[go: up one dir, main page]

FR2788376A1 - Boitier pour element photosemi-conducteur - Google Patents

Boitier pour element photosemi-conducteur Download PDF

Info

Publication number
FR2788376A1
FR2788376A1 FR9912056A FR9912056A FR2788376A1 FR 2788376 A1 FR2788376 A1 FR 2788376A1 FR 9912056 A FR9912056 A FR 9912056A FR 9912056 A FR9912056 A FR 9912056A FR 2788376 A1 FR2788376 A1 FR 2788376A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
fixing member
layer
light
frame
photos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9912056A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2788376B1 (fr
Inventor
Mitsuo Yanagisawa
Hisaki Masuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP10274046A external-priority patent/JP2000106405A/ja
Priority claimed from JP10274040A external-priority patent/JP2000106445A/ja
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of FR2788376A1 publication Critical patent/FR2788376A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2788376B1 publication Critical patent/FR2788376B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50Encapsulations or containers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/424Mounting of the optical light guide
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4268Cooling
    • G02B6/4272Cooling with mounting substrates of high thermal conductivity
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4251Sealed packages
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4267Reduction of thermal stress, e.g. by selecting thermal coefficient of materials
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4268Cooling
    • G02B6/4271Cooling with thermo electric cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

L'invention concerne un boîtier pour élément photosemi-conducteur comprenant un substrat (1) comportant une partie de montage (la) sur laquelle un élément photosemi-conducteur (4) est monté; un cadre (2) fixé au substrat de manière à entourer la partie de montage et comportant un trou traversant latéral (2a); un organe de fixation cylindrique (9) fixé autour du trou traversant et comportant un espace dans lequel un signal optique est transmis; un organe de transmission de lumière (10) fixé à l'organe (9) pour obturer une partie intérieure de ce dernier; et un couvercle (3) fixé à une surface supérieure du cadre pour enfermer hermétiquement l'élément photosemi-conducteur. L'organe (9) est formé d'un alliage de 40 à 60% en poids de fer et de 40 à 60% en poids de nickel, pour qu'ainsi son coefficient de dilation thermique soit proche de celui de l'organe (10) formé d'un verre amorphe.

