JP2000108513A

JP2000108513A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2000108513A
Application number: JP10282663A
Authority: JP
Inventors: Takashi Tsukahara; 宇塚原; Tsutayoshi Misawa; 伝美三沢; Akira Ogiso; 章小木曽; Taizo Nishimoto; 泰三西本; Hirosuke Takuma; 啓輔詫摩
Original assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1998-10-05
Filing date: 1998-10-05
Publication date: 2000-04-18

Abstract

(57)【要約】【課題】波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供す
る。【解決手段】基板上に少なくとも記録層と反射層を有
する光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）
で示される化合物を含有する光記録媒体。【化１】〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、ア
リールチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アシル
基、アリール基、ヘテロアリール基、またはアルキルス
ルホン酸基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表
し、Ａは炭素数２０以下の置換または未置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色レーザー光により記録・再生可
能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記可能なＣＤ−Ｒ（CD-Recordable）が広く普及
している。ＣＤ−Ｒの記録容量は０．６５ＧＢ程度であ
るが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対す
る高密度化および大容量化への要求は高まっている。

【０００３】記録および再生用レーザーの短波長化によ
りビームスポットを小さくすることができ、高密度な光
記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利
用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８
０ｎｍ、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍの赤色半導体レー
ザーが実用化されている〔例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年１０月１１日
号〕。これらの半導体レーザーを用い、２時間以上の動
画をデジタル記録したＤＶＤが実用化されている。ＤＶ
Ｄは再生専用媒体であるため、この容量に対応する追記
型光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の開発も進んでいる。

【０００４】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色半導体レーザーの開発も
急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクス、Ｎ
ｏ．７０８、Ｐ．１１７、１９９８年１月２６日号〕、
それに対応した追記型光記録媒体の開発も行われてい
る。

【０００５】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
または変化しやすいものはピット間および半径方向への
影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難にな
る。従来のＣＤ−Ｒ媒体は、超高密度記録で用いられる
青色半導体レーザー波長では、記録層の屈折率も低く、
消衰係数も適度な値ではないため、反射率の低下、エラ
ーレートの増大、ジッターの増大により、良好な記録・
再生ができない。従って、記録層に用いる化合物には青
色半導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切
な化合物を選択する必要がある。しかし、実際に提案さ
れている化合物の例は、特開平７−３０４２５６号公報
などに記載のポルフィリン化合物など、ごく限られた例
しかないため、その開発が急務となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー
光で良好な記録および再生が可能な超高密度記録に適し
た化合物を記録層に有する光記録媒体を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光
記録媒体において、記録層中に、下記一般式（１）で示
される化合物を含有する光記録媒体、

【０００８】

【化２】

【０００９】〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は各々独立に水素原子、
ハロゲン原子、炭素数２０以下の置換または未置換のア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオ
キシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル
基、アシル基、アリール基、ヘテロアリール基、または
アルキルスルホン酸基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄
原子を表し、Ａは炭素数２０以下の置換または未置換の
アリール基またはヘテロアリール基を表す。〕一般式（１）で表される化合物のＡが、置換または未
置換のフェニル基、ナフチル基、フリル基、ピロリル
基、またはチエニル基であるに記載の光記録媒体、波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレ
ーザー光に対して記録および再生が可能であるまたは
に記載の光記録媒体に関するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００１１】この光記録媒体は基板１、記録層２、反射
層３および保護層４が順次積層している４層構造を有し
ている。これを図１に示すように単板で用いてもよく、
図２に示すようにＤＶＤのように接着層５で貼り合わせ
ても良い。

【００１２】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。

【００１３】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式（１）で示される化合
物を含有する。

【００１４】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示される化合物のＲ₁〜Ｒ₄、およびＡの具体例を次に
述べる。

【００１５】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

【００１６】置換または未置換のアルキル基としては、
直鎖または分岐または環状のアルキル基、アルコキシア
ルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキ
シアルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル
基、アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル
基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアル
キル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基、
シアノアルキル基、アシルオキシアルキル基、アシルオ
キシアルコキシアルキル基、アシルオキシアルコキシア
ルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル、スルホンア
ルキル基、アルキルカルボニルアミノアルキル基、アル
キルスルホンアミノアルキル基、スルホンアミドアルキ
ル基、アルキルアミノアルキル基、アミノアルキル基、
およびアルキルスルホンアルキル基の中から選択され
る。

