JP2000030867A - Organic thin film EL device - Google Patents
Organic thin film EL deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明でTPDよりも高いTgを持つものが得ら
れ、膜強度および透光性が高く、TPD単層からなる膜
よりも結晶化し難い有機薄膜EL素子を提供する。
【解決手段】少なくとも陽極、正孔注入輸送層、有機発
光層、陰極から構成される有機薄膜EL素子において、
陽極と陰極の間の有機化合物を含む層が、下記一般式1
に示す芳香族第3級アミンを主鎖に有するポリエーテル
化合物またはポリリン酸エステル化合物を含む。
【化1】
[PROBLEMS] To provide an organic thin film EL device which is transparent, has a higher Tg than TPD, has high film strength and light transmittance, and is less likely to be crystallized than a film made of a single TPD layer. . An organic thin-film EL device comprising at least an anode, a hole injection / transport layer, an organic light-emitting layer, and a cathode,
A layer containing an organic compound between the anode and the cathode has the following general formula 1
And polyether compounds or polyphosphate compounds having an aromatic tertiary amine in the main chain. Embedded image
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、有機薄膜のエレクトロ
ルミネセンス(以下単にELという)現象を利用した有
機薄膜EL素子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic thin-film EL device utilizing the electroluminescence (hereinafter simply referred to as EL) phenomenon of an organic thin film.
【0002】[0002]
【従来の技術】イーストマン・コダック社のC.W.T
angらにより開発された有機薄膜EL素子は、特開昭
59−194393号公報、特開昭63−264692
号公報、特開昭63−295695号公報、アプライド
・フィジックス・レター第51巻第12号第913頁
(1987年)、およびジャーナル・オブ・アプライド
フィジックス第65巻第9号第3610頁(1989
年)等によれば、一般的には陽極、有機正孔注入輸送
層、有機発光層、陰極の順に構成され、以下のように作
られている。2. Description of the Related Art Eastman Kodak C.I. W. T
An organic thin film EL device developed by Ang et al. is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Sho 59-194393 and 63-264692.
JP-A-63-295695, Applied Physics Letter Vol. 51, No. 12, page 913 (1987), and Journal of Applied Physics, Vol. 65, No. 9, page 3610 (1989)
According to Japanese Patent Application Laid-Open (Kokai) No. 2000-209, an anode, an organic hole injecting and transporting layer, an organic light emitting layer, and a cathode are generally formed in this order, and are manufactured as follows.
【0003】図1に示すように、まず、ガラスや樹脂フ
ィルム等の透明絶縁性の基板(1)上に、蒸着又はスパ
ッタリング法等でインジウムとスズの複合酸化物(以下
ITOという)の透明導電性被膜の陽極(2)が形成さ
れる。次に有機正孔注入輸送層(3)として銅フタロシ
アニン(以下CuPcと略す)、あるいは(化1)で示
される化合物:As shown in FIG. 1, first, a transparent conductive material such as a composite oxide of indium and tin (hereinafter referred to as ITO) is formed on a transparent insulating substrate (1) such as glass or resin film by vapor deposition or sputtering. A positive coating anode (2) is formed. Next, a compound represented by copper phthalocyanine (hereinafter abbreviated as CuPc) or (Chemical Formula 1) as an organic hole injection / transport layer (3):
【0004】[0004]
【化2】 Embedded image
【0005】1,1−ビス(4−ジーpートリルアミノ
フェニル)シクロヘキサン(融点181.4℃〜18
2.4℃)、あるいは(化2)で示される化合物:1,1-bis (4-di-tolylaminophenyl) cyclohexane (melting point: 181.4 ° C.-18
2.4 ° C.) or a compound represented by the following formula (2):
【0006】[0006]
【化3】 Embedded image
【0007】N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル
−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(融点1
20℃)等のテトラアリールジアミンを、0.1μm程
度以下の厚さに単層または積層して蒸着して形成する。N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (melting point 1
20 ° C.) or the like to form a single layer or a laminated layer having a thickness of about 0.1 μm or less.
【0008】次に有機正孔注入輸送層(3)上にトリス
(8−キノリノール)アルミニウム(以下Alq3 と略
す)等の有機蛍光体を0.1μm程度以下の厚さで蒸着
し、有機発光層(4)を形成する。最後に、その上に陰
極(5)としてMg:Ag,Ag:Eu,Mg:Cu,
Mg:In,Mg:Sn等の合金を共蒸着法により20
0nm程度蒸着している。Next, an organic phosphor such as tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter abbreviated as Alq 3 ) or the like is deposited on the organic hole injecting / transporting layer (3) to a thickness of about 0.1 μm or less, and the organic light emission is performed. The layer (4) is formed. Finally, as a cathode (5), Mg: Ag, Ag: Eu, Mg: Cu,
An alloy such as Mg: In, Mg: Sn is formed by co-evaporation method.
About 0 nm is deposited.
【0009】また、安達らは有機発光層と陰極(5)の
間に、有機電子注入輸送層(6)を設け、素子を作製し
た。アプライド・フィズィックス・レター第57巻第6
号第531頁(1990年)によると、その素子は、I
TOの陽極上に有機正孔注入輸送層(3)としてN,
N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン〔融
点159〜163℃、ガラス転移温度67℃(窒素下、
20℃/分の昇温速度のDSCで測定);以下TPDと
略す〕、有機発光層(4)として1−〔4−N,N−ビ
ス(p−メトキシフェニル)アミノスチリル〕ナフタレ
ン、有機電子注入輸送層(6)として2−(4−ビフェ
ニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール(以下、単にBPBDという)、
陰極(5)としてMgとAgの合金を順に積層してい
る。Also, Adachi et al. Provided an organic electron injecting and transporting layer (6) between the organic light emitting layer and the cathode (5) to produce a device. Applied Fixix Letter Vol. 57, No. 6
No. 531 (1990) states that the device
N, as an organic hole injecting and transporting layer (3) on the anode of TO
N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine [melting point 159 to 163 ° C., glass transition temperature 67 ° C. (under nitrogen,
Measured by DSC at a rate of temperature rise of 20 ° C./min); hereinafter abbreviated as TPD], 1- [4-N, N-bis (p-methoxyphenyl) aminostyryl] naphthalene as organic light emitting layer (4), organic electron 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,3 as the injection transport layer (6)
4-oxadiazole (hereinafter simply referred to as BPBD),
As the cathode (5), an alloy of Mg and Ag is sequentially laminated.
【0010】以上のように作られた素子は、透明電極側
を陽極として20〜30V以下の直流低電圧を印加する
ことにより発光層に正孔と電子が注入され、その再結合
により発光し1000cd/m2 程度の輝度が得られ
る。しかし、上記で示した正孔注入輸送材料は、CuP
cは耐熱性ではあるが可視光線波長領域の吸収が大き
く、また結晶性であるために蒸着膜が凸凹になり、Cu
Pcのみを有機正孔注入輸送材料として用いた素子はE
L発光の取り出し効率が低く、素子が電気短絡しやすく
なる問題があった。In the device manufactured as described above, holes and electrons are injected into the light emitting layer by applying a direct current low voltage of 20 to 30 V or less using the transparent electrode side as an anode, and light is emitted by recombination to produce 1000 cd. / M 2 . However, the hole injection transport material shown above is CuP
c is heat resistant, but has a large absorption in the visible light wavelength region, and is crystalline, so that the deposited film becomes uneven, and Cu
The device using only Pc as the organic hole injection / transport material is E
There is a problem that the efficiency of taking out the L emission is low and the element is liable to be electrically short-circuited.
【0011】(化1)(化2)で示した化合物およびT
PDは、非晶質で平滑な蒸着膜が得られ、可視波長領域
での吸収もないが、融点およびガラス転移温度が低いた
め、素子作成プロセスや素子駆動時の発熱により、発光
層と混合してしまったり、時間が経つにつれて膜が結晶
化し凸凹になる問題があった。例えば50nm程度の薄
膜にしてTPDとAlq3 層を積層した場合に於いては
95℃程度の温度で両層が混合してしまった。The compound represented by the formulas (1) and (2) and T
PD has an amorphous and smooth vapor-deposited film and has no absorption in the visible wavelength region, but has a low melting point and glass transition temperature. There is a problem that the film is crystallized with time and becomes uneven. For example, when a TPD and an Alq 3 layer are laminated as a thin film of about 50 nm, both layers are mixed at a temperature of about 95 ° C.
【0012】また、低分子のみからなる正孔注入輸送層
は膜の機械的強度も弱く、有機層が低分子の蒸着のみで
形成された素子はITOのエッチングパターンの段差部
でショートしやすいという問題があった。A hole injection / transport layer composed of only low molecules has a low mechanical strength, and an element in which an organic layer is formed only by vapor deposition of low molecules is likely to be short-circuited at a step portion of an ITO etching pattern. There was a problem.
【0013】テレビジョン学会技術報告16巻、2号、
47頁(1992年)によると、脇本らは正孔注入輸送
層にTPDの単層蒸着膜を用い発光層にキナクリドン
(以下Qdという)を添加したAlq3 蒸着膜を用いて
最高輝度68000cd/m2(融解破壊直前)を得て
いる。この素子の4mA/cm2 定電流駆動での初期輝
度は275cd/m2 と低く、輝度半減寿命は130時
間であった。一般に有機薄膜EL素子は電流密度を上げ
て輝度を上げると、劣化速度が速くなるという問題があ
り、高輝度と長寿命を両立した素子を得るのは難しかっ
た。The Institute of Television Engineers of Japan Vol. 16, No. 2,
According to page 47 (1992), Wakimoto et al. Used a single-layer vapor-deposited film of TPD for the hole-injection-transport layer, and used an Alq 3 vapor-deposited film to which quinacridone (hereinafter referred to as Qd) was added for the light-emitting layer, with a maximum luminance of 68000 cd / m 2 (just before melting fracture). The initial luminance of this device at a constant current drive of 4 mA / cm 2 was as low as 275 cd / m 2, and the luminance half life was 130 hours. In general, the organic thin-film EL element has a problem that when the luminance is increased by increasing the current density, the deterioration rate is increased, and it has been difficult to obtain an element having both high luminance and long life.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上で述べ
たような従来の有機薄膜EL素子用有機材料の耐熱性お
よび膜強度の不足と結晶化しやすさによる劣化の問題、
および耐熱性の高いCuPcやQdからなる層は透光性
が低いといった層構成上の問題を改善し、高輝度で長寿
命な有機薄膜EL素子を提供することを目的としてなさ
れたものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to the problems of deterioration of heat resistance and film strength of conventional organic materials for organic thin-film EL devices and deterioration due to crystallization.
The layer made of CuPc or Qd having high heat resistance is intended to improve the problem of the layer structure such as low translucency and provide an organic thin film EL device having high luminance and long life.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題に
鑑みてなされたものであって、少なくとも陽極、正孔注
入輸送層、有機発光層、陰極から構成される有機薄膜E
L素子において、陽極と陰極の間の有機化合物を含む層
が、下記一般式1に示す芳香族第3級アミンを主鎖に有
するポリエーテル化合物もしくはポリリン酸エステル化
合物を含むことを特徴とする有機薄膜EL素子である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has been made in consideration of the above-mentioned problems, and has an organic thin film comprising at least an anode, a hole injection / transport layer, an organic light emitting layer, and a cathode.
In the L element, the layer containing an organic compound between the anode and the cathode contains a polyether compound or a polyphosphate compound having an aromatic tertiary amine represented by the following general formula 1 in a main chain. It is a thin film EL element.
【0016】[0016]
【化4】 Embedded image
【0017】さらに言えば、前記ポリフォスファゼン化
合物またはポリエーテル化合物もしくはポリリン酸エス
テル化合物が、正孔注入輸送層に用いられ、なおかつ必
要に応じて、正孔注入輸送層が多層構造を有することを
特徴とする有機薄膜EL素子である。本発明のさらなる
特徴は、上記の化合物、すなわちポリエーテル化合物も
しくはポリリン酸エステル化合物が、有機溶剤の溶液を
塗布することにより製膜されたことを特徴とする有機薄
膜EL素子である。More specifically, the polyphosphazene compound, the polyether compound or the polyphosphate compound is used for the hole injection / transport layer, and if necessary, the hole injection / transport layer has a multilayer structure. This is a characteristic organic thin film EL device. A further feature of the present invention is an organic thin-film EL device, characterized in that the above-mentioned compound, that is, a polyether compound or a polyphosphate compound is formed by applying a solution of an organic solvent.
【0018】以下に本発明の有機薄膜EL素子を模式的
に示す図1から図4までに基いて説明する。図1は、本
発明における有機薄膜EL素子を、基板(1)上に陽極
(2)、正孔注入輸送層(3)、有機発光層(4)、陰
極(5)、封止層(7)の順に構成し、ガラス板(8)
を接着性樹脂(9)にて接着して密封した場合の例であ
り、本発明におけるポリフォスファゼン化合物またはポ
リエーテル化合物またはポリリン酸エステル化合物を正
孔注入輸送層(3)または有機発光層(4)のどちらか
または両方に用いることができる。Hereinafter, an organic thin film EL device of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. 1 shows an organic thin film EL device according to the present invention, in which an anode (2), a hole injection / transport layer (3), an organic light emitting layer (4), a cathode (5), a sealing layer (7) are formed on a substrate (1). ), And a glass plate (8)
Is sealed by bonding with an adhesive resin (9), and the polyphosphazene compound, polyether compound, or polyphosphate compound of the present invention is filled with a hole injection / transport layer (3) or an organic light emitting layer ( It can be used for either or both of 4).
【0019】図2は、正孔注入輸送層が2層構成の場合
であり、第1正孔注入輸送層(10)として第2正孔注
入輸送層(11)と陽極の仕事関数の間の仕事関数の値
を持つ材料を用いることで有機発光層(4)への正孔注
入効率が向上し、低電圧でEL発光が得られるようにな
る。本発明におけるポリフォスファゼン化合物またはポ
リエーテル化合物またはポリリン酸エステル化合物を含
む層は、第1または第2正孔注入輸送層(11)のどち
らか、または第1正孔注入輸送層(10)が第2正孔注
入輸送層(11)の製膜時に使用する溶剤に不溶の場合
は両方の層に用いることもできる。FIG. 2 shows a case where the hole injecting and transporting layer has a two-layer structure, in which the first hole injecting and transporting layer (10) has a work function between the second hole injecting and transporting layer (11) and the work function of the anode. By using a material having a work function value, the efficiency of hole injection into the organic light emitting layer (4) is improved, and EL light emission can be obtained at a low voltage. In the present invention, the layer containing the polyphosphazene compound, the polyether compound, or the polyphosphate compound is formed of either the first or second hole injecting and transporting layer (11) or the first hole injecting and transporting layer (10). When it is insoluble in the solvent used for forming the second hole injection / transport layer (11), it can be used for both layers.
【0020】図3はさらに素子の安定性を高めるために
第2正孔注入輸送層(11)と有機発光層(4)間に第
3正孔注入輸送層(12)を形成した場合であり、さら
に多層に形成することもできる。さらに、図4に示すよ
うに有機送発光層(4)と陰極(5)間に有機発光層と
の界面で正孔の流れを阻止する電子注入輸送層(6)を
設け、基板(1)上に陽極(2)、有機正孔注入輸送層
(3)、有機発光層(4)、有機電子注入輸送層
(6)、陰極(5)、封止層(7)の順に構成すること
もできるし、同様の構成を基板上に陰極から逆の順に構
成してもよい。以下、さらに詳しく材料および素子の製
造方法について説明する。FIG. 3 shows a case where a third hole injection / transport layer (12) is formed between the second hole injection / transport layer (11) and the organic light emitting layer (4) in order to further enhance the stability of the device. , And can be formed in multiple layers. Further, as shown in FIG. 4, an electron injection / transport layer (6) for blocking the flow of holes at the interface with the organic light emitting layer is provided between the organic light emitting / emitting layer (4) and the cathode (5). An anode (2), an organic hole injecting and transporting layer (3), an organic light emitting layer (4), an organic electron injecting and transporting layer (6), a cathode (5), and a sealing layer (7) may be formed thereon in this order. Alternatively, a similar configuration may be formed on the substrate in the reverse order from the cathode. Hereinafter, a method for manufacturing a material and an element will be described in more detail.
【0021】陽極(2)は、ガラスやプラスチックフィ
ルム等の透明絶縁性の基板(1)上にITO(仕事関数
4.6〜4.8eV)や酸化亜鉛アルミニウムのような
透明導電性物質を真空蒸着やスパッタリング法等で被覆
した表面抵抗10〜50Ω/□、可視光線透過率80%
以上の透明電極、又は金やプラチナを薄く蒸着した半透
明電極やポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン
等の高分子を被覆した半透明電極が望ましい。The anode (2) is formed by applying a transparent conductive substance such as ITO (work function of 4.6 to 4.8 eV) or zinc aluminum oxide on a transparent insulating substrate (1) such as glass or plastic film. Surface resistance 10-50Ω / □, visible light transmittance 80% coated by vapor deposition or sputtering
The above transparent electrode, a translucent electrode in which gold or platinum is thinly deposited, or a translucent electrode coated with a polymer such as polyaniline, polypyrrole, or polythiophene is desirable.
【0022】しかし、別の場合には、陽極(2)は不透
明で、正孔注入輸送層(3)を通して有機発光層(4)
へ正孔注入しやすい仕事関数の値の大きい金、プラチ
ナ、パラジウム、ニッケル等の金属板、シリコン、ガリ
ウムリン、アモルファス炭化シリコン等の仕事関数が
4.6eV以上の半導体基板、もしくはそれらの金属や
半導体を、絶縁性の基板(1)上に被覆した陽極(2)
に用い、陰極(5)を透明電極もしくは半透明電極とす
ることもできる。陰極(5)も不透明であれば、有機発
光層(4)の少なくとも一端が透明である必要がある。However, in other cases, the anode (2) is opaque and the organic light emitting layer (4) is passed through the hole injecting and transporting layer (3).
A metal plate such as gold, platinum, palladium, and nickel having a large work function that easily injects holes into a semiconductor substrate having a work function of 4.6 eV or more, such as silicon, gallium phosphide, and amorphous silicon carbide; Anode (2) coated with semiconductor on insulating substrate (1)
And the cathode (5) can be a transparent electrode or a translucent electrode. If the cathode (5) is also opaque, at least one end of the organic light emitting layer (4) needs to be transparent.
【0023】次に本発明における有機正孔注入輸送層
(3)を陽極(2)上に形成する。本発明に用いる正孔
注入輸送層は、一般式1で示されるポリエーテル化合物
及びポリリン酸エステル化合物を含む単層で形成するこ
とができる。Next, the organic hole injecting and transporting layer (3) in the present invention is formed on the anode (2). The hole injection / transport layer used in the present invention can be formed as a single layer containing the polyether compound and the polyphosphate compound represented by the general formula 1.
【0024】しかし、陽極と発光層間の仕事関数の階段
の段差を小さくして正孔注入効率を向上させるため、層
間の密着性向上のため、劣化防止、色調の調整などの目
的で特願平4−72009号、特願平4−114692
号、特願平4−142791号、特開平4−23099
7号公報中に記載または言及されている材料や米国特許
第3,265,496 号明細書、同4,025,341 、同3,873,311 、
同3,873,312 、ヨーロッパ特許第295115号明細書、同29
5125、同295127の中で述べられている正孔輸送性ポリマ
ー材料の層またはCuPcやフタロシアニン等の金属お
よび無金属フタリシアニン類、Qd等の耐熱性の低分子
正孔注入輸送材料の層または(化3)で表される低分子
芳香族第三級アミン正孔輸送材料の層、またはアモルフ
ァスのSiやSiC、Seなどの無機化合物を含む層と
積層し、2層以上の多層の正孔注入輸送層を形成するこ
とができる。However, in order to improve the hole injection efficiency by reducing the step of the work function between the anode and the light emitting layer to improve the hole injection efficiency, to improve the adhesion between the layers, to prevent deterioration, and to adjust the color tone. 4-72009, Japanese Patent Application No. 4-114692
No., Japanese Patent Application No. 4-142793, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-23099.
7, No. 3,265,496, U.S. Pat. Nos. 4,025,341, 3,873,311,
3,873,312, European Patent No. 295115, 29
5125 and 295127, a layer of a hole-transporting polymer material or a layer of a metal such as CuPc or phthalocyanine and a metal-free phthalicyanine, a layer of a heat-resistant low-molecular-weight hole injecting and transporting material such as Qd or ( A layer of a low-molecular-weight aromatic tertiary amine hole transporting material represented by Chemical formula 3) or a layer containing an inorganic compound such as amorphous Si, SiC, or Se, and two or more layers of hole injection. A transport layer can be formed.
【0025】[0025]
【化5】 Embedded image
【0026】この際に各層は真空蒸着法、スピンコート
法、ディップコート法、ロールコート法、イオンプレー
チング法、プラズマCVD法等各種の製膜方法を適用す
ることができる。At this time, various film forming methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, an ion plating method, and a plasma CVD method can be applied to each layer.
【0027】表1には一般式1で示されるポリエーテル
化合物の具体的化学構造の一例(P9)およびポリリン
酸化合物の具体的化学構造の一例(P10)のTg,
W.F,LUMOのエネルギーレベルの値を載せたが、
これらの例に限定されるわけではない。また多層型の正
孔注入輸送層に用いることのできるCuPcとTPDの
値も表1に載せた。Table 1 shows an example of a specific chemical structure of the polyether compound represented by the general formula 1 (P9) and an example of a specific chemical structure of the polyphosphate compound (P10).
W. F, LUMO energy level values
It is not limited to these examples. Table 1 also shows values of CuPc and TPD that can be used in the multilayer hole injection transport layer.
【0028】[0028]
【表1】 [Table 1]
【0029】ここで、Tgは窒素雰囲気下20℃/分の
昇温スピードでDSCにより、測定し、仕事関数は理研
計器(株)製表面分析装置AC−1により大気下で測定
した値である。分子の最低空軌道(LUMO)のエネル
ギーレベルは各材料の紫外−可視吸収スペクトルを測定
し、その吸収端エネルギー(Eg)を仕事関数から差し
引いて求めた。Here, Tg is measured by DSC at a heating rate of 20 ° C./min in a nitrogen atmosphere, and the work function is a value measured in the atmosphere by a surface analyzer AC-1 manufactured by Riken Keiki Co., Ltd. . The energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the molecule was determined by measuring the ultraviolet-visible absorption spectrum of each material and subtracting the absorption edge energy (Eg) from the work function.
【0030】これらのポリマーは、トルエン、テトラヒ
ドロフラン、クロロホルム、ジオキサン、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン等
の一般の有機溶媒に溶かすことができ、スピンコート
法、ディップコート法、ロールコート法等の方法で基板
上に塗布することにより、平滑で透明な低分子からなる
膜よりも強度のある薄膜を得ることができる。These polymers can be dissolved in common organic solvents such as toluene, tetrahydrofuran, chloroform, dioxane, dimethylacetamide, dimethylformamide, cyclohexanone and the like, and can be obtained by a method such as spin coating, dip coating, roll coating and the like. By coating on a substrate, it is possible to obtain a thin film which is stronger than a film made of a smooth and transparent low molecular weight.
【0031】また、TPDをポリマー化した型のP9〜
P10の材料では、ポリマー化することにより正孔輸送
単位の濃度が下がり、TPDより正孔移動度が下がると
考えられるが、素子中の正孔の流れの律速段階は仕事関
数の段差がある領域で生じると考えられるので、大きな
段差がある領域、例えば陽極と正孔注入輸送層間や正孔
注入輸送層と発光層間にのみ低分子の高い正孔移動度の
材料(CuPc,QdやTPD等)を第1正孔注入輸送
層または第3正孔注入輸送層として1〜30nm程度の
厚さで、好ましくは15nm以下の厚さで配すれば、全
体が高い正孔移動度の材料と同等の陽極への正孔注入輸
送能力を得ることができる。Further, P9 to T9 of a type obtained by polymerizing TPD
In the case of the material P10, it is considered that the concentration of the hole transporting unit is reduced by polymerization, and the hole mobility is lower than that of the TPD. However, the rate-determining step of the hole flow in the device is a region having a work function step. Therefore, a material having a high hole mobility of low molecular weight (CuPc, Qd, TPD, etc.) only in a region having a large step, for example, only between the anode and the hole injection / transport layer or between the hole injection / transport layer and the light emitting layer. Is disposed as a first hole injection transport layer or a third hole injection transport layer with a thickness of about 1 to 30 nm, preferably a thickness of 15 nm or less, so that the whole is equivalent to a material having a high hole mobility. The ability to inject and transport holes to the anode can be obtained.
【0032】このように本発明による3層からなる正孔
注入輸送層において、TPDより高いTgの本発明のポ
リマーを含む層を第2正孔注入輸送層として10〜10
0nm程度の厚さで配すれば、耐熱性ではあるが、結晶
性で吸光度が大きいCuPcやQdのみからなる同じ厚
さの正孔注入輸送層よりも高い透光性、平滑性および膜
強度を持ち、また、同じ厚さのTPDのみからなる正孔
注入輸送層よりも耐熱性が高く結晶化しにくく膜強度の
高い正孔注入輸送層が得られ有機薄膜EL素子を安定化
することができる。As described above, in the three hole injecting and transporting layers according to the present invention, the layer containing the polymer of the present invention having a Tg higher than TPD is used as the second hole injecting and transporting layer.
If it is disposed at a thickness of about 0 nm, it is heat-resistant, but has higher translucency, smoothness, and film strength than a hole injection transport layer of the same thickness consisting of only CuPc or Qd, which is crystalline and has high absorbance. In addition, a hole injecting and transporting layer having higher heat resistance and less crystallization than the hole injecting and transporting layer composed of only TPD having the same thickness and having high film strength can be obtained, and the organic thin film EL element can be stabilized.
【0033】次に、正孔注入輸送層(3)上に有機発光
層(4)を形成する。Next, an organic light emitting layer (4) is formed on the hole injection / transport layer (3).
【0034】蛍光色素の例としては、米国ラムダフィズ
ィック社のレーザーダイカタログに記載されているクマ
リン4、クマリン120、クマリン2、クマリン15
1、クマリン307、クマリン500、フルオロール7
GA等があげられ、得られたポリマーは有機溶剤に溶か
してスピンコート、ディップコート等の方法で正孔輸送
層(3)上に塗布される。その他、有機発光層(4)に
用いる蛍光体は、可視領域に蛍光を有し、適当な方法で
成膜できる任意の蛍光体が可能である。Examples of the fluorescent dye include Coumarin 4, Coumarin 120, Coumarin 2, and Coumarin 15 described in Laser Dye Catalog of Lambda Fizzic Company, USA.
1, Coumarin 307, Coumarin 500, Fluorol 7
GA and the like are obtained, and the obtained polymer is dissolved in an organic solvent and applied onto the hole transport layer (3) by a method such as spin coating or dip coating. In addition, as the phosphor used in the organic light emitting layer (4), any phosphor which has fluorescence in a visible region and can be formed by an appropriate method can be used.
【0035】例えば、アントラセン、サリチル酸塩、ピ
レン、コロネン、ペリレン、テトラフェニルブタジエ
ン、9,10−ビス(フェニルエチニル)アントラセ
ン、8−キノリノールリチウム、Alq3 、トリス
(5,7−ジクロロ,8−キノリノール)アルミニウ
ム、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)アルミニ
ウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛、トリス(5−フ
ルオロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(8
−キノリノール)スカンジウム、ビス〔8−(パラート
シル)アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯
体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエ
ン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2.5
−ジヘプチルオキシ−P−フェニレンビニレン、あるい
は特開平4−31488号公報、米国特許第5,141,671
号明細書、同4,769,292 号明細書中で言及されている蛍
光物質等があげられる。For example, anthracene, salicylate, pyrene, coronene, perylene, tetraphenylbutadiene, 9,10-bis (phenylethynyl) anthracene, 8-quinolinol lithium, Alq 3 , tris (5,7-dichloro, 8-quinolinol) ) Aluminum, tris (5-chloro-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc, tris (5-fluoro-8-quinolinol) aluminum, tris (8
-Quinolinol) scandium, bis [8- (paratosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2.5
-Diheptyloxy-P-phenylenevinylene, or JP-A-4-31488, U.S. Pat. No. 5,141,671
And the fluorescent substances referred to in the specifications of US Pat. No. 4,769,292.
【0036】これらの有機発光層材料の成膜方法は真空
蒸着法、累積膜法、または適当な樹脂バインダー中に分
散させてスピンコートなどの方法でコーティングするこ
とにより行なわれる。These organic light emitting layer materials can be formed by a vacuum evaporation method, a cumulative film method, or by dispersing in an appropriate resin binder and coating by a method such as spin coating.
【0037】有機発光層(4)の膜厚は、単層または積
層により形成する場合においても1μm以下であり、好
ましくは1〜100nmである。また、これらの蛍光性
ポリマーや分子にビニル基、アクリル基、メタクリロイ
ルオキシメチル基、メタクリロイルオキシ基、メタクリ
ロイルオキシエチル基、アクリロイル基、アクリロイル
オキシメチル基、アクリロイルオキシエチル基、シンナ
モイル基、スチレンメチルオキシ基、プロピオロイル
基、プロパルギル基等の重合性、架橋性の基を導入した
材料を用いて成膜後に熱、光、放射線で重合、架橋する
こともできる。The thickness of the organic light emitting layer (4) is 1 μm or less, preferably 1 to 100 nm, even when it is formed as a single layer or a multilayer. In addition, vinyl groups, acrylic groups, methacryloyloxymethyl groups, methacryloyloxy groups, methacryloyloxyethyl groups, acryloyl groups, acryloyloxymethyl groups, acryloyloxyethyl groups, cinnamoyl groups, styrene methyloxy groups After film formation using a material into which a polymerizable or crosslinkable group such as a propioyl group or a propargyl group is introduced, polymerization and crosslinking can be performed by heat, light, or radiation.
【0038】また、有機発光層(4)中の蛍光体は、発
光波長変換、発光効率向上のために、米国ラムダフィズ
ィック社またはイーストマンコダック社のレーザーダイ
カタログに記載されているクマリン系やキナクリドン
系、ペリレン系、ピラン系等の、2種類以上の蛍光体を
ドーピングするか、多種類の蛍光体の発光層を2層以上
積層してもよく、そのうちの一方は赤外域または紫外域
に蛍光を示すものであってもよい。The phosphor in the organic light-emitting layer (4) may be a coumarin or a coumarin-based compound described in a laser die catalog of Lambda Fizzic Co. or Eastman Kodak Co. in order to convert the light emission wavelength and improve the light emission efficiency. It may be doped with two or more kinds of phosphors such as quinacridone, perylene, and pyran, or may be formed by laminating two or more light emitting layers of various kinds of phosphors, one of which is in the infrared or ultraviolet region. It may show fluorescence.
【0039】表2に代表的な有機発光層材料であるAl
q3 と発光効率向上用ドーピング色素であるクマリン6
(C6)とQdの仕事関数とLUMOのエネルギーレベ
ルの値をまとめた。Table 2 shows a typical organic light emitting layer material, Al
q coumarin 6 is 3 and the light emitting efficiency for doping dye
The values of (C6), the work function of Qd, and the energy level of LUMO are summarized.
【0040】[0040]
【表2】 [Table 2]
【0041】次に、有機発光層(4)上に有機電子注入
輸送層(6)を積層する場合、有機電子注入輸送材料の
好ましい条件は、電子移動度が大きく、LUMOのエネ
ルギーレベルが有機発光層材料のLUMOのエネルギー
レベルと同程度から陰極材料のフェルミレベル(仕事関
数)の間にあり、仕事関数が有機発光層材料より大き
く、成膜性が良いことがある。さらに陽極(2)が不透
明で、透明もしくは半透明の陰極(5)から光を取り出
す構成の素子においては少なくとも有機発光層材料の蛍
光波長領域において実質的に透明である必要がある。Next, when the organic electron injecting and transporting layer (6) is laminated on the organic light emitting layer (4), the preferable conditions of the organic electron injecting and transporting material are that the electron mobility is large and the energy level of the LUMO is low. It may be between the same level as the LUMO energy level of the layer material and the Fermi level (work function) of the cathode material, the work function may be larger than that of the organic light emitting layer material, and the film forming property may be good. Further, in an element in which the anode (2) is opaque and light is extracted from the transparent or translucent cathode (5), the anode (2) needs to be substantially transparent at least in the fluorescent wavelength region of the organic light emitting layer material.
【0042】本発明における電子注入輸送層は、BPB
D、2,5−ビス(1−ナフチル)−1、3、4−オキ
サジアゾール、および浜田らの合成したオキサジアゾー
ル誘導体(日本化学会誌、1540頁、1991年)等
があげられるが、上記例に特に限定されるものではな
く、場合によっては有機発光層材料の例にあげた化合物
を用いることが可能な場合もある。In the present invention, the electron injection / transport layer is made of BPB
D, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole and oxadiazole derivatives synthesized by Hamada et al. (Journal of the Chemical Society of Japan, p. 1540, 1991), and the like. The compounds are not particularly limited to the above examples, and in some cases, the compounds described in the examples of the organic light emitting layer material can be used.
【0043】有機電子注入輸送層(6)の成膜方法は、
スピンコート法等の方法で塗布、または真空蒸着法、累
積膜法等の方法により行なわれ、1〜100nmの厚さ
に成膜される。The method for forming the organic electron injection / transport layer (6) is as follows.
It is applied by a method such as a spin coating method or a method such as a vacuum evaporation method or a cumulative film method, and is formed into a film having a thickness of 1 to 100 nm.
【0044】次に陰極(5)を有機発光層(4)または
有機電子注入輸送層(6)上に形成する。陰極は、電子
注入を効果的に行なうために有機発光層(4)または電
子注入輸送層(6)と接する面に低仕事関数の物質が使
われ、Li,Na,Mg,La,Ce,Ca,Sr,A
l,Ag,In,Sn,Zn,Zr等の金属元素単体、
または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分、
3成分の合金系が用いられる。Next, a cathode (5) is formed on the organic light emitting layer (4) or the organic electron injection / transport layer (6). For the cathode, a material having a low work function is used on a surface which is in contact with the organic light emitting layer (4) or the electron injection transport layer (6) in order to effectively perform electron injection, and Li, Na, Mg, La, Ce, Ca is used. , Sr, A
metal element simple substance such as 1, Ag, In, Sn, Zn, Zr,
Or two components containing them to improve stability,
A three component alloy system is used.
【0045】仕事関数の例としてはMg単体で約3.6
eVであり、MgにLi等アルカリ金属を添加した場合
は3.1〜3.2eVに低下する。アルカリ金属を含む
低仕事関数陰極を用いた場合には、さらにその上にアル
カリ金属を含まないMg.Al.Ag等の金属層を積層
し保護層としてもよい。陰極(5)の形成方法は、抵抗
加熱方法により10-5Torrオーダー以下の真空度の
下で成分ごとに別々の蒸着源から水晶振動子式膜厚計で
モニターしながら共蒸着する。この時、0.01〜0.
3μm程度の膜厚で形成されるが、電子ビーム蒸着法、
イオンプレーティング法やスパッタリング法により共蒸
着ではなく、合金ターゲットを用いて成膜するこもでき
る。An example of the work function is about 3.6 for Mg alone.
eV, and falls to 3.1 to 3.2 eV when an alkali metal such as Li is added to Mg. When a low work function cathode containing an alkali metal was used, an alkali metal-free Mg. Al. A protective layer may be formed by laminating a metal layer such as Ag. The cathode (5) is formed by co-evaporation by a resistance heating method under a degree of vacuum of the order of 10 -5 Torr or less while monitoring with a quartz oscillator type film thickness meter from a separate evaporation source for each component. At this time, 0.01-0.
It is formed with a film thickness of about 3 μm.
Instead of co-evaporation by an ion plating method or a sputtering method, a film can be formed using an alloy target.
【0046】次に素子の有機層や電極の酸化を防ぐため
に素子上に封止層(7)を形成する。封止層(7)は、
陰極(5)の形成後直ちに形成する。封止層材料の例と
しては、SiO2 ,SiO,GeO,MgO,Al2 O
3 ,TiO2 ,GeO2 ,ZnO,TeO2 ,Sb
O3 ,SnO,B2 O3 等の酸化物、MgF2 ,Li
F,BaF2 ,AlF3 ,FeF3 ,CaF2 等の沸化
物、ZnS,GeS,SnS等の硫化物等のガスおよび
水蒸気バリアー性の高い無機化合物があげられるが、上
記例に限定されるものではない。これらを単体または複
合して蒸着、スパッタリング法、イオンプレーティング
法等により成膜する。抵抗加熱方式で蒸着する場合に
は、低温で蒸着できるGeOが優れている。陰極保護の
ために、封止層中、または封止層に接する面上に封止用
無機化合物とLi等のアルカリ金属やCa等のアルカリ
土類金属との混合層を設けてもよい。Next, a sealing layer (7) is formed on the device in order to prevent oxidation of the organic layers and electrodes of the device. The sealing layer (7)
It is formed immediately after the formation of the cathode (5). Examples of the sealing layer material include SiO 2 , SiO, GeO, MgO, and Al 2 O.
3, TiO 2, GeO 2, ZnO, TeO 2, Sb
Oxides such as O 3 , SnO, B 2 O 3 , MgF 2 , Li
Inorganic compounds having high gas barrier properties such as sulfides such as F, BaF 2 , AlF 3 , FeF 3 , and CaF 2 , and sulfides such as ZnS, GeS, and SnS, and the like, but are not limited to the above examples is not. These are used alone or in combination to form a film by vapor deposition, sputtering, ion plating or the like. When vapor deposition is performed by a resistance heating method, GeO that can be vapor deposited at a low temperature is excellent. For protection of the cathode, a mixed layer of an inorganic compound for sealing and an alkali metal such as Li or an alkaline earth metal such as Ca may be provided in the sealing layer or on a surface in contact with the sealing layer.
【0047】さらに湿気の浸入を防ぐ為に市販の低吸湿
性の光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系
接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シー
ト等の接着性樹脂層(9)を用いて、ガラス板等の封止
板(8)を接着し密封する。ガラス板以外にも金属板、
プラスチック板等を用いることもできる。Further, in order to prevent moisture from entering, adhesive resin layers such as commercially available low moisture-absorbing photo-curable adhesives, epoxy-based adhesives, silicone-based adhesives, and crosslinked ethylene-vinyl acetate copolymer adhesive sheets. Using (9), a sealing plate (8) such as a glass plate is bonded and sealed. In addition to glass plates, metal plates,
A plastic plate or the like can also be used.
【0048】以上のように構成した有機薄膜EL素子
は、有機正孔注入輸送層(3)側を正として電源(1
3)にリード線(14)で接続し直流電圧を印加するこ
とにより発光するが、交流電圧を印加した場合にも正孔
注入輸送層(3)側の電極が正に電圧印加されている間
は発光する。特に本発明による3層構造の正孔注入輸送
層を有する有機薄膜EL素子は長期間安定なEL発光を
得ることが出来る。本発明による有機薄膜EL素子を基
板上に2次元に配列することにより文字や画像を表示可
能な薄型ディスプレーにすることができる。The organic thin-film EL device having the above-described structure is configured such that the organic hole injection / transport layer (3) side is positive and the power supply (1) is
3) is connected to a lead wire (14) and emits light when a DC voltage is applied. Even when an AC voltage is applied, the light is emitted while the electrode on the hole injection / transport layer (3) side is positively applied with a voltage. Emits light. In particular, the organic thin-film EL device having the three-layered hole injection / transport layer according to the present invention can provide stable EL emission for a long period of time. By arranging the organic thin film EL devices according to the present invention two-dimensionally on a substrate, a thin display capable of displaying characters and images can be obtained.
【0049】[0049]
【実施例】〈実施例1〉透明絶縁性の基板(1)とし
て、厚さ1.1mmの青板ガラス板を用い、この上に12
0〜220nmのITOを被覆して陽極(2)とした。
この透明導電性基板を使用前に水洗、紫外線洗浄、プラ
ズマ洗浄により十分に洗浄後、正孔注入輸送層(3)と
してP9のクロロホルム溶液(41mg/5ml)を1
000rpmでスピンコートし、膜厚55nmの単層の
有機正孔注入輸送層(3)を形成した。<Example 1> As a transparent insulating substrate (1), a blue glass plate having a thickness of 1.1 mm was used.
The anode (2) was coated with ITO of 0 to 220 nm.
Before using the transparent conductive substrate, the substrate is sufficiently washed by water washing, ultraviolet washing, and plasma washing, and then a chloroform solution (41 mg / 5 ml) of P9 is used as a hole injection transport layer (3).
Spin-coating was performed at 000 rpm to form a 55 nm-thick single-layer organic hole injecting and transporting layer (3).
【0050】次に、有機発光層(4)としてAlq3 を
50nm蒸着し、その上面に陰極(5)としてMgとA
gを蒸着速度比10:1で220nm蒸着した。最後
に、封止層(7)としてGeOを1.8μm蒸着後、ガ
ラス板(8)を光硬化性樹脂(9)で接着し密封した。
この素子の最高輝度は21Vにおいて1153cd/m
2 電流密度115mA/cm2 であった。この素子を1
20℃まで加熱した後も同様に発光した。Next, Alq was used as the organic light emitting layer (4).ThreeTo
50 nm is deposited, and Mg and A are formed as a cathode (5) on the upper surface.
g was deposited at a deposition rate of 10: 1 at 220 nm. last
Then, 1.8 μm of GeO was deposited as a sealing layer (7),
The lath plate (8) was adhered and sealed with a photocurable resin (9).
The highest luminance of this element is 1153 cd / m at 21V.
TwoCurrent density 115 mA / cmTwoMet. This element is 1
Even after heating to 20 ° C., light was emitted similarly.
【0051】〈実施例2〉実施例1の素子のP9からな
る有機正孔注入輸送層(3)上に第2正孔注入輸送層
(11)としてTPDを5nm蒸着した。以下、実施例
1と同様に有機発光層(4)以降を形成した。この素子
は4V以上の直流電流により緑色に発光し、最高輝度は
20Vにおいて2000cd/m2 であった。<Example 2> TPD was deposited to a thickness of 5 nm as a second hole injecting and transporting layer (11) on the organic hole injecting and transporting layer (3) made of P9 in the device of Example 1. Thereafter, the organic light emitting layer (4) and subsequent layers were formed in the same manner as in Example 1. This device emitted green light by a DC current of 4 V or more, and had a maximum luminance of 2000 cd / m 2 at 20 V.
【0052】〈実施例3〉実施例1で用いた透明導電性
基板を洗浄後、第1正孔注入輸送層(11)としてCu
Pcを15nm蒸着した。次に第2正孔注入輸送層(1
1)としてP10のトルエン溶液(24mg/2ml)
を1300rpmでスピンコートし、膜厚50nmの第
2正孔注入輸送層(11)を形成した後に、第3正孔注
入輸送層(12)としてTPDを5nm蒸着した。次に
有機発光層(4)としてAlq3 を5nm蒸着し、その
上面に陰極(5)としてAlとLiを蒸着速度比3:1
で30nm蒸着した後にAlのみ190nm蒸着し積層
した。その後は実施例1と同様に封止を行い素子を作製
した。この素子は4V以上の直流電圧により緑色に発光
し、最高輝度は17Vにおいて1219cd/m2 、そ
の時の電流密度は570mA/cm2 であった。Example 3 After cleaning the transparent conductive substrate used in Example 1, Cu was used as the first hole injection / transport layer (11).
Pc was deposited to a thickness of 15 nm. Next, the second hole injection transport layer (1)
1) As a toluene solution of P10 (24 mg / 2 ml)
Was spin-coated at 1300 rpm to form a second hole injecting and transporting layer (11) having a thickness of 50 nm, and then 5 nm of TPD was deposited as a third hole injecting and transporting layer (12). Next, 5 nm of Alq 3 was deposited as an organic light emitting layer (4), and Al and Li were deposited as a cathode (5) on the upper surface at a deposition rate ratio of 3: 1.
Then, only Al was deposited to a thickness of 190 nm and laminated. Thereafter, sealing was performed in the same manner as in Example 1 to produce an element. The device emitted green light at a DC voltage of 4 V or more, and had a maximum luminance of 1219 cd / m 2 at 17 V and a current density of 570 mA / cm 2 at that time.
【0053】[0053]
【発明の効果】本発明におけるポリエーテル化合物また
はポリリン酸化合物は、透明でTPDよりも高いTgを
持つものを得られるため、それらを用いた単層膜または
他の材料と積層して得た多層膜からなる有機正孔注入輸
送層は膜強度および耐熱性、透光性が高く、TPD単層
からなる膜よりも結晶化し難く素子の耐熱性向上に効果
があり、従来、60℃程度で発光特性が低下していたも
のが、より高い耐熱性を有するようになった。The polyether compound or polyphosphoric acid compound of the present invention can be transparent and has a higher Tg than TPD. Therefore, a monolayer film using them or a multilayer obtained by laminating with other materials. The organic hole injecting and transporting layer composed of a film has high film strength, heat resistance, and light transmittance, is less likely to be crystallized than a film composed of a single TPD layer, and is effective in improving the heat resistance of the device. Those having deteriorated properties have higher heat resistance.
【0054】[0054]
【図1】本発明の有機薄膜EL素子の一実施例を示す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of an organic thin film EL device of the present invention.
【図2】本発明の有機薄膜EL素子の他の実施例を示す
説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of the organic thin film EL device of the present invention.
【図3】本発明の有機薄膜EL素子の他の実施例を示す
説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing another embodiment of the organic thin film EL device of the present invention.
【図4】本発明の有機薄膜EL素子の他の実施例を示す
説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing another embodiment of the organic thin film EL device of the present invention.
(1)…基板 (2)…陽極 (3)…正孔注入輸送層 (4)…有機発光層 (5)…陰極 (6)…有機電子注入輸送層 (7)…封止層 (8)…ガラス板 (9)…接着性樹脂層 (10)…第1正孔注入輸送層 (11)…第2正孔注入輸送層 (12)…第3正孔注入輸送層 (13)…電源 (14)…リード線 (15)…陰極取り出し口 (1) substrate (2) anode (3) hole injection / transport layer (4) organic light emitting layer (5) cathode (6) organic electron injection / transport layer (7) sealing layer (8) ... glass plate (9) ... adhesive resin layer (10) ... first hole injection / transport layer (11) ... second hole injection / transport layer (12) ... third hole injection / transport layer (13) ... power supply ( 14) Lead wire (15) Cathode outlet
Claims (6)
光層、陰極から構成される有機薄膜EL素子において、
陽極と陰極の間の有機化合物を含む層が、下記一般式1
に示す芳香族第3級アミンを主鎖に有するポリエーテル
化合物またはポリリン酸エステル化合物を含むことを特
徴とする有機薄膜EL素子。 【化1】 An organic thin film EL device comprising at least an anode, a hole injection / transport layer, an organic light emitting layer, and a cathode,
A layer containing an organic compound between the anode and the cathode has the following general formula 1
An organic thin-film EL device comprising a polyether compound or a polyphosphate compound having an aromatic tertiary amine in the main chain as described in (1). Embedded image
有機化合物を含む層が、正孔注入輸送層である場合であ
って、正孔注入輸送層が2層以上の多層構造からなるこ
とを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜EL素子。2. The method according to claim 1, wherein the layer containing the organic compound between the anode and the cathode of the organic thin film EL element is a hole injection transport layer, wherein the hole injection transport layer has a multilayer structure of two or more layers. The organic thin film EL device according to claim 1, wherein:
孔注入輸送層が、10nm以下の厚さであることを特徴
とする請求項1または2に記載の有機薄膜EL素子。3. The organic thin-film EL device according to claim 1, wherein the hole injection / transport layer on the side of the organic thin-film EL device which is in contact with the light-emitting layer has a thickness of 10 nm or less.
注入輸送層が、30nm以下の厚さのフタロシアニン化
合物であることを特徴とする請求項1から3までに記載
の有機薄膜EL素子。4. The organic thin film EL device according to claim 1, wherein the hole injecting and transporting layer on the side of the organic thin film EL device in contact with the anode is a phthalocyanine compound having a thickness of 30 nm or less. .
孔注入輸送層が、低分子芳香族第3級アミン正孔注入輸
送材料からなることを特徴とする請求項1から4までに
記載の有機薄膜EL素子。5. The organic EL device according to claim 1, wherein the hole injecting / transporting layer in contact with the light emitting layer of the organic thin film EL device is made of a low molecular weight aromatic tertiary amine hole injecting / transporting material. The organic thin film EL device as described in the above.
主鎖に有するポリエーテル化合物またはポリリン酸化合
物を含む層が、それらの化合物を含む有機溶剤の溶液を
塗布することにより製膜されたものであることを特徴と
する請求項1から5までに記載の有機薄膜EL素子。6. A layer containing a polyether compound or a polyphosphoric acid compound having an aromatic tertiary amine in a main chain of an organic thin film EL device is formed by applying a solution of an organic solvent containing such a compound. 6. The organic thin-film EL device according to claim 1, wherein:
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031360A (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Tdk Corp | Organic el element and its manufacturing method |
JP2005235645A (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Fuji Xerox Co Ltd | Organic electroluminescent element |
US7250227B2 (en) | 2003-01-30 | 2007-07-31 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element, material for positive hole injecting layer, and organic electroluminescent display |
CN100428521C (en) * | 2003-11-17 | 2008-10-22 | 富士施乐株式会社 | Organic Semiconductor Transistor Elements |
JP2014127303A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Cbc Kk | Method of manufacturing organic el device |
-
1999
- 1999-06-21 JP JP11174516A patent/JP2000030867A/en active Pending
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