JP2000039700A - Manufacture of photomask - Google Patents
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 8
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの製
造方法に関し、特に、基板彫り込み型のレベンソン型位
相シフトマスク等のの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a photomask, and more particularly to a method for manufacturing a substrate-engraved Levenson type phase shift mask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５に、従来の基板彫り込み型レベンソ
ン型位相シフトマスクの加工工程を示す。図５（ａ）に
示すように、石英ガラス等の透明基板３１の表面にクロ
ム等の遮光膜３２を設け、その上にレジスト膜３３を成
膜する。次いで、そのレジスト膜３３にラインアンドス
ペース等の繰り返し開口パターンを露光して現像するこ
とにより、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜３３に
開口部３４を形成し、開口部３４を通して露出した遮光
膜３２をエッチングすることにより、図５（ｃ）に示す
ように、遮光膜３２に隣接して交互に繰り返す開口３
６、３６’が形成される。その後、レジスト膜３３を剥
離して図５（ｄ）に示すような遮光膜パターンが設けら
れたマスクが得られる。2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a processing step of a conventional substrate-engraving type Levenson type phase shift mask. As shown in FIG. 5A, a light-shielding film 32 of chrome or the like is provided on the surface of a transparent substrate 31 of quartz glass or the like, and a resist film 33 is formed thereon. Then, the resist film 33 is exposed to a repetitive opening pattern such as a line and space pattern and developed to form an opening 34 in the resist film 33 as shown in FIG. By etching the light-shielding film 32 thus formed, as shown in FIG.
6, 36 'are formed. Thereafter, the resist film 33 is peeled off to obtain a mask provided with a light-shielding film pattern as shown in FIG.
【０００３】次に、図５（ｅ）に示すように、そのマス
クの遮光膜パターン上に第２レジスト膜３７を成膜し、
遮光膜パターンの１個おきの開口３６’上にパターン露
光３８を行い、現像することにより、図５（ｆ）に示す
ように、第２レジスト膜３７に開口部３９を形成し、次
に、図５（ｇ）に示すように、その開口部３９と遮光膜
パターンの１個おきの開口３６’とを通して露出した透
明基板３１を所定深さ（位相差で１８０°）の彫り込み
４０をエッチングし、その後レジスト膜３７を剥離して
図５（ｈ）に示すような基板彫り込み型レベンソン型位
相シフトマスクが得られる。Next, as shown in FIG. 5E, a second resist film 37 is formed on the light-shielding film pattern of the mask.
By performing pattern exposure 38 on every other opening 36 ′ of the light-shielding film pattern and developing it, an opening 39 is formed in the second resist film 37 as shown in FIG. As shown in FIG. 5 (g), the transparent substrate 31 exposed through the openings 39 and every other opening 36 'of the light-shielding film pattern is etched by engraving 40 having a predetermined depth (180 [deg.] In phase difference). Thereafter, the resist film 37 is peeled off to obtain a substrate engraving type Levenson type phase shift mask as shown in FIG.
【０００４】以上は、基板彫り込み型レベンソン型位相
シフトマスクの製造方法であったが、遮光膜パターンを
設けずに透明基板の所定パターン部をそれ以外の部分に
対して所定深さエッチングする基板エッチングマスク
も、図５（ｅ）〜（ｈ）と同様の工程を経ることにより
得られる。The above is a method of manufacturing a substrate-engraving type Levenson type phase shift mask. However, a substrate etching method for etching a predetermined pattern portion of a transparent substrate to a predetermined depth with respect to other portions without providing a light shielding film pattern. The mask is also obtained through the same steps as in FIGS. 5 (e) to 5 (h).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来、図５（ｇ）に示
すような基板彫り込み加工においては、透明基板３１に
エチングストッパー層が存在しないため、基板を彫り込
まなかった開口３６の領域と彫り込んだ開口３６’の領
域との位相差を例えば使用波長の半波長に相当する１８
０°になるように正確にエッチングすることは容易では
なかった。Conventionally, in a substrate engraving process as shown in FIG. 5 (g), since an etching stopper layer does not exist in the transparent substrate 31, the region of the opening 36 where the substrate is not engraved is engraved. The phase difference from the area of the aperture 36 'is, for example, 18 corresponding to a half wavelength of the used wavelength.
It was not easy to accurately etch to 0 °.
【０００６】本発明は従来技術のこのような問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、基板彫り込み型
の位相シフトマスクの所定の位相差を設ける透明領域間
の位相差を正確に設定することができるフォトマスクの
製造方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to accurately detect the phase difference between transparent regions providing a predetermined phase difference of a phase-shifting mask of a substrate engraving type. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a photomask that can be set.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の第１のフォトマスクの製造方法は、被エッチング
透明基板とレジストパターン、又は、被エッチング透明
基板と遮光パターンとレジストパターンから構成される
部材のエッチングにおいて、前記レジストパターンの開
口部の被エッチング透明基板部分を目的の深さまでエッ
チングする以前にエッチングを中断し、エッチング深さ
を計測し、その計測結果に基づいてエッチング不足量を
算出し、その計算結果に基づいてエッチング不足量を再
エッチングすることを特徴とする方法である。According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photomask, comprising: a transparent substrate to be etched and a resist pattern; or a transparent substrate to be etched, a light shielding pattern and a resist pattern. In the etching of the member to be etched, the etching is interrupted before etching the transparent substrate portion of the opening of the resist pattern to the target depth, the etching depth is measured, and the etching deficiency is determined based on the measurement result. This method is characterized in that the calculated amount is calculated and the insufficient etching amount is re-etched based on the calculation result.
【０００８】この場合、エッチング深さの計測前に、レ
ジストパターンを除去し、エッチング深さの計測後に、
レジストパターンの開口部が開口している第２レジスト
パターンを設け、その第２レジストパターンの開口部の
被エッチング透明基板部分を算出されたエッチング不足
量に相当する深さだけエッチングを行うようにすること
ができる。In this case, the resist pattern is removed before measuring the etching depth, and after measuring the etching depth,
A second resist pattern having an opening in the resist pattern is provided, and the portion of the transparent substrate to be etched in the opening of the second resist pattern is etched by a depth corresponding to the calculated insufficient etching amount. be able to.
【０００９】また、エッチング深さの計測を、フォトマ
スクの本パターン部の欄外に設けられたモニターパター
ン部におけるレジストパターン、又は、遮光パターンと
レジストパターンを除去し、モニターパターン部におい
て露出した非エッチング部に対するエッチング部のエッ
チング深さの計測により行うようにすることができる。The etching depth is measured by removing the resist pattern or the light-shielding pattern and the resist pattern in the monitor pattern portion provided on the margin of the main pattern portion of the photomask, and exposing the non-etched portion exposed in the monitor pattern portion. The measurement can be performed by measuring the etching depth of the etched portion with respect to the portion.
【００１０】後者の場合に、レジストパターン、又は、
遮光パターンとレジストパターンの除去を、エネルギー
線照射により行うようにすることが望ましい。In the latter case, a resist pattern or
It is desirable to remove the light-shielding pattern and the resist pattern by irradiation with energy rays.
【００１１】そのエネルギー線としては、レーザビー
ム、集束イオンビーム等がある。The energy beam includes a laser beam, a focused ion beam and the like.
【００１２】レーザビームを用いる場合に、被エッチン
グ透明基板は、レーザビームの波長に対して十分な透過
率を有するか、レーザビームに対して十分な耐性を有す
ることが望ましい。When a laser beam is used, it is desirable that the transparent substrate to be etched has a sufficient transmittance with respect to the wavelength of the laser beam or has a sufficient resistance to the laser beam.
【００１３】集束イオンビームを用いる場合は、真空下
で十分な蒸気圧を有するハロゲンを含む物質によりエッ
チングを促進させるようにすることが望ましい。具体的
には、ガリウムイオンを用い、添加ガスとしてフッ化キ
セノンを用いると、透明基板にガリウムイオンが打ち込
まれるのを防止できる。また、レジストパターン、又
は、遮光パターンとレジストパターンは、被エッチング
透明基板に対して十分なエッチング選択比を有すること
が望ましい。When a focused ion beam is used, it is desirable that the etching be promoted by a halogen-containing substance having a sufficient vapor pressure under vacuum. Specifically, when gallium ions are used and xenon fluoride is used as an additive gas, gallium ions can be prevented from being implanted into the transparent substrate. Further, it is desirable that the resist pattern or the light-shielding pattern and the resist pattern have a sufficient etching selectivity to the transparent substrate to be etched.
【００１４】以上において、予め求められたエッチング
レートを基に、目的とする位相差の１０％〜５０％程度
少なめにエッチングを行い、次に、１回目のエッチング
深さを、透過型の位相差測定装置、反射型の位相差測定
装置（本出願人の特願平１０−９６１０８号）等を用い
て位相差を測定することにより測定するか、若しくは、
原子力間顕微鏡等を用いて実際の深さを測定し、シフタ
ー部（彫り込み部）の正確な位相差を求める。このと
き、１回目のエッチングから正確なエッチングレートが
求められる。なお、上記の反射型の位相差測定装置を用
いて位相差を測定する場合には、レジストパターンを再
度設ける必要はなく、最初のレジストパターンを用い
て、エッチング不足量を再エッチングする。In the above, based on the etching rate obtained in advance, the etching is performed so as to be about 10% to 50% smaller than the target phase difference, and then the first etching depth is changed to the transmission type phase difference. Measurement is performed by measuring a phase difference using a measuring device, a reflection type phase difference measuring device (Japanese Patent Application No. 10-96108 of the present applicant), or
The actual depth is measured using an atomic force microscope or the like, and the accurate phase difference of the shifter portion (carved portion) is obtained. At this time, an accurate etching rate is required from the first etching. In the case where the phase difference is measured using the above-mentioned reflection type phase difference measuring device, it is not necessary to provide a resist pattern again, and the insufficient etching amount is re-etched using the first resist pattern.
【００１５】本発明の第２のフォトマスクの製造方法
は、被エッチング透明基板と第１レジストパターン、又
は、被エッチング透明基板と遮光パターンと第１レジス
トパターンから構成される部材のエッチングにおいて、
第１レジストパターンの開口部の被エッチング透明基板
部分を目的の深さより多くエッチングを行い、そのエッ
チング深さを計測し、その計測結果に基づいてエッチン
グ超過量を算出し、前記第１レジストパターンの開口部
以外の部分の少なくとも一部が開口している第２レジス
トパターンを前記第１レジストパターンの代わりに設
け、その第２レジストパターンの開口部の被エッチング
透明基板部分を前記の算出されたエッチング超過量に相
当する深さだけエッチングを行うことを特徴とする方法
である。The second method of manufacturing a photomask according to the present invention is a method for etching a transparent substrate and a first resist pattern, or a member formed of a transparent substrate and a light-shielding pattern and a first resist pattern.
The portion of the transparent substrate to be etched in the opening of the first resist pattern is etched more than the target depth, the etching depth is measured, and the excess etching amount is calculated based on the measurement result. A second resist pattern in which at least a part of the portion other than the opening is opened is provided in place of the first resist pattern, and the transparent substrate to be etched at the opening of the second resist pattern is subjected to the calculated etching. This is a method characterized by performing etching only to a depth corresponding to the excess amount.
【００１６】この場合に、予め求められたエッチングレ
ートを基に、目的とする位相差の１％〜５０％程度多め
にエッチングを行い、次に、１回目のエッチング深さ
を、透過型の位相差測定装置、反射型の位相差測定装置
（本出願人の特願平１０−９６１０８号）等を用いて位
相差を測定することにより測定するか、若しくは、原子
力間顕微鏡等を用いて実際の深さを測定し、シフター部
（第１回彫り込み部）の正確な位相差を求める。このと
き、１回目のエッチングから正確なエッチングレートが
求められる。その後、レジストを再塗布し、再パターニ
ングを行う。この２度目のレジストパターンは、１回目
のレジストパターンの開口部以外の部分の少なくとも一
部が開口しているもので、レベンソン型位相シフトマス
クの場合は、１回目のエッチングで彫り込まれなかった
開口に対応する部分が開口している。In this case, based on the etching rate obtained in advance, etching is performed to increase the target phase difference by about 1% to 50%, and then the first etching depth is changed to the transmission type. The phase difference is measured by measuring the phase difference using a phase difference measuring device, a reflection type phase difference measuring device (Japanese Patent Application No. 10-96108 of the present applicant), or the actual measurement is performed using an atomic force microscope or the like. The depth is measured, and an accurate phase difference of the shifter portion (first engraved portion) is obtained. At this time, an accurate etching rate is required from the first etching. After that, a resist is applied again and re-patterning is performed. This second resist pattern has at least a part of the opening other than the opening of the first resist pattern. In the case of the Levenson-type phase shift mask, the opening not carved by the first etching is used. Are open.
【００１７】なお、２度目のレジストパターンのパター
ン作製にラスター型の描画機を用いれば、シフター部の
描画データを反転させて、非シフター部の描画ができる
ので、データの再作製が不要となるメリットがある。If a raster type drawing machine is used for the second resist pattern formation, the non-shifter portion can be drawn by inverting the shift data of the shifter portion, so that it is not necessary to re-create the data. There are benefits.
【００１８】また、求められたエッチングレートを基に
２度目のエッチングを行う場合、１度エッチングを行っ
たシフター部に追加のエッチングを行う第１のフォトマ
スクの製造方法に比べ、エッチングが入っていない非シ
フター部（第２回彫り込み部）のエッチングをする工程
の方が安定的にエッチングできるというメリットがあ
る。Further, when the second etching is performed based on the obtained etching rate, the etching is performed more in comparison with the first photomask manufacturing method in which additional etching is performed on the shifter portion that has been once etched. The step of etching the non-shifter portion (the second engraved portion) does not have the advantage that the etching can be performed more stably.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下に、実施例に基づいて本発明
のフォトマスクの製造方法を説明する。以下の実施例１
は本発明の第１のフォトマスクの製造方法の実施例、実
施例２は第２のフォトマスクの製造方法の実施例であ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a photomask according to the present invention will be described based on examples. Example 1 below
Is an embodiment of a first photomask manufacturing method of the present invention, and Embodiment 2 is an embodiment of a second photomask manufacturing method.
【００２０】〔実施例１〕この実施例のフォトマスクの
製造方法の工程図を図１に示す。この実施例は基板彫り
込み型レベンソン型位相シフトマスクを製造する例であ
る。まず、図１（ａ）において、石英基板からなる透明
基板１１上にクロム膜（１３０ｎｍ厚）、酸化クロム膜
（数ｎｍ厚）を順次積層してなる遮光層１２に開口１３
を設けた遮光膜パターンを形成した通常のフォトマスク
を作製する。このフォトマスクは、６４ＭＤＲＡＭのチ
ップ２個を配置したデバイス作製用のレチクルで、ビッ
トラインレイヤーであり、遮光層１２を設けた透明基板
１１からなるフォトマスクブランクス上にノボラック系
ポジレジストＥＢＲ９００（東レ（株）製）を成膜し、
ＥＢ描画装置ＭＥＢＥＳIV（ＥＴＥＣ社製）で描画し、
無機アルカリ現像液で現像し、その開口部の酸化クロム
膜及びクロム膜を硝酸第二セリウムアンモニウムを主成
分とするエッチャントでウェットエッチングし、残った
レジストを剥離し、洗浄を行うことで得られる。[Embodiment 1] FIG. 1 shows a process chart of a method of manufacturing a photomask of this embodiment. This embodiment is an example of manufacturing a substrate engraving type Levenson type phase shift mask. First, in FIG. 1A, an opening 13 is formed in a light shielding layer 12 in which a chromium film (130 nm thick) and a chromium oxide film (several nm thick) are sequentially laminated on a transparent substrate 11 made of a quartz substrate.
A normal photomask on which a light-shielding film pattern provided with is formed. This photomask is a reticle for device fabrication in which two chips of 64 MDRAM are arranged, is a bit line layer, and is a novolak-based positive resist EBR900 (Toray ( Co., Ltd.)
Draw with an EB drawing device MEBESIV (manufactured by ETEC),
It is obtained by developing with an inorganic alkali developing solution, wet-etching the chromium oxide film and the chromium film in the openings with an etchant containing ceric ammonium nitrate as a main component, removing the remaining resist, and performing washing.
【００２１】続いて、石英エッチングパターンを形成す
るために、図１（ｂ）に示すように、同じノボラック系
ポジレジストＥＢＲ９００（東レ（株）製）１４ａを再
塗布し、レーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５
６４）を用いてレーザビーム１５ａで描画し、無機アル
カリ現像液で現像してレジスト膜１４ａに所定パターン
の開口を形成する。次いで、図１（ｃ）に示すように、
レジスト膜１４ａと遮光層１２との開口を通して露出し
た石英基板１１をＣＦ4 ガス１６ａを用い、予め適当な
パターンを用いて測定しておいたエッチングレートを参
照にして、所定の位相差（１８０°）を得るのに必要な
エッチング時間の９０％程度のエッチング時間にてドラ
イエッチングして、図１（ｄ）に示すようなエッチング
部（シフター部）１７を形成する。ここで、エッチング
時間を所定の位相差を得るのに必要なエッチング時間の
９０％程度としているが、これは２回目のエッチングを
行う際、所定の位相差の１０％以下では、プラズマの放
電開始直後の不安定な状態のプラズマでエッチングを行
うことになり、位相差の制御が難しいためである。した
がって、所定の位相差の１０％がプラズマの安定に十分
な時間に相当するのであれば、９０％以上でも差支えは
ない。Subsequently, in order to form a quartz etching pattern, as shown in FIG. 1B, the same novolak-based positive resist EBR900 (manufactured by Toray Industries, Inc.) 14a is applied again, and a laser writing apparatus (ETEC Co., Ltd.) is used. Made CORE25
64) is drawn with a laser beam 15a, and is developed with an inorganic alkali developer to form an opening of a predetermined pattern in the resist film 14a. Then, as shown in FIG.
The quartz substrate 11 exposed through the opening between the resist film 14a and the light-shielding layer 12 is exposed to a predetermined phase difference (180 °) by using a CF 4 gas 16a and referring to an etching rate previously measured using an appropriate pattern. 1) is dry-etched for an etching time of about 90% of the etching time necessary to obtain the etching portion (shifter portion) 17 as shown in FIG. Here, the etching time is set to about 90% of the etching time required to obtain a predetermined phase difference. However, when the second etching is performed, when the predetermined phase difference is 10% or less, the plasma discharge starts. This is because etching is performed with the plasma in the unstable state immediately after, and it is difficult to control the phase difference. Therefore, as long as 10% of the predetermined phase difference corresponds to a time sufficient for stabilizing the plasma, 90% or more does not matter.
【００２２】次いで、残ったレジストを剥離し、洗浄を
行うことにより、図１（ｅ）に示すようなエッチング部
１７と非エッチング部１８からなる中間状態の位相シフ
トマスクが形成される。続いて、透過型の位相差測定器
ＭＰＭ−２４８（レーザテック（株）製）を用いてエッ
チング部１７と非エッチング部１８の間の位相差を測定
し、エッチングレートを算出する。Next, the remaining resist is peeled off and washed to form an intermediate phase shift mask composed of an etched portion 17 and a non-etched portion 18 as shown in FIG. Subsequently, the phase difference between the etched portion 17 and the non-etched portion 18 is measured using a transmission type phase difference measuring device MPM-248 (manufactured by Lasertec Corporation), and the etching rate is calculated.
【００２３】その後、基板の洗浄を行い、図１（ｆ）に
示すように、石英エッチングパターンを形成するため
に、前回と同じノボラック系ポジレジストＥＢＲ９００
（東レ（株）製）１４ｂを再塗布し、同じレーザ描画装
置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４３）を用いてレーザ
ビーム１５ｂで描画し、無機アルカリ現像液で現像して
レジスト膜１４ｂに最初のエッチングと同じパターンの
開口を形成する。次いで、図１（ｇ）に示すように、レ
ジスト膜１４ｂの開口を通して最初に形成したエッチン
グ部１７をＣＦ4 ガス１６ｂを用い、前回のエッチング
時間とエッチング量（測定した位相差）とから算出した
エッチングレートを用いて、所定の位相差に対する不足
の位相差分のエッチングを追加する。Thereafter, the substrate is cleaned and, as shown in FIG. 1 (f), the same novolak-based positive resist EBR900 as in the previous time is used to form a quartz etching pattern.
Recoat 14b (manufactured by Toray Industries, Inc.), draw with a laser beam 15b using the same laser drawing apparatus (CORE2543, manufactured by ETEC), develop with an inorganic alkali developer, and etch the resist film 14b as in the first etching. An opening for the pattern is formed. Next, as shown in FIG. 1 (g), the etching portion 17 formed first through the opening of the resist film 14b was calculated from the previous etching time and the etching amount (measured phase difference) using the CF 4 gas 16b. The etching rate is used to add the etching of the insufficient phase difference to the predetermined phase difference.
【００２４】残ったレジストを剥離し、洗浄を行うこと
により図１（ｈ）に示すようなエッチング部１７（シフ
ター部）と非エッチング部１８（非シフター部）からな
る基板彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクが得ら
れる。このままの位相シフトマスクを使用してもよい
が、この位相シフトマスクを投影して半導体基板に焼き
付ける際、シフター部１７の側壁で一部の光が反射され
シフター部１７と非シフター部１８との間に光量差が出
て所定の線幅が得られなくなる側壁効果を取り除くため
に、熱アルカリによるサイドエッチングをシフター部１
７、非シフター部１８共に片側１２０ｎｍずつ行い、図
１（ｉ）に示すような基板彫り込み型レベンソン型位相
シフトマスクが完成する。The remaining resist is peeled off and the substrate is washed to form a substrate-engraved Levenson-type phase shift having an etched portion 17 (shifter portion) and a non-etched portion 18 (non-shifter portion) as shown in FIG. A mask is obtained. Although the phase shift mask may be used as it is, when the phase shift mask is projected and printed on the semiconductor substrate, a part of the light is reflected on the side wall of the shifter portion 17 and the shifter portion 17 and the non-shifter portion 18 In order to remove a side wall effect in which a predetermined line width cannot be obtained due to a light amount difference between the side walls, a side etching using a hot alkali is performed on the shifter portion 1.
7. Both sides of the non-shifter portion 18 are performed at 120 nm on each side, thereby completing a substrate-engraving type Levenson type phase shift mask as shown in FIG.
【００２５】〔実施例２〕この実施例のフォトマスクの
製造方法の工程図を図２に示す。この実施例も基板彫り
込み型レベンソン型位相シフトマスクを製造する例であ
る。まず、図２（ａ）において、石英基板からなる透明
基板２１上にクロム膜（１３０ｎｍ厚）、酸化クロム膜
（数ｎｍ厚）を順次積層してなる遮光層２２に開口２３
を設けた遮光膜パターンを形成した通常のフォトマスク
を作製する。このフォトマスクは、６４ＭＤＲＡＭのチ
ップ２個を配置したデバイス作製用のレチクルで、ビッ
トラインレイヤーであり、遮光層２２を設けた透明基板
２１からなるフォトマスクブランクス上にノボラック系
ポジレジストＥＢＲ９００（東レ（株）製）を成膜し、
ＥＢ描画装置ＭＥＢＥＳIV（ＥＴＥＣ社製）で描画し、
無機アルカリ現像液で現像し、その開口部の酸化クロム
膜及びクロム膜を硝酸第二セリウムアンモニウムを主成
分とするエッチャントでウェットエッチングし、残った
レジストを剥離し、洗浄を行うことで得られる。[Embodiment 2] FIG. 2 shows a process chart of a method of manufacturing a photomask of this embodiment. This embodiment is also an example of manufacturing a substrate-carved type Levenson type phase shift mask. First, in FIG. 2A, an opening 23 is formed in a light shielding layer 22 in which a chromium film (130 nm thick) and a chromium oxide film (several nm thick) are sequentially laminated on a transparent substrate 21 made of a quartz substrate.
A normal photomask on which a light-shielding film pattern provided with is formed. This photomask is a reticle for device fabrication in which two chips of 64 MDRAM are arranged, is a bit line layer, and is a novolak positive resist EBR900 (Toray ( Co., Ltd.)
Draw with an EB drawing device MEBESIV (manufactured by ETEC),
It is obtained by developing with an inorganic alkali developer, wet-etching the chromium oxide film and the chromium film in the openings with an etchant containing ceric ammonium nitrate as a main component, removing the remaining resist, and performing washing.
【００２６】続いて、石英エッチングパターンを形成す
るために、図２（ｂ）に示すように、同じノボラック系
ポジレジストＥＢＲ９００（東レ（株）製）２４ａを再
塗布し、レーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５
６４）を用いてレーザビーム２５ａで描画し、無機アル
カリ現像液で現像してレジスト膜２４ａに所定パターン
の開口を形成する。次いで、図２（ｃ）に示すように、
レジスト膜２４ａと遮光層２２との開口を通して露出し
た石英基板２１をＣＦ4 ガス２６ａを用い、予め適当な
パターンを用いて測定しておいたエッチングレートを参
照にして、所定の位相差（１８０°）を得るのに必要な
エッチング時間の１１０％程度のエッチング時間にてド
ライエッチングして、図２（ｄ）に示すようなエッチン
グ部（シフター部）２７を形成する。Subsequently, in order to form a quartz etching pattern, as shown in FIG. 2B, the same novolak-based positive resist EBR900 (manufactured by Toray Industries, Inc.) 24a is applied again, and a laser drawing apparatus (ETEC Corporation) is used. Made CORE25
64), the pattern is drawn with a laser beam 25a, and is developed with an inorganic alkali developer to form an opening having a predetermined pattern in the resist film 24a. Next, as shown in FIG.
The quartz substrate 21 exposed through the opening between the resist film 24a and the light shielding layer 22 is exposed to a predetermined phase difference (180 °) by using CF 4 gas 26a and referring to an etching rate previously measured using an appropriate pattern. 2) is dry-etched for an etching time of about 110% of the etching time necessary to obtain the etching portion (shifter portion) 27 as shown in FIG.
【００２７】次いで、残ったレジストを剥離し、洗浄を
行うことにより、図２（ｅ）に示すようなエッチング部
２７と非エッチング部２８からなる中間状態の位相シフ
トマスクが形成される。続いて、透過型の位相差測定器
ＭＰＭ−２４８（レーザテック（株）製）を用いてエッ
チング部２７と非エッチング部２８の間の位相差を測定
し、エッチングレートを算出する。Next, the remaining resist is peeled off and washed to form a phase shift mask in an intermediate state including an etched portion 27 and a non-etched portion 28 as shown in FIG. Subsequently, the phase difference between the etched portion 27 and the non-etched portion 28 is measured using a transmission type phase difference measuring device MPM-248 (manufactured by Lasertec Corporation), and the etching rate is calculated.
【００２８】その後、基板の洗浄を行い、図２（ｆ）に
示すように、別の石英エッチングパターンを形成するた
めに、前回と同じノボラック系ポジレジストＥＢＲ９０
０（東レ（株）製）２４ｂを再塗布し、同じレーザ描画
装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５６４）を用いてレー
ザビーム２５ｂで、１回目の描画データを反転したデー
タを用いて、シフター部２７の描画データを反転させ、
今度は非シフター部２８に開口を形成するように描画
し、無機アルカリ現像液で現像してレジスト膜２４ｂに
開口を形成する。Thereafter, the substrate is washed and, as shown in FIG. 2F, the same novolak-based positive resist EBR90 as that used in the previous time is formed in order to form another quartz etching pattern.
0 (manufactured by Toray Industries, Inc.) 24b, and the same laser drawing apparatus (CORE2564 manufactured by ETEC) is used to draw the shifter 27 using the laser beam 25b and the data obtained by inverting the first drawing data. Invert the data,
This time, drawing is performed so as to form an opening in the non-shifter portion 28, and development is performed with an inorganic alkali developer to form an opening in the resist film 24b.
【００２９】次いで、図２（ｇ）に示すように、レジス
ト膜２４ｂの開口を通して非エッチング部２８をＣＦ4
ガス２６ｂを用い、前回のエッチング時間とエッチング
量（測定した位相差）とから算出したエッチングレート
を用いて、所定の位相差に対して１回目のエッチングで
超過して行った位相差分の補正のエッチングを追加す
る。Next, as shown in FIG. 2 (g), the non-etched portion 28 is made to pass through CF 4 through the opening of the resist film 24b.
Using the gas 26b and the etching rate calculated from the previous etching time and the etching amount (measured phase difference), the correction of the phase difference that has been performed in the first etching with respect to the predetermined phase difference. Add etching.
【００３０】残ったレジストを剥離し、洗浄を行うこと
により図２（ｈ）に示すようなエッチング部２７（シフ
ター部）と非エッチング部２８（非シフター部）からな
る基板彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクが得ら
れる。このままの位相シフトマスクを使用してもよい
が、この位相シフトマスクを投影して半導体基板に焼き
付ける際、シフター部２７の側壁で一部の光が反射され
シフター部２７と非シフター部２８との間に光量差が出
て所定の線幅が得られなくなる側壁効果を取り除くため
に、熱アルカリによるサイドエッチングをシフター部２
７、非シフター部２８共に片側１２０ｎｍずつ行い、図
２（ｉ）に示すような基板彫り込み型レベンソン型位相
シフトマスクが完成する。The remaining resist is peeled off and the substrate is washed to form a substrate-engraved Levenson-type phase shift having an etching portion 27 (shifter portion) and a non-etching portion 28 (non-shifter portion) as shown in FIG. A mask is obtained. A phase shift mask may be used as it is, but when this phase shift mask is projected and printed on a semiconductor substrate, a part of the light is reflected on the side wall of the shifter portion 27 and the shifter portion 27 and the non-shifter portion 28 In order to remove a side wall effect in which a predetermined line width cannot be obtained due to a light amount difference between the side walls, a side etching with hot alkali is performed on the shifter portion 2.
7. Both sides of the non-shifter portion 28 are performed at 120 nm each to complete a substrate-engraving type Levenson type phase shift mask as shown in FIG.
【００３１】〔実施例３〕この実施例のフォトマスクの
製造方法の工程図を図３、図４に示す。この実施例は基
板彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクを製造する
例である。この実施例においては、製造工程の途中にお
いてエッチング部と非エッチング部の間の位相差を測定
するためのモニターパターン部を本パターン部（投影焼
き付けするデバイスパターン部分）の欄外に設けるもの
で、図３、図４において、本パターン部を符号１で、モ
ニターパターン部を符号２で示す。そして、モニターパ
ターン部２にも本パターン部１と同様の遮光膜パター
ン、石英エッチングパターンを形成するものである。[Embodiment 3] FIGS. 3 and 4 show process diagrams of a method of manufacturing a photomask of this embodiment. This embodiment is an example of manufacturing a substrate engraving type Levenson type phase shift mask. In this embodiment, a monitor pattern portion for measuring a phase difference between an etched portion and a non-etched portion is provided outside the main pattern portion (device pattern portion to be projected and printed) in the middle of a manufacturing process. 3. In FIG. 4 and FIG. 4, the main pattern portion is denoted by reference numeral 1 and the monitor pattern portion is denoted by reference numeral 2. Then, a light-shielding film pattern and a quartz etching pattern similar to those of the main pattern section 1 are also formed on the monitor pattern section 2.
【００３２】まず、図３（ａ）において、石英基板から
なる透明基板５１上にクロム膜（１３０ｎｍ厚）、酸化
クロム膜（数ｎｍ厚）を順次積層してなる遮光層５２に
開口５３を設けた遮光膜パターンを本パターン部１とモ
ニターパターン部２に同様に形成した通常のフォトマス
クを作製する。このフォトマスクは、６４ＭＤＲＡＭの
チップ２個を配置したデバイス作製用のレチクルで、ビ
ットラインレイヤーであり、遮光層５２を設けた透明基
板５１からなるフォトマスクブランクス上にノボラック
系ポジレジストＥＢＲ９００（東レ（株）製）を成膜
し、ＥＢ描画装置ＭＥＢＥＳIV（ＥＴＥＣ社製）で描画
し、無機アルカリ現像液で現像し、その開口部の酸化ク
ロム膜及びクロム膜を硝酸第二セリウムアンモニウムを
主成分とするエッチャントでウェットエッチングし、残
ったレジストを剥離し、洗浄を行うことで得られる。First, in FIG. 3A, an opening 53 is provided in a light shielding layer 52 in which a chromium film (130 nm thick) and a chromium oxide film (several nm thick) are sequentially laminated on a transparent substrate 51 made of a quartz substrate. An ordinary photomask in which the light-shielding film pattern is similarly formed on the main pattern portion 1 and the monitor pattern portion 2 is manufactured. This photomask is a reticle for device fabrication in which two chips of 64 MDRAM are arranged, is a bit line layer, and is a novolak positive resist EBR900 (Toray (Toray) on a photomask blank composed of a transparent substrate 51 provided with a light shielding layer 52. Co., Ltd.), draw with an EB drawing device MEBESIV (manufactured by ETEC), develop with an inorganic alkali developer, and form a chromium oxide film and a chromium film in the openings of the film mainly containing ceric ammonium nitrate. It is obtained by performing wet etching with a wet etchant, removing the remaining resist, and performing cleaning.
【００３３】続いて、石英エッチングパターンを形成す
るために、図３（ｂ）に示すように、同じノボラック系
ポジレジストＥＢＲ９００（東レ（株）製）５４を再塗
布し、レーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４
３）を用いてレーザビーム５５ａで描画し、無機アルカ
リ現像液で現像してレジスト膜５４に所定パターンの開
口を形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、レジ
スト膜５４と遮光層５２との開口を通して露出した石英
基板５１をＣＦ4 ガス５６ａを用い、予め適当なパター
ンを用いて測定しておいたエッチングレートを参照にし
て、所定の位相差（１８０°）を得るのに必要なエッチ
ング時間の９０％程度のエッチング時間にてドライエッ
チングして、図３（ｄ）に示すようなエッチング部（シ
フター部）５７を形成する。ここで、エッチング時間を
所定の位相差を得るのに必要なエッチング時間の９０％
程度としているが、これは２回目のエッチングを行う
際、所定の位相差の１０％以下では、プラズマの放電開
始直後の不安定な状態のプラズマでエッチングを行うこ
とになり、位相差の制御が難しいためである。したがっ
て、所定の位相差の１０％がプラズマの安定に十分な時
間に相当するのであれば、９０％以上でも差支えはな
い。Subsequently, in order to form a quartz etching pattern, as shown in FIG. 3B, the same novolak-based positive resist EBR900 (manufactured by Toray Industries, Inc.) 54 is applied again, and a laser writing apparatus (ETEC Co., Ltd.) is used. Made CORE254
The pattern is formed with a laser beam 55a using 3) and developed with an inorganic alkali developer to form an opening having a predetermined pattern in the resist film 54. Next, as shown in FIG. 3C, the quartz substrate 51 exposed through the openings of the resist film 54 and the light-shielding layer 52 is etched with a CF 4 gas 56a and an etching rate previously measured using an appropriate pattern. 3, dry etching is performed for an etching time of about 90% of an etching time required to obtain a predetermined phase difference (180 °), and an etching portion (shifter portion) as shown in FIG. 57 are formed. Here, the etching time is 90% of the etching time required to obtain a predetermined phase difference.
However, when performing the second etching, if the phase difference is 10% or less of the predetermined phase difference, the etching is performed with the plasma in an unstable state immediately after the start of the discharge of the plasma. Because it is difficult. Therefore, as long as 10% of the predetermined phase difference corresponds to a time sufficient for stabilizing the plasma, 90% or more does not matter.
【００３４】次いで、図３（ｅ）に示すように，レーザ
リペア装置（ＮＥＣ社製 ＳＬ４５３）を用いてモニタ
ーパターン部２の一部（図の場合はエッチング部５７に
隣接する部分）のレジスト膜５４とその下の遮光層（ク
ロム膜及び酸化クロム膜）５２とをレーザビーム５９に
て除去する。このときに用いるレーザビーム５９の波長
は、ＹＡＧレーザ光の第２高調波（波長５３２ｎｍ）で
ある。このように、モニターパターン部２のレジスト膜
５４とその下の遮光層５２とを除去することにより、図
４（ｆ）に示すように、モニターパターン部２において
のみ、エッチング部５７と非エッチング部５８とが露出
してなる中間状態の位相シフトマスクが形成される。続
いて、原子力間顕微鏡（セイコー電子工業（株）製 Ｓ
ＰＩ３７００）を用いて、モニターパターン部２の非エ
ッチング部５８に対するエッチング部５７のエッチング
深さを測定し、正確なエッチングレートを算出する。Next, as shown in FIG. 3E, a resist film on a part of the monitor pattern portion 2 (in the case shown, a portion adjacent to the etching portion 57) using a laser repair device (SL453 manufactured by NEC). The 54 and the light-shielding layer (chrome film and chromium oxide film) 52 thereunder are removed by a laser beam 59. The wavelength of the laser beam 59 used at this time is the second harmonic (532 nm) of the YAG laser light. In this way, by removing the resist film 54 of the monitor pattern portion 2 and the light shielding layer 52 thereunder, as shown in FIG. 4F, only the monitor portion 2 has an etched portion 57 and a non-etched portion. A phase shift mask in an intermediate state in which the mask 58 is exposed is formed. Then, the atomic force microscope (Seiko Electronics Co., Ltd. S
Using PI 3700), the etching depth of the etched portion 57 with respect to the non-etched portion 58 of the monitor pattern portion 2 is measured, and an accurate etching rate is calculated.
【００３５】次いで、図４（ｇ）に示すように、レジス
ト膜５４の開口を通して最初に形成したエッチング部５
７と露出した非エッチング部５８とをＣＦ4 ガス５６ｂ
を用い、前回のエッチング時間とエッチング量とから算
出したエッチングレートを用いて、所定の位相差に対す
る不足の位相差分のエッチングを追加することにより、
図４（ｈ）に示すように、本パターン部１に所定の位相
差（１８０°）を持ったエッチング部（シフター部）５
７が形成される。Next, as shown in FIG. 4G, the etching portion 5 formed first through the opening of the resist film 54 is formed.
7 and the exposed non-etched portion 58 are made of CF 4 gas 56b.
By using the etching rate calculated from the previous etching time and the amount of etching using the previous etching, by adding an insufficient phase difference etching for a predetermined phase difference,
As shown in FIG. 4H, an etching portion (shifter portion) 5 having a predetermined phase difference (180 °) in the main pattern portion 1.
7 is formed.
【００３６】残ったレジスト５４を剥離し、洗浄を行う
ことにより、図４（ｉ）に示すように、本パターン部１
にエッチング部５７（シフター部）と非エッチング部５
８’（非シフター部）が設けられた基板彫り込み型レベ
ンソン型位相シフトマスクが得られる。このままの位相
シフトマスクを使用してもよいが、この位相シフトマス
クを投影して半導体基板に焼き付ける際、シフター部５
７の側壁で一部の光が反射されシフター部５７と非シフ
ター部５８’との間に光量差が出て所定の線幅が得られ
なくなる側壁効果を取り除くために、熱アルカリによる
サイドエッチングをシフター部５７、非シフター部５
８’共に片側１２０ｎｍずつ行い、図４（ｊ）に示すよ
うな基板彫り込み型レベンソン型位相シフトマスクが完
成する。By removing the remaining resist 54 and performing cleaning, the main pattern portion 1 is removed as shown in FIG.
Part 57 (shifter part) and non-etched part 5
A substrate-engraving type Levenson type phase shift mask provided with 8 '(non-shifter portion) is obtained. Although the phase shift mask may be used as it is, when the phase shift mask is projected and printed on the semiconductor substrate, the shifter unit 5 is used.
In order to remove the side wall effect in which a part of light is reflected on the side wall of 7 and a light amount difference is generated between the shifter portion 57 and the non-shifter portion 58 ′ and a predetermined line width cannot be obtained, side etching with hot alkali is performed. Shifter section 57, non-shifter section 5
8 ′ is performed 120 nm on each side, and a substrate-engraved Levenson type phase shift mask as shown in FIG. 4 (j) is completed.
【００３７】以上、本発明のフォトマスクの製造方法を
実施例に基づいて説明したが、本発明はこれら実施例に
限定されず種々の変形が可能である。また、本発明のフ
ォトマスクの製造方法は、基板彫り込み型レベンソン型
位相シフトマスクに限らず、基板エッチングマスク等、
透明基板の所定パターン部分を彫り込んで基板の異なる
領域間に位相差を設ける他のタイプの位相シフトマスク
の製造にも適用できることは明らかである。なお、本発
明の説明において、透明基板を彫り込んだ部分（又は、
より深く彫り込んだ部分）をシフター部、彫り込んでな
い部分（又は、より浅く彫り込んだ部分）を非シフター
部としたが、その反対に彫り込んだ部分（又は、より深
く彫り込んだ部分）を非シフター部、彫り込んでない部
分（又は、より浅く彫り込んだ部分）をシフター部と呼
ぶようにしてもよい。Although the method of manufacturing a photomask according to the present invention has been described based on the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made. Further, the photomask manufacturing method of the present invention is not limited to the substrate engraving type Levenson type phase shift mask, the substrate etching mask, etc.
Obviously, the present invention can be applied to the manufacture of other types of phase shift masks in which a predetermined pattern portion of a transparent substrate is engraved to provide a phase difference between different regions of the substrate. In the description of the present invention, a portion in which a transparent substrate is engraved (or
The deeper carved part) was the shifter part, the non-carved part (or the shallower carved part) was the non-shifter part, while the carved part (or the deeper carved part) was the non-shifter part, A part that is not carved (or a part that is carved more shallowly) may be called a shifter part.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のフォトマスクの製造方法によると、２回のエッチング
を行い、その中間でエッチング深さを計測し、その計測
結果に基づいて２回目のエッチングを行うようにしたの
で、エチングストッパー層が存在しない透明基板を彫り
込んでシフター部とする基板彫り込み型の位相シフトマ
スクの製造においても、所定の位相差を設ける透明領域
間の位相差を正確に設けることができる。As is apparent from the above description, according to the photomask manufacturing method of the present invention, etching is performed twice, the etching depth is measured in the middle, and the second etching is performed based on the measurement result. In the production of a substrate engraving type phase shift mask in which a transparent substrate having no etching stopper layer is engraved and used as a shifter portion, the phase difference between the transparent regions providing a predetermined phase difference is reduced. It can be provided accurately.
【図１】本発明の実施例１のフォトマスクの製造方法の
工程図である。FIG. 1 is a process chart of a photomask manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例２のフォトマスクの製造方法の
工程図である。FIG. 2 is a process chart of a method for manufacturing a photomask according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例３のフォトマスクの製造方法の
工程図の一部である。FIG. 3 is a part of a process chart of a photomask manufacturing method according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例３のフォトマスクの製造方法の
工程図の残部である。FIG. 4 is the remaining part of the process chart of the photomask manufacturing method according to the third embodiment of the present invention.
【図５】従来の基板彫り込み型レベンソン型位相シフト
マスクの加工工程を示す図である。FIG. 5 is a view showing a processing step of a conventional substrate-engraving type Levenson type phase shift mask.
１…本パターン部 ２…モニターパターン部 １１…透明基板 １２…遮光層 １３…開口 １４ａ、１４ｂ…レジスト膜 １５ａ、１５ｂ…レーザビーム １６ａ、１６ｂ…ＣＦ4 ガス １７…エッチング部（シフター部） １８…非エッチング部（非シフター部） ２１…透明基板 ２２…遮光層 ２３…開口 ２４ａ、２４ｂ…レジスト膜 ２５ａ、２５ｂ…レーザビーム ２６ａ、２６ｂ…ＣＦ4 ガス ２７…エッチング部（シフター部） ２８…非エッチング部（非シフター部） ５１…透明基板 ５２…遮光層 ５３…開口 ５４…レジスト膜 ５５ａ…レーザビーム ５６ｂ…ＣＦ4 ガス ５７…エッチング部（シフター部） ５８…非エッチング部 ５８’…非エッチング部（非シフター部） ５９…レーザビーム1 ... the pattern section 2 ... monitor pattern 11 ... transparent substrate 12 ... shielding layer 13 ... opening 14a, 14b ... resist film 15a, 15b ... laser beam 16a, 16b ... CF 4 gas 17 ... etching portion (shifter portion) 18 ... non-etched portion (non-shifter portion) 21 ... transparent substrate 22 ... shielding layer 23 ... opening 24a, 24b ... resist film 25a, 25b ... laser beam 26a, 26b ... CF 4 gas 27 ... etching portion (shifter portion) 28 ... unetched part (non-shifter) 51 ... transparent substrate 52 ... shielding layer 53 ... opening 54 ... resist film 55a ... laser beam 56b ... CF 4 gas 57 ... etching portion (shifter portion) 58 ... non-etched portion 58 '... unetched portion ( Non-shifter part) 59 ... Laser beam
フロントページの続き (72)発明者 横山寿文 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大 日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BB03 BB08 BB28 BB31 BC27 BC28 BD03 BD18 BD29 Continuation of front page (72) Inventor Toshifumi Yokoyama 1-1-1 Ichigaya-Kaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo F-term in Nippon Printing Co., Ltd. (reference) 2H095 BB03 BB08 BB28 BB31 BC27 BC28 BD03 BD18 BD29
Claims (17)
ン、又は、被エッチング透明基板と遮光パターンとレジ
ストパターンから構成される部材のエッチングにおい
て、前記レジストパターンの開口部の被エッチング透明
基板部分を目的の深さまでエッチングする以前にエッチ
ングを中断し、エッチング深さを計測し、その計測結果
に基づいてエッチング不足量を算出し、その計算結果に
基づいてエッチング不足量を再エッチングすることを特
徴とするフォトマスクの製造方法。In etching a transparent substrate to be etched and a resist pattern, or a member composed of a transparent substrate to be etched, a light-shielding pattern and a resist pattern, a portion of the transparent substrate to be etched at an opening of the resist pattern is formed at a desired depth. A photomask characterized in that the etching is interrupted before the etching is completed, the etching depth is measured, the etching shortage is calculated based on the measurement result, and the etching shortage is re-etched based on the calculation result. Manufacturing method.
レジストパターンを除去し、前記のエッチング深さの計
測後に、前記レジストパターンの開口部が開口している
第２レジストパターンを設け、その第２レジストパター
ンの開口部の被エッチング透明基板部分を前記の算出さ
れたエッチング不足量に相当する深さだけエッチングを
行うことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製
造方法。2. The method according to claim 1, further comprising: removing the resist pattern before measuring the etching depth; providing a second resist pattern having an opening in the resist pattern after measuring the etching depth; 2. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the portion of the transparent substrate to be etched in the opening of the second resist pattern is etched to a depth corresponding to the calculated insufficient etching amount.
マスクの本パターン部の欄外に設けられたモニターパタ
ーン部における前記レジストパターン、又は、前記遮光
パターンと前記レジストパターンを除去し、前記モニタ
ーパターン部において露出した非エッチング部に対する
エッチング部のエッチング深さの計測により行うことを
特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。3. The method of measuring the etching depth, comprising: removing the resist pattern or the light-shielding pattern and the resist pattern in a monitor pattern portion provided outside a main pattern portion of a photomask; 2. The method according to claim 1, wherein the etching is performed by measuring an etching depth of the etched portion with respect to a non-etched portion exposed in the portion.
パターンと前記レジストパターンの除去を、エネルギー
線照射により行うことを特徴とする請求項３記載のフォ
トマスクの製造方法。4. The method of manufacturing a photomask according to claim 3, wherein the removal of the resist pattern or the light-shielding pattern and the resist pattern is performed by irradiation with energy rays.
ことを特徴とする請求項４記載のフォトマスクの製造方
法。5. The method according to claim 4, wherein the energy beam is a laser beam.
ビームの波長に対して十分な透過率を有することを特徴
とする請求項５記載のフォトマスクの製造方法。6. The method according to claim 5, wherein the transparent substrate to be etched has a sufficient transmittance with respect to the wavelength of the laser beam.
ビームに対して十分な耐性を有することを特徴とする請
求項５記載のフォトマスクの製造方法。7. The method for manufacturing a photomask according to claim 5, wherein said transparent substrate to be etched has sufficient resistance to said laser beam.
あることを特徴とする請求項４記載のフォトマスクの製
造方法。8. The method according to claim 4, wherein the energy beam is a focused ion beam.
を含む物質によりエッチングを促進させることを特徴と
する請求項８記載のフォトマスクの製造方法。9. The method of manufacturing a photomask according to claim 8, wherein etching is promoted by a substance containing halogen having a sufficient vapor pressure under vacuum.
光パターンと前記レジストパターンは、前記被エッチン
グ透明基板に対して十分なエッチング選択比を有するこ
とを特徴とする請求項８又は９記載のフォトマスクの製
造方法。10. The photomask according to claim 8, wherein the resist pattern or the light-shielding pattern and the resist pattern have a sufficient etching selectivity with respect to the transparent substrate to be etched. Production method.
て、前記のエッチング深さの計測を位相差測定装置によ
って行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。11. The method for manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the measurement of the etching depth is performed by a phase difference measuring device.
て、前記のエッチング深さの計測を原子力間顕微鏡を用
いて行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。12. The method for manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the measurement of the etching depth is performed using an atomic force microscope.
て、最初のエッチングを目的の深さの５０％〜９０％だ
け行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。13. The method for manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the first etching is performed for 50% to 90% of a target depth.
パターン、又は、被エッチング透明基板と遮光パターン
と第１レジストパターンから構成される部材のエッチン
グにおいて、第１レジストパターンの開口部の被エッチ
ング透明基板部分を目的の深さより多くエッチングを行
い、そのエッチング深さを計測し、その計測結果に基づ
いてエッチング超過量を算出し、前記第１レジストパタ
ーンの開口部以外の部分の少なくとも一部が開口してい
る第２レジストパターンを前記第１レジストパターンの
代わりに設け、その第２レジストパターンの開口部の被
エッチング透明基板部分を前記の算出されたエッチング
超過量に相当する深さだけエッチングを行うことを特徴
とするフォトマスクの製造方法。14. The etching of a transparent substrate to be etched and a first resist pattern, or a transparent substrate to be etched in an opening of a first resist pattern in a member formed of a transparent substrate to be etched, a light shielding pattern and a first resist pattern. The portion is etched more than the target depth, the etching depth is measured, the excess etching amount is calculated based on the measurement result, and at least a part of the portion other than the opening of the first resist pattern is opened. A second resist pattern is provided instead of the first resist pattern, and the portion of the transparent substrate to be etched at the opening of the second resist pattern is etched to a depth corresponding to the calculated excess etching amount. A method for manufacturing a photomask, comprising:
グ深さの計測を位相差測定装置によって行うことを特徴
とするフォトマスクの製造方法。15. The method according to claim 14, wherein the measurement of the etching depth is performed by a phase difference measuring device.
グ深さの計測を原子力間顕微鏡を用いて行うことを特徴
とするフォトマスクの製造方法。16. The method for manufacturing a photomask according to claim 14, wherein the measurement of the etching depth is performed using an atomic force microscope.
いて、最初のエッチングを目的の深さより１％〜５０％
だけ多く行うことを特徴とするフォトマスクの製造方
法。17. The method according to claim 14, wherein the first etching is performed by 1% to 50% of a target depth.
A method of manufacturing a photomask, which is performed only as many times as possible.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23976598A JP2000039700A (en) | 1998-05-20 | 1998-08-26 | Manufacture of photomask |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13800298 | 1998-05-20 | ||
| JP10-138002 | 1998-05-20 | ||
| JP23976598A JP2000039700A (en) | 1998-05-20 | 1998-08-26 | Manufacture of photomask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000039700A true JP2000039700A (en) | 2000-02-08 |
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ID=26471159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23976598A Pending JP2000039700A (en) | 1998-05-20 | 1998-08-26 | Manufacture of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000039700A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107907A (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Nec Corp | Method for measuring phase difference and method for manufacturing phase shift mask |
| JP2006084534A (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fujitsu Ltd | Exposure mask and manufacturing method thereof |
| CN100440430C (en) * | 2002-06-12 | 2008-12-03 | 三星电子株式会社 | Manufacturing method of interlaced phase shift mask |
| JP2009092789A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Elpida Memory Inc | Method of manufacturing phase shift photomask, phase shift photomask, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| US8982326B2 (en) | 2011-11-16 | 2015-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Exposure system, method of forming pattern using the same and method of manufacturing display substrate using the same |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP23976598A patent/JP2000039700A/en active Pending
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