FI122881B - Menetelmä lasialustan valmistamiseksi - Google Patents
Menetelmä lasialustan valmistamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI122881B FI122881B FI20090476A FI20090476A FI122881B FI 122881 B FI122881 B FI 122881B FI 20090476 A FI20090476 A FI 20090476A FI 20090476 A FI20090476 A FI 20090476A FI 122881 B FI122881 B FI 122881B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- particles
- metal
- metal particles
- glass
- glass substrate
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
- B05D1/08—Flame spraying
- B05D1/10—Applying particulate materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/16—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/16—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed
- B05B7/20—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed by flame or combustion
- B05B7/201—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed by flame or combustion downstream of the nozzle
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/129—Flame spraying
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/008—Surface plasmon devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Biophysics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
Menetelmä lasialustan valmistamiseksi Keksinnön ala
Esillä oleva keksintö koskee menetelmää aurinkokennoissa käytettävän lasialustan valmistamiseksi. Lasialusta käsittää lasimateriaalin ja materiaalin pinnalle tai sisälle kasvatetut 5 metallihiukkaset. Metallihiukkaset ovat edullisesti hopeaa, kultaa tai kuparia.
Ongelman kuvaus ia tunnetun tekniikan taso
Aurinkokennojen tehokkuutta voidaan parantaa käyttämällä hyväksi pintaplasmoneja, 10 jotka parantavat auringonsäteilyn absorptiota aurinkokennoon. Pintaplasmonina voi toimia esimerkiksi metallihiukkanen, jonka koko on noin 100 nm suuruusluokkaa. Sopivia metalleja ovat esimerkiksi kulta, hopea ja kupari. Pintaplasmoneja on tuotettu aurinkokennojen valmistuksessa käytettyjen lasi-ja piimateriaalien pinnalle käyttämällä hidasta höyrystysmenetelmää (slow evaporation), termistä höyrystysmenetelmää (thermal 15 evaporation) tai fotokatalyyttista kasvatusta. Yksikään näistä valmistusmenetelmistä ei kuitenkaan ole nopeussyistä Integroitavissa nykyaikaiseen aurinkokennojen tuotannossa käytettävien lasialustojen valmistusmenetelmään, jossa lasialustalle tuotetaan pyrolyyttisellä prosessilla läpinäkyvä johtava oksidikalvo (Transparent Conductive Oxide, TCO). Tällaisessa valmistusmenetelmässä käytettävä lasimateriaali lämmitetään 550-700°C lämpötilaan ja 20 johdetaan pyrolyyttisen kasvatuskammion läpi. Lasimateriaali on yleensä oleellisesti tasomainen lasilevy, jonka paksuus on 2 - 5 mm ja joka liikkuu valmistuslinjalla nopeudella 1-20 m/min.
Tasomaista lasimateriaalia, johon on kasvatettu pintaplasmoneja voidaan käyttää myös piipohjaisten aurinkokennojen suojalasina, vaikka niille ei olisi kasvatettu TCO -kalvoa.
25 Tällöinkin etuna on se, että pintaplasmonit voidaan kasvattaa lasialustalle suurella o tuotantonopeudella.
(M
^ On siis olemassa tarve pintaplasmoneja hyödyntävän lasialustan valmistusmenetelmälle o ' ja -laitteelle,
co J
(M
£ 30 Keksinnön lyhyt kuvaus
CD
N· § On sinällään tunnettua tuottaa jalometallihiukkasia, kuten platina-, hopea-, tai 05 § kultahiukkasia nesteliekkiruiskutusmenetelmällä, joka on kuvattu suomalaisessa patentissa
CM
FI98832, Liekki Oy, 16.3.1997. Nesteliekkiruiskutusmenetelmässä metallin suola liuotetaan 2 sopivaan liuottimeen, edullisesti veteen tai alkoholiin, neste johdetaan laitteeseen, jossa se pirskotetaan kaasun avulla pieniksi pisaroiksi. Pisarat johdetaan edelleen liekkiin, jossa pisaroiden sisältämä liuotin ja metalli höyrystyvät. Höyrystynyt metalli tiivistyy ja metallia kondensoituu tiivistysytimien pinnalle, jolloin prosessissa kasvaa suuruusluokaltaan 10 - 200 5 nm suuruisia hiukkasia. Metallit voivat myös oksidoitua liekissä, jolloin syntyy metallioksidihiukkaisia.
