JP2000076695A - 光ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
光ヘッドおよびその製造方法Info
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ソリッドイマージョンレンズを利用する光ヘ
ッドにおいて、精度の向上、量産性の向上、小型化を実
現する。 【解決手段】 光情報媒体への照射光を集光するための
対物レンズと、光情報媒体と対物レンズとの間に設けら
れ、実効的な開口数を変換するソリッドイマージョンレ
ンズとを備える光ヘッドであって、一部が成形されて対
物レンズ12となっている板状の対物レンズ基板11
と、一部が成形されてソリッドイマージョンレンズ22
となっている板状のソリッドイマージョンレンズ基板2
1とが、スペーサ31を介して一体化され、対物レンズ
12とソリッドイマージョンレンズ22との間に空隙が
存在する光ヘッド。
ッドにおいて、精度の向上、量産性の向上、小型化を実
現する。 【解決手段】 光情報媒体への照射光を集光するための
対物レンズと、光情報媒体と対物レンズとの間に設けら
れ、実効的な開口数を変換するソリッドイマージョンレ
ンズとを備える光ヘッドであって、一部が成形されて対
物レンズ12となっている板状の対物レンズ基板11
と、一部が成形されてソリッドイマージョンレンズ22
となっている板状のソリッドイマージョンレンズ基板2
1とが、スペーサ31を介して一体化され、対物レンズ
12とソリッドイマージョンレンズ22との間に空隙が
存在する光ヘッド。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の回折限界を超
えて光記録媒体上の情報を記録再生できる光ヘッドと、
その製造方法とに関する。
えて光記録媒体上の情報を記録再生できる光ヘッドと、
その製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】光記録デバイスの大容量化、小型化にと
もない、記録ビットの高密度化が要求されている。
もない、記録ビットの高密度化が要求されている。
【0003】光記録におけるビットサイズは、光ビーム
のスポットサイズ径に相当し、光の波長λに比例、か
つ、開口数NAに反比例する。そのため、高密度化の方
向としては、光の短波長化、使用レンズの高NA化の2
種類が挙げられる。
のスポットサイズ径に相当し、光の波長λに比例、か
つ、開口数NAに反比例する。そのため、高密度化の方
向としては、光の短波長化、使用レンズの高NA化の2
種類が挙げられる。
【0004】レンズの高NA化技術として、ソリッドイ
マージョンレンズ(SIL:固浸レンズ)を用いた方法
が提案されている[米国特許第5,004,307号明
細書(文献1), Applied Physics Letters 57, p2615-
2616 (1990)(文献2)]。
マージョンレンズ(SIL:固浸レンズ)を用いた方法
が提案されている[米国特許第5,004,307号明
細書(文献1), Applied Physics Letters 57, p2615-
2616 (1990)(文献2)]。
【0005】SILは屈折率の大きい透明材質で構成さ
れる半球状レンズである。対物レンズで収束した光ビー
ムをSILの球面に対して垂直に入射させ、SILの底
面の中心に集光させる。その状態でSILを試料表面に
接近させ、波長λの1/4以内の間隔で試料に光を入射
させると、λ/nの波長の光が試料に伝搬し、回折限界
で決定されるビームスポット径を1/nにすることがで
きる。
れる半球状レンズである。対物レンズで収束した光ビー
ムをSILの球面に対して垂直に入射させ、SILの底
面の中心に集光させる。その状態でSILを試料表面に
接近させ、波長λの1/4以内の間隔で試料に光を入射
させると、λ/nの波長の光が試料に伝搬し、回折限界
で決定されるビームスポット径を1/nにすることがで
きる。
【0006】Applied Physics Letters 65, p388-390
(1994)(文献3)には、SILの球面で入射光を屈折さ
せ、スポット径を 1/n2とする方法が示されている。
この場合のSILは半球状レンズではなく、レンズ半径
をr、レンズ屈折率をnとしたとき、厚さがr(1+1
/n)である、いわゆる超半球レンズになる。
(1994)(文献3)には、SILの球面で入射光を屈折さ
せ、スポット径を 1/n2とする方法が示されている。
この場合のSILは半球状レンズではなく、レンズ半径
をr、レンズ屈折率をnとしたとき、厚さがr(1+1
/n)である、いわゆる超半球レンズになる。
【0007】米国特許第5,497,359号明細書
(文献4)には、SILと、これを貼り付けるスライ
ダ、スライダを支持するサスペンション、光源、記録媒
体を有するディスク、その回転用のモータを備える光記
録システムが開示されている。前述のように、SILと
試料表面(この場合、記録媒体表面)との間隔は光の波
長λの1/4以内を維持する必要があるので、SILを
浮上スライダに搭載してλ/4以内の間隔に制御してい
る。浮上スライダは、磁気記録分野において磁気ディス
ク装置用ヘッドに利用されており、上記間隔(浮上量)
を100nm以下に安定して制御することができる技術で
ある。
(文献4)には、SILと、これを貼り付けるスライ
ダ、スライダを支持するサスペンション、光源、記録媒
体を有するディスク、その回転用のモータを備える光記
録システムが開示されている。前述のように、SILと
試料表面(この場合、記録媒体表面)との間隔は光の波
長λの1/4以内を維持する必要があるので、SILを
浮上スライダに搭載してλ/4以内の間隔に制御してい
る。浮上スライダは、磁気記録分野において磁気ディス
ク装置用ヘッドに利用されており、上記間隔(浮上量)
を100nm以下に安定して制御することができる技術で
ある。
【0008】Applied Physics Letters 68,P141-143(19
96)(文献5)には、前述のSILを貼り付けたスライ
ダを光ピックアップヘッドに組み込み、TeFeCoを
記録材料とする光磁気記録媒体を用いて記録、再生を行
