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FR2763608B1 - Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle - Google Patents

Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle

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FR2763608B1
FR2763608B1 FR9706175A FR9706175A FR2763608B1 FR 2763608 B1 FR2763608 B1 FR 2763608B1 FR 9706175 A FR9706175 A FR 9706175A FR 9706175 A FR9706175 A FR 9706175A FR 2763608 B1 FR2763608 B1 FR 2763608B1
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FR
France
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heterosubstrat
nacelle
depositing
cdhgte
epitaxy
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
FR9706175A
Other languages
English (en)
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Inventor
Bernard Pelliciari
Bernard Polge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Publication date
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    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
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FR9706175A 1997-05-21 1997-05-21 Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle Expired - Lifetime FR2763608B1 (fr)

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EP98925759A EP0983395A1 (fr) 1997-05-21 1998-05-20 Nacelle d'epitaxie et procede pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide
PCT/FR1998/001013 WO1998053123A1 (fr) 1997-05-21 1998-05-20 NACELLE D'EPITAXIE ET PROCEDE POUR DEPOT D'UNE COUCHE DE CdHgTe PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE

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FR2763608A1 (fr) 1998-11-27
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