FR3127762A1 - Dispositif de chauffage d’un substrat pour dépôt sous vide - Google Patents
Dispositif de chauffage d’un substrat pour dépôt sous vide Download PDFInfo
- Publication number
- FR3127762A1 FR3127762A1 FR2110540A FR2110540A FR3127762A1 FR 3127762 A1 FR3127762 A1 FR 3127762A1 FR 2110540 A FR2110540 A FR 2110540A FR 2110540 A FR2110540 A FR 2110540A FR 3127762 A1 FR3127762 A1 FR 3127762A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- heat source
- substrate
- heating
- support
- heating plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Ce dispositif de chauffage d’un substrat (2) dans une enceinte sous vide pour dépôt multicouche sur ledit substrat (2) comprend une source de chaleur (5) destinée à être en contact avec le substrat (2), un support (6) de la source de chaleur (5), un isolant thermique (7) positionné entre le support (6) et la source de chaleur (5), une batterie d’alimentation (8) de la source de chaleur (5), et une structure de maintien (15) du substrat (2) contre la source de chaleur (5). Figure pour l’abrégé : Fig 1
Description
La présente invention concerne le dépôt de couches minces sur un substrat, par exemple un élément optique.
La présente invention concerne plus particulièrement le chauffage du substrat sur lequel sont déposées des couches minces, le chauffage du substrat favorisant la bonne tenue des couches minces.
Techniques antérieures
Les traitements optiques multicouches sont des traitements appliqués sur des surfaces par des procédés d’empilement de couches minces. Les performances optiques de ces traitements dépendent en partie de leur épaisseur et du matériau utilisé.
En revanche, la tenue mécanique de ces couches minces en réponse à des agents extérieurs tels que des composés chimiques ou l’abrasion sous toute ses formes dépend essentiellement des matériaux utilisés, en particulier celui de la couche située la plus à l’extérieur, ainsi que de la microstructure des couches, notamment le taux de porosité.
Pour obtenir des couches comprenant un faible taux de porosités, il est nécessaire de chauffer le plus fortement possible le substrat sur lequel sont déposées les couches minces.
Les solutions pour élever la température dans un bâti de dépôt sous vide permettent généralement de chauffer l’intégralité de l’enceinte à l’intérieur du bâti. En effet, on utilise généralement des lampes infrarouges ou des radiateurs céramiques fixes, alimentés par une source d’alimentation électrique externe branchée sur le secteur et nécessitant des passages électriques étanches au travers d’une paroi du bâti.
Or, les substrats ou pièces optiques à traiter sont en général fixés sur un support tournant, d’où la nécessité de devoir chauffer l’intégralité de l’enceinte sans pouvoir cibler le substrat.
La chauffe de l’entièreté de l’enceinte entraîne un temps long de réponse et de stabilisation de la température, pouvant créer des surélévations de la température des pièces par rapport à la consigne. Additionnellement, une chauffe globale implique une méconnaissance de la température exacte du substrat ou des autres éléments que contient l’enceinte.
La chauffe de l’enceinte peut également impliquer la dégradation de certains éléments de l’enceinte tels que les joints du bâti, et implique un dégazage important, dégradant le vide de l’enceinte.
En outre, la consommation électrique de ce mode de chauffage est importante.
De plus, les substrats à application infrarouge, étant transparents dans ce domaine spectral, sont peu sensibles et donc difficiles à chauffer par radiation thermique utilisant le rayonnement infrarouge.
Enfin, et compte tenu de la dispersion de la chaleur dans l’enceinte, la température interne de l’enceinte atteint généralement une température limite autour de 250°C à 300° C, ce qui limite les performances des couches minces en ce qui concerne la protection mécanique et chimique, et ce qui rend impossible l’élaboration de matériau théoriquement idéaux de type diamant ou nitrure de bore cubique.
La présente invention a donc pour but de pallier les inconvénients précités et d’assurer uniquement la chauffe du substrat.
La présente invention a pour objet un dispositif de chauffage d’un substrat dans une enceinte sous vide pour dépôt multicouche sur ledit substrat, le dispositif comprenant une source de chaleur destinée à être en contact avec le substrat, un support de la source de chaleur, un isolant thermique positionné entre le support et la source de chaleur, une batterie d’alimentation de la source de chaleur, et une structure de maintien du substrat contre la source de chaleur.
Ainsi, ce système autonome et embarqué permet d’engendrer une source de chaleur au plus près du substrat et ainsi de pouvoir garder une liberté de mouvement du support sans limite de température du substrat. La température est rapidement atteignable. Elle peut facilement dépasser les 1000°C. De plus, le dispositif de chauffage est peu onéreux comparé aux dispositifs existants et il garantit un meilleur vide dans l’enceinte dans la mesure où seules les pièces à traiter sont chauffées.
Avantageusement, la source de chaleur comprend au moins une plaque chauffante, un support isolant électriquement destiné à être en contact avec l’isolant thermique et destiné à supporter la plaque chauffante, et deux électrodes reliées à la batterie d’alimentation d’une part et à la plaque chauffante d’autre part.
Avantageusement, la plaque chauffante comprend un dépôt d’une couche résistive.
Dans un mode de réalisation, la couche résistive comprend une couche mince de chrome ou de nickel-chrome, le support isolant électriquement comprenant de l’alumine, les deux électrodes comprenant une couche d’or.
Avantageusement, la structure de maintien est solidaire de la source de chaleur et est réalisée à partir d’un matériau à faible conduction thermique.
Avantageusement, le dispositif de chauffage comprend en outre un microcontrôleur, un capteur de température et une microcarte radiofréquence de sorte que la microcarte envoie et reçoit des informations et des commandes entre l’intérieur de l’enceinte et l’extérieur de l’enceinte.
Avantageusement, la batterie est une batterie électrique compatible d’une utilisation sous-vide.
Dans un mode particulier de réalisation, la résistance électrique de la plaque chauffante est comprise entre 1 et 100 Ohms, de préférence entre 5 et 15 Ohms.
La présente invention a également pour objet une enceinte de dépôt multicouche comprenant un dispositif de chauffage tel que défini précédemment.
D’autres buts, caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront à la lecture de la description suivante, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif, et faite en référence au dessin annexé sur lequel :
Exposé détaillé d’au moins un mode de réalisation
On a représenté sur la une vue schématique d’un dispositif de chauffage 1 d’un substrat 2. Le substrat 2 est destiné à accueillir un dépôt multicouche, par exemple un traitement optique, sur une surface de traitement 3.
Le dispositif de chauffage 1 est destiné à être placé dans une enceinte sous vide délimité par un bâti étanche (non représenté) comprenant des moyens de dépôt, par exemple des canons à électrons, nécessaires à l’élaboration de traitements multicouche.
Le dispositif de chauffage 1 comprend une source de chaleur 5 destinée à être en contact avec le substrat 2, un support 6 de la source de chaleur 5, un isolant thermique 7 positionné entre le support 6 et la source de chaleur 5 et une batterie d’alimentation 8 de la source de chaleur 5.
La source de chaleur 5 comprend en particulier une ou plusieurs plaques chauffantes 10, un support isolant électriquement 11 et deux électrodes 12.
La plaque chauffante 10 comprend un dépôt d’une couche résistive déposée sur le support isolant électriquement 11. La couche résistive est par exemple une couche mince de chrome ou de nickel-chrome de 10 à 100 nanomètres d’épaisseur. Le dépôt de la couche résistive forme des fils résistifs ou une couche continue. La plaque chauffante 10 est réalisé par pulvérisation cathodique, des procédés de photolithographie permettant de varier la forme finale de la couche résistive. La résistance électrique de la plaque chauffante 10 est comprise entre 1 et 100 Ohms, de préférence entre 5 et 15 Ohms. Le support isolant électriquement 11 est par exemple de l’alumine ou encore du quartz. Le support isolant électriquement 11 est par exemple collé directement à l’isolant thermique 7, la plaque chauffante 10 s’étendant sur le reste de la surface non collée du support isolant électriquement 11.
Les électrodes 12 sont positionnées à deux extrémités de la source de chaleur 5 contre la couche résistive de la plaque chauffante 10. Les électrodes 12 comprennent une couche d’or. La couche d’or permet la brasure haute température des fils électriques. Chaque électrode est reliée par des fils électriques 13 à la plaque chauffante 10 d’une part, en particulier à la couche résistive, et à la batterie d’alimentation 8 d’autre part. Le passage d’un courant électrique dans la plaque chauffante 10 élève rapidement la température de la plaque chauffante 10 ainsi que du support isolant électriquement 11 de manière à augmenter également la température du substrat 2.
Le support 6 de la source de chaleur 5 est par exemple rotatif et peut être orienté sur plusieurs axes. En particulier, le support 6 est par exemple une extension venant se fixer sur un support déjà existant sur des enceintes de dépôt multicouche préexistantes.
L’isolant thermique 7 est collé d’une part au support 6 et d’autre part au support isolant électriquement 11. Il permet de ne pas chauffer inutilement d’autres éléments de l’enceinte et ainsi de garantir toute la puissance de chauffe de la source de chaleur 5 pour le substrat 2.
La batterie d’alimentation 8 comprend une batterie électrique compatible avec une utilisation dans l’enceinte sous vide. La batterie d’alimentation 8 permet au dispositif de chauffage 1 de fonctionner de manière autonome en énergie et sans entraver les mouvements du support 6 avec des fils d’alimentation qui pourraient sortir de l’enceinte. La tension aux bornes de la batterie d’alimentation 8 est par exemple de 24 V pour un courant d’environ un ampère.
Le dispositif de chauffage 1 comprend en outre une structure de maintien 15 du substrat 2 contre la source de chaleur 5, un microcontrôleur 16, un capteur de température 17 et une microcarte radiofréquence 18.
La structure de maintien 15 permet de chauffer le substrat 2 par conduction directe entre la couche résistive de la plaque chauffante 10 et le substrat 2. La structure de maintien 15 est solidaire et fixée à la source de chaleur 5, par exemple fixée dans le support isolant électriquement 11. La structure de maintien 15 est réalisée dans un matériau à faible conduction thermique.
Le microcontrôleur 16 comprend un régulateur proportionnel, intégral, dérivé permettant de piloter l’énergie sortant de la source de chaleur 5 en fonction de différents programmes de chauffage, des informations reçues par le capteur de température 17 ou en fonction des commandes reçues par la microcarte radiofréquence 18. Le microcontrôleur 16 est par exemple relié à la microcarte radiofréquence 18, au capteur de température 17 et à la batterie d’alimentation 8. Le microcontrôleur 16 comprend optionnellement un circuit d’amplification du signal du capteur de température 17.
Le capteur de température 17 comprend un thermocouple mesurant la température à proximité de la surface de traitement 3. Par exemple, le capteur de température 17 est fixé à la structure de maintien 15 et mesure la température de la surface de traitement 3 à moins de 10 millimètres de la surface de traitement 3. Le capteur de température 17 est relié au microcontrôleur 16.
La microcarte radiofréquence 18 comprend un émetteur/récepteur à antenne destiné à communiquer avec un émetteur/récepteur situé en dehors de l’enceinte sous vide. La fréquence de communication est par exemple de 433 MHz. La microcarte radiofréquence 18 ainsi que le microcontrôleur 16 permettent de piloter à distance la chauffe du substrat 2 et de contrôler la température dudit substrat 2.
Le dispositif de chauffage 1 étant de faibles dimensions, plusieurs dispositifs de chauffage 1 peuvent être disposés dans une enceinte de dépôt multicouche.
Claims (9)
- Dispositif de chauffage d’un substrat (2) dans une enceinte sous vide pour dépôt multicouche sur ledit substrat (2), caractérisé en ce qu’il comprend une source de chaleur (5) destinée à être en contact avec le substrat (2), un support (6) de la source de chaleur (5), un isolant thermique (7) positionné entre le support (6) et la source de chaleur (5), une batterie d’alimentation (8) de la source de chaleur (5), et une structure de maintien (15) du substrat (2) contre la source de chaleur (5).
- Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la source de chaleur (5) comprend au moins une plaque chauffante (10), un support isolant électriquement (11) destiné à être en contact avec l’isolant thermique (7) et destiné à supporter la plaque chauffante (10), et deux électrodes (12) reliées à la batterie d’alimentation (8) d’une part et à la plaque chauffante (10) d’autre part.
- Dispositif selon la revendication 2, dans lequel la plaque chauffante (10) comprend un dépôt d’une couche résistive.
- Dispositif selon la revendication 3, dans lequel la couche résistive comprend une couche mince de chrome ou de nickel-chrome, le support isolant électriquement (11) comprenant de l’alumine, les deux électrodes (12) comprenant une couche d’or.
- Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la structure de maintien (15) est solidaire de la source de chaleur (5) et est réalisée à partir d’un matériau à faible conduction thermique.
- Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre un microcontrôleur (16), un capteur de température (17) et une microcarte radiofréquence (18) de sorte que la microcarte radiofréquence (18) envoie et reçoit des informations et des commandes entre l’intérieur de l’enceinte et l’extérieur de l’enceinte.
- Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la batterie d’alimentation (8) est une batterie électrique compatible d’une utilisation sous-vide.
- Dispositif selon l’une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel la résistance électrique de la plaque chauffante (10) est comprise entre 1 et 100 Ohms, de préférence entre 5 et 15 Ohms.
- Enceinte de dépôt multicouche comprenant un dispositif de chauffage (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR2110540A FR3127762B1 (fr) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | Dispositif de chauffage d’un substrat pour dépôt sous vide |
PCT/FR2022/051846 WO2023057706A1 (fr) | 2021-10-05 | 2022-09-29 | Dispositif de chauffage d'un substrat pour dépôt sous vide |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR2110540 | 2021-10-05 | ||
FR2110540A FR3127762B1 (fr) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | Dispositif de chauffage d’un substrat pour dépôt sous vide |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3127762A1 true FR3127762A1 (fr) | 2023-04-07 |
FR3127762B1 FR3127762B1 (fr) | 2023-10-13 |
Family
ID=80447563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR2110540A Active FR3127762B1 (fr) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | Dispositif de chauffage d’un substrat pour dépôt sous vide |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR3127762B1 (fr) |
WO (1) | WO2023057706A1 (fr) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006065062A1 (fr) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Hyung Woo Kim | Appareil de chauffage pour substrat de depot de plaquettes |
US20110092072A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
US20170204510A1 (en) * | 2014-07-31 | 2017-07-20 | Ulvac, Inc. | Substrate processing device |
WO2021094665A1 (fr) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Safran Electronics & Defense | Porte substrat inclinable et orientable et système de dépôt multicouche sous vide le comprenant |
US20210225681A1 (en) * | 2018-10-30 | 2021-07-22 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
US20210249237A1 (en) * | 2018-10-30 | 2021-08-12 | Ulvac, Inc. | Vacuum Processing Apparatus |
-
2021
- 2021-10-05 FR FR2110540A patent/FR3127762B1/fr active Active
-
2022
- 2022-09-29 WO PCT/FR2022/051846 patent/WO2023057706A1/fr active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006065062A1 (fr) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Hyung Woo Kim | Appareil de chauffage pour substrat de depot de plaquettes |
US20110092072A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
US20170204510A1 (en) * | 2014-07-31 | 2017-07-20 | Ulvac, Inc. | Substrate processing device |
US20210225681A1 (en) * | 2018-10-30 | 2021-07-22 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
US20210249237A1 (en) * | 2018-10-30 | 2021-08-12 | Ulvac, Inc. | Vacuum Processing Apparatus |
WO2021094665A1 (fr) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Safran Electronics & Defense | Porte substrat inclinable et orientable et système de dépôt multicouche sous vide le comprenant |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023057706A1 (fr) | 2023-04-13 |
FR3127762B1 (fr) | 2023-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2462055A1 (fr) | Oscillateur haute frequence autothermostate | |
US6576566B2 (en) | Apparatus and method for forming thin film at low temperature and high deposition rate | |
US20210243858A1 (en) | Multi-layered radiation light source | |
FR2717262A1 (fr) | Détecteur de pression. | |
FR2999803A1 (fr) | Dispositif de detection infrarouge | |
FR2641436A1 (fr) | ||
WO1987005054A1 (fr) | Appareil pour traitements thermiques de pieces minces, telles que des plaquettes de silicium | |
WO2015140294A1 (fr) | Dispositif optique a membrane deformable a temps de reponse reduit | |
EP1829097A1 (fr) | Composant de detection de rayonnements electromagnetiques notamment infrarouges | |
FR3127762A1 (fr) | Dispositif de chauffage d’un substrat pour dépôt sous vide | |
EP1721136B1 (fr) | Procede de realisation d'un dispositif pour la detection thermique d'un rayonnement comportant un microbolometre actif et un microbolometre passif | |
CN110100160A (zh) | 电磁辐射探测器、特别是红外辐射探测器以及制造所述探测器的方法 | |
EP0093942B1 (fr) | Dispositif de refroidissement d'un laser a semi-conducteur | |
EP0627869A1 (fr) | Dispositif de chauffage et de régulation d'une table vitrocéramique | |
EP0126672A1 (fr) | Résonateur à thermostat infrarouge intégré | |
WO1993013556A1 (fr) | Systeme de refroidissement pour module 'multi-puces' | |
FR2685579A1 (fr) | Resonateur monopode antirayonnant. | |
WO2021176169A1 (fr) | Instrument optique spatial comprenant une garde thermique améliorée | |
EP0008275A1 (fr) | Connecteur enfichable comportant un dispositif autorégulé, destiné à stabiliser en température au moins un point de connexion | |
FR2748810A1 (fr) | Source de rayonnement infrarouge miniaturisee | |
FR2691723A1 (fr) | Appareil électroménager comportant un élément chauffant pourvu d'une zone de surchauffe locale. | |
JPH0853766A (ja) | 気相成長装置 | |
FR2671446A1 (fr) | Dispositif de chauffage pour enceinte de depot sous vide partiel de films minces sur un substrat. | |
FR2941578A1 (fr) | Dispositif d'emission d'un rayonnement infrarouge pulse | |
FR3064062A1 (fr) | Detecteur pyroelectrique |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20230407 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |