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FR1300036A - Procédé et dispositif pour fabriquer des corps semi-conducteurs allongés, notamment en forme de ruban - Google Patents

Procédé et dispositif pour fabriquer des corps semi-conducteurs allongés, notamment en forme de ruban

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FR1300036A
FR1300036A FR872988A FR872988A FR1300036A FR 1300036 A FR1300036 A FR 1300036A FR 872988 A FR872988 A FR 872988A FR 872988 A FR872988 A FR 872988A FR 1300036 A FR1300036 A FR 1300036A
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FR
France
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ribbon
semiconductor bodies
elongated semiconductor
manufacturing elongated
manufacturing
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Expired
Application number
FR872988A
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English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
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Publication date
Priority claimed from DES70427A external-priority patent/DE1162329B/de
Application filed by Siemens and Halske AG, Siemens Corp filed Critical Siemens and Halske AG
Priority to FR872988A priority Critical patent/FR1300036A/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR1300036A publication Critical patent/FR1300036A/fr
Expired legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/002—Continuous growth

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  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
FR872988A 1960-09-20 1961-09-12 Procédé et dispositif pour fabriquer des corps semi-conducteurs allongés, notamment en forme de ruban Expired FR1300036A (fr)

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DES70427A DE1162329B (de) 1960-09-20 1960-09-20 Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere dendritischen Halbleiterkoerpern und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DES73416A DE1202248B (de) 1960-09-20 1961-04-11 Verfahren zum Herstellen von bandfoermigen Halbleiterkristallen
FR872988A FR1300036A (fr) 1960-09-20 1961-09-12 Procédé et dispositif pour fabriquer des corps semi-conducteurs allongés, notamment en forme de ruban

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FR872988A Expired FR1300036A (fr) 1960-09-20 1961-09-12 Procédé et dispositif pour fabriquer des corps semi-conducteurs allongés, notamment en forme de ruban

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