Description

I Boîtier pour élément photosemi-conducteur La présente invention
concerne, d'une manière générale, un boîtier pour élément photosemiconducteur et, en particulier, un boîtier pour élément photosemiconducteur doté d'une meilleure efficacité de transmission de signaux optiques grâce à la suppression
d'un phénomène de double réfraction.
Jusqu'à maintenant, un boîtier destiné à loger un élément photosemiconducteur comprenait un substrat métallique formé d'une manière générale d'un métal, tel
qu'un alliage fer-nickel-cobalt ou un alliage cuivre-
tungstène, comportant une partie de montage destinée à permettre le montage de l'élément photosemi-conducteur au niveau du centre de sa surface supérieure, plusieurs bornes de connexion extérieures étant fixées autour de la partie de montage de manière à passer à travers un organe isolant allant de la surface supérieure à la surface inférieure du substrat; un cadre formé, par exemple, d'un alliage fer-nickel- cobalt et fixé par liaison sur le substrat métallique à l'aide d'une matière de brasage, telle qu'une matière de brasage en argent, afin d'entourer la partie de montage destinée à recevoir l'élément photosemi-conducteur, le cadre comportant un trou traversant sur l'un de ses côtés; un organe de fixation cylindrique formé d'un métal, tel qu'un alliage fer-nickel-cobalt, organe de fixation cylindrique qui est fixé autour du trou traversant du cadre à l'aide d'une matière de brasage, telle qu'un alliage or-étain, et qui comporte un espace dans lequel un signal optique est transmis; un organe de transmission de lumière formé d'un verre amorphe, ou d'une matière similaire, organe de transmission de lumière qui est fixé à l'organe de fixation cylindrique à l'aide d'une matière de brasage à faible point de fusion, telle qu'un alliage or-étain qui a un point de fusion de 300 à 400 C, pour obturer l'intérieur de l'organe de fixation; et un couvercle fixé sur la surface supérieure du cadre pour enfermer hermétiquement l'élément photosemi-conducteur. Ce boîtier pour élément photosemi-conducteur est produit sous la forme d'un dispositif photosemi-conducteur au cours des étapes qui consistent à fixer par liaison et à assujettir l'élément photosemi-conducteur à la partie de montage du substrat métallique, à relier électriquement des électrodes respectives de l'élément photosemi- conducteur aux bornes de connexion extérieures par l'intermédiaire de fils de liaison, à fixer par liaison le couvercle sur la surface
supérieure du cadre, à enfermer l'élément photosemi-
conducteur hermétiquement dans le boîtier composé du substrat métallique, du cadre et du couvercle, et à relier une fibre optique à l'organe de fixation cylindrique. Un dispositif photosemi-conducteur de ce type est utilisé, entre autres, pour des communications optiques à grande vitesse de telle façon que l'élément photosemi- conducteur est excité optiquement par un signal d'excitation fourni à partir d'un circuit électrique extérieur, et que la lumière excitée est reçue par la fibre optique par l'intermédiaire de l'organe de transmission de lumière afin d'être
transmise dans la fibre optique.
Toutefois, ce boîtier pour élément photosemi-
conducteur de l'art antérieur, qui comprend un organe de transmission de lumière formé d'un verre amorphe ayant un coefficient de dilatation thermique de 8,5 x 10 6/ C (30 à 400 C) et un organe de fixation cylindrique formé d'un alliage fer-nickel-cobalt ayant un coefficient de dilatation thermique d'environ 4,5 x 10-6/ C (température ambiante à 400 C), présente l'inconvénient que lorsque l'organe de transmission de lumière est fixé à l'organe de fixation cylindrique à l'aide d'une matière de brasage à faible point de fusion, une contrainte thermique est engendrée entre l'organe de transmission de lumière et l'organe de fixation cylindrique du fait de la différence de coefficient de dilatation thermique entre les deux organes, contrainte thermique qui reste dans l'organe de transmission de lumière. Par conséquent, lorsque la lumière excitée par l'élément photosemi-conducteur est transmise à travers l'organe de transmission de lumière pour être reçue par la fibre optique, elle est soumise à une double réfraction due à l'existence de la contrainte thermique dans l'organe de transmission de lumière, et la fibre optique ne reçoit donc qu'une partie de la lumière excitée, ce qui a pour conséquence de diminuer l'efficacité de réception de lumière par la fibre optique ainsi que l'efficacité de transmission du
signal optique.
Pour supprimer cet inconvénient, on peut envisager de réaliser un organe de fixation auquel l'organe de transmission de lumière en verre amorphe est fixé, à partir d'un alliage formé de 40 à 60% en poids de fer et de 40 à 60% en poids de nickel, ayant un coefficient de dilatation thermique proche de celui de l'organe de
transmission de lumière.
Avec un tel organe de fixation réalisé à partir de l'alliage formé de 40 à 60% en poids de fer et de 40 à 60% en poids de nickel, étant donné que le coefficient de dilatation thermique de l'organe de fixation est d'environ 9,5 x 10-/ C (température ambiante à 400oC), c'est-à-dire proche du coefficient de dilatation thermique de l'organe de transmission de lumière formé du verre amorphe (environ 8,5 x 10- 6/ C: 30 à 400 C), pratiquement aucune contrainte thermique due à une différence de coefficient de dilatation thermique n'est engendrée lors de la fixation de l'organe de transmission de lumière à l'organe de fixation et il n'existe par conséquent pratiquement aucune contrainte
thermique dans l'organe de transmission de lumière.
Cependant, en dépit du fait qu'aucune contrainte thermique n'est engendrée entre l'organe de fixation et l'organe de transmission de lumière lors de la fixation du second sur le premier, le cadre est formé d'une
matière métallique, telle qu'un alliage fer-nickel-
