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FR1284532A - Procédé de gravure de semi-conducteurs pour la fabrication de réseaux miniatures à semi-conducteurs - Google Patents

Procédé de gravure de semi-conducteurs pour la fabrication de réseaux miniatures à semi-conducteurs

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Publication number
FR1284532A
FR1284532A FR826413A FR826413A FR1284532A FR 1284532 A FR1284532 A FR 1284532A FR 826413 A FR826413 A FR 826413A FR 826413 A FR826413 A FR 826413A FR 1284532 A FR1284532 A FR 1284532A
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FR
France
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semiconductor
fabrication
etching process
arrays
miniature
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Expired
Application number
FR826413A
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English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Priority to FR826413A priority Critical patent/FR1284532A/fr
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Publication of FR1284532A publication Critical patent/FR1284532A/fr
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FR826413A 1959-05-06 1960-05-06 Procédé de gravure de semi-conducteurs pour la fabrication de réseaux miniatures à semi-conducteurs Expired FR1284532A (fr)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1212217B (de) * 1962-02-28 1966-03-10 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Maske zum Behandeln einer Halbleiterkristalloberflaeche mit Hilfe einer Fotolackschicht
US3775274A (en) * 1970-06-30 1973-11-27 Hughes Aircraft Co Electrolytic anticompromise process
EP0784338A3 (fr) * 1996-01-11 1997-07-23 Deutsche ITT Industries GmbH Procédé pour la fabrication de tranchées ou perforations côte à côte

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1212217B (de) * 1962-02-28 1966-03-10 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Maske zum Behandeln einer Halbleiterkristalloberflaeche mit Hilfe einer Fotolackschicht
US3775274A (en) * 1970-06-30 1973-11-27 Hughes Aircraft Co Electrolytic anticompromise process
EP0784338A3 (fr) * 1996-01-11 1997-07-23 Deutsche ITT Industries GmbH Procédé pour la fabrication de tranchées ou perforations côte à côte
US5944976A (en) * 1996-01-11 1999-08-31 Micronas Intermetall Gmbh Process for forming adjacent moats or holes

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