【００１７】直鎮または分岐または環状のアルキル基と
しては、ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリ
オレフィン基板などへの塗布による加工性を考慮すれ
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペ
ンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、
ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、
１，１−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチ
ルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペン
チル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチル
ブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチ
ルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメ
チルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル
基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチ
ル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−
２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−
ヘブチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシ
ル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、
２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エ
チルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，
５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキ
シル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，
５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル
基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチ
ルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、
１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチル
オクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデ
シル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テト
ラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘ
ブチル基、２，６−ジメチルヘブチル基、２，４−ジメ
チルヘブチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシ
ル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプ
ロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチ
ルプロピル基などが挙げられる。

【００１８】アルコキシアルキル基の例としては、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−
ヘキシルオキシエチル基、４−メチルペントキシエチル
基、１，３−ジメチルブトキシエチル基、２−エチルヘ
キシルオキシエチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、
３，５，５−トリメチルヘキシルオキシエチル基、２−
メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシエチル基、３
−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシエチル
基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシ
ブチル基、３，３，３−トリフルオロプロポキシエチル
基、３，３，３−トリクロロプロポキシエチル基などが
挙げられる。

【００１９】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、１，２
−ジメチルプロポキシエトキシエチル基、３−メチル−
１−ｉｓｏ−ブチルブトキシエトキシエチル基、２−メ
トキシ−１−メチルエトキシエチル基、２−ブトキシ−
１−メチルエトキシエチル基、２−（２’−エトキシ−
１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、３，
３，３−トリフルオロプロポキシエトキシエチル基、
３，３，３−トリクロロプロポキシエトキシエチル基な
どが挙げられる。

【００２０】アルコキシアルコキシアルコキシアルキル
基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、
エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシ
エトキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシ
エトキシエトキシエチル基、２，２，２−トリクロロエ
トキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００２１】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基、２，２，３，３−テトラフル
オロプロポキシカルボニルメチル基、２，２，３，３−
テトラクロロプロポキシカルボニルメチル基などが挙げ
られる。

【００２２】アルコキシカルボニルオキシアルキル基の
例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシカル
ボニルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキ
シカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。

【００２３】アルコキシアルコキシカルボニルオキシア
ルキル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、
２，２，２−トリフルオロエトキシエトキシカルボニル
オキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。

【００２４】ヒドロキシアルキル基の例としては、２−
ヒドロキシエチル基、４−ヒドロキシエチル基、２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−
３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシ
プロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル
基、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル基、２−
ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基などが
挙げられる。

【００２５】ヒドロキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒド
ロキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル
基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキ
シ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシ
プロポキシ）エチル基などが挙げられる。

【００２６】ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル
基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシエチル
基、［２’−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキ
シ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、
［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキ
シ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、
［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）
−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などが挙げ
られる。

【００２７】シアノアルキル基の例としては、２−シア
ノエチル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メ
トキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル
基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキ
シ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−フェノキ
シプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチ
ル基などが挙げられる。

【００２８】アシルオキシアルキル基の例としては、ア
セトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチ
リルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、１−エ
チルペンチルカルボニルオキシエチル基、２，４，４−
トリメチルペンチルカルボニルオキシエチル基、３−フ
ルオロブチリルオキシエチル基、３−クロロブチリルオ
キシエチル基などが挙げられる。

【００２９】アシルオキシアルコキシアルキル基の例と
しては、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオ
キシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル
基、１−エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチ
ル基、２，４，４−トリメチルペンチルカルボニルオキ
シエトキシエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシ
エトキシエチル基、２−クロロプロピオニルオキシエト
キシエチル基などが挙げられる。

【００３０】アシルオキシアルコキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、アセトキシエトキシエトキシエチル
基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バ
レリルオキシエトキシエトキシエチル基、１−エチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、
２，４，４−トリメチルペンチルカルボニルオキシエト
キシエトキシエチル基、２−フルオロプロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、２−クロロプロピオニル
オキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００３１】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ロメチル基、クロロエチル基、２，２，２−トリフルオ
ロエチル基、トリフルオロメチル基、ブロモメチル基、
ヨウ化メチル基などが挙げられる。

