FR2587732A1

FR2587732A1 - Reactor for plasma-assisted vapour-phase chemical deposition

Info

Publication number: FR2587732A1
Application number: FR8514562A
Authority: FR
Inventors: Yves Cros; Christian Bianchin; Henri Matraire
Original assignee: Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Current assignee: Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Priority date: 1985-09-26
Filing date: 1985-09-26
Publication date: 1987-03-27

Abstract

DANS UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA HAUTE FREQUENCE SELON LA PRESENTE INVENTION DES PLAQUETTES A TRAITER 15 SONT DISPOSEES A L'INTERIEUR D'UN TUBE ISOLANT 1 TEL QUE DE LA SILICE. L'UNE AU MOINS DES ELECTRODES 13 DE FORMATION DU PLASMA EST DISPOSEE A L'INTERIEUR DU TUBE, CETTE PREMIERE ELECTRODE SERVANT DE SUPPORT AUX PLAQUETTES A TRAITER. LES ELECTRODES DE FORMATION DU PLASMA 13, 17 SONT ELECTRIQUEMENT ISOLEES PAR RAPPORT AU PLASMA ET A TOUTES LES SURFACES ELECTRIQUEMENT CONDUCTRICES A L'INTERIEUR DU TUBE, ET DES MOYENS 20 PERMETTENT DE CHAUFFER LE SUPPORT DE PLAQUETTES SANS CHAUFFER LES PAROIS DU TUBE. CE REACTEUR TROUVE DES APPLICATIONS DANS L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS.IN A CHEMICAL DEPOSIT REACTOR IN VAPOR PHASE ASSISTED BY HIGH FREQUENCY PLASMA ACCORDING TO THE PRESENT INVENTION, PLATES TO BE TREATED ARE ARRANGED INSIDE AN INSULATING TUBE 1 SUCH AS SILICA. AT LEAST ONE OF THE PLASMA FORMING ELECTRODES 13 IS PROVIDED INSIDE THE TUBE, THIS FIRST ELECTRODE SERVING AS A SUPPORT FOR THE PLATES TO BE TREATED. THE PLASMA FORMING ELECTRODES 13, 17 ARE ELECTRICALLY INSULATED FROM THE PLASMA AND ALL ELECTRICALLY CONDUCTIVE SURFACES INSIDE THE TUBE, AND MEANS 20 ALLOW TO HEAT THE PADDLE SUPPORT WITHOUT HEATING THE TUBE WALLS. THIS REACTOR FINDS APPLICATIONS IN THE SEMICONDUCTOR INDUSTRY.

Description

REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
ASSISTE PAR PLASMA
La presente invention concerne un réacteur de dépot chimique en phase vapeur assiste par plasma.CHEMICAL VAPOR DEPOSIT REACTOR
ASSISTED BY PLASMA
The present invention relates to a plasma assisted chemical vapor deposition reactor.

De tels réacteurs sont couramment utilisés pour effectuer des dépots de materiaux amorphes ou mictocristallins tels que du silicium hydrogène, de la silice (Si02), du nitrure de silicium (Si3N4) et des produits du type SiOXHy ou SiNXHy ou SiOxNyHz On les désigne couramment dans la technique par le sigle d'origine anglo-saxonne appareils de PECVD (Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition : dépot chimique en phase vapeur assisté par plasma). Ces appareils fonctionnent classiquement à basse température (inférieure à 6000) et à basse pression.Such reactors are commonly used for depositing amorphous or mictocrystalline materials such as hydrogen hydrogen, silica (Si02), silicon nitride (Si3N4) and products of the SiOXHy or SiNXHy or SiOxNyHz type. They are commonly designated in the technique by the acronym of Anglo-Saxon origin PECVD devices (Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition: plasma assisted chemical vapor deposition). These devices conventionally operate at low temperature (below 6000) and at low pressure.

Dans la technique usuelle, il existe deux grandes familles de reacteurs PECVD. In the usual technique, there are two main families of PECVD reactors.

Premierement, des réacteurs du type cloche à vide dont deux faces opposés constituent deux plaques d'un condensateur auquel est appliquée un champ haute fréquence. Les substrats sont poses a plat sur la plaque inférieure. First, vacuum bell-type reactors, two opposite faces of which constitute two plates of a capacitor to which a high frequency field is applied. The substrates are laid flat on the bottom plate.

Deuxiemement, des réacteurs constitués d'un tube en quartz disposé dans un four avec des électrodes conductrices en forme de plaques disposées de façon alternée, les substrats à recouvrir étant disposés contre l'une des plaques (la plaque d'anode). Second, reactors consisting of a quartz tube placed in an oven with conductive electrodes in the form of plates arranged in an alternating manner, the substrates to be covered being arranged against one of the plates (the anode plate).

Ces deux types de réacteurs de l'art antérieur presen- tent l'inconvénient que des surfaces conductrices sont apparentes à l'interieur de enceinte dans laquelle on forme le plasma. Ceci entrain que, en plus du champ alternatif crée par l'alimentation à haute fréquence, il se superpose un champ continu lié aux ments différencies des ions et des électrons vers les électrodes. These two types of prior art reactors have the drawback that conductive surfaces are visible inside the enclosure in which the plasma is formed. This means that, in addition to the alternating field created by the high frequency power supply, there is a continuous field superimposed on the differentiated elements of the ions and electrons towards the electrodes.

Le choc de ces ions contre les électrodes entratne des émissions secondaires du matériau constituant l'electrode ou de polluants précédemment déposes sur ces électrodes. D'autre part, les elec- trodes se salissent assez rapidement, ce qui accroit l'inconve- nient precedent et oblige à des nettoyages trés fréquents.En outre, dans le cas du réacteur de l'art antérieur à tube en quartz disposé dans un four, la température du tube étant sensiblement la mdme que celle du support des substrats à revêtir, le plasma se développe dans tout le tube jusqu'aux parois et des dépots sont formés sur les parois ce qui, d'une part, est une raison de pollution, d'autre part, peut entraîner qu'en cours de traitement de plaquettes, des microparticules precedemment déposées sur les parois viennent chuter sur les plaquettes.The shock of these ions against the electrodes causes secondary emissions of the material constituting the electrode or of pollutants previously deposited on these electrodes. On the other hand, the electrodes get dirty quite quickly, which increases the previous drawback and requires very frequent cleaning. In addition, in the case of the reactor of the prior art with quartz tube arranged in an oven, the temperature of the tube being substantially the same as that of the support of the substrates to be coated, the plasma develops throughout the tube up to the walls and deposits are formed on the walls which, on the one hand, is a Due to pollution, on the other hand, can cause that during the treatment of platelets, microparticles previously deposited on the walls fall on the platelets.

Encore un autre inconvénient de ces dispositifs de l'art antérieur dans lequel les substrats sont posés sur une électrode conductrice est que, lorsque les substrats sont isolants, il se produit des inhomogénéités de champ aux limites des substrats et donc que les bords de couches des substrats (ou plaquettes) presentent des épaisseurs inhomogenes par rapport aux ragions centrales de la couche. Yet another disadvantage of these devices of the prior art in which the substrates are placed on a conductive electrode is that, when the substrates are insulating, field inhomogeneities occur at the limits of the substrates and therefore that the edges of layers of the substrates (or plates) have inhomogeneous thicknesses compared to the central regions of the layer.

Un objet de la présente invention est de prévoir un recteur de dépot chimique en phase vapeur assit par plasma qui pallie ces inconvénients des dispositifs de l'art antérieur. An object of the present invention is to provide a rector of chemical vapor deposition in the plasma phase which overcomes these drawbacks of the devices of the prior art.

Pour atteindre ces objets ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un réacteur de dépot chimique en phase vapeur assisté par plasma à haute fréquence dans lequel des plaquettes à traiter sont disposées à l'intérieur d'un tube isolant tel que de la silice, dans lequel l'une au moins des électrodes de formation du plasma est disposée à l'interieur du tube, cette première électrode servant de support aux plaquettes a traiter ; dans ce réacteur, les électrodes de formation du plasma sont electriquement isolées par rapport au milieu ambiant interne au tube et a toutes les surfaces électriquement conductrices a l'interieur du tube, et et il est prévu des moyens pour chauffer le support de plaquettes sans chauffer les parois du tube. To achieve these and other objects, the present invention provides a chemical vapor deposition reactor assisted by high frequency plasma in which wafers to be treated are arranged inside an insulating tube such as silica. , in which at least one of the plasma forming electrodes is disposed inside the tube, this first electrode serving to support the wafers to be treated; in this reactor, the plasma forming electrodes are electrically isolated from the ambient medium internal to the tube and to all the electrically conductive surfaces inside the tube, and means are provided for heating the platelet support without heating the walls of the tube.

