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IT1307686B1 - Circuito di lettura per celle di memoria non volatile senzalimitazioni della tensione di alimentazione. - Google Patents

Circuito di lettura per celle di memoria non volatile senzalimitazioni della tensione di alimentazione.

Info

Publication number
IT1307686B1
IT1307686B1 IT1999TO000290A ITTO990290A IT1307686B1 IT 1307686 B1 IT1307686 B1 IT 1307686B1 IT 1999TO000290 A IT1999TO000290 A IT 1999TO000290A IT TO990290 A ITTO990290 A IT TO990290A IT 1307686 B1 IT1307686 B1 IT 1307686B1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
power supply
supply voltage
memory cells
volatile memory
reading circuit
Prior art date
Application number
IT1999TO000290A
Other languages
English (en)
Inventor
Carmelo Condemi
Placa Michele La
Ignazio Martines
Original Assignee
St Microelectronics Srl
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by St Microelectronics Srl filed Critical St Microelectronics Srl
Priority to IT1999TO000290A priority Critical patent/IT1307686B1/it
Priority to US09/546,957 priority patent/US6324098B1/en
Publication of ITTO990290A1 publication Critical patent/ITTO990290A1/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1307686B1 publication Critical patent/IT1307686B1/it

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
IT1999TO000290A 1999-04-13 1999-04-13 Circuito di lettura per celle di memoria non volatile senzalimitazioni della tensione di alimentazione. IT1307686B1 (it)

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US09/546,957 US6324098B1 (en) 1999-04-13 2000-04-11 Reading circuit for nonvolatile memory cells without limitation of the supply voltage

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ITTO990290A1 ITTO990290A1 (it) 2000-10-13
IT1307686B1 true IT1307686B1 (it) 2001-11-14

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3611497B2 (ja) * 2000-03-02 2005-01-19 松下電器産業株式会社 電流センスアンプ
IT1318013B1 (it) * 2000-06-13 2003-07-21 St Microelectronics Srl Disposizione circuitale per l'abbassamento della tensione di soglia di un transistore configurato a diodo.
CN100490014C (zh) * 2002-04-27 2009-05-20 力旺电子股份有限公司 存储器和读取存储器的方法
US6898124B1 (en) * 2003-10-03 2005-05-24 Advanced Micro Devices, Inc. Efficient and accurate sensing circuit and technique for low voltage flash memory devices
US7548484B2 (en) * 2005-09-29 2009-06-16 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor memory device having column decoder
US9437257B2 (en) * 2012-12-31 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sensing circuit, memory device and data detecting method
US11443175B2 (en) 2018-07-11 2022-09-13 Silicon Storage Technology, Inc. Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2694119B1 (fr) * 1992-07-24 1994-08-26 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de lecture pour mémoire, avec recharge et équilibrage avant lecture.
DE69633912D1 (de) * 1996-03-29 2004-12-30 St Microelectronics Srl Anordnung zum Generieren einer Spannung als Funktion der Leitfähigkeit einer Elementarzelle, insbesondere für nichtflüchtige Speicher
DE69629669T2 (de) * 1996-06-18 2004-07-08 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Leseverfahren und -schaltung für nichtflüchtige Speicherzellen mit Entzerrerschaltung
US5805500A (en) * 1997-06-18 1998-09-08 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Circuit and method for generating a read reference signal for nonvolatile memory cells

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ITTO990290A1 (it) 2000-10-13
US6324098B1 (en) 2001-11-27

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