FR73531E - Réalisation d'un transistron au germanium obtenu par la méthode de double diffusion - Google Patents
Réalisation d'un transistron au germanium obtenu par la méthode de double diffusionInfo
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FR764426A FR73531E (fr) | 1958-04-30 | 1958-04-30 | Réalisation d'un transistron au germanium obtenu par la méthode de double diffusion |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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FR73531E true FR73531E (fr) | 1960-08-22 |
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ID=8706381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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FR764426A Expired FR73531E (fr) | 1958-04-30 | 1958-04-30 | Réalisation d'un transistron au germanium obtenu par la méthode de double diffusion |
Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1212215C2 (de) * | 1961-07-12 | 1974-03-28 | Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen |
-
1958
- 1958-04-30 FR FR764426A patent/FR73531E/fr not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1212215C2 (de) * | 1961-07-12 | 1974-03-28 | Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen | |
DE1212215B (de) * | 1961-07-12 | 1974-03-28 | Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen |
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