FR2466752A1

FR2466752A1 - ANALYSIS CIRCUIT FOR A SEMI-DIFFERENTIAL SHORT CIRCUIT RING TRANSMITTER

Info

Publication number: FR2466752A1
Application number: FR8019793A
Authority: FR
Inventors: Ulrich Drews; Hermann Gassler; Peter Werner
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1979-09-29
Filing date: 1980-09-12
Publication date: 1981-04-10
Also published as: DE2939665A1; IT1132796B; FR2466752B3; GB2059604A; GB2059604B; IT8024980A0

Abstract

a. Circuit d'analyse pour un émetteur à anneau de court-circuit semi-différentiel. b. Les deux bobines L1/L2 sont montées dans le circuit de collecteur d'un transistor T, en série l'une avec l'autre et avec une résistance fixe R7, transistor T dont la base est reliée à la sortie d'un dispositif de comparaison dont une entrée est reliée à la résistance fixe R7 et dont l'autre entrée est relativement reliée au collecteur C du transistor T et à une extrémité de bobinage de l'une des deux bobines L1/L2, et de plus, au point de liaison D des deux bobines est relié un appareil de mesure des crêtes de tension O. c. L'invention s'applique notamment à la régulation des pompes d'injection sur les moteurs d'automobiles. (CF DESSIN DANS BOPI)at. Analysis circuit for a semi-differential short-circuit ring emitter. b. The two coils L1 / L2 are mounted in the collector circuit of a transistor T, in series with each other and with a fixed resistor R7, transistor T whose base is connected to the output of a device. comparison, one input of which is connected to the fixed resistor R7 and the other input of which is relatively connected to the collector C of the transistor T and to one end of the winding of one of the two coils L1 / L2, and moreover, to the point of connection D of the two coils is connected to a device for measuring voltage peaks O. c. The invention applies in particular to the regulation of injection pumps on automobile engines. (CF DRAWING IN BOPI)

Description

1 o- La présente invention se rapporte à un circuit d'analyse pour unThe present invention relates to an analysis circuit for a

émetteur à anneau de court-circuit semidifférentiel, comportant une bobine à inductance variable en fonction de la position de l'anneau de court-circuit ainsi qu'une deuxième bobine à inductance (de comparaison) indépendante. L'invention a pour objet de donner un circuit le plus simple possible qui permette d'exécuter l'analyse du signal d'un émetteur de course inductif en éliminant le plus possible les propriétés parasites du noyau magnétique, comme par exemple le fait que la perméabilité soit fonction de la température. On sait que ces influences peuvent 9tre saisies par une bobine de comparaison et peuvent être traitées avec le signal de la bobine fonction de la position de la Semidifferential short-circuit ring transmitter having a variable inductance coil depending on the position of the short-circuit ring and a second independent inductance (comparison) coil. The object of the invention is to provide the simplest possible circuit that makes it possible to perform the signal analysis of an inductive race transmitter by eliminating as much as possible the parasitic properties of the magnetic core, for example the fact that the permeability is a function of temperature. It is known that these influences can be captured by a comparison coil and can be processed with the coil signal depending on the position of the coil.

course.race.

La conversion doit donner une tension The conversion must give a tension

continue fonction de la position.continuous function of the position.

L'invention sera mieux comprise à l'aide The invention will be better understood using

de la description ci-après et du dessins annexés représentant of the following description and the accompanying drawings representing

un exemple de réalisation de l'invention. an exemplary embodiment of the invention.

Sur le schéma représenté d'un circuit d'analyse selon l'invention, l'inductance, fonction de la position, d'une bobine appartenant à un émetteur de course ou d'un angle semidifférentiel est désignée par L1 et celle d'une bobine de comparaison réglée sur une valeur d'inductance constante par L20 Les deux bobines sont montées lune derrière l'autre et disposées en série avec une résistance R7 dans le circuit collecteur d'un transistor NPN T, dont la base est reliée à un diviseur de tension, composé de deux résistances R5 et R6 et disposée entre la sortie du comparateur K, conçu sous forme d'amplificateur opérationnel et le conducteur commun In the illustrated diagram of an analysis circuit according to the invention, the position-dependent inductance of a coil belonging to a race transmitter or a semidifferential angle is designated L1 and that of a comparison coil set to a constant inductance value by L20 The two coils are mounted one behind the other and arranged in series with a resistor R7 in the collector circuit of an NPN transistor T, the base of which is connected to a divider voltage, composed of two resistors R5 and R6 and arranged between the output of the comparator K, designed as an operational amplifier and the common conductor

moins 10, diviseur qui est relié, de son c8té, par l'intermé- 10, divisor which is connected, by its side, through

diaire d'une résistance R4, à un conducteur plus 11 qui se trouve à une tension positive d'exploitation U v. L'entrée moins A du comparateur est reliée à un diviseur de tension composé de la résistance R1 et dé la résistance R2 et relié, par diode of a resistor R4, to a plus conductor 11 which is at a positive operating voltage U v. The minus input A of the comparator is connected to a voltage divider composed of the resistor R1 and the resistor R2 and connected by

l'intermédiaire d'une résistance R3 et d'une diode D1, au col- via a resistor R3 and a diode D1, at the col-

lecteur C du transistor. L'entrée positive du comparateur K est reliée au point de jonction P entre la bobine de comparaison 12 et la prérésistance prévue R7. Au point de jonction D des deux 2.- inductances L1 et L2 est reliée, par l'intermédiaire d'une résistance R8, l'entrée positive d'un amplificateur opérationnel 0 qui travaille comme redresseur de valeur de crête et dont la sortie est reliée, par l'intermédiaire d'une diode D3, à un condensateur-mémoire Cl en parallèle auquel est montée une drive C of the transistor. The positive input of the comparator K is connected to the junction point P between the comparison coil 12 and the predefined resistance R7. At the junction point D of the two 2.- inductors L1 and L2 is connected, via a resistor R8, the positive input of an operational amplifier 0 which operates as a peak value rectifier and whose output is connected, via a diode D3, to a parallel memory capacitor C1 which is mounted on a

résistance de décharge R9 de valeur élevée. R9 discharge resistance of high value.

Supposons tout d'abord que l'intensité Suppose first that the intensity

qui traverse la résistance R7 n'ait qu'une valeur très faible. which passes through the resistor R7 has only a very low value.

L'entrée additive du 'comparateur se trouve donc presque au The additive input of the comparator is therefore almost at

potentiel correspondant à la totalité de la tension d'alimenta- potential corresponding to the entire supply voltage

tion, tandis que l'entrée soustractive se trouve à un potentiel tion, while the subtractive input is at a potential

plus faible. Le transistor T est donc conducteur et une inten- weaker. The transistor T is therefore conductive and an inten-

sité croissante commence à s'écouler par l'intermédiaire de la résistance R7 et des deux inductances' Par le trajet de couplage Dl, D3; le potentiel de l'entrée soustractive s'abaisse tout d'abord. Cette situation subsiste jusqu'à ce que l'intensité qui passe par R7, Ll, L2 et le transistor conducteur T atteigne une valeur telle quedu fait de la chute de tension en R7, le The increasing voltage begins to flow through resistor R7 and both inductors. Through the coupling path D1, D3; the potential of subtractive entry is lowered first. This situation remains until the intensity which passes through R7, L1, L2 and the conductive transistor T reaches a value such that, due to the voltage drop at R7, the

potentiel de l'entrée soustractive du comparateur tombe en- potential of the subtractive input of the comparator falls

dessous de celui de l'entrée additive. Le transistor T se verrouille alors et l'intensité des-inductances continue à s'écouler dans le circuit libre,-c'est-à-dire dans le circuit R7, L2,-L1, D2, o elle s'amortit en fonction du temps. Le transistor étant verrouillé, le potentiel de l'entrée additive saute à une valeur plus élevée, donnée par les résistances Rl et R2. Cette situation subsiste jusqu'à ce que l'intensité below that of the additive input. The transistor T then locks and the intensity of the inductances continues to flow in the free circuit, that is to say in the circuit R7, L2, -L1, D2, where it is damped according to time. The transistor being locked, the potential of the additive input jumps to a higher value, given by the resistors R1 and R2. This situation persists until the intensity

tombe dans le circuit libre et donc jusqu'à ce que la chute- falls into the free circuit and so until the fall-

de tension à la résistance R7 tombe à une valeur telle que le potentiel de l'entrée additive du comparateur soit supérieur à celui de l'entrée soustractive. Le transistor devient alors à The voltage at the resistor R7 falls to a value such that the potential of the additive input of the comparator is greater than that of the subtractive input. The transistor then becomes

nouveau conducteur et le processus se répète. new driver and the process is repeated.

Pendant que le transistor est verrouillé, la chute de tension à la résistance R7 s'abaisse du fait de l'amortissement de l'intensité qui passe dans les bobines. Les inductances Ll et L2 constituent pour cette tension un diviseur de tension inductif. Tandis donc que le potentiel du point B se trouve à la valeur a. iB donnée par le diviseur de tension Rl, R2, le potentiel du point de jonction D atteint une valeur de While the transistor is locked, the voltage drop at resistor R7 is lowered due to the damping of the current flowing through the coils. The inductances L1 and L2 constitute for this voltage an inductive voltage divider. While the potential of the point B is at the value a. iB given by the voltage divider R1, R2, the potential of the junction point D reaches a value of

crête Us donnée par ce diviseur et par le quotient des induc- The peak given by this divisor and the quotient of the inductive

4o tances. En négligeant la chute de tension à la diode D2 on a a 4o tances. Neglecting the voltage drop at diode D2 we have

US =UB (1 -)US = UB (1 -)

L17 + 1L17 + 1

o UB désigne la tension d'alimentation et a le rapport R2: (Rl + R2). Cette tension de crête est amenée, dans le redresseur de valeur de crdte qui suit, au condensateur Cl et vient à la borne E comme tension de comparaison. On peut également y relier un amplificateur d'adaptation qui permet de o UB denotes the supply voltage and has the ratio R2: (R1 + R2). This peak voltage is fed to the capacitor C1 into the next peak value rectifier and comes to terminal E as the comparison voltage. It is also possible to connect an adaptation amplifier which allows

s'adapter à des circuits d'analyse de moindre valeur ohmique. adapt to lower ohmic value analysis circuits.

Comme le quotient des inductances intervient seul dans la tension Us, on a éliminé toutes les influences provenant des As the quotient of the inductors intervenes alone in the voltage Us, all the influences coming from the

tolérances qui agissent de la même façon que les deux induc- tolerances which act in the same way as the two induc-

tances comme par exemple les propriétés du noyau magnétique. such as the properties of the magnetic core.

L'avantage de ce circuit (qui travaille selon le principe de l'oscillateur de blocage) par rapport à d'autres solutions connues, qui utilisent par exemple un diviseur de tension inductif en liaison avec un oscillateur sinusoïdal, réside dans le moindre besoin en éléments de circuit. 4.- The advantage of this circuit (which works according to the principle of the blocking oscillator) compared to other known solutions, which use for example an inductive voltage divider in connection with a sinusoidal oscillator, lies in the slightest need for circuit elements. 4.-

Claims

1.- Analysis circuit for a semidifferential short-circuit ring transmitter, comprising a variable inductance coil depending on the position of the short-circuit ring and a second independent inductance (comparison) coil characterized in that the two coils

(L1 / L2) are mounted in the collector circuit of a transistor

tor (T), in series with each other and with a fixed resistance

(R7), transistor whose base is connected to the output of a dis-

positive comparison whose input is connected to the fixed resistor (R7) and whose other input is positively connected to the collector (C) of the transistor (T) and to a winding end of one of the two coils; and in addition, at the connection point (D) of the two coils is connected a measuring device of

voltage peaks (O).

2.- Analysis circuit according to the claim

1, characterized in that the comparison device contains a voltage divider (R1, R2, R3) whose transistor

can switch the division report.

3.- Analysis circuit according to all

1 or 2, characterized in that the switching is

done by means of a diode (D1).