JP2000072429A - 炭化バナジウム粉末およびその製造方法 - Google Patents
炭化バナジウム粉末およびその製造方法Info
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 102
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 31
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003966 growth inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
の分散性のよい均粒で微粒な高純度の炭化バナジウム粉
末及びその製造方法と製造装置とを提供すること。 【解決手段】 炭化バナジウム粉末は、平均粒径が1.
0μm以下、結合炭素量が15wt%以上、酸素含有量
が0.5wt%以下である。この炭化バナジウム粉末を
製造するには、水素気流中で還元炭化処理を行う回転炉
を備えた炭化バナジウム粉末の製造装置を用いる。回転
炉10は、中心部に円柱型ヒータ3が設置されそのヒー
ターを包み込むように黒鉛製の第1及び第2の円筒1、
2からなる二重の円筒が設置されており、前記第1の円
筒1は、前記第2の円筒2の外側に、固定されて配置さ
れ、前記第2の円筒2は回転可能に設けられ、前記第2
の円筒内を処理物が連続的に流れて行きながら加熱処理
する構成を有する。
Description
板の穴開けドリル、磁気テープ切断用切断刃等に用いら
れる超硬合金の作製に用いられる炭化バナジウム粉末と
その製造方法とその製造装置に関する。
ル、磁気テープ切断用切断刀等に用いられる超硬合金に
は高硬度、高強度であることが要求される。このような
要求を満たす超硬合金は、原料に超微粒炭化タングステ
ン粉末を用い、焼結中の粒成長を抑制するために主とし
て、炭化バナジウム粉末、炭化クロム粉末、炭化タンタ
ル粉末等が少量添加される。これらのなかで、炭化バナ
ジウム粉末は最も効果的である。
て以下の方法がある。
粉末の原料混合粉末、または、酸化バナジウム粉末と炭
素粉末の原料混合粉末を水素気流中、1500℃以上の
温度域にて、プッシャータイプの連続炉やバッチタイプ
の真空炉中で炭化処理を行う方法である。
アルコキシドと炭水化物との反応生成物を焼成し炭化バ
ナジウム粉末を得る方法である(特公昭58−5092
8号公報)。
化処理にプッシャータイプの連続炉やバッチタイプの炉
を使用するので、均一に熱が伝わりにくく、炭素量、酸
素量等の品質のバラツキが大きいという欠点がある。ま
た、高温で長時間処理されるため、炭化バナジウム粉末
の粒成長が著しい。よって粉砕に長時間要し鉄等の不純
物の混入を招いたり、粉砕時に粉末が酸化したり、生産
性が悪いという欠点がある。
ム粉末は粗粒のものが多いと,合金作製時に均一に分散
されにくく、粒成長抑制効果が十分に得られないことが
ある。また合金中に第三相として析出し、合金強度の低
下を招く。
炭化バナジウム粉末が得られるが収率が悪く量産化しが
たく、酸素量も多いという欠点がある。またハロゲン化
物が高価であるのと多量の薬品を消費するのでコスト的
に不利であるという欠点がある。
超微粒超硬合金の特性改善のために、合金での分散性の
よい均粒で微粒な高純度の炭化バナジウム粉末及びその
製造方法とその製造装置とを提供することにある。
は、コスト面で有利になるばかりでなく、量産化にも適
している炭化バナジウム粉末及びその製造方法と製造装
置とを提供することにある。
課題は、WCの粒成長の少ない超硬合金を再現性良く得
られる炭化バナジウム粉末及びその製造方法とその製造
装置とを提供することにある。
ナジウム粉末において、平均粒径が1.0μm以下、結
合炭素量が15wt%以上、酸素含有量が0.5wt%
以下であることを特徴とする炭化バナジウム粉末が得ら
れる。
ム粉末を製造する方法であって,酸化バナジウム粉末と
炭素粉末を出発原料として混合し、この原料混合粉末を
直径1.0〜4.0mm、長さ2〜10mmの円柱状ま
たは直径2.0〜6.0mmの球状に成型し、乾燥後、
これらの原料成型体を1300℃〜1800℃の水素気
流中で還元炭化処理することを特徴とする炭化バナジウ
ム粉末の製造方法が得られる。
ム粉末の製造方法において,酸化バナジウム粉末におい
て、平均粒径2.0μm以下であり、炭素粉末におい
て、平均粒径1.0μm以下である原料を用いることを
特徴とする炭化バナジウム粉末の製造方法が得られる。
化バナジウム粉末の製造方法において,前記水素気流中
での還元炭化処理において、中心部に円柱型ヒーターが
設置されそのヒーターを包み込むように黒鉛製の二重の
円筒が設置されており、外側の円筒は固定され、内側の
円筒は回転し、内側の円筒内を処理物が連続的に流れて
いく回転炉を用いて加熱処理をすることを特徴とする炭
化バナジウム粉末の製造方法が得られる。
炭化処理を行う回転炉を備えた炭化バナジウム粉末の製
造装置において,前記回転炉は、中心部に円柱型ヒータ
ーが設置されそのヒーターを包み込むように黒鉛製の第
1及び第2の円筒からなる二重の円筒が設置されてお
り、前記第1の円筒は、前記第2の円筒の外側に、固定
されて配置され、前記第2の円筒は回転可能に設けら
れ、前記第2の円筒内を処理物が連続的に流れていきな
がら加熱処理する構成を有することを特徴とする炭化バ
ナジウム粉末の製造装置が得られる。
ウム粉末を用いたことを特徴とする超硬合金が得られ
る。
に平均粒径2.0μm以下(望ましくは1.0μm以
下)の酸化バナジウム粉末と平均粒径1.0μm以下の
炭素粉末を用い、これらを十分に乾式混合した後、各種
溶剤で混練し、直径1.0〜4.0mm、長さ2〜10
mmの円柱状または直径2.0〜6.0mmの球状に成
型し、乾燥する。
800℃の温度域において、生成ガスの迅速な除去およ
び均等な熱の供給が可能な回転炉を用いて処理物を攪拌
しながら還元炭化処理を行う。
含炭素量が15wt%以上、酸素含有量が0.5wt%
以下であることを特徴とする均粒で微粒の炭化バナジウ
ム粉末が得られる。
に用いると、従来のものに比べ粒成長抑制効果が大きく
合金強度の高い超硬合金が再現性よく得られる。
うに限定した理由について説明する。
の平均粒径を1.0μm以下としたのは、1.0μmを
越えた炭化バナジウム粉末を添加すると、強度低下を招
く第三相が析出し合金強度が低下するためである。
t%以上としたのは、15wt%未満では合金炭素量の
制御が難しくなるためである。
%以下としたのは、0.5wt%を越えた炭化バナジウ
ム粉末を添加すると、超硬合金には反応ガスによるポア
が残留したり、合金炭素量の抑制が難しくなるためであ
る。
粉末と平均粒径1.0μm以下の炭素粉末を使用したの
は酸化バナジウム粉末と炭素粉末の接触面積を増大させ
迅速に還元、炭化反応せしめ微粒の炭化バナジウム粉末
を得るために上記のように眼定した。直径1.0〜4.
0mm、長さ2〜10mmの円柱状または直径2.0〜
6.0mmの球状に成型したのは、原料成型体が撹拌さ
れ、還元炭化反応を迅速かつ充分に進行させるために上
記のように眼定した。これより大きいと、原料成型体の
中心部に未反応部分が発生する。また、これより小さい
と、回転炉内に原料が詰まるなどの不具合が発生するか
らである。
転炉を用いたのは、原料成型体を撹拌することにより処
理物に効率良く熱を伝えることで、固相(酸化バナジウ
ム粒子)、固相(炭素粒子)の反応性を高め、反応生成
ガス(CO,CO2 )の除去を迅速にすることにより原
料成型体を素速く還元、炭化反応させ、生成炭化物の粒
成長を抑制させるためである。
を1300〜1800℃としたのは、1300℃未満の
温度では酸素が0.5wt%より多く残り未反応の酸化
バナジウムが残存し、1800℃より高い温度では酸素
は十分に除去されるが、炭化バナジウム粉末が粒成長を
起こし生成炭化物が粗くなる欠点があるからである。
いて図面を参照しながら説明する。
ジウム製造装置の要部を示す断面図である。図1を参照
すると、回転炉10は、中心軸の位置に配置された円柱
型ヒータ3と、円柱型ヒータ3の周囲を包み込むように
2重に配置された黒鉛製の第1及び第2の円筒1、2
と、第2の円筒2の下流端部に配置されたギア6と,駆
動用モータ4と、駆動用モータ4に設けられたギア5
と、それらの周囲を覆う断熱材料からなる外郭部11を
備えている。第1の円筒1は、炉内に固定されており、
第2の円筒2は、ギア5及びギア6を介して、駆動用モ
ータ4によって、回転する構成となっている。
側が下がるように構成されており、炉内には水素気流が
導入されている。原料は、図では、左側の上方から供給
され、第2の円筒2の回転及び中心軸の傾斜によって、
図の右側に移動して取り出される。
ウムの具体的製造方法について説明する。
の酸化バナジウム粉末と平均粒径1.0μmの炭素粉末
を所定の結合炭素量になるよう配合し、高速回転混合機
にて混合し、原料混合粉末を作製した。この原料混合粉
末に成型を容易にするための各種溶剤を添加し、直径
1.0mm、長さ2mmの円柱状に成型、乾燥を行い、
原料成型体を作製した。この原料成型体を、図1の回転
炉10を用いて水素気流中1300℃で反応せしめた。
この時、回転炉10は、内径85mm,長さ2400m
mの黒鉛製円筒内に、外径40mm、長さ2620mm
の黒鉛製円柱型ヒーター3を設置したものであり、黒鉛
製円筒を1rpmで回転させ、水平に対し約6度傾けて
使用した。回転炉10内は、水素が1.8m3 /h流
れ、かつ、黒鉛製円柱型ヒーター3を通電加熱すること
により黒鉛製円筒内を1300℃に保った。この状態
で、回転炉10上部より原料成型体を6kg/hの割合
で投入した。この原料成型体の炉内滞在時間は約30分
であった。このようにして得られた本発明品の製造条
