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JP2000066177A - 高分子分散型液晶の光吸収評価法、液晶表示素子および液晶プロジェクター - Google Patents

高分子分散型液晶の光吸収評価法、液晶表示素子および液晶プロジェクター

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Publication number
JP2000066177A
JP2000066177A JP10233946A JP23394698A JP2000066177A JP 2000066177 A JP2000066177 A JP 2000066177A JP 10233946 A JP10233946 A JP 10233946A JP 23394698 A JP23394698 A JP 23394698A JP 2000066177 A JP2000066177 A JP 2000066177A
Authority
JP
Japan
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liquid crystal
polymer
crystal display
light
dispersed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10233946A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Yamamoto
雅夫 山本
Tsuyoshi Kamimura
強 上村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10233946A priority Critical patent/JP2000066177A/ja
Publication of JP2000066177A publication Critical patent/JP2000066177A/ja
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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐光性及び色純度に優れた液晶表示素子を実
現する。 【解決手段】 透明電極層13を有する上下一対の液晶
支持基板11、12をスペーサ兼シール樹脂15を介し
て光吸収端が400nm以上430nm以下である高分
子分散型液晶を挟持し液晶表示素子を作製する。液晶表
示素子に前記高分子分散型液晶の光吸収領域の光を遮光
することができ、かつカット波長の範囲は最長でも43
0nmを越えない光カットフィルター18を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶が高分子マト
リクス中に分散保持された高分子分散型液晶を用いた液
晶表示素子とそれを利用した液晶プロジェクター及び高
分子分散型液晶の光吸収評価法、、液晶表示素子および
液晶プロジェクターに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶分子の屈折率と同じ屈折率を
有する高分子に、ネマチック液晶を分散保持させた高分
子分散型液晶を電極を、有する上下一対の基板間に挟み
込み、電界の有無により、液晶の屈折率を変化させ、散
乱状態と透過状態とを切り換える液晶表示素子が多くの
研究、開発者の注目を集めている(特開昭60−252
687号公報)。
【0003】図2は、この液晶表示素子の表示原理を示
す概略図である。電圧無印加状態(同図−(a))で
は、液晶24の分子軸がランダムな方向を向くため液晶
領域の屈折率が周囲の高分子相25の屈折率と異なり、
液晶光学素子に入った入射光22は散乱光23となり、
その結果、散乱状態が得られる。一方、透明電極層21
に電界を印加する(同図−(b))と、液晶24の分子
軸が電界方向に配列し、基板に垂直に入射した光に対し
ては、液晶領域の屈折率が周囲の高分子相25の屈折率
とほぼ一致するため、光の散乱が生じず透過光26とな
り、その結果、透過状態が得られる。
【0004】この高分子分散型液晶を用いた液晶表示素
子は、光の散乱を利用するため、偏光板を使用する必要
がなく、従来のツイステッドネマチック(TN)型の液
