FR3057794B1 - IMPROVEMENTS IN SELECTIVE ADDITIVE MANUFACTURING - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un appareil pour fabriquer un objet tridimensionnel par fabrication additive comportant dans une enceinte : - un support pour le dépôt des couches successives de poudre de fabrication additive, - un arrangement de distribution adapté pour appliquer une couche de poudre sur ledit plateau ou sur une couche précédemment consolidée, - au moins une source d'énergie adaptée à la consolidation sélective d'une couche de poudre appliquée par l'arrangement de distribution, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre d'ionisation située au voisinage d'au moins un module et/ou composant optique/électronique à protéger des dépôts, sur le trajet de la vapeur chargée remontant vers ledit module et/ou composant dans l'enceinte.The invention relates to an apparatus for manufacturing a three-dimensional object by additive manufacturing comprising in an enclosure: a support for the deposition of successive layers of additive manufacturing powder; a distribution arrangement adapted to apply a layer of powder on said tray; on a layer previously consolidated, - at least one energy source adapted to the selective consolidation of a powder layer applied by the distribution arrangement, characterized in that it comprises an ionization chamber situated in the vicinity of at least one module and / or optical / electronic component to protect deposits, in the path of the charged vapor going up to said module and / or component in the enclosure.
Description
PERFECTIONNEMENTS A LA FABRICATION ADDITIVE SELECTIVEIMPROVEMENTS IN SELECTIVE ADDITIVE MANUFACTURING
La présente invention est relative à la fabrication additive sélective.The present invention relates to selective additive manufacturing.
DOMAINE TECHNIQUE GÉNÉRAL ET ART ANTÉRIEURGENERAL TECHNICAL FIELD AND PRIOR ART
La fabrication additive sélective consiste à réaliser des objets tridimensionnels par consolidation de zones sélectionnées sur des strates successives de matériau pulvérulent (poudre métallique, poudre de céramique). Les zones consolidées correspondent à des sections successives de l'objet tridimensionnel. La consolidation se fait, couche par couche, par une fusion sélective totale ou partielle réalisée avec une source de consolidation. Cette source est classiquement une source de rayonnement (par exemple un faisceau laser de forte puissance) ou encore une source de faisceau de particules (par exemple un faisceau d'électrons - technologie dite EBM ou « Electron Beam Melting » selon la terminologie anglo-saxonne généralement utilisée dans le domaine).Selective additive manufacturing consists in producing three-dimensional objects by consolidating selected areas on successive layers of powder material (metal powder, ceramic powder). The consolidated areas correspond to successive sections of the three-dimensional object. The consolidation is done, layer by layer, by a total or partial selective melting carried out with a source of consolidation. This source is conventionally a source of radiation (for example a high power laser beam) or a source of particle beam (for example an electron beam - technology called EBM or "Electron Beam Melting" according to the English terminology generally used in the field).
Il a également récemment été proposé des machines hybrides dans lesquelles on utilise plusieurs sources d'énergie pour réaliser la fusion sélective. Par exemple, la source primaire est un canon à électrons, qui est utilisé pour réaliser la fusion sélective au niveau du cœur de l'objet. Il est complété par une source secondaire, qui est une source laser et qui est utilisée, couche après couche, pour réaliser la fusion sélective au niveau des zones de peau ou de bordure. De cette façon, il est possible d'obtenir un objet présentant des propriétés mécaniques ou métallographiques différentes au niveau par exemple de sa périphérie (bordure ou peau) et dans son volume (cœur). Un exemple en ce sens est décrit dans la demande de brevet WO2013/092997.It has also recently been proposed hybrid machines in which several energy sources are used to achieve selective fusion. For example, the primary source is an electron gun, which is used to perform the selective fusion at the heart of the object. It is supplemented by a secondary source, which is a laser source and which is used, layer after layer, to carry out the selective fusion at the level of the skin or border zones. In this way, it is possible to obtain an object having different mechanical or metallographic properties, for example at its periphery (edge or skin) and in its volume (heart). An example of this is described in patent application WO2013 / 092997.
Dans les procédés de fabrication additive sélective, la vapeur, à l'état atomique ou sous forme d'amas d'atomes allant jusqu'à la poudre (également appelés « clusters »), est produite par la vaporisation de la surface sous l'effet du faisceau primaire (électrons ou laser) intense. Cette vapeur est essentiellement neutre, car le processus d'évaporation a lieu, en général, à l'équilibre thermodynamique.In selective additive manufacturing processes, the vapor, in the atomic state or in the form of clusters of atoms up to the powder (also called "clusters"), is produced by the vaporization of the surface under the effect of the primary beam (electrons or laser) intense. This vapor is essentially neutral, because the evaporation process takes place, in general, with thermodynamic equilibrium.