Dans ce réacteur, les électrodes peuvent autre constituées de graphite recouvert de silice, et la deuxième électrode peut autre interne ou externe au tube. In this reactor, the electrodes can also consist of graphite covered with silica, and the second electrode can other internal or external to the tube.

Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles
la figure 1 est une vue generale schfmatique d'un réacteur selon un mode de réalisation de la présente invention
la figure 2 est une vue schmatique en perspective de la zone active d'un réacteur selon la présente invention ; et
la figure 3 est une vue en coupe schématique effectuée perpendiculairement au plan de la figure 1 dans la zone active.These objects, characteristics and advantages as well as others of the present invention will be explained in more detail in the following description of a particular embodiment made in relation to the attached figures, among which
FIG. 1 is a general schematic view of a reactor according to an embodiment of the present invention
Figure 2 is a schematic perspective view of the active area of a reactor according to the present invention; and
Figure 3 is a schematic sectional view taken perpendicular to the plane of Figure 1 in the active area.

Comme le représente la figure 1, dans un mode de réalisation particulier de la présente invention, le réacteur est constitué d'un tube en quartz 1 qui peut par exemple avoir un diamètre de 100 a 200 mm, une longueur de 500 a 800 mm et une épaisseur de quelques mm. De façon classique, ce tube est ferme a ses deux extrémités par des embouts metalliques 3 et 5, par exemple en acier inoxydable, munis de flasques respectifs 7 et 9, la jonction entre le tube et les embouts étant effectuée de façon étanche et l'un des flasques, par exemple le flasque 7 étant amovible pour permettre l'introduction des plaquettes à traiter. As shown in FIG. 1, in a particular embodiment of the present invention, the reactor consists of a quartz tube 1 which can, for example, have a diameter of 100 to 200 mm, a length of 500 to 800 mm and a thickness of a few mm. Conventionally, this tube is closed at its two ends by metal ends 3 and 5, for example made of stainless steel, provided with respective flanges 7 and 9, the junction between the tube and the ends being effected in a sealed manner and the one of the flanges, for example the flange 7 being removable to allow the introduction of the wafers to be treated.

Le flasque 7 est traversé par une tige isolante 11 supportant une plaque porte-substrat 13. Les substrats à traiter 15 sont fixés a la partie inférieure de la plaque 13 par tout moyen, par exemple par des clips en quartz. The flange 7 is crossed by an insulating rod 11 supporting a substrate-carrying plate 13. The substrates to be treated 15 are fixed to the lower part of the plate 13 by any means, for example by quartz clips.

En regard de la plaque 13, du côté où elle porte les substrats, est disposée à I'extérieur du tube une plaque conductrice 17 constituant la deuxième plaque d'un condensateur dont la plaque 13 constitue la première plaque. Ces deux plaques sont reliées à un générateur haute fréquence (non reprdsentf), le courant étant amene a la plaque 13 par un conducteur 19 traversant la tige isolante 11. Opposite the plate 13, on the side where it carries the substrates, is arranged outside the tube a conductive plate 17 constituting the second plate of a capacitor whose plate 13 constitutes the first plate. These two plates are connected to a high frequency generator (not shown), the current being brought to the plate 13 by a conductor 19 passing through the insulating rod 11.

Des moyens de chauffage 20 de la plaque 13 et un dispositif de refroidissement des parois du tube 28 seront décrits plus en détail ci-apres. Heating means 20 of the plate 13 and a device for cooling the walls of the tube 28 will be described in more detail below.

L'amenée des gaz réactifs est assurée par des tubes 21 a 26 dont trois 21, 23 et 25 sont visibles en figure 1 et pfnetrent dans le tube en traversant le flasque 9 de façon étanche. Une ouverture de pompage 28 est également prévue sur l'embout 5 ou le flasque 9. The supply of reactive gases is ensured by tubes 21 to 26, three of which 21, 23 and 25 are visible in FIG. 1 and penetrate into the tube by crossing the flange 9 in a leaktight manner. A pumping opening 28 is also provided on the nozzle 5 or the flange 9.

La vue en perspective partielle de la figure 2 permet de mieux voir la disposition des parties internes du tube dans la région active. Dans ce mode de réalisation, la plaque portesubstrat 13 est disposée avec sa face tournee vers le bas, pour éviter d'éventuelles chutes de polluants sur les substrats, de sorte que les substrats ne sont pas visibles.Les tubes 21 a 26 reçoivent tous le méme mélange de gaz et debouchent deux 1 deux a des distances longitudinales différentes dans le tube, ce qui permet, par réglage de leur pénétration dans le tube et de leur debit, d'optimaliser les épaisseurs de déport. On notera que ces tubes sont disposés en dehors de la zone ot se développe le plasma (entre les électrodes) bien que cela n'apparaisse pas clairement dans les figures. The partial perspective view of Figure 2 allows a better view of the arrangement of the internal parts of the tube in the active region. In this embodiment, the substrate carrier plate 13 is arranged with its face turned downward, to avoid possible drops of pollutants on the substrates, so that the substrates are not visible. The tubes 21 to 26 all receive the same gas mixture and open two 1 two at different longitudinal distances in the tube, which allows, by adjusting their penetration in the tube and their flow, to optimize the offset thicknesses. It will be noted that these tubes are arranged outside the zone where the plasma develops (between the electrodes) although this does not appear clearly in the figures.

La figure 3 représente une vue en coupe du réacteur de la figure 1 au niveau de la région active. On y retrouve les tubes d'amenee de gaz 21 a 26, la plaque de condensateur 17, la plaque 13 et un substrat à traiter 15. On y voit mieux la structure de la plaque, ou première électrode de condensateur 13. Cette plaque comprend une partie interne conductrice 30 revêtue d'une couche isolante 32. Figure 3 shows a sectional view of the reactor of Figure 1 at the active region. There are the gas supply tubes 21 to 26, the capacitor plate 17, the plate 13 and a substrate to be treated 15. We can better see the structure of the plate, or first capacitor electrode 13. This plate includes an internal conductive part 30 coated with an insulating layer 32.

Dans un mode de réalisation particulier de la présente invention, la plaque conductrice 30 est constituée de graphite et, pour améliorer la conduction et l'homogeneite de la tension appliquée sur cette plaque, une grille conductrice 31 est noyée dans cette plaque de graphite ou plaquée contre une face de cette plaque, cette grille étant reliée au conducteur d'amenee de tension alternative haute-frequence 19. Le revêtement isolant 32 de la plaque 30 est un revêtement de silice.On peut envisager de partir d'une plaque de graphite et de la revêtir par déport chimique en phase vapeur de silice ou encore d'introduire la plaque ou des particules de graphite dans une enceinte parallépipédique en silice qui est ensuite fermée a ses extremites. In a particular embodiment of the present invention, the conductive plate 30 is made of graphite and, to improve the conduction and the homogeneity of the voltage applied to this plate, a conductive grid 31 is embedded in this graphite plate or plated against one face of this plate, this grid being connected to the high-frequency alternating voltage supply conductor 19. The insulating coating 32 of the plate 30 is a coating of silica. We can consider starting from a graphite plate and to coat it by chemical offset in the vapor phase of silica or else to introduce the plate or graphite particles into a parallelepipedic silica enclosure which is then closed at its ends.

On a décrit précédemment dans un mode de réalisation particulier de la présente invention une plaque de graphite 30 comme élément conducteur de la plaque 13. Ceci est essentiellement dt au fait que le graphite est un corps noir qui se prète a autre chauffé par un rayonnement, par exemple par le rayonnement fourni par des lampes a incandescence 20 qui produisent un rayonnement qui est par contre très peu absorbé par les parois du tube de silice 1. En outre, pour éviter tout échauffement de ce tube, on peut prévoir une circulation d'air 29 dirigée a l'aide d'une enceinte 28. We have previously described in a particular embodiment of the present invention a graphite plate 30 as a conducting element of the plate 13. This is essentially due to the fact that the graphite is a black body which lends itself to other heated by radiation, for example by the radiation supplied by incandescent lamps 20 which produce a radiation which is on the other hand very little absorbed by the walls of the silica tube 1. In addition, to avoid any heating of this tube, it is possible to provide for a circulation of air 29 directed using an enclosure 28.