件、分析値を表1の本発明粉末試料番号1に示す。
素気流中1800℃の回転炉で処理した粉末の分析値を
表1の本発明粉末試料番号2に示す。上記使用原料混合
粉末を直径1.0mm、長さ10mmの円柱状,直径
4.0mm、長さ2mmの円柱状、直径4.0mm、長
さ10mmの円柱状,直径2.0mmの球状および直径
6.0mmの球状に成型し、各々1.8m3 /hの水素
気流中1300℃,1800℃の回転炉で処理した粉末
の分析値を表1の本発明粉末試料番号3,4,5,6,
7,8,9,10,11,12に示す。
と平均粒径0.5μmの炭素粉末.平均粒径1.0μm
の酸化バナジウム粉末と平均粒径1.0μmの炭素粉末
および平均粒径1.0μmの酸化バナジウム粉末と平均
粒径0.5μmの炭素粉末を各々直径1.0mm、長さ
2mmの円柱状に成型し、1.8m3 /hの水素気流中
1300℃の回転炉で処理した粉末の分析埴を表1の本
発明粉末試料番号13,14および15に示す。
す。
料成型体を1.8m3 /hの水素気流中1200℃およ
び1900℃の回転炉で処理した。これらの粉末の分析
植を表1の比較粉末試料番号1および2に示す。
した原料混合粉末を直径1.0mm、長さ1mmの円柱
状,直径1.0mm、長さ15mmの円柱状,直径0.
5mm、長さ2mmの円柱状,直径8.0mm、長さ2
mmの円柱状,直径1.0mmの球状および直径8.0
mmの球状に成型し、各々1.8m3 /hの水素気流中
1300℃の回転炉で処理した。これらの粉末の分枡値
を表1の比較粉末試料番号3,4,5,6,7および8
に示す。
ウム粉末と平均粒径2.0μmの炭素粉末および平均粒
径3.0μmの酸化バナジウム粉末と平均粒径1.0μ
mの炭素粉末を各々直径1.0mm,長さ2mmの円柱
状に成型し、1.8m3 /hの水素気流中1300℃の
回転炉で処理した。その粉末の分析値を表1の比較粉末
試料番号9及び10に示す。従来法による比較例を以下
に示す。
料成型体を従来法のプッシャータイプの連続炉にて、1
300℃および1800℃で処理した。炉内に水素ガス
を1.2m3 /h流し、原料成型体を入れた長さ300
mmの黒鉛製ポートを60分間隔で炉へ挿入した。この
ようにして得られた粉末の分析値を表1の比較粉末試料
番号11および12に示す。
形態で得た炭化バナジウム粉末のうち、本発明粉末試料
番号1,2と比較粉末試料番号1,2を使用した超硬合
金の例について述べる。
微粒炭化タングステン粉末、平均粒径1.2μmのコバ
ルト粉末、そして上記炭化バナジウム粉末を用意した。
ン粉末を89.5wt%、炭化バナジウム粉末を0.5
wt%,そしてコバルト粉末を10.0wt%の割合に
配合し、アルコール中で8時間湿式混合した。混合後、
減圧乾燥し、1000kg/cm2 の圧力でプレス成型
した。その後、1380℃で1時間真空焼結した。続い
て1350℃で1時間アルゴン雰囲気下において100
0kg/cm2 のHIP処理を行った。これらの焼結体
をダイヤモンド砥石で4mm×8mm×25mmのJI
S片に作製し、ロックウェル硬さ(HRA)、抗折力、
抗磁力について測定した。その結果を表2に示した。
の炭化バナジウム粉末を用いた合金は、比較粉末を用い
た合金に比べ高硬度、高強度で、本発明粉末の炭化バナ
ジウム粉末が優れていることが判る。
造された炭化バナジウム粉末は、高純度(結合炭素量1
5wt%以上、酸素含有量0.5wt%以下)かつ微粒
(平均粒径1.0μm以下)で均粒であった。
用いた超硬含金は、WC粒子の粒成長の少ない超硬合金
が再現性良く得られた。
有利になるばかりでなく、量産化にも適している。
m以下(望ましくは,1.0μm以下)の酸化バナジウ
ム粉末と平均粒径1.0μm以下の炭素粉末を原料に用
いることにより、酸化バナジウム粉末と炭素粉末の接触
面積を増大させる。還元炭化処理として回転炉を使用す
ることにより反応ガスを炉外ヘすばやく排出させ、かつ
効率よく均一に加熱処理することにより迅速に還元、炭
化反応させる。これらによって、平均粒径1.0μm以
下、結合炭素量15wt%以上、酸素含有量0.5wt
%以下の均粒で微粒な高純度炭化バナジウム粉末が得ら
れる。
ことにより容易に製造可能であるバナジウム粉末の製造
装置を提供することができる。
の製造装置の要部を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 炭化バナジウム粉末において、平均粒径
が1.0μm以下、結合炭素量が15wt%以上、酸素
含有量が0.5wt%以下であることを特徴とする炭化
バナジウム粉末。 - 【請求項2】 請求項1記載の炭化バナジウム粉末を製
造する方法であって,酸化バナジウム粉末と炭素粉末を
出発原料として混合し、この原料混合粉末を直径1.0
〜4.0mm、長さ2〜10mmの円柱状または直径
2.0〜6.0mmの球状に成型し、乾燥後、これらの
原料成型体を1300℃〜1800℃の水素気流中で還
元炭化処理することを特徴とする炭化バナジウム粉末の
製造方法。 - 【請求項3】 請求項2記載の炭化バナジウム粉末の製
造方法において,酸化バナジウム粉末において、平均粒
径2.0μm以下であり、炭素粉末において、平均粒径
1.0μm以下である原料を用いることを特徴とする炭
化バナジウム粉末の製造方法。 - 【請求項4】 請求項2又は3記載の炭化バナジウム粉
末の製造方法において,前記水素気流中での還元炭化処
理において、中心部に円柱型ヒーターが設置されそのヒ
ーターを包み込むように黒鉛製の二重の円筒が設置され
ており、外側の円筒は固定され、内側の円筒は回転し、
内側の円筒内を処理物が連続的に流れていく回転炉を用
いて加熱処理をすることを特徴とする炭化バナジウム粉
末の製造方法。 - 【請求項5】 水素気流中で還元炭化処理を行う回転炉
を備えた炭化バナジウム粉末の製造装置において,前記
回転炉は、中心部に円柱型ヒーターが設置されそのヒー
ターを包み込むように黒鉛製の第1及び第2の円筒から
なる二重の円筒が設置されており、前記第1の円筒は、
前記第2の円筒の外側に、固定されて配置され、前記第
2の円筒は回転可能に設けられ、前記第2の円筒内を処
理物が連続的に流れていきながら加熱処理する構成を有
することを特徴とする炭化バナジウム粉末の製造装置。 - 【請求項6】 請求項1記載の炭化バナジウム粉末を用
いたことを特徴とする超硬合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10248965A JP2000072429A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 炭化バナジウム粉末およびその製造方法 |
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JP10248965A JP2000072429A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 炭化バナジウム粉末およびその製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006346986A Division JP4180633B2 (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 炭化バナジウム粉末およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000072429A true JP2000072429A (ja) | 2000-03-07 |
Family
ID=17186037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP10248965A Withdrawn JP2000072429A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 炭化バナジウム粉末およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2000072429A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100072826A (ko) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 제일모직주식회사 | 금속 카바이드의 제조 방법 |
WO2018070466A1 (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 株式会社アライドマテリアル | 炭化タングステン粉末 |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP10248965A patent/JP2000072429A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6368448B1 (ja) * | 2016-10-13 | 2018-08-01 | 株式会社アライドマテリアル | 炭化タングステン粉末 |
CN109843797A (zh) * | 2016-10-13 | 2019-06-04 | 联合材料公司 | 碳化钨粉末 |
US11312632B2 (en) | 2016-10-13 | 2022-04-26 | A.L.M.T. Corp. | Tungsten carbide powder |
CN109843797B (zh) * | 2016-10-13 | 2022-11-22 | 联合材料公司 | 碳化钨粉末 |
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