットTRによっ
て、未処理の複数の基板Wが基板処理装置100の上方
まで搬送される。そして、リフタ10が昇降機構20に
より基板受渡位置(図5参照)まで上昇し、基板搬送ロ
ボットTRから未処理の複数の基板Wを受け取る。この
際、リフタ10の3つの基板保持部材13に刻設された
縦溝13G(図7参照)に基板Wの周縁部がはまり込
み、複数の基板Wが相互に所定の間隔を隔てた起立姿勢
にて支持される。
First, a plurality of unprocessed substrates W are transported above the substrate processing apparatus 100 by the substrate transport robot TR of FIG. Then, the lifter 10 is raised by the lifting mechanism 20 to the substrate delivery position (see FIG. 5), and receives a plurality of unprocessed substrates W from the substrate transport robot TR. At this time, the peripheral edges of the substrates W fit into the vertical grooves 13G (see FIG. 7) formed in the three substrate holding members 13 of the lifter 10, and the plurality of substrates W stand up at a predetermined interval from each other. Supported by

【0035】次に、昇降機構20がリフタ10を処理槽
5内に向けて下降させる。図4はこの下降過程における
基板Wの状態を示しているが、この下降過程においては
基板Wが処理液6と接触していることによって各基板W
の表面処理が進行する。ただし、基板Wの周縁部表面部
分W13については、リフタ10の縦溝13Gと接触し
ているために、処理液供給パイプ7の噴出孔8から供給
されている新鮮な処理液に触れることは少なく、この部
分W13の表面処理の進行は他の表面部分よりも遅い。
なお、この下降過程での図4の位置でリフタ10の下降
を一旦停止し、所定の時間だけこのまま放置してからリ
フタ10の下降を再開してもよい。
Next, the elevating mechanism 20 lowers the lifter 10 toward the inside of the processing tank 5. FIG. 4 shows the state of the substrate W in this lowering process. In this lowering process, each substrate W
Surface treatment proceeds. However, since the peripheral portion surface portion W13 of the substrate W is in contact with the vertical groove 13G of the lifter 10, the peripheral portion W13 rarely touches the fresh processing liquid supplied from the ejection hole 8 of the processing liquid supply pipe 7. The progress of the surface treatment of this portion W13 is slower than other surface portions.
The lowering of the lifter 10 may be temporarily stopped at the position shown in FIG. 4 during the lowering process, and may be left for a predetermined period of time before restarting the lowering of the lifter 10.

【0036】そして、リフタ10は、図2に仮想線で示
す基板移載位置まで降下する。リフタ10の3つの基板
保持部材13によって支持されていた複数の基板Wが、
4つの槽内ホルダ14に刻設された縦溝14G(図6参
照)にその周縁部がはまり込み、槽内ホルダ14の支持
へと交代する。
Then, the lifter 10 descends to a substrate transfer position indicated by a virtual line in FIG. The plurality of substrates W supported by the three substrate holding members 13 of the lifter 10 are
The peripheral edges of the four in-tank holders 14 are fitted into the vertical grooves 14 </ b> G (see FIG. 6), and are replaced with the supports of the in-tank holders 14.

【0037】さらにリフタ10が下降すると、基板Wの
周縁部表面部分W13とは異なる基板Wの周縁部表面部
分W14が槽内ホルダ14の縦溝14Gと接触してこれ
を保持するようになる。そして、この位置からさらにリ
フタ10が下降することにより、その時点で現に基板W
に接触して基板Wを保持している手段がリフタ10から
槽内ホルダ14へと交代する。
When the lifter 10 is further lowered, a peripheral surface W14 of the substrate W different from the peripheral surface W13 of the substrate W comes into contact with and holds the vertical groove 14G of the in-tank holder 14. When the lifter 10 further descends from this position, the substrate W
The means for holding the substrate W by contacting with the substrate is changed from the lifter 10 to the in-tank holder 14.

【0038】この状態、すなわち、基板Wが図2の位置
にあるとともにリフタ10の縦溝13Gが基板Wの下方
に基板Wとは離れて待避している状態で所定の時間だけ
基板Wが放置される(主処理過程)。これによって、処
理液6による基板Wの表面処理が引き続き行われる。
In this state, that is, in a state where the substrate W is at the position shown in FIG. 2 and the vertical groove 13G of the lifter 10 is separated from the substrate W and retracted below the substrate W, the substrate W is left for a predetermined time. (Main processing). Thereby, the surface treatment of the substrate W with the treatment liquid 6 is continuously performed.