晶表示素子のように、直線偏光を得るために、偏光板を
使用しなければならない液晶光学素子に比べ、明るく、
視野角の広い表示が可能になる。さらに、従来のTN型
等の液晶光学素子は、配向処理や上下基板間隔を正確に
制御する必要があり、大面積の表示に関しては、表示む
らが出易いという課題を有していた。
【0005】これに対して、高分子分散型液晶を用いた
液晶表示素子は、配向処理が不要で基板間隔の制御も厳
密でなく、大面積の液晶表示素子も容易に作製できると
いう特長を有する。
【0006】高分子分散型液晶の作製法としては、乳化
法、キャスト法、相分離法等が提案されているが、これ
らのうち特に光を用いた相分離法が量産性、生産性の面
で優れると考えられ主流となっている。これは、モノマ
ー、オリゴマー及び重合開始剤から構成される重合性材
料と液晶材料の組成物に光を照射することで重合性材料
の重合を行う工程を含むものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高分子
分散型液晶を用いた液晶表示素子は耐光信頼性の面で課
題を有している。一連の重合工程完了後に高分子分散型
液晶中に残存する重合開始剤が耐光信頼性に影響を及ぼ
す主たる要因であると考えられている。つまり、残存し
た重合開始剤が液晶表示素子に入射してきた光を吸収す
ることにより、活性なラジカル種が発生し、このラジカ
ルが引き金となって液晶材料の分解を誘発したり、液晶
/ポリマー間に働く界面規制力に変化を引き起こし液晶
表示素子の性能が劣化する。具体的には電圧保持率の低
下、散乱性能の低下、駆動電圧の変化といった現象が起
こる。
【0008】上記より、高分子分散型液晶を利用した液
晶表示素子の耐光性を改善するためには、光劣化の引き
金となる残存重合開始剤の光吸収を抑えることが重要で
あると考えられるわけであるが、高分子分散型液晶やそ
の中の液晶材料の光吸収の情報を得るのは容易ではな
く、それら材料の光吸収について具体的に言及した前例
は未だかつて無かった。
【0009】本発明の目的は、前記課題に鑑みてなされ
たものであり、第一には耐光性に影響を及ぼす材料の光
吸収を正確に測定する手段を提供することであり、第二
には高コントラストでかつ耐光信頼性と色純度の優れた
高分子分散型液晶表示素子及び液晶プロジェクターを実
現することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の高分子分散型液
晶の光吸収評価法は、高分子分散型液晶を利用した液晶
表示素子に一定の電圧を印加した状態で吸収スペクトル
を測定することを特徴とする光吸収評価法である。
【0011】また、本発明の高分子分散型液晶中の液晶
材料の光吸収評価法は、高分子分散型液晶中の液晶を溶
媒抽出し、その抽出溶媒の吸収スペクトルを測定するこ
とを特徴とする光吸収評価法である。
【0012】そして、本発明の液晶表示素子及び液晶プ
ロジェクターは、高分子分散型液晶またはその中の液晶
材料の光吸収の吸収端が400nm以上430nm以下
である高分子分散型液晶を用いたものであり、同時に前
記した材料の光吸収領域の光を遮光し、かつカット波長
の範囲が430nmを越えない光カットフィルターを備
えた液晶表示素子及び液晶プロジェクターである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
【0014】なお、本形態の高分子分散型液晶表示素子
は、高分子化合物中に液晶が滴状に分散している構造、
高分子化合物中に液晶が連続的につながって分散してい
る構造のいずれであっても良い。
【0015】図1は本発明の高分子分散型液晶を利用し
て作製した液晶表示素子の一具体例の構成を概略的に示
した断面図である。
【0016】図1において、それぞれの表面にインジウ
ム・錫酸化物よりなる透明電極層13が形成された一対
の基板11、12が、互いの透明電極層13が所定の間
隔を空けて対向するように配置され、対向透明電極層1
3間に、高分子マトリクス16中に液晶17が分散保持
された高分子分散型液晶が配置されている。スペーサ兼
シール樹脂15により対向する透明電極層13が貼り合
わされ、高分子分散型液晶は封止されている。両基板上
には光カットフィルター18がとりつけられている。ま
た、図2は高分子分散型液晶を利用した液晶光学素子の
表示原理を示した概略図である。
【0017】図6は、本発明の一実施例の液晶表示素子
に電圧を加えながら高分子分散型液晶の吸収スペクトル
を測定した結果を示す図である。
【0018】図6によれば、電圧が一定値以上になると
吸光度が0に近似するので、高分子分散型液晶の吸収が
明確になることがわかる。吸収スペクトルを測定する際
に液晶表示素子に印加する電圧Vについて、いくつか実
験を行った結果、高分子分散型液晶に用いる液晶材料の
誘電率異方性Δεが正(Δε>0)の条件を満たす材料
である場合は、液晶表示素子に印加する電圧Vは、液晶
表示素子の電圧無印加時の光透過率をT0、最大光透過
率をTmax、また液晶表示素子の光透過率がT0及びTma
xと(数1)の関係を満たす時の光透過率をTxとし、液
晶表示素子の光透過率がTxになる電圧をVxとした時、
Vxと(数2)の関係を満たす電圧であることが必要と
なることがわかった。それ以下の電圧では高分子分散型
液晶の散乱がスペクトルに反映されるため正確な吸収の
情報を得ることはできない。
【0019】また、液晶材料の誘電率異方性Δεが負
(Δε<0)である場合には、吸収スペクトルを測定す
る際に液晶表示素子に印加する電圧V’は、吸収スペク
トルを測定する際に液晶表示素子に印加する電圧は液晶
表示素子の電圧無印加時の光透過率をT0、最小光透過
率をTmin、また液晶表示素子の光透過率がT0及びTmi
nと(数6)の関係を満たす時の光透過率をTx’とし、
液晶表示素子の光透過率がTx’になる電圧をVx’とし
た時、Vx’と(数4)の関係を満たす電圧が必要であ
ることがわかった。それ以上の電圧では高分子分散型液
晶の散乱がスペクトルに反映されるため正確な吸収の情
報は得られない。
【0020】このことより、 本形態によれば、液晶表
示素子に電圧を印加した状態で吸収スペクトルを測定す
ることにより、液晶表示素子は光が散乱することなく、
透過する透過状態となるので、高分子分散型液晶の光吸
収を正確に測定することができる。
【0021】一方、高分子分散型液晶中の液晶材料の光
吸収は高分子分散型液晶を溶媒中に浸漬させ、その抽出
溶液の吸収スペクトルを測定することで評価することが
できる。
【0022】図7は、本発明の一実施例の液晶表示素子
から溶媒により抽出した高分子分散型液晶中の液晶材料
の吸収スペクトルを測定した結果を示した図である。
【0023】図7によれば、吸光度が0に近似するの
で、液晶材料の光吸収が判断可能となる。溶媒は、特に
限定されないが、短波長領域にのみ光吸収がある有機系
の材料が望ましい。
【0024】また、本形態によれば、高コントラストで
かつ耐光信頼性及び色純度に優れた液晶表示素子及び液
晶プロジェクターが実現可能である。つまりは、高分子
分散型液晶を用いた液晶表示素子のコントラストは前記
した表示原理により高分子分散型液晶の散乱性能に依存
することになるが、その散乱性能は高分子分散型液晶中
の液晶材料の屈折率異方性(Δn)に依存する。Δnが
大きいほど散乱性が大きく従って液晶表示素子のコント
ラストは向上する。このΔnは液晶材料の光吸収とよい
相関性を示す。一般的にはΔnが大き程、吸収端が長波
長側にシフトする傾向を示し、吸収端が400nm以上
あれば十分なコントラストが得られる。一方、液晶材料
の吸収は前記したように、耐光性の関係から制限を受け
ることになるが、吸収を430nm以下にし、かつ材料
の光吸収を遮光し得る光カットフィルターを設けること
で材料の劣化を抑制することができ、その結果、電圧保
持率の低下、駆動電圧変動といった素子性能の劣化が起
こらず液晶表示素子の耐光性が大幅に改善されることに
なる。また材料の吸収を抑えるために利用する光カット
フィルターには430nm以上の光は透過するタイプの
ものが利用できるので青色をはじめ色純度の低下は起こ
らない。カット波長と青色色純度の関係は図図3に示し
た色度図からも明かである。図3は光源に水銀灯を用
い、カットフィルターの透過率を図5の様に仮定した場
合の青色色度の変化を計算した結果を示した図である。
【0025】図3から430nm以上の光をカットして
しまうと青色の色純度が低下することがわかる。以上の
ことから、高分子分散型液晶またはその中の液晶材料に
吸収端が400nm以上430nm以下の材料を用い、
かつ色純度の低下を起こさせない、つまりはカット波長
の範囲は最長でも430nmを越えない光カットフィル
ターを備えることで高コントラストかつ耐光信頼性、色
