JP2000049583A - Output circuit - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 ICの出力MOSFETのバラツキや伝送線
の特性インピーダンスのバラツキに対処し、その出力イ
ンピーダンスを最適化しうる出力回路を実現する。
【解決手段】 出力回路OCは出力バッファOB、入力
バッファIB、インピーダンス調整回路を構成する遅延
回路DL、カウンターCTRH、CTRL伝送線L等を
含む。最初にRST信号によりセットされ、出力回路O
Cの出力インピーダンスは最大値となる。インピーダン
ス調整クロック信号ZSCKは出力回路OBを通り、伝
送線Lの遠端で全反射されて戻り、インプットバッファ
IBに入りVrefと比較される。上記ZSCKの送信
開始時点からカウンター回路の計数が開始され、計数値
に相応するインピーダンス調整信号が出力バッファOB
に加えられ反射入力値は減少し、Vrefと等しくなっ
た時点で入力バッファIBの反転が起る。この時の計数
値がインピーダンス整合の最適化を意味する。
(57) [Summary] (with correction) [PROBLEMS] To provide an output circuit capable of coping with a variation in an output MOSFET of an IC and a variation in a characteristic impedance of a transmission line and optimizing the output impedance. SOLUTION: An output circuit OC includes an output buffer OB, an input buffer IB, a delay circuit DL constituting an impedance adjustment circuit, a counter CTRLH, a CTRL transmission line L, and the like. First set by the RST signal, the output circuit O
The output impedance of C has a maximum value. The impedance adjustment clock signal ZSCK passes through the output circuit OB, is totally reflected at the far end of the transmission line L, returns, enters the input buffer IB, and is compared with Vref. The counting of the counter circuit is started from the start of the ZSCK transmission, and an impedance adjustment signal corresponding to the counted value is output to the output buffer OB.
, The reflected input value decreases, and when it becomes equal to Vref, inversion of the input buffer IB occurs. The count value at this time means optimization of impedance matching.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は出力回路に関し、
例えば、CMOS(相補型MOS)論理ゲートを基本素
子とする論理集積回路装置に搭載される出力回路及びそ
の出力インピーダンスの最適化ならびにこれを含む論理
集積回路装置等の高速化及び低コスト化に利用して特に
有効な技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit,
For example, it is used to optimize an output circuit mounted on a logic integrated circuit device having a CMOS (complementary MOS) logic gate as a basic element and its output impedance, and to increase the speed and cost of a logic integrated circuit device including the same. And particularly effective technologies.
【0002】[0002]
【従来の技術】Pチャンネル及びNチャンネルMOSF
ET(金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ。この
明細書では、MOSFETをして絶縁ゲート型電界効果
トランジスタの総称とする)からなるCMOS論理ゲー
トがある。また、CMOS論理ゲートを基本素子とする
論理集積回路装置があり、このような論理集積回路装置
に搭載され出力MOSFETを含む出力回路がある。2. Description of the Related Art P-channel and N-channel MOSFs
There is a CMOS logic gate made of ET (metal oxide semiconductor type field effect transistor; in this specification, a MOSFET is a general term for an insulated gate type field effect transistor). There is also a logic integrated circuit device having a CMOS logic gate as a basic element, and an output circuit including an output MOSFET mounted on such a logic integrated circuit device.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】出力回路を含む論理集
積回路装置等において、各出力回路の出力端子は対応す
る出力用外部端子に結合され、これらの外部端子には、
所定の特性インピーダンスを有する伝送線を介して、受
信側入力回路の入力端子が結合される。近年、論理集積
回路装置等の高速化が進む中、出力回路は、伝送線の特
性インピーダンスに整合した出力インピーダンスを持つ
ことが必須とされる。このため、本願発明者等は、この
発明に先立って、出力回路の出力インピーダンスを伝送
線の特性インピーダンスに自動的に整合しうるインピー
ダンス調整回路を備える論理集積回路装置を開発した
が、次の問題点が残されていることに気付いた。In a logic integrated circuit device or the like including an output circuit, an output terminal of each output circuit is coupled to a corresponding output external terminal.
An input terminal of a receiving-side input circuit is coupled via a transmission line having a predetermined characteristic impedance. In recent years, as the speed of a logic integrated circuit device and the like has been increased, it is essential that an output circuit has an output impedance matching the characteristic impedance of a transmission line. Therefore, prior to the present invention, the present inventors have developed a logic integrated circuit device having an impedance adjustment circuit capable of automatically matching the output impedance of the output circuit with the characteristic impedance of the transmission line. I noticed that a dot was left.
【0004】すなわち、この論理集積回路装置は、多数
の出力用外部端子とこれに対応して設けられる多数の出
力回路とを備え、各出力回路の出力インピーダンスと伝
送線の特性インピーダンスとの間の整合は、特定の出力
用外部端子に伝送線の特性インピーダンスに相当する例
えば50Ω(オーム)程度の終端抵抗を結合し、その抵
抗値を伝送線の特性インピーダンスと見なすことによっ
て行われる。また、この方法によるインピーダンス調整
は、直流的に、つまり論理集積回路装置ならびにこれを
含むシステムの通常動作を停止した状態で行われ、測定
で得られた出力インピーダンスは、論理集積回路装置に
搭載されるすべての出力回路に対して一律に割り当てら
れる。この結果、出力回路を構成するMOSFET等の
プロセスバラツキや伝送線の配線形態にともなう特性イ
ンピーダンスのバラツキに対処することができず、出力
回路及び伝送線の持つインタフェース性能を充分に発揮
することができない。また、インピーダンス調整のため
に特定の出力用外部端子や外付け抵抗が必要となること
から、論理集積回路装置の所要外部端子数及び所要素子
数が増大し、その低コスト化が阻害される。That is, this logic integrated circuit device has a large number of external terminals for output and a large number of output circuits provided in correspondence with the external terminals, and provides an output impedance between each output circuit and the characteristic impedance of the transmission line. The matching is performed by coupling a terminating resistor of, for example, about 50 Ω (ohm) corresponding to the characteristic impedance of the transmission line to a specific output external terminal, and regarding the resistance value as the characteristic impedance of the transmission line. The impedance adjustment by this method is performed DC, that is, in a state where the normal operation of the logic integrated circuit device and the system including the same is stopped, and the output impedance obtained by the measurement is mounted on the logic integrated circuit device. Are uniformly assigned to all output circuits. As a result, it is not possible to cope with process variations of MOSFETs and the like constituting the output circuit and variations in characteristic impedance due to the wiring form of the transmission line, and it is not possible to sufficiently exhibit the interface performance of the output circuit and the transmission line. . In addition, since a specific output external terminal and an external resistor are required for impedance adjustment, the number of required external terminals and the number of required elements of the logic integrated circuit device are increased, and cost reduction is hindered.
【0005】この発明の目的は、出力MOSFETのプ
ロセスバラツキや伝送線の特性インピーダンスのバラツ
キに対処することができ、その出力インピーダンスを最
適化しうる出力回路を実現することにある。この発明の
他の目的は、出力回路を含む論理集積回路装置等のイン
タフェース性能を高めるとともに、所要外部端子数及び
所要素子数を削減し、その高速化及び低コスト化を図る
ことにある。An object of the present invention is to realize an output circuit capable of coping with a process variation of an output MOSFET and a variation of a characteristic impedance of a transmission line and optimizing the output impedance. Another object of the present invention is to improve the interface performance of a logic integrated circuit device or the like including an output circuit, reduce the number of required external terminals and the number of required elements, and increase the speed and cost.
【0006】この発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、この明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。すなわち、CMOS論理ゲートを基本素
子とする論理集積回路装置等に搭載される出力回路の出
力バッファを、例えば出力用電源電圧と出力用外部端子
との間に並列形態に設けられ第1のインピーダンス制御
信号の対応するビットの有効レベルを受けてそれぞれ選
択的にオン状態とされるn個の第1の出力MOSFET
と、出力用外部端子と回路の接地電位との間に並列形態
に設けられ第2のインピーダンス制御信号の対応するビ
ットの有効レベルを受けてそれぞれ選択的にオン状態と
されるn個の第2の出力MOSFETとをもとに構成す
るとともに、各出力回路に対応して、あるいは所定の出
力回路に、その一方の入力端子が対応する出力用外部端
子に結合され、その他方の入力端子に所定の基準電圧を
受け、かつ対応する出力バッファを介して所定のパルス
信号が出力されるとき、そのハイレベル又はロウレベル
変化の伝送線遠端での反射信号が到達するまでの期間の
出力用外部端子における反射電位が上記基準電圧に達し
たときその出力信号の論理レベルを選択的に反転する入
力バッファと、その出力が第1又は第2のインピーダン
ス制御信号とされ、その初期状態においてその計数値が
出力回路の出力インピーダンスを最大値とすべくリセッ
トされた後、上記期間における入力バッファの出力信号
のレベル反転を受けて選択的にカウントアップされる第
1及び第2のカウンタ回路とを含むインピーダンス調整
回路を設ける。The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application. That is, an output buffer of an output circuit mounted on a logic integrated circuit device or the like having a CMOS logic gate as a basic element is provided in parallel between, for example, an output power supply voltage and an output external terminal, and is provided with a first impedance control. N first output MOSFETs each selectively turned on in response to a valid level of a corresponding bit of a signal
And an n number of second output terminals provided in parallel between the output external terminal and the ground potential of the circuit and selectively turned on in response to the effective level of the corresponding bit of the second impedance control signal. And one of the input terminals is coupled to the corresponding output external terminal, and the other input terminal is connected to the other input terminal. When a predetermined pulse signal is output via the corresponding output buffer and a predetermined pulse signal is output through the corresponding output buffer, an external terminal for output during a period until the reflected signal at the far end of the transmission line of the high level or low level change arrives An input buffer for selectively inverting the logic level of the output signal when the reflected potential at the reference voltage reaches the reference voltage, and the output thereof is used as a first or second impedance control signal. In the initial state, after the count value is reset so that the output impedance of the output circuit becomes the maximum value, the first and second counts are selectively counted up in response to the level inversion of the output signal of the input buffer during the period. And an impedance adjustment circuit including the counter circuit.
【0008】上記した手段によれば、インピーダンス整
合のための特定の出力用外部端子及び外付け抵抗を必要
とすることなく、しかも出力回路及びこれを含むシステ
ムを通常の動作状態としたまま、各出力回路の出力イン
ピーダンスを自動的に効率良く対応する伝送線の特性イ
ンピーダンスに整合させ、最適化することができる。こ
の結果、出力MOSFETのプロセスバラツキや伝送線
の特性インピーダンスのバラツキに対処でき、その出力
インピーダンスを自動的に最適化しうる出力回路を実現
することができ、これによって出力回路を含む論理集積
回路装置等のインタフェース性能を高め、その所要外部
端子数及び外付け部品数を削減して、論理集積回路装置
等の高速化及び低コスト化を図ることができる。[0008] According to the above-mentioned means, each output circuit and a system including the same are kept in a normal operation state without requiring a specific output external terminal and an external resistor for impedance matching. The output impedance of the output circuit can be automatically and efficiently matched to the characteristic impedance of the corresponding transmission line and optimized. As a result, it is possible to realize an output circuit capable of coping with the process variation of the output MOSFET and the variation of the characteristic impedance of the transmission line and automatically optimizing the output impedance, thereby achieving a logic integrated circuit device including the output circuit. Interface performance and the required number of external terminals and external components can be reduced, and the speed and cost of the logic integrated circuit device and the like can be reduced.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】図1には、この発明が適用された
インピーダンス調整機能付き出力回路OC(出力回路)
の一実施例の回路図が示されている。また、図2及び図
3には、図1のインピーダンス調整機能付き出力回路O
Cに含まれる出力バッファOB及びカウンタ回路CTR
Hの一実施例の回路図がそれぞれ示されている。これら
の図をもとに、この実施例のインピーダンス調整機能付
き出力回路OC及びその各部の構成及び動作ならびにそ
の特徴について説明する。FIG. 1 shows an output circuit OC (output circuit) with an impedance adjustment function to which the present invention is applied.
The circuit diagram of one embodiment is shown. 2 and 3 show the output circuit O with the impedance adjustment function of FIG.
Output buffer OB and counter circuit CTR included in C
The circuit diagrams of one embodiment of H are shown respectively. With reference to these figures, the configuration and operation of the output circuit OC with an impedance adjustment function of this embodiment and its components and the features thereof will be described.
【0010】なお、この実施例のインピーダンス調整機
能付き出力回路OCは、特に制限されないが、他の同様
な複数のインピーダンス調整機能付き出力回路とともに
CMOS論理ゲートを基本素子とする論理集積回路装置
に搭載される。また、図1ないし図3の各回路素子は、
論理集積回路装置の図示されない他の回路素子ととも
に、公知のCMOS集積回路の製造技術により単結晶シ
リコンのような1個の半導体基板面上に形成される。カ
ウンタ回路CTRLは、図3のカウンタ回路CTRHと
同様な構成とされるため、類推されたい。さらに、イン
ピーダンス調整機能付き出力回路OCの出力バッファO
Bを除く各部は、例えば+3.3V(ボルト)のような
電源電圧VDDをその動作電源とするが、出力バッファ
OBは、+1.3Vのような出力用電源電圧VTTをそ
の動作電源とする。The output circuit OC with an impedance adjustment function of this embodiment is not particularly limited, but is mounted on a logic integrated circuit device having a CMOS logic gate as a basic element together with a plurality of other output circuits with an impedance adjustment function. Is done. Each of the circuit elements shown in FIGS.
Together with other circuit elements (not shown) of the logic integrated circuit device, they are formed on a single semiconductor substrate surface such as single crystal silicon by a known CMOS integrated circuit manufacturing technique. The counter circuit CTRL has the same configuration as the counter circuit CTRL of FIG. Further, the output buffer O of the output circuit OC having an impedance adjustment function is provided.
Each unit except B uses a power supply voltage VDD such as +3.3 V (volt) as its operation power supply, while the output buffer OB uses an output power supply voltage VTT such as +1.3 V as its operation power supply.
