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FR2936965A1 - Formation de via traversant des couches minces par ejection localisee de liquide immiscible. - Google Patents

Formation de via traversant des couches minces par ejection localisee de liquide immiscible. Download PDF

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FR2936965A1
FR2936965A1 FR0856895A FR0856895A FR2936965A1 FR 2936965 A1 FR2936965 A1 FR 2936965A1 FR 0856895 A FR0856895 A FR 0856895A FR 0856895 A FR0856895 A FR 0856895A FR 2936965 A1 FR2936965 A1 FR 2936965A1
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FR
France
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thin layer
organic thin
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thin film
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FR0856895A
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English (en)
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Christophe Serbutoviez
Jacqueline Bablet
Cecile Bory
Flore Sonier
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SOFILET
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
SOFILET
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Publication date
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Abstract

La présente invention concerne un procédé de réalisation de via (4) traversant une couche mince organique (1) qui comprend une étape de projection localisée d'au moins un matériau liquide (2) non miscible avec le matériau constituant la couche mince (1).

Description

FORMATION DE VIA TRAVERSANT DES COUCHES MINCES PAR EJECTION LOCALISEE DE LIQUIDE IMMISCIBLE
DOMAINE DE L'INVENTION Le domaine de l'invention concerne la structuration de couches minces organiques, liquides ou gélifiées, dans leur entière épaisseur, et plus précisément la réalisation de via ou trous d'interconnexion traversant ces couches minces.
10 Ainsi, la présente invention repose sur l'utilisation de techniques d'impression permettant d'éjecter localement un matériau immiscible avec le matériau constitutif de la couche mince, capable de creuser un trou dans celui-ci.
Il existe de nombreuses applications, notamment dans la fabrication des composants 15 électroniques et/ou optiques.
ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE
Pour réaliser des dispositifs en électronique organique (transistors, diodes, capacités, 20 thermistors, ...), il est impératif que les différentes couches qui composent les composants soient localisées et structurées pour éviter notamment les court-circuits ou les fuites de courants électriques. De plus, pour être intégrés dans un circuit, les différents dispositifs de base doivent pouvoir communiquer les uns avec les autres, par le biais d'interconnexions. 25 Par ailleurs, pour réaliser des composants optiques par impression, il est nécessaire de pouvoir juxtaposer, sur un substrat, des matériaux présentant des indices optiques réels et imaginaires différents. Il est donc nécessaire de localiser proprement les matériaux les uns par rapport aux autres sans que ceux-ci se mélangent. Dans le domaine de l'électronique organique, la réalisation de motifs géométriques et des via dans une couche peut se faire à l'aide de méthodes classiques de la microélectronique, c'est-à-dire des étapes de photolithographie. Cependant, ces méthodes restent coûteuses et leur compatibilité avec les matériaux organiques 30 habituellement utilisés reste limitée. En outre, lors de l'étape de dérésinage, il arrive bien souvent que les différentes couches de matériaux organiques se décollent les unes des autres.
Une technique particulière est décrite dans le document Mâ,ntysalo et al. (Electronic Components and Technology Conference, 89-94, 2001). Cette méthode est basée sur l'utilisation de matériaux photoréticulables. Les couches sont déposées les unes après les autres, et ainsi le via est formé par dépôt localisé des matériaux. Ce procédé est limité aux matériaux photoréticulables. En outre, la résolution des motifs reste limitée par la taille des gouttes éjectées, et est au mieux de 80 micromètres.
La publication de Kawase et al. (Adv. Mater. 13(21), 1601-05, 2001) décrit une méthode alternative qui utilise la technologie d'impression jet d'encre. Le matériau organique est déposé par voie liquide, puis préférablement recuit. Le via est créé par éjection contrôlée de gouttes de solvant. Ce solvant est choisi pour son efficacité à dissoudre localement le matériau organique. En éjectant les gouttes de solvant exactement au même endroit, un via se creuse peu à peu et simultanément, un bourrelet se crée autour du via. Ce bourrelet est préjudiciable à la qualité du passage de marche. De plus, cette méthode est limitée à des matériaux qui sont exempts de réticulation.