Esillä olevan keksinnön olennainen piirre on, että säätämällä nesteliekkiruiskutus- laitteistoon syötettyä materiaalimäärää suhteessa lasimateriaalin siirtonopeuteen saadaan lasimateriaalin pinnalle kasvatettua metallihiukkasia siten, että hiukkasten keskimääräinen 10 halkaisija on välillä 30 -150 nm ja edullisesti välillä 80 -120 nm ja hiukkasten keskimääräinen etäisyys lasimateriaalin pinnalla on korkeintaan 4 kertaa hiukkasten keskimääräinen halkaisija.
Edullisesti tämä saadaan aikaan siten, että nesteliekkiruiskulaitteessa syntyvä hiukkasvuo jäähdytetään nopeasti käyttämällä hyväksi hiukkasvuota hajottavia ja jäähdyttäviä kaasuvirtauksia.
15
Piirustusten lyhyt kuvaus
Keksintöä selostetaan seuraavassa tarkemmin edullisten suoritusmuotojen avulla viittaamalla oheisiin piirustuksiin, joissa 20
Kuvio 1 on kaavamainen esitys esillä olevan keksinnön mukaisella menetelmällä valmistetusta lasialustasta.
Kuvio 2 on kaavamainen esitys keksinnön mukaisen menetelmän eräästä 25 suoritusmuodosta.
Keksinnön yksityiskohtainen kuvaus c\i o Aurinkokennon, erityisesti ohutkalvoaurinkokennon valmistuksessa tarvitaan lasialusta, lq 30 jonka pinnalle kasvatetaan pyrolyyttisella valmistusprosessilla, esimerkiksi kemiallisella o ^ kaasufaasikasvatuksella, läpinäkyvä johtava oksidikerros, joka toimii aurinkokennossa ^ syntyvien varaustenkuljettajien toisena johtimena. Aurinkokennon tehokkuuden kannalta on x £ ensiarvoisen tärkeää, että mahdollisimman suuri osa auringonvalosta absorboituu cd aurinkokennon varauksenkuljettajia synnyttävään puolijohdekerrokseen. Tätä absorptiota ja o 35 samalla siis aurinkokennon hyötysuhdetta voidaan parantaa plasmoniresonanssihiukkasilla.
05 § Plasmoniresonanssihiukkaset kasvatetaan edullisesti lasin pinnalle ennen johtavan
CM
oksidikerroksen kasvattamista, mutta ne voidaan kasvattaa lasin pinnalle myös johtavan 3 oksidikerroksen päälle. Kennon valmistuksen taloudellisuuden kannalta on edullista, että plasmoniresonanssihiukkaset voidaan kasvattaa samassa prosessissa johtavan oksidikerroksen kasvattamisen kanssa. Tällöin kasvattamisen on oltava mahdollista lämpötilaltaan 550 -700°C lämpöiselle lasille lasin liikkuessa valmistuslinjalla nopeudella 1- 20 m/min.
5 Kuvio 1 esittää keksinnön mukaisella menetelmällä valmistettua lasialustaa 1.
Lasimateriaalin 2, joka voi olla esimerkiksi 2-6 mm paksuinen olennaisesti tasomainen lasilevy, pinnalle on kasvatettu keskimääräiseltä halkaisijaltaan noin 100 nm suuruisia hopeahiukkasia 3. Hopeahiukkasten väli "dis" on edullisesti korkeintaan 4 kertaa hiukkasen halkaisija ja edullisemmin korkeintaan 2,5 kertaa hiukkasen halkaisija. Tällöin plasmoniresonanssi siirtyy 10 kohti korkeampia aallonpituuksia (punaista), jolloin aurinkokennon auringonvalon absorptio kasvaa tehokkaasti. Hopeahiukkaset voivat myös muodostaa aggregaatteja "agg", jotka ovat absorption kannalta edullisimmin ketjumaisia. Aggregaatit ovat yksittäisistä metallihiukkasista löyhillä sidoksilla, kuten van derWalsin sidoksilla muodostuneita ryppäitä. Nesteliekkiruiskutusmenetelmässä aggregaatteja saadaan edullisesti muodostettua, mikäli 15 syntyvä nanohiukkassuihku jäähdytetään tehokkaasti.
Kuvio 2 esittää keksinnön mukaisen menetelmän erästä suoritusmuotoa. Suomalaisessa patentissa FI98832 kuvattuun nesteliekkiruiskutuslaitteistoon 100 syötetään kanavasta 6 liuosta, jossa 44 g hopeanitraattia AgN03 on liuotettu 100 cm3 vettä. Nestettä syötetään nopeudella 15 cm3/min. Kanavasta 7 syötetään vetykaasua H2 tilavuusvirtauksella 100 l/min ja 20 kanavasta 8 happikaasua 02tilavuusvirtauksella 50 l/min. Vetykaasu johdetaan kaasuhajoitteiseen pirskottimeen 10, jossa nestevirtaus pirskotetaan kaasun avulla pisaroiksi 11. Pisaroiden 11 halkaisija on edullisesti alle 10 mikrometriä. Pisarat Ilja niiden sisältämä hopeametalli höyrystyvät vety-ja happikaasujen avulla muodostetussa liekissä 20.
Metallihöyry ydintyy ja tiivistyy metallihiukkasiksi 3, jotka kasvavat tiivistymisen vaikutuksesta.
25 Kanavasta 5 johdetaan nesteliekkiruiskutuslaitteistoon 100 typpikaasua N2tilavuusvirtauksella 200 l/min. Typpikaasu johdetaan edelleen sivuttaiskaasuvirtaussuuttimille 40, joiden avulla metallihiukkassuihku jäähdytetään tehokkaasti, jolloin hiukkasten kasvu pysähtyy. Säätämällä o hopeanitraatin massavirtaa ja sivuttaiskaasuvirtaussuuttimien paikkaa ja typpikaasun c\i t/j virtausmäärää saadaan metallihiukkasten 3 keskimääräinen halkaisija säädettyä halutuksi o ' 30 välillä 30 -150 nm ja edullisemmin välillä 80 -120 nm. Metallihiukkaset 3 kasvavat co lasimateriaalin 2 pinnalle muodostaen lasialustan 1. Ainakin osa hiukkasista 3 voi kasvaa
X
£ pinnalle aggregaatteina "agg".
Säätämällä lasimateriaalin 2 lämpötilaa välillä 550 - 700°C saadaan metallihiukkaset 3 o kasvamaan joko lasimateriaalin 2 pinnalle tai ainakin osittain lasimateriaalin 2 sisään. Tällä
CD
§ 35 voidaan vaikuttaa edullisesti haluttuun plasmoniresonanssitaajuuteen.
CM
4
Esimerkiksi tapauksessa, jossa lasimateriaali 2 on oleellisesti tasomainen lasilevy, jonka koko on 1400 mm x 1100 mm ja paksuus 4 mm, ja joka liikkuu lasin pinnoituslinjalla nopeudella 5 m/min, saadaan lasimateriaalin 2 pinnalle edullisesti kasvatettua hopeahiukkaspinta, kun pinnoitus tehdään kolmella kuvion 1 mukaisella nesteliekkiruiskutuslaitteella, jotka liikkuvat 5 poikittain ja edestakaisin lasimateriaalin 2 yli lasimateriaalin 2 kulkusuuntaan nähden nopeudella 50 m/min.
Piirustukset ja niihin liittyvät selitykset on tarkoitettu vain havainnollistamaan keksinnön ajatusta. Yksityiskohdiltaan keksintö voi vaihdella patenttivaatimusten puitteissa.