【００３２】スルホンアルキル基の例としては、スルホ
ンメチル基、スルホンエチル基、スルホンプロピル基な
どが挙げられる。

【００３３】アルキルカルボニルアミノアルキル基の例
としては、メチルカルボニルアミノエチル基、エチルカ
ルボニルアミノエチル基、プロピルカルボニルアミノエ
チル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、ス
クシンイミノエチル基などが挙げられる。

【００３４】アルキルスルホンアミノアルキル基の例と
しては、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホ
ンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基な
どが挙げられる。

【００３５】スルホンアミドアルキル基の例としては、
スルホンアミドメチル基、スルホンアミドエチル基、ス
ルホンアミドプロピル基などが挙げられる。

【００３６】アルキルアミノアルキル基の例としては、
Ｎ−メチルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメ
チル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジ
プロピルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノメチ
ル基などが挙げられる。

【００３７】アミノアルキル基の例としては、アミノメ
チル基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げ
られる。

【００３８】アルキルスルホンアルキル基の例として
は、メチルスルホンメチル基、エチルスルホンメチル
基、ブチルスルホンメチル基、メチルスルホンエチル
基、エチルスルホンエチル基、ブチルスルホンエチル
基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホン
メチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスル
ホンメチル基などが挙げられる。

【００３９】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−
ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペン
トキシ基、ｎｅｏ−ペントキシ基、２−メチルブトキシ
基などの低級アルコキシ基が挙げられる。

【００４０】置換または未置換のアシル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル
基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボ
ニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチル
カルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチル
カルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ｎｅｏ
−ペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル
基、ニトロベンジルカルボニル基などが挙げられる。

【００４１】置換または未置換のアリール基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メ
チルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフ
チル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチ
ルナフチル基などが挙げられる。

【００４２】置換または未置換のアラルキル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。

【００４３】置換または未置換のアルケニル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルケニル基であり、好ましくは、プロペニル基、１−
ブチニル基、ｉｓｏ−ブチニル基、１−ペンテニル基、
２−ペンテニル基、２−メチル−１−プチニル基、３−
メチル−１−ブチニル基、２−メチル−２−ブチニル
基、２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−２−メチ
ルカルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メチルスル
ホンビニル基などの低級アルケニル基が挙げられる。

【００４４】置換または未置換のアルキルチオ基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピル
チオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓ
ｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチル
チオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチルチ
オ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエ
チルチオ基などの低級アルキルチオ基が挙げられる。

【００４５】置換または未置換のアリールオキシ基の例
としては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有
するアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ
基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ
基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノ
キシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基などが挙げ
られる。

【００４６】置換または未置換のアリールチオ基の例と
しては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有す
るアリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ
基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニル
チオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基などが挙げられ
る。

【００４７】置換または未置換のヘテロアリール基の例
としては、ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキ
サゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基などを挙げることができる。

【００４８】置換または未置換のアルキルスルホン基の
例としては、上記にあげたアルキル基と同様な置換基を
有するアルキルスルホン基であり、好ましくは、メチル
スルホン基、エチルスルホン基、ｎ−プロピルスルホン
基、ｉｓｏ−プロピルスルホン基、ｎ−ブチルスルホン
基、ｉｓｏ−ブチルスルホン基、ｓｅｃ−ブチルスルホ
ン基、ｔ−ブチルスルホン基、ｎ−ペンチルスルホン
基、ｉｓｏ−ブチルスルホン基、ｎｅｏ−ペンチルスル
ホン基、２−メチルブチルスルホン基、２−ヒドロキシ
エチルスルホン基、２−シアノエチルスルホン基などが
挙げられる。

【００４９】本発明の一般式（１）で示される化合物
は、公知の方法、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．６３，３２０３（１９４１）などの記載に準じて容
易に製造することができる。すなわち、一般式（２）に
表される化合物と、一般式（３）に表される化合物を塩
酸等を触媒として反応させることで製造できる。

【００５０】

【化３】

【００５１】Ａ−ＣＨＯ（３）〔式（２）、（３）中、Ｒ₁〜Ｒ₄、Ｘ、Ａは前記と同じ
意味を示す。〕一般式（１）で示される化合物の具体例を表１に示す。

【００５２】

【表１】

【００５３】また、記録特性などの改善のために、波長
３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸収極大を持ち、４００ｎｍ
〜５００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混
合しても良い。具体的には、シアニン化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００５４】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外
線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのよ
うな効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導
入することも可能である。

