FI116176B - Maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestely - Google Patents

Description

116176

MAADOITUS- JA YLIJÄNNITESUOJAUSJÄRJESTELY

KEKSINNÖN TAUSTA

Keksintö liittyy enintään 1000V vaihtojännitteisissä tai vastaavasti 5 1500V tasajännitteisissä pienjännitejärjestelmissä pääjännitteen potentiaalissa olevassa tai pääjännitteeseen suuriohmisesti kytketyn laitteen elektroniikkapii-rin maadoitukseen ja kyseisen elektroniikkapiirin ja pienoisjännitteisen SELV-(Safety Extra Low Voltage) piirin välisen rajapinnan ylijännitesuojaukseen.

Tällaisia elektroniikkalaitteita tyypillisesti ovat sähköisten suureiden, 10 kuten jännitteen, virran tai taajuuden mittauslaitteet. Keksintö mahdollistaa elektronisten laitteiden erottamisen SELV-piireistä pienemmän eristystason omaavilla komponenteilla, kuin se muutoin rakennevaatimusten mukaan olisi mahdollista.

Eräs tunnettu ratkaisu on mitattavan jännitteen muuntaminen pie-15 nemmäksi jännitemuuntajalla, joka muuntaa jännitetason SELV-jännitteeksi ja samalla eristää virtapiirit toisistaan. Virtamittauksissa signaalitason muuntaminen ja eristäminen vastaavasti toteutetaan virtamuuntajalla. Haittana on muun- ; tajan suuri koko ja hinta. Tärinälle alttiissa kohteessa raskas muuntaja ja sen • · · . · · · * sähköiset kytkennät ovat vaarassa irrota piirilevyltä.

• * I

. 20 Elektroniikkapiirin ollessa kelluvassa potentiaalissa tai sen ollessa • · · • · # .···. suuriohmisesti erotettuna päävirtapiiristä, signalointi ja kytkennät SELV- * · · jännitteiseen piiriin voidaan toteuttaa vaaditun eristystason omaavilla kom- • * · » ponenteilla. Käytännössä resistiivistä jännitteenjakoa käyttävät ratkaisut ovat

t · I

olleet yleisiä enintään 400V kolmivaiheverkoissa, koska suuremmilla jännitteil- : 25 lä jännitteenjakovastuksissa syntyvä tehohäviö sekä erotusmuuntajilta vaadit- * · · « tava jännitelujuus ovat johtaneet suurikokoisiin ratkaisuihin.

;·. Suunniteltaessa sähkönjakelujärjestelmän laitteita luokkaan Over- ;*··. voltage Category III” tai suurempi ja likaisuusluokka ’’Pollution Degree III” ym- päristöihin, vaaditut pinta- ja ilmavälit johtavat siihen, että tavanomaisiin kellu- • · » 30 viin ratkaisuihin soveltuvat SELV-rajapinnan signaalin- ja tehonsyöttökom- « » ponentit ovat kalliita tai niitä ei ole lainkaan saatavana.

2 116176

Kelluva mittauselektroniikkapiiri voidaan myös maadoittaa suurioh-misesti, mutta tällöin on muistettava huolehtia siitä, että ei kytketä liian monta laitetta rinnakkain, koska sähköjärjestelmän maadoitusresistanssi saattaa alittaa määräysten raja-arvon.

5 KEKSINNÖN LYHYT KUVAUS

Keksinnön tarkoituksena on saada aikaan ratkaisu, jossa edellä mainitut ongelmat on ratkaistu. Tämä saavutetaan siten kuin itsenäisessä patenttivaatimuksessa 1 on määritelty. Edulliset suoritusmuodot on kuvattu 10 epäitsenäisissä patenttivaatimuksissa.

Yksi- tai kaksivaiheisessa kytkennässä muodostetaan kelluva nollapiste kytkemällä suuriohminen resistanssi nolla- tai vaihejohtimeen tai kolmi-vaiheverkon yhteydessä muodostetaan keinotekoinen nollapiste esimerkiksi kytkemällä resistanssi kuhunkin pääjännitteeseen ja sitten kytkemällä kaikkien 15 kolmen resistanssin toiset päät tähtikytkentään. Tämä kelluva tai keinotekoinen nollapiste maadoitetaan kytkemällä sen ja suojamaan (PE) välille läpilyöntiin perustuva ylijännitesuojajärjestely. Edullisesti ylijännitesuojajärjestely käsit- • tää diodisarjan, jossa on vähintään yksi myötä- ja vastasuuntaan kytketty puo-lijohdediodi. Nollapisteen jännite, jolla järjestely siirtyy johtavaan tilaan, mitoite- : 20 taan komponenttivalinnalla pienemmäksi kuin kelluvan tai keinotekoisen nolla- I · · pisteen ja SELV-jännitteisen osan välinen eristyslujuus.