cobalt dont le coefficient de dilatation thermique de 4,5 x 10-6/ C (température ambiante à 400 C) est différent de celui de l'organe de fixation (environ 9,5 x 10-6/ C: température ambiante à 400 C) formé de l'alliage composé de 40 à 60% en poids de fer et de 40 à 60% en poids de nickel, une contrainte thermique résultant de la différence de coefficient de dilatation thermique entre les deux éléments apparaît lors de la fixation de l'organe de fixation sur la surface extérieure du cadre, autour du trou traversant de celui-ci,à l'aide d'une matière de brasage formée d'un alliage or-étain ou d'un alliage similaire. La contrainte thermique a un effet préjudiciable sur l'organe de transmission de lumière fixé à l'organe de fixation, c'est-à-dire qu'elle provoque une double réfraction de la lumière excitée par l'élément photosemi-conducteur lorsque celle-ci traverse l'organe de transmission de lumière, ce qui a pour inconvénient de diminuer l'efficacité de réception de lumière par la fibre optique et l'efficacité de transmission du signal optique. La présente invention a été conçue au vu des inconvénients mentionnés ci-dessus et a pour but de proposer un boîtier pour élément photosemi-conducteur grâce auquel une lumière excitée puisse être reçue de manière efficace par une fibre optique et qui permette une meilleure efficacité de transmission d'un signal optique. Pour atteindre ce but, l'invention propose un boîtier pour élément photosemi-conducteur comprenant: un substrat comportant une partie de montage sur une surface supérieure de laquelle un élément photosemi-conducteur est monté; un cadre fixé sur le substrat de manière à entourer la partie de montage et comportant un trou traversant sur l'un de ses côtés; un organe de fixation cylindrique fixé autour du trou traversant du cadre et comportant un espace dans lequel un signal optique est transmis; un organe de transmission de lumière fixé à l'organe de fixation cylindrique pour obturer une partie intérieure de l'organe de fixation; et un couvercle fixé à une surface supérieure du cadre
afin d'enfermer hermétiquement l'élément photosemi-
conducteur, caractérisé en ce que l'organe de fixation est formé d'un alliage composé de 40 à 60% en poids de fer
et de 40 à 60% en poids de nickel.
Grâce au boîtier pour élément photosemi-conducteur de l'invention, étant donné que l'organe de fixation est formé de l'alliage composé de 40 à 60% en poids de fer et de 40 à 60% en poids de nickel, son coefficient de dilatation thermique est d'environ 9,5 x 10-6/ C (température ambiante à 400 C). Ainsi, le coefficient de dilatation thermique de l'organe de fixation se rapproche de 8,5 x 10-6/ C (30 à 400 C) qui est le coefficient de dilatation thermique de l'organe de transmission de lumière. En conséquence, pratiquement aucune contrainte thermique due à une différence de coefficient de dilatation thermique n'est engendrée entre l'organe de transmission de lumière et l'organe de fixation au moment de la fixation du premier au second, et il n'existe pratiquement pas de contrainte thermique dans l'organe de transmission de lumière. Dans l'élément photosemi-conducteur de l'invention, la lumière excitée transmise à l'organe à fibre optique par l'intermédiaire de l'organe de transmission de lumière est donc reçue efficacement telle qu'elle est par l'organe à fibre optique sans être soumise à une double réfraction dans l'organe de transmission de lumière, et l'efficacité de transmission du signal
optique est nettement meilleure.
De préférence, l'organe de transmission de lumière
est formé d'un verre amorphe.
L'organe de transmission de lumière de l'invention est formé d'un verre amorphe au plomb, contenant principalement un oxyde de silicium et un oxyde de plomb, ou d'un verre amorphe de borosilicate dont les principaux composants sont l'acide borique et du sable silicieux. Lorsqu'elle est transmise à travers l'organe de transmission de lumière à l'organe à fibre optique, la lumière excitée par l'élément photosemi- conducteur est reçue telle qu'elle est par l'organe à fibre optique, sans subir une double réfraction dans l'organe de transmission de lumière. Par conséquent, la lumière peut être reçue efficacement par l'organe à fibre optique, d'o une meilleure efficacité de transmission
du signal optique.
De préférence, l'organe de transmission de lumière est fixé par brasage à l'organe de fixation par l'intermédiaire d'une couche métallisée comprenant une première couche formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le titane, le titane-tungstène et le nitrure de tantale, une deuxième couche formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le platine, le nickel et le nickel-chrome, et une troisième couche formée de l'un au moins des éléments
du groupe constitué par l'or, le platine et le cuivre.
Conformément à l'invention, l'organe de transmission de lumière est fixé à l'organe de fixation, par exemple, par enduction préalable de sa périphérie extérieure avec la couche métallisée et par brasage de la couche métallisée sur l'organe de fixation à l'aide d'une matière de brasage, telle qu'un alliage or-étain. Ainsi, la fiabilité de la fixation de l'organe de fixation à l'organe de transmission de lumière est plus grande, un scellage hermétique parfait de la partie de fixation du boîtier pour élément photosemi-conducteur est réalisé et l'élément photosemi-conducteur logé dans le boîtier peut fonctionner de manière normale et stable pendant une
longue période de temps.
Il convient de noter que la couche métallisée est réalisée sous la forme d'une structure à trois couches par superposition de la première couche formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le titane, le titane-tungstène et le nitrure de tantale qui sont actifs vis-à-vis du verre amorphe et qui adhèrent fortement à celui-ci, de la troisième couche formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par l'or, le platine et le cuivre qui augmentent l'imprégnabilité de la matière de brasage au cours du brasage de la couche métallisée sur l'organe de fixation et qui fixent solidement la couche métallisée à l'organe de fixation, et de la deuxième couche formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le platine, le nickel et le nickel-chrome qui empêchent une diminution de la force d'adhérence de la couche métallisée vis- à-vis de l'organe de transmission, due à une diffusion de la première couche dans la troisième couche sous l'effet de la chaleur de brasage. La couche métallisée formée en particulier par la superposition successive de titane-platine-or est particulièrement adaptée en raison de sa grande force d'adhérence vis-à-vis de l'organe de transmission de lumière et de sa grande imprégnabilité vis-à-vis de la matière de brasage, la couche métallisée pouvant être
fixée solidement par brasage à l'organe de fixation.
De préférence, l'organe de fixation est soudé à une périphérie extérieure autour du trou traversant du
cadre par un procédé de chauffage local.
Etant donné que l'organe de fixation est fixé au cadre par soudage à l'aide d'un procédé de chauffage local et que l'étendue du chauffage est faible, la contrainte thermique créée entre l'organe de fixation et le cadre est très faible, même si les coefficients de dilatation thermique des deux éléments sont différents. En conséquence, il n'y a guère d'effet préjudiciable de la contrainte thermique due à la différence de coefficient de dilatation thermique sur l'organe de transmission de lumière, et la lumière excitée par l'élément photosemi-conducteur et transmise par l'intermédiaire de l'organe de transmission de lumière peut être protégée contre une double réfraction dans ce dernier pour être reçue de manière efficace par l'organe à fibre optique, d'o une meilleure efficacité
de transmission du signal optique.
De préférence, le procédé de chauffage local est
mis en oeuvre par rayonnement d'un faisceau laser.
Du fait que le chauffage local par rayonnement d'un faisceau laser est réalisé à l'aide d'un laser à grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG) et de gaz carbonique ayant une puissance dotée d'une très forte densité d'énergie de 104 à 107 W par cm2 et que la zone à chauffer est étroite, la contrainte thermique générée entre l'organe de fixation et le cadre n'est pas tellement grande et l'organe de transmission de lumière ne subit donc pas d'effet préjudiciable, même si les coefficients de dilatation thermique des deux éléments
diffèrent plus ou moins.
Ce qui précède, ainsi que d'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention,
ressortira plus clairement de la description détaillée
suivante d'un mode de réalisation préféré donnée à titre d'exemple nullement limitatif en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est une vue en coupe montrant l'un des modes de réalisation préférés d'un boîtier ou élément photosemi-conducteur selon l'invention; et la figure 2 est une vue en coupe réalisée à une plus grande échelle de la partie principale du boîtier pour élément photosemi-conducteur représenté sur la
figure 1.
En référence maintenant à la figure 1, un boîtier destiné à loger un élément photosemi-conducteur 4 se compose d'un substrat 1, d'un cadre 2 et d'un
couvercle 3.
Le substrat 1 sert d'organe de support pour l'élément photosemiconducteur 4. Le substrat 1 comporte une partie de montage la destinée à recevoir l'élément photosemi-conducteur 4 pratiquement au centre de sa surface supérieure, partie de montage la à laquelle l'élément photosemi-conducteur 4 est fixé par liaison et assujetti à l'aide d'une substance adhésive, telle qu'une matière de brasage or- silicium, avec interposition d'un élément Peltier 5, ou d'un élément similaire. Le substrat 1 est composé d'une matière métallique, telle qu'un alliage fer-nickel-cobalt ou un alliage cuivre-tungstène, et est réalisé, lorsqu'il est formé de l'alliage fer-nickel-cobalt, par exemple par transformation d'un lingot en alliage fer-nickel- cobalt en une plaque ayant une configuration prédéterminée par une technique métallurgique bien connue de l'art
antérieur, telle que laminage ou estampage.
On notera qu'il est possible d'empêcher efficacement une oxydation et une corrosion du substrat 1 et d'obtenir une adhérence et une fixation rigides de l'élément Peltier 5, ou d'un élément similaire, disposé sous l'élément photosemi-conducteur 4, sur la surface supérieure du substrat 1, par revêtement de la surface extérieure du substrat 1 avec des métaux ayant une excellente résistance à la corrosion et une bonne imprégnabilité vis-à-vis de la matière de brasage, et plus précisément avec une couche de nickel ayant une épaisseur de 2 à 6 pm et une couche d'or ayant une épaisseur de 0,5 à 5 pm, dans cet ordre, par un procédé de placage. Par conséquent, pour empêcher efficacement la corrosion par oxydation du substrat 1 et pour faire adhérer et fixer rigidement l'élément Peltier 5, ou à
un élément similaire, disposé sous l'élément photosemi-
conducteur 4, sur la surface supérieure du substrat 1, il est préférable de revêtir par placage la surface extérieure de ce dernier de la couche de nickel épaisse de 2 à 6 Mm et de la couche d'or épaisse de 0,5 à 5 Mm,
dans cet ordre.
D'autre part, plusieurs bornes de connexion extérieures 6 traversant le substrat 1 sont fixées à celui-ci par l'intermédiaire d'organes isolants annulaires 7, en verre par exemple, autour de la partie
de montage la sur laquelle l'élément photosemi-
conducteur 4 est monté.
Chaque borne de connexion extérieure 6 relie électriquement une électrode correspondante de l1 l'élément photosemi-conducteur 4 à un circuit électrique extérieur. L'une des extrémités de la borne de connexion extérieure 6 est reliée à l'électrode de l'élément photosemi-conducteur 4 par l'intermédiaire d'un fil de liaison 8, tandis que son autre extrémité est reliée au circuit électrique extérieur par une matière de brasage, telle qu'un métal d'apport de brasage. La borne de connexion extérieure 6 est formée d'une
matière métallique, telle qu'un alliage fer-nickel-
cobalt ou un alliage fer-nickel, par exemple. La borne de connexion extérieure 6 est fixée au substrat 1 de la manière suivante: création d'un trou ayant un diamètre légèrement supérieur à celui de la borne de connexion extérieure 6 dans le substrat 1, insertion de l'organe isolant annulaire 7 en verre et de la borne de connexion extérieure 6 dans le trou, puis chauffage de l'organe isolant 7 en verre afin de faire fondre ce dernier. Il convient de noter qu'il est possible d'empêcher efficacement une oxydation et une corrosion de la borne de connexion extérieure 6 et de relier celle-ci de manière rigide au fil de liaison 8 en revêtant la surface extérieure de la borne de connexion extérieure 6 d'une couche de placage métallique, telle qu'une couche de placage au nickel ou une couche de placage à l'or, ayant une excellente résistance à la corrosion et une bonne imprégnabilité vis-à- vis de la matière de brasage, sur une épaisseur de 1,0 Hm à 20 pm. Il est par consequent préférable de revêtir la surface de la borne de connexion extérieure 6 d'une couche de placage métallique, telle que la couche de placage au nickel ou la couche de placage à l'or, sur une épaisseur de
1,0 gm à 20 pm.
Le cadre 2 est fixé par liaison sur la surface supérieure du substrat 1 de manière à entourer la
partie de montage la sur laquelle l'élément photosemi-
conducteur 4 est monté, pour définir un espace destiné à loger l'élément photosemi-conducteur 4. Le cadre 2 est formé d'une matière métallique, telle qu'un alliage fer-nickel-cobalt ou un alliage fer- nickel. Il est réalisé sous forme de cadre par
compression d'un lingot de métal en alliage fer-nickel-
cobalt, par exemple, et est fixé au substrat 1 par brasage de sa surface inférieure et de la surface supérieure du substrat 1, à l'aide d'une matière de
brasage en argent.
Le cadre 2 comporte un trou traversant 2a au niveau de l'un de ses côtés; un organe de fixation cylindrique 9 est fixé sur sa surface extérieure autour du trou traversant 2a et un organe de transmission de lumière
est monté à l'intérieur de l'organe de fixation 9.
Le trou traversant 2a créé sur le côté du cadre 2 sert de trou de transmission pour transmettre la lumière excitée par l'élément photosemi-conducteur 4 logé dans le boîtier, à un organe à fibre optique 11 relié à l'organe de fixation 9 décrit ci-après. Le trou traversant 2a est réalisé suivant une configuration prédéterminée par perçage du côté du cadre 2 à l'aide
d'un procédé connu conventionnel.