【0011】図1において、この実施例のインピーダン
ス調整機能付き出力回路OCは、その入力端子にインピ
ーダンス調整クロック信号ZSCKつまり内部ノードn
aにおける内部信号naを受ける出力バッファOBと、
その一方の入力端子が対応する出力用外部端子outつ
まり内部ノードnbに結合されその他方の入力端子に基
準電圧Vrefを受ける入力バッファIBとを含む。出
力バッファOBの出力端子は、内部ノードnbつまり出
力用外部端子outに結合される。なお、基準電圧Vr
efは、出力用電源電圧VTT及び接地電位VSS間の
中間電位、つまりVTT/2とされる。また、出力用電
源電圧VTTは、上記のように例えば+1.3Vとさ
れ、基準電圧Vrefは+0.65Vとされる。In FIG. 1, an output circuit OC having an impedance adjusting function of this embodiment has an impedance adjusting clock signal ZSCK, that is, an internal node n at its input terminal.
an output buffer OB for receiving the internal signal na at a.
One input terminal includes a corresponding output external terminal out, that is, an input buffer IB coupled to the internal node nb and receiving the reference voltage Vref at the other input terminal. The output terminal of output buffer OB is coupled to internal node nb, that is, output external terminal out. The reference voltage Vr
ef is an intermediate potential between the output power supply voltage VTT and the ground potential VSS, that is, VTT / 2. The output power supply voltage VTT is, for example, +1.3 V as described above, and the reference voltage Vref is +0.65 V.
【0012】インピーダンス調整機能付き出力回路OC
は、さらに、上記入力バッファIBとともにインピーダ
ンス調整回路を構成する遅延回路DL,フリップフロッ
プFF1及びFF2ならびにカウンタ回路CTRH(第
1のカウンタ回路)及びCTRL(第2のカウンタ回
路)を含む。このうち、遅延回路DLには、内部信号n
aつまりインピーダンス調整クロック信号ZSCKが供
給される。また、フリップフロップFF1のデータ入力
端子Dには、入力バッファIBの出力信号たる内部信号
ncが供給され、フリップフロップFF2のデータ入力
端子Dには、そのインバータV2による反転信号が供給
される。Output circuit OC with impedance adjustment function
Further includes a delay circuit DL, flip-flops FF1 and FF2, which constitute an impedance adjustment circuit together with the input buffer IB, a counter circuit CTRH (first counter circuit), and a CTRL (second counter circuit). Of these, the delay circuit DL has an internal signal n
a, that is, the impedance adjustment clock signal ZSCK is supplied. The data input terminal D of the flip-flop FF1 is supplied with an internal signal nc as an output signal of the input buffer IB, and the data input terminal D of the flip-flop FF2 is supplied with an inverted signal of the inverter V2.
【0013】フリップフロップFF1及びFF2のクロ
ック入力端子CKには、内部信号naつまりインピーダ
ンス調整クロック信号ZSCKの遅延回路DLによる遅
延信号つまり内部ノードndにおける内部信号ndが共
通に供給される。また、フリップフロップFF1の非反
転出力信号Qつまり内部信号neは、アンド(AND)
ゲートG1の第3の入力端子に供給され、フリップフロ
ップFF2の非反転出力信号Qつまり内部信号nhは、
アンドゲートG2の第3の入力端子に供給される。アン
ドゲートG1及びG2の第1の入力端子には、論理集積
回路装置の図示されない制御回路からインピーダンス調
整イネーブル信号ZSENが共通に供給される。また、
アンドゲートG2の第2の入力端子には、内部信号nd
が供給され、アンドゲートG1の第2の入力端子には、
そのインバータV1による反転信号が供給される。アン
ドゲートG1の出力信号つまり内部ノードnfにおける
内部信号nfは、カウントアップ信号としてカウンタ回
路CTRHに供給され、アンドゲートG2の出力信号つ
まり内部ノードniにおける内部信号niは、カウント
アップ信号としてカウンタ回路CTRLに供給される。A clock input terminal CK of the flip-flops FF1 and FF2 is commonly supplied with an internal signal na, that is, a delay signal of the impedance adjustment clock signal ZSCK by the delay circuit DL, that is, an internal signal nd at an internal node nd. Also, the non-inverted output signal Q of the flip-flop FF1, that is, the internal signal ne is an AND signal.
The non-inverted output signal Q of the flip-flop FF2, that is, the internal signal nh is supplied to the third input terminal of the gate G1.
The signal is supplied to a third input terminal of the AND gate G2. An impedance adjustment enable signal ZSEN is commonly supplied to first input terminals of the AND gates G1 and G2 from a control circuit (not shown) of the logic integrated circuit device. Also,
A second input terminal of the AND gate G2 has an internal signal nd.
Is supplied to a second input terminal of the AND gate G1.
An inverted signal from the inverter V1 is supplied. The output signal of the AND gate G1, that is, the internal signal nf at the internal node nf, is supplied to the counter circuit CTRH as a count-up signal, and the output signal of the AND gate G2, that is, the internal signal ni at the internal node ni, is supplied as a count-up signal to the counter circuit CTRL. Supplied to
【0014】カウンタ回路CTRH及びCTRLには、
さらに、上記制御回路からリセット信号RSTが共通に
供給される。また、カウンタ回路CTRHの4ビットの
出力信号は、インピーダンス制御信号AH0〜AH3
(第1のインピーダンス制御信号)として出力バッファ
OBの上部制御端子に供給され、カウンタ回路CTRL
の4ビット出力信号は、インピーダンス制御信号AL0
〜AL3(第2のインピーダンス制御信号)としてその
下部制御端子に供給される。The counter circuits CTRLH and CTRL include:
Further, a reset signal RST is commonly supplied from the control circuit. The 4-bit output signal of the counter circuit CTRH is the impedance control signals AH0 to AH3.
(First impedance control signal) is supplied to the upper control terminal of the output buffer OB and the counter circuit CTRL
Is a four-bit output signal of the impedance control signal AL0.
ALAL3 (second impedance control signal) is supplied to its lower control terminal.
【0015】ここで、出力バッファOBは、特に制限さ
れないが、図2に示されるように、出力用電源電圧VT
T(第1の電源電圧)と対応する出力用外部端子out
との間に設けられるNチャンネル型の1個の出力MOS
FETN10と、この出力MOSFETに並列形態に設
けられるNチャンネル型のn個つまり4個の出力MOS
FETN11〜N14(第1の出力MOSFET)とを
含む。また、出力バッファOBは、対応する出力用外部
端子outと接地電位VSS(第2の電源電圧)との間
に設けられるNチャンネル型の1個の出力MOSFET
N20と、この出力MOSFETに並列形態に設けられ
るNチャンネル型の4個の出力MOSFETN21〜N
24(第2の出力MOSFET)とを含む。Here, the output buffer OB is not particularly limited, but as shown in FIG.
Output external terminal out corresponding to T (first power supply voltage)
And one N-channel output MOS provided between
FET N10 and n-channel type n output MOS transistors provided in parallel with this output MOSFET, that is, four output MOS transistors
FETs N11 to N14 (first output MOSFETs). The output buffer OB is a single N-channel output MOSFET provided between the corresponding output external terminal out and the ground potential VSS (second power supply voltage).
N20 and four N-channel output MOSFETs N21 to N21 provided in parallel with the output MOSFET.
24 (second output MOSFET).
【0016】出力バッファOBを構成する出力MOSF
ETN10のゲートには、内部信号naつまりインピー
ダンス調整クロック信号ZSCKが供給され、出力MO
SFETN20のゲートには、そのインバータV3によ
る反転信号が供給される。また、出力MOSFETN1
1〜N14のゲートには、対応するアンドゲートG31
〜G34の出力信号がそれぞれ供給され、出力MOSF
ETN21〜N24のゲートには、アンドゲートG41
〜G44の出力信号がそれぞれ供給される。アンドゲー
トG31〜G34の一方の入力端子には、カウンタ回路
CTRHから対応するインピーダンス制御信号AH0〜
AH3がそれぞれ供給され、その他方の入力端子には内
部信号naが共通に供給される。また、アンドゲートG
41〜G44の一方の入力端子には、カウンタ回路CT
RLから対応するインピーダンス制御信号AL0〜AL
3がそれぞれ供給され、その他方の入力端子には、内部
信号naのインバータV3による反転信号が共通に供給
される。Output MOSF constituting output buffer OB
The internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZSCK is supplied to the gate of the ETN 10, and the output MO
An inverted signal from the inverter V3 is supplied to the gate of the SFET N20. The output MOSFET N1
The gates 1 to N14 have corresponding AND gates G31.
To G34 are respectively supplied to the output MOSF
The gates of ETN21 to N24 have an AND gate G41.
To G44 are supplied. One input terminal of each of AND gates G31 to G34 has a corresponding impedance control signal AH0 from counter circuit CTRH.
AH3 is supplied, and an internal signal na is commonly supplied to the other input terminals. Also, AND gate G
One of the input terminals of 41 to G44 has a counter circuit CT.
RL corresponding impedance control signals AL0-AL
3 is supplied, and the other input terminal is commonly supplied with an inverted signal of the internal signal na by the inverter V3.
【0017】これにより、アンドゲートG31〜G34
の出力信号は、内部信号naがハイレベルとされ、かつ
対応するインピーダンス制御信号AH0〜AH3が有効
レベルつまりハイレベルとされることでそれぞれ選択的
にハイレベルとなり、これらのアンドゲートの出力信号
のハイレベルを受けて対応する出力MOSFETN11
〜N14がそれぞれ選択的にオン状態となる。同様に、
アンドゲートG41〜G44の出力信号は、内部信号n
aがロウレベルとされ、かつ対応するインピーダンス制
御信号AL0〜AL3が有効レベルつまりハイレベルと
されることでそれぞれ選択的にハイレベルとなり、これ
らのアンドゲートの出力信号のハイレベルを受けて対応
する出力MOSFETN21〜N24がそれぞれ選択的
にオン状態となる。言うまでもなく、出力バッファOB
の出力端子つまり出力用外部端子outには、出力MO
SFETN10ならびにN11〜N14のいずれかがオ
ン状態とされるとき、出力用電源電圧VTTのようなハ
イレベルが出力され、出力MOSFETN20ならびに
N21〜N24のいずれかがオン状態とされるときに
は、接地電位VSSのようなロウレベルが出力される。Accordingly, the AND gates G31 to G34
Are selectively set to a high level when the internal signal na is set to the high level and the corresponding impedance control signals AH0 to AH3 are set to the valid level, that is, the high level, and the output signals of these AND gates are output. Output MOSFET N11 corresponding to high level
To N14 are selectively turned on. Similarly,
The output signals of the AND gates G41 to G44 are the internal signals n
a is set to a low level, and the corresponding impedance control signals AL0 to AL3 are set to an effective level, that is, a high level, so that they are selectively set to a high level. MOSFETs N21 to N24 are selectively turned on. Needless to say, the output buffer OB
Output terminal, that is, the output external terminal out,
When one of SFETs N10 and N11 to N14 is turned on, a high level such as output power supply voltage VTT is output, and when one of output MOSFETs N20 and N21 to N24 is turned on, ground potential VSS is applied. Is output.
【0018】この実施例において、出力MOSFETN
11〜N14ならびにN21〜N24は、2の0乗ない
し3乗比、つまり所定の値W又はW’に対してW,2
W,4Wならびに8W、あるいはW’,2W ',4W '
ならびに8W’なるゲート幅を持つべくそれぞれ設計さ
れる。周知のように、MOSFETのオン抵抗の値は、
そのゲート幅に反比例して大きくなる。したがって、出
力バッファOBつまりインピーダンス調整機能付き出力
回路OCのハイレベル出力時の出力インピーダンスZo
utHは、Kを定数とし、出力MOSFETN10のゲ
ート幅をW0とするとき、インピーダンス制御信号AH
0〜AH3の合計16の計数値“0000”“000
1”ないし“1111”に対して、順次、 ZoutH=K/W0 ZoutH=K/(W0+W) ないし ZoutH=K/(W0+15W) なるステップ状の値をとるものとなる。In this embodiment, the output MOSFET N
11 to N14 and N21 to N24 are 2 to 0th power to cubic ratio, that is, W, 2 for a predetermined value W or W '.
W, 4W and 8W, or W ', 2W', 4W '
And a gate width of 8 W '. As is well known, the value of the on-resistance of the MOSFET is
It increases in inverse proportion to the gate width. Accordingly, the output impedance ZO of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with the impedance adjustment function at the time of high level output is obtained.
utH is the impedance control signal AH when K is a constant and the gate width of the output MOSFET N10 is W0.
A total of 16 count values “0000” “000” of 0 to AH3
With respect to “1” to “1111”, step-like values are sequentially obtained as follows: ZoutH = K / W0 ZoutH = K / (W0 + W) to ZoutH = K / (W0 + 15W)
【0019】同様に、出力バッファOBつまりインピー
ダンス調整機能付き出力回路OCのロウレベル出力時の
出力インピーダンスZoutLは、K’を定数とし、出
力MOSFETN20のゲート幅をW0’とするとき、
インピーダンス制御信号AL0〜AL3の計数値“00
00”“0001”ないし“1111”に対して、 ZoutL=K’/W0’ ZoutL=K’/(W0’+W’) ないし ZoutL=K’/(W0’+15W’) なるステップ状の値をとるものとなる。Similarly, when the output buffer OB, that is, the output impedance ZoutL of the output circuit OC with impedance adjustment function at the time of low level output, is K ′ as a constant and the gate width of the output MOSFET N20 is W0 ′,
The count value “00” of the impedance control signals AL0 to AL3
For "00""0001" to "1111", take a step-like value such as ZoutL = K '/ W0' ZoutL = K '/ (W0' + W ') or ZoutL = K' / (W0 '+ 15W') It will be.
【0020】これらのことから、出力バッファOBつま
りインピーダンス調整機能付き出力回路OCのハイレベ
ル出力時の出力インピーダンスZoutHは、インピー
ダンス制御信号AH0〜AH3の計数値がその初期値つ
まり“0000”とされるとき最大となり、インピーダ
ンス制御信号AH0〜AH3の計数値がその最終値つま
り“1111”とされるとき最小となる。また、出力バ
ッファOBつまりインピーダンス調整機能付き出力回路
OCのロウレベル出力時の出力インピーダンスZout
Lも、インピーダンス制御信号AL0〜AL3の計数値
が初期値つまり“0000”とされるとき最大となり、
インピーダンス制御信号AL0〜AL3の計数値がの最
終値つまり“1111”とされるとき最小となる。From these facts, the count value of the impedance control signals AH0 to AH3 of the output buffer OB, that is, the output impedance ZoutH when the output circuit OC with the impedance adjustment function is at the high level, is set to the initial value, that is, "0000". When the count value of the impedance control signals AH0 to AH3 is set to its final value, that is, “1111”, it becomes the minimum. Further, the output buffer OB, that is, the output impedance Zout at the time of low-level output of the output circuit OC with the impedance adjustment function is output.