Or, à la pression atmosphérique ou sous vide, la vapeur chargée ainsi constituée a une forte capacité à se déposer (condensation) sur tout matériau solide avec lequel cette vapeur rentre en contact, et en particulier sur tous les métaux mais également sur les matériaux diélectriques (céramiques, verre, plastique, etc.) ou semi-conducteurs (silicium, germanium, GaAs, etc.).However, at atmospheric pressure or under vacuum, the charged vapor thus formed has a high capacity to deposit (condensation) on any solid material with which this vapor comes into contact, and in particular on all metals but also on dielectric materials (ceramics, glass, plastic, etc.) or semiconductors (silicon, germanium, GaAs, etc.).
Les particules de cette vapeur se propagent donc vers les parois de manière balistique à basse pression ou diffusive jusqu'à la pression atmosphérique.The particles of this vapor thus propagate to the walls in a ballistic manner at low pressure or diffusive up to atmospheric pressure.
Les dépôts qui en résultent sont particulièrement néfastes.The deposits that result are particularly harmful.
Ils conduisent à la formation, sur les éléments optiques à l'intérieur des enceintes de fabrication (miroirs, lentilles, optiques de caméras, etc...) de couches minces qui sont opaques pour des longueurs d'ondes allant de l'ultraviolet à l'infrarouge, donc incluant le visible.They lead to the formation, on the optical elements inside the manufacturing enclosures (mirrors, lenses, optics of cameras, etc ...) of thin layers which are opaque for wavelengths ranging from ultraviolet to infrared, so including the visible.
Plus généralement, ces dépôts encrassent tous les autres composants et ne sont pas souhaitables.More generally, these deposits foul all other components and are not desirable.
En outre, ces formations de dépôt sont d'autant plus importantes à basse pression car le libre parcours moyen des espèces est alors très grand, voir comparable avec les dimensions de l'enceinte de la machine.In addition, these deposition formations are all the more important at low pressure because the average free path of the species is then very large, or comparable with the dimensions of the enclosure of the machine.
Pour lutter contre les effets de ces dépôts, il est déjà connu de prévoir devant les optiques des caméras des films de protection déroulants et sacrificiels, qu'un opérateur peut avancer au fur et à mesure de leur encrassement.To combat the effects of these deposits, it is already known to provide in front of the optics of the film protection films and sacrificial droplet, that an operator can advance as and when their fouling.
Cette solution n'est pas pleinement satisfaisante. D'un point de vue mécanique, elle est complexe à mettre en œuvre dans une enceinte de fabrication additive.This solution is not fully satisfactory. From a mechanical point of view, it is complex to implement in an additive manufacturing enclosure.
En outre, les films de protection placés devant les optiques empêchent d'obtenir des images optimisées.In addition, the protective films placed in front of the optics prevent obtaining optimized images.
PRESENTATION GENERALE DE L'INVENTIONGENERAL PRESENTATION OF THE INVENTION
Un but général de l'invention est de pallier ces problématiques de dépôt.A general object of the invention is to overcome these problems of deposition.
Plus particulièrement, l'invention propose une solution permettant de limiter fortement les dépôts de vapeurs chargées dans les enceintes de fabrication additive sélective.More particularly, the invention provides a solution for greatly limiting the deposits of charged vapors in selective additive manufacturing enclosures.
Elle propose en outre une solution permettant de protéger contre ces dépôts les optiques utilisées à l'intérieur des enceintes et plus généralement permettant de protéger toute autre surface sensible indépendamment de sa nature. Également, l'invention propose une solution qui ne présente pas les inconvénients des solutions de l'art antérieur.It also provides a solution to protect against these deposits optics used inside the speakers and more generally to protect any other sensitive surface regardless of its nature. Also, the invention proposes a solution that does not have the disadvantages of the solutions of the prior art.
Notamment, selon un premier aspect, l'invention propose un appareil pour fabriquer un objet tridimensionnel par fabrication additive sélective comportant dans une enceinte : - un support pour le dépôt des couches successives de poudre de fabrication additive, - un arrangement de distribution adapté pour appliquer une couche de poudre sur ledit plateau ou sur une couche précédemment consolidée, - au moins une source adaptée à la consolidation sélective d'une couche de poudre appliquée par l'arrangement de distribution, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre d'ionisation située au voisinage d'au moins un module et/ou composant optique/électronique à protéger des dépôts, sur le trajet de la vapeur chargée remontant vers ledit module et/ou composant dans l'enceinte.In particular, according to a first aspect, the invention proposes an apparatus for manufacturing a three-dimensional object by selective additive manufacturing comprising in an enclosure: a support for the deposition of successive layers of additive manufacturing powder, a distribution arrangement adapted to apply a layer of powder on said plateau or on a layer previously consolidated, - at least one source adapted to the selective consolidation of a layer of powder applied by the distribution arrangement, characterized in that it comprises an ionization chamber located in the vicinity of at least one module and / or optical / electronic component to protect deposits, in the path of the vapor charged back to said module and / or component in the enclosure.
Un tel appareil trouve avantageusement application dans le cas où l'enceinte est une enceinte sous vide, mais s'applique également dans le cas où la fabrication est réalisée à pression atmosphérique ou à des pressions inférieures. L'ionisation peut etre realisee par une source d'electrons ou par une source de photons.Such an apparatus advantageously finds application in the case where the enclosure is a vacuum enclosure, but also applies in the case where the manufacture is carried out at atmospheric pressure or at lower pressures. Ionization can be carried out by an electron source or a photon source.
PRÉSENTATION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative, et doit être lue en regard des figures annexées sur lesquelles : - la figure 1 est une représentation schématique d'un appareil de fabrication additive sélective conforme à un mode de réalisation possible de l'invention ; - la figure 2 illustre de façon générale une configuration possible pour l'écran thermique et la chambre d'ionisation d'un appareil du type de celui de la figure 1 ; - les figures 3 et 4 illustrent deux modes de réalisation possibles pour la chambre d'ionisation d'un appareil du type de celui de la figure 1.PRESENTATION OF THE FIGURES Other features and advantages of the invention will become apparent from the description which follows, which is purely illustrative and nonlimiting, and should be read with reference to the appended figures in which: FIG. 1 is a diagrammatic representation of FIG. a selective additive manufacturing apparatus according to a possible embodiment of the invention; FIG. 2 generally illustrates a possible configuration for the heat shield and the ionization chamber of an apparatus of the type of that of FIG. 1; FIGS. 3 and 4 illustrate two possible embodiments for the ionization chamber of an apparatus of the type of FIG. 1.
DESCRIPTION D'UN OU PLUSIEURS MODES DE MISE EN ŒUVRE ET DE RÉALISATION Généralités L’appareil 1 de fabrication additive sélective de la figure 1 comprend : - un support tel qu'un plateau horizontal 3 sur lequel sont déposées successivement les différentes couches de poudre de fabrication additive (poudre métallique, poudre de céramique, etc.) permettant de fabriquer un objet tridimensionnel (objet 2 en forme de sapin sur la figure), - un réservoir de poudre 7 situé au-dessus du plateau 3, - un arrangement 4 pour la distribution de ladite poudre métallique sur le plateau, cet arrangement 4 comportant notamment une raclette 5 pour étaler les différentes couches successives de poudre (déplacement selon la double flèche A), - un ensemble 8 de sources d'energie pour la fusion (totale ou partielle) des couches fines étalées, - une unité de contrôle 9 qui assure le pilotage des différents composant de l'appareil 1 en fonction d'informations pré-mémorisées (mémoire M), - un mécanisme 10 pour permettre de descendre le support du plateau 3 au fur et à mesure du dépôt des couches (déplacement selon la double flèche B).DESCRIPTION OF ONE OR MORE MODES OF IMPLEMENTATION AND REALIZATION General The selective additive manufacturing apparatus 1 of FIG. 1 comprises: a support such as a horizontal plate 3 on which the various layers of powder are deposited successively; additive manufacturing (metal powder, ceramic powder, etc.) making it possible to manufacture a three-dimensional object (object 2 in the shape of a fir tree in the figure), - a powder reservoir 7 situated above the plate 3, - an arrangement 4 for the distribution of said metal powder on the plate, this arrangement 4 comprising in particular a squeegee 5 for spreading the different successive layers of powder (displacement along the double arrow A), - a set 8 of energy sources for the melting (total or partial) spread thin layers, - a control unit 9 which controls the various components of the device 1 according to pre-stored information (memory M), a mechanism 10 for allowing the support of the plate 3 to be lowered as the layers are deposited (displacement along the double arrow B).
Dans l'exemple décrit en référence à la figure 1, l’ensemble 8 comprend deux sources de consolidation: - un canon à faisceau d’électrons 11 et - une source 12 de type laser.In the example described with reference to FIG. 1, the assembly 8 comprises two sources of consolidation: an electron beam gun 11 and a laser source 12.
En variante, l'ensemble 8 peut ne comprendre qu'une source, par exemple une source d'énergie localisée sous vide ou à basse pression : canon à électrons, source laser, etc...As a variant, the assembly 8 may comprise only one source, for example a source of energy located under vacuum or at low pressure: electron gun, laser source, etc.
Un miroir galvanométrique 14 permet d’orienter et de déplacer le faisceau laser issu de la source 12 par rapport à l’objet 2 en fonction des informations envoyées par l’unité de contrôle 9.A galvanometric mirror 14 makes it possible to orient and move the laser beam coming from the source 12 with respect to the object 2 as a function of the information sent by the control unit 9.
Tout autre système de déviation peut bien entendu être envisagé.Any other deflection system can of course be considered.
Des bobines 15 et 16 de déflection et de focalisation permettent de défléchir et de focaliser localement le faisceau d'électrons sur les zones de couches à fritter ou fusionner.Deflection and focusing coils 15 and 16 locally deflect and focus the electron beam on the layer areas to be sintered or fused.
Les composants de l’appareil 1 sont agencés à l’intérieur d’une enceinte étanche 17 reliée à une pompe à vide 18 qui maintient un vide à l’intérieur de ladite enceinte 17 (typiquement environ 10'2 / 10'3 mbar, voire 10'4/ 10'6 mbar).The components of the apparatus 1 are arranged inside a sealed enclosure 17 connected to a vacuum pump 18 which maintains a vacuum inside said enclosure 17 (typically about 10'2 / 10'3 mbar, even 10'4 / 10'6 mbar).
Les parois de l'enceinte 17 sont de préférence en acier et sont suffisamment épaisses pour assurer la protection de l'opérateur contre les rayons X. L'enceinte 17 comporte par ailleurs des hublots (non représentés) permettant à l'opérateur de visualiser les différentes zones à l'intérieur de l'appareil, tout en assurant la protection contre les rayons X émis par le canon à électrons et contre les rayons lumineux émis par la source laser. L'appareil 1 peut en outre comprendre des moyens de mesure de la température, tels une caméra IR. ou CCD qui sont aptes à communiquer à l'unité de contrôle 9 des informations concernant la température de la couche de poudre et permettent d'ajuster ainsi les paramètres de fonctionnement du canon à électrons 11 ou de la source 12 de type laser.The walls of the enclosure 17 are preferably made of steel and are sufficiently thick to protect the operator against X-rays. The enclosure 17 furthermore includes portholes (not shown) enabling the operator to visualize the different areas inside the device, while providing protection against X-rays emitted by the electron gun and against the light rays emitted by the laser source. The apparatus 1 may further comprise temperature measuring means, such as an IR camera. or CCDs which are able to communicate to the control unit 9 information concerning the temperature of the powder layer and thus make it possible to adjust the operating parameters of the electron gun 11 or the laser source 12.
Dans un exemple d'utilisation possible, le faisceau laser 19 en provenance de la source 12 consolide, couche par couche, la peau ou bordure extérieure de l'objet 2. Le faisceau d'électrons 20 généré par le canon 11 est quant à lui utilisé pour consolider la partie centrale intérieure de l'objet 2 (cœur).In an example of possible use, the laser beam 19 from the source 12 consolidates, layer by layer, the skin or outer edge of the object 2. The electron beam 20 generated by the barrel 11 is meanwhile used to consolidate the inner core of object 2 (heart).
La consolidation réalisée par le faisceau d'électrons 20 peut se faire couche par couche, en même temps que la consolidation en périphérie par le faisceau laser 19. Le déplacement rapide du faisceau d'électrons 20 permet en effet de balayer et consolider la partie centrale de la couche, tandis que le déplacement du faisceau laser, plus lent, s'effectue simultanément sur un trajet plus court, qui est celui du contour de ladite partie centrale. Un fonctionnement inverse peut également être envisagé (balayage du cœur par le faisceau d'électrons et d'une zone de périphérie par le faisceau laser).The consolidation carried out by the electron beam 20 can be done layer by layer, at the same time as the consolidation at the periphery by the laser beam 19. The rapid displacement of the electron beam 20 makes it possible to sweep and consolidate the central portion of the layer, while the displacement of the laser beam, slower, occurs simultaneously on a shorter path, which is that of the contour of said central portion. Reverse operation can also be envisaged (scanning of the core by the electron beam and an area of periphery by the laser beam).
En variante, la consolidation par le faisceau d'électrons 20 peut se faire sur plusieurs couches, après que chacune de ces couches aient été fusionnées en périphérie par le faisceau laser 19.Alternatively, the consolidation by the electron beam 20 can be done in several layers, after each of these layers have been fused at the periphery by the laser beam 19.
Le fonctionnement d'un tel appareil, ainsi que le dimensionnement et paramétrage de ses différents composants sont par exemple du type de ceux envisagés dans la demande WO2013/092997. L'appareil 1 comporte en outre un écran thermique T.The operation of such an apparatus, as well as the sizing and parameterization of its various components are for example of the type envisaged in the application WO2013 / 092997. The apparatus 1 further comprises a heat shield T.
Cet écran T est en un matériau destiné à absorber les radiations issues de l'impact des faisceaux d'électrons sur les couches de poudre. À titre illustratif, il peut se présenter avec une forme parallélépipédique pourvue d'une ouverture dans la partie supérieure permettant le passage du faisceau primaire d'énergie (électrons, laser, etc.) et qui s'étend en s'évasant de ladite ouverture vers le plateau support.This screen T is a material for absorbing radiation from the impact of electron beams on the powder layers. By way of illustration, it may have a parallelepipedal shape provided with an opening in the upper part allowing the passage of the primary beam of energy (electrons, laser, etc.) and which extends by flaring out of said opening towards the support plate.
Cette forme est par exemple une forme tronc-pyramidale ou tronconique constituée par l'assemblage de plusieurs plaques ou secteurs dans le matériau destiné à absorber les radiations, par exemple en acier.This form is for example a truncated-pyramidal or frustoconical formed by the assembly of several plates or sectors in the material for absorbing radiation, for example steel.
Il peut être disposé au-dessus du plateau 2 et de la zone où les couches de poudre sont appliquées, avec un espace permettant le passage de la raclette 5.It can be arranged above the plate 2 and the zone where the powder layers are applied, with a space allowing the passage of the squeegee 5.
Chambre d'ionisationIonization chamber
En référence plus particulièrement à la figure 2, on a référencé par 21 sa base large située au-dessus du plan de dépôt du lit de poudre et par 22 sa petite base qui définit une ouverture 22 destinée à être traversée par la source d'énergie 19 de type laser et/ou par le faisceau d'électrons 20 lorsque ceux-ci sont envoyés sur le lit de poudre.Referring more particularly to FIG. 2, reference is made to 21 its wide base located above the deposition plane of the powder bed and 22 to its small base which defines an opening 22 intended to be traversed by the energy source. 19 of the laser type and / or the electron beam 20 when they are sent on the bed of powder.
Une chambre d'ionisation 23 est disposée au niveau de ladite ouverture 22, à la partie supérieure de l'écran thermique T.An ionization chamber 23 is disposed at said opening 22 at the top of the heat shield T.
Cette chambre 23 est définie par les parois intérieures d'une carcasse 25.This chamber 23 is defined by the inner walls of a carcass 25.
Elle débouche par une ouverture 26 à l'intérieur de l'écran thermique T, et par une ouverture 27 à l'extérieur de celui-ci.It opens through an opening 26 inside the heat shield T, and through an opening 27 outside thereof.
Ces ouvertures 26, 27 sont en regard l'une de l'autre.These openings 26, 27 are facing each other.
Les parois de ladite chambre 23 et lesdites ouvertures 26, 27 sont orientées pour permettre un trajet direct (optique, laser, etc.), à travers ladite chambre 23 et lesdites ouvertures 26, 27, entre un élément 24 à protéger (fenêtre optique transparente, capteur semi-conducteur, etc.) situé en regard de l'ouverture 27 (par exemple un élément qui s'étend en étant sensiblement normal à l'axe de l'ouverture 27), à l'extérieur de l'écran thermique, et un lit de poudre sur le plateau 3.The walls of said chamber 23 and said openings 26, 27 are oriented to allow a direct path (optical, laser, etc.), through said chamber 23 and said openings 26, 27, between an element 24 to protect (transparent optical window , semiconductor sensor, etc.) located opposite the opening 27 (for example an element which extends substantially normal to the axis of the opening 27), outside the heat shield , and a bed of powder on the tray 3.
Différents composants ou modules optiques/électroniques peuvent être disposés au niveau de cette fenêtre optique 24. Ce peut être le cas du laser 12 et/ou du miroir 14, ou encore d'une caméra, le cas échéant associé à des lentilles optiques, permettant d'observer le plateau 3 et le déroulement de la fabrication additive.Various components or optical / electronic modules may be arranged at this optical window 24. This may be the case of the laser 12 and / or the mirror 14, or a camera, possibly associated with optical lenses, allowing to observe the plateau 3 and the progress of additive manufacturing.
Par ailleurs, comme l'illustrent les figures 3 et 4, la chambre d'ionisation 23 comporte au moins deux électrodes intérieures 28, 29 et une alimentation électrique 31 qui polarise lesdites électrodes.Furthermore, as illustrated in Figures 3 and 4, the ionization chamber 23 comprises at least two inner electrodes 28, 29 and a power supply 31 which polarizes said electrodes.
Le champ électrique E créé entre ces électrodes 28, 29 permet de collecter les ions produits dans la vapeur chargée qui remonte jusqu'à la chambre d'ionisation 23.The electric field E created between these electrodes 28, 29 makes it possible to collect the ions produced in the charged vapor which goes up to the ionization chamber 23.
Lorsque de la vapeur chargée libérée de la surface lors d'une opération de fusion remonte jusqu'à la chambre d'ionisation 23, cette vapeur est ionisée dans ladite chambre.When charged steam released from the surface during a melting operation rises to the ionization chamber 23, this vapor is ionized in said chamber.
Le champ électrique E agit sur les ions de vapeur chargée (ions monoatomiques, agrégats, qu'ils soient créés par cette ionisation ou initialement présents) avec une force de type électrostatique (F = qE) perpendiculaire aux électrodes. Cette force induit la déflexion de la vapeur ionisée par rapport à sa trajectoire initiale d'éjection. La vapeur ionisée est alors majoritairement interceptée par les électrodes 28 et 29 : les ions positifs sont guidés par le champ E vers l'électrode ayant le potentiel le plus bas ('cathode') ; les ions négatifs, tout comme les électrons libres, sont guidés vers l'autre électrode ('anode').The electric field E acts on charged vapor ions (monoatomic ions, aggregates, whether created by this ionization or initially present) with a force of electrostatic type (F = qE) perpendicular to the electrodes. This force induces the deflection of the ionized vapor with respect to its initial ejection trajectory. The ionized vapor is then mainly intercepted by the electrodes 28 and 29: the positive ions are guided by the field E to the electrode having the lowest potential ('cathode'); the negative ions, just like the free electrons, are guided towards the other electrode ('anode').
Ce champ électrique E est continu ou variable dans le temps.This electric field E is continuous or variable in time.
De nombreuses configurations sont envisageables pour l'alimentation électrique 31 : celle-ci peut être une pile, une source de tension ou courant continue, une alimentation basse ou haute fréquence, ou encore une alimentation bipolaire, multipolaire ou impulsionnelle.Many configurations can be envisaged for the power supply 31: this can be a battery, a source of voltage or direct current, a low or high frequency power supply, or a bipolar, multipolar or pulse power supply.
De cette façon, les optiques et composants (lentilles, caméras, lasers, etc.) placés en regard de l'ouverture extérieure 27 (au niveau de la fenêtre 24) sont protégés et préservés de dépôts importants.In this way, the optics and components (lenses, cameras, lasers, etc.) placed opposite the outer opening 27 (at the level of the window 24) are protected and preserved from significant deposits.
La carcasse 25 peut être montée directement sur l'écran thermique T. Elle peut être montée amovible sur celui-ci ou en être solidarisée de façon non amovible.The carcass 25 can be mounted directly on the heat shield T. It can be removably mounted thereon or can be fixed non-releasably.
La carcasse 25 peut servir de référence de potentiel pour la source 31. Elle peut être reliée à la masse ou gardée flottante. Ces parois sont électriquement isolées des électrodes 28 et 29 par des diélectriques 30. Elles jouent également un rôle d'écran thermique par rapport à la chaleur supplémentaire qui peut etre degagee dans la chambre d'ionisation elle-même. L'écran thermique ainsi constitué par l'acier ou autre matériau desdites parois permet d'éviter de perturber la fabrication additive, laquelle peut être particulièrement sensible à des dérives en température.The carcass 25 can serve as a potential reference for the source 31. It can be connected to the mass or kept floating. These walls are electrically isolated from the electrodes 28 and 29 by dielectrics 30. They also play a role of heat shield with respect to the additional heat that can be released in the ionization chamber itself. The heat shield thus constituted by the steel or other material of said walls makes it possible to avoid disturbing the additive manufacturing, which can be particularly sensitive to temperature drifts.
La carcasse 25 joue le rôle de cage de Faraday, permettant l'écrantage électrique à l'extérieur de cette chambre d'ionisation, et le fonctionnement sans perturbations du faisceau d'électrons 20 du canon 11.The carcass 25 acts as a Faraday cage, allowing the electrical shielding outside of this ionization chamber, and the interference-free operation of the electron beam 20 of the barrel 11.
Ionisation par source d'électronsIonization by electron source
Comme l'illustre la figure 3, l'ionisation peut être obtenue grâce à une source d'électrons 32 accélérée par une tension fournie par l'alimentation électrique 31.As illustrated in FIG. 3, the ionization can be obtained thanks to an electron source 32 accelerated by a voltage supplied by the power supply 31.
Cette source d'électrons 32 est par exemple un filament. D'autres types de sources d'électrons peuvent être envisagés (émission froide ou émission de champ, émission Schottky, etc.).This source of electrons 32 is for example a filament. Other types of electron sources can be envisaged (cold emission or field emission, Schottky emission, etc.).
Les électrons ainsi émis sont accélérés par le champ électrique qui s'établi par la polarisation d'au moins une paroi isolée électriquement par rapport aux autres surfaces de la chambre d'ionisation 23.The electrons thus emitted are accelerated by the electric field which is established by the polarization of at least one electrically insulated wall with respect to the other surfaces of the ionization chamber 23.
Les électrons énergétiques ainsi obtenus par cette accélération ionisent par impact électronique la vapeur chargée (atomique ou sous forme d'agrégats) libérée de la surface en fusion et qui traverse la chambre d'ionisation 23 en remontant à travers l'ouverture 26. Une fois ionisée, la vapeur est déviée par le champ électrique E et captée sous forme de dépôt sur les électrodes 28, 29.The energetic electrons thus obtained by this acceleration ionize by electronic impact the charged vapor (atomic or in the form of aggregates) released from the molten surface and which passes through the ionization chamber 23 up through the opening 26. Once ionized, the vapor is deflected by the electric field E and captured as a deposit on the electrodes 28, 29.
Dans le cas d'agrégats de taille nanométrique ou supérieure, certains de ces électrons peuvent en outre être captés par ces agrégats sans forcément les ioniser, ce qui conduit à la création d'ions négatifs.In the case of aggregates of nanometric size or greater, some of these electrons can also be captured by these aggregates without necessarily ionize them, which leads to the creation of negative ions.
La tension d'accélération est choisie pour qu'une seule ionisation soit possible, au maximum deux, lors de l'interaction avec la vapeur, avant de toucher une des parois de la chambre d'ionisation.The acceleration voltage is chosen so that a single ionization is possible, at most two, during the interaction with the vapor, before touching one of the walls of the ionization chamber.
Par ailleurs, plus la pression est réduite, plus le nombre d'interactions le sera aussi. En revanche, en augmentant la pression il sera necessaire d'augmenter egalement la polarisation, de façon a ce que l'énergie transmise aux électrons par le champ électrique sur un parcours moyen de vol libre entre deux interactions successives reste sensiblement la même.Moreover, the lower the pressure, the more the number of interactions will be too. On the other hand, by increasing the pressure it will be necessary to also increase the polarization, so that the energy transmitted to the electrons by the electric field on a mean free flight path between two successive interactions remains substantially the same.
Les nouveaux électrons créés par ionisation de la vapeur doivent être en nombre limité de façon à éviter la création d'un plasma à l'intérieur de la chambre d'ionisation. Un tel plasma pourrait en effet perturber le faisceau EBM, par exemple, et plus généralement le fonctionnement de l'appareil.The new electrons created by ionization of the vapor must be limited in number so as to avoid the creation of a plasma inside the ionization chamber. Such a plasma could indeed disturb the EBM beam, for example, and more generally the operation of the apparatus.
Typiquement, la tension d'accélération est de 10 à 100V.Typically, the acceleration voltage is 10 to 100V.
Ionisation par photo-ionisationIonisation by photoionization
En variante, l'ionisation peut être obtenue par photo-ionisation (figure 4) au moyen d'une source photonique 33.Alternatively, the ionization can be obtained by photoionization (FIG. 4) by means of a photonic source 33.
La source de photo-ionisation 33 peut être une lampe émettant à des longueurs d'onde correspondant à la gamme Ultra-Violet.The photoionization source 33 may be a lamp emitting at wavelengths corresponding to the Ultra-Violet range.
La puissance d'émission de la source 33 est par exemple de 50 à 100 W. La longueur d'onde peut être plus spécifiquement de l'ordre de 250 nm, ce qui correspond à des photons d'environ 5 eV d'énergie.The transmission power of the source 33 is for example 50 to 100 W. The wavelength may be more specifically of the order of 250 nm, which corresponds to photons of about 5 eV energy.
La source de photons est une lampe dont l'émission est très intense dans la gamme Ultra-Violet (UV) du spectre.The photon source is a lamp whose emission is very intense in the Ultra-Violet (UV) range of the spectrum.
Les photons d'une source de ce type excitent efficacement les atomes qui constituent la vapeur chargée, ainsi que les éventuels agrégats. Si pendant le temps de vie d'un niveau excité un second photon est absorbé, alors les particules absorbantes sont ionisées. En outre, certains métaux et certains agrégats ont des énergies d'ionisation de 5 eV et inférieures et peuvent être ionisés par absorption d'un seul photon.The photons of a source of this type effectively excite the atoms that constitute the charged vapor, as well as the possible aggregates. If during the lifetime of an excited level a second photon is absorbed, then the absorbing particles are ionized. In addition, some metals and aggregates have ionization energies of 5 eV and lower and can be ionized by absorption of a single photon.
Afin de favoriser l'absorption de photons, on prévoit que la source 33 soit placée entre au moins deux miroirs courbes 34, 35 en regard qui définissent ensemble une cavité optique. Les rayons de courbure de ces miroirs et leurs positionnements sont choisis pour que les photons de la source 33 subissent des réflexions multiples et qu'ils soient concentrés dans la zone d'intérêt de la chambre 23. D'autres paires de miroirs 36 sont en outre disposes en regard deux à deux, le long des parois de la carcasse 25, dans la longueur de la cavité optique définie entre les deux miroirs courbes 34, 35. De cette façon, les photons sont conservés le plus longtemps possible dans la cavité optique ; les chances de photo-ionisation s'en trouvent augmentées. Les électrodes 28, 29 de la chambre 23 peuvent elles-mêmes jouer également le rôle de miroirs.In order to promote the absorption of photons, it is expected that the source 33 is placed between at least two curved mirrors 34, 35 facing each other which together define an optical cavity. The radii of curvature of these mirrors and their positions are chosen so that the photons of the source 33 undergo multiple reflections and that they are concentrated in the zone of interest of the chamber 23. Other pairs of mirrors 36 are in further disposed facing two by two, along the walls of the carcass 25, in the length of the optical cavity defined between the two curved mirrors 34, 35. In this way, the photons are kept as long as possible in the optical cavity. ; the chances of photo-ionization are increased. The electrodes 28, 29 of the chamber 23 can themselves also act as mirrors.
Un écran thermique 37 en matériau céramique ou réfractaire peut également être interposé entre les différents miroirs et les parois de la carcasse 25.A heat shield 37 made of ceramic or refractory material may also be interposed between the various mirrors and the walls of the carcass 25.
Les électrons émis lors de la photo-ionisation sont accélérés vers l'électrode positive (en l'occurrence l'électrode 28 sur la figure). Dans leur chemin, ces électrons libres gagnent de l'énergie et s'ils interagissent avec une vapeur, une ionisation supplémentaire peut également avoir lieu.The electrons emitted during the photoionization are accelerated towards the positive electrode (in this case the electrode 28 in the figure). In their path, these free electrons gain energy and if they interact with a vapor, additional ionization can also take place.
Les nouveaux électrons créés par photo-ionisation ou par ionisation de la vapeur doivent néanmoins être en nombre limité de façon à éviter la création d'un plasma à l'intérieur de la chambre 23.The new electrons created by photoionization or ionization of the vapor must nevertheless be limited in number so as to avoid the creation of a plasma inside the chamber 23.
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