JP2000075521A - 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】長波長領域において十分な高感度を有する、繰
り返し使用時の電位が安定に維持され、かつ温度や湿度
の使用環境によらず安定した画像特性を示す、反転現像
系でも転写メモリ−が生じにくい、耐光性があり、フォ
トメモリ−が生じにくい電子写真感光体を提供すること
である。 【解決手段】導電性支持体上に感光層を設けてなる電子
写真感光体において、該感光層が電荷発生物質としてク
ロロガリウムフタロシアニン化合物またはヒドロキシガ
リウムフタロシアニン化合物を含有し、かつ電荷輸送物
質として下記構造式の化合物を含有することを特徴とす
る電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真感光体並び
に該電子写真感光体を備えたプロセスカ−トリッジ及び
電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真法は米国特許第２２９７６９１
号明細書に示されるように画像露光の間に受けた照射量
に応じて電気抵抗が変化しかつ暗所では絶縁性の物質を
コ−ティングした支持体よりなる光導電材料を用いる。
この光導電材料を用いた電子写真感光体に要求される基
本的な特性としては（１）暗所で適当な電位に帯電でき
ること、（２）暗所において電荷の逸散が少ないこと、
（３）光照射によって速やかに電荷を逸散せしめうるこ
と等が挙げられる。

【０００３】従来より、電子写真感光体としてはセレ
ン、酸化亜鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性化合物
を主成分とする感光層を有する無機感光体が広く用いら
れてきた。しかし、これ等は前記（１）〜（３）の条件
は満足するが熱安定性、耐湿性、耐久性、生産性等にお
いて必ずしも満足しうるものではない。例えば、セレン
は結晶化すると感光体としての特性が劣化してしまう。
また硫化カドミウムは耐湿性や耐久性、酸化亜鉛では平
滑性、硬度や耐摩耗性に問題がある。更に無機感光体の
多くは感光波長が限定されている。れている。例えば、
セレンでの感光波長領域は青色領域であり、赤色領域に
は殆ど感度を有しない。

【０００４】そこで、感光性を長波長領域に広げるため
に種々の方法が考案されているが、感光波長領域の選択
には制約が多い。酸化亜鉛あるいは硫化カドミウムを感
光体として用いる場合にもそれ自体の感光波長領域は狭
く、種々の増感剤の添加が必要である。これ等の無機感
光体の持つ欠点を克服する目的で、近年、様々な有機光
導電性化合物を主成分とする電子写真感光体の開発が盛
んに行われている。例えば、米国特許第３８３７８５１
号明細書にはトリアリルピラゾリンを含有する電荷輸送
層を有する感光体、米国特許第３８７１８８２号明細書
にはペリレン顔料の誘導体からなる電荷発生層と３−プ
ロピレンとホルムアルデヒドの縮合体からなる電荷輸送
層とからなる感光体等が既に公知である。

【０００５】有機化合物を用いた電子写真感光体は電荷
を発生する電荷発生物質とそれを輸送する電荷輸送物質
とに分類した機能分離型電子写真感光体が可能である
が、このような機能分離型感光体は、電荷発生物質と電
荷輸送物質の各々の材料選択範囲が広く、任意の特性を
有する電子写真感光体を比較的容易に作成できるという
利点を有している。電荷発生物質としてビスアゾ顔料ま
たはトリスアゾ顔料を用いた感光体として特開昭５９−
３３４４５号公報、特開昭５６−４６２３７号公報及び
特開昭６０−１１１２４９号公報等が既に公知である。

【０００６】更に、有機光導電性化合物を用いた感光体
は、その化合物によって電子写真感光体の感光波長を自
由に選択することが可能である。例えば、アゾ系の有機
顔料に関して言えば特開昭６１−２７２７５４号公報及
び特開昭５６−１６７７５９号公報に示された物質は可
視光領域で高感度を示すものが開示されており、また特
開昭５７−１９５７６７号公報及び特開昭６１−２２８
４５３号公報に示された物質は赤外領域にまで感度を有
しているものもある。

【０００７】これ等の材料のうち赤外領域に感度を有す
る材料は近年進歩の著しいレ−ザ−ビ−ムプリンタ−
（以下ＬＢＰと略す）等に使用されてその需要頻度は高
くなっている。

【０００８】アゾ顔料とは別に、従来より赤外領域に感
度を有するものとして特開昭５０−３８５４３号公報に
示されるような銅フタロシアニン等のフタロシアニン化
合物が注目されていたが、特に近年赤外領域に高感度を
有する材料として特開昭６１−２１７０５号公報、特開
昭６１−２３９２４８号公報、特開昭６４−１７０６６
号公報及び特開平３−１２８９７３号公報等に示される
オキシチタニウムフタロシアニン化合物等が注目を集め
ている。

【０００９】更に、本発明の電子写真感光体に用いられ
るクロロガリウムフタロシアニン化合物の先行技術とし
ては、特開平１−２２１４５９号公報、特開平５−９８
１８１号公報、特開平５−１９４５２３号公報、特開平
５−２４７３６１号公報、特開平６−７３３０３号公
報、特開平７−５３８９１号公報及び特開平７−２０７
１７１号公報等に開示されている。

【００１０】また、本発明の電子写真感光体に用いられ
るヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物の先行技術
としては特開平５−２３６００７号公報、特開平５−２
７９５９１号公報、特開平６−９３２０３号公報、特開
平６−２７９６９８号公報及び特開平７−５３８９２号
公報等の開示されている。

【００１１】また、機能分離型感光体のもう一方の構成
要素である電荷輸送物質に関しては、例えば特公昭５２
−４１８８号公報のピラゾリン化合物、特公昭５５−４
２３８０号公報、特開昭５４−１５０１２８号公報及び
特開昭５７−１０１８４４号公報のヒドラゾン化合物、
特公昭５８−３２３７２号公報及び特開昭６１−１２３
９５５号公報のトリフェニルアミン化合物、特開昭５４
−１５１９５５号公報及び特開昭５８−１９８０４３号
公報のスチルベン化合物等が知られている。

【００１２】これ等電荷発生物質と電荷輸送物質の組み
合わせの例として、特開平５−５５８６０号公報に示さ
れるオキシチタニウムフタロシアニンと特定の構造を有
するヒドラゾン系化合物の組み合わせ、特開平６−３２
４５０２号公報に示されるヒドロキシガリウムフタロシ
アニンと特定の構造を有するトリアリ−ルアミン系化合
物の組み合わせ等がある。

【００１３】このように特定の構造を有する電荷発生物
質と特定の構造を有する電荷輸送物質を組み合わせるこ
とにより改善された特性を有する感光体も供給されてい
るが、必ずしも赤外領域に高い感度を有するとは言え
ず、繰り返し使用時の電位安定性が悪かったり、帯電能
が悪かったり、使用環境の変化による画像劣化が見られ
る。

【００１４】また、ＬＢＰ等の用途のためにデジタル化
に対応した反転現像系を採用する装置の場合、一次帯電
と転写が逆極性であり、転写の有無により帯電性が異な
る、いわゆる転写メモリ−が生じ、画像上に濃度むらと
して非常に現れやすくなっている。

【００１５】また、高感度化された電子写真感光体にお
いては、外部からのもれ光等により明部と暗部の帯電性
が異なる、いわゆるフォトメモリ−が発生し、これも画
像上に濃度むらとして非常に現れやすくなっている。

【００１６】以上のように、実際の使用上の問題となる
点がいくつかあり、未だ、これ等の特性を高い次元で達
成した感光体が供給されているとは言い難く、問題点や
要求の全てをより高いレベルで満足する電子写真感光体
が検討されている。

【００１７】一般的に電子写真感光体においてはある特
定の電荷発生物質に対して非常に有効な電荷輸送物質
が、他の電荷発生物質に対して同程度に有効であるとは
限らず、また逆に、ある特定の電荷輸送物質に非常に有
効な電荷発生物質が他の電荷輸送物質に対して同程度有
効であるとは限らない。すなわち、電荷の受け渡しをす
るこれ等の電荷発生物質と電荷輸送物質の間には必ずよ
り好ましい組み合わせがある。

【００１８】より好ましい組み合わせの電荷発生物質及
び電荷輸送物質を用いると、残留電位や繰り返し使用時
の電位安定性等の点でより優れた特性を有する電子写真
感光体を得ることができる。更に、より好ましい組み合
わせの電荷発生物質と電荷輸送物質を用いると、前述の
転写メモリ−やフォトメモリ−も効率的に改善すること
ができる。

【００１９】しかしながら、電荷発生物質と電荷輸送物
質の相性についての一般的な法則は見出されておらず、
ある特定の電荷発生物質に最適な電荷輸送物質を予め予
想することは現状では非常に困難である。

【００２０】本発明者等は、種々の電荷発生物質と電荷
輸送物質の組み合わせについて実験的検討を数多く重ね
た結果、電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシア
ニン化合物及びヒドロキシガリウムフタロシアニン化合
物から選択された少なくとも１種を用い、電荷輸送物質
として特定の構造を有するヒドラゾン系化合物を組み合
わせた場合に、赤外領域に高い感度と耐久性を有し、様
々な環境においても安定した画像を供給することがで
き、更に、転写メモリ−やフォトメモリ−をも改善する
感光体ができることを見出し、本発明に到達したもので
ある。

【００２１】本発明のクロロガリウムフタロシアニン化
合物及びヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物と本
発明の特定の構造を有するヒドラゾン系化合物の組み合
わせが好ましい理由は定かではないが、イオン化ポテン
シャルの適合または電荷発生物質と電荷輸送物質とが混
在する際の立体的重なりがよい等の理由で、電荷発生物
質から電荷輸送物質への電荷の注入が良好に行われるた
め感度が良好で残留電位も小さく、繰り返し使用時の電
位安定性にも優れ、転写メモリ−やフォトメモリ−も小
さい特性を発現すると推定される。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、
（１）長波長領域において十分な高感度を有する、
（２）繰り返し使用時の電位が安定に維持される、
（３）温度や湿度の使用環境によらず安定した画像特性
を示す、（４）反転現像系でも転写メモリ−が生じにく
い、（５）耐光性があり、フォトメモリ−が生じにくい
電子写真感光体を提供することである。また該電子写真
感光体を用いたプロセスカ−トリッジ並びに電子写真装
置を提供することである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
上に感光層を設けてなる電子写真感光体において、該感
光層が電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシアニ
ン化合物及びヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物
から選択された少なくとも１種を含有し、かつ電荷輸送
物質として下記一般式（１）で示される化合物の少なく
とも１種を含有することを特徴とする電子写真感光体か
ら構成される。 一般式（１）

【化２】 式中、Ｘ及びＹは一般式（２）または一般式（３）で示
される基を表し、 一般式（２）−Ｚ−Ａｒ ｎは０または１の整数を表す。Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ はハ
ロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基
を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
リ−ル基あるいは置換アミノ基を表し、ｐ及びｒは０〜
４の整数を表す。ｑはｎ＝０のとき０〜５の整数を表
し、ｎ＝１のとき０〜４の整数を表す。Ｒ₄ は水素原
子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアリ−ル基あるいは置換基を有してもよい複素環
基を表し、Ｒ₅ 及びＲ₆ は置換基を有してもよいアルキ
ル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有
してもよいアリ−ル基あるいは置換基を有してもよい複
素環基を表し、Ｒ₅ 及びＲ₆ は同一でも異なっていても
よく、直接もしくは結合基を介して環を形成してもよ
い。Ｚは置換基を有してもよいアルキレン基を表し、Ａ
ｒは置換基を有してもよいアリ−ル基あるいは置換基を
有してもよい複素環基を示す。Ｒ₇ は置換基を有しても
よいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、
置換基を有してもよいアリ−ル基あるいは置換基を有し
てもよい複素環基を示す。

【００２４】また、本発明は前記本発明の電子写真感光
体、及び帯電手段、現像手段及びクリ−ニング手段から
なる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持
し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とす
るプロセスカ−トリッジから構成される。

【００２５】また、本発明は、前記本発明の電子写真感
光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を
有することを特徴とする電子写真装置から構成される。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の電子写真感光体は、感光
層中に電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシアニ
ン化合物及びヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物
から選択された少なくとも１種を含有する。これ等ガリ
ウムフタロシアニン系化合物の中でも以下に示すような
いくつかの結晶型を有するものが本発明のより好ましい
特性を発揮する。

【００２７】クロロガリウムフタロシアニン化合物が、
ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°
が７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．２°に
強いピ−クを有する結晶型の顔料より構成される。

【００２８】クロロガリウムフタロシアニン化合物が、
ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°
が８．７°〜９．２°、１７．５°、２４．０°、２
７．４°及び２８．７°に強いピ−クを有する結晶型の
顔料より構成される。

【００２９】ヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物
が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．
２°が６．８°及び２６．２°に強いピ−クを有する結
晶型の顔料より構成される。

【００３０】ヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物
が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．
２°が７．４°及び２８．２°に強いピ−クを有する結
晶型の顔料より構成される。

【００３１】ヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物
が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．
２°が７．５°、１６．３°、２４．９°及び２６．４
°に強いピ−クを有する結晶型の顔料より構成される。

【００３２】ヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物
が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．
２°が６．９°、１３．３°、１６．５°及び２６．７
°に強いピ−クを有する結晶型の顔料より構成される。

【００３３】本発明の電子写真感光体は、電荷輸送物質
として前記一般式（１）で示される特定のアリ−ルアミ
ンヒドラゾン系化合物を含有する。前記一般式（１）に
おいて、Ｘ及びＹは前記一般式（２）または一般式
（３）で示される基であり、特に一般式（２）で示され
る基が好ましい。

【００３４】また、一般式（１）において、ｎは０また
は１の整数であり、ｎ＝０であることがより好ましい。
更に、一般式（１）において、ｎ＝０であり、かつ、Ｘ
−Ｏ−の置換位置が４−位（ｎ原子の置換位置から見て
パラ位）であることが更に好ましい。

【００３５】一般式（１）中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ は、
それぞれ塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン
原子、メチル基、エチル基、プリピル基等のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコ
キシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリ−ル基、ジメ
チルアミノ基等のジアルキルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基等のジアリ−ルアミノ基、ジベンジルアミノ基等の
ジアラルキルアミノ基、ジピリジルアミノ基等のジ複素
環アミノ基、ジアリルアミノ基、更には上記アミノ基の
置換基を組み合わせた二置換アミノ基等の置換アミノ基
であり、これ等は互いに同一でも異なっていてもよく、
特に、水素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基が好
ましい。

【００３６】上記アルキル基、アルコキシ基、アリ−ル
基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸
基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基、
ナフチル基等のアリ−ル基、ベンジル基、ナフチルメチ
ル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェノキシ基、
トリロキシ基等のアリ−ルオキシ基、ベンジルオキシ
基、フェネチルオキシ基等のアリ−ルアルコキシ基、ス
チリル基、ナフチルビニル基等のアリ−ルビニル基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミ
ノ基、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基等のジ
アリ−ルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェネチル
アミノ基等のジアラルキルアミノ基、ジピリジルアミノ
基、ジチエニルアミノ基等のジ複素環アミノ基、ジアリ
ルアミノ基、更には上記のアミノ基の置換基を組み合わ
せた二置換アミノ基等が挙げられる。

【００３７】ｐ及びｒは０〜４の整数であり、ｑは、ｎ
＝０のとき０〜５の整数であり、ｎ＝１のとき０〜４の
整数である。

【００３８】Ｒ₄ は、水素原子、メチル基、エチル基、
プロピル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、
アントラセニル基等のアリ−ル基、ピロリル基、チエニ
ル基、フリル基、カリバゾリル基等の複素環基である。
これ等のアルキル基、アリ−ル基、複素環基は置換基を
有していてもよく、置換基としては、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリ
−ル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基
等のアラルキル基、フェノキシ基、トリロキシ基等のア
リ−ルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ
基等のアリ−ルアルコキシ基、スチリル基、ナフチルビ
ニル基等のアリ−ルビニル基、ジメチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基等のジアルキルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基、ジナフチルアミノ基等のジアリ−ルアミノ基、ジ
ベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基等のジアラル
キルアミノ基、ジピリジルアミノ基、ジチエニルアミノ
基等のジ複素環アミノ基、ジアリルアミノ基、更には上
記のアミノ基の置換基を組み合わせた二置換アミノ基等
が挙げられる。

【００３９】Ｒ₅ 及びＲ₆ は、それぞれメチル基、エチ
ル基、プロピル基等のアルキル基、、ベンジル基、フェ
ネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチル基、
アントラセニル基等のアリ−ル基、ピロリル基、チエニ
ル基、フリル基、カリバゾリル基等の複素環基である。
これ等のアルキル基、アラルキル基、アリ−ル基、複素
環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等
のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基、ナフチ
ル基等のアリ−ル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、
フェネチル基等のアラルキル基、フェノキシ基、トリロ
キシ基等のアリ−ルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェ
ネチルオキシ基等のアリ−ルオキシ基、ベンジルオキシ
基、フェネチルオキシ基等のアリ−ルアルコキシ基、ス
チリル基、ナフチルビニル基等のアリ−ルビニル基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミ
ノ基、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基等のジ
アリ−ルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェネチル
アミノ基等のジアラルキルアミノ基、ジピリジルアミノ
基、ジチエニルアミノ基等のジ複素環アミノ基、ジアリ
ルアミノ基、更には上記のアミノ基の置換基を組み合わ
せた二置換アミノ基等が挙げられる。特にＲ₅ とＲ₆ の
うち、少なくとも １つが置換基を有していてもよいア
リ−ル基であることが好ましい。また、Ｒ₅ とＲ₆ とは
直接もしくは結合基を介して連結していてもよい。結合
基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基
等のアルキレン基、−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｎ−等のヘテロ
原子が挙げられ、特に−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＨ₂ −が好
ましく、更には−Ｓ−が好ましい。

【００４０】Ｚは、メチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基等のアルキレン基であり、特にメチレン基が好まし
い。これ等のアルキレン基は置換基を有していてもよ
く、置換基としては、メチル基、エチル基等の低級アル
キル基、メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシ
基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、フェニル
基、ナフチル基等のアリ−ル基等が挙げられる。

【００４１】Ａｒは、フェニル基、ナフチル基。アント
ラセニル基等のアリ−ル基、ピロリル基、チエニル基、
フリル基、カルバゾリル基等の複素環基であり、特にフ
ェニル基が好ましい。これ等のアリ−ル基及び複素環基
は置換基を有していてもよく、置換基としては、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等の
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基
等のアリ−ル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、フェ
ネチル基等のアラルキル基、フェノキシ基、トリロキシ
基等のアリ−ルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチ
ルオキシ基等のアリ−ルオキシ基、ベンジルオキシ基、
フェネチルオキシ基等のアリ−ルアルコキシ基、スチリ
ル基、ナフチルビニル基等のアリ−ルビニル基、ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基等のジア
リ−ルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルア
ミノ基等のジアラルキルアミノ基、ジピリジルアミノ
基、ジチエニルアミノ基等のジ複素環アミノ基、ジアリ
ルアミノ基、更には上記のアミノ基の置換基を組み合わ
せた二置換アミノ基等が挙げられる。

【００４２】Ｒ₇ は、それぞれメチル基、エチル基、プ
ロピル基等のアルキル基、、ベンジル基、フェネチル基
等のアラルキル基、フェニル基、ナフチル基、アントラ
セニル基等のアリ−ル基、ピロリル基、チエニル基、フ
リル基、カリバゾリル基等の複素環基であり、特にアル
キル基が好ましい。これ等のアルキル基、アラルキル
基、アリ−ル基、複素環基は置換基を有していてもよ
く、置換基としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ヘキシル基等のアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ
基、フェニル基、ナフチル基等のアリ−ル基、ベンジル
基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル
基、フェノキシ基、トリロキシ基等のアリ−ルオキシ
基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のアリ−
ルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等
のアリ−ルアルコキシ基、スチリル基、ナフチルビニル
基等のアリ−ルビニル基、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基、ジフェニルアミノ
基、ジナフチルアミノ基等のジアリ−ルアミノ基、ジベ
ンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基等のジアラルキ
ルアミノ基、ジピリジルアミノ基、ジチエニルアミノ基
等のジ複素環アミノ基、ジアリルアミノ基、更には上記
のアミノ基の置換基を組み合わせた二置換アミノ基等が
挙げられる。

【００４３】本発明における効果は上記の電荷発生物質
と電荷輸送物質を組み合わせて用いたときにだけ、選択
的に優れた効果を発現するものである。

【００４４】次に一般式（１）で示される化合物の具体
例を表１〜１１に挙げる。ただし、これ等の具体例に限
定されるものではない。

【００４５】

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【表６】

【表７】

【表８】

【表９】

【表１０】

【表１１】

【００４６】本発明において用いられるクロロガリウム
フタロシアニンの構造を下記一般式（４）として示す。

【化３】 式中、Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、Ｘ₃ 及びＸ₄ はＣｌまたはＢｒを表
わし、ｎ、ｍ、ｌ及びｋは０〜４の整数である。

【００４７】また、本発明において用いられるヒドロキ
シガリウムフタロシアニンの構造を下記一般式（５）と
して示す。

【化４】 式中、Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、Ｘ₃ 及びＸ₄ はＣｌまたはＢｒを表
わし、ｎ、ｍ、ｌ及びｋは０〜４の整数である。

【００４８】次に、本発明において用いられる電荷発生
物質と電荷輸送物質の製造例を示す。ただしこれ等の例
に限定されるものではない。

【００４９】クロロガリウムフタロシアニンの製造 製造例１ ｏ−フタロニトリル７２．６ｇ、三塩化ガリウム２５
ｇ、α−クロロナフタレン３７５ｍｌを窒素雰囲気下２
００℃で４時間反応させた。反応後、析出した生成物を
１３０℃まで冷却してろ過した。得られた生成物をＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて１３０℃で１時間分
散洗浄し、ろ過する。メタノ−ルでろ過器上洗浄した
後、減圧下で乾燥してクロロガリウムフタロシアニン３
９．８ｇを得た。収率４５％。得られたクロロガリウム
フタロシアニンの元素分析の結果を示す。この結晶の赤
外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１に、粉末Ｘ線
回折図を図２に示す。

【００５０】製造例２ 次に、製造例１で得られたクロロガリウムフタロシアニ
ン３０ｇを１０ｍｍφのメノウボ−ル１００ｇと２０ｍ
ｍφのメノウボ−ル２００ｇと共にボ−ルミルで２４時
間乾式ミリング処理を行った。次に、乾式ミリング処理
後の結晶７ｇとベンジルアルコ−ル２８０ｇを１ｍｍφ
のガラスビ−ズ４２０ｇと共にサンドミルでミリング処
理を室温（２２℃）下で２０時間行った。この分散液か
ら顔料をろ別し，メタノ−ルで洗浄して減圧下で乾燥す
ることにより、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角
２θ±０．２°が７．４°、１６．６°、２５．５°及
び２８．２°に強いピ−クを有する結晶型のクロロガリ
ウムフタロシアニン６．３ｇを得た。この結晶の粉末Ｘ
線回折図を図３に示す。

【００５１】製造例３ 製造例２と同様に乾式ミリングを施したクロロガリウム
フタロシアニンの結晶７ｇとメタノ−ル２８０ｇを１ｍ
ｍφのガラスビ−ズ４２０部と共にサンドミルでミリン
グ処理を室温（２２℃）下で２０時間行った。この分散
液から顔料をろ別して減圧下で乾燥することにより、Ｃ
ｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°が
８．７°〜９．２°、１７．５°、２４．０°、２７．
４°及び２８．７°に強いピ−クを有する結晶型のクロ
ロガリウムフタロシアニン６．８ｇを得た。この結晶の
粉末Ｘ線回折図を図４に示す。

【００５２】ヒドロキシガリウムフタロシアニンの製造 製造例４ 製造例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン３５
ｇを０℃に冷却した濃硫酸１０５０ｇに徐々に加えて溶
解させ、０℃下で３０分間撹拌する。次いで氷水５２５
０ｇ中に撹拌しながらゆっくり滴下し再沈させた。再沈
後ろ過し、得られた粉末をイオン交換水２５００ｇ中で
分散洗浄し、再びろ過する。更に、得られた粉末を２％
アンモニア水２５００ｇ中で分散洗浄して、更にイオン
交換水で十分洗浄して得られた個体を減圧下で乾燥す
る。低結晶性のヒドロキシガリウムフタロシアニンを３
３．９ｇ得た。収率９７％。得られたヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンの元素分析値を示す。この結晶の赤外
吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図５に、粉末Ｘ線回
折図を図６に示す。

【００５３】製造例５ 次に、製造例４において得られたヒドロキシガリウムフ
タロシアニン７ｇとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２１
０ｇを１ｍｍφのガラスビ−ズ３００ｇと共にサンドミ
ルでミリング処理を室温（２２℃）下で５時間行った。
この分散液より顔料をろ別し、メタノ−ルで洗浄して減
圧下で乾燥することにより、ＣｕＫαのＸ線回折におけ
るブラッグ角２θ±０．２°が７．４°及び２８．２°
に強いピ−クを有する結晶型のヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン６．４ｇを得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図
を図７に示す。

【００５４】製造例６ 次に、製造例４で得られたヒドロキシガリウムフタロシ
アニン７ｇとメタノ−ル２１０ｇを１ｍｍφのガラスビ
−ズ３００ｇと共にサンドミルでミリング処理を室温
（２２℃）下で５時間行った。この分散液から顔料をろ
別して減圧下で乾燥することにより、ＣｕＫαのＸ線回
折におけるブラッグ角２θ±０．２°が７．５°、１
６．３°、２４．９°及び２６．４°に強いピ−クを有
する結晶型のヒドロキシガリウムフタロシアニン６．１
ｇを得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図８に示す。

【００５５】製造例７ 次に、製造例４で得られたヒドロキシガリウムフタロシ
アニン７ｇとクロロホルム２１０ｇを１ｍｍφのガラス
ビ−ズ３００ｇと共にサンドミルでミリング処理を室温
（２２℃）下で５時間行った。この分散液から顔料をろ
別して減圧下で乾燥することにより、ＣｕＫαのＸ線回
折におけるブラッグ角２θ±０．２°が６．９°、１
３．３°、１６．５°及び２６．７°に強いピ−クを有
する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン６．６
ｇを得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図９に示す。

【００５６】本発明において用いるクロロガリウムフタ
ロシアニン化合物及びヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン化合物は上記のようにして製造することができるが、
これ等の製造例に限定されるものではない。

【００５７】例示ヒドラゾン系化合物３の製造 製造例８ 一般式（１）で示されるヒドラゾン系化合物は、下記一
般式（６）で示されるヒドラジン誘導体 一般式（６）

【化５】 式中、Ｒ₅ 及びＲ₆ は前記と同義と一般式（７）で示さ
れるトリフェニルアミン誘導体一般式（７）

【化６】 式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｘ、Ｙ、ｎ、ｐ、ｑ及び
ｒは前記と同義を用いて合成することができる。

【００５８】３００ｍｌ三ッ口フラスコにエタノ−ル５
０ｍｌ、酢酸５０ｍｌ、１、１−ジフェニルヒドラジン
（一般式（６）でＲ₅ 及びＲ₆ がフェニル基で示される
化合物）３．２１ｇ（０．０１７４ｍｏｌ）及び下記構
造式の化合物６．８５ｇ（０．０１７４ｍｏｌ）

【化７】 を加え室温で１時間反応し、水に注加した。次に、得ら
れた固形分をろ過し、水洗を繰り返し固形分をろ別乾燥
した。次に、メチルエチルケトン／エタノ−ルより再結
晶し黄色の結晶を３．２１ｇ得た。収率３３％。

【００５９】本発明において用いられる他のヒドラゾン
系化合物も同様にして製造することができる。ただし、
これ等の製造例に限定されるものではない。

【００６０】本発明の電子写真感光体の代表的な層構成
としては、電荷発生物質と電荷輸送物質を同一の層に含
有する形態、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷
輸送物質を含有する電荷輸送層を積層する形態がある。
更に、導電性支持体、電荷発生層及び電荷輸送層をこの
順に積層する形態と導電性支持体、電荷輸送層及び電荷
発生層をこの順に積層する形態がある。

【００６１】本発明の電子写真感光体において、電荷発
生層は、十分な吸光度を得るためにできる限り多くの電
荷発生物質を含有し、かつ、発生した電荷キャリヤ−の
飛程を短くするために薄膜層、５μｍ以下、好ましくは
０．０１〜１μｍの薄膜層とすることが望ましい。

【００６２】電荷発生層は電荷発生物質を適当なバイン
ダ−に分散させ、これを導電性支持体上に塗工すること
により形成できる。

【００６３】塗工によって形成する際に用いるバインダ
−としては、広範な絶縁性樹脂から選択でき、また、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、ポリビニルアントラセン
やポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマ−から選択
できる。好ましくは、ポリビニルブチラ−ル、ポリアリ
レ−ト（ビスフェノ−ルと芳香族ジカルボン酸の重縮合
体）、ポリカ−ボネ−ト、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミ
ド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロ−ス系樹
脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニ
ルアルコ−ル、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
電荷発生層中に含有される樹脂は８０重量％以下、好ま
しくは４０重量％以下が適している。

【００６４】これ等の樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種
類によって異なり、また電荷輸送層や下引き層を溶解し
ない種類から選択することが好ましい。具体的には、メ
タノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル等のアルコ−
ル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン
等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチレングリコ−ルモノメチルエ−テル等のエ
−テル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水
素あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族化合
物等が用いられる。

【００６５】塗布方法としては、浸漬コ−ティング法、
スプレ−コ−ティング法、スピンナ−コ−ティング法、
ビ−ドコ−ティング法、マイヤ−バ−コ−ティング法、
ブレ−ドコ−ティング法、ロ−ラ−コ−ティング法、カ
−テンコ−ティング法等の方法が採用できる。乾燥は、
室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は３０〜２００℃の範囲で５分間〜２時間
の範囲で静止または送風下で行う。

【００６６】電荷輸送層は、電荷発生層と電気的に接続
されており、電界の存在下で電荷発生層から注入された
電荷キャリヤ−を受け取ると共に、これ等の電荷キャリ
ヤ−を表面まで輸送する機能を有している。この際、電
荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
た、その下に積層されていてもよい。電荷輸送層は一般
式（１）で示される特定の構造を有するアリ−ルアミン
ヒドラゾン系化合物を適当なバインダ−と共に溶解し、
これを塗布して形成できる。

【００６７】バインダ−としては、例えば、アクリル樹
脂、ポリアリレ−ト、ポリエステル、ポリカ−ボネ−
ト、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マ−、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマ−、ポリ
ビニルブチラ−ル、ポリビニルホルマ−ル、ポリサルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴム等の
絶縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導
電性ポリマ−等が挙げられる。電荷輸送層は電荷キャリ
ヤ−を輸送できる限界があるので必要以上に膜厚を厚く
することはできないが、３〜５０μｍ、好ましくは８〜
３０μｍである。塗工によって電荷輸送層を形成する際
には、前記電荷発生層の形成に用いたと同様の適当な塗
布方法を採用できる。

【００６８】電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からな
る感光層は導電性支持体上に設けられる。導電性支持体
としては支持体自体が導電性を有するもの、例えばアル
ミニウム、アルミニウム合金等の金属や合金が用いら
れ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化スズ、酸化インジウム−酸化スズ合金等
を真空蒸着法によって塗膜形成された層を有するプラス
チック、導電性粒子（例えばカ−ボンブラック、銀粒子
等）を適当なバインダ−と共にプラスチックや前記金属
支持体の上に被覆した導電性支持体、導電性粒子をプラ
スチックや紙に含浸した導電性支持体や導電性ポリマ−
を有するプラスチック等が用いられる。

【００６９】導電性支持体と感光層の中間に、バリヤ−
機能と接着機能を有する下引き層を設けることができ
る。下引き層はカゼイン、ポリビニルアルコ−ル、ニト
ロセルロ−ス、エチレン−アクリル酸コポリマ−、ポリ
アミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、
共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロン等）、ポ
リウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウム等によって形
成できる。下引き層の膜厚は０．１〜５μｍ、好ましく
は０．５〜３μｍである。

【００７０】また、本発明の電子写真感光体は必要に応
じて表面保護層を設けてもよい。

【００７１】本発明の電子写真感光体は電子写真複写機
に利用するのみならず、レ−ザ−ビ−ムプリンタ−、Ｃ
ＲＴプリンタ−、ＬＥＤプリンタ−、液晶プリンタ−、
レ−ザ−製版、ファクシミリ等の電子写真応用分野にも
広く利用することができる。

【００７２】次に、本発明のプロセスカ−トリッジ並び
に電子写真装置について説明する。図１０に本発明の電
子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジを有する電
子写真装置の概略構成を示す。図において、１はドラム
状の本発明の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印
方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は回転
過程において、一次帯電手段３によりその周面に正また
は負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露
光やレ−ザ−ビ−ム走査露光等の像露光手段（不図示）
からの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の周面
に静電潜像が順次形成されていく。

【００７３】形成された静電潜像は、次いで現像手段５
によりトナ−現像され、現像されたトナ−現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期取りされて給送された転写材７に、転写
手段６により順次転写されていく。像転写を受けた転写
材７は感光体面から分離されて像定着手段８へ導入され
て像定着を受けることにより複写物（コピ−）として装
置外へプリントアウトされる。像転写後の感光体１の表
面は、クリ−ニング手段９によって転写残りトナ−の除
去を受けて清浄面化され、更に前露光手段（不図示）か
らの前露光光１０により除電処理がされた後、繰り返し
画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が帯電ロ
−ラ−等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は
必ずしも必要ではない。

【００７４】本発明においては、上述の感光体１、一次
帯電手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９等の構
成要素のうち、複数のものをプロセスカ−トリッジとし
て一体に結合して構成し、このプロセスカ−トリッジを
複写機やレ−ザ−ビ−ムプリンタ−等の電子写真装置本
体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば一次帯電
手段３、現像手段５及びクリ−ニング手段９の少なくと
も１つを感光体１と共に一体に支持してカ−トリッジ化
し、装置本体のレ−ル１２等の案内手段を用いて装置本
体に着脱可能なプロセスカ−トリッジ１１とすることが
できる。また、画像露光光４は、電子写真装置が複写機
やプリンタ−である場合には、原稿からの反射光や透過
光を用いる、あるいは、センサ−で原稿を読み取り、信
号化し、この信号に従って行われるレ−ザ−ビ−ムの走
査、ＬＥＤアレイの駆動及び液晶シャッタ−アレイの駆
動等により照射される光である。

【００７５】次に、実施例と比較例で用いた電荷発生物
質について示す。

【００７６】実施例で用いた電荷発生物質の結晶形

【表１２】

【００７７】比較例で用いた電荷発生物質の結晶形

【表１３】

【００７８】実施例１ アルミ支持体上に０．４２μｍの塩化ビニル・無水マレ
イン酸・酢酸ビニル共重合体よりなる下引き層を形成し
た。次に、表１２に示される顔料番号Ｐ−４の結晶型を
持つヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物４部とポ
リビニルブチラ−ル（ブチラ−ル化度６５モル％、平均
分子量３５０００）２部をシクロヘキサノン８０部に添
加し、ガラスビ−ズと共にサンドミルで４時間分散し、
これに８０部の酢酸エチルを加え希釈した分散液を下引
き層上に乾燥後の膜厚が０．２４μｍとなるようにマイ
ヤバ−で塗布し、電荷発生層を形成した。

【００７９】次に、電荷輸送物質として例示化合物１を
４．５部とビスフェノ−ルＺ型ポリカ−ボネ−ト（粘度
平均分子量２００００）５部をモノクロロベンゼン３８
部に溶解し、この液を電荷発生層上に乾燥後の膜厚が２
３μｍとなるようにマイヤ−バ−で塗布し、乾燥して電
荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成（感光体１）
した。

【００８０】電荷発生物質として実施例１で用いた顔料
番号Ｐ−４に代えて、顔料番号Ｐ−１の結晶型を持つク
ロロガリウムフタロシアニンを用いた他は、実施例１と
同様にして電子写真感光体（感光体２）を作成した。

【００８１】比較例１ 電荷発生物質として実施例１における顔料番号Ｐ−４に
代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−１を用いた
他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成（比
較感光体１）した。

【００８２】比較例２ 電荷発生物質として実施例１における顔料番号Ｐ−４に
代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−２を用いた
他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成（比
較感光体２）した。

【００８３】比較例３ 電荷発生物質として実施例１における顔料番号Ｐ−４に
代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−３を用いた
他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成（比
較感光体３）した。

【００８４】比較例４ 電荷発生物質として実施例１における顔料番号Ｐ−４に
代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−４の顔料を
用いた他は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作
成（比較感光体４）した。

【００８５】感光体１及び２、比較感光体１〜４の電子
写真感光体をそれぞれレ−ザ−ビ−ムプリンタ−（商品
名ＬＢＰ−ＳＸ、キヤノン（株）製）の改造機のシリン
ダ−に貼り付けて暗部電位が−７００Ｖになるように帯
電設定をし、これに波長７８０ｎｍのレ−ザ−光を照射
して、−７００Ｖの電位を−２００Ｖまで下げるのに必
要な光量を測定し感度とした。さらに２０μＪ／ｃｍ²
の光量を照射した場合の電位を残留電位Ｖｒとして測定
した。結果を表１４に示す。

【００８６】

【表１４】

【００８７】次に、これ等６種類の電子写真感光体をレ
−ザ−ビ−ムプリンタ−（前出）の改造機のシリンダ−
に貼り付けて装着し、湿度１０％／気温５℃、湿度５０
％／気温１８℃、湿度８０％／気温３５℃の３環境にお
いて、画像テストを行った。条件は次の通りである。暗
部電位：−７００Ｖ、明部電位：−２００Ｖ、転写電
位：＋７００ｖ、現像極性：負極性、プロセススピ−
ド：５４ｍｍ／ｓｅｃ、現像バイアス：−４５０Ｖ、像
露光スキャン方式：イメ−ジスキャン、一次帯電前露
光：６．５０ｌｕｘ・ｓｅｃの赤色全面露光、画像形成
はレ−ザ−ビ−ムを文字信号及び画像信号に従ってライ
ンスキャンして行った。また、連続３０００枚の通紙耐
久を行って耐久後の暗部電位、明部電位の絶対値の変動
量ΔＶｄとΔＶｌを測定した。

【００８８】次に、以下のような条件で転写メモリ−の
測定を行った。上記同様の装置を用い、転写電流ＯＦＦ
時の一次帯電電位をＶｄ１、転写電流ＯＮ時の一次帯電
電位をＶｄ２として、転写メモリ−（Ｖｄ１−Ｖｄ２）
を測定した。

【００８９】更に、白色光に対するフォトメモリ−の測
定として、前記のように作成した電子写真感光体を光照
射前に上記と同様のプリンタ−で−７００Ｖに帯電した
ときの初期電位（Ｖｄ）と全面露光後の電位（Ｖｌ）を
測定し、次に、この電子写真感光体に暗部と明部ができ
るようにマスキングし、蛍光灯下で３０００ｌｕｘ、２
０分間光照射した後、５分間放置し、初期電位との変化
量の絶対値（ΔＶｄとΔＶｌ）を測定した。

【００９０】連続３０００枚の通紙耐久を行って、暗部
電位と明部電位の絶対値の変動量ΔＶｄとΔＶｌの値
と、転写メモリ−の値、フォトメモリ−の値を表１５に
示す。

【００９１】また、感光体１及び２はいずれの環境にお
いても耐久後でも初期と同様の良好な画像が得られた
が、比較感光体１、２、３及び４では、いずれの環境に
おいても白地に地カブリを起こしており特に湿度８０％
／気温３５℃において著しく、更に比較感光体４は特に
良好ではない画像が得られた。また、比較感光体１、
２、３及び４については、地カブリを除くために濃度調
節レバ−により調節したところ、黒字部分の濃度が不十
分となった。

【００９２】

【表１５】

【００９３】実施例３〜２５ 表１２に示した各種結晶型のガリウムフタロシアニン化
合物と一般式（１）に示される前記例示の電荷輸送物質
を用い、実施例１と同様にして電子写真感光体を作成
（感光体３〜２５）した。

【００９４】これ等の感光体を実施例１と同様にしてレ
−ザ−ビ−ムプリンタ−（前出）の改造機のシリンダ−
に貼り付けて暗部電位が−７００Ｖになる用に帯電設定
をし、これに波長７８０ｎｍのレ−ザ−光を照射して−
７００Ｖの電位を−２００Ｖまで下げるのに必要な光量
ＥΔ５００を測定し感度とした。更に、２０μＪ／ｃｍ
² の光量を照射した場合の電位を残留電位Ｖｒとして測
定した。

【００９５】また、これ等の感光体を暗部電位−７００
Ｖ、明部電位−２００Ｖになるように設定した後、連続
３０００枚の通紙耐久を行って、初期と３０００枚後の
暗部電位と明部電位の絶対値の変動量ΔＶｄとΔＶｌを
測定した。結果を表１６に示す。

【００９６】

【表１６】

【００９７】更に、フォトメモリ−と転写メモリ−の測
定を実施例１と同様にして行った。結果を表１７に示
す。

【００９８】

【表１７】

【００９９】比較例５〜２０ 実施例３で用いた電荷発生物質に代えて、表１３で示さ
れた各種フタロシアニン化合物を用い、後記表１８に示
すように電荷輸送物質と組み合わせた他は、実施例３と
同様にして電子写真感光体を作成（比較感光体５〜２
０）し、同様に評価した。結果を表１８に示す。

【０１００】

【表１８】

【０１０１】更に、これ等比較感光体についてもフォト
メモリ−と転写メモリ−の測定を実施例１と同様にして
行った。結果を表１９に示す。

【０１０２】

【表１９】

【０１０３】比較例２１〜２６ 実施例１において、電荷輸送物質を下記構造式の化合物
Ｈ−１〜Ｈ−６に代えて用いた他は、実施例１と同様に
して比較感光体２１〜２６を作成し、同様に評価した。
結果を表２０に示す。

【０１０４】Ｈ−１

【化８】 Ｈ−２

【化９】 Ｈ−３

【化１０】 Ｈ−４

【化１１】 Ｈ−５

【化１２】 Ｈ−６

【化１３】

【０１０５】

【表２０】

【０１０６】更に、これ等比較感光体についてもフォト
メモリ−と転写メモリ−の測定を実施例１と同様にして
行った。結果を表２１に示す。

【０１０７】

【表２１】

【０１０８】表１４〜２１の結果より明らかなように、
本発明における電荷発生物質としてのクロロガリウムフ
タロシアニン化合物及びヒドロキシガリウムフタロシア
ニン化合物と電荷輸送物質として一般式（１）で示され
る特定の構造を有するアリ−ルアミンヒドラゾン化合物
を組み合わせた本発明の電子写真感光体は、高感度、低
残留電位であり、繰り返し使用時における帯電能の低下
や感度低下が極めて小さく、安定した特性を有してお
り、更に、転写メモリ−やフォトメモリ−が極めて小さ
く優れた特性を発現することが解る。

【０１０９】実施例２６ 厚さ５０μｍのアルミニウムシ−ト支持体上に実施例１
と同様に下引き層をバ−コ−トにより形成し、この上に
実施例１と同様の電荷輸送層を１８μｍの膜厚で形成し
た。

【０１１０】次に、ビスフェノ−ルＺ型ポリカ−ボネ−
ト６部をシクロヘキサン６６部に溶解し、この溶液に表
１２に示す顔料番号Ｐ−４のヒドロキシガリウムフタロ
シアニン３．８部を混合し、サンドミルで１時間分散
後、ビスフェノ−ルＺ型ポリカ−ボネ−ト５部と実施例
１で用いた電荷輸送物質９．５部を溶解し、更にテトラ
ヒドロフラン４０部、ジクロロメタン４０部を加えて希
釈して分散塗料を得た。この塗料をスプレ−塗布によ
り、電荷輸送層上に塗布し乾燥して８μｍの膜厚の電荷
発生層を形成し、感光体２６を作成した。

【０１１１】実施例２７ 電荷発生物質として実施例２６における顔料番号Ｐ−４
に代えて、表１２に示される顔料番号Ｐ−１の結晶型を
持つクロロガリウムフタロシアニンを用いた他は、実施
例２６と同様にして電子写真感光体を作成（感光体２
７）した。

【０１１２】比較例２７ 電荷発生物質として実施例２６における顔料番号Ｐ−４
に代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−１を用い
た他は、実施例２６と同様にして電子写真感光体を作成
（比較感光体２７）した。

【０１１３】比較例２８ 電荷発生物質として実施例２６における顔料番号Ｐ−４
に代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−２を用い
た他は、実施例２６と同様にして電子写真感光体を作成
（比較感光体２８）した。

【０１１４】比較例２９ 電荷発生物質として実施例２６における顔料番号Ｐ−４
の顔料に代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−３
の顔料を用いた他は、実施例２６と同様にして電子写真
感光体を作成（比較感光体２９）した。

【０１１５】比較例３０ 電荷発生物質として実施例２６における顔料番号Ｐ−４
の顔料に代えて、表１３に示される比較顔料番号Ｑ−４
の顔料を用いた他は、実施例２６と同様にして電子写真
感光体を作成（比較感光体３０）した。

【０１１６】こうして作成した感光体２６及び２７、比
較感光体２７〜３０の電子写真感光体を静電試験装置
（商品名ＥＰＡ−８１００、川口電機（株）製）を用い
て評価した。評価は初めに正のコロナ帯電により表面電
位が７００Ｖとなるように設定し、次に、モノクロメ−
タにより分光した８００ｎｍの単色光により露光して表
面電位が２００Ｖまで下がるときの光量を測定して感度
とした。結果を表２２に示す。

【０１１７】

【表２２】

【０１１８】実施例２８ アルミ支持体上に、Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン樹
脂（重量平均分子量４５０００）４．２部とアルコ−ル
可溶性共重合ナイロン樹脂（重量平均分子量５０００
０）８．８部をメタノ−ル９０部に溶解した液をマイヤ
−バ−で塗布し乾燥後の膜厚が０．５μｍの下引き層を
形成した。

【０１１９】次に、電荷発生物質として表１２に示す顔
料番号Ｐ−４を１２部、ポリビニルブチラ−ル（ブチラ
−ル化率６５％、重量平均分子量４５０００）１０部と
シクロヘキサノン２００部をボ−ルミルで２４時間分散
を行った。分散液を下引き層上にブレ−ドコ−ティング
により塗布し、乾燥後の膜厚が０．２２μｍの電荷発生
層を形成した。

【０１２０】次に、電荷輸送物質として例示化合物３を
６部と例示化合物３０を３．５部とビスフェノ−ルＺ型
ポリカ−ボネ−ト（重量平均分子量４００００）１０部
をモノクロロベンゼン７０部に溶解し、この液を電荷発
生層上にブレ−ドコ−ティングにより塗布し、乾燥後の
膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体
を作成（感光体２８）した。

【０１２１】感光体２８に−５ＫＶのコロナ放電を行っ
た。このときの表面電位（初期電位Ｖ０）を測定した。
更にこの感光体を１秒間暗所に放置したときの表面電位
を測定した。感度は暗減衰した後の電位Ｖ１を１／６に
減衰するのに要する露光量（Ｅ１／６：μＪ／ｃｍ² ）
を測定することによって評価した。この際光源としてイ
ンジウム／ガリウム／アルミニウム／リンの四元系半導
体レ−ザ−（出力：５ｍＷ、発振波長６８０ｎｍ）を用
いた。結果を示す。 Ｖ０：−７００Ｖ、Ｖ１：−６９５Ｖ、Ｅ１／６：０．
３４μＪ／ｃｍ²