L'organe de fixation cylindrique 9 est fixé à la surface extérieure du côté du cadre 2 autour du trou traversant 2a. L'organe de fixation 9 est un organe fondamental pour fixer l'organe à fibre optique 1l au cadre 2 et transmettre la lumière excitée par l'élément photosemi-conducteur 4 passant par le trou traversant 2a du cadre 2 à l'organe à fibre optique 11. L'une des extrémités de l'organe de fixation 9 est fixée à la surface extérieure du cadre 2 autour du trou traversant 2a à l'aide d'une matière de brasage, telle qu'un alliage or-étain, et l'organe à fibre optique 11 est relié à l'organe de fixation 9 en étant fixé à l'autre
extrémité de celui-ci.
L'organe de fixation cylindrique 9 est formé d'un alliage composé de 40 à 60% en poids de fer et de 40 à % en poids de nickel et est réalisé sous une forme cylindrique par compression d'un lingot, ou d'un
élément similaire, en alliage fer-nickel.
A l'intérieur de l'organe de fixation 9 est monté l'organe de transmission de lumière 10 qui ferme l'intérieur de l'organe de fixation 9, qui maintient la fermeture hermétique du boîtier composé du substrat 1, du cadre 2 et du couvercle 3, et qui transmet telle
quelle la lumière excitée par l'élément photosemi-
conducteur 4 traversant l'espace intérieur de l'organe de fixation 9 à l'organe à fibre optique 11 relié et
connecté à l'organe de fixation 9.
L'organe de transmission de lumière 10 est formé d'un verre amorphe au plomb, contenant principalement un oxyde de silicium et un oxyde de plomb, ou d'un verre amorphe de borosilicate contenant principalement un acide borique et du sable silicieux. Du fait que ces types de verres amorphes ne comportent pas d'axe cristallographique, lorsque la lumière excitée par l'élément photosemi-conducteur 4 est transmise à travers l'organe de transmission 10 pour être reçue par l'organe à fibre optique 11, elle est reçue telle qu'elle est par ce dernier sans subir une double réfraction dans l'organe de transmission 10, ce qui se traduit par une réception efficace par l'organe à fibre optique 11 de la lumière excitée par l'élément photosemi-conducteur 4 et par une grande efficacité de
transmission du signal optique.
La figure 2 est une vue en coupe réalisée à une plus grande échelle de la partie principale du boîtier pour élément photosemi-conducteur de l'invention, montrant l'état dans lequel l'organe de transmission de lumière 10 est fixé à l'organe de fixation 9. Dans ce mode de réalisation, la fixation de l'organe de transmission 10 à l'organe de fixation 9 est réalisée par brasage de l'organe de fixation 9 sur une couche métallisée 12 à l'aide d'une matière de brasage, telle o qu'un alliage or-étain, couche métallisée 12 qui est appliquée préalablement par adhérence à la surface extérieure de l'organe de transmission 10. Comme dans ce cas, l'organe de transmission de lumière 10 est fixé
à l'organe de fixation 9 par brasage de l'alliage or-
étain, la fiabilité de la fixation est plus grande.
Ainsi, la fermeture hermétique du boîtier de l'élément photosemiconducteur 4 au niveau de la partie o l'organe de transmission de lumière 10 est relié à l'organe de fixation 9 est perfectionnée, et l'élément photosemi-conducteur 4 logé dans le boîtier peut fonctionner normalement et de manière stable pendant une longue période de temps. En même temps, le coefficient de dilatation thermique de l'organe de fixation 9 formé de l'alliage composé de 40 à 60% en poids de fer et de 40 à 60% en poids de nickel est d'environ 9,5 x 10 - 6/ C (température ambiante à 400 C), valeur proche du coefficient de dilatation thermique de l'organe de transmission de lumière 10 formé de verre amorphe, de sorte qu'aucune contrainte thermique due à une différence de coefficient de dilatation thermique n'est engendrée entre l'organe de transmission de lumière 10 et l'organe de fixation 9 au cours du brasage du premier sur le second, moyennant quoi il n'existe pas de contrainte thermique dans l'organe de transmission de lumière 10. En conséquence, lorsqu'elle est transmise à l'organe à fibre optique 11 par l'intermédiaire de l'organe de transmission de lumière
, la lumière excitée par l'élément photosemi-
conducteur 4 est reçue telle qu'elle est par l'organe à fibre optique 11 sans subir une double réfraction dans l'organe de transmission de lumière 10, et l'efficacité
de transmission du signal optique est très grande.
Il convient de noter que la couche métallisée 12 préalablement appliquée par adhérence sur la périphérie extérieure de l'organe de transmission de lumière 10 ne peut pas être formée à l'aide du procédé Mo-Mn bien connu, car le point de fusion du verre amorphe formant l'organe de transmission de lumière 10 n'est pas supérieur à environ 700 C. La couche métallisée 12 est donc formée par superposition d'une première couche 12a composée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le titane, le titane-tungstène et le nitrure de tantale qui sont actifs vis-à-vis du verre amorphe et qui adhèrent fortement à celui-ci, d'une deuxième couche 12b composée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le platine, le nickel et le nickel-chrome qui empêchent efficacement une diffusion de la première couche 12a dans une troisième couche 12c décrite plus loin, sous l'effet de la chaleur du brasage de l'organe de transmission de lumière 10 sur l'organe de fixation 9, et une détérioration de la force d'adhérence de la couche métallisée 12 vis-àvis de l'organe de transmission de lumière 10, et de la troisième couche 12c composée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par l'or, le platine et le cuivre qui augmentent l'imprégnabilité de la matière de brasage vis-à-vis de la couche métallisée 12 et fixent solidement l'organe de transmission de lumière 10 à l'organe de fixation 9 grâce à une liaison solide entre la matière de brasage et la couche métallisée 12, comme illustré sur la figure 2. La couche métallisée 12 formée par une superposition successive de titane, de platine et d'or est particulièrement adaptée en raison de sa grande force d'adhérence vis-à-vis de l'organe de transmission de lumière 10 et de sa bonne imprégnabilité vis-à-vis de la matière de brasage, et en raison du fait que l'organe de transmission de lumière 10 peut être brasé
sur l'organe de fixation 9.
La couche métallisée 12 qui présente la structure à trois couches composée de la première couche 12a formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le titane, le titane-tungstène et le nitrure de tantale, de la deuxième couche 12b formée de l'un au moins des éléments du groupeconstitué par le platine, le nickel et le nickel- chrome, et de la troisième couche 12c formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par l'or, le platine et le cuivre, est formée par revêtement de la périphérie extérieure de l'organe de transmission de lumière 10 avec les matières métalliques respectives et le nitrure, les uns après les autres, suivant une épaisseur prédéterminée par la méthode de pulvérisation cathodique, la méthode d'évaporation, la méthode de placage ionique ou la
méthode de placage, par exemple.
Lorsque la couche métallisée 12 est formée par la première couche 12a composée de l'un au moins des
éléments du groupe constitué par le titane, le titane-
tungstène et le nitrure de tantale, par la deuxième couche 12b composée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le platine, le nickel et le nickel-chrome, et par la troisième couche 12c composée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par l'or, le platine et le cuivre, sa force d'adhérence vis-à-vis de l'organe de transmission de lumière 10 a tendance à diminuer si l'épaisseur de la première couche 12a est inférieure à 500 angstrôms, tandis qu'une contrainte importante devient immanente au sein de la première couche 12a qui est susceptible de se détacher de l'organe de transmission de lumière 10 sous l'effet de la contrainte immanente créée au cours de l'application de celle-ci en revêtement sur l'organe de transmission de lumière 10, si l'épaisseur de la
première couche 12a est supérieure à 2 000 angstrôms.
Par conséquent, l'épaisseur de la première couche 12a se situe de préférence dans la plage de 500 à 2 000 angstrôms. Lorsque l'épaisseur de la deuxième couche 12b est inférieure à 500 angstrôms, celle-ci est incapable d'empêcher efficacement une diffusion de la première couche 12a dans la troisième couche 12c sous l'effet de la chaleur du brasage de l'organe de transmission de lumière 10 sur l'organe de fixation 9, et il y a un risque de diminution de la force d'adhérence de la couche métallisée 12 vis-à-vis de l'organe de transmission de lumière 10. En revanche, lorsque l'épaisseur de la deuxième couche 12b est supérieure à 10 000 angstrôms, une contrainte importante devient immanente au sein de la deuxième couche 12b au cours de l'application en revêtement de celle-ci sur la première couche 12a, et la deuxième couche 12b est susceptible de se détacher de la première couche 12a du fait de cette contrainte immanente. Par conséquent, l'épaisseur de la deuxième couche 12b se situe de préférence dans la plage de 500 à 10 000 angstrôms. Si l'épaisseur de la troisième couche 12c est inférieure à 0,5 Mm, l'imprégnabilité de la matière de brasage vis-à-vis de la couche métallisée 12 n'est pas tellement améliorée, et il risque d'être difficile de braser l'organe de transmission de lumière 10 de manière rigide sur l'organe de fixation 9. Au contraire, si l'épaisseur de la troisième couche 12c est supérieure à 5 Mm, une contrainte importante devient immanente à l'intérieur de celle-ci lors de son application en revêtement sur la deuxième couche 12b, et la troisième couche 12c est susceptible de se détacher de la deuxième couche 12b sous l'effet de cette contrainte immanente. Par conséquent, l'épaisseur de la troisième couche 12c se situe de préférence dans
la plage de 0,5 Mm à 5 Mm.
L'organe de fixation 9 auquel l'organe de transmission de lumière 10 est fixé est soudé au cadre 2 par un chauffage local par rayonnement d'un faisceau laser, par exemple. Le soudage s'effectue par exemple en disposant l'organe de fixation cylindrique 9 auquel l'organe de transmission de lumière 10 est fixé, sur la surface extérieure du cadre 2, autour du trou traversant 2a de celui- ci, et en réalisant la fusion et l'intégration d'une partie de l'organe de fixation 9 avec une partie du cadre 2 par rayonnement d'un faisceau laser émis dans un anneau à l'aide d'un laser à grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG) et de gaz carbonique, ou d'un gaz similaire, avec une puissance ayant une très forte densité d'énergie de 104 à 107 W par cm2. Dans ce cas, comme l'organe de fixation 9 est fixé au cadre 2 par soudage grâce à un procédé de chauffage local et comme l'étendue du chauffage est étroite, aucune contrainte thermique importante n'est générée entre les deux éléments et n'affecte préjudiciablement dans une mesure importante l'organe de transmission de lumière 10, même si les coefficients de dilatation thermique de l'organe de fixation 9 et du cadre 2 sont différents. Il est par conséquent possible d'empêcher efficacement une double réfraction dans l'organe de transmission de lumière 10 de la lumière transmise à travers celui-ci, pour permettre une réception efficace de la lumière excitée de l'élément photosemi-conducteur 4 par l'organe à fibre optique 11 et pour accroître l'efficacité de transmission du
signal optique.
D'autre part, le couvercle 3 formé d'une matière métallique, telle qu'un alliage fer-nickel-cobalt ou un alliage fer-nickel, par exemple, est fixé par liaison sur la surface supérieure du cadre 2. Ainsi, l'élément photosemi-conducteur 4 est enfermé hermétiquement dans le boîtier composé du substrat 1, du cadre 2 et du
couvercle 3.
Le couvercle 3 est fixé par liaison à la surface supérieure du cadre 2 par soudage à l'aide, par
exemple, du procédé de soudage continu.
Ainsi, grâce au boîtier pour élément photosemi-
conducteur de l'invention, la fabrication du dispositif photosemiconducteur qui constitue un produit fini comprend les étapes suivantes: montage et fixation de l'élément photosemi-conducteur 4 sur la partie de montage la du substrat 1 avec interposition de l'élément Peltier 5, ou d'un dispositif similaire; raccordement électrique de chacune des électrodes de l'élément photosemi-conducteur 4 avec la borne de connexion extérieure 6 correspondante par l'intermédiaire du fil de liaison 8; fixation par liaison du couvercle 3 sur la surface supérieure du cadre 2; installation de l'élément photosemi-conducteur 4 dans le boîtier formé du substrat 1, du cadre 2 et du couvercle 3; et finalement fixation et connexion de l'organe à fibre optique 11 à l'organe de fixation 9 sur le cadre 2. Le dispositif photosemi-conducteur sert à établir une communication optique à grande vitesse,
par exemple, en obligeant l'élément photosemi-
conducteur 4 à exciter une lumière en réponse à un signal d'excitation fourni à partir du circuit électrique extérieur, en faisant en sorte que l'organe à fibre optique 11 reçoive la lumière excitée par l'intermédiaire de l'organe de transmission de lumière formé de verre amorphe, et en transmettant la lumière dans la fibre optique de l'organe à fibre
optique 11.
Bien que la description précédente ait porté sur un
mode de réalisation préféré de la présente invention, celle-ci n'est bien entendu pas limitée à l'exemple particulier décrit et illustré ici et l'homme de l'art comprendra aisément qu'il est possible d'y apporter de nombreuses variantes et modifications, comme par exemple la fixation de la borne de connexion extérieure 6 au cadre 2, sans pour autant sortir du cadre de
l'invention.

Claims (5)

REVENDICATIONS
1. Boîtier pour élément photosemi-conducteur comprenant: un substrat (1) comportant une partie de montage (la) sur une surface supérieure de laquelle un élément photosemi-conducteur (4) est monté; un cadre (2) fixé sur le substrat (1) de manière à entourer la partie de montage (la) et comportant un trou traversant (2a) sur l'un de ses côtés; un organe de fixation cylindrique (9) fixé autour du trou traversant (2a) du cadre (2) et comportant un espace dans lequel un signal optique est transmis; un organe de transmission de lumière (10) fixé à l'organe de fixation cylindrique (9) pour obturer une partie intérieure de ce dernier; et un couvercle (3) fixé à une surface supérieure du cadre (2) pour enfermer hermétiquement l'élément photosemi-conducteur (4), caractérisé en ce que l'organe de fixation (9) est formé d'un alliage composé de 40 à 60% en poids de fer
et de 40 à 60% en poids de nickel.
2. Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'organe de transmission de lumière (10) est
formé d'un verre amorphe.
3. Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'organe de transmission de lumière (10) est brasé sur l'organe de fixation (9) par l'intermédiaire d'une couche métallisée (12) comprenant une première couche (12a) formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le titane, le titane-tungstène et le nitrure de tantale, une deuxième couche (12b) formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par le platine, le nickel et le nickel-chrome, et une troisième couche (12c) formée de l'un au moins des éléments du groupe constitué par l'or, le platine et le cuivre.
4. Boîtier selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'organe de fixation (9) est soudé à une périphérie extérieure autour du trou traversant (2a) du
cadre (2) par un procédé de chauffage local.
5. Boîtier selon la revendication 4, caractérisé en ce que le procédé de chauffage local est mis en
oeuvre par rayonnement d'un faisceau laser.
FR9912056A 1998-09-28 1999-09-28 Boitier pour element photosemi-conducteur Expired - Lifetime FR2788376B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10274046A JP2000106405A (ja) 1998-09-28 1998-09-28 光半導体素子収納用パッケージ
JP10274040A JP2000106445A (ja) 1998-09-28 1998-09-28 光半導体素子収納用パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2788376A1 true FR2788376A1 (fr) 2000-07-13
FR2788376B1 FR2788376B1 (fr) 2005-08-05

Family

ID=26550874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9912056A Expired - Lifetime FR2788376B1 (fr) 1998-09-28 1999-09-28 Boitier pour element photosemi-conducteur

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6426591B1 (fr)
FR (1) FR2788376B1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1347323A1 (fr) * 2002-03-19 2003-09-24 Corning Incorporated Boítier photonique basé sur un substrat multi-fonctions

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003050341A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Yamaha Corp 光学部品複合体およびその製造方法
WO2003063309A2 (fr) 2002-01-18 2003-07-31 Oepic, Inc. Boitiers to optoelectroniques a haute vitesse
US7255494B2 (en) * 2003-05-23 2007-08-14 Intel Corporation Low-profile package for housing an optoelectronic assembly
US6860652B2 (en) * 2003-05-23 2005-03-01 Intel Corporation Package for housing an optoelectronic assembly
US20050018994A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Oepic, Inc. Active and passive to-can extension boards
JP2008181951A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Nec Electronics Corp 固体撮像装置
WO2012165647A1 (fr) * 2011-06-01 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Dispositif à semi-conducteurs
US20140238726A1 (en) * 2013-02-28 2014-08-28 Cooper Technologies Company External moisture barrier package for circuit board electrical component
JP6742684B2 (ja) * 2014-09-30 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 光部品及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
JP7398877B2 (ja) * 2019-04-18 2023-12-15 新光電気工業株式会社 半導体装置用ステム及び半導体装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335602A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH08148594A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1041417A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1041418A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1051036A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH10173079A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5843355B2 (ja) * 1976-12-20 1983-09-26 日本特殊陶業株式会社 セラミツクと低膨張性金属部材の封止構造体
JPS5581438A (en) * 1978-12-16 1980-06-19 Futaba Corp Manufacturing method of fluorescent display tube grid
JP2716122B2 (ja) 1987-03-09 1998-02-18 日本電気株式会社 アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュール
US5111522A (en) 1991-02-19 1992-05-05 At&T Bell Laboratories Optical package with reduced deflection of the optical signal path
US6036375A (en) * 1996-07-26 2000-03-14 Kyocera Corporation Optical semiconductor device housing package

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335602A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH08148594A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1041417A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1041418A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH1051036A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JPH10173079A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 0181, no. 61 (E - 1526) 17 March 1994 (1994-03-17) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1996, no. 10 31 October 1996 (1996-10-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 06 30 April 1998 (1998-04-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 11 30 September 1998 (1998-09-30) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1347323A1 (fr) * 2002-03-19 2003-09-24 Corning Incorporated Boítier photonique basé sur un substrat multi-fonctions

Also Published As

Publication number Publication date
US6426591B1 (en) 2002-07-30
FR2788376B1 (fr) 2005-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4360965A (en) Method of mounting a semiconductor laser device
EP0264335B1 (fr) Module pour le couplage entre un dispositif semiconducteur et une fibre optique, et procédé d'alignement de ce dispositif semiconducteur et de cette fibre
EP0007873B1 (fr) Système de soudure d'un composant semiconducteur émetteur de lumière sur un socle métallique
FR2788376A1 (fr) Boitier pour element photosemi-conducteur
FR2591763A1 (fr) Module transducteur electro-optique et procede pour sa fabrication
US7900810B2 (en) Saturable absorber component and method for manufacturing a saturable absorber component
JP3199611B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
FR2769100A1 (fr) Boitier pour dispositif photosemi-conducteur
EP0114760B1 (fr) Boîtier à dissipation thermique élevée, notamment pour microélectronique
EP0109899B1 (fr) Module préadapté pour diode hyperfréquence à forte dissipation thermique
JP3336199B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
EP0117804A1 (fr) Procédé de fabrication d'une cavité hyperfréquence, et cavité obtenue par ce procédé
FR2527837A1 (fr) Boitier d'encapsulation d'un dispositif semi-conducteur fonctionnant a tres haute tension, et son procede de fabrication
FR2526585A1 (fr) Boitier d'encapsulation de circuit microelectronique a haute dissipation thermique et son procede de fabrication
FR2466860A1 (fr) Procede de soudure d'un cristal semi-conducteur sur un support metallique et dispositif semi-conducteur comportant un cristal de silicium et un support nickele reunis par ce procede
JP3512648B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
FR2722916A1 (fr) Element de connexion et procede de connexion mettant en oeuvre cet element
JP3762122B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3285765B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3522129B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
FR2572852A1 (fr) Dispositif semi-conducteur en particulier thyristor comportant une electrode d'acces a l'electrode de commande
JP3285766B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
FR2702054A1 (fr) Tête optique pour système de communication à fibre optique.
FR2721437A1 (fr) Boîtier hermétique à dissipation thermique améliorée notamment pour l'encapsulation de composants ou circuits électroniques et procédé de fabrication.
JP3285767B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 18

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 19