Tällöin normaalissa käyttötilanteessa mittauselektroniikan maapo-tentiaali kelluu vapaasti, koska diodien kautta kulkeva vuotovirta on tyypillisesti suuruusluokkaa 5μΑ. Syöksyjännitteen tai muun häiriöjännitteen nostaessa • « M : 25 kelluvan nollapotentiaalin (COM) jännitettä suojamaan (PE) potentiaaliin näh- • · '·· den, diodin läpilyöntijännitteen ylittyessä syntyvän vyöryläpilyönnin ansiosta j virta alkaa kulkea ja jännite ei pääse kohoamaan niin suureksi, että mittaus- elektroniikan ja SELV-piirin välisten komponenttien läpilyöntilujuus ylittyisi.

:Y: Muitakin sopivan jännitekestoisuuden omaavia komponenttityyppejä • | ·:··· 30 voidaan käyttää sarjaan kytkettyjen vastakkaissuuntaisten diodien asemasta, kuten patenttijulkaisussa FR2566582 esitettyä kaksisuuntaista vyöryilmiöön 3 116176 perustuvaa ylijännitesuojaa, kipinäväliin perustuvia ylijännitesuojia kuten kaa-supurkausputkea tai metallioksidivaristoria. Näiden korvaavien komponenttien hinta ja koko on kuitenkin usein diodikytkentää epäedullisempi.

KUVIOIDEN LYHYT ESITTELY 5

Seuraavassa keksintö kuvataan yksityiskohtaisemmin suori-tusesimerkkien avulla viitaten oheisiin piirustuksiin, joissa

Kuvio Fig. 1 esittää kelluvan nollapisteen maadoitusjärjestelyn yksi-10 vaiheisessa virranmittauksessa;

Kuvio Fig. 2 esittää maadoitusjärjestelyn yksi- tai kaksivaiheisen jännitemittauksen yhteydessä;

Kuvio Fig. 3 esittää maadoitusjärjestelyn kolmivaiheisen jännit-teenmittauslaitteen analogiaosan piirikaaviossa.

15

KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN KUVAUS

• · • · · • · ♦ ♦ :T: Kuvio Fig. 1 esittää keksinnön mukaisen maadoitusjärjestelyn yksi- vaiheisen virranmittauksen yhteydessä. Mitattavassa virtapiirissä on pienioh-20 minen (tyypillisesti 1 ... ΙΟΟιτιΩ) sarjaresistanssi (R4), jonka yli jäävää jännite-häviötä mittaamalla Ohmin lain perusteella määritetään piirin virta (11). Mitta- * · · • · *···* uselektroniikkapiirin sisäänmenossa on suuriohmiset, tyypillisesti 10ΜΩ resis tanssit (R1,R2). Kuviossa katkoviivalla erotetun mittauselektroniikkaosan kei- • · » ·;;/ notekoinen nollapotentiaali (COM) on kytketty toisen resistanssin (R1) kautta ‘l*’ 25 vaihejohtimen potentiaaliin. Mittauselektroniikan tehosyöttö tuodaan SELV- : *” elektroniikkapiirin (X1) puolelta edullisesti DC/DC-muuttajalla (N1), jonka eris- ···* tyslujuus on riittävän suuri, esimerkiksi 3kV. Mittaustulos siirretään joko analo- gisena optoerottimen (K1) kautta SELV-elektroniikkapiirille tai vaihtoehtoisesti t ""· analogiasignaali muunnetaan digitaaliseksi, edullisesti sarjamuotoon, jolloin 30 voidaan käyttää edullista ja stabiilia optoerotintyyppiä. Mittauselektroniikan 4 116176 keinotekoinen nollapotentiaali (COM) on kytketty suojamaahan (PE) maadoi-tusjärjestelyllä, jossa on läpilyöntiin perustuva ylijännitesuojausjärjestely. Edullisesti ylijännitesuojausjärjestely on toteutettu kytkemällä vähintään yksi diodi (V1) vastasuuntaisesti ja vähintään yksi diodi (V2) myötäsuuntaisesti sarjaan.