【０１２２】次に、同上の半導体レ−ザ−を備えた反転
現像方式のレ−ザ−ビ−ムプリンタ−（前出）に感光体
２８を取り付けて、実際の画像形成テストを行った。条
件は下記の通りとした。一次帯電の表面電位：−７００
Ｖ、像露光の表面電位：−１５０Ｖ転写電位＋７００
Ｖ、現像極性：負極性、プロセススピ−ド：５０ｍｍ／
ｓｅｃ、現像条件（現像バイアス）：−４５０Ｖ、像露
光スキャン方式：イメ−ジスキャン、一次帯電前露光：
５０ｌｕｘ／ｓｅｃの赤色全面露光、画像形成はレ−ザ
−ビ−ムを文字信号及び画像信号に従ってラインスキャ
ンして行ったが、文字、画像共に良好なプリントが得ら
れた。更に連続５０００枚の画出しを行ったが、初期か
ら５０００枚まで安定したプリントが得られた。

【０１２３】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、レ−ザ−ダ
イオ−ドの発振波長のような長波長領域で高い感度と低
残留電位を示し、繰り返し使用や環境の変動によらず、
安定して優れた電位特性を示し、更に、転写メモリ−や
フォトメモリ−が極めて小さく、かぶり等の画像欠陥の
ない良好な画質を与えるという顕著な効果を奏する。ま
た、プロセスカ−トリッジ並びに電子写真装置において
も同様に顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】製造例１で得られたクロロガリウムフタロシア
ニンの赤外吸収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）である。

【図２】製造例１で得られたクロロガリウムフタロシア
ニンの粉末Ｘ線回折図である。

【図３】製造例２で得られたＣｕＫαのＸ線回折におけ
るブラッグ角２θ±０．２°が７．４°、１６．６°
、２５．５°及び２８．２°に強いピ−クを有する結
晶型を持つクロロガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
である。

【図４】製造例３で得られたＣｕＫαのＸ線回折におけ
るブラッグ角２θ±０．２°が８．７〜９．２°、１
７．５°、２４．０°、２７．４°及び２８．７°に強
いピ−クを有する結晶型を持つクロロガリウムフタロシ
アニンのＸ線回折図である。

【図５】製造例４で得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニンの赤外吸収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）であ
る。

【図６】製造例４で得られたＣｕＫαのＸ線回折におけ
るブラッグ角２θ±０．２°が６．８°及び２６．２°
に強いピ−クを有する結晶型を持つヒドロキシガリウム
フタロシアニンのＸ線回折図である。

【図７】製造例５で得られたＣｕＫαのＸ線回折におけ
るブラッグ角２θ±０．２°が７．４°及び２８．２°
に強いピ−クを有する結晶型を持つヒドロキシガリウム
フタロシアニンのＸ線回折図である。

【図８】製造例６で得られたＣｕＫαのＸ線回折におけ
るブラッグ角２θ±０．２°が７．５°、１６．３°、
２４．９°及び２６．４°に強いピ−クを有する結晶型
を持つヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
である。

【図９】製造例７で得られたＣｕＫαのＸ線回折におけ
るブラッグ角２θ±０．２°が６．９°、１３．３°、
１６．５°及び２６．７°に強いピ−クを有する結晶型
を持つヒドロキシガリウムフタロシアニンのＸ線回折図
である。

【図１０】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカ
−トリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１ 本発明の電子写真感光体 ２ 軸 ３ 一次帯電手段 ４ 画像露光光 ５ 現像手段 ６ 転写手段 ７ 転写材 ８ 像定着手段 ９ クリ−ニング手段 １０ 前露光光 １１ プロセスカ−トリッジ １２ レ−ル

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
   子写真感光体において、該感光層が電荷発生物質として
   クロロガリウムフタロシアニン化合物及びヒドロキシガ
   リウムフタロシアニン化合物から選択された少なくとも
   １種を含有し、かつ電荷輸送物質として下記一般式
   （１）で示される化合物の少なくとも１種を含有するこ
   とを特徴とする電子写真感光体。 一般式（１） 【化１】 式中、Ｘ及びＹは一般式（２）または一般式（３）で示
   される基を表し、 一般式（２）−Ｚ−Ａｒ ｎは０または１の整数を表す。Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ はハ
   ロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基
   を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
   リ−ル基あるいは置換アミノ基を表し、ｐ及びｒは０〜
   ４の整数を表す。ｑはｎ＝０のとき０〜５の整数を表
   し、ｎ＝１のとき０〜４の整数を表す。Ｒ₄ は水素原
   子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
   もよいアリ−ル基あるいは置換基を有してもよい複素環
   基を表し、Ｒ₅ 及びＲ₆ は置換基を有してもよいアルキ
   ル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有
   してもよいアリ−ル基あるいは置換基を有してもよい複
   素環基を表し、Ｒ₅ 及びＲ₆ は同一でも異なっていても
   よく、直接もしくは結合基を介して環を形成してもよ
   い。Ｚは置換基を有してもよいアルキレン基を表し、Ａ
   ｒは置換基を有してもよいアリ−ル基あるいは置換基を
   有してもよい複素環基を示す。Ｒ₇ は置換基を有しても
   よいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、
   置換基を有してもよいアリ−ル基あるいは置換基を有し
   てもよい複素環基を表す。
2. 【請求項２】前記一般式（１）で示される化合物におい
   て、一般式中のｎが０である請求項１記載の電子写真感
   光体。
3. 【請求項３】前記一般式（１）で示される化合物におい
   て、一般式中のｎが０であり、かつＸ−Ｏ−が４−位
   （ｎ原子の結合位置から見てパラ位）である請求項１記
   載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 前記クロロガリウムフタロシアニン化合
   物が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±
   ０．２°が７．４°、１６．６°、２５．５°及び２
   ８．２°に強いピ−クを有する結晶型である請求項１記
   載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 前記クロロガリウムフタロシアニン化合
   物が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ±
   ０．２°が８．７°〜９．２°、１７．５°、２４．０
   °、２７．４°及び２８．７°に強いピ−クを有する結
   晶型である請求項１記載の電子写真感光体。
6. 【請求項６】 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン
   化合物が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ
   ±０．２°が６．８°及び２６．２°に強いピ−クを有
   する結晶型である請求項１記載の電子写真感光体。
7. 【請求項７】 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン
   化合物が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ
   ±０．２°が７．４°及び２８．２°に強いピ−クを有
   する結晶型である請求項１記載の電子写真感光体。
8. 【請求項８】 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン
   化合物が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ
   ±０．２°が７．５°、１６．３°、２４．９°及び２
   ６．４°に強いピ−クを有する結晶型である請求項１記
   載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン
   化合物が、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ
   ±０．２°が６．９°、１３．３°、１６．５°及び２
   ６．７°に強いピ−クを有する結晶型である請求項１記
   載の電子写真感光体。
10. 【請求項１０】 請求項１記載の電子写真感光体、及び
    帯電手段、現像手段及びクリ−ニング手段からなる群よ
    り選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子
    写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセ
    スカ−トリッジ。
11. 【請求項１１】 請求項１記載の電子写真感光体、帯電
    手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有すること
    を特徴とする電子写真装置。