純度が共に優れた液晶表示素子及び液晶プロジェクター
が実現可能になる。
【0026】尚、液晶表示素子の耐光性は、本実施例に
於いては電圧保持率を指標に評価した。
【0027】図9は液晶表示素子の電圧保持率の一例を
示した概略図である。電圧保持率は液晶光学素子にパル
ス幅60μs、振幅±5ボルト、周波数60ヘルツの交
流電界を印加したときの電圧の保持の程度を指標に評価
している。図9において、(a)は印加波形であり、
(b)は素子の電圧低下の様子を示した波形である。さ
らに、面積Aと面積Bの比から算出される値を電圧保持
率として、(数7)の様に規定し、電荷保持の指標にし
ている。電荷保持の良好な素子ほど電圧低下は小さく、
従って面積Bが大きくなり、高い電圧保持率を示すこと
になる。
【0028】
【数7】
【0029】ちなみに、青色の色純度の評価は、図8に
示す投射光学系(シュリーレン光学系)からなる液晶プ
ロジェクターを試作して評価した。
【0030】図8において81はメタルハライドランプ
からなる光源、82は本発明の液晶表示素子、83は集
光レンズ、84は絞り、85は投射レンズ、86はスク
リーン、87は青色フィルターである。
【0031】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳しく説明
する。
【0032】(実施例1)インジウム・錫酸化物よりな
る透明電極を形成したガラスを2枚用意し、図4に示す
ようにその片方の支持板(例えば下側基板42)の表面
にスペーサ兼シール樹脂43として直径9μmのガラス
繊維を分散した酸無水物硬化型エポキシ樹脂を4辺のう
ち1辺のみ開口部44として3mm残し、端に2mm角
で印刷した上で、上側基板41と下側基板42を対向さ
せた状態で加圧し、140℃で4時間加熱して硬化接着
し、空セルを完成した。
【0033】次に、液晶材料としてTL205(メルク
(株)製)8.200グラム、高分子形成モノマーとし
て、2エチルヘキシルアクリレート(ナカライテスク
(株)製)を1.409グラム、オリゴマーとしてHX
620(日本化薬(株)製)を0.353グラム、光重
合開始剤としてIrgacure651(チバガイキ
(株)製)を0.038グラムを用意し、各材料を加え
合わせ重合性組成物45を形成した。
【0034】次に、重合性組成物45を23℃で十分撹
拌した後、23℃で前記した空セルに、その開口部44
から、注入し、開口部を封止した後、光源に高圧水銀灯
を用いて、23℃で重合を行い高分子分散型液晶からな
る液晶表示素子を完成した。このとき、光照射面に光カ
ットフィルター(東芝色ガラス(株)製:UV35を配置
し重合を行った。紫外線の強度は約40mW/cm2
あった。照射時間は60秒とした。
【0035】この様に完成した液晶表示素子の電圧-透
過率特性測定した結果を(表1)に示す。
【0036】
【表1】
【0037】(表1)から計算すると(数2)における
電圧Vは約4.1ボルトとなる。この液晶表示素子に1
0ボルトの電圧を印加し高分子分散型液晶の吸収スぺク
トルを測定したところ吸収端が400nmである吸収を
有するものであることがわかった。尚、電圧-透過率特
性の測定には大塚電子(株)製の評価装置LCD500を
用いた。
【0038】続いて、材料の吸収を抑える目的で、図1
0に示した透過率特性を有する光カットフィルター(東
芝色ガラス(株)製:Y43,400nm以下の波長をカ
ット)を液晶表示素子の両面にはりつけ光源にメタルハ
ライドランプを用いて耐光性試験を行った。
【0039】液晶表示素子の電圧保持率の変化を示した
結果を(表2)に示すが電圧保持率の低下は無く、耐光
性はきわめて良好であった。
【0040】
【表2】
【0041】更に、青色フィルターを上記液晶表示素子
に追加し、図8に示した構成の投射光学系に組み込み色
ズレの評価を行ったが表示は鮮やかな青色を呈した。
【0042】(実施例2)液晶材料をΔεが負のZLI
4788(メルク(株)製)に変え実施例1に記載した同
様の方法で液晶表示素子を作製した。
【0043】この様に完成した液晶表示素子の(数4)
における電圧V’は5.8ボルトであった。この液晶表
示素子に2ボルトの電圧を印加し高分子分散型液晶の吸
収スぺクトルを測定したところ、吸収端が400nmで
ある吸収を有するものであることがわかった。
【0044】続いて、光カットフィルター(東芝色ガラ
ス(株)製:Y43,400nm以下の波長をカット)を
液晶表示素子の両面にはりつけ光源にメタルハライドラ
ンプを用いて耐光性試験を行った。液晶表示素子の電圧
保持率の変化を示した結果を(表2)に示すが電圧保持
率の低下は無く、耐光性は良好であった。
【0045】更に、青色フィルターを上記液晶表示素子
に追加し、図8に示した構成の投射光学系に組み込み色
ズレの評価を行ったが表示は鮮やかな青色を呈した。
【0046】(実施例3)実施例1に記載した同様の方
法で作製した空セルを二組用意し(一組は耐光性試験及
び色ズレ評価用、一組は吸収スペクトル評価用に用い
た)、その開口部から高分子分散型液晶用の材料として
PNM201(ロディック(株)製)注入し、開口部を封
止した後、光源に高圧水銀灯を用いて、20℃で重合を
行った。このとき、光照射面に光カットフィルター(東
芝色ガラス(株)製:UV39を配置した。紫外線の強度
は約20mW/cm2であった。照射時間は60秒とし
た。
【0047】吸収スペクトル評価用のサンプルをエタノ
ール中一晩に浸漬した後、このエタノール溶液の吸収ス
ペクトルを測定し液晶材料の吸収を調べたところ、吸収
端が400nmである液晶材料であることがわかった。
【0048】続いて、光カットフィルター(東芝色ガラ
ス(株)製:Y43,400nm以下の波長をカット)を
液晶表示素子の両面にはりつけ光源にメタルハライドラ
ンプを用いて耐光性試験を行った。液晶表示素子の電圧
保持率の変化を示した結果を(表2)に示すが電圧保持
率の低下は無く耐光性の優れたものであった。
【0049】更に、青色フィルターを上記液晶表示素子
に追加し、図8に示した構成の投射光学系に組み込み色
ズレの評価を行ったが表示は鮮やかな青色を呈した。
【0050】(比較例1)実施例1記載の材料と重合条
件で作製した液晶表示素子の両面に光カットフィルター
(東芝色ガラス(株)製:Y46,435nm以下の波長
をカット)をはりつけ同様の耐光性試験と色ずれの評価
を行った。電圧保持率の低下は無く耐光性は改善されて
いることがわかったが、青色の色調は緑がかったもので
あった。
【0051】(比較例2)液晶材料だけをMT5536
(チッソ(株)製)に変え実施例1に記載した同様の方
法で液晶表示素子を作製し、実施例1に記載した同様の
条件で高分子分散型液晶の光吸収の評価及び耐光性試
験、色ズレの評価を行った。この高分子分散型液晶の吸
収は吸収端が430nmまで延びていることがわかっ
た。液晶表示素子の電圧保持率の変化を(表2)に示す
が、この液晶表示素子の電圧保持率は低下が顕著であり
耐光性が悪いことがわかった。しかし色調は鮮やかな青
色を呈した。
【0052】(比較例3)液晶材料をMT5536(チ
ッソ(株)製)に、また液晶表示素子に設ける光カット
フィルターを(東芝色ガラス(株)製:Y46,435n
m以下の波長をカット)に変えた以外は実施例1に記載
した同様の方法で液晶表示素子を作製し、実施例1に記
載した同様の条件で高分子分散型液晶の光吸収の評価及
び耐光性試験、色ズレの評価を行った。この高分子分散
型液晶の吸収は吸収端が430nmまで延びていること
がわかった。液晶表示素子の電圧保持率の変化を(表
2)に示すが、この液晶表示素子の電圧保持率は低下す
ることなく安定であり耐光性は良好なものであったが、
青色の色調は若干緑がかったものであった。
【0053】(比較例4)重合時に用いるカットフィル
ターだけをUV35(東芝色ガラス(株)製)に変え実施
例3記載と同様の方法液晶表示素子を作製し、実施例3
に記載した同様の条件で高分子分散型液晶中の液晶材料
の光吸収の評価、耐光性試験、色ズレの評価を行った。
この高分子分散型液晶の吸収は吸収端が450nmまで
延びていることがわかった。液晶表示素子の電圧保持率
の変化を(表2)に示すが、この液晶表示素子の電圧保
持率は低下が顕著であり耐光性がきわめて悪いことがわ
かった。しかし色調は鮮やかな青色を呈した。
【0054】(比較例5)重合時に用いるカットフィル
ターだけをUV35(東芝色ガラス(株)製)に変え実施
例3記載と同様の方法で液晶表示素子を作製した。実施
例3に記載した同様の方法でこの高分子分散型液晶中の
液晶材料の光吸収の評価したところ吸収端が450nm
まで延びていることがわかった。続いて液晶表示素子の
両面に光カットフィルター(東芝色ガラス(株)製:Y4
8,455nm以下の波長をカット)をはりつけ同様の
耐光性試験と色ずれの評価を行った。液晶表示素子の電
圧保持率の変化を(表2)に示すが、電圧保持率の低下
は無く耐光性は良好であったが、青色の色調は緑がかっ
たものであった。
【0055】尚、(表3)、(表4)は本実施例及び比
較例に記載した材料の吸収、光カットフィルターのカッ
ト波長と液晶表示素子の耐光性及び青色色調との関係を
分かりやすくするため結果をまとめ表である。
【0056】
【表3】
【0057】
【表4】
【0058】尚、高分子分散型液晶に用いる液晶材料や
モノマー、オリゴマー、重合開始剤は上記実施例に記載
した物に限定される物ではなく、広く一般に市販されて
いる材料が応用可能である。
【0059】また、高分子分散型液晶は、1)高分子マ
トリクス中に液晶滴が分散保持された構造のタイプ、
2)液晶が三次元網目高分子化合物中に保持された構造
のタイプ、また3)液晶が高分子壁と両基板とで包囲さ
れた構造のタイプ、いずれのタイプのものに応用可能で
ある。
【0060】また、光カットフィルターは本実施例にお
いては基板の両面に設けているが片面だけであっても十
分効果を示す。
【0061】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、高分
子分散型液晶を利用した液晶表示素子に一定の電圧を印
加した状態で吸収スペクトルを測定することによって、
また高分子分散型液晶を溶媒中に浸漬し、その抽出液の
吸収スペクトルを測定することによって、高分子分散型
液晶やその中の液晶材料の光吸収を正確に評価すること
ができる。
【0062】また、高分子分散型液晶にそれ自体または
その中の液晶材料の吸収端が400nm以上430nm
以下であるものを用い、前記した材料の光吸収領域の光
を遮光し、かつカット波長の範囲は430nmを越えな
い光カットフィルターを備えることにより、耐光信頼性
と色純度の優れた液晶表示素子及び液晶プロジェクター
が実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高分子分散型液晶を用いて作製した液
晶表示素子の構成を示す断面図
【図2】高分子分散型液晶を用いて作製した液晶表示素
子の表示原理を示す概略図
【図3】カットフィルターと青色色純度との関係を示し
た図
【図4】本発明の高分子分散型液晶を用いた液晶表示素
子の製造過程の状態を示す斜視図
【図5】光カットフィルターの透過率を示した特性図
【図6】本実施例の評価法を用いて測定した高分子分散
型液晶の光吸収スペクトルを示した特性図
【図7】本実施例の評価法を用いて測定した高分子分散
型液晶中の液晶材料の光吸収スペクトルを示した特性図
【図8】液晶プロジェクターの構成を示した概念図
【図9】液晶表示素子の電圧保持率の評価法を示した概
略図
【図10】光カットフィルターの光透過率を示した特性
【符号の説明】
11,41 上側基板 12,42 下側基板 13,21 透明電極層 15,43 スペーサ兼シール樹脂 16 高分子マトリクス 17,24 液晶 18 光カットフィルター 22 入射光 23 散乱光 25 高分子相 26 透過光 44 開口部 45 重合性組成物 81 光源 82 液晶表示素子 83 集光レンズ 84 絞り 85 投射レンズ 86 スクリーン 87 青色フィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G059 AA02 AA05 BB15 BB20 CC20 DD03 DD05 EE01 HH02 JJ03 JJ18 2H088 EA12 FA11 GA10 HA11 JA04 KA04 KA26 KA27 MA20 2H089 HA04 LA08 LA15 MA04Y NA24 NA45 QA05 QA16 SA05 SA16 TA12 UA05

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電極を有する一対の基板間に高分子分散型
    液晶を挟持した液晶表示素子に一定の電圧を印加した状
    態で、該高分子分散型液晶の吸収スペクトルを測定する
    ことを特徴とする高分子分散型液晶の光吸収評価法。
  2. 【請求項2】高分子分散型液晶に用いる液晶材料の誘電
    率異方性Δεが(数3)の条件を満たす材料であって、
    液晶表示素子の電圧無印加時の光透過率をT0、最大光
    透過率をTmax、また液晶表示素子の光透過率がT0及び
    Tmaxと(数1)の関係を満たす時の光透過率をTxと
    し、液晶表示素子の光透過率がTxになる電圧をVxとし
    た時、吸収スペクトルを測定する際に液晶表示素子に印
    加する電圧Vが、Vxと(数2)の関係を満たす電圧で
    あることを特徴とする請求項1記載の高分子分散型液晶
    の光吸収評価法。 【数1】 【数2】 【数3】
  3. 【請求項3】高分子分散型液晶に用いる液晶材料の誘電
    率異方性Δεが(数5)の条件を満たす材料であって、
    液晶表示素子の電圧無印加時の光透過率をT0、最小光
    透過率をTmin、また液晶表示素子の光透過率がT0及び
    Tminと(数6)の関係を満たす時の光透過率をTx’と
    し、液晶表示素子の光透過率がTx’になる電圧をVx’
    とした時、吸収スペクトルを測定する際に液晶表示素子
    に印加する電圧V’が、Vx’と(数4)の関係を満た
    す電圧であることを特徴とする請求項1記載の高分子分
    散型液晶の光吸収評価法。 【数4】 【数5】 【数6】
  4. 【請求項4】電極が透明性の材料であることを特徴とす
    る請求項1〜3記載の高分子分散型液晶の光吸収評価
    法。
  5. 【請求項5】高分子分散型液晶を有機溶媒中に浸漬する
    ことにより、高分子分散型液晶中の液晶材料を溶媒中に
    抽出させた後、該抽出液の吸収スペクトルを測定するこ
    とを特徴とする高分子分散型液晶中の液晶材料の光吸収
    評価法。
  6. 【請求項6】電極を有する基板間に高分子分散型液晶を
    挟持した液晶表示素子に於いて、該高分子分散型液晶の
    光吸収の吸収端が400nm以上430nm以下である
    ことを特徴とする液晶表示素子。
  7. 【請求項7】高分子分散型液晶中の液晶材料の光吸収の
    吸収端が400nm以上430nm以下であることを特
    徴とする請求項6記載の液晶表示素子。
  8. 【請求項8】高分子分散型液晶または高分子分散型液晶
    中の液晶材料の光吸収領域の光を遮断し、かつ遮断する
    光の波長範囲が430nm以下である遮光手段を設けた
    ことを特徴とする請求項6または7記載の液晶表示素
    子。
  9. 【請求項9】遮光手段が光カットフィルターであること
    を特徴とする請求項8記載の液晶表示素子。
  10. 【請求項10】高分子分散型液晶が、1)高分子マトリ
    クス中に液晶滴が分散保持された構造、2)液晶が三次
    元網目高分子化合物中に保持された構造、3)液晶が高
    分子壁と両基板とで包囲された構造、のいずれかの構造
    であることを特徴とする請求項1または5記載の高分子
    分散型液晶の光吸収評価法。
  11. 【請求項11】高分子分散型液晶が、1)高分子マトリ
    クス中に液晶滴が分散保持された構造、2)液晶が三次
    元網目高分子化合物中に保持された構造、3)液晶が高
    分子壁と両基板とで包囲された構造、のいずれかの構造
    であることを特徴とする請求項6または7記載の液晶表
    示素子。
  12. 【請求項12】請求項6〜9または11記載の液晶表示
    素子を利用した液晶プロジェクター。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7821611B2 (en) 2005-09-05 2010-10-26 Nec Lcd Technologies, Ltd. Display device having a light source with transparent/scattering state switching element
CN104155082A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 比亚迪股份有限公司 液晶显示屏分辨率测试方法
WO2018120621A1 (zh) * 2016-12-29 2018-07-05 惠科股份有限公司 液晶显示面板制作方法和液晶显示面板
CN111185407A (zh) * 2020-02-24 2020-05-22 轻工业部南京电光源材料科学研究所 一种LED分Bin方法及其应用产品

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