った例が報告されている。この例では、SILは屈折率
1.83のガラスでできており、150nmの浮上量で3
60nmのスポット径を実現している。
96)(文献5)には、前述のSILを貼り付けたスライ
ダを光ピックアップヘッドに組み込み、TeFeCoを
記録材料とする光磁気記録媒体を用いて記録、再生を行
った例が報告されている。この例では、SILは屈折率
1.83のガラスでできており、150nmの浮上量で3
60nmのスポット径を実現している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】文献1、2に示される
ように、SILを用いた顕微鏡では100nmのラインー
スペースが観察され、分解能が非常に向上している。た
だし、光記録媒体に対し、高速に記録、再生を行うため
には、文献4、5に示されるように、SILを浮上スラ
イダと一体化する必要がある。しかし、文献4、5で
は、SILをスライダに接着する方法を採っているた
め、製造に非常に手間がかかり、量産には適さない。
ように、SILを用いた顕微鏡では100nmのラインー
スペースが観察され、分解能が非常に向上している。た
だし、光記録媒体に対し、高速に記録、再生を行うため
には、文献4、5に示されるように、SILを浮上スラ
イダと一体化する必要がある。しかし、文献4、5で
は、SILをスライダに接着する方法を採っているた
め、製造に非常に手間がかかり、量産には適さない。
【0010】また、SILを利用する光ヘッドでは、S
ILに集光させるための対物レンズが必要であり、か
つ、この対物レンズはSILに対し極めて高精度に位置
決めされている必要がある。しかし、文献4には、スラ
イダ上に支持体を載せ、この支持体に、半導体レーザー
およびフォトディテクタを含むアセンブリと共に対物レ
ンズを搭載している例が記載されているだけである。こ
のような構造にすると、高精度の位置決めが困難であ
り、また、量産が難しく、また、光ヘッドが大型化して
しまうという問題がある。一方、文献5では、通常の光
磁気ディスクのテストシステムにSILを搭載したスラ
イダを組み込んでおり、対物レンズとスライダとの一体
化および小型化については考慮されていない。
ILに集光させるための対物レンズが必要であり、か
つ、この対物レンズはSILに対し極めて高精度に位置
決めされている必要がある。しかし、文献4には、スラ
イダ上に支持体を載せ、この支持体に、半導体レーザー
およびフォトディテクタを含むアセンブリと共に対物レ
ンズを搭載している例が記載されているだけである。こ
のような構造にすると、高精度の位置決めが困難であ
り、また、量産が難しく、また、光ヘッドが大型化して
しまうという問題がある。一方、文献5では、通常の光
磁気ディスクのテストシステムにSILを搭載したスラ
イダを組み込んでおり、対物レンズとスライダとの一体
化および小型化については考慮されていない。
【0011】本発明は、このような事情からなされたも
のである。本発明の目的は、ソリッドイマージョンレン
ズを利用する光ヘッドにおいて、精度の向上、量産性の
向上、小型化を実現することである。
のである。本発明の目的は、ソリッドイマージョンレン
ズを利用する光ヘッドにおいて、精度の向上、量産性の
向上、小型化を実現することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記(1)
〜(6)のいずれかの構成により達成される。 (1) 光情報媒体への照射光を集光するための対物レ
ンズと、光情報媒体と対物レンズとの間に設けられ、実
効的な開口数を変換するソリッドイマージョンレンズと
を備える光ヘッドであって、一部が成形されて対物レン
ズとなっている板状の対物レンズ基板と、一部が成形さ
れてソリッドイマージョンレンズとなっている板状のソ
リッドイマージョンレンズ基板とが、スペーサを介して
一体化され、対物レンズとソリッドイマージョンレンズ
との間に空隙が存在する光ヘッド。 (2) 対物レンズ基板およびソリッドイマージョンレ
ンズ基板がガラスから構成され、スペーサがシリコンか
ら構成されている上記(1)の光ヘッド。 (3) 対物レンズ基板およびソリッドイマージョンレ
ンズ基板がシリコンから構成され、スペーサがガラスか
ら構成されている上記(1)の光ヘッド。 (4) 対物レンズ基板、ソリッドイマージョンレンズ
基板およびスペーサが、スライダの少なくとも一部を構
成している上記(1)〜(3)のいずれかの光ヘッド。 (5) 上記(1)〜(4)のいずれかの光ヘッドを製
造する方法であって、対物レンズを複数形成した対物レ
ンズアレイ基板と、ソリッドイマージョンレンズを複数
形成したソリッドイマージョンレンズアレイ基板とを、
スペーサを挟んで一体化した後、複数の光ヘッドを切り
出す工程を有する光ヘッドの製造方法。 (6) 対物レンズアレイ基板およびソリッドイマージ
ョンレンズアレイ基板と、スペーサとの一体化を、陽極
接合法により行う上記(5)の光ヘッドの製造方法。
〜(6)のいずれかの構成により達成される。 (1) 光情報媒体への照射光を集光するための対物レ
ンズと、光情報媒体と対物レンズとの間に設けられ、実
効的な開口数を変換するソリッドイマージョンレンズと
を備える光ヘッドであって、一部が成形されて対物レン
ズとなっている板状の対物レンズ基板と、一部が成形さ
れてソリッドイマージョンレンズとなっている板状のソ
リッドイマージョンレンズ基板とが、スペーサを介して
一体化され、対物レンズとソリッドイマージョンレンズ
との間に空隙が存在する光ヘッド。 (2) 対物レンズ基板およびソリッドイマージョンレ
ンズ基板がガラスから構成され、スペーサがシリコンか
ら構成されている上記(1)の光ヘッド。 (3) 対物レンズ基板およびソリッドイマージョンレ
ンズ基板がシリコンから構成され、スペーサがガラスか
ら構成されている上記(1)の光ヘッド。 (4) 対物レンズ基板、ソリッドイマージョンレンズ
基板およびスペーサが、スライダの少なくとも一部を構
成している上記(1)〜(3)のいずれかの光ヘッド。 (5) 上記(1)〜(4)のいずれかの光ヘッドを製
造する方法であって、対物レンズを複数形成した対物レ
ンズアレイ基板と、ソリッドイマージョンレンズを複数
形成したソリッドイマージョンレンズアレイ基板とを、
スペーサを挟んで一体化した後、複数の光ヘッドを切り
出す工程を有する光ヘッドの製造方法。 (6) 対物レンズアレイ基板およびソリッドイマージ
ョンレンズアレイ基板と、スペーサとの一体化を、陽極
接合法により行う上記(5)の光ヘッドの製造方法。
【0013】
【発明の実施の形態】図1に、本発明の光ヘッドの構成
例の主要部を示す。この光ヘッドは、光記録媒体に照射
光を集光するための対物レンズ12と、実効的な開口数
を変換するソリッドイマージョンレンズ(以下、SI
L)22とを有する。対物レンズ12は、板状の対物レ
ンズ基板(以下、OL基板)11の一部を成形すること
により形成されており、SIL22は、板状のSIL基
板21の一部を成形することにより形成されている。O
L基板11とSIL基板21とは、板状のスペーサ31
を介して一体化されている。スペーサ31には貫通孔3
2が設けられ、対物レンズ12とSIL22との間は、
貫通孔32による空隙が存在する。
例の主要部を示す。この光ヘッドは、光記録媒体に照射
光を集光するための対物レンズ12と、実効的な開口数
を変換するソリッドイマージョンレンズ(以下、SI
L)22とを有する。対物レンズ12は、板状の対物レ
ンズ基板(以下、OL基板)11の一部を成形すること
により形成されており、SIL22は、板状のSIL基
板21の一部を成形することにより形成されている。O
L基板11とSIL基板21とは、板状のスペーサ31
を介して一体化されている。スペーサ31には貫通孔3
2が設けられ、対物レンズ12とSIL22との間は、
貫通孔32による空隙が存在する。
【0014】対物レンズ12はOL基板11と同材質で
あり、また、SIL22は、SIL基板21と同材質で
ある。OL基板11とSIL基板21とは、同材質であ
っても異材質であってもよい。使用する光の波長におい
てレンズとして機能する材料の中から、各基板の構成材
料を適宜選択すればよい。OL基板11およびSIL基
板21それぞれの平板部厚さは、レンズ設計に基づき、
それぞれの材質と使用する光の波長とを考慮して適宜決
定すればよいが、一般に、OL基板の厚さは200μm
〜2mmの範囲から、SIL基板の厚さは200μm〜1m
mの範囲から選択すればよい。
あり、また、SIL22は、SIL基板21と同材質で
ある。OL基板11とSIL基板21とは、同材質であ
っても異材質であってもよい。使用する光の波長におい
てレンズとして機能する材料の中から、各基板の構成材
料を適宜選択すればよい。OL基板11およびSIL基
板21それぞれの平板部厚さは、レンズ設計に基づき、
それぞれの材質と使用する光の波長とを考慮して適宜決
定すればよいが、一般に、OL基板の厚さは200μm
〜2mmの範囲から、SIL基板の厚さは200μm〜1m
mの範囲から選択すればよい。
【0015】スペーサ31は、図示例に限らず、両基板
の間隔を精度よく保つことができ、かつ、後述する製造
方法が適用できる構造であればよく、例えばメッシュ状
であってもよい。スペーサ31の厚さ、すなわち、OL
基板11とSIL基板21との間隔は、対物レンズ12
に入射する平行光線のビーム径と対物レンズ12の開口
数とに基づき、SIL22の底面に焦点がくるように適
宜決定すればよいが、一般に1〜3mmの範囲から選択す
ればよい。
の間隔を精度よく保つことができ、かつ、後述する製造
方法が適用できる構造であればよく、例えばメッシュ状
であってもよい。スペーサ31の厚さ、すなわち、OL
基板11とSIL基板21との間隔は、対物レンズ12
に入射する平行光線のビーム径と対物レンズ12の開口
数とに基づき、SIL22の底面に焦点がくるように適
宜決定すればよいが、一般に1〜3mmの範囲から選択す
ればよい。
【0016】両基板とスペーサとの好ましい組み合わせ
としては、両基板をガラスから構成し、かつ、スペーサ
をSiから構成する組み合わせ、および、両基板をSi
から構成し、かつ、スペーサをガラスから構成する組み
合わせが挙げられる。ガラスとSiとは、後述するよう
に陽極接合法により高精度かつ容易に一体化できる。な
お、両基板をガラスから構成する場合、両基板を同一組
成とする必要はなく、それぞれに必要とされる光学的性
質に応じ、最適な組成を選択すればよい。また、このほ
か、少なくとも一方の基板を樹脂から構成してもよい。
としては、両基板をガラスから構成し、かつ、スペーサ
をSiから構成する組み合わせ、および、両基板をSi
から構成し、かつ、スペーサをガラスから構成する組み
合わせが挙げられる。ガラスとSiとは、後述するよう
に陽極接合法により高精度かつ容易に一体化できる。な
お、両基板をガラスから構成する場合、両基板を同一組
成とする必要はなく、それぞれに必要とされる光学的性
質に応じ、最適な組成を選択すればよい。また、このほ
か、少なくとも一方の基板を樹脂から構成してもよい。
【0017】なお、図示例では、対物レンズ12が平凸
レンズであって、その凸面がSIL22側を向いている
が、凸面が逆側を向いていてもよく、また、両凸レンズ
やメニスカスレンズとしてもよい。また、図示例におけ
るSIL22は、平板の上に半球が載った形状であり、
いわゆる超半球状となっているが、平板部をあわせて半
球状となる構造であってもよい。SIL22の曲率半径
は、必要とされる実効的開口率に応じて適宜決定すれば
よい。
レンズであって、その凸面がSIL22側を向いている
が、凸面が逆側を向いていてもよく、また、両凸レンズ
やメニスカスレンズとしてもよい。また、図示例におけ
るSIL22は、平板の上に半球が載った形状であり、
いわゆる超半球状となっているが、平板部をあわせて半
球状となる構造であってもよい。SIL22の曲率半径
は、必要とされる実効的開口率に応じて適宜決定すれば
よい。
【0018】次に、本発明の光ヘッドの製造方法を説明
する。
する。
【0019】この方法では、図2に示すように、対物レ
ンズ12を複数形成した対物レンズアレイ基板(以下、
OLアレイ基板)10と、SIL22を複数形成したソ
リッドイマージョンレンズアレイ基板(以下、SILア
レイ基板)20とを、スペーサ基板30を挟んで一体化
する。そして、一体化した基板を切り出すことにより、