L also becomes maximum when the count value of the impedance control signals AL0 to AL3 is set to the initial value, that is, “0000”,
It becomes minimum when the count value of the impedance control signals AL0 to AL3 is set to the final value of “1111”.
【0021】次に、カウンタ回路CTRH及びCTRL
は、特に制限されないが、図3のカウンタ回路CTRH
に代表されるように、その非反転出力端子Q及びクロッ
ク入力端子CKが順次結合される形で直列結合されるエ
ッジトリガ型の4個のフリップフロップFF11〜FF
14を含む。これらのフリップフロップのリセット入力
端子RSには、リセット信号RSTが供給される。ま
た、初段のフリップフロップFF11のクロック入力端
子CKには、前記アンドゲートG1の出力信号つまり内
部信号nfが供給され、各フリップフロップのデータ入
力端子Dには、その反転出力信号QBがそれぞれ供給さ
れる。各フリップフロップの非反転出力信号Qは、それ
ぞれインピーダンス制御信号AH0〜AH3となる。Next, the counter circuits CTRLH and CTRL
Is not particularly limited, but the counter circuit CTRH of FIG.
, Four edge-triggered flip-flops FF11 to FF are serially coupled in such a manner that their non-inverted output terminal Q and clock input terminal CK are sequentially coupled.
14 inclusive. A reset signal RST is supplied to reset input terminals RS of these flip-flops. The output signal of the AND gate G1, that is, the internal signal nf is supplied to the clock input terminal CK of the first-stage flip-flop FF11, and its inverted output signal QB is supplied to the data input terminal D of each flip-flop. You. The non-inverted output signals Q of the flip-flops become impedance control signals AH0 to AH3, respectively.
【0022】これにより、カウンタ回路CTRHを構成
するフリップフロップFF11〜FF14は、4ビット
のバイナリーカウンタとして作用し、内部信号nfの立
ち上がりを受けて歩進動作を行い、インピーダンス制御
信号AH0〜AH3を形成する。リセット信号RSTが
ハイレベルとされるとき、フリップフロップFF11〜
FF14はすべてリセット状態とされ、カウンタ回路C
TRHの計数値つまりインピーダンス制御信号AH0〜
AH3は“0000”となる。As a result, the flip-flops FF11 to FF14 constituting the counter circuit CTRH operate as 4-bit binary counters, perform a stepping operation in response to the rise of the internal signal nf, and form the impedance control signals AH0 to AH3. I do. When the reset signal RST is set to the high level, the flip-flops FF11 to FF11
The FFs 14 are all reset, and the counter circuit C
The count value of TRH, that is, the impedance control signal AH0
AH3 becomes “0000”.
【0023】図1の説明に戻ろう。論理集積回路装置の
図示されない制御回路からインピーダンス調整機能付き
出力回路OCに供給される内部信号naつまりインピー
ダンス調整クロック信号ZSCKは、出力バッファOB
から内部ノードnbつまり対応する出力用外部端子ou
tを介して伝送線Lに出力されるとともに、遅延回路D
Lによりその遅延時間tdだけ遅延された後、内部信号
ndとなる。この実施例において、遅延回路DLの遅延
時間tdは、後述するように、出力バッファOB及び入
力バッファIBの伝達遅延時間をそれぞれtpdo及び
tpdiとし、伝送線Lの片道分の伝達遅延時間をtp
dLとするとき、 td=tpdo+tpdL+tpdi となるべく設計されるが、このtdは、 tpdo+tpdi<td<tpdo+tpdi+2t
pdL であれば任意にとることができる。この遅延回路DLの
遅延時間tdは、インピーダンス調整クロック信号ZS
CKが、出力バッファOBを介して出力用外部端子ou
tつまり伝送線Lに出力された当初、そのまま入力バッ
ファIBを介して内部ノードncに伝達されてから、伝
送線Lの遠端で反射されて出力用外部端子outに戻
り、さらに入力バッファIBを介して内部ノードncに
伝達されるまでの期間、つまりインピーダンス判定期間
の調度中間時点に対応する。Returning to the description of FIG. The internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZSCK, supplied from the control circuit (not shown) of the logic integrated circuit device to the output circuit OC with the impedance adjustment function is output from the output buffer OB.
From the internal node nb, that is, the corresponding output external terminal ou.
t to the transmission line L and the delay circuit D
After being delayed by L for the delay time td, it becomes an internal signal nd. In this embodiment, the delay time td of the delay circuit DL is tpdo and tpdi as the transmission delay time of the output buffer OB and the input buffer IB, respectively, and the transmission delay time of one way of the transmission line L is tp, as described later.
When dL is set, td is set so that td = tpdo + tpdL + tpdi, where td is tpdo + tpdi <td <tpdo + tpdi + 2t
Any pdL can be used. The delay time td of the delay circuit DL is equal to the impedance adjustment clock signal ZS.
CK is output via an output buffer OB to an external terminal ou for output.
t, that is, when the signal is output to the transmission line L, the signal is transmitted to the internal node nc via the input buffer IB as it is, then reflected at the far end of the transmission line L, returned to the output external terminal out, and Until the signal is transmitted to the internal node nc via the internal node nc, that is, an intermediate time point in the impedance determination period.
【0024】周知のように、インピーダンス調整クロッ
ク信号ZSCKが出力バッファOBを介して伝送線Lに
出力された当初における出力用外部端子outの反射電
位Vrは、例えば出力バッファOBのハイレベル出力電
圧つまり出力用電源電圧VTTの絶対値をVTTとし、
出力バッファOBつまりインピーダンス調整機能付き出
力回路OCの出力インピーダンスをZoutとし、伝送
線Lの特性インピーダンスをZoとするとき、 Vr=VTT×Zo/(Zout+Zo) となる。したがって、出力バッファOBの出力インピー
ダンスZoutと伝送線Lの特性インピーダンスZoが
一致するとき、反射電位Vrは、 Vr=VTT/2 となり、基準電圧Vrefの電位VTT/2と一致す
る。As is well known, the reflection potential Vr of the output external terminal out at the beginning when the impedance adjustment clock signal ZSCK is output to the transmission line L via the output buffer OB is, for example, the high-level output voltage of the output buffer OB, The absolute value of the output power supply voltage VTT is defined as VTT,
When the output impedance of the output buffer OB, that is, the output impedance of the output circuit OC with the impedance adjustment function is Zout, and the characteristic impedance of the transmission line L is Zo, Vr = VTT × Zo / (Zout + Zo). Therefore, when the output impedance Zout of the output buffer OB matches the characteristic impedance Zo of the transmission line L, the reflection potential Vr becomes Vr = VTT / 2, which matches the potential VTT / 2 of the reference voltage Vref.
【0025】次に、入力バッファIBは、内部ノードn
bつまり出力用外部端子outにおける反射電位Vrと
基準電圧Vrefの電位とを比較し、反射電位Vrが基
準電圧Vrefより高いときその出力信号つまり内部信
号ncの論理レベルを選択的に反転する。したがって、
ハイレベル出力時のインピーダンス判定期間において内
部信号ncが反転されないそのままのレベルつまりハイ
レベルであることは、出力バッファOBつまりインピー
ダンス調整機能付き出力回路OCのハイレベル出力時の
出力インピーダンスZoutHがまだ伝送線Lの特性イ
ンピーダンスZoより大きいことを示し、内部信号nc
の論理レベルが反転されてロウレベルとなったことは、
出力インピーダンスZoutHが特性インピーダンスZ
oより小さくなったことを示すものとなる。また、ロウ
レベル出力時のインピーダンス判定期間において内部信
号ncが反転されないそのままのレベルつまりロウレベ
ルであることは、出力インピーダンスZoutがまだ伝
送線Lの特性インピーダンスZoより大きいことを示
し、内部信号ncの論理レベルが反転されてハイレベル
となったことは、出力インピーダンスZoutが伝送線
Lの特性インピーダンスZoより小さくなったことを示
すものとなる。Next, the input buffer IB is connected to the internal node n
b, that is, the reflected potential Vr at the output external terminal out is compared with the potential of the reference voltage Vref. When the reflected potential Vr is higher than the reference voltage Vref, the output signal, that is, the logic level of the internal signal nc is selectively inverted. Therefore,
The fact that the internal signal nc is not inverted and remains at the high level during the high-level output impedance determination period means that the output impedance ZoutH of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with impedance adjustment function at the time of high-level output is still the transmission line. L is greater than the characteristic impedance Zo of the internal signal nc.
That the logic level is inverted to low level
Output impedance ZoutH is characteristic impedance Z
This indicates that it has become smaller than o. Further, the fact that the internal signal nc is at the same level that is not inverted during the impedance determination period at the time of low level output, that is, at the low level, indicates that the output impedance Zout is still larger than the characteristic impedance Zo of the transmission line L, and the logical level of the internal signal nc Is inverted to a high level, indicating that the output impedance Zout has become smaller than the characteristic impedance Zo of the transmission line L.
【0026】これらのことから、まずカウンタ回路CT
RH及びCTRLをリセット状態として、その計数値つ
まりインピーダンス制御信号AH0〜AH3ならびにA
L0〜AL3を初期値“0000”とし、出力バッファ
OBのハイレベル出力時及びロウレベル出力時の出力イ
ンピーダンスZoutH及びZoutLをそれぞれ最大
値とした後、インピーダンス調整クロック信号ZSCK
を繰り返し入力し、ハイレベル出力時のインピーダンス
判定期間において内部信号ncがロウレベルに変化し、
ロウレベル出力時のインピーダンス判定期間において内
部信号ncがハイレベルに変化するまでカウンタ回路C
TRH及びCTRLをカウントアップして、出力バッフ
ァOBの出力インピーダンスZoutを徐々に小さくし
ていくことで、出力バッファOBつまりインピーダンス
調整機能付き出力回路OCの出力インピーダンスZou
tH及びZoutLと対応する伝送線Lの特性インピー
ダンスZoとをそれぞれ整合させ、最適化することがで
きる。From these, first, the counter circuit CT
RH and CTRL are reset, and their count values, that is, impedance control signals AH0 to AH3 and A
L0 to AL3 are set to the initial value “0000”, and the output impedances ZoutH and ZoutL at the time of high-level output and low-level output of the output buffer OB are each set to the maximum value, and then the impedance adjustment clock signal ZSCK is set.
Are repeatedly input, and the internal signal nc changes to low level during the impedance determination period at the time of high level output,
The counter circuit C operates until the internal signal nc changes to the high level during the impedance determination period at the time of the low level output.
By counting up TRH and CTRL and gradually reducing the output impedance Zout of the output buffer OB, the output impedance Zou of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with the impedance adjustment function, is obtained.
tH and ZoutL can be matched and optimized with the characteristic impedance Zo of the corresponding transmission line L, respectively.
【0027】内部信号ncは、前述のように、フリップ
フロップFF1のデータ入力端子Dに供給されるととも
に、インバータV2により反転された後、フリップフロ
ップFF2のデータ入力端子Dに供給される。これらの
フリップフロップFF1及びFF2のクロック入力端子
CKには、前述のように、遅延回路DLの出力信号たる
内部信号ndが共通に供給され、各フリップフロップの
出力信号つまり内部信号ne及びnhは、アンドゲート
G1又はG2によってインピーダンス調整イネーブル信
号ZSENならびに内部信号nd又はその反射信号と論
理積がとられた後、カウンタ回路CTRH又はCTRL
に対するカウントアップ信号つまり内部信号nf又はn
iとなる。なお、特に制限されないが、フリップフロッ
プFF1は、いわゆるポジティブエッジトリガ型のフリ
ップフロップであって、内部信号ndの立ち上がりエッ
ジを受けてその状態が遷移する。また、フリップフロッ
プFF2は、いわゆるネガティブエッジトリガ型のフリ
ップフロップであって、内部信号ndの立ち下がりエッ
ジを受けてその状態が遷移する。As described above, the internal signal nc is supplied to the data input terminal D of the flip-flop FF1 and, after being inverted by the inverter V2, supplied to the data input terminal D of the flip-flop FF2. As described above, the internal signal nd, which is the output signal of the delay circuit DL, is commonly supplied to the clock input terminals CK of these flip-flops FF1 and FF2, and the output signals of the flip-flops, that is, the internal signals ne and nh are After an AND operation with the impedance adjustment enable signal ZSEN and the internal signal nd or its reflection signal is performed by the AND gate G1 or G2, the counter circuit CTRLH or CTRL is obtained.
Signal, ie, the internal signal nf or n
i. Note that, although not particularly limited, the flip-flop FF1 is a so-called positive edge trigger type flip-flop, and its state changes in response to a rising edge of the internal signal nd. The flip-flop FF2 is a so-called negative edge trigger type flip-flop, and its state changes upon receiving a falling edge of the internal signal nd.
【0028】これにより、入力バッファIBの出力信号
たる内部信号ncの論理レベルは、内部信号ndの立ち
上がりエッジ、つまりハイレベル出力時のインピーダン
ス判定期間の中間でフリップフロップFF1に取り込ま
れ、内部信号ndの立ち下がりエッジ、つまりロウレベ
ル出力時のインピーダンス判定期間の中間でフリップフ
ロップFF2に取り込まれる。そして、フリップフロッ
プFF1の非反転出力信号Qつまり内部信号neのハイ
レベルを受けて、アンドゲートG1の出力信号つまり内
部信号nfが内部信号ndのロウレベルに同期してハイ
レベルとなり、内部信号nfの立ち上がりエッジを受け
てカウンタ回路CTRHがカウントアップされる。ま
た、フリップフロップFF2の非反転出力信号Qつまり
内部信号nhのハイレベルを受けて、アンドゲートG2
の出力信号つまり内部信号niが内部信号ndのハイレ
ベルに同期してハイレベルとなり、内部信号niの立ち
上がりエッジを受けてカウンタ回路CTRLがカウント
アップされる。Thus, the logic level of the internal signal nc, which is the output signal of the input buffer IB, is taken into the flip-flop FF1 at the rising edge of the internal signal nd, that is, in the middle of the impedance determination period at the time of high level output, and the internal signal nd , That is, in the middle of the impedance determination period at the time of low-level output, is taken into the flip-flop FF2. Then, in response to the non-inverted output signal Q of the flip-flop FF1, that is, the high level of the internal signal ne, the output signal of the AND gate G1, that is, the internal signal nf becomes high level in synchronization with the low level of the internal signal nd. In response to the rising edge, the counter circuit CTRH counts up. In response to the non-inverted output signal Q of the flip-flop FF2, that is, the high level of the internal signal nh, the AND gate G2
, The internal signal ni goes high in synchronization with the high level of the internal signal nd, and the counter circuit CTRL counts up in response to the rising edge of the internal signal ni.