Une dernière méthode recensée dans le domaine de l'électronique organique est celle décrite dans la publication de Sirringhaus et al. (Science 290(5499), 2123-26, 2000). Le substrat est recouvert de zones hydrophiles ou hydrophobes, obtenues à partir de couches minces. Suivant la nature de l'encre, celle-ci se localise préférentiellement sur l'une des deux zones. Cette méthode fait donc appel à un dépôt d'une couche mince de matière hydrophile ou hydrophobe sur le substrat, suivi d'un patterning réalisé par des techniques de photolithographie. Elle est donc peu compatible avec les techniques d'impression.
Dans le domaine des composants optiques, le document US 2004/0008319 a exposé la possibilité de moduler des indices optiques en juxtaposant des gouttes de matériaux photopolymérisables présentant des indices optiques différents. Toutefois, la difficulté pour contrôler les interactions entre les gouttes et le substrat rend le procédé hasardeux, les gouttes ayant tendance à coalescer les unes avec les autres.
Le document WO 2006/013250 explique comment obtenir des composants optiques en remplissant des cellules de taille micrométrique avec des liquides à propriétés optiques données. Cependant, le remplissage précis de ces cellules et leur scellement restent délicats du fait des pollutions générées lors de la fabrication de tels composants. EXPOSE DE L'INVENTION
Il existe donc un besoin évident de développer des méthodes aisées et peu coûteuses permettant de créer, de manière contrôlée, des via traversant des couches minces de 10 nature très diverse.
Dans la suite de la description, on entend par via un trou ou passage traversant entièrement la couche mince dans laquelle il est réalisé. En pratique, ce via permet d'atteindre le support sur lequel la couche mince est déposée et ainsi d'établir une 15 éventuelle interconnexion entre le support et un matériau situé au dessus de la couche mince ou déposé dans le via.
Ainsi, l'invention concerne un procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique comprenant une étape de projection localisée d'un matériau liquide non 20 miscible avec le matériau constituant la couche mince.
La traversée de la couche mince peut se faire grâce à une projection unique. Toutefois, il peut être nécessaire de répéter l'étape de projection à la même localisation plus d'une fois, et plus précisément le nombre de fois nécessaire à la traversée de la couche mince. 25 Le procédé selon l'invention repose sur le principe physique de la séparation de phases, aussi appelé démixtion. L'incompatibilité de mélange entre le matériau liquide éjecté, appelé par la suite phase II, et le matériau constitutif de la couche mince, appelée par la suite phase I, se traduit par leur immiscibilité. En raison des forces physiques associées à 30 la séparation de phases, cette seconde phase (II) repousse le matériau constitutif de la phase I. Ainsi, la couche mince constituée par le matériau de la phase I se déforme. A noter que le matériau de la phase II n'est pas un solvant de la phase I.5 La présente invention se concentre sur la formation de via dans les couches minces. Ceci implique que la projection doit être répétée au même endroit pour induire le creusement de la couche mince jusqu'à la traverser. En d'autres termes et dans un mode de réalisation privilégié selon lequel la couche mince repose sur un support avantageusement un substrat, le via formé à l'issue du procédé selon l'invention permet d'atteindre ce support ou substrat.
Comme déjà dit, la couche mince visée est de nature organique. En pratique, ce matériau constituant la phase I se trouve sous forme liquide ou avantageusement gélifiée. Elle est en outre avantageusement réalisée par impression par voie liquide, notamment par jet d'encre, microdispense, sérigraphie, flexographie ou héliographie sur un support, par exemple un substrat massif ou un support recouvert lui-même d'au moins une autre couche d'intérêt..
Ainsi, les matériaux couramment utilisés pour la réalisation de couches minces par impression et visés par la présente invention sont avantageusement des polymères, des molécules, ou des dispersions de nanoparticules, plus précisément choisis dans le groupe suivant : - monomères ou molécules en solution ; - molécules liquides à température et à pression ambiantes ; - polymères en solution ; - gels de polymères avantageusement obtenus par photopolymérisation ou thermopolymérisation ; - oligomères en solution ; - monomères liquides ; - solutions chargées en nanoparticules, notamment métalliques.
Une couche mince visée par l'invention présente avantageusement une épaisseur comprise entre 50 nanomètres et 200 micromètres dans son état liquide ou gélifié, c'est à dire au moment de la projection. Ceci implique que les via formés à l'issue du procédé possèdent une profondeur comprise dans cette même fourchette.
Par ailleurs et de manière avantageuse, le matériau constitutif de la couche mince présente une viscosité inférieure à 300 cps. Les valeurs de viscosité mentionnées dans la présente demande sont déterminées à l'aide de la technique Brookfield bien connue de l'homme du métier (T ambiante ; P = 1 atm). Concernant le matériau mis en oeuvre pour réaliser les via dans la couche mince, il présente la propriété essentielle d'être non miscible avec le matériau de la couche mince. En d'autres termes, il présente une incompatibilité de mélange avec le matériau constitutif de la couche mince. 10 En outre, la projection localisée du matériau constituant la phase II se fait avantageusement à l'aide d'une tête de microdispense ou d'une tête d'impression jet d'encre. De manière préférée, celui-ci est un liquide éjecté de la tête sous forme de gouttes. Ainsi, la projection du matériau immiscible sur la couche mince, 15 avantageusement sous forme de gouttes, entraîne la formation d'alvéoles qui se creusent pour former un via traversant.
Par ailleurs, la viscosité des matériaux en présence, le degré de gélification des polymères constitutifs de la phase I, ainsi que le volume de la phase II sont autant de 20 paramètres qui permettent de contrôler la résolution des motifs obtenus.
En déplaçant la couche et/ou le dispositif de projection, il est possible de créer des via à différents endroits de la couche mince. La structure (notamment le diamètre) et la fréquence des via créés dans la couche mince peuvent donc être choisies et contrôlées. 25 Ainsi, notamment en fonction du pas d'éjection des gouttes, il est possible de juxtaposer les zones de déformation et de réaliser des topologies variées. Dans un cas particulier, il est possible de juxtaposer les projections de manière à creuser une tranchée dans la couche mince. Ce cas trouve notamment une application dans la formation de la source et du drain d'un transistor, la tranchée correspondant alors au canal du transistor. 30 Si le liquide non miscible de la phase II possède une forte valeur de tension de vapeur (supérieure ou égale à 1 mm Hg à Patm et Tambiante), il s'évapore rapidement et laisse par la suite un vide. Il s'en suit la création d'un via qui présente une topologie caractérisée par l'absence de redépôt sur la partie supérieure du via. La partie supérieure5 du via présente un léger épaulement. Celui-ci peut autoriser le passage de marche de la couche métallique qui sera éventuellement déposée par la suite dans et autour du via.
Alternativement, si le liquide éjecté contient des nanoparticules métalliques (par exemple le liquide encre Cabot AG-IJ-100-S1) ou des polymères conducteurs du type Baytron (Pedot/Pss, HC Stark), il apparaît, dans le via, un dépôt conducteur. Celui-ci favorise alors la reprise du contact entre l'électrode supérieure et électrode inférieure.
Si le liquide constitutif de la phase II, doté d'une faible valeur de tension de vapeur (inférieure ou égale à 1 mm Hg à pression atmosphérique et température ambiante), ne s'évapore pas et si l'opération d'éjection est régulièrement répétée sur le support, les via sont alors remplis par le matériau constitutif de la phase II. Dans ce mode de réalisation et afin d'éviter la coalescence des gouttes éjectées, le matériau constitutif de la phase I se présente avantageusement sous la forme d'un gel.
De manière appropriée, il est possible d'éjecter à différentes localisations des matériaux liquides non miscibles de nature différente, ayant notamment des indices optiques réels et imaginaires différents.
Dans un mode de réalisation particulier, le liquide de la phase II est éjecté sur une couche mince contenant des dispersions de nanoparticules ou sur une solution de polymères conducteurs du type Baytron (PEDOT/PSS, HC Stark). En outre, l'éjection est réalisée en juxtaposant des séries de gouttes. Il est alors possible de créer la source et le drain d'un transistor. Les gouttes qui peuvent avoisiner 5 micromètres délimitent la taille du canal du transistor, ce qui constitue une résolution bien supérieure à celle couramment obtenue lors de l'impression de pistes conductrices par jet d'encre (environ 50 micromètres). Ce procédé particulier est aussi utilisable pour structurer des couches minces contenant les matériaux nécessaires à la formation du diélectrique de grille ou du semi conducteur.
Plus généralement, le procédé objet de la présente invention trouve des applications dans la réalisation : - des dispositifs électriques comprenant une couche mince traversée par des via recouverts ou remplis d'un matériau conducteur électrique ; - des dispositifs optiques comprenant une couche mince traversée par des via remplis d'un matériau présentant des propriétés optiques d'intérêt.
EXEMPLE DE REALISATION DE L'INVENTION La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent, ressortiront mieux des exemples de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif et non limitatif, à l'appui des figures annexées. La figure 1 représente schématiquement une vue en section d'une couche mince 10 constituée d'un diélectrique et reposant sur un substrat, traversée par un via obtenu à l'aide du procédé selon l'invention. La figure 2 représente schématiquement une vue en section d'une couche mince constituée d'un diélectrique et reposant sur un substrat, traversée par un via selon l'invention rempli d'un dépôt conducteur favorisant la reprise du contact entre l'électrode 15 supérieure et l'électrode inférieure. La figure 3 représente schématiquement une vue en section d'une couche mince constituée d'un premier matériau et reposant sur un substrat, traversée par un via selon l'invention rempli du second matériau ayant servi à la projection localisée. La figure 4 schématise la création de la source et du drain d'un transistor : le canal est 20 formé par la projection de gouttes juxtaposées d'un matériau non miscible (A) qui est ensuite évaporé (B).
Exemple 1 : Une solution commerciale de fluoropolymère Low-K apolaire CYTOP est déposée par 25 flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche est de 20 micromètres avant recuit et la viscosité des matériaux qui la compose est de 100 cps. L'échantillon est amené à la machine jet d'encre dimatix DMP 2818 équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres.
30 Les gouttes de 1-butanol (1 à 50 gouttes) sont éjectées localement, par localisation de via. Après évaporation du liquide éjecté et recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4), dont la taille, en l'occurrence le diamètre, varie de 4 à 300 micromètres (Fig. 1). Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé.
Exemple 2 :
Une solution commerciale de fluoropolymère Low-K apolaire CYTOP est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche est de 20 micromètres avant recuit et la viscosité des matériaux qui la compose est de 100 cps. L'échantillon est amené à la machine Asymtek équipée d'une tête de microdispense.
Une goutte d'eau est éjectée par chaque localisation de via. Après évaporation des gouttes d'eau et recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4) dont la taille ou diamètre est de 300 micromètres (Fig. 1).
Exemple 3 : Une solution commerciale de fluoropolymère Low-K apolaire CYTOP est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche est de 15 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 100 cps. Sans être recuit, l'échantillon est amené à la machine jet d'encre dimatix DMP 2818 équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres. 10 à 100 gouttes d'encre Cabot AG-II-G-100-Si, chargées de nanoparticules d'argent, sont éjectées localement pour chaque localisation de via. Les gouttes d'encre Cabot AGIl-G-100-51 démixtent avec les matériaux constitutifs de la couche mince de fluoropolymère Cytop.
Après recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4) dont la taille ou diamètre varie de 10 à 300 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. L'intérieur du via contient un dépôt métallique (2) qui facilite la reprise de contact entre les électrodes supérieures (6) et les électrodes inférieures (5) (Fig. 2). 8 Exemple 4 :
Une solution commerciale de polyimide Nissan Sunever SE-5291 est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). Son épaisseur est de 25 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 75 cps. Sans être recuit, l'échantillon est amené à la machine jet d'encre Dimatix DMP 2818 équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres.
1 à 20 gouttes d'un mélange en masse de 99,5% d'eau et de 0,5% surfinol 480 (Air Product) sont éjectées localement. Les gouttes d'eau démixtent avec la couche de polyimide. Apres recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4) dans la couche (Fig. 1). La taille ou diamètre de ces via varie de 5 à 300 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé.
Exemple 5 :
Une solution commerciale de polyimide Nissan Sunever SE-5291 est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). Son épaisseur est de 25 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 75 cps. L'échantillon est immédiatement amené, sans étape de recuit intermédiaire, à la machine jet d'encre Altadrop (Altatech). L'imprimante est équipée d'une tête microfab de 60 micromètres.
1 à 20 gouttes d'un dérivé de fluoropentane CT-Solv.100 (Asahi Glass) sont éjectées localement. Les gouttes de fluoropentane démixtent avec le mélange de monomères. Après évaporation du fluoropentane et après recuit de la couche à 120°C pendant 60 minutes, on observe la formation de via (4) dans la couche (1) (Fig. 1). La taille ou diamètre de ces via varie de 10 à 100 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. 930 Exemple 6 :
La couche mince est réalisée à partir du mélange suivant : - éthyl hexyl acrylate 30% + nonylacrylate 69% (mélange de monomères) ; - 1 % irgacure 651 (Ciba) (initiateur radicalaire).
La solution du mélange est flexoprintée sur du polyéthylène naphtalate PEN (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche ainsi obtenue est de 15 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 25 cps. L'échantillon est immédiatement amené, sans étape de recuit intermédiaire, à la machine jet d'encre Altadrop (Altatech). L'imprimante est équipée d'une tête microfab de 30 micromètres.
Des gouttes d'un mélange en poids de 99,5% d'eau et de 0,5% de surfinol 480 (Air Product) sont éjectées localement. Les gouttes d'eau démixtent avec le mélange de monomères. Après insolation UV à 365 nanomètres pendant 200 secondes à une énergie de 7 mW/cm2 et après évaporation de l'eau par recuit, on observe la formation de via (4) dans la couche (1) (Fig. 1). Leur taille ou diamètre varie de 30 à 200 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé.
Exemple 7:
La couche mince est réalisée à partir du mélange suivant : - éthyl hexyl acrylate 30% + nonylacrylate 69% (mélange de monomères) ; - 1 % Irgacure 651 (Ciba) (initiateur radicalaire).
La solution de ce mélange de monomère est flexoprintée sur un substrat de polyéthylène naphtalate PEN (Teonex Dupont Teijin film, 3). La couche est gélifiée par une insolation en lumière ultraviolet à 365 nanomètres pendant 5 secondes à une énergie de 2 mW/cm2. L'épaisseur de la couche ainsi obtenue est de 12 micromètres. Le substrat est immédiatement amené à la machine d'impression jet d'encre Altadrop (Altatech). L'imprimante est équipée d'une tête Microfab de 30 micromètres. 10 1 à 20 gouttes d'un dérivé du fluoropentane CT-Solv.100 (Asahi Glass) sont éjectées localement. Les gouttes de fluoropentane démixtent avec les matériaux constitutifs de la couche. Après évaporation du solvant fluoré CT-Solv.100 et après insolation ultraviolette à 365 nanomètres pendant 200 secondes à une énergie de 7 mW/cm2, on observe la formation de via (4) dans la couche (1) (Fig. 1). Leur taille ou diamètre varie de 50 à 100 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé.
Exemple 8 : Une expérience a été réalisée sur une couche mince de 10 micromètres d'épaisseur constituée de : - éthylhexyl acrylate 30% + nonylacrylate 65% + éthylèneglycol diméthacrylate 4% (mélange de monomères) ; - 1 % Irgacure 651 (Ciba) (initiateur radicalaire).
La solution de ce mélange de monomères est flexoprintée sur un substrat de PEN (Teonex Dupont Teijin film, 3), préalablement revêtu d'une couche polymère d'alignement tel que le produit Nissan Sunever . La couche est gélifiée par une insolation en lumière ultraviolet à 365 nanomètres pendant 5 secondes à une énergie de 2 mW/cm2. L'échantillon est amené, sans étape de recuit intermédiaire, à l'imprimante Jet d'encre Dimatix DMP 2818. L'imprimante est équipée d'une tête de 10 picolitres.
20 gouttes de cristal liquide TL205 (Merck) sont éjectées pour la création de chaque via.
Après photopolymérisation de la couche (1), on observe une structure qui présente une juxtaposition de via (4) remplis de cristal liquide (2) (Fig. 3). Le diamètre des via est de 100 micromètres. Ce composant peut avoir des applications dans le domaine optique et dans celui de l'affichage.
Exemple 9 :
Une expérience a été réalisée sur une couche mince liquide d'encre d'argent AG-IJ-G-100-S1 (CABOT) contenant des nanoparticules d'argent. La couche est imprimée par jet d'encre sur un substrat de polyéthylène naphtalate PEN (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'équipement d'impression utilisé est une machine jet d'encre dimatix DMP 2818, équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres. L'épaisseur de la couche avant recuit est de 5 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 3 cps. L'échantillon est immédiatement amené à la machine d'impression jet d'encre ALTADROP, équipée d'une tête Microfab de 30 micromètres.
Des gouttes d'un dérivé du fluoropentane CT-Solv.100 (Asahi Glass) sont éjectées de façon à ce qu'elles se juxtaposent lorsqu'elles se déposent sur le substrat. Les gouttes de fluoropentane démixtent avec les matériaux constitutifs de l'encre argent AG-IJ-G-100-SI (1). Après évaporation du fluoropentane (2), et après recuit de la couche à 120°C pendant 60 minutes, on observe la formation de deux lignes parallèles conductrices. Elles correspondent à la source (7) et au drain (8) du transistor (Fig. 4). L'espace entre la source et le drain, correspondant au canal (9) varie entre 5 à 50 micromètres. La distance inter-électrodes est d'autant plus importante que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé.

Claims (13)

  1. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation de via (4) traversant une couche mince organique (1) comprenant une étape de projection localisée d'au moins un matériau liquide (2) 5 non miscible avec le matériau constituant la couche mince (1).
  2. 2. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la projection est répétée à la même localisation le nombre de fois nécessaire à la traversée de la couche mince (1).
  3. 3. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche mince (1) repose sur un support (3) et en ce que le via (4) débouche sur ledit support (3). 15
  4. 4. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau constituant la couche mince se trouve sous forme liquide ou gélifiée, et se présente avantageusement sous la forme suivante: monomères, oligomères ou molécules en solution, polymères en solution, monomères ou molécules liquides, gel de 20 polymères, solutions chargées en nanoparticules.
  5. 5. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche mince (1) présente une épaisseur comprise entre 50 nanomètres et 200 micromètres dans son état liquide ou gélifié.
  6. 6. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau constituant la couche mince présente une viscosité inférieure à 300 cps. 30
  7. 7. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau liquide non miscible (2) est projeté localement à l'aide d'une tête de microdispense ou d'une tête d'impression jet d'encre. 10 25
  8. 8. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau liquide non miscible (2) subit une évaporation après l'étape de projection.
  9. 9. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon la revendication 8, caractérisé en ce que, après évaporation du matériau liquide non miscible (2), le via est recouvert d'une couche métallique.
  10. 10. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau liquide non miscible (2) comprend des nanoparticules métalliques ou des polymères conducteurs, qui forment un dépôt conducteur après évaporation du liquide.
  11. 11. Procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique selon l'une 15 des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'après l'étape de projection, le matériau liquide non miscible (2) et/ou le matériau constituant la couche mince (1) sont soumis à une étape de polymérisation.
  12. 12. Dispositif électrique comprenant une couche mince (1) traversée par des via (4) 20 réalisés à l'aide du procédé selon l'une des revendications 1 à 11, lesdits via (4) étant recouverts ou remplis d'un matériau conducteur électrique.
  13. 13. Dispositif optique comprenant une couche mince (1) traversée par des via (4) réalisés à l'aide du procédé selon l'une des revendications 1 à 12, lesdits via (4) 25 étant remplis d'un matériau présentant des propriétés optiques d'intérêt.
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