複数の光ヘッドを同時に得る。
ンズ12を複数形成した対物レンズアレイ基板(以下、
OLアレイ基板)10と、SIL22を複数形成したソ
リッドイマージョンレンズアレイ基板(以下、SILア
レイ基板)20とを、スペーサ基板30を挟んで一体化
する。そして、一体化した基板を切り出すことにより、
複数の光ヘッドを同時に得る。
【0020】まず、OLアレイ基板10およびSILア
レイ基板20をガラスから構成し、かつ、スペーサ基板
30をSiから構成する場合について説明する。
レイ基板20をガラスから構成し、かつ、スペーサ基板
30をSiから構成する場合について説明する。
【0021】OLアレイ基板10およびSILアレイ基
板20は、ガラスの型抜きにより作製することができ
る。また、例えば特公昭61−46408号公報に記載
されているようなガラスの熱変形法により形成すること
もできる。
板20は、ガラスの型抜きにより作製することができ
る。また、例えば特公昭61−46408号公報に記載
されているようなガラスの熱変形法により形成すること
もできる。
【0022】スペーサ基板30への貫通孔32の形成に
は、アルカリ溶液によるエッチングを利用することがで
きる。その場合のプロセスの例を、図3により説明す
る。まず、Si(100)基板41の表面に窒化ケイ素
膜42を形成し、さらにその上にフォトレジスト43を
塗布し、これをパターニングしてSi(100)基板4
1に達する孔を形成する(1)。窒化ケイ素膜42の形
成には、例えば、原料ガスとしてSiH4およびNH3を
用いるLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Depo
sition)を利用すればよいが、他の方法を利用してもよ
い。窒化ケイ素膜42のエッチングには、RIE(Reac
tive Ion Etching)等のドライエッチング法、フッ化水
素水溶液を用いるウエットエッチング法のいずれを用い
てもよい。次いで、窒化ケイ素膜42をエッチングマス
クとしてSi(100)基板41をエッチングし、貫通
孔32を形成する(2)。このエッチングには、KOH
水溶液を用いることができる。よく知られているよう
に、Siは(100)面と(111)面とでエッチング
速度が極端に異なるため、このエッチングは異方性エッ
チングとなる。したがって、貫通孔32は、内側面が
(111)面である四角錐状となる。このため、組み立
ての際に、大径の対物レンズと小径のSILとの光軸を
一致させることが容易となる。最後に、窒化ケイ素膜4
2を除去する(3)。
は、アルカリ溶液によるエッチングを利用することがで
きる。その場合のプロセスの例を、図3により説明す
る。まず、Si(100)基板41の表面に窒化ケイ素
膜42を形成し、さらにその上にフォトレジスト43を
塗布し、これをパターニングしてSi(100)基板4
1に達する孔を形成する(1)。窒化ケイ素膜42の形
成には、例えば、原料ガスとしてSiH4およびNH3を
用いるLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Depo
sition)を利用すればよいが、他の方法を利用してもよ
い。窒化ケイ素膜42のエッチングには、RIE(Reac
tive Ion Etching)等のドライエッチング法、フッ化水
素水溶液を用いるウエットエッチング法のいずれを用い
てもよい。次いで、窒化ケイ素膜42をエッチングマス
クとしてSi(100)基板41をエッチングし、貫通
孔32を形成する(2)。このエッチングには、KOH
水溶液を用いることができる。よく知られているよう
に、Siは(100)面と(111)面とでエッチング
速度が極端に異なるため、このエッチングは異方性エッ
チングとなる。したがって、貫通孔32は、内側面が
(111)面である四角錐状となる。このため、組み立
ての際に、大径の対物レンズと小径のSILとの光軸を
一致させることが容易となる。最後に、窒化ケイ素膜4
2を除去する(3)。
【0023】OLアレイ基板10とスペーサ基板30と
の一体化およびSILアレイ基板20とスペーサ基板3
0との一体化には、陽極接合法を利用することが好まし
い。陽極接合法は、アルカリガラスとSiとを密着さ
せ、電界を印加することにより両者を均一に接合できる
方法であり、シリコンマイクロマシニング技術において
よく知られている方法である。対物レンズ12の中心と
SIL22の中心とを正確にアライメントした上で陽極
接合法により接合すれば、対物レンズ12とSIL22
との間の光軸ずれおよび両者間の距離のばらつきを回避
することができる。また、対物レンズ12とSIL22
との間隔は、Si製のスペーサ基板30により決定され
るが、本発明においてスペーサ基板30の厚さを高精度
に管理することは容易である。したがって、本発明で
は、焦点をSIL22の底面に正確に位置させることが
容易である。なお、陽極接合法における条件は特に限定
されないが、通常、ガラス製基板とSi製基板との間に
印加する電圧は300〜500V程度、接合時の温度は
300〜400℃程度とすることが好ましい。
の一体化およびSILアレイ基板20とスペーサ基板3
0との一体化には、陽極接合法を利用することが好まし
い。陽極接合法は、アルカリガラスとSiとを密着さ
せ、電界を印加することにより両者を均一に接合できる
方法であり、シリコンマイクロマシニング技術において
よく知られている方法である。対物レンズ12の中心と
SIL22の中心とを正確にアライメントした上で陽極
接合法により接合すれば、対物レンズ12とSIL22
との間の光軸ずれおよび両者間の距離のばらつきを回避
することができる。また、対物レンズ12とSIL22
との間隔は、Si製のスペーサ基板30により決定され
るが、本発明においてスペーサ基板30の厚さを高精度
に管理することは容易である。したがって、本発明で
は、焦点をSIL22の底面に正確に位置させることが
容易である。なお、陽極接合法における条件は特に限定
されないが、通常、ガラス製基板とSi製基板との間に
印加する電圧は300〜500V程度、接合時の温度は
300〜400℃程度とすることが好ましい。
【0024】OLアレイ基板10とSILアレイ基板2