CM
δ
C\J
LO
o 00
CM
X
CC
CL
CD
r- o σ> o o
CM
Claims (7)
1. Menetelmä aurinkokennon valmistuksessa käytettävän lasialustan (1) valmistamiseksi, jossa menetelmässä lasimateriaalin (2) pinnalle kasvatetaan metallihiukkasia (3), tunnettu siitä, että a. hiukkaset (3) on kasvatettu nesteliekkiruiskutusmenetelmällä; b. nesteiiekkiruiskumenetelmän lähtöaineena käytetään metallilähtöaineen käsittävää nestettä; c. hiukkasten (3) keskimääräinen halkaisija on välillä 30 - 150 nm; d. keskimääräinen halkaisija aikaansaadaan mainitun metallilähtöaineen massavirtausta säätämällä; e. hiukkasten (3) keskimääräinen etäisyys lasialustalla on korkeintaan 2,5 kertaa hiukkasen (3) keskimääräinen halkaisija; joka f. hiukkasten keskimääräinen etäisyys aikaansaadaan säätämällä lasialustan siirtonopeutta ja nesteliekkiruiskutuslaitteen siirtonopeutta.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että nesteliekkiruiskutusmenetelmän synnyttämä metallihiukkassuihku on jäähdytetty sivuttaiskaasuvirtauksilla.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, t u n n ett u siitä, että metallihiukkasten (3) keskimääräinen halkaisija on välillä 80 -120 nm.
4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että metallihiukkaset (3) ovat hopea-, kulta-, tai kuparihiukkasia.
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että metallihiukkaset (3) muodostavat agglomeraatteja (agg). cvj
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ^ metallihiukkaset (3) ovat ainakin osittain lasimateriaalin (2) sisällä. i
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että i £3 lasimateriaalin (2) lämpötila metallihiukkasten (3) kasvatushetkellä on 530 - 700°C. X tr CL CO I'-- ^r o σ> o o CM
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20090476A FI122881B (fi) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | Menetelmä lasialustan valmistamiseksi |
| EA201290493A EA201290493A1 (ru) | 2009-12-15 | 2010-12-13 | Способ и устройство для изготовления подложки |
| EP10803259A EP2513353A1 (en) | 2009-12-15 | 2010-12-13 | Process and apparatus for producing a substrate |
| PCT/FI2010/051016 WO2011073508A1 (en) | 2009-12-15 | 2010-12-13 | Process and apparatus for producing a substrate |
| US13/511,905 US20120315709A1 (en) | 2009-12-15 | 2010-12-13 | Process and apparatus for producing a substrate |
| CN2010800566160A CN102666905A (zh) | 2009-12-15 | 2010-12-13 | 制造衬底的方法和设备 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20090476 | 2009-12-15 | ||
| FI20090476A FI122881B (fi) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | Menetelmä lasialustan valmistamiseksi |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20090476A0 FI20090476A0 (fi) | 2009-12-15 |
| FI20090476A FI20090476A (fi) | 2011-06-16 |
| FI122881B true FI122881B (fi) | 2012-08-15 |
Family
ID=41462698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20090476A FI122881B (fi) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | Menetelmä lasialustan valmistamiseksi |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120315709A1 (fi) |
| EP (1) | EP2513353A1 (fi) |
| CN (1) | CN102666905A (fi) |
| EA (1) | EA201290493A1 (fi) |
| FI (1) | FI122881B (fi) |
| WO (1) | WO2011073508A1 (fi) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110290316A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Daniel Warren Hawtof | Light scattering inorganic substrates by soot deposition |
| FI20115683A0 (fi) * | 2011-06-30 | 2011-06-30 | Beneq Oy | Pinnankäsittelylaite |
| US10112209B2 (en) * | 2015-12-11 | 2018-10-30 | VITRO S.A.B. de C.V. | Glass drawdown coating system |