Ainsi, le mode de réalisation précédemment décrit permet d'atteindre deux caractéristiques de l'invention a savoir, d'une part que, la plaque ou premiere électrode porte-substrats 13 autour de laquelle se forme le plasma, en relation avec une deuxieme électrode 17, est completement isolée ainsi que son fil d'amenee de haute fréquence, d'autre part, que cette électrode porte-substrats est la seule partie chaude (100 à 600 ) de la zone active. Thus, the previously described embodiment achieves two characteristics of the invention, namely, on the one hand, that the plate or first substrate-carrying electrode 13 around which the plasma is formed, in relation to a second electrode 17, is completely isolated as well as its high frequency lead wire, on the other hand, that this substrate-carrying electrode is the only hot part (100 to 600) of the active zone.

Grace à cette disposition, le plasma se développe dans la zone comprise entre ltelectrode 13 et ltelectrode 17 ; il n'atteint pas les parois du tube en d'autres endroits. D'autre part, ces parois, étant froides, sont peu susceptibles d'être recouvertes d'un déport résultant du plasma. Thanks to this arrangement, the plasma develops in the zone between the electrode 13 and the electrode 17; it does not reach the walls of the tube in other places. On the other hand, these walls, being cold, are unlikely to be covered with an offset resulting from the plasma.

Ainsi, le réacteur selon la présente invention présente par rapport aux réacteurs de l'art antérieur l'avantage de réduire considérablement les effets dus à diverses pollutions éventuelles étant donné, d'une part, qu'il n'y a pas de déport sur les parois du tube, d'autre part, qu'il n'y a pas d'émission secondaire liée aux chocs d'ions sur des électrodes conductrices apparentes. Thus, the reactor according to the present invention has, compared to the reactors of the prior art, the advantage of considerably reducing the effects due to various possible pollution since, on the one hand, there is no offset on the walls of the tube, on the other hand, that there is no secondary emission linked to ion shocks on exposed conductive electrodes.

Avec un dispositif de ce type, utilisé en relation avec un générateur HF à 50 kHz et dans les conditions suivantes
- température des substrats : 4300C,
- puissance plasma : 0,18 W /cm2,
- pression totale dans le réacteur : 1,4 millibars,
- durée de déport : 8 mn,
- debit gazeux variant entre 1,6 et 22 cm3/mn de SiH4 et 70,2 et 44 cm3/mn de N20, les inventeurs ont obtenus des dépots de Siox dans lequel x varie de 1,77 à 1,1 quand le rapport des debits gazeux R entre N2O et
SiH4 varie de 44 a 2, la vitesse de dépôt étant de l'ordre de 400 A par minute.With a device of this type, used in conjunction with an HF generator at 50 kHz and under the following conditions
- substrate temperature: 4300C,
- plasma power: 0.18 W / cm2,
- total pressure in the reactor: 1.4 millibars,
- offset time: 8 min,
- gas flow varying between 1.6 and 22 cm3 / min of SiH4 and 70.2 and 44 cm3 / min of N20, the inventors obtained deposits of Siox in which x varies from 1.77 to 1.1 when the ratio gas flow R between N2O and
SiH4 varies from 44 to 2, the deposition rate being of the order of 400 A per minute.

Selon un avantage de la présente invention, qui ressort de l'exemple numérique ci-dessus, on obtient, pour un énergie haute fréquence par unité de surface donnée, une vitesse de dépit élevée. Ceci est vraisemblablement dû a la bonne localisation du plasma et du dept. D'autre part, l'isolatios électrique des plaques 13 et 17 par rapport au plasma diminue le bombardement des dépôts en cours de formation, donc les défauts introduits dans les échantillons. Or, ce sont ces défauts qui peuvent détériorer les qualités électriques et optiques des materiaux prépares par la technique PECVD classique, nuisant a sa généralisation dans l'industrie de la microélectronique. According to an advantage of the present invention, which emerges from the above digital example, a high speed of spite is obtained for a high frequency energy per unit of surface area. This is probably due to the good localization of the plasma and the dept. On the other hand, the electrical isolation of the plates 13 and 17 with respect to the plasma reduces the bombardment of the deposits being formed, therefore the defects introduced into the samples. However, it is these faults which can deteriorate the electrical and optical qualities of the materials prepared by the conventional PECVD technique, hampering its generalization in the microelectronics industry.

Bien entendu, la présente invention, qui n'a été décrite ci-dessus que dans le cas d'un mode de rfalisation particulier, est susceptible de nombreuses variantes. Of course, the present invention, which has been described above only in the case of a particular embodiment, is susceptible of numerous variants.