0とを、スペーサ基板30を介して一体化した状態の断
面図を、図4に示す。このように一体化した状態で、図
中に破線で示す箇所で切断することにより、素子単位に
切り出す。切り出した素子をスライダとして用いてもよ
く、切り出した素子を別体のスライダに接着して用いて
もよい。いずれの場合でも、対物レンズとSILとの光
軸の一致および両者の間隔は狂いなく維持される。
0とを、スペーサ基板30を介して一体化した状態の断
面図を、図4に示す。このように一体化した状態で、図
中に破線で示す箇所で切断することにより、素子単位に
切り出す。切り出した素子をスライダとして用いてもよ
く、切り出した素子を別体のスライダに接着して用いて
もよい。いずれの場合でも、対物レンズとSILとの光
軸の一致および両者の間隔は狂いなく維持される。
【0025】切り出した素子自体をスライダとして利用
する場合には、例えば図1に示すように、SIL基板2
1の底面の形状をスライダとして機能するように加工す
る。図示例では、磁気ディスク装置における浮上型ヘッ
ドのスライダと同様に、SIL基板21の下面に、テー
パ部23およびレール24を形成してある。また、スラ
イダは浮上時にテーパ部23の反対側が下がるため、S
IL基板21の図中左端側に面取り部25を設けて、S
IL22の光情報媒体への接近が阻害されないように構
成してある。また、SIL22底面を光情報媒体に接近
させるために、レール24を形成する際にSIL22底
面付近はエッチングせず、円板状に残してある。SIL
基板21下面へのテーパ部23、レール24、面取り部
25の形成およびその他の形状加工は、素子を切り出す
前および/または切り出した後に、エッチングなどによ
り行うことができる。例えば、図4では、素子切り出し
前に、SILアレイ基板20の下面にレール24を形成
してある。
する場合には、例えば図1に示すように、SIL基板2
1の底面の形状をスライダとして機能するように加工す
る。図示例では、磁気ディスク装置における浮上型ヘッ
ドのスライダと同様に、SIL基板21の下面に、テー
パ部23およびレール24を形成してある。また、スラ
イダは浮上時にテーパ部23の反対側が下がるため、S
IL基板21の図中左端側に面取り部25を設けて、S
IL22の光情報媒体への接近が阻害されないように構
成してある。また、SIL22底面を光情報媒体に接近
させるために、レール24を形成する際にSIL22底
面付近はエッチングせず、円板状に残してある。SIL
基板21下面へのテーパ部23、レール24、面取り部
25の形成およびその他の形状加工は、素子を切り出す
前および/または切り出した後に、エッチングなどによ
り行うことができる。例えば、図4では、素子切り出し
前に、SILアレイ基板20の下面にレール24を形成
してある。
【0026】SIL基板21下面には、光情報媒体に対
し接触ないし摺動する際の保護や摩擦低減のために、磁
気ディスク装置におけるスライダと同様に、DLC(ダ
イヤモンドライクカーボン)やカーボン等からなる保護
膜を設けてもよい。これらは、CVD法やスパッタ法な
どにより形成すればよい。保護膜は、SILの機能を妨
げないように、極めて薄く形成するか、SILを除く領
域に形成することが好ましい。
し接触ないし摺動する際の保護や摩擦低減のために、磁
気ディスク装置におけるスライダと同様に、DLC(ダ
イヤモンドライクカーボン)やカーボン等からなる保護
膜を設けてもよい。これらは、CVD法やスパッタ法な
どにより形成すればよい。保護膜は、SILの機能を妨
げないように、極めて薄く形成するか、SILを除く領
域に形成することが好ましい。
【0027】光情報媒体に対する接触ないし摺動により
生じた微細な塵埃がSILに付着することを防ぐため
に、SIL基板21下面のSIL22の周囲に凹部を設
け、塵埃が微小開口に到達する前にトラップされる構成
とすることも好ましい。この凹部の形状は、SILを包
囲するドーナツ状であることが好ましい。この凹部は、
SIL基板21下面のパターニングにより形成できる
が、DLC等からなる上記保護膜をパターニングした
り、保護膜の一部の厚さを調整することによっても形成
できる。
生じた微細な塵埃がSILに付着することを防ぐため
に、SIL基板21下面のSIL22の周囲に凹部を設
け、塵埃が微小開口に到達する前にトラップされる構成
とすることも好ましい。この凹部の形状は、SILを包
囲するドーナツ状であることが好ましい。この凹部は、
SIL基板21下面のパターニングにより形成できる
が、DLC等からなる上記保護膜をパターニングした
り、保護膜の一部の厚さを調整することによっても形成
できる。
【0028】このように、磁気ディスク装置における浮
上型ヘッドと同様な構成とすることにより、SILと光
情報媒体との間隔を、数十から百ナノメートル程度の範
囲で一定間隔に制御することができる。したがって、S
IL22底面と光情報媒体との間隔を、入射光の波長λ
の1/4以内に制御することができ、回折限界を超える
微小な径の光スポットによる高速な記録再生が可能とな
る。なお、本発明の光ヘッドは、再生専用光情報媒体に
対する情報の再生、光記録媒体に対する情報の記録およ
び再生に利用可能である。
上型ヘッドと同様な構成とすることにより、SILと光
情報媒体との間隔を、数十から百ナノメートル程度の範
囲で一定間隔に制御することができる。したがって、S
IL22底面と光情報媒体との間隔を、入射光の波長λ
の1/4以内に制御することができ、回折限界を超える
微小な径の光スポットによる高速な記録再生が可能とな
る。なお、本発明の光ヘッドは、再生専用光情報媒体に
対する情報の再生、光記録媒体に対する情報の記録およ
び再生に利用可能である。
【0029】次に、OLアレイ基板10およびSILア
レイ基板20をSiから構成し、かつ、スペーサ基板3
0をガラスから構成する場合について説明する。
レイ基板20をSiから構成し、かつ、スペーサ基板3
0をガラスから構成する場合について説明する。
【0030】Siは、赤外領域の波長の光を透過するの
で、Siをレンズ形状に加工すれば、赤外光に対してレ
ンズとして機能する。赤外光は長波長なので、スポット
径を小さくする目的には本来適さないが、赤外域におけ
るSiの屈折率が3.5程度と非常に大きいので、波長
が長くてもスポット径を十分に小さくすることができ
る。
で、Siをレンズ形状に加工すれば、赤外光に対してレ
ンズとして機能する。赤外光は長波長なので、スポット
径を小さくする目的には本来適さないが、赤外域におけ
るSiの屈折率が3.5程度と非常に大きいので、波長
が長くてもスポット径を十分に小さくすることができ
る。
【0031】Siから構成されるOLアレイ基板10お
よびSILアレイ基板20は、Si基板のエッチングを
利用して作製することができる。その場合のプロセスの
例を、図5に示す。まず、Si(100)基板41にフ
ォトレジスト43を塗布し、円板状にパターニングする
(1)。次いで、180℃程度でポストベークを行うこ
とによりフォトレジスト43を軟化させ、レンズ形状と
する(2)。そして、RIEによりSi(100)基板
41をエッチングすると、フォトレジスト43の形状が
Si(100)基板41に転写され(3)、最終的にS
i(100)基板41がレンズ形状となる(4)。フォ
トレジスト43とSiとのエッチング速度の選択比を、
エッチングガス組成で制御することにより、所望の形状
のSiレンズが得られる。
よびSILアレイ基板20は、Si基板のエッチングを
利用して作製することができる。その場合のプロセスの
例を、図5に示す。まず、Si(100)基板41にフ
ォトレジスト43を塗布し、円板状にパターニングする
(1)。次いで、180℃程度でポストベークを行うこ
とによりフォトレジスト43を軟化させ、レンズ形状と
する(2)。そして、RIEによりSi(100)基板
41をエッチングすると、フォトレジスト43の形状が
Si(100)基板41に転写され(3)、最終的にS
i(100)基板41がレンズ形状となる(4)。フォ
トレジスト43とSiとのエッチング速度の選択比を、
エッチングガス組成で制御することにより、所望の形状
のSiレンズが得られる。
【0032】ガラスから構成されるスペーサ基板30へ
の貫通孔32の形成は、エッチングにより行うことがで
きる。その場合のプロセスの例を、図6に示す。まず、
ガラス基板51の表面および裏面にフォトレジスト43
を塗布してパターニングし、対物レンズおよびSILに
対応する寸法の開口部を表面および裏面にそれぞれ形成
する(1)。次いで、ガラス基板51を表面から厚さ方
向途中までエッチングし(2)、続いて、ガラス基板5
1裏面から貫通するまでエッチングして貫通孔32を形
成し(3)、最後にフォトレジスト43を除去する
(4)。なお、図6では、径が相異なる対物レンズとS
ILとの光軸を一致させやすくするため、貫通孔32の
途中に段差を設け、上下で径を変えているが、光軸の一
致に問題がなければ、貫通孔32の途中に段差を設ける
必要はない。
の貫通孔32の形成は、エッチングにより行うことがで
きる。その場合のプロセスの例を、図6に示す。まず、
ガラス基板51の表面および裏面にフォトレジスト43
を塗布してパターニングし、対物レンズおよびSILに
対応する寸法の開口部を表面および裏面にそれぞれ形成
する(1)。次いで、ガラス基板51を表面から厚さ方
向途中までエッチングし(2)、続いて、ガラス基板5
1裏面から貫通するまでエッチングして貫通孔32を形
成し(3)、最後にフォトレジスト43を除去する
(4)。なお、図6では、径が相異なる対物レンズとS
ILとの光軸を一致させやすくするため、貫通孔32の
途中に段差を設け、上下で径を変えているが、光軸の一
致に問題がなければ、貫通孔32の途中に段差を設ける
必要はない。
【0033】スペーサ基板30を介してOLアレイ基板
10とSILアレイ基板20とを一体化するには、前記
した陽極接合法を利用することが好ましい。それ以降の
工程は、OLアレイ基板10およびSILアレイ基板2
0をガラスから構成し、スペーサ基板30をSiから構
成した場合と同様である。
10とSILアレイ基板20とを一体化するには、前記
した陽極接合法を利用することが好ましい。それ以降の
工程は、OLアレイ基板10およびSILアレイ基板2
0をガラスから構成し、スペーサ基板30をSiから構
成した場合と同様である。
【0034】なお、OLアレイ基板やSILアレイ基板
を樹脂から構成する場合には、例えば特公平5−709
44号公報に記載されているようなプラスチックレンズ
アレイが利用できる。
を樹脂から構成する場合には、例えば特公平5−709
44号公報に記載されているようなプラスチックレンズ
アレイが利用できる。
【0035】
【実施例】実施例1 図1に示す構造をもち、OL基板11およびSIL基板
21がガラスから構成され、スペーサ31がSiから構
成されたスライダを、以下の手順で作製した。
21がガラスから構成され、スペーサ31がSiから構
成されたスライダを、以下の手順で作製した。
【0036】図2に示すOLアレイ基板10およびSI
Lアレイ基板20は、光学ガラス(BK7、波長650
nmにおける屈折率n=1.52)の型抜きにより作製し
た。なお、本実施例では、屈折率が高いことからBK7
を使用したが、例えばパイレックスなど、光学ガラス以
外のガラスを使用してもよい。OLアレイ基板10の平
板部の厚さは250μm、SILアレイ基板20の平板
部の厚さは250μmとした。SIL22は、図7に示
すように平板部と半球部とをあわせた超半球構造とし、
その曲率半径rは380μmとした。平板部の厚さ25
0μmは、SIL半径rと屈折率nに対しr/nの関係
を満たしている。したがって、前記文献5に示されるよ
うに、SILの曲率中心からの距離がnrである位置に
焦点を合わせた光を、対物レンズから光軸に沿ってSI
Lに入射させることにより、実際の焦点を超半球の底面
にあわせることができる。この実施例では、入射光の波
長を650nmとしたので、λ/4は162.5nmとな
る。SIL底面と光情報媒体との間隔を162.5nm以
下とすることにより、対物レンズだけを用いた場合に対
し、光のスポット径を1/n2の大きさまで小さくする
ことができる。この実施例ではn=1.52なので、ス
ポット径は1/2.31まで小さくなる。スポット径縮
小によるビット配列密度の向上は、トラック長さ方向と
トラック幅方向とで効くため、ビット配列密度は約5.