| CN111168080B (zh) * | 2020-01-17 | 2023-03-24 | 陕西瑞科新材料股份有限公司 | 一种纳米铂金属的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI98832C (fi) | 1995-09-15 | 1997-08-25 | Juha Tikkanen | Menetelmä ja laite materiaalin ruiskuttamiseksi |
| US20090032097A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Bigioni Terry P | Enhancement of dye-sensitized solar cells using colloidal metal nanoparticles |
| FI20085085A0 (fi) * | 2008-01-31 | 2008-01-31 | Jyrki Maekelae | Rullalta rullalle -menetelmä ja pinnoituslaite |
-
2009
- 2009-12-15 FI FI20090476A patent/FI122881B/fi not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-12-13 EA EA201290493A patent/EA201290493A1/ru unknown
- 2010-12-13 WO PCT/FI2010/051016 patent/WO2011073508A1/en active Application Filing
- 2010-12-13 CN CN2010800566160A patent/CN102666905A/zh active Pending
- 2010-12-13 US US13/511,905 patent/US20120315709A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-13 EP EP10803259A patent/EP2513353A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA201290493A1 (ru) | 2013-01-30 |
| EP2513353A1 (en) | 2012-10-24 |
| US20120315709A1 (en) | 2012-12-13 |
| FI20090476A0 (fi) | 2009-12-15 |
| FI20090476A (fi) | 2011-06-16 |
| CN102666905A (zh) | 2012-09-12 |
| WO2011073508A1 (en) | 2011-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lim et al. | Self‐organization of ink‐jet‐printed triisopropylsilylethynyl pentacene via evaporation‐induced flows in a drying droplet | |
| Ardekani et al. | A comprehensive review on ultrasonic spray pyrolysis technique: Mechanism, main parameters and applications in condensed matter | |
| CN101203948B (zh) | 通过化学喷雾热解在基材上制备氧化锌纳米棒的方法 | |
| FI122881B (fi) | Menetelmä lasialustan valmistamiseksi | |
| JP2007182370A (ja) | 酸化亜鉛ナノワイヤの製造方法及びその製造方法により製造された酸化亜鉛ナノワイヤ | |
| WO2018042684A1 (ja) | 銀粉末製造方法及び銀粉末製造装置 | |
| TW201516098A (zh) | 用於製造吸光層之含有金屬奈米粒子的油墨組成物及使用彼以製造薄膜的方法 | |
| Gowthami et al. | Preparation of rod shaped nickel oxide thin films by a novel and cost effective nebulizer technique | |
| CN107513698B (zh) | 一种立方碳化硅涂层的制备方法 | |
| JP2016519039A (ja) | 直接注入による液状ヒドロロシラン組成物を用いたシリコン含有材料の合成方法 | |
| KR20160065085A (ko) | 액체 실란을 사용하는 실리콘 기반의 나노 물질의 합성 | |
| Redkin et al. | Aligned arrays of zinc oxide nanorods on silicon substrates | |
| CN104716222B (zh) | 射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的方法 | |
| FI122879B (fi) | Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi | |
| CN108970601B (zh) | 一种具有氧化锌/二氧化钛异质结构的光催化涂层及其制备方法和应用 | |
| Koh et al. | Spray deposition of nanostructured metal films using hydrodynamically stabilized, high pressure microplasmas | |
| Hazmin et al. | Effect of nozzle-substrate distance on the structural and optical properties of AZO thin films deposited by spray pyrolysis technique | |
| Rajalakshmi et al. | Characteristics of Bi2S3 thin films deposited by a novel method | |
| Luo et al. | Enhanced photoluminescence from SiO x–Au nanostructures | |
| KR101194651B1 (ko) | 에어로졸 젯 증착장치 및 이를 이용한 광흡수층의 제조방법 | |
| Nikravech | Spray plasma device, a new method to process nanostructured layers. Application to deposit ZnO thin layers | |
| CN108149216A (zh) | 一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法 | |
| CN102275978A (zh) | 一种自催化生长ZnO纳米结构的气相沉积方法 | |
| Murzin et al. | Synthesis of quasi-one-dimensional nanomaterials and heterostructures based on zinc and copper oxides | |
| KR20090026483A (ko) | Ｖｌｓ 방법에서 나노씨앗 입자의 분무를 이용한금속산화물 나노선 합성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 122881 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |
|
| MM | Patent lapsed |