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IT1246759B - Struttura integrata di transistore bipolare di potenza e di transistore bipolare di bassa tensione nelle configurazioni ''emitter switching'' o ''semi-ponte'' e relativi processi di fabbricazione. - Google Patents

Struttura integrata di transistore bipolare di potenza e di transistore bipolare di bassa tensione nelle configurazioni ''emitter switching'' o ''semi-ponte'' e relativi processi di fabbricazione.

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IT1246759B
IT1246759B IT02257790A IT2257790A IT1246759B IT 1246759 B IT1246759 B IT 1246759B IT 02257790 A IT02257790 A IT 02257790A IT 2257790 A IT2257790 A IT 2257790A IT 1246759 B IT1246759 B IT 1246759B
Authority
IT
Italy
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transistor
bridge
semi
configurations
low voltage
Prior art date
Application number
IT02257790A
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English (en)
Other versions
IT9022577A0 (it
IT9022577A1 (it
Inventor
Santo Puzzolo
Raffaele Zambrano
Mario Paparo
Original Assignee
Sgs Thomson Microelectronics
Cons Ric Microelettronica
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Filing date
Publication date
Application filed by Sgs Thomson Microelectronics, Cons Ric Microelettronica filed Critical Sgs Thomson Microelectronics
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Priority to EP91203337A priority patent/EP0493854B1/en
Priority to DE69122598T priority patent/DE69122598T2/de
Priority to US07/812,704 priority patent/US5376821A/en
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IT02257790A 1990-12-31 1990-12-31 Struttura integrata di transistore bipolare di potenza e di transistore bipolare di bassa tensione nelle configurazioni ''emitter switching'' o ''semi-ponte'' e relativi processi di fabbricazione. IT1246759B (it)

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JP30482391A JP3166980B2 (ja) 1990-12-31 1991-11-20 集積構造及びその製造方法
EP91203337A EP0493854B1 (en) 1990-12-31 1991-12-18 Integrated structure of a bipolar power transistor and a low voltage bipolar transistor in the emitter switching or semibridge configurations and associated manufacturing processes
DE69122598T DE69122598T2 (de) 1990-12-31 1991-12-18 Integrierte Struktur eines bipolaren Leistungstransistors und eines Wiederspannungsbipolartransistors in Emittorschaltungs- oder Halbbrückenanordnung und dies bezügliche Herstellungsverfahren
US07/812,704 US5376821A (en) 1990-12-31 1991-12-23 Integrated emitter switching configuration using bipolar transistors
US08/273,589 US5500551A (en) 1990-12-31 1994-07-11 Integrated emitter switching configuration using bipolar transistors

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IT9022577A1 IT9022577A1 (it) 1992-07-01
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5866461A (en) * 1990-12-30 1999-02-02 Stmicroelectronics S.R.L. Method for forming an integrated emitter switching configuration using bipolar transistors
DE69315813T2 (de) * 1992-12-28 1998-06-10 Koninkl Philips Electronics Nv Kaskodenschaltungsstruktur mit bipolaren Epitoxial-Transistoren und niedrig gelegenem Basisanschluss
EP0751573A1 (en) * 1995-06-30 1997-01-02 STMicroelectronics S.r.l. Integrated power circuit and corresponding manufacturing process
EP0810662A1 (en) * 1996-05-29 1997-12-03 Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno An integrated device in an "emitter switching" configuration and with a cellular structure
EP0977264B1 (en) * 1998-07-31 2006-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structure for driver circuits with level shifting
KR100922423B1 (ko) * 2002-09-06 2009-10-16 페어차일드코리아반도체 주식회사 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
DE102004037186B4 (de) * 2003-08-13 2010-04-15 Atmel Automotive Gmbh Bipolares Halbleiterbauelement mit Kaskodenstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
EP1654768A1 (de) * 2003-08-13 2006-05-10 ATMEL Germany GmbH Verfahren zur verbesserung elektrischer eigenschaften aktiver bipolarbauelemente
JP4775683B2 (ja) * 2003-09-29 2011-09-21 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体集積回路装置
DE102004037252A1 (de) 2004-07-31 2006-03-23 Atmel Germany Gmbh Verfahren zur Integration von drei Bipolartransistoren in einem Halbleiterkörper, Mehrschichtbauelement und Halbleiteranordnung
DE102004044835B4 (de) * 2004-09-14 2008-12-11 Atmel Germany Gmbh Integrierte Halbleiter-Kaskodenschaltung für Hochfrequenzanwendungen
DE102005009725A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-07 Atmel Germany Gmbh Verfahren zur Integration von zwei Bipolartransistoren in einen Halbleiterkörper, Halbleiteranordnung in einem Halbleiterkörper und Kaskodenschaltung
FR2919896B1 (fr) * 2007-08-07 2009-10-30 Snecma Sa Turboreacteur comprenant un generateur de courant monte dans la soufflante et un procede de montage dudit generateur dans la soufflante
US8598008B2 (en) * 2010-10-20 2013-12-03 Texas Instruments Incorporated Stacked ESD clamp with reduced variation in clamp voltage
CN109459915B (zh) * 2018-11-06 2022-02-01 恒科科技产业有限公司 一种打印机墨粉耗材制作加工设备及墨粉耗材制作工艺
CN116153992B (zh) * 2023-04-21 2023-06-23 上海陆芯电子科技有限公司 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4458158A (en) * 1979-03-12 1984-07-03 Sprague Electric Company IC Including small signal and power devices
IT1217323B (it) * 1987-12-22 1990-03-22 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata di transistor bipolare di potenza di alta tensione e di transistor mos di potenza di bassa tensione nella configurazione"emitter switching"e relativo processo di fabbricazione
IT1217322B (it) * 1987-12-22 1990-03-22 Sgs Microelettronica Spa Procedimento di fabbricazione di un dispositivo nonolitico a semiconduttope comprendente almeno un transistor di un circuito integrato di comando e un transistor di rotenza in tegrato nella stessa piastrina
EP0347550A3 (en) * 1988-06-21 1991-08-28 Texas Instruments Incorporated Process for fabricating isolated vertical and super beta bipolar transistors
IT1234252B (it) * 1989-06-16 1992-05-14 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo a semiconduttore comprendente un circuito di comando e uno stadio di potenza a flusso di corrente verticale integrati in modo monolitico nella stessa piastrina e relativo processo di fabbricazione

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JPH0613556A (ja) 1994-01-21
EP0493854A1 (en) 1992-07-08
DE69122598T2 (de) 1997-03-06
US5376821A (en) 1994-12-27
US5500551A (en) 1996-03-19
DE69122598D1 (de) 1996-11-14
JP3166980B2 (ja) 2001-05-14
IT9022577A0 (it) 1990-12-31
EP0493854B1 (en) 1996-10-09
IT9022577A1 (it) 1992-07-01

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