Au lieu d'un chauffage par rayonnement, on pourrait envisager de chauffer la ou les électrodes porte-substrats par des résistances internes. Instead of radiant heating, one could consider heating the substrate electrode (s) with internal resistors.

D'autre part, la deuxième électrode 17 peut entre disposée à l'intsrieur du tube, cette électrode 17 ayant alors une constitution du meme type que celle de ltelectrode 13 précédente. On the other hand, the second electrode 17 can between disposed inside the tube, this electrode 17 then having a constitution of the same type as that of the previous electrode 13.

En outre, des électrodes 13 et 17 alternées, disposées verticalement peuvent astre introduites dans un tube horizontal pour permettre le placement contre chaque première électrode, d'une plaquette, d'où il résulte qu'un nombre important de substrats ou plaquettes peut autre dispose dans le tube. In addition, alternating electrodes 13 and 17, arranged vertically can be introduced into a horizontal tube to allow the placement against each first electrode, of a wafer, from which it follows that a large number of substrates or wafers may otherwise have in the tube.

Si seule une application particulière a un dépot de SiOx a ete decrite en détail précédemment, d'autres dépots peuvent être effectués de façon classique en choisissant de façon appropriée les melanges de gaz introduits dans le tube. If only a particular application to a deposit of SiOx has been described in detail above, other deposits can be carried out in a conventional manner by appropriately choosing the gas mixtures introduced into the tube.

On notera également a partir de la description précé- dente, qu'aucune surface apparente autre qu'en silice ou autre matériau isolant approprié n'est présente au voisinage de la zone active du réacteur. Enfin, de façon classique, des procédés de chargement automatique sur le porte-substrats peuvent autre prévus du cdté du flasque 7 de la figure 1. It will also be noted from the above description, that no apparent surface other than silica or other suitable insulating material is present in the vicinity of the active zone of the reactor. Finally, conventionally, automatic loading methods on the substrate holder can be provided on the other side of the flange 7 of FIG. 1.

La fréquence du champ haute fréquence servant a la génération du plasma peut être librement choisie, mais on préférera une fréquence de 10 a 100 kHz qui fournit des résultats satisfaisants et qui permet d'utiliser des générateurs HF moins coûteux que dans le cas où l'on choisirait une fréquence plus élevée. The frequency of the high frequency field used for the generation of the plasma can be freely chosen, but a frequency of 10 to 100 kHz is preferred which provides satisfactory results and which makes it possible to use HF generators less costly than in the case where the we would choose a higher frequency.

Claims

1. Reactor of chemical offset in vapor phase assisted by high frequency plasma in which plates to be treated (15) are arranged inside an insulating tube (1), such as silica, in which one at least electrodes (13) for plasma formation is arranged inside the tube, this first electrode serving to support the platelets to be treated, characterized in that the plasma formation electrodes (13, 17) are electrically insulated by with respect to the ambient medium internal to the tube and to all the electrically conductive surfaces inside the tube, and in that it comprises means (20) for heating the holder of platelets without heating the walls of the tube.

2. Reactor according to claim 1, characterized in that the support electrode (13) consists of a conductive material (30 31) coated with an insulator (32) and connected by isolated means (11) to a terminal (19) of a high frequency generator.

3. Reactor according to claim 2, characterized in that the conductive material (30) is graphite and the insulator (32) of silica.

4. Reactor according to claim 3, characterized in that the graphite (30) is associated with a metal grid (31).

5. Reactor according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the second electrode (17) consists of a conductive plate external to the tube having substantially the length of the support electrode and disposed opposite it of the side where it carries the platelets to be treated.

6. Reactor according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the first and second electrodes

both consist of insulated conductive plates arranged inside the tube (1), several such plates being able alternately arranged in the direction of the axis of the tube.

7. Reactor according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the heating means consist of emission means (20) of light radiation absorbed by the support electrode and not by the walls of the tube .

8. Reactor according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the high frequency plasma is produced by a high frequency generator at a frequency of 10 to 100 KHz.

9. Reactor according to any one of claims 1 to 8, characterized in that it comprises means for cooling the external walls of the tube at the active area.

10. Reactor according to any one of claims 1 to 9, characterized in that the wafer support (13) is turned with its support side facing downwards.