3倍となる。
Lアレイ基板20は、光学ガラス(BK7、波長650
nmにおける屈折率n=1.52)の型抜きにより作製し
た。なお、本実施例では、屈折率が高いことからBK7
を使用したが、例えばパイレックスなど、光学ガラス以
外のガラスを使用してもよい。OLアレイ基板10の平
板部の厚さは250μm、SILアレイ基板20の平板
部の厚さは250μmとした。SIL22は、図7に示
すように平板部と半球部とをあわせた超半球構造とし、
その曲率半径rは380μmとした。平板部の厚さ25
0μmは、SIL半径rと屈折率nに対しr/nの関係
を満たしている。したがって、前記文献5に示されるよ
うに、SILの曲率中心からの距離がnrである位置に
焦点を合わせた光を、対物レンズから光軸に沿ってSI
Lに入射させることにより、実際の焦点を超半球の底面
にあわせることができる。この実施例では、入射光の波
長を650nmとしたので、λ/4は162.5nmとな
る。SIL底面と光情報媒体との間隔を162.5nm以
下とすることにより、対物レンズだけを用いた場合に対
し、光のスポット径を1/n2の大きさまで小さくする
ことができる。この実施例ではn=1.52なので、ス
ポット径は1/2.31まで小さくなる。スポット径縮
小によるビット配列密度の向上は、トラック長さ方向と
トラック幅方向とで効くため、ビット配列密度は約5.
3倍となる。
【0037】スペーサ基板30への貫通孔32の形成
は、図3に示す手順で行った。窒化ケイ素膜42の形成
には、SiH4およびNH3を用いたLPCVDを利用し
た。窒化ケイ素膜42のエッチングには、RIEを利用
した。Si(100)基板41は、KOH水溶液により
エッチングした。スペーサ基板30の厚さは1mmとし
た。
は、図3に示す手順で行った。窒化ケイ素膜42の形成
には、SiH4およびNH3を用いたLPCVDを利用し
た。窒化ケイ素膜42のエッチングには、RIEを利用
した。Si(100)基板41は、KOH水溶液により
エッチングした。スペーサ基板30の厚さは1mmとし
た。
【0038】OLアレイ基板10とスペーサ基板30と
の一体化およびSILアレイ基板20とスペーサ基板3
0との一体化には、陽極接合法を利用した。陽極接合法
における条件は、400V、350℃とした。
の一体化およびSILアレイ基板20とスペーサ基板3
0との一体化には、陽極接合法を利用した。陽極接合法
における条件は、400V、350℃とした。
【0039】次に、得られた接合体をエッチングしてテ
ーパ部23、レール24および面取り部25を形成し、
ダイシングソーにより素子単位に切り出し、スライダを
得た。スライダの寸法は、幅2mm、長さ4mm、厚さ1.
5mmとした。また、レール幅は0.5mmとした。
ーパ部23、レール24および面取り部25を形成し、
ダイシングソーにより素子単位に切り出し、スライダを
得た。スライダの寸法は、幅2mm、長さ4mm、厚さ1.
5mmとした。また、レール幅は0.5mmとした。
【0040】このスライダにサスペンションを取り付
け、相変化型光記録ディスク上に浮上させたところ、λ
/4以内である100nmの浮上量で安定して浮上し、2
80nm径の記録マークを形成することができた。
け、相変化型光記録ディスク上に浮上させたところ、λ
/4以内である100nmの浮上量で安定して浮上し、2
80nm径の記録マークを形成することができた。
【0041】実施例2 図1に示す構造をもち、OL基板11およびSIL基板
21がSi(波長1.3μmにおける屈折率n=3.
5)から構成され、スペーサ31がガラスから構成され
たスライダを、以下の手順で作製した。
21がSi(波長1.3μmにおける屈折率n=3.
5)から構成され、スペーサ31がガラスから構成され
たスライダを、以下の手順で作製した。
【0042】図2に示すOLアレイ基板10およびSI
Lアレイ基板20は、図5に示す方法により作製した。
SIL22は、実施例1と同様な超半球構造とした。こ
の実施例では、入射光の波長を実施例1の2倍の1.3
μmとした。したがって、波長の点からはスポット径の
縮小は不利であるが、この実施例ではSIL22の屈折
率が3.5と大きいので、1/n2が12.25とな
り、結果的にスポット径は、SILを使用せずに波長6
50nmの入射光を用いた場合と比較して、1/6.1の
大きさにまで縮小される。
Lアレイ基板20は、図5に示す方法により作製した。
SIL22は、実施例1と同様な超半球構造とした。こ
の実施例では、入射光の波長を実施例1の2倍の1.3
μmとした。したがって、波長の点からはスポット径の
縮小は不利であるが、この実施例ではSIL22の屈折
率が3.5と大きいので、1/n2が12.25とな
り、結果的にスポット径は、SILを使用せずに波長6
50nmの入射光を用いた場合と比較して、1/6.1の
大きさにまで縮小される。
【0043】スペーサ基板30への貫通孔32の形成
は、図6に示すように、ガラス基板51をエッチングす
ることにより行った。
は、図6に示すように、ガラス基板51をエッチングす
ることにより行った。
【0044】OLアレイ基板10とスペーサ基板30と
の一体化およびSILアレイ基板20とスペーサ基板3
0との一体化には、実施例1と同条件の陽極接合法を利
用した。
の一体化およびSILアレイ基板20とスペーサ基板3
0との一体化には、実施例1と同条件の陽極接合法を利
用した。
【0045】接合後、実施例1と同様にしてスライダと
し、サスペンションを取り付けて相変化型光記録ディス
ク上に浮上させたところ、実施例1と同様にλ/4以内
の浮上量で安定して浮上し、200nm径の記録マークを
形成することができた。
し、サスペンションを取り付けて相変化型光記録ディス
ク上に浮上させたところ、実施例1と同様にλ/4以内
の浮上量で安定して浮上し、200nm径の記録マークを
形成することができた。
【0046】
【発明の効果】本発明では、対物レンズアレイ基板とS
ILアレイ基板とをスペーサを介して貼り合わせ、その
後、素子単位に分割して光ヘッドを得る。このため、対
物レンズの光軸とSILの光軸とを精度よく一致させる
ことができ、かつ、その状態が狂うこともない。また、
両レンズ間の間隔を精度よく設定でき、かつ、その状態
が狂うこともない。また、光ヘッドの量産が容易であ
る。また、光ヘッドの小型化、特に高さ方向の小型化が
可能である。
ILアレイ基板とをスペーサを介して貼り合わせ、その
後、素子単位に分割して光ヘッドを得る。このため、対
物レンズの光軸とSILの光軸とを精度よく一致させる
ことができ、かつ、その状態が狂うこともない。また、
両レンズ間の間隔を精度よく設定でき、かつ、その状態
が狂うこともない。また、光ヘッドの量産が容易であ
る。また、光ヘッドの小型化、特に高さ方向の小型化が
可能である。
【図1】本発明の光ヘッドの構成例の主要部を示す断面
図である。
図である。
【図2】対物レンズアレイ基板とソリッドイマージョン
レンズアレイ基板とを、スペーサ基板を挟んで一体化す
る様子を示す斜視図である。
レンズアレイ基板とを、スペーサ基板を挟んで一体化す
る様子を示す斜視図である。
【図3】Siから構成されるスペーサ基板に貫通孔を形
成する方法についての説明図である。
成する方法についての説明図である。
【図4】対物レンズアレイ基板とソリッドイマージョン
レンズアレイ基板とを、スペーサ基板を介して一体化し
た状態を示す断面図である。
レンズアレイ基板とを、スペーサ基板を介して一体化し
た状態を示す断面図である。
【図5】それぞれSiから構成される対物レンズアレイ
基板およびソリッドイマージョンレンズアレイ基板を作
製する方法を説明する図である。
基板およびソリッドイマージョンレンズアレイ基板を作
製する方法を説明する図である。
【図6】ガラスから構成されるスペーサ基板に貫通孔を
形成する方法についての説明図である。
形成する方法についての説明図である。
【図7】超半球構造のソリッドイマージョンレンズの説
明図である。
明図である。
10 対物レンズ(OL)アレイ基板 11 対物レンズ(OL)基板 12 対物レンズ 20 ソリッドイマージョンレンズ(SIL)アレイ基
板 21 ソリッドイマージョンレンズ(SIL)基板 22 ソリッドイマージョンレンズ(SIL) 23 テーパ部 24 レール 25 面取り部 30 スペーサ基板 31 スペーサ 32 貫通孔 41 Si(100)基板 42 窒化ケイ素膜 43 フォトレジスト 51 ガラス基板
板 21 ソリッドイマージョンレンズ(SIL)基板 22 ソリッドイマージョンレンズ(SIL) 23 テーパ部 24 レール 25 面取り部 30 スペーサ基板 31 スペーサ 32 貫通孔 41 Si(100)基板 42 窒化ケイ素膜 43 フォトレジスト 51 ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠浦 治 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 山岡 英彦 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 5D119 AA01 AA11 AA22 JA44 JA50 JB02
Claims (6)
- 【請求項1】 光情報媒体への照射光を集光するための
対物レンズと、光情報媒体と対物レンズとの間に設けら
れ、実効的な開口数を変換するソリッドイマージョンレ
ンズとを備える光ヘッドであって、 一部が成形されて対物レンズとなっている板状の対物レ
ンズ基板と、一部が成形されてソリッドイマージョンレ
ンズとなっている板状のソリッドイマージョンレンズ基
板とが、スペーサを介して一体化され、対物レンズとソ
リッドイマージョンレンズとの間に空隙が存在する光ヘ
ッド。 - 【請求項2】 対物レンズ基板およびソリッドイマージ
ョンレンズ基板がガラスから構成され、スペーサがシリ
コンから構成されている請求項1の光ヘッド。 - 【請求項3】 対物レンズ基板およびソリッドイマージ
ョンレンズ基板がシリコンから構成され、スペーサがガ
ラスから構成されている請求項1の光ヘッド。 - 【請求項4】 対物レンズ基板、ソリッドイマージョン
レンズ基板およびスペーサが、スライダの少なくとも一
部を構成している請求項1〜3のいずれかの光ヘッド。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかの光ヘッドを製
造する方法であって、 対物レンズを複数形成した対物レンズアレイ基板と、ソ
リッドイマージョンレンズを複数形成したソリッドイマ
ージョンレンズアレイ基板とを、スペーサを挟んで一体
化した後、複数の光ヘッドを切り出す工程を有する光ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項6】 対物レンズアレイ基板およびソリッドイ
マージョンレンズアレイ基板と、スペーサとの一体化
を、陽極接合法により行う請求項5の光ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10265687A JP2000076695A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 光ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10265687A JP2000076695A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 光ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000076695A true JP2000076695A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17420616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10265687A Withdrawn JP2000076695A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 光ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000076695A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001073776A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical lens system comprising two more than half-spherical lenses |
KR100688831B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 광픽업의 렌즈홀더조립체 및 그 제조방법 |
JP2008516448A (ja) * | 2004-10-08 | 2008-05-15 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 固浸レンズリソグラフィ |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP10265687A patent/JP2000076695A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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