5 Diodityyppi valitaan siten, että sen estosuuntainen läpilyöntijännite Ub on enemmän kuin mitattavan piirin sinimuotoisen vaihejännitteen Uv huippuarvo eli Ub > 1,42* Uv. Toisaalta läpilyöntijännite pitää jäädä alle keinotekoisen nol-lapotentiaalin (COM) ja SELV-piirin (X1) välisten komponenttien jännitelujuu-den. Käytännössä läpilyöntijännite pyritään komponenttivalinnoilla mitoitta-10 maan lähemmäksi komponentin (K1, N1) jännitelujuuden ylärajaa, koska tällöin suuriohmisten etuvastusten (R1,R2) tehohäviö minimoituu. Samansuuntaisia diodeja voidaan kytkeä kaksi tai useampi sarjaan järjestelyn jännitelujuuden sovittamiseksi. Kun mittauselektroniikan nollapotentiaalin hetkellisjänni-te suojamaahan (PE) nähden kasvaa niin, että hetkellisjännitteen polariteettiin 15 nähden vastakkaissuuntaisen diodin jännitekestoisuus ylittyy, tapahtuu ns. vyöryläpilyönti, jolloin virta kasvaa eikä jännite pääse nousemaan ja tuhoamaan SELV-rajapinnan komponentteja (K1,N1). Myötäsuuntaisen diodin yli jäävällä, tyypillisesti alle 1V:n jännitteellä ei ole käytännössä mitoituksen kan- • · : naita mitään merkitystä. Diodien kanssa sarjaan voidaan kytkeä sarjaresis- : 20 tanssi (R3), mutta sen mitoituksessa on huomioitava, että resistanssin ylijäävä • * · *·”’ jännite ei saa testaus- tai vikatilanteessa nostaa järjestelyn kokonaisjännitettä • · * • · '··* yli SELV-rajapinnan komponenttien (K1,N1) jännitekestoisuuden. Mikäli etu- * · · ;;; vastus (R1,R2) on suuruusluokkaa 10ΜΩ, niin sarjaresistanssin (R3) arvolla * » 100k järjestelyn jännite nousee impulssitestissä noin 100V suuruusluokkaa.

. 25 Käytettäessä yhtä suojausketjua (F1), voidaan järjestely kytkeä suoraan suo- > I · ’>·’ jämäähän (PE) sarjaresistanssin (R3) sijaan.

SELV-elektroniikan nollapotentiaali (GND) tyypillisesti kytketään suoraan suojamaahan (PE).

» v · ’ 30 Kuviossa Fig. 2 on esitetty vastaava maadoitus- ja ylijännitesuojaus- » * * järjestely yksi- tai kaksivaiheisen jännitemittauksen yhteydessä. Mittauselekt- roniikka kytketään ensimmäisen vaiheen (L1) johtimeen suuriohmisen resis- 5 116176 tanssin (R11) välityksellä ja toisen vaiheen (L2) johtimeen tai vaihtoehtoisesti nollajohtimeen (N) resistanssin (R12) kautta. Jännitteenjakoresistanssi (R14) on kytketty sarjaan edellisten resistanssien (R11, R12) väliin. Mittauselektro-niikan nollapotentiaali (COM) on kytketty suuriohmisen resistanssin (R11) väli-5 tyksellä toisen vaiheen tai nollajohtimen potentiaaliin ja toisaalta keksinnön mukaisen maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestelyn (V1, V2, R3) kautta suojaisaahan (PE).

Kuvion Fig. 3 piirikaavio esittää kolmivaiheisen jännitteenmittauspii-10 rin analogia-osan. Kutakin mitattavaa vaihetta kohden on yksi vahvistin-ja ta-sonsiirtoelin, joka on esitetty ainoastaan yhden vaiheen (L2) osalta piirikaavi-ossa.

Suuriohmisen jännitteenjakajavastusten (R101, R102, R103) ensimmäiset päät on kytketty liittimien (X41, X42, X43) kautta vastaavaan pää-15 jännitteeseen (L1, L2, L3) ja toiset päät on kytketty tähteen muodostamaan keinotekoinen nollapiste, joka toimii mittauselektroniikan nollapotentiaalina (COM). Keinotekoinen nollapiste maadoitetaan keksinnön mukaisesti. Ylijänni-tesuojan tyyppi valitaan siten, että järjestelyn läpilyöntijännite Ub on suurempi • · : kuin mitattavan piirin sinimuotoisen vaihejännitteen huippuarvo eli Ub > '·' * 20 V2/V3*U, pyöristettynä Ub > 0,82*U, koska maadoitusresistanssi ei saa pienen- • · · tyä yksivaiheisessa maasulussa. Toisaalta läpilyöntijännite pitää jäädä alle

• I

keinotekoisen nollapisteen ja SELV-piirin välisten komponenttien jännitelujuu-;;; den. Diodