JP2000022047A - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板上
に搭載された半導体チップを、金型を用いて樹脂封止し
てなる樹脂封止型半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a printed wiring board is resin-sealed using a mold.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７は、従来のＢＧＡ（ボール・グリッ
ド・アレイ）型の半導体装置の一例を示す側断面図であ
る。このＢＧＡ型半導体装置２０は、配線パターン（図
示略）が形成されたプリント配線板２１と、このプリン
ト配線板２１上に接着剤によって固定された半導体チッ
プ２２と、この半導体チップ２２の電極とプリント配線
板２１上の配線パターンの配線リードとを接続するボン
ディングワイヤ２３と、半導体チップ２２を封止してい
る樹脂封止部２４と、プリント配線板２１裏面の配線パ
ターンに接続される半田ボール２５とから概略構成され
る。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a side sectional view showing an example of a conventional BGA (ball grid array) type semiconductor device. The BGA type semiconductor device 20 includes a printed wiring board 21 on which a wiring pattern (not shown) is formed, a semiconductor chip 22 fixed on the printed wiring board 21 by an adhesive, and an electrode of the semiconductor chip 22 and a printed circuit board. Bonding wires 23 for connecting the wiring leads of the wiring pattern on the wiring board 21, a resin sealing portion 24 for sealing the semiconductor chip 22, and solder balls 25 connected to the wiring pattern on the back surface of the printed wiring board 21 It is roughly composed of
【０００３】また、図８は従来のＢＧＡ型半導体装置２
０の樹脂封止工程の一例を示す側断面図である。まず、
あらかじめ複数の配線パターンが形成され、複数の半導
体チップ２２が長手方向に一列に搭載された帯状の基板
２６を下金型２７上に設置し、キャビティ２８ａが半導
体チップ２２を覆うように上金型２８を下金型２７に固
定する。次いで、加熱溶融した樹脂２９を、上金型２８
に形成されている樹脂注入用ゲート３０を通してキャビ
ティ２８ａ内に充填し、樹脂封止部２４を形成する。基
板２６上の樹脂注入用ゲート３０に対応する位置に残留
している樹脂注入用ゲート部樹脂（以下、注入ゲート残
部と記す）３１を取り除いた後、この基板２６を各樹脂
封止部２４ごとに切断し、複数個の樹脂封止済みの半完
成品（以下、パッケージと記す）を得る。このパッケー
ジの裏面に半田ボール２５を配置してＢＧＡ型半導体装
置２０が完成する。FIG. 8 shows a conventional BGA type semiconductor device 2.
It is a sectional side view which shows an example of the resin sealing process of No. 0. First,
A plurality of wiring patterns are formed in advance, and a band-shaped substrate 26 on which a plurality of semiconductor chips 22 are mounted in a line in the longitudinal direction is placed on a lower mold 27, and an upper mold is formed so that the cavity 28a covers the semiconductor chip 22. 28 is fixed to the lower mold 27. Next, the heat-melted resin 29 is placed in the upper mold 28.
The resin is filled into the cavity 28a through the resin injection gate 30 formed as described above to form the resin sealing portion 24. After removing the resin gate portion resin (hereinafter referred to as the remaining portion of the injection gate) 31 remaining at the position corresponding to the resin injection gate 30 on the substrate 26, the substrate 26 is removed together with each resin sealing portion 24. To obtain a plurality of semi-finished products (hereinafter, referred to as packages) which have been sealed with resin. The BGA type semiconductor device 20 is completed by disposing the solder balls 25 on the back surface of the package.
【０００４】このような従来のＢＧＡ型半導体装置２０
においては、樹脂注入用ゲート３０に対応する位置に残
留している注入ゲート残部３１を取り除きやすくするた
めに、基板２６表面の樹脂注入用ゲートに対応する位置
には、樹脂との接着性の低い金メッキ等の金属薄膜層が
あらかじめ形成されている。しかしながら、金メッキ等
の形成工程が別途必要となり、また金メッキ等自体が高
価であるため、基板２６のコストが高くなり、その結
果、ＢＧＡ型半導体装置２０の製造コストが高くなると
いう問題があった。Such a conventional BGA type semiconductor device 20
In order to make it easy to remove the injection gate residue 31 remaining at the position corresponding to the resin injection gate 30, the position corresponding to the resin injection gate on the surface of the substrate 26 has a low adhesiveness to the resin. A metal thin film layer such as gold plating is formed in advance. However, there is a problem that a forming step such as gold plating is separately required, and the cost of the substrate 26 is increased because the gold plating or the like itself is expensive. As a result, the manufacturing cost of the BGA type semiconductor device 20 is increased.
【０００５】ＢＧＡなどの樹脂封止型半導体装置の製造
コストを低減するためには、１枚の基板から得られるパ
ッケージの数を増やす必要がある。パッケージの取り数
を増やす方法としては、図９に示すように、上金型２８
にスルーゲート３２とキャビティ２８ｂを追加して、帯
状の基板２６の幅方向に並んだ２個の樹脂封止部２４を
一度の樹脂封止で形成するスルーゲート方式が挙げられ
る。しかしながら、このスルーゲート方式の場合、基板
２６上のスルーゲート３２に対応する位置には、スルー
ゲート部樹脂（以下、スルーゲート残部と記す）３３が
形成される。このスルーゲート残部３３の除去は、従来
のように基板２６表面のスルーゲート３２に対応する位
置に金メッキ等を施しても困難であった。そのため、ス
ルーゲート方式を樹脂封止型半導体装置の樹脂封止に用
いることは困難であり、このスルーゲート方式によって
樹脂封止型半導体装置の製造コストを低減することはで
きなかった。In order to reduce the manufacturing cost of a resin-sealed semiconductor device such as a BGA, it is necessary to increase the number of packages obtained from one substrate. As a method for increasing the number of packages, as shown in FIG.
In addition, a through gate method in which a through gate 32 and a cavity 28b are added and two resin sealing portions 24 arranged in the width direction of the band-shaped substrate 26 are formed by a single resin sealing. However, in the case of the through gate method, a through gate portion resin (hereinafter, referred to as a remaining through gate) 33 is formed at a position corresponding to the through gate 32 on the substrate 26. The removal of the remaining through gate 33 was difficult even if gold plating or the like was applied to a position corresponding to the through gate 32 on the surface of the substrate 26 as in the related art. Therefore, it is difficult to use the through-gate method for resin sealing of the resin-sealed semiconductor device, and the through-gate method cannot reduce the manufacturing cost of the resin-sealed semiconductor device.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、製造コストが低減された樹脂封止型半導体装
置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a resin-encapsulated semiconductor device whose manufacturing cost is reduced.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、プリント配線板上に搭載された半導体チップ
を、金型を用いて樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装
置において、上記プリント配線板上には、上記金型に設
けられた樹脂注入用ゲートおよび／またはスルーゲート
に対応する位置に、樹脂注入用ゲート部樹脂および／ま
たはスルーゲート部樹脂が残留していることを特徴とす
る。また、上記プリント配線板と樹脂注入用ゲート部樹
脂との間、および／または上記プリント配線板とスルー
ゲート部樹脂との間には、ソルダーレジストが形成され
ていることが好ましい。A resin-sealed semiconductor device according to the present invention is a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a printed wiring board is resin-sealed using a mold. On the printed wiring board, the resin for the resin gate and / or the resin for the through gate remain at the position corresponding to the gate for resin injection and / or the through gate provided on the mold. It is characterized by. Further, it is preferable that a solder resist is formed between the printed wiring board and the resin injection gate resin and / or between the printed wiring board and the through gate resin.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら形態例に限定されるもの
ではない。 （形態例１）図１は、本発明の樹脂封止型半導体装置の
一形態例を示す概略上面図であり、図２は、本発明の樹
脂封止型半導体装置の一形態例を示す概略側面図であ
る。この樹脂封止型半導体装置１は、配線パターン（図
示略）が形成されたプリント配線板２と、このプリント
配線板２上に接着剤によって固定され、ボンディングワ
イヤで接続された半導体チップ（図示略）を封止する樹
脂封止部３と、プリント配線板裏面の配線パターンに接
続される半田ボール４とから概略構成される。また、プ
リント配線板２上には、樹脂注入用ゲートに対応する位
置に注入ゲート残部５が残留している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited to these embodiments. (Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic top view showing one embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view showing one embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention. It is a side view. The resin-encapsulated semiconductor device 1 includes a printed wiring board 2 on which a wiring pattern (not shown) is formed, and a semiconductor chip (not shown) fixed on the printed wiring board 2 by an adhesive and connected by bonding wires. ) And a solder ball 4 connected to a wiring pattern on the back surface of the printed wiring board. Further, on the printed wiring board 2, an injection gate remaining portion 5 remains at a position corresponding to the resin injection gate.
【０００９】上記プリント配線板２、樹脂封止部３、お
よび半田ボール４は、従来のＢＧＡ型半導体装置に用い
られていたものと同じものでよく、その材質等は特に限
定はされない。上記注入ゲート残部５の厚さは、樹脂封
止部３の厚さと同程度、もしくはそれ以下であることが
好ましい。また、プリント配線板２表面の樹脂注入用ゲ
ートに対応する位置には、ソルダーレジストが形成され
ていてもよい。ソルダーレジストの材質としては、通
常、市販されているソルダーレジスト材を用いることが
できる。The printed wiring board 2, the resin sealing portion 3, and the solder balls 4 may be the same as those used in a conventional BGA type semiconductor device, and the materials and the like are not particularly limited. It is preferable that the thickness of the injection gate remaining portion 5 is equal to or less than the thickness of the resin sealing portion 3. A solder resist may be formed on the surface of the printed wiring board 2 at a position corresponding to the resin injection gate. As a material of the solder resist, a commercially available solder resist material can be usually used.
【００１０】次に、本形態例の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。図３は、樹脂封止直後の基
板の状態を示す概略図である。まず、あらかじめ複数の
配線パターンが形成された帯状の基板６上に、複数の半
導体チップ２２を長手方向に一列に搭載する。この基板
６を金型に設置し、加熱溶融した樹脂を金型内に充填
し、樹脂封止部３を形成する。樹脂封止工程において基
板６上に複数個形成された樹脂封止部３の１コーナーに
は、注入ゲート残部５が接続されたまま残っている。こ
の樹脂封止部３が形成された基板６は、注入ゲート残部
５を残したまま次の切断工程に移され、ダイジング等を
用いて切断位置７の部分で切断され、複数個のパッケー
ジとなる。このパッケージの裏面に半田ボール４を配置
して樹脂封止型半導体装置１が完成する。Next, a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic diagram showing a state of the substrate immediately after resin sealing. First, a plurality of semiconductor chips 22 are mounted in a line in the longitudinal direction on a strip-shaped substrate 6 on which a plurality of wiring patterns are formed in advance. The substrate 6 is set in a mold, and the resin melted by heating is filled in the mold to form the resin sealing portion 3. At one corner of the resin sealing portion 3 formed on the substrate 6 in the resin sealing step, the injection gate remaining portion 5 remains connected. The substrate 6 on which the resin sealing portion 3 is formed is transferred to the next cutting step while leaving the injection gate remaining portion 5, and cut at the cutting position 7 using dicing or the like to form a plurality of packages. . The solder ball 4 is arranged on the back surface of the package, and the resin-sealed semiconductor device 1 is completed.
【００１１】このような樹脂封止型半導体装置１にあっ
ては、プリント配線板２上に注入ゲート残部５を残留さ
せているので、従来のように、プリント配線板２上の樹
脂注入用ゲートに対応する位置に金メッキ等の金属薄膜
層を設ける必要がない。また、プリント配線板２表面に
ソルダーレジストを形成した場合、上記プリント配線板
２と注入ゲート残部５がソルダーレジストを介して接着
するので密着性がよくなる。In such a resin-sealed semiconductor device 1, the injection gate residue 5 is left on the printed wiring board 2, so that the resin injection gate on the printed wiring board 2 is different from the prior art. It is not necessary to provide a metal thin film layer such as gold plating at a position corresponding to the above. Further, when a solder resist is formed on the surface of the printed wiring board 2, the printed wiring board 2 and the remaining injection gate 5 are bonded via the solder resist, so that the adhesion is improved.
【００１２】（形態例２）図４は、本発明のＢＧＡ型の
樹脂封止型半導体装置の他の形態例を示す概略上面図で
あり、図５は、本発明のＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装
置の他の形態例を示す概略側面図である。形態例１と同
一のものについては同一の符号を付し、説明を省略す
る。この樹脂封止型半導体装置１０は、スルーゲート方
式の樹脂封止によって製造されるものである。(Embodiment 2) FIG. 4 is a schematic top view showing another embodiment of the BGA-type resin-sealed semiconductor device of the present invention. FIG. 5 is a BGA-type resin-sealed semiconductor device of the present invention. FIG. 13 is a schematic side view showing another example of the semiconductor device of the type. The same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The resin-sealed semiconductor device 10 is manufactured by through-gate resin sealing.
【００１３】この樹脂封止型半導体装置１０は、図４お
よび図５に示すように、配線パターン（図示略）が形成
されたプリント配線板２と、このプリント配線板２上に
接着剤によって固定され、ボンディングワイヤで接続さ
れた半導体チップ（図示略）を封止する樹脂封止部３ａ
と、プリント配線板２裏面の配線パターンに接続される
半田ボール４とから概略構成される。また、プリント配
線板２上の１コーナーには、樹脂注入用ゲートに対応す
る位置に注入ゲート残部５が残留し、注入ゲート残部５
に対して対角のコーナーにはスルーゲート残部８が残留
している。As shown in FIGS. 4 and 5, this resin-sealed semiconductor device 10 is fixed to a printed wiring board 2 on which a wiring pattern (not shown) is formed by an adhesive. And a resin sealing portion 3a for sealing a semiconductor chip (not shown) connected by bonding wires.
And a solder ball 4 connected to a wiring pattern on the back surface of the printed wiring board 2. In addition, at one corner on the printed wiring board 2, an injection gate residue 5 remains at a position corresponding to the resin injection gate.
On the other hand, a through-gate remaining portion 8 remains at the diagonal corner.
【００１４】上記スルーゲート残部８の厚さは、樹脂封
止部３ａの厚さと同程度、もしくはそれ以下であること
が好ましい。また、プリント配線板２表面の樹脂注入用
ゲートに対応する位置およびスルーゲートに対応する位
置には、ソルダーレジストが形成されていてもよい。The thickness of the through gate remaining portion 8 is preferably equal to or less than the thickness of the resin sealing portion 3a. A solder resist may be formed on the surface of the printed wiring board 2 at a position corresponding to the resin injection gate and at a position corresponding to the through gate.
【００１５】次に、本形態例の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。図６は、スルーゲート方式
による樹脂封止直後の基板の状態を示す概略図である。
まず、あらかじめ複数の配線パターンが形成された帯状
の基板６上に、複数の半導体チップを長手方向に二列に
搭載する。この基板６を金型に設置し、加熱溶融した樹
脂を金型内に充填し、樹脂封止部３ａ，３ｂを形成す
る。樹脂封止工程において帯状の基板６上に形成された
１段目の樹脂封止部３ａの１コーナーには、注入ゲート
残部５が接続されたまま残っている。また、注入ゲート
残部５に対して対角側にある１段目の樹脂封止部３ａの
１コーナーと２段目の樹脂封止部３ｂの１コーナーに
は、スルーゲート残部８がそれぞれに接続されたまま残
っている。この樹脂封止部３ａ，３ｂが形成された基板
６は、注入ゲート残部５およびスルーゲート残部８を残
したまま次の切断工程に移され、ダイジング等を用いて
切断位置７の部分で切断され、複数個のパッケージとな
る。このパッケージの裏面に半田ボール４を配置して樹
脂封止型半導体装置１０が完成する。Next, a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to this embodiment will be described. FIG. 6 is a schematic diagram showing a state of the substrate immediately after resin sealing by the through gate method.
First, a plurality of semiconductor chips are mounted in two rows in the longitudinal direction on a strip-shaped substrate 6 on which a plurality of wiring patterns are formed in advance. The substrate 6 is placed in a mold, and the resin melted by heating is filled in the mold to form resin sealing portions 3a and 3b. At the one corner of the first-stage resin sealing portion 3a formed on the belt-shaped substrate 6 in the resin sealing step, the injection gate remaining portion 5 remains connected. Further, a through-gate remaining portion 8 is connected to one corner of the first-stage resin sealing portion 3a and one corner of the second-stage resin sealing portion 3b on the diagonal side of the injection gate remaining portion 5, respectively. It remains as it was. The substrate 6 on which the resin sealing portions 3a and 3b are formed is transferred to the next cutting step while leaving the remaining injection gate 5 and the remaining through gate 8, and cut at the cutting position 7 using dicing or the like. And a plurality of packages. The solder ball 4 is arranged on the back surface of the package, and the resin-sealed semiconductor device 10 is completed.
【００１６】このような樹脂封止型半導体装置１０にあ
っては、プリント配線板２上に注入ゲート残部５を残留
させているので、従来のように、プリント配線板２上の
樹脂注入用ゲートに対応する位置に金メッキ等の金属薄
膜層を設ける必要がない。また、スルーゲート方式を用
いているので、パッケージ取り数を増やすことができ、
樹脂封止型半導体装置１０一個当たりの製造コストを低
減することができる。また、プリント配線板２表面にソ
ルダーレジストを形成した場合、上記プリント配線板２
と注入ゲート残部５、およびプリント配線板２とスルー
ゲート残部８がソルダーレジストを介して接着するので
密着性がよくなる。In such a resin-encapsulated semiconductor device 10, since the injection gate remaining portion 5 remains on the printed wiring board 2, the resin injection gate on the printed wiring board 2 differs from the conventional one. It is not necessary to provide a metal thin film layer such as gold plating at a position corresponding to the above. Also, since the through gate method is used, the number of packages can be increased,
The manufacturing cost per resin-encapsulated semiconductor device 10 can be reduced. When a solder resist is formed on the surface of the printed wiring board 2,
And the remaining portion of the injection gate 5 and the remaining portion of the printed wiring board 2 and the through gate 8 are adhered via the solder resist, so that the adhesion is improved.
【００１７】なお、上記形態例では、ＢＧＡの樹脂封止
型半導体装置の例を示したが、本発明はこれらに限定さ
れるものではなく、例えば、ＰＧＡ（ピン・グリッド・
アレイ）、ＩＣカード用モジュールなどのような、プリ
ント配線板の外縁部から離れた内側を樹脂封止する樹脂
封止型半導体装置に適用することができる。In the above embodiment, the example of the BGA resin-sealed semiconductor device has been described. However, the present invention is not limited to these. For example, PGA (Pin Grid
The present invention can be applied to a resin-sealed semiconductor device such as an array) or an IC card module that seals the inside of the printed wiring board away from the outer edge portion with a resin.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置にあっては、プリント配線板上にゲート残
部を残留させているので、従来のように、プリント配線
板上の樹脂注入用ゲートに対応する位置に金メッキ等の
金属薄膜層を設ける必要がなく、樹脂封止型半導体装置
の製造コストを低減することができる。また、プリント
配線板上に残留する余分な樹脂を取り除く必要がないの
で、スルーゲート方式の樹脂封止を用いることができ
る。そのため、１枚の基板からのパッケージ取り数を増
やすことができ、樹脂封止型半導体装置の製造コストを
さらに低減することができる。As described above, in the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the remaining gate is left on the printed wiring board. There is no need to provide a metal thin film layer such as gold plating at a position corresponding to the injection gate, and the manufacturing cost of the resin-encapsulated semiconductor device can be reduced. Further, since there is no need to remove excess resin remaining on the printed wiring board, a through-gate type resin sealing can be used. Therefore, the number of packages to be taken from one substrate can be increased, and the manufacturing cost of the resin-encapsulated semiconductor device can be further reduced.
【図１】 本発明の樹脂封止型半導体装置の一形態例を
示す概略上面図である。FIG. 1 is a schematic top view showing one embodiment of a resin-sealed semiconductor device of the present invention.
【図２】 本発明の樹脂封止型半導体装置の一形態例を
示す概略側面図である。FIG. 2 is a schematic side view showing one embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention.
【図３】 樹脂封止直後の基板の状態の一形態例を示す
概略上面図である。FIG. 3 is a schematic top view showing an example of a state of a substrate immediately after resin sealing.
【図４】 本発明の樹脂封止型半導体装置の他の形態例
を示す概略上面図である。FIG. 4 is a schematic top view showing another embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention.
【図５】 本発明の樹脂封止型半導体装置の他の形態例
を示す概略側面図である。FIG. 5 is a schematic side view showing another embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention.
【図６】 樹脂封止直後の基板の状態の他の形態例を示
す概略上面図である。FIG. 6 is a schematic top view showing another example of the state of the substrate immediately after resin sealing.
【図７】 従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す側
断面図である。FIG. 7 is a side sectional view showing an example of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図８】 従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程
の一例を示す側断面図である。FIG. 8 is a side sectional view showing an example of a resin sealing step of a conventional resin-sealed semiconductor device.
【図９】 従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程
の他の例を示す側断面図である。FIG. 9 is a side sectional view showing another example of the resin sealing step of the conventional resin-sealed semiconductor device.
１ 樹脂封止型半導体装置 ２ プリント配線板 ３ 樹脂封止部 ３ａ 樹脂封止部 ３ｂ 樹脂封止部 ５ 樹脂注入用ゲート部樹脂（ゲート残部） ８ スルーゲート部樹脂（スルーゲート残部） １０ 樹脂封止型半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin-sealed semiconductor device 2 Printed wiring board 3 Resin-sealed part 3a Resin-sealed part 3b Resin-sealed part 5 Gate resin for resin injection (remaining gate) 8 Resin for through gate part (remaining through-gate) 10 Resin sealing Semiconductor device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AD19 AD20 AD33 AH33 CA12 CB01 CB12 CK06 CK89 4F206 AD19 AD20 AD33 AH37 JA02 JB17 JF01 JF05 JL02 JM04 JN14 JN25 JN41 JQ81 4M109 AA01 BA04 CA21 DB20 FA06 5F061 AA01 BA04 CA21 CB02 CB12 DA05 DA12 DD14 EA11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference) 4F202 AD19 AD20 AD33 AH33 CA12 CB01 CB12 CK06 CK89 4F206 AD19 AD20 AD33 AH37 JA02 JB17 JF01 JF05 JL02 JM04 JN14 JN25 JN41 JQ81 4M109 AA01 BA04 CA21 DB20 FA06 BA12 CAB DA12 DD14 EA11
Claims (2)
ップを、金型を用いて樹脂封止してなる樹脂封止型半導
体装置において、 上記プリント配線板上には、上記金型に設けられた樹脂
注入用ゲートおよび／またはスルーゲートに対応する位
置に、樹脂注入用ゲート部樹脂および／またはスルーゲ
ート部樹脂が残留していることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。1. A resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a printed wiring board is resin-sealed using a mold, wherein the semiconductor chip is provided in the mold on the printed wiring board. A resin-sealed semiconductor device, characterized in that a resin for a gate portion for resin injection and / or a resin for a through gate portion remain at a position corresponding to the gate for resin injection and / or the through gate.
部樹脂との間、および／または上記プリント配線板とス
ルーゲート部樹脂との間には、ソルダーレジストが形成
されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型
半導体装置。2. A solder resist is formed between the printed wiring board and the resin for injecting resin and / or between the printed wiring board and the resin for the through gate. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1.
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| JP2000022047A true JP2000022047A (en) | 2000-01-21 |
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Family Applications (1)
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1998
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