【0029】図4には、図1のインピーダンス調整機能
付き出力回路OCのハイレベル出力インピーダンス調整
時の一実施例の接続図が示されている。また、図5に
は、図1のインピーダンス調整機能付き出力回路OCの
ハイレベル出力インピーダンス調整時の一実施例の信号
波形図が示され、図6には、その一実施例の拡大信号波
形図が示されている。これらの図をもとに、この実施例
のインピーダンス調整機能付き出力回路OCのハイレベ
ル出力インピーダンス調整時の具体的動作及びインピー
ダンス調整方法ならびにその特徴について説明する。FIG. 4 shows a connection diagram of an embodiment at the time of adjusting the high-level output impedance of the output circuit OC with the impedance adjusting function of FIG. FIG. 5 is a signal waveform diagram of one embodiment at the time of high-level output impedance adjustment of the output circuit OC with the impedance adjustment function of FIG. 1, and FIG. 6 is an enlarged signal waveform diagram of the embodiment. It is shown. With reference to these figures, a specific operation, impedance adjustment method, and characteristics of the output circuit OC with an impedance adjustment function of this embodiment when adjusting the high-level output impedance will be described.
【0030】なお、図4は、前記図1のインピーダンス
調整機能付き出力回路OCのハイレベル出力インピーダ
ンス調整に関する部分を整理して再掲したものであるた
め、必要な説明のみを追加する。また、図6は、図5の
一部を拡大して示したものであるため、必要に応じて参
照されたい。さらに、図5及び図6では、内部信号nb
つまり出力用外部端子outにおける出力信号のレベル
が、他の信号に比較して拡大して示される。さらに、こ
の実施例のインピーダンス調整機能付き出力回路OCで
は、実際にはハイレベル出力時の出力インピーダンスの
調整とロウレベル出力時の出力インピーダンスの調整を
と同時に行うことができるが、以下の接続図及び信号波
形図では、その一方のみに着目して示した。FIG. 4 shows a part of the output circuit OC having the impedance adjustment function shown in FIG. 1 relating to the adjustment of the high-level output impedance, which is rearranged and repeated, and only the necessary description will be added. FIG. 6 is an enlarged view of a part of FIG. 5 and should be referred to as necessary. 5 and 6, the internal signal nb
That is, the level of the output signal at the output external terminal out is shown in an enlarged manner as compared with other signals. Furthermore, in the output circuit OC with the impedance adjusting function of this embodiment, the adjustment of the output impedance at the time of the high-level output and the adjustment of the output impedance at the time of the low-level output can be performed simultaneously at the same time. In the signal waveform diagram, only one of them is shown.
【0031】図4において、インピーダンス調整機能付
き出力回路OCのハイレベル出力時の出力インピーダン
ス調整が行われるとき、出力用外部端子outには、所
定の特性インピーダンスZoを有する伝送線Lが結合さ
れる。伝送線Lの遠端は、受信側の論理集積回路装置の
入力インピーダンスがHi−Z(ハイインピーダンス)
の入力用外部端子inに結合される。なお、伝送線Lの
片道分の伝達遅延時間は、tpdLとされる。また、出
力バッファOB及び入力バッファIBは、それぞれtp
do又はtpdiなる伝達遅延時間を有するものとさ
れ、遅延回路DLは、前述のように、 td=tpdo+tpdL+tpdi なる伝達遅延時間tdを有するものとされる。In FIG. 4, when the output impedance of the output circuit OC with an impedance adjusting function is adjusted to a high level, a transmission line L having a predetermined characteristic impedance Zo is coupled to the output external terminal out. . At the far end of the transmission line L, the input impedance of the logic integrated circuit device on the receiving side is Hi-Z (high impedance).
To the input external terminal in. Note that the transmission delay time for one way of the transmission line L is tpdL. The output buffer OB and the input buffer IB are respectively tp
The delay circuit DL has a transmission delay time of td = tpdo + tpdL + tpdi, as described above.
【0032】インピーダンス調整機能付き出力回路OC
では、図5に示されるように、まずリセット信号RST
が所定期間だけ一時的に電源電圧VDDのようなハイレ
ベルとされ、このリセット信号RSTの立ち上がりを受
けてカウンタ回路CTRHがリセット状態とされる。し
たがって、カウンタ回路CTRHの計数値つまりインピ
ーダンス制御信号AH0〜AH3が初期値“0000”
となり、その各ビットはともに接地電位VSSのような
ロウレベルとされる。Output circuit OC with impedance adjustment function
Then, as shown in FIG. 5, first, the reset signal RST
Is temporarily set to a high level like the power supply voltage VDD for a predetermined period, and in response to the rise of the reset signal RST, the counter circuit CTRH is reset. Therefore, the count value of the counter circuit CTRH, that is, the impedance control signals AH0 to AH3 are initialized to “0000”.
And each of the bits is at a low level such as the ground potential VSS.
【0033】カウンタ回路CTRHのリセット直後、イ
ンピーダンス調整イネーブル信号ZSEN及びインピー
ダンス調整クロック信号ZSCKは、ともに接地電位V
SSのようなロウレベルとされる。また、インピーダン
ス調整イネーブル信号ZSEN及びインピーダンス調整
クロック信号ZSCKがロウレベルとされることで、出
力バッファOBではアンドゲートG31〜G34ならび
にG41〜G44の出力信号がすべて接地電位VSSの
ようなロウレベルとされ、ロウレベル出力用の出力MO
SFETN20のみがオン状態となる。このため、内部
ノードnbつまり出力用外部端子outには、接地電位
VSSのようなロウレベルが出力され、これを受けて入
力バッファIBの出力信号たる内部信号ncが電源電圧
VDDのようなハイレベルとされる。また、インピーダ
ンス調整クロック信号ZSCKのロウレベルを受けて遅
延回路DLの出力信号たる内部信号ndが接地電位VS
Sのようなロウレベルとされ、この内部信号ndのロウ
レベルを受けてフリップフロップFF1の出力信号たる
内部信号ne及びアンドゲートG1の出力信号たる内部
信号nfが接地電位VSSのようなロウレベルとされ
る。Immediately after the reset of the counter circuit CTRH, the impedance adjustment enable signal ZSEN and the impedance adjustment clock signal ZSCK are both set to the ground potential V.
It is set to a low level like SS. Further, since the impedance adjustment enable signal ZSEN and the impedance adjustment clock signal ZSCK are set to the low level, in the output buffer OB, the output signals of the AND gates G31 to G34 and G41 to G44 are all set to the low level such as the ground potential VSS. Output MO for output
Only SFETN20 is turned on. Therefore, a low level such as the ground potential VSS is output to the internal node nb, that is, the output external terminal out, and the internal signal nc, which is an output signal of the input buffer IB, is changed to a high level such as the power supply voltage VDD. Is done. In response to the low level of the impedance adjustment clock signal ZSCK, the internal signal nd, which is the output signal of the delay circuit DL, changes to the ground potential VS.
In response to the low level of the internal signal nd, the internal signal ne as the output signal of the flip-flop FF1 and the internal signal nf as the output signal of the AND gate G1 are set to the low level such as the ground potential VSS.
【0034】リセット信号RSTが接地電位VSSのよ
うなロウレベルに戻されると、所定の期間をおいてイン
ピーダンス調整イネーブル信号ZSENが電源電圧VD
Dのようなハイレベルとされ、やや遅れてインピーダン
ス調整クロック信号ZSCKが所定の周期で繰り返し電
源電圧VDDのようなハイレベル又は接地電位VSSの
ようなロウレベルとされる。なお、インピーダンス調整
クロック信号ZSCKが繰り返しハイレベルとされる回
数は、カウンタ回路CTRHのカウンタモデューロつま
り16回とされ、インピーダンス調整イネーブル信号Z
SENは、インピーダンス調整クロック信号ZSCKの
最後の立ち下がりから所定の時間(例えば2n 回クロッ
ク信号がでたあと)経過した時点で接地電位VSSのよ
うなロウレベルに戻される。When the reset signal RST is returned to a low level such as the ground potential VSS, the impedance adjustment enable signal ZSEN is changed to the power supply voltage VD after a predetermined period.
The impedance adjustment clock signal ZSCK is repeatedly set to a high level such as the power supply voltage VDD or a low level such as the ground potential VSS with a predetermined period. Note that the number of times that the impedance adjustment clock signal ZSCK is repeatedly set to the high level is the counter modulo of the counter circuit CTRH, that is, 16 times.
SEN is returned to a low level such as the ground potential VSS when a predetermined time (for example, after the clock signal has been output 2 n times) has elapsed from the last fall of the impedance adjustment clock signal ZSCK.
【0035】インピーダンス調整機能付き出力回路OC
の出力バッファOBでは、内部信号naつまりインピー
ダンス調整クロック信号ZSCKのハイレベルを受け
て、出力MOSFETN10がオン状態となる。しか
し、他の出力MOSFETN11〜N14は、インピー
ダンス制御信号AH0〜AH3が全ビットロウレベルと
され、対応するアンドゲートG31〜G34の出力信号
がともにロウレベルとされるためにすべてオフ状態のま
まとされ、出力バッファOBつまりインピーダンス調整
機能付き出力回路OCのハイレベル出力時の出力インピ
ーダンスZoutHは、その最大値つまりK/W0とな
る。このため、内部ノードnbつまり出力用外部端子o
utにおける出力信号のレベルは、出力MOSFETN
10のオン状態を受けて、出力バッファOBの伝達遅延
時間tpdo後に出力用電源電圧VTTのようなハイレ
ベルに立ち上がろうとするが、上記のように、出力バッ
ファOBの出力インピーダンスZoutHが最大値K/
W0とされることから、 VH0=VTT×Zo/(ZoutH+Zo) なる反射電位VH0で制限される。Output circuit with impedance adjustment function OC
Output buffer OB receives the internal signal na, that is, the high level of the impedance adjustment clock signal ZSCK, and turns on the output MOSFET N10. However, the other output MOSFETs N11 to N14 are all kept in an off state because the impedance control signals AH0 to AH3 are all at the low level and the output signals of the corresponding AND gates G31 to G34 are all at the low level. The output impedance ZoutH of the buffer OB, that is, the output circuit OC with an impedance adjustment function at the time of high-level output is the maximum value, that is, K / W0. Therefore, the internal node nb, that is, the output external terminal o
output signal level at the output MOSFET N
In response to the ON state of the output buffer OB, the output buffer OB attempts to rise to a high level such as the output power supply voltage VTT after the transmission delay time tpdo, but as described above, the output impedance ZoutH of the output buffer OB becomes the maximum value K /
Since it is set to W0, it is limited by the reflection potential VH0 such that VH0 = VTT × Zo / (ZoutH + Zo).
【0036】言うまでもなく、出力バッファOBの出力
インピーダンスZoutHの最大値K/W0は、伝送線
Lの特性インピーダンスZoより大きな値とされ、上記
反射電位VH0は、VTT/2より低い電位とされる。
したがって、入力バッファIBの出力信号たる内部信号
ncは、入力バッファIBの伝達遅延時間tpdiが経
過した後もロウレベルのままとされる。Needless to say, the maximum value K / W0 of the output impedance ZoutH of the output buffer OB is larger than the characteristic impedance Zo of the transmission line L, and the reflection potential VH0 is lower than VTT / 2.
Therefore, the internal signal nc, which is the output signal of the input buffer IB, remains at the low level even after the transmission delay time tpdi of the input buffer IB has elapsed.
【0037】ところで、出力用外部端子outから伝送
線Lに出力されたハイレベルの出力信号は、その片道分
の伝達遅延時間tpdLが経過した時点で、ハイインピ
ーダンス状態にある伝送線Lの遠端で全反射された後、
その往復分の伝達遅延時間2tpdLが経過した時点
で、出力側の論理集積回路装置の出力用外部端子out
に到達し、これを受けて出力用外部端子outにおける
出力信号の電位が出力用電源電圧VTTのような完全な
ハイレベルとされる。By the way, the high-level output signal output from the output external terminal out to the transmission line L is output from the far end of the transmission line L in the high impedance state when the one-way transmission delay time tpdL has elapsed. After being totally reflected by
When the transmission delay time 2tpdL corresponding to the round trip elapses, the output external terminal out of the logic integrated circuit device on the output side is output.
, And the potential of the output signal at the output external terminal out is set to a completely high level like the output power supply voltage VTT.
【0038】一方、内部信号naつまりインピーダンス
調整クロック信号ZSCKのハイレベル変化は、インピ
ーダンス調整機能付き出力回路OCの遅延回路DLによ
り、 td=tpdo+tpdL+tpdi なる伝達遅延時間tdだけ遅延されて内部ノードndに
伝達される。この遅延回路DLの伝達遅延時間tdは、
前記のように、インピーダンス調整クロック信号ZSC
Kが出力バッファOBを介して出力用外部端子outつ
まり伝送線Lに出力され、そのまま入力バッファIBを
介して内部ノードncに伝達されてから、伝送線Lの遠
端で反射されて出力用外部端子outに戻り、さらに入
力バッファIBを介して内部ノードncに伝達されるま
での期間、つまりインピーダンス判定期間の調度中間時
点に対応するものであって、この内部信号ndの立ち上
がりエッジで内部信号ncのレベルを判定することで、
出力バッファOBつまりインピーダンス調整機能付き出
力回路OCの出力インピーダンスZoutHが伝送線L
の特性インピーダンスZoより大きいかどうかを判定で
きる。On the other hand, a high level change of the internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZSCK is delayed by a transmission delay time td of td = tpdo + tpdL + tpdi by the delay circuit DL of the output circuit OC with an impedance adjustment function and transmitted to the internal node nd. Is done. The transmission delay time td of the delay circuit DL is
As described above, the impedance adjustment clock signal ZSC
K is output to the output external terminal out via the output buffer OB, that is, to the transmission line L, is transmitted to the internal node nc via the input buffer IB, and is reflected at the far end of the transmission line L to be output to the output external terminal. This period corresponds to a period until the signal returns to the terminal out and is further transmitted to the internal node nc via the input buffer IB, that is, an intermediate time point of the adjustment in the impedance determination period. At the rising edge of the internal signal nd, the internal signal nc By determining the level of
The output buffer OB, that is, the output impedance ZoutH of the output circuit OC with the impedance adjustment function is the transmission line L
It can be determined whether the characteristic impedance is greater than the characteristic impedance Zo.
【0039】図5及び図6の電位VH0に代表されるよ
うに、インピーダンス判定期間で内部ノードnbつまり
出力用外部端子outにおける出力信号の電位が基準電
圧Vrefより低い場合、内部信号ncのハイレベル
は、内部信号ndの立ち上がりエッジでフリップフロッ
プFF1に取り込まれ、これを受けてその非反転出力信
号Qつまり内部信号neが電源電圧VDDのようなハイ
レベルとされる。また、この内部信号neのハイレベル
と内部信号ndのインバータV1による反転信号のハイ
レベルを受けてアンドゲートG1の出力信号つまり内部
信号nfがハイレベルとされ、内部信号nfの立ち上が
りを受けてカウンタ回路CTRHがカウントアップさ
れ、その計数値が“0001”となる。As represented by the potential VH0 in FIGS. 5 and 6, when the potential of the output signal at the internal node nb, that is, the output external terminal out is lower than the reference voltage Vref during the impedance determination period, the internal signal nc becomes high level. Is input to the flip-flop FF1 at the rising edge of the internal signal nd, and the non-inverted output signal Q, that is, the internal signal ne is set to a high level like the power supply voltage VDD. In response to the high level of the internal signal ne and the high level of the inverted signal of the internal signal nd by the inverter V1, the output signal of the AND gate G1, that is, the internal signal nf is set to the high level. The circuit CTRH is counted up, and the count value becomes "0001".
【0040】これにより、内部信号naつまりインピー
ダンス調整クロック信号ZSCKの次のハイレベル変化
時、出力バッファOBでは、2個の出力MOSFETN
10及びN11がオン状態となり、出力バッファOBつ
まりインピーダンス調整機能付き出力回路OCの出力イ
ンピーダンスZoutHは、2番目に大きい、 ZoutH=K/(W0+W) となる。したがって、内部ノードnbつまり出力用外部
端子outのインピーダンス判定期間におけるレベル
は、電位VH1となるが、この電位VH1もまだ基準電
圧Vrefより低く、内部信号ncはやはりハイレベル
のままとされる。このため、内部信号ndの次の立ち上
がりにおいてもフリップフロップFF1がセット状態の
ままとされ、その出力信号たる内部信号neがハイレベ
ルのままとされる。これにより、内部信号ndの次のロ
ウレベルを受けてアンドゲートG1の出力信号たる内部
信号nfが再度ハイレベルとなり、カウンタ回路CTR
Hがカウントアップされて、その計数値が“0010”
となる。Thus, at the time of the next high level change of the internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZSCK, the output buffer OB outputs two output MOSFETs N
10 and N11 are turned on, and the output impedance ZoutH of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with the impedance adjustment function is the second largest, ZoutH = K / (W0 + W). Therefore, the level of the internal node nb, that is, the output external terminal out during the impedance determination period is the potential VH1, but this potential VH1 is still lower than the reference voltage Vref, and the internal signal nc is still at the high level. Therefore, the flip-flop FF1 is kept in the set state even at the next rising of the internal signal nd, and the internal signal ne, which is the output signal, is kept at the high level. As a result, in response to the next low level of the internal signal nd, the internal signal nf, which is the output signal of the AND gate G1, goes high again, and the counter circuit CTR
H is counted up and the counted value is “0010”
Becomes
【0041】出力バッファOBでは、インピーダンス制
御信号AH0〜AH3の計数値“0010”と内部信号
naつまりインピーダンス調整クロック信号ZSCKの
次のハイレベルとを受けて、2個の出力MOSFETN
10及びN12がオン状態となり、出力バッファOBつ
まりインピーダンス調整機能付き出力回路OCの出力イ
ンピーダンスZoutHが3番目に大きい、 ZoutH=K/(W0+2W) となる。したがって、内部ノードnbつまり出力用外部
端子outのインピーダンス判定期間におけるレベル
は、電位VH2となるが、やはりこの電位VH2もまだ
基準電圧Vrefより低く、内部信号ncはハイレベル
のままとされる。このため、内部信号ndの次の立ち上
がりにおいてまたもフリップフロップFF1がセット状
態のままとされ、その出力信号たる内部信号neがハイ
レベルのままとされる。これにより、内部信号ndの次
のロウレベルを受けてアンドゲートG1の出力信号たる
内部信号nfが再々度ハイレベルとなり、カウンタ回路
CTRHがカウントアップされて、その計数値が“00
11”となる。The output buffer OB receives the count value “0010” of the impedance control signals AH0 to AH3 and the internal signal na, that is, the next high level of the impedance adjustment clock signal ZSCK, and outputs two output MOSFETs N.
10 and N12 are turned on, the output impedance ZoutH of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with the impedance adjustment function is the third largest, and ZoutH = K / (W0 + 2W). Therefore, the level of the internal node nb, that is, the output external terminal out during the impedance determination period is the potential VH2, but this potential VH2 is still lower than the reference voltage Vref, and the internal signal nc remains at the high level. Therefore, at the next rising of the internal signal nd, the flip-flop FF1 is kept in the set state, and the internal signal ne, which is the output signal, is kept at the high level. As a result, the internal signal nf, which is the output signal of the AND gate G1, becomes the high level again in response to the next low level of the internal signal nd, and the counter circuit CTRH counts up, and the count value becomes "00".
11 ".
【0042】出力バッファOBでは、同様にインピーダ
ンス制御信号AH0〜AH3の計数値“0011”と内
部信号naつまりインピーダンス調整クロック信号ZS
CKの次のハイレベルとを受けて、3個の出力MOSF
ETN10〜N12がオン状態となり、出力バッファO
Bつまりインピーダンス調整機能付き出力回路OCの出
力インピーダンスZoutHは、4番目に大きい、 ZoutH=K/(W0+3W) となる。したがって、内部ノードnbつまり出力用外部
端子outのインピーダンス判定期間におけるレベル
は、基準電圧Vrefより高い電位VH3となり、これ
を受けて内部信号ncがロウレベルとされる。このた
め、内部信号ndの次の立ち上がりを受けてフリップフ
ロップFF1がロウ状態となり、その出力信号たる内部
信号neはロウレベルに変化される。これにより、内部
信号ndが次にロウレベルとされた時点でアンドゲート
G1の出力信号たる内部信号nfはロウレベルのままと
され、カウンタ回路CTRHはカウントアップされな
い。この状態は、次に内部信号naつまりインピーダン
ス調整クロック信号ZSCKが入力されるまで保持さ
れ、出力バッファOBには、計数値“0011”なるイ
ンピーダンス制御信号AH0〜AH3が供給され続け
る。In the output buffer OB, similarly, the count value "0011" of the impedance control signals AH0 to AH3 and the internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZS
In response to the next high level of CK, three output MOSFs
ETN10 to N12 are turned on and output buffer O
B, that is, the output impedance ZoutH of the output circuit OC with the impedance adjustment function is the fourth largest, ZoutH = K / (W0 + 3W). Therefore, the level of the internal node nb, that is, the output external terminal out during the impedance determination period is the potential VH3 higher than the reference voltage Vref, and the internal signal nc is set to the low level in response to this. For this reason, the flip-flop FF1 goes low in response to the next rising of the internal signal nd, and the internal signal ne, which is the output signal, is changed to low level. As a result, when the internal signal nd goes low next time, the internal signal nf, which is the output signal of the AND gate G1, remains low, and the counter circuit CTRH does not count up. This state is maintained until the next input of the internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZSCK, and the output buffer OB is continuously supplied with the impedance control signals AH0 to AH3 having the count value “0011”.
【0043】上記説明から明らかなように、インピーダ
ンス制御信号AH0〜AH3の計数値“0011”は、
インピーダンス判定期間での内部ノードnbつまり出力
用外部端子outにおける出力信号の電位つまり反射電
位が所定値に達し、基準電圧Vrefより高くなった時
点、言い換えるならば、出力バッファOBつまりインピ
ーダンス調整機能付き出力回路OCの出力インピーダン
スZoutHが伝送線Lの特性インピーダンスZoより
小さくかつ最大の値となる計数値であって、このインピ
ーダンス制御信号AH0〜AH3をカウンタ回路CTR
Hにより保持し出力バッファOBに供給し続けること
で、出力バッファOBつまりインピーダンス調整機能付
き出力回路OCの出力インピーダンスZoutHと伝送
線Lの特性インピーダンスZoとを整合させ、最適化す
ることができる。As is clear from the above description, the count value “0011” of the impedance control signals AH0 to AH3 is
When the potential of the output signal at the internal node nb, that is, the reflected external potential at the output external terminal out reaches a predetermined value and becomes higher than the reference voltage Vref during the impedance determination period, in other words, the output buffer OB, that is, the output with the impedance adjusting function. The output impedance ZoutH of the circuit OC is a count value at which the output impedance ZoutH is smaller than the characteristic impedance Zo of the transmission line L and becomes the maximum value.
By holding the signal H and continuously supplying it to the output buffer OB, the output impedance ZoutH of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with the impedance adjustment function, and the characteristic impedance Zo of the transmission line L can be matched and optimized.
【0044】図7には、図1のインピーダンス調整機能
付き出力回路OCのロウレベル出力インピーダンス調整
時の一実施例の接続図が示されている。また、図8に
は、図1のインピーダンス調整機能付き出力回路OCの
ロウレベル出力インピーダンス調整時の一実施例の信号
波形図が示され、図9には、その一実施例の拡大信号波
形図が示されている。これらの図をもとに、この実施例
のインピーダンス調整機能付き出力回路OCのロウレベ
ル出力インピーダンス調整時の具体的動作及びインピー
ダンス調整方法ならびにその特徴について説明する。FIG. 7 is a connection diagram of one embodiment at the time of adjusting the low-level output impedance of the output circuit OC with the impedance adjusting function of FIG. FIG. 8 is a signal waveform diagram of one embodiment at the time of adjusting the low-level output impedance of the output circuit OC with the impedance adjusting function of FIG. 1, and FIG. 9 is an enlarged signal waveform diagram of the embodiment. It is shown. With reference to these figures, a specific operation, impedance adjustment method, and characteristics of the output circuit OC with impedance adjustment function of this embodiment when adjusting the low-level output impedance will be described.
【0045】なお、図7は、前記図1のインピーダンス
調整機能付き出力回路OCのハイレベル出力インピーダ
ンス調整に関する部分を整理して再掲したものであるた
め、必要な説明のみを追加する。また、図9は、図8の
一部を拡大して示したものであるため、必要に応じて参
照されたい。さらに、この実施例は、前記図4ないし図
6の実施例を基本的に踏襲するものであるため、これら
の実施例と同一の部分についてはこれに関する説明を割
愛することがある。FIG. 7 is a rearrangement of a portion related to the high-level output impedance adjustment of the output circuit OC with an impedance adjustment function of FIG. 1 described above, and only necessary explanations will be added. FIG. 9 is a partially enlarged view of FIG. 8 and should be referred to as necessary. Furthermore, since this embodiment basically follows the embodiment of FIGS. 4 to 6, the description of the same parts as those of the embodiments may be omitted.
【0046】図7において、インピーダンス調整機能付
き出力回路OCのロウレベル出力時における出力インピ
ーダンス調整が行われるとき、出力用外部端子outに
は、図4の場合と同様、特性インピーダンスZoを有す
る伝送線Lが結合される。伝送線Lの遠端は、受信側の
論理集積回路装置の入力インピーダンスがHi−Zの入
力用外部端子inに結合される。In FIG. 7, when output impedance adjustment is performed at the time of low-level output of the output circuit OC with the impedance adjustment function, the transmission line L having the characteristic impedance Zo is connected to the output external terminal out as in FIG. Are combined. At the far end of the transmission line L, the input impedance of the logic integrated circuit device on the receiving side is coupled to the Hi-Z input external terminal in.
【0047】インピーダンス調整機能付き出力回路OC
では、図8に示されるように、まずリセット信号RST
が所定期間だけ一時的に電源電圧VDDのようなハイレ
ベルとされ、このリセット信号RSTの立ち上がりを受
けてカウンタ回路CTRLがリセット状態とされる。し
たがって、カウンタ回路CTRLの計数値つまりインピ
ーダンス制御信号AL0〜AL3が初期値“0000”
となり、その各ビットはともに接地電位VSSのような
ロウレベルとされる。Output circuit OC with impedance adjustment function
Then, as shown in FIG. 8, first, the reset signal RST
Is temporarily set to a high level like the power supply voltage VDD for a predetermined period, and in response to the rise of the reset signal RST, the counter circuit CTRL is reset. Therefore, the count value of the counter circuit CTRL, that is, the impedance control signals AL0 to AL3 are set to the initial value “0000”.
And each of the bits is at a low level such as the ground potential VSS.
【0048】カウンタ回路CTRLのリセット直後、イ
ンピーダンス調整イネーブル信号ZSEN及びインピー
ダンス調整クロック信号ZSCKは、ともに接地電位V
SSのようなロウレベルとされる。また、インピーダン
ス調整イネーブル信号ZSEN及びインピーダンス調整
クロック信号ZSCKがロウレベルとされることで、出
力バッファOBではアンドゲートG31〜G34ならび
にG41〜G44の出力信号がすべて接地電位VSSの
ようなロウレベルとされ、ロウレベル出力用の出力MO
SFETN20のみがオン状態となる。このため、内部
ノードnbつまり出力用外部端子outには、接地電位
VSSのようなロウレベルが出力され、これを受けて入
力バッファIBの出力信号つまり内部信号ncの反転信
号たる内部信号ngが接地電位VSSのようなロウレベ
ルとされる。また、インピーダンス調整クロック信号Z
SCKのロウレベルを受けて遅延回路DLの出力信号た
る内部信号ndが接地電位VSSのようなロウレベルと
され、これらのインピーダンス調整クロック信号ZSC
K及び内部信号ndのロウレベルを受けてフリップフロ
ップFF2の出力信号たる内部信号nh及びアンドゲー
トG2の出力信号たる内部信号niがロウレベルとされ
る。Immediately after the reset of the counter circuit CTRL, the impedance adjustment enable signal ZSEN and the impedance adjustment clock signal ZSCK are both set to the ground potential V.
It is set to a low level like SS. Further, since the impedance adjustment enable signal ZSEN and the impedance adjustment clock signal ZSCK are set to the low level, in the output buffer OB, the output signals of the AND gates G31 to G34 and G41 to G44 are all set to the low level such as the ground potential VSS. Output MO for output
Only SFETN20 is turned on. Therefore, a low level such as the ground potential VSS is output to the internal node nb, that is, the output external terminal out, and in response to this, the output signal of the input buffer IB, that is, the internal signal ng which is an inverted signal of the internal signal nc is set to the ground potential. It is set to a low level like VSS. Also, the impedance adjustment clock signal Z
In response to the low level of SCK, the internal signal nd as an output signal of the delay circuit DL is set to a low level such as the ground potential VSS, and these impedance adjustment clock signals ZSC
In response to K and the low level of the internal signal nd, the internal signal nh as the output signal of the flip-flop FF2 and the internal signal ni as the output signal of the AND gate G2 are set to the low level.
【0049】リセット信号RSTが接地電位VSSのよ
うなロウレベルに戻されると、所定の期間をおいてイン
ピーダンス調整イネーブル信号ZSENが電源電圧VD
Dのようなハイレベルとされ、やや遅れてインピーダン
ス調整クロック信号ZSCKが所定の周期で繰り返し電
源電圧VDDのようなハイレベル又は接地電位VSSの
ようなロウレベルとされる。When the reset signal RST is returned to a low level such as the ground potential VSS, the impedance adjustment enable signal ZSEN is changed to the power supply voltage VD after a predetermined period.
The impedance adjustment clock signal ZSCK is repeatedly set to a high level such as the power supply voltage VDD or a low level such as the ground potential VSS with a predetermined period.
【0050】インピーダンス調整機能付き出力回路OC
の出力バッファOBでは、内部信号naつまりインピー
ダンス調整クロック信号ZSCKのハイレベルを受け
て、出力MOSFETN20が一旦オフ状態となり、そ
の最初の立ち下がりを受けて出力MOSFETN20が
再度オン状態となる。しかし、このとき、他の出力MO
SFETN21〜N24は、インピーダンス制御信号A
L0〜AL3が全ビットロウレベルとされ、対応するア
ンドゲートG41〜G44の出力信号がともにロウレベ
ルとされるためにすべてオフ状態のままとされ、出力バ
ッファOBつまりインピーダンス調整機能付き出力回路
OCのロウレベル出力時の出力インピーダンスZout
Lは、最大値つまりK/W0’となる。このため、内部
ノードnbつまり出力用外部端子outにおける出力信
号のレベルは、出力MOSFETN20のオン状態を受
けて、出力バッファOBの伝達遅延時間tpdo後に接
地電位VSSのようなロウレベルになろうとするが、上
記のように出力バッファOBの出力インピーダンスZo
utLが最大値K/W0’とされることから、 VL0=VTT−VTT×Zo/(ZoutL+Zo) =VTT×ZoutL/(ZoutL+Zo) なる反射電位VL0で制限される。Output circuit OC with impedance adjustment function
In the output buffer OB, the output MOSFET N20 is temporarily turned off in response to the internal signal na, that is, the high level of the impedance adjustment clock signal ZSCK, and the output MOSFET N20 is turned on again in response to the first fall. However, at this time, the other output MO
The SFETs N21 to N24 output the impedance control signal A
All the bits L0 to AL3 are set to the low level, and the output signals of the corresponding AND gates G41 to G44 are all set to the low level, so that they are all kept in the off state, and the output buffer OB, that is, the low level output of the output circuit OC with the impedance adjustment function Output impedance Zout
L is the maximum value, that is, K / W0 '. Therefore, the level of the output signal at the internal node nb, that is, at the output external terminal out, tends to become a low level like the ground potential VSS after the transmission delay time tpdo of the output buffer OB in response to the ON state of the output MOSFET N20. As described above, the output impedance Zo of the output buffer OB
Since utL is set to the maximum value K / W0 ′, it is limited by the reflection potential VL0 such that VL0 = VTT−VTT × Zo / (ZoutL + Zo) = VTT × ZoutL / (ZoutL + Zo).
【0051】言うまでもなく、出力バッファOBの出力
インピーダンスZoutLの最大値K/W0’は、伝送
線Lの特性インピーダンスZoより大きな値とされ、反
射電位VL0はVTT/2より高い電位とされる。した
がって、入力バッファIBの出力信号つまり内部信号n
cの反転信号たる内部信号ngは、入力バッファIBの
伝達遅延時間tpdiが経過した後もハイレベルのまま
とされる。Needless to say, the maximum value K / W0 'of the output impedance ZoutL of the output buffer OB is set to a value larger than the characteristic impedance Zo of the transmission line L, and the reflection potential VL0 is set to a potential higher than VTT / 2. Therefore, the output signal of input buffer IB, that is, internal signal n
The internal signal ng, which is the inverted signal of c, remains at the high level even after the transmission delay time tpdi of the input buffer IB has elapsed.
【0052】図5及び図6の場合と同様に、出力用外部
端子outから伝送線Lに出力されたロウレベルの出力
信号は、その片道分の伝達遅延時間tpdLが経過した
時点で、ハイインピーダンス状態にある伝送線Lの遠端
で全反射された後、その往復分の伝達遅延時間2tpd
Lが経過した時点で、出力側の論理集積回路装置の出力
用外部端子outに到達し、これを受けて出力用外部端
子outにおける出力信号の電位が接地電位VSSのよ
うな完全なロウレベルとされる。As in the case of FIGS. 5 and 6, the low-level output signal output to the transmission line L from the output external terminal out changes to the high impedance state when the one-way transmission delay time tpdL has elapsed. Is totally reflected at the far end of the transmission line L at
At the point in time when L has elapsed, it reaches the output external terminal out of the logic integrated circuit device on the output side, and in response thereto, the potential of the output signal at the output external terminal out is set to a completely low level such as the ground potential VSS. You.
【0053】一方、内部信号naつまりインピーダンス
調整クロック信号ZSCKのロウレベル変化は、インピ
ーダンス調整機能付き出力回路OCの遅延回路DLによ
り、 td=tpdo+tpdL+tpdi なる伝達遅延時間tdだけ遅延されて内部ノードndに
伝達される。この遅延回路DLの伝達遅延時間tdは、
前記のように、インピーダンス判定期間の調度中間時点
に対応するものであって、この内部信号ndの立ち上が
りエッジで内部信号ncつまり内部信号ngのレベルを
判定することで、出力バッファOBつまりインピーダン
ス調整機能付き出力回路OCの出力インピーダンスZo
utLが伝送線Lの特性インピーダンスZoより大きい
かどうかを判定できる。On the other hand, the low level change of the internal signal na, that is, the low level change of the impedance adjustment clock signal ZSCK is transmitted to the internal node nd after being delayed by a transmission delay time td of td = tpdo + tpdL + tpdi by the delay circuit DL of the output circuit OC having the impedance adjustment function. You. The transmission delay time td of the delay circuit DL is
As described above, the output buffer OB, that is, the impedance adjustment function, corresponds to the intermediate time point of the impedance determination period and determines the level of the internal signal nc, that is, the internal signal ng at the rising edge of the internal signal nd. Output impedance Zo of the output circuit OC
It can be determined whether or not utL is greater than the characteristic impedance Zo of the transmission line L.
【0054】図8及び図9の電位VL0に代表されるよ
うに、インピーダンス判定期間での内部ノードnbつま
り出力用外部端子outにおける出力信号のレベルが基
準電圧Vrefより高い場合、内部信号ncのロウレベ
ルつまり内部信号ngのハイレベルは、内部信号ndの
立ち上がりエッジでフリップフロップFF2に取り込ま
れ、これを受けてその非反転出力信号Qつまり内部信号
nhが電源電圧VDDのようなハイレベルとされる。ま
た、この内部信号nhのハイレベルと内部信号ndのハ
イレベルを受けてアンドゲートG2の出力信号つまり内
部信号niがハイレベルとされ、内部信号niの立ち上
がりを受けてカウンタ回路CTRLがカウントアップさ
れ、その計数値が“0001”となる。As represented by the potential VL0 in FIGS. 8 and 9, when the level of the output signal at the internal node nb, ie, the output external terminal out during the impedance determination period is higher than the reference voltage Vref, the low level of the internal signal nc is obtained. That is, the high level of the internal signal ng is taken into the flip-flop FF2 at the rising edge of the internal signal nd, and the non-inverted output signal Q, that is, the internal signal nh is set to the high level like the power supply voltage VDD. In response to the high level of the internal signal nh and the high level of the internal signal nd, the output signal of the AND gate G2, that is, the internal signal ni is set to the high level, and the counter circuit CTRL is counted up in response to the rise of the internal signal ni. , Its count value becomes “0001”.
【0055】これにより、出力バッファOBでは、内部
信号naつまりインピーダンス調整クロック信号ZSC
Kの次のハイレベル変化時、2個の出力MOSFETN
20及びN21がオン状態となり、出力バッファOBつ
まりインピーダンス調整機能付き出力回路OCの出力イ
ンピーダンスZoutLは、2番目に大きい、 ZoutL=K/(W0’+W’) となる。したがって、内部ノードnbつまり出力用外部
端子outのインピーダンス判定期間におけるレベル
は、電位VL1となるが、この電位VL1もまだ基準電
圧Vrefより高く、内部信号ngはやはりハイレベル
のままとされる。このため、内部信号ndの次の立ち上
がりにおいてもフリップフロップFF2がセット状態の
ままとされ、その出力信号たる内部信号nhがハイレベ
ルのままとされる。これにより、内部信号ndの次のハ
イレベルを受けてアンドゲートG2の出力信号たる内部
信号niが再度ハイレベルとなり、カウンタ回路CTR
Lがカウントアップされて、その計数値が“0010”
となる。Thus, in the output buffer OB, the internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZSC
At the next high level change of K, two output MOSFETs N
20 and N21 are turned on, and the output impedance ZoutL of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with the impedance adjustment function is the second largest, ZoutL = K / (W0 '+ W'). Therefore, the level of the internal node nb, that is, the output external terminal out during the impedance determination period is the potential VL1, but this potential VL1 is still higher than the reference voltage Vref, and the internal signal ng is also kept at the high level. Therefore, the flip-flop FF2 is kept in the set state even at the next rising of the internal signal nd, and the internal signal nh, which is the output signal, is kept at the high level. As a result, the internal signal ni, which is the output signal of the AND gate G2, goes high again upon receiving the next high level of the internal signal nd, and the counter circuit CTR
L is counted up and the count value is “0010”
Becomes
【0056】出力バッファOBでは、インピーダンス制
御信号AL0〜AL3の計数値“0010”と内部信号
naつまりインピーダンス調整クロック信号ZSCKの
次のハイレベルとを受けて、2個の出力MOSFETN
20及びN22がオン状態となり、出力バッファOBつ
まりインピーダンス調整機能付き出力回路OCの出力イ
ンピーダンスZoutLが3番目に大きい、 ZoutL=K/(W0’+2W’) となる。したがって、内部ノードnbつまり出力用外部
端子outのインピーダンス判定期間におけるレベル
は、電位VL2となるが、やはりこの電位VL2もまだ
基準電圧Vrefより高く、内部信号ngはハイレベル
のままとされる。このため、内部信号ndの次の立ち上
がりにおいてまたもフリップフロップFF2がセット状
態のままとされ、その出力信号たる内部信号nhがハイ
レベルのままとされる。これにより、内部信号ndの次
のハイレベルを受けてアンドゲートG2の出力信号たる
内部信号niが再々度ハイレベルとなり、カウンタ回路
CTRLがカウントアップされて、その計数値が“00
11”となる。The output buffer OB receives the count value “0010” of the impedance control signals AL0 to AL3 and the internal signal na, that is, the next high level of the impedance adjustment clock signal ZSCK, and outputs two output MOSFETs N.
20 and N22 are turned on, the output buffer OB, that is, the output impedance ZoutL of the output circuit OC with impedance adjustment function is the third largest, and ZoutL = K / (W0 '+ 2W'). Therefore, the level of the internal node nb, that is, the output external terminal out during the impedance determination period is the potential VL2, but this potential VL2 is still higher than the reference voltage Vref, and the internal signal ng is kept at the high level. Therefore, at the next rising of the internal signal nd, the flip-flop FF2 is kept in the set state again, and the internal signal nh as an output signal is kept at the high level. As a result, the internal signal ni, which is the output signal of the AND gate G2, becomes the high level again in response to the next high level of the internal signal nd, and the counter circuit CTRL counts up, and the count value becomes "00".
11 ".
【0057】出力バッファOBでは、同様にインピーダ
ンス制御信号AL0〜AL3の計数値“0011”と内
部信号naつまりインピーダンス調整クロック信号ZS
CKの次のハイレベルとを受けて、3個の出力MOSF
ETN20〜N22がオン状態となり、出力バッファO
Bつまりインピーダンス調整機能付き出力回路OCの出
力インピーダンスZoutLは、4番目に大きい、 ZoutL=K/(W0’+3W’) となる。したがって、内部ノードnbつまり出力用外部
端子outのインピーダンス判定期間におけるレベル
は、基準電圧Vrefより低い電位VL3となり、これ
を受けて内部信号ngがロウレベルとされる。このた
め、内部信号ndの次の立ち上がりを受けてフリップフ
ロップFF2がリセット状態となり、その出力信号たる
内部信号nhはロウレベルに変化される。これにより、
内部信号ndが次にハイレベルとされた時点でアンドゲ
ートG2の出力信号たる内部信号niはロウレベルのま
まとされ、カウンタ回路CTRLはカウントアップされ
ない。この状態は、次に内部信号naつまりインピーダ
ンス調整クロック信号ZSCKが入力されるまで保持さ
れ、出力バッファOBには、計数値“0011”なるイ
ンピーダンス制御信号AL0〜AL3が供給され続け
る。In the output buffer OB, similarly, the count value "0011" of the impedance control signals AL0 to AL3 and the internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZS
In response to the next high level of CK, three output MOSFs
ETN20 to N22 are turned on and output buffer O
B, that is, the output impedance ZoutL of the output circuit OC with the impedance adjustment function is the fourth largest, ZoutL = K / (W0 '+ 3W'). Therefore, the level of the internal node nb, that is, the output external terminal out during the impedance determination period becomes the potential VL3 lower than the reference voltage Vref, and in response to this, the internal signal ng is set to the low level. Therefore, the flip-flop FF2 is reset in response to the next rising of the internal signal nd, and the internal signal nh as an output signal is changed to a low level. This allows
When the internal signal nd is changed to the next high level, the internal signal ni as the output signal of the AND gate G2 is kept at the low level, and the counter circuit CTRL does not count up. This state is maintained until the next input of the internal signal na, that is, the impedance adjustment clock signal ZSCK, and the output buffer OB is continuously supplied with the impedance control signals AL0 to AL3 having the count value “0011”.
【0058】上記説明から明らかなように、インピーダ
ンス制御信号AL0〜AL3の計数値“0011”は、
インピーダンス判定期間での内部ノードnbつまり出力
用外部端子outにおける出力信号の電位つまり反射電
位が所定値に達し、基準電圧Vrefより低くなった時
点、言い換えるならば、出力バッファOBつまりインピ
ーダンス調整機能付き出力回路OCの出力インピーダン
スZoutLが伝送線Lの特性インピーダンスZoより
小さくかつ最大の値となる計数値であって、このインピ
ーダンス制御信号AL0〜AL3をカウンタ回路CTR
Lにより保持し出力バッファOBに供給し続けること
で、出力バッファOBつまりインピーダンス調整機能付
き出力回路OCの出力インピーダンスZoutLと伝送
線Lの特性インピーダンスZoとを整合させ、最適化す
ることができる。As is apparent from the above description, the count value “0011” of the impedance control signals AL0 to AL3 is
When the potential of the output signal at the internal node nb, that is, the reflected external potential at the output external terminal out reaches a predetermined value and becomes lower than the reference voltage Vref during the impedance determination period, in other words, the output buffer OB, that is, the output with the impedance adjusting function. The output impedance ZoutL of the circuit OC is a count value at which the output impedance ZoutL is smaller and the maximum value smaller than the characteristic impedance Zo of the transmission line L.
By holding the signal L and supplying it to the output buffer OB, the output buffer OB, that is, the output impedance ZoutL of the output circuit OC with the impedance adjustment function and the characteristic impedance Zo of the transmission line L can be matched and optimized.
【0059】なお、上記図4ないし図6ならびに図7な
いし図9の実施例において、出力バッファOBつまりイ
ンピーダンス調整機能付き出力回路OCの出力インピー
ダンスZoutH及びZoutLは、カウンタ回路CT
RH及びCTRLつまりはインピーダンス制御信号AH
0〜AH3ならびにAL0〜AL3を順次カウントアッ
プすることにより切り換えられ、ステップ状に変化す
る。このため、出力インピーダンスZoutH及びZo
utLと特性インピーダンスZoが完全に一致する確率
は比較的小さいが、出力バッファOBを構成する出力M
OSFETN10及びN20のゲート幅W0及びW0’
と、その他の出力MOSFETN11〜N14ならびに
N21〜N24のゲート幅の基本単位となるゲート幅W
及びW’を適当に選定することで、出力インピーダンス
ZoutH及びZoutLのステップ幅を小さくし、出
力インピーダンスZoutH及びZoutLと特性イン
ピーダンスZoを充分に近い値に整合させることができ
るものとなる。In the embodiments shown in FIGS. 4 to 6 and FIGS. 7 to 9, the output impedances ZoutH and ZoutL of the output buffer OB, that is, the output circuit OC with the impedance adjusting function are determined by the counter circuit CT.
RH and CTRL, that is, the impedance control signal AH
It is switched by sequentially counting up 0 to AH3 and AL0 to AL3, and changes stepwise. Therefore, the output impedances ZoutH and ZoutH
utL and the characteristic impedance Zo have a relatively small probability of completely matching, but the output M constituting the output buffer OB is relatively small.
Gate widths W0 and W0 'of OSFETs N10 and N20
And a gate width W which is a basic unit of the gate widths of the other output MOSFETs N11 to N14 and N21 to N24.
By appropriately selecting Wout and W ′, the step width of the output impedances ZoutH and ZoutL can be reduced, and the output impedances ZoutH and ZoutL and the characteristic impedance Zo can be matched to values that are sufficiently close.
【0060】一方、上記のようなインピーダンス整合
は、インピーダンス調整機能付き出力回路OCの出力用
外部端子outにおける交流的な反射電位をもとに行わ
れ、しかもインピーダンス調整機能付き出力回路OCつ
まりは論理集積回路装置又はこれを含むシステムを通常
の動作状態としたまま実施することができる。また、上
記インピーダンス整合は、論理集積回路装置の各出力用
外部端子outつまり各インピーダンス調整機能付き出
力回路OCごとに実施できるとともに、そのために特定
の出力用外部端子outを用意し、外付け抵抗を接続す
ることを必要ともしない。この結果、各インピーダンス
調整機能付き出力回路OCのハイレベル及びロウレベル
出力時の出力インピーダンスZoutH及びZoutL
を、これを構成するMOSFETのプロセスバラツキや
伝送線Lの配線形態等にともなう特性インピーダンスZ
oのバラツキの影響を排除してそれぞれ最適化でき、こ
れによってインピーダンス調整機能付き出力回路OCを
搭載する論理集積回路装置等インタフェース性能を高
め、その所要外部端子数及び所要素子数を削減して、論
理集積回路装置の高速化及び低コスト化を図ることがで
きる。On the other hand, the impedance matching as described above is performed based on the AC reflected potential at the output external terminal out of the output circuit OC with an impedance adjustment function, and furthermore, the output circuit OC with an impedance adjustment function, that is, logic. The present invention can be implemented with the integrated circuit device or a system including the same in a normal operation state. In addition, the impedance matching can be performed for each output external terminal out of the logic integrated circuit device, that is, for each output circuit OC with an impedance adjustment function. For that purpose, a specific output external terminal out is prepared, and an external resistor is connected. No need to connect. As a result, the output impedances ZoutH and ZoutL at the time of high-level and low-level output of each output circuit OC with the impedance adjustment function are output.
Is the characteristic impedance Z due to the process variation of the MOSFETs constituting it, the wiring form of the transmission line L, etc.
o can be optimized by eliminating the influence of the variation of o, thereby improving the interface performance of a logic integrated circuit device equipped with an output circuit OC with an impedance adjustment function, and reducing the required number of external terminals and required elements. Higher speed and lower cost of the logic integrated circuit device can be achieved.
【0061】以上の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。すなわち、 (1)CMOS論理ゲートを基本素子とする論理集積回
路装置等に搭載される出力回路の出力バッファを、例え
ば出力用電源電圧と出力用外部端子との間に並列形態に
設けられ第1のインピーダンス制御信号の対応するビッ
トの有効レベルを受けて選択的にオン状態とされるn個
の第1の出力MOSFETと、出力用外部端子と回路の
接地電位との間に並列形態に設けられ第2のインピーダ
ンス制御信号の対応するビットの有効レベルを受けて選
択的にオン状態とされるn個の第2の出力MOSFET
とをもとに構成するとともに、各出力回路に対応して、
その一方の入力端子が対応する出力用外部端子に結合さ
れ、その他方の入力端子に所定の基準電圧を受け、かつ
対応する出力バッファを介して所定のパルス信号が出力
されるとき、そのハイレベル又はロウレベル変化の伝送
線遠端での反射信号が到達するまでの期間の出力用外部
端子における反射電位が上記基準電圧に達したときその
出力信号の論理レベルを選択的に反転する入力バッファ
と、その計数値が第1又は第2のインピーダンス制御信
号とされ、その初期状態においてその計数値が出力回路
の出力インピーダンスを最大値とすべくリセットされた
後、上記期間における入力バッファの出力信号のレベル
反転を受けて選択的にカウントアップされる第1及び第
2のカウンタ回路とを含むインピーダンス調整回路を設
けることで、インピーダンス整合用の特別な出力用外部
端子及び外付け抵抗を必要とすることなく、しかも出力
回路及びこれを含むシステムを通常の動作状態としたま
ま、各出力回路の出力インピーダンスを自動的に効率良
く対応する伝送線の特性インピーダンスに整合し、最適
化できるという効果が得られる。The functions and effects obtained from the above embodiments are as follows. That is, (1) an output buffer of an output circuit mounted on a logic integrated circuit device or the like having a CMOS logic gate as a basic element is provided in a parallel form between, for example, an output power supply voltage and an output external terminal; N output MOSFETs selectively turned on in response to the valid level of the corresponding bit of the impedance control signal of the first and second output control terminals, and an output external terminal and a ground potential of the circuit provided in parallel. N second output MOSFETs selectively turned on in response to the valid level of the corresponding bit of the second impedance control signal
, And for each output circuit,
When one of the input terminals is coupled to a corresponding output external terminal, the other input terminal receives a predetermined reference voltage, and a predetermined pulse signal is output via a corresponding output buffer, the high level signal is output. Or an input buffer that selectively inverts the logic level of the output signal when the reflected potential at the external terminal for output during the period until the reflected signal at the far end of the transmission line of the low level change reaches the reference voltage, The count value is used as the first or second impedance control signal, and after the count value is reset in the initial state so that the output impedance of the output circuit becomes the maximum value, the level of the output signal of the input buffer in the above period is obtained. By providing an impedance adjustment circuit including first and second counter circuits that are selectively counted up in response to inversion, -The output impedance of each output circuit can be automatically and efficiently adjusted without the need for special output external terminals for dance matching and external resistors, and with the output circuit and the system containing it in a normal operating state. The effect of matching and optimizing the characteristic impedance of the corresponding transmission line is obtained.
【0062】(2)上記(1)項により、出力MOSF
ETのプロセスバラツキや伝送線の特性インピーダンス
のバラツキに対処し、その出力インピーダンスを自動的
に最適化しうる出力回路を実現することができるという
効果が得られる。 (3)上記(1)項及び(2)項により、出力回路を含
む論理集積回路装置等のインタフェース性能を高め、所
要外部端子数及び外付け部品数を削減して、その高速化
及び低コスト化を図ることができるという効果が得られ
る。(2) According to the above item (1), the output MOSF
An effect is obtained that an output circuit capable of automatically optimizing the output impedance can be realized by coping with the ET process variation and the variation in the characteristic impedance of the transmission line. (3) According to the above items (1) and (2), the interface performance of a logic integrated circuit device including an output circuit is improved, the required number of external terminals and the number of external components are reduced, and the speed and cost are reduced. The effect that it can be achieved is obtained.
【0063】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、この発明は、上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、図1において、インピーダンス調整機能付き出力回
路OCのブロック構成や各内部信号及び制御信号の有効
レベルならびに電源電圧及び出力用電源電圧の極性及び
絶対値等は、種々の実施形態をとりうる。図2におい
て、出力バッファOBを構成する出力MOSFETの数
及び組み合わせは、この実施例による制約を受けない
し、出力バッファOBの具体的回路構成及びMOSFE
Tの導電型等についても同様である。図3において、カ
ウンタ回路CTRH及びCTRLのビット数は、出力バ
ッファOBに設けられる出力MOSFETの必要数に応
じて任意に設定できる。図5及び図6ならびに図8及び
図9において、各内部信号及び制御信号の絶対的なレベ
ル及び時間関係は、本発明の主旨に影響を与えない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, there is. For example, in FIG. 1, the block configuration of the output circuit OC with an impedance adjustment function, the effective level of each internal signal and control signal, and the polarity and absolute value of the power supply voltage and the power supply voltage for output can take various embodiments. In FIG. 2, the number and combination of output MOSFETs constituting the output buffer OB are not restricted by this embodiment, and the specific circuit configuration of the output buffer OB and the MOSFE
The same applies to the conductivity type of T and the like. In FIG. 3, the number of bits of the counter circuits CTRLH and CTRL can be arbitrarily set according to the required number of output MOSFETs provided in the output buffer OB. 5 and 6, and FIGS. 8 and 9, the absolute level and time relationship of each internal signal and control signal do not affect the gist of the present invention.
【0064】以上の実施例では、インピーダンス調整
時、伝送線Lの遠端はハイインピーダンス状態とされる
ものとしたが、例えば伝送線Lの遠端側を特性インピー
ダンスZoに相当する抵抗値を持つ抵抗により終端した
状態で調整することもできる。この場合、伝送線Lの遠
端側での反射がなくなるため、ハイレベル出力時及びロ
ウレベル出力時の出力インピーダンスを個別に調整する
必要がある。In the above embodiment, the far end of the transmission line L is set to a high impedance state during impedance adjustment. For example, the far end of the transmission line L has a resistance value corresponding to the characteristic impedance Zo. Adjustment can also be performed in the state terminated by a resistor. In this case, since there is no reflection at the far end of the transmission line L, it is necessary to individually adjust the output impedance at the time of high-level output and at the time of low-level output.
【0065】一方、上記実施例では、論理集積回路装置
に搭載されるインピーダンス調整機能付き出力回路OC
のそれぞれに、入力バッファIB,遅延回路DL,フリ
ップフロップFF1及びFF2ならびにカウンタ回路C
TRH及びCTRLを含むインピーダンス調整回路を設
けているが、このようなインピーダンス調整回路は、例
えば所定数を単位としてインピーダンス調整機能付き出
力回路をグループ分割し、各グループを構成する所定数
のインピーダンス調整機能付き出力回路に対して1個ず
つ設けるようにしてもよい。この場合、インピーダンス
調整機能付き出力回路ごとに出力インピーダンスを最適
化することは困難となるが、近接して配置されるものや
伝送線の特性が近似する可能性のあるインピーダンス調
整機能付き出力回路をグループ化することで、バラツキ
を抑制しつつ、インピーダンス調整機能付き出力回路の
出力インピーダンスをインピーダンス調整機能付き出力
回路又は伝送線の交流的な特性に整合させることができ
る。On the other hand, in the above embodiment, the output circuit OC with the impedance adjustment function mounted on the logic integrated circuit device is used.
, An input buffer IB, a delay circuit DL, flip-flops FF1 and FF2, and a counter circuit C
An impedance adjustment circuit including TRH and CTRL is provided. Such an impedance adjustment circuit divides an output circuit with an impedance adjustment function into groups, for example, using a predetermined number as a unit, and a predetermined number of impedance adjustment functions forming each group. The output circuits may be provided one by one. In this case, it is difficult to optimize the output impedance for each output circuit with an impedance adjustment function.However, an output circuit with an impedance adjustment function that may be close to the output circuit or that may have similar characteristics of the transmission line is used. By grouping, the output impedance of the output circuit with the impedance adjustment function can be matched to the AC characteristics of the output circuit with the impedance adjustment function or the transmission line while suppressing the variation.
【0066】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である論理
集積回路装置に搭載される出力回路に適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、例え
ば、出力回路として単体で形成されるものや、各種のメ
モリ集積回路装置に搭載される同様な出力回路にも適用
できる。この発明は、少なくとも伝送線とのインピーダ
ンス整合を必要とする出力回路ならびにこれを含む装置
又はシステムに広く適用できる。In the above description, mainly the case where the invention made by the present inventor is applied to an output circuit mounted on a logic integrated circuit device, which is a field of application as a background, has been described. Instead, for example, the present invention can be applied to an output circuit formed as a single unit or a similar output circuit mounted on various memory integrated circuit devices. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely applied to an output circuit requiring impedance matching with at least a transmission line, and an apparatus or a system including the same.
【0067】[0067]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、CMOS論理ゲートを基本
素子とする論理集積回路装置等に搭載される出力回路の
出力バッファを、例えば出力用電源電圧と出力用外部端
子との間に並列形態に設けられ第1のインピーダンス制
御信号の対応するビットの有効レベルを受けて選択的に
オン状態とされるn個の第1の出力MOSFETと、出
力用外部端子と回路の接地電位との間に並列形態に設け
られ第2のインピーダンス制御信号の対応するビットの
有効レベルを受けて選択的にオン状態とされるn個の第
2の出力MOSFETとをもとに構成するとともに、各
出力回路に対応して又は所定数のの出力回路ごとに、そ
の一方の入力端子が対応する出力用外部端子に結合さ
れ、その他方の入力端子に所定の基準電圧を受け、かつ
対応する出力バッファを介して所定のパルス信号が出力
されるとき、そのハイレベル又はロウレベル変化の伝送
線遠端での反射信号が到達するまでの期間の出力用外部
端子における反射電位が上記基準電圧に達したときその
出力信号の論理レベルを選択的に反転する入力バッファ
と、その計数値が第1又は第2のインピーダンス制御信
号とされ、その初期状態においてその計数値が出力回路
の出力インピーダンスを最大とすべくリセットされた
後、上記期間における入力バッファの出力信号のレベル
反転を受けて選択的にカウントアップされる第1及び第
2のカウンタ回路とを含むインピーダンス調整回路を設
けることで、インピーダンス整合用の特別の出力用外部
端子及び外付け抵抗を必要とすることなく、しかも出力
回路及びこれを含むシステムを通常の動作状態としたま
ま、各出力回路の出力インピーダンスを自動的に効率良
く対応する伝送線の特性インピーダンスに整合させ、最
適化することができる。この結果、出力MOSFETの
プロセスバラツキや伝送線の特性インピーダンスのバラ
ツキに対処し、その出力インピーダンスを自動的に最適
化しうる出力回路を実現することができ、これによって
出力回路を含む論理集積回路装置等のインタフェース性
能を高め、その所要外部端子数及び外付け部品数を削減
して、論理集積回路装置等の高速化及び低コスト化を図
ることができる。The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, an output buffer of an output circuit mounted on a logic integrated circuit device or the like having a CMOS logic gate as a basic element is provided in parallel between, for example, an output power supply voltage and an output external terminal, and is provided with a first impedance control. A second output MOSFET which is provided in parallel between an n first output MOSFET selectively turned on in response to an effective level of a corresponding bit of a signal, and an output external terminal and a ground potential of the circuit; And n second output MOSFETs selectively turned on in response to the effective level of the corresponding bit of the impedance control signal. For each output circuit, one input terminal is coupled to a corresponding output external terminal, the other input terminal receives a predetermined reference voltage, and a predetermined output voltage is output via a corresponding output buffer. When the reflected signal at the external terminal for output during the period until the reflected signal at the far end of the transmission line of the change of the high level or the low level reaches the reference voltage reaches the reference voltage, the logic of the output signal is output. An input buffer for selectively inverting the level, the count value of which is used as a first or second impedance control signal, and in the initial state, the count value is reset to maximize the output impedance of the output circuit; A special output external terminal for impedance matching is provided by providing an impedance adjustment circuit including first and second counter circuits selectively counting up in response to the level inversion of the output signal of the input buffer during the period. And the output circuit and the system including the output circuit are in a normal operating state without the need for an external resistor. The output impedance of each output circuit automatically matched to the characteristic impedance of the transmission line efficiently corresponding, can be optimized. As a result, it is possible to realize an output circuit capable of automatically optimizing the output impedance by coping with the process variation of the output MOSFET and the variation of the characteristic impedance of the transmission line. Interface performance and the required number of external terminals and external components can be reduced, and the speed and cost of the logic integrated circuit device and the like can be reduced.
【図1】この発明が適用されたインピーダンス調整機能
付き出力回路の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of an output circuit with an impedance adjustment function to which the present invention is applied.
【図2】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路に
含まれる出力バッファの一実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of an output buffer included in the output circuit with an impedance adjustment function of FIG. 1;
【図3】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路に
含まれるカウンタ回路の一実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing one embodiment of a counter circuit included in the output circuit with an impedance adjustment function of FIG. 1;
【図4】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路の
ハイレベル出力インピーダンス調整時の一実施例を示す
接続図である。FIG. 4 is a connection diagram showing an embodiment at the time of high-level output impedance adjustment of the output circuit with the impedance adjustment function of FIG. 1;
【図5】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路の
ハイレベル出力インピーダンス調整時の一実施例を示す
信号波形図である。5 is a signal waveform diagram showing one embodiment of the output circuit with impedance adjustment function of FIG. 1 at the time of high-level output impedance adjustment.
【図6】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路の
ハイレベル出力インピーダンス調整時の一実施例を示す
拡大信号波形図である。FIG. 6 is an enlarged signal waveform diagram showing an embodiment of the output circuit with the impedance adjustment function of FIG. 1 at the time of high-level output impedance adjustment.
【図7】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路の
ロウレベル出力インピーダンス調整時の一実施例を示す
接続図である。FIG. 7 is a connection diagram showing an embodiment at the time of low-level output impedance adjustment of the output circuit with the impedance adjustment function of FIG. 1;
【図8】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路の
ロウレベル出力インピーダンス調整時の一実施例を示す
信号波形図である。8 is a signal waveform diagram showing one embodiment of the output circuit with impedance adjustment function of FIG. 1 at the time of low-level output impedance adjustment.
【図9】図1のインピーダンス調整機能付き出力回路の
ロウレベル出力インピーダンス調整時の一実施例を示す
拡大信号波形図である。FIG. 9 is an enlarged signal waveform diagram showing an embodiment when adjusting the low-level output impedance of the output circuit with the impedance adjustment function of FIG. 1;
OC……インピーダンス調整機能付き出力回路、L……
伝送線、OB……出力バッファ、IB……入力バッフ
ァ、DL……遅延回路、FF1〜FF2……フリップフ
ロップ、CTRH,CTRL……カウンタ回路、ZSC
K……インピーダンス調整クロック信号、ZSEN……
インピーダンス調整イネーブル信号、RST……リセッ
ト信号、na〜ni……内部ノード又は内部信号、ou
t……出力用外部端子、Vref(VTT/2)……基
準電圧、AH0〜AH3,AL0〜AL3……インピー
ダンス制御信号。V1〜V3……インバータ、G1〜G
2,G31〜G34,G41〜G44……アンド(AN
D)ゲート、N10〜N14,N20〜N24……Nチ
ャンネルMOSFET、W〜8W,W '〜8W '……M
OSFETのゲート幅、VTT……出力用電源電圧、V
DD……電源電圧、VSS……接地電位。FF11〜F
F14……フリップフロップ。IC……入力回路、Zo
ut……出力バッファ及びインピーダンス調整機能付き
出力回路の出力インピーダンス、Zo……伝送線の特性
インピーダンス、tpdo,tpdi,tpdL……伝
達遅延時間。VH0〜VH3,VL0〜VL3……反射
電位。OC: Output circuit with impedance adjustment function, L:
Transmission line, OB output buffer, IB input buffer, DL delay circuit, FF1 to FF2 flip-flop, CTRH, CTRL counter circuit, ZSC
K: impedance adjustment clock signal, ZSEN ...
Impedance adjustment enable signal, RST ... reset signal, na to ni ... internal node or internal signal, ou
t: external output terminal, Vref (VTT / 2): reference voltage, AH0 to AH3, AL0 to AL3, impedance control signal. V1 to V3 ... Inverters, G1 to G
2, G31 to G34, G41 to G44 ... AND (AN
D) Gates, N10 to N14, N20 to N24 ... N-channel MOSFET, W to 8W, W 'to 8W' ... M
Gate width of OSFET, VTT ... Power supply voltage for output, V
DD: power supply voltage, VSS: ground potential. FF11-F
F14 ... Flip-flop. IC …… Input circuit, Zo
ut: output impedance of output buffer and output circuit with impedance adjustment function, Zo: characteristic impedance of transmission line, tpdo, tpdi, tpdL: transmission delay time. VH0 to VH3, VL0 to VL3... Reflected potential.
Claims (6)
おける交流的な反射電位をもとに、その出力インピーダ
ンスが選択的に切り換えられることを特徴とする出力回
路。1. An output circuit whose output impedance is selectively switched based on an AC reflected potential at an output terminal in a state where a transmission line is coupled.
るものであって、 上記出力回路のそれぞれは、その出力端子における上記
交流的な反射電位を識別しその出力インピーダンスを選
択的に切り換えるインピーダンス調整回路を含むもので
あることを特徴とする出力回路。2. The output circuit according to claim 1, wherein a plurality of the output circuits are mounted on one semiconductor substrate surface, and each of the output circuits measures the AC reflection potential at its output terminal. An output circuit comprising an impedance adjustment circuit for identifying and selectively switching its output impedance.
るものであり、その出力インピーダンスは、所定の上記
出力回路の出力端子における上記交流的な反射電位をも
とに選択的に切り換えられるものであって、 上記所定の出力回路は、その出力端子における上記交流
的な反射電位を識別し対応する所定数の上記出力回路の
出力インピーダンスを選択的に切り換えるインピーダン
ス調整回路を含むものであることを特徴とする出力回
路。3. The output circuit according to claim 1, wherein a plurality of the output circuits are mounted on one semiconductor substrate surface, and an output impedance of the output circuit is determined by the AC reflection at a predetermined output terminal of the output circuit. The predetermined output circuit selectively recognizes the AC reflected potential at its output terminal and selectively outputs a corresponding predetermined number of output impedances of the output circuits. An output circuit comprising an impedance adjustment circuit for switching.
て、 上記出力回路のそれぞれは、 第1の電源電圧とその出力端子との間に並列形態に設け
られ、第1のインピーダンス制御信号の対応するビット
が有効レベルとされることでそれぞれ選択的にオン状態
とされるn個の第1の出力MOSFETと、 その出力端子と第2の電源電圧との間に並列形態に設け
られ、第2のインピーダンス制御信号の対応するビット
が有効レベルとされることでそれぞれ選択的にオン状態
とされるn個の第2の出力MOSFETとを含む出力バ
ッファを含むものであって、 上記インピーダンス調整回路は、 その一方の入力端子が対応する上記出力端子に結合さ
れ、その他方の入力端子に所定の基準電圧を受け、か
つ、対応する上記出力バッファを介して所定のパルス信
号が出力されるとき、そのハイレベル又はロウレベル変
化の上記伝送線の遠端での反射信号が上記出力端子に到
達するまでの期間の上記出力端子における上記交流的な
反射電位が上記基準電圧に達したときその出力信号の論
理レベルを選択的に反転する入力バッファと、 その計数値が上記第1又は第2のインピーダンス制御信
号とされ、その初期状態において上記計数値が上記出力
回路の出力インピーダンスを最大値とすべくリセットさ
れた後、上記期間における上記入力バッファの出力信号
のレベル反転を受けて選択的にカウントアップされる第
1及び第2のカウンタ回路とを含むものであることを特
徴とする出力回路。4. The first impedance control signal according to claim 1, wherein each of the output circuits is provided in parallel between a first power supply voltage and an output terminal thereof. Are provided in parallel with each other between n output terminals and a second power supply voltage, the n first output MOSFETs each being selectively turned on by setting a corresponding bit of the output to a valid level. An output buffer including n second output MOSFETs each of which is selectively turned on when a corresponding bit of a second impedance control signal is set to a valid level. The circuit has one input terminal coupled to the corresponding output terminal, the other input terminal receiving a predetermined reference voltage, and the predetermined input via the corresponding output buffer. When a pulse signal is output, the AC reflected potential at the output terminal during a period until the reflected signal of the high level or low level change at the far end of the transmission line reaches the output terminal is equal to the reference voltage. And an input buffer for selectively inverting the logical level of the output signal when the output signal reaches the first or second impedance control signal, and in the initial state, the count value is the output of the output circuit. And a first and a second counter circuit selectively counting up in response to the level inversion of the output signal of the input buffer during the period after the impedance is reset to a maximum value. Output circuit.
の0乗倍ないしn−1乗倍比のオン抵抗を有するものと
されることを特徴とする出力回路。5. The device according to claim 4, wherein each of the first and second output MOSFETs has a capacity of 2
An output circuit having an on-resistance of a 0-th power to an (n-1) -th power ratio.
4又は請求項5において、 上記出力回路は、CMOS論理ゲートを基本素子とする
所定の論理集積回路装置に含まれるものであって、 上記第1及び第2の出力MOSFETは、Nチャンネル
MOSFETからなるものであることを特徴とする出力
回路。6. The output circuit according to claim 1, wherein the output circuit is included in a predetermined logic integrated circuit device having a CMOS logic gate as a basic element. Wherein the first and second output MOSFETs are N-channel MOSFETs.
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