【００５５】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【００５６】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン［Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（ＣＯ）
₃〕などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセ
ン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。

【００５７】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【００５８】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、他種
類を混合して用いても良い。

【００５９】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【００６０】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００６１】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、３０％以上、好ましくは６０
％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ま
しい。

【００６２】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００６３】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０重量
％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。

【００６４】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００６５】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００６６】記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍ
であるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が３００ｎｍ
より厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化す
る場合がある。

【００６７】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【００６８】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【００６９】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂な
どが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適
当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによ
って形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのま
まもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に
この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させること
によって形成することができる。紫外線硬化性樹脂とし
ては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート
樹脂を用いることができる。これらの材料は単独である
いは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にし
て用いても良い。

【００７０】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【００７１】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。

【００７２】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。

【００７３】また、反射層面に保護シ−トまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【００７４】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【００７５】ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８
８ｎｍのアルゴンレーザー、波長約４１０ｎｍのＧａＮ
系半導体レーザー、波長約８５０ｎｍの赤外線レーザー
の第２高調波４２５ｎｍを発振する半導体レーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。

【００７６】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【００７７】実施例１一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−
１）０．２ｇをジアセトンアルコール１０ｍｌに溶解
し、化合物溶液を調製した。

【００７８】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：０．７μｍ）を有する外径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶
液を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で
３時間乾燥して記録層を形成した。

【００７９】この記録層の上に島津製作所製スパッタ装
置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層
を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー０．５Ａ、スパッ
タガス圧１．０×１０^-3ｔｏｒｒで行った。

【００８０】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
した後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫
外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。

【００８１】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行っ
た。

【００８２】４３０ｎｍの青色高調波変換レーザーヘッ
ド（ＮＡ＝０．６５）を搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、最短ピットが０．
４μｍのＥＦＭ変調信号を、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を
用いてレーザー出力を０．５ｍＷにして信号を再生し、
反射率、エラーレート及びジッターを測定した結果、い
ずれも良好な値を示した。なお、再生の際はイコライゼ
ーション処理を施した。

【００８３】この記録した媒体について、加速劣化試験
（湿度８５％ＲＴ、８０℃で１００時間）を行い、試験
後の反射率、エラーレート及びジッターを測定した結
果、変化は小さく優れた耐久性を有することが確認され
た。

【００８４】実施例２〜１７記録層に化合物（１−２）〜（１−１７）を用いること
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピッ
トを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれ
の場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐｓ
以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。また、
加速劣化試験後の反射率の変化は２％以下、エラーレー
トの変化は２ｃｐｓ以下、ジッターの変化は１％以下
と、優れた耐久性を有することが確認された。

【００８５】表２にそれぞれの実施例における加速劣化
試験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【００８６】

【表２】

【００８７】

【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光
記録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１：基板２：記録層３：反射層４：保護層５：接着層

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０７Ｄ 413/06 ３３３Ｃ０７Ｄ 413/06 ３３３ 413/12 ３０７ 413/12 ３０７ 417/06 ２０７ 417/06 ２０７３０７３０７３３３３３３Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ (72)発明者三沢伝美神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者小木曽章神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者西本泰三神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者詫摩啓輔神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FA12 FB42 4C056 AA01 AB01 AC02 AD03 AE02 CA03 CA09 CA12 CC01 CD01 CD03 CD07 4C063 AA01 BB01 BB03 CC52 CC62 CC75 CC92 DD04 DD52 DD62 EE05 5D029 JA04 JC17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも記録層および反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）
で示される化合物を含有する光記録媒体。【化１】〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、ア
リールチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アシル
基、アリール基、ヘテロアリール基、またはアルキルス
ルホン酸基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表
し、Ａは炭素数２０以下の置換または未置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表す。〕
【請求項２】一般式（１）で表される化合物のＡが、
置換または未置換のフェニル基、ナフチル基、フリル
基、ピロリル基、またはチエニル基である請求項１に記
載の光記録媒体。
【請求項３】波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能で
ある請求項１または請求項２に記載の光記録媒体。