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FR1154601A - Commutateur à résistance négative à semi-conducteur - Google Patents

Commutateur à résistance négative à semi-conducteur

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Publication number
FR1154601A
FR1154601A FR1154601DA FR1154601A FR 1154601 A FR1154601 A FR 1154601A FR 1154601D A FR1154601D A FR 1154601DA FR 1154601 A FR1154601 A FR 1154601A
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FR
France
Prior art keywords
solid state
negative resistance
resistance switch
state negative
switch
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Expired
Application number
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English (en)
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AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Application granted granted Critical
Publication of FR1154601A publication Critical patent/FR1154601A/fr
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
FR1154601D 1955-07-13 1956-07-02 Commutateur à résistance négative à semi-conducteur Expired FR1154601A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1154601XA 1955-07-13 1955-07-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1154601A true FR1154601A (fr) 1958-04-14

Family

ID=22361554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1154601D Expired FR1154601A (fr) 1955-07-13 1956-07-02 Commutateur à résistance négative à semi-conducteur

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FR (1) FR1154601A (fr)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1152763B (de) * 1959-08-05 1963-08-14 Ibm Halbleiterbauelement mit mindestens einem PN-UEbergang
DE1162484B (de) * 1961-02-08 1964-02-06 Intermetall Zener-Halbleiterdiode zur Spannungsbegrenzung und Spannungsregelung mit einem aus drei durch pn-UEbergaenge getrennten Zonen bestehenden Halbleiterkoerper und Verfahrenzum Herstellen
DE1163461B (de) * 1958-12-17 1964-02-20 Nippon Electric Co Flaechentransistor mit einem Konzentrationsgradienten der dotierenden Fremdstoffe ineiner Zone

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1163461B (de) * 1958-12-17 1964-02-20 Nippon Electric Co Flaechentransistor mit einem Konzentrationsgradienten der dotierenden Fremdstoffe ineiner Zone
DE1152763B (de) * 1959-08-05 1963-08-14 Ibm Halbleiterbauelement mit mindestens einem PN-UEbergang
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DE1162484B (de) * 1961-02-08 1964-02-06 Intermetall Zener-Halbleiterdiode zur Spannungsbegrenzung und Spannungsregelung mit einem aus drei durch pn-UEbergaenge getrennten Zonen bestehenden Halbleiterkoerper und Verfahrenzum Herstellen

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