【0039】基板Wの主処理過程が終了すると、上述し
たのとは逆の手順によって処理後の基板Wが基板処理装
置100の外部に出される。すなわち、昇降機構20に
よってリフタ10を複数の基板Wとともに処理槽5から
引き上げる。そして、基板受渡位置まで到達すると、基
板搬送ロボットTRに基板Wを渡す。その後、基板搬送
ロボットTRは乾燥部130まで基板処理後の基板Wを
搬送する。
When the main processing of the substrate W is completed, the processed substrate W is taken out of the substrate processing apparatus 100 in a procedure reverse to that described above. That is, the lifter 10 is lifted up from the processing tank 5 together with the plurality of substrates W by the lifting mechanism 20. Then, when reaching the substrate transfer position, the substrate W is transferred to the substrate transfer robot TR. Thereafter, the substrate transport robot TR transports the substrate W after the substrate processing to the drying unit 130.

【0040】以上において、この実施形態の装置100
では、図4のような下降過程で表面処理の進行は他の部
分よりも遅かった周縁部表面部分W13についても、主
処理過程ではリフタ10および槽内ホルダ14のいずれ
にも接触していないため、処理液供給パイプ7の噴出孔
8から供給されている新鮮な処理液に触れることによっ
て十分な表面処理が行われる。
In the above, the apparatus 100 of this embodiment
Then, since the progress of the surface treatment in the descending process as shown in FIG. 4 is slower than the other portion, the peripheral surface portion W13 is not in contact with any of the lifter 10 and the in-tank holder 14 in the main process. In addition, a sufficient surface treatment is performed by touching the fresh treatment liquid supplied from the ejection hole 8 of the treatment liquid supply pipe 7.

【0041】この主処理過程においては、基板Wのうち
槽内ホルダ14の縦溝14Gと接触している周縁部表面
部分W14についての表面処理は進行が遅いが、この周
縁部表面部分W14については既に下降過程において新
鮮な処理液と接触して処理が進行しており、また、上記
のように基板Wを処理槽5から引き上げる過程において
も新鮮な処理液と接触するため、周縁部表面部分W14
についても下降過程・主処理過程・上昇過程の一連の過
程を経た後には必要な程度の処理が完了していることに
なる。
In this main processing step, the surface treatment of the peripheral surface portion W14 of the substrate W which is in contact with the vertical groove 14G of the in-tank holder 14 progresses slowly. Since the processing is already in contact with the fresh processing liquid in the descending process, and also in the process of lifting the substrate W from the processing tank 5 as described above, the substrate W comes into contact with the fresh processing liquid.
After a series of processes of descending process, main processing process, and ascending process, necessary processes are completed.

【0042】ところで、基板Wの中央部分と比較すると
周縁部表面部分W13、W14が処理液6に接触してい
る時間は短い。しかしながら、基板Wの中央部分は半導
体デバイスを形成する領域であって必要十分な表面処理
が要求されるのに対して、周縁部表面部分W13、W1
4はデバイスの形成を行わない領域であるから、処理時
間が比較的短くても実質的な影響は少ない。
By the way, compared with the central portion of the substrate W, the time during which the peripheral surface portions W13 and W14 are in contact with the processing liquid 6 is shorter. However, the central portion of the substrate W is a region for forming a semiconductor device and requires a sufficient and sufficient surface treatment, whereas the peripheral surface portions W13 and W1 are required.
Reference numeral 4 denotes an area where no device is formed, so that a relatively short processing time has substantially no effect.

【0043】その一方で、仮に周縁部表面部分W13が
従来技術と同様に常にリフタ10の縦溝13Gと接触し
続ける場合には、この部分W13が新鮮な処理液と接触
する機会がないために、この部分W13について表面処
理の実質的効果が得られるまでに至らない。このような
場合には、たとえばエッチング残滓などがこの部分W1
3に残ってしまうために、それが後に基板Wの中央部分
に拡散するとデバイス形成領域が再汚染されてしまうこ
とになる。これに対して、この実施形態の装置100で
は、周縁部表面部分W13、W14の実質的な表面処理
時間は基板Wの中央部分より短いとはいえ、これらが新
鮮な処理液に接触する機会が確保されているために、こ
のような再汚染などの問題が生じることはない。
On the other hand, if the peripheral surface portion W13 always keeps in contact with the vertical groove 13G of the lifter 10 as in the prior art, there is no chance that this portion W13 comes into contact with fresh processing liquid. However, this part W13 does not reach the point where a substantial effect of the surface treatment is obtained. In such a case, for example, the etching residue etc.
In the case where it remains in 3 and later diffuses into the central portion of the substrate W, the device formation region is re-contaminated. On the other hand, in the apparatus 100 of this embodiment, although the substantial surface treatment time of the peripheral surface portions W13 and W14 is shorter than that of the central portion of the substrate W, there is an opportunity for these to come into contact with a fresh treatment liquid. Such a problem does not arise because of such recontamination.

【0044】特に、下降過程および上昇過程の少なくと
も一方の途中でリフタ10を一旦停止させる、あるいは
下降過程および上昇過程の少なくとも一方におけるリフ
タ10の昇降速度を下げることにより、周縁部表面部分
W14についてもその表面処理の十分性を確保できる。
ただし、処理液6が純水ではなくエッチング液などのよ
うに反応進行性の処理液の場合には、基板Wの中央部分
での処理の均一性を確保するために、基板Wの一部だけ
が処理液6の上に露出している状態での一旦停止や昇降
速度の低下は避けることが好ましい。したがって、上記
のような一旦停止または速度低下を行う場合には、図4
のように基板Wの全体が処理液6に浸漬されている段階
でそれらを行うことが好ましい。
In particular, by temporarily stopping the lifter 10 in at least one of the descending process and the ascending process, or by lowering the lift speed of the lifter 10 in at least one of the descending process and the ascending process, the peripheral surface portion W14 is also reduced. Sufficient surface treatment can be ensured.
However, if the processing liquid 6 is not a pure water but a reaction-promoting processing liquid such as an etching liquid, only a part of the substrate W is used in order to ensure the uniformity of processing at the central portion of the substrate W. It is preferable to avoid a temporary stop or a decrease in the elevating speed in a state where is exposed on the processing liquid 6. Therefore, when the vehicle is temporarily stopped or the speed is reduced as described above, FIG.
It is preferable to perform them at the stage where the entire substrate W is immersed in the processing liquid 6 as described above.

【0045】このようにすれば、基板Wの保持部分で、
他の基板表面部分に比べ処理品質が大きく低下するとい
う好ましくない状況が生じない。その結果、基板表面の
全面にわたり良好に処理を施すことができる。
In this way, at the holding portion of the substrate W,
An unfavorable situation in which the processing quality is greatly reduced as compared with other substrate surface portions does not occur. As a result, the processing can be favorably performed over the entire surface of the substrate.

【0046】なお、リフタ10に基板を保持させた状態
で最初から最後まで基板の処理を行っても、槽内ガイド
14に基板を保持させた状態で最初から最後まで基板の
処理を行ってもよい。
The substrate may be processed from the beginning to the end with the lifter 10 holding the substrate, or the substrate may be processed from the beginning to the end with the substrate held in the tank guide 14. Good.

【0047】<第2実施形態の基板処理装置100の要
部構成>図8は、本発明の第2実施形態の基板処理装置
100Aの要部構成を示す図である。この基板処理装置
100Aでは、第1実施形態の基板処理装置100(図
2)の槽内ホルダ14に相当する部材として、その形状
が棒状である槽内ホルダ14Aが設けられている。槽内
ホルダ14Aは、図8において紙面に対し垂直方向の処
理槽5内壁に連結しない棒状部材で、基板Wの周縁部を
保持するための溝を刻設している。ただし、第1実施形
態と同様に、槽内ホルダ13Aで保持される基板Wの表
面部分は、リフタ10により保持される基板Wの表面部
分W13(図4参照)と異なるように槽内ホルダ14A
を配置する。
<Main Configuration of Substrate Processing Apparatus 100 of Second Embodiment> FIG. 8 is a diagram showing the main configuration of a substrate processing apparatus 100A according to a second embodiment of the present invention. In the substrate processing apparatus 100A, a rod-shaped in-tank holder 14A is provided as a member corresponding to the in-tank holder 14 of the substrate processing apparatus 100 (FIG. 2) of the first embodiment. The in-tank holder 14A is a rod-shaped member that is not connected to the inner wall of the processing tank 5 in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 8, and has a groove for holding the peripheral edge of the substrate W. However, similarly to the first embodiment, the surface portion of the substrate W held by the in-tank holder 13A is different from the surface portion W13 of the substrate W held by the lifter 10 (see FIG. 4).
Place.

【0048】これによって、リフタ10により保持され
て新鮮な処理液と接触できず表面処理が不十分であった
基板表面部分W13は、基板Wがリフタ10から槽内ホ
ルダ14Aに持ち替えられることにより、新鮮な処理液
で処理されるようになる。その結果、第1実施形態と同
様に、基板Wの保持部分で他の基板表面部分に比べ処理
品質が低下するという好ましくない状況が発生せず、基
板表面の全面にわたり良好に処理を施すことができる。
As a result, the substrate surface portion W13 held by the lifter 10 and unable to come into contact with the fresh processing liquid and having insufficient surface treatment is transferred from the lifter 10 to the in-tank holder 14A. It will be treated with fresh treatment liquid. As a result, similarly to the first embodiment, an unfavorable situation in which the processing quality is reduced in the holding portion of the substrate W as compared with the other substrate surface portions does not occur, and the processing can be favorably performed over the entire surface of the substrate. it can.

【0049】また、槽内ホルダ14Aは図8において紙
面垂直方向の処理槽5内壁に連結しない状態で設けられ
ているので、該内壁と槽内ホルダ14Aとの間には空間
が形成されている。このため、該空間を通って処理液が
流動できるため、処理液が処理槽5内で滞留する部分が
少なくなる。従って、処理液中の汚染物質が滞留して基
板に付着することを防止できるとともに、基板には新鮮
な処理液が供給されやすくなるので基板の処理品質を向
上させることができる。
Since the in-tank holder 14A is provided so as not to be connected to the inner wall of the processing tank 5 in the direction perpendicular to the paper of FIG. 8, a space is formed between the inner wall and the in-tank holder 14A. . For this reason, since the processing liquid can flow through the space, the portion where the processing liquid stays in the processing tank 5 is reduced. Therefore, it is possible to prevent contaminants in the processing liquid from staying and adhering to the substrate, and it is possible to easily supply a fresh processing liquid to the substrate, thereby improving the processing quality of the substrate.

【0050】他の構成および動作は第1実施形態の装置
100と同様である。
Other configurations and operations are the same as those of the device 100 of the first embodiment.

【0051】<変形例> ◎上記実施形態においては、処理槽5内で処理液供給パ
イプ7の噴出孔8から新鮮な処理液を供給し、流動する
処理液が基板Wの表面に接触することによって基板Wの
表面処理を行う基板処理装置であったが、処理槽5内に
処理液供給パイプ7および噴出孔8がなく、また処理液
の流動のない基板処理装置にも適用できる。
<Modifications> In the above embodiment, fresh processing liquid is supplied from the ejection hole 8 of the processing liquid supply pipe 7 in the processing tank 5 so that the flowing processing liquid comes into contact with the surface of the substrate W. However, the present invention can be applied to a substrate processing apparatus in which the processing liquid supply pipe 7 and the ejection hole 8 are not provided in the processing tank 5 and the processing liquid does not flow.

【0052】◎上記実施形態においては、薬液や洗浄液
などの処理液を基板に接触させ表面処理を行う基板処理
装置であったが、処理槽内の洗浄液に超音波振動を加え
て基板の洗浄処理を行う基板処理装置100Bにも適用
できる。
In the above-described embodiment, the substrate processing apparatus performs surface treatment by bringing a processing liquid such as a chemical solution or a cleaning liquid into contact with the substrate. However, the cleaning liquid in the processing tank is subjected to ultrasonic vibration to perform the cleaning processing on the substrate. Can also be applied to the substrate processing apparatus 100B that performs the above.

【0053】図9は、この基板処理装置100Bの要部
構成を示す図である。基板処理装置100Bは、第1実
施形態の基板処理装置100(図2参照)と同じ構成の
基板処理部90に外槽30およびその底部に設けられた
超音波振動子32が付加された構成になっている。外槽
30の内部には伝搬水31が貯留され、この伝搬水31
に処理槽5の底部及び下部側面部が接触するような配置
になっている。また、超音波振動子32には、発振器3
3が電気的に接続されている。
FIG. 9 is a diagram showing a main configuration of the substrate processing apparatus 100B. The substrate processing apparatus 100B has a configuration in which an outer tub 30 and an ultrasonic vibrator 32 provided at the bottom thereof are added to a substrate processing section 90 having the same configuration as the substrate processing apparatus 100 of the first embodiment (see FIG. 2). Has become. Propagation water 31 is stored inside the outer tank 30,
The bottom and the lower side of the processing tank 5 are arranged so as to come into contact with each other. Further, the ultrasonic oscillator 32 includes an oscillator 3
3 are electrically connected.

【0054】基板処理装置100Bにおいて、超音波振
動子32は、発振器33から発振電圧が加えられ、高周
波で振動する。この振動が伝搬水31を介して処理槽5
内部の洗浄液に伝達され、基板Wは洗浄される。
In the substrate processing apparatus 100B, the ultrasonic oscillator 32 receives an oscillating voltage from the oscillator 33 and vibrates at a high frequency. This vibration is transmitted through the propagation water 31 to the treatment tank 5.
The substrate W is transmitted to the internal cleaning liquid and is cleaned.

【0055】以上のような基板処理装置100Bについ
ても、外槽30内に配置される基板処理部90の内部に
つき第1実施形態の基板処理装置100と同様の構成を
採用することにより、基板表面の全面にわたり良好に処
理を施すことができる。
In the substrate processing apparatus 100B as described above, the same structure as the substrate processing apparatus 100 of the first embodiment is adopted for the inside of the substrate processing section 90 disposed in the outer tank 30, so that the substrate surface Can be satisfactorily applied to the entire surface of the substrate.

【0056】◎基板Wを保持するにあたって、上記実施
形態では処理槽5内の4つの槽内ホルダ14の4点を使
用しているが、リフタ10で保持される基板Wの周縁部
表面部分W13と異なる基板Wの表面部分を保持できる
ような槽内ホルダ14の配置であれば、これ以外にも2
点、3点などの複数の位置で支持することができる。
In holding the substrate W in the above embodiment, the four points of the four in-tank holders 14 in the processing tank 5 are used, but the peripheral surface portion W13 of the substrate W held by the lifter 10 is used. If the arrangement of the in-tank holder 14 can hold the surface portion of the substrate W different from the
It can be supported at a plurality of positions such as three points.

【0057】◎槽内ホルダ14を処理槽5の内部で進退
可能に設けている場合には、リフタ10の昇降経路と槽
内ホルダ14とが部分的に重なっていても良い。この場
合、基板Wを昇降させるときには槽内ホルダ14が待避
する。このような変形では、起立姿勢での基板Wの中心
よりも上側に槽内ホルダ14の一部を設ける場合に有効
である。上記実施形態のような起立姿勢での基板Wの中
心よりも下側に槽内ホルダを設ける場合には、実施形態
のように昇降経路を避けて槽内ホルダ14を固定配置す
るのが可能となり、その方が構造的に簡単になる。
When the in-tank holder 14 is provided so as to be able to advance and retreat inside the processing tank 5, the elevating path of the lifter 10 may partially overlap the in-tank holder 14. In this case, when raising and lowering the substrate W, the in-tank holder 14 is retracted. Such a modification is effective when a part of the in-tank holder 14 is provided above the center of the substrate W in the standing posture. When the in-tank holder is provided below the center of the substrate W in the upright posture as in the above-described embodiment, the in-tank holder 14 can be fixedly arranged avoiding the vertical path as in the embodiment. , Which is structurally simpler.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、基板を保持する2つの別の手段である槽内保持
手段および移動保持手段が、基板処理中に、それぞれ異
なる基板の周縁部を保持するように交代する。
As described above, according to the first aspect of the present invention, two different means for holding a substrate, namely, the holding means in the tank and the moving holding means, are used to separate different substrates during the substrate processing. Alter to keep the periphery.

【0059】これにより、新鮮な処理液と接触できず表
面処理が不十分であった基板表面部分は、基板を保持す
る手段の交代に伴い、それと異なる基板表面部分に持ち
替えられるため、処理不十分であった基板表面部分が新
鮮な処理液で処理されるようになる。したがって、上記
の基板保持部分で他の基板表面部分に比べ処理品質が低
下するという状況も生じなくなる。その結果、基板表面
の全面にわたり良好に処理を施すことができる。
As a result, the surface portion of the substrate, which has not been able to come into contact with the fresh processing solution and has been insufficiently surface-treated, is replaced by a different substrate surface portion due to the change of the means for holding the substrate. The substrate surface portion, which has been used, is treated with the fresh processing solution. Therefore, the situation in which the processing quality is reduced in the substrate holding portion as compared with other substrate surface portions does not occur. As a result, the processing can be favorably performed over the entire surface of the substrate.

【0060】また、請求項2の発明によれば、槽内保持
手段である保持部材の組は、基板の下半部を保持し互い
に間隔を隔てて配置され、また移動保持手段は、この間
隔において基板の下側周縁部を保持している。その結
果、移動保持手段は、その移動経路を槽内保持手段に干
渉されずスムーズに処理槽の内部と外部との間で基板の
受渡しが可能となり、槽内保持手段の構成も簡単で済
む。
According to the second aspect of the present invention, the set of holding members, which are holding means in the tank, hold the lower half of the substrate and are spaced apart from each other. Holds the lower peripheral portion of the substrate. As a result, the moving and holding means can smoothly transfer the substrate between the inside and the outside of the processing tank without interfering with the moving path of the in-tank holding means, and the structure of the in-tank holding means can be simplified.

【0061】また、請求項3の発明によれば、保持部材
の組は、基板の周縁部を保持するための溝を刻設した板
材であるため、この部材の製作が比較的簡便であり、か
つ確実に基板を保持することができる。
According to the third aspect of the present invention, since the holding member set is a plate material in which a groove for holding the peripheral portion of the substrate is formed, the manufacturing of the member is relatively simple. In addition, the substrate can be reliably held.

【0062】また、請求項4の発明によれば、請求項3
の発明と同様に、保持部材の組は、基板の周縁部を保持
するための溝を刻設した棒材であるため、この部材の製
作が比較的簡便であり、かつ確実に基板を保持すること
ができる。
Further, according to the invention of claim 4, according to claim 3,
Similarly to the invention of the above, the set of holding members is a bar material in which a groove for holding the peripheral portion of the substrate is engraved, so that the production of this member is relatively simple, and the substrate is securely held. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係る基板処理装置を組
み込んだ基板処理ユニットを示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a substrate processing unit incorporating a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の基板処理装置の要部構成を示す正面図で
ある。
FIG. 2 is a front view illustrating a main configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1;

【図3】図1の基板処理装置の要部構成を示す側面図で
ある。
FIG. 3 is a side view illustrating a main configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1;

【図4】図2の位置関係と異なる基板処理中の移動保持
手段の位置を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a position of a moving holding unit during substrate processing different from the positional relationship of FIG. 2;

【図5】処理槽の外部と基板を受渡しする際の様子を示
す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state when a substrate is transferred to and from the outside of a processing tank.

【図6】図2のVI−VI位置から見た拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view as viewed from a position VI-VI in FIG. 2;

【図7】図4のVII−VII位置から見た拡大断面図であ
る。
FIG. 7 is an enlarged sectional view as viewed from a position VII-VII in FIG. 4;

【図8】本発明の第2実施形態に係る基板処理装置の要
部構成を示す正面図である。
FIG. 8 is a front view illustrating a main configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の変形例に係る基板処理装置の要部構成
を示す正面図である。
FIG. 9 is a front view showing a main configuration of a substrate processing apparatus according to a modification of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 処理槽 6 処理液 10 リフタ 11 吊設部材 12 基板保持枠 13 基板保持部材 13G 溝 14 槽内ホルダ 14G 溝 20 昇降機構 W 基板 Reference Signs List 5 processing tank 6 processing liquid 10 lifter 11 hanging member 12 substrate holding frame 13 substrate holding member 13G groove 14 tank holder 14G groove 20 lifting mechanism W substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 公二 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB24 AB44 BB04 BB85 BB93 BB96 CB15 CC13 4K057 WA11 WB06 WE07 WM02 WM03 WM11 WM18 WN01 5F043 AA01 EE02 EE35 EE36  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Koji Hasegawa 4-chome Tenjin Kitamachi 1-chome, Horikawa-dori-Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto F-term (reference) in Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. 3B201 AA03 AB24 AB44 BB04 BB85 BB93 BB96 CB15 CC13 4K057 WA11 WB06 WE07 WM02 WM03 WM11 WM18 WN01 5F043 AA01 EE02 EE35 EE36

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理液に基板を浸漬させることにより前
記基板の表面処理を行うにあたって、前記基板を保持し
て前記処理液の内部と外部との間で昇降移動する手段の
基板保持部が、前記処理液への前記基板の投入から引上
げまでの期間にわたって前記基板とともに前記処理液中
に浸漬された状態にある基板処理装置であって、 (a)前記処理液を貯留する処理槽と、 (b)前記処理槽内に配置され、前記処理液中の所定位置
に前記基板を保持する槽内保持手段と、 (c)前記基板のうち前記槽内保持手段により保持される
部分とは異なる部分を保持する基板保持部を有し、前記
処理槽外で前記基板の受渡しを行うとともに、前記所定
位置において前記槽内保持手段との間の前記基板の受渡
しを行い、かつ前記所定位置で前記基板の処理が行われ
ている間は前記処理液中において前記基板保持部が前記
基板から離れて待避する移動保持機構と、を備えること
を特徴とする基板処理装置。
In performing a surface treatment of the substrate by immersing the substrate in a processing liquid, a substrate holding unit of means for holding the substrate and moving up and down between the inside and the outside of the processing liquid includes: A substrate processing apparatus in a state where the substrate is immersed in the processing liquid together with the substrate over a period from the introduction of the substrate to the processing liquid until the substrate is pulled up, wherein: (a) a processing tank that stores the processing liquid; b) an in-tank holding unit that is disposed in the processing tank and holds the substrate at a predetermined position in the processing liquid; and (c) a portion of the substrate that is different from a portion held by the in-tank holding unit. Having a substrate holding portion for holding the substrate, transferring the substrate outside the processing tank, transferring the substrate between the holding means in the tank at the predetermined position, and the substrate at the predetermined position Is being processed A moving and holding mechanism for moving the substrate holding unit away from the substrate in the processing liquid during the processing.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記槽内保持手段は、 (b-1) 互いに間隔を隔てて配置され、前記処理槽内で起
立姿勢とされた前記基板の下半部の両側を保持する保持
部材の組、を備え、 前記移動保持機構は、前記保持部材の組の間の前記間隔
において前記基板の下側周縁部を保持するものであり、 前記所定位置で前記基板の処理が行われている間は、前
記移動保持機構の基板保持部が前記所定位置の下方にお
いて基板から離れて待避することを特徴とする基板処理
装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the in-tank holding means comprises: (b-1) a lower half of the substrate which is arranged at an interval from each other and is in an upright posture in the processing tank. A pair of holding members for holding both sides of the portion, wherein the moving and holding mechanism holds the lower peripheral portion of the substrate at the interval between the sets of the holding members, and at the predetermined position, The substrate processing apparatus is characterized in that, while the substrate is being processed, the substrate holding portion of the moving and holding mechanism is separated from the substrate and evacuated below the predetermined position.
【請求項3】 請求項2記載の基板処理装置において、 前記保持部材の組は、前記基板の周縁部を保持するため
の溝を刻設した板材の組であることを特徴とする基板処
理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the set of holding members is a set of plate members provided with a groove for holding a peripheral portion of the substrate. .
【請求項4】 請求項2記載の基板処理装置において、 前記保持部材の組は、前記基板の周縁部を保持するため
の溝を刻設した棒材の組であることを特徴とする基板処
理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the set of holding members is a set of bar members provided with a groove for holding a peripheral edge of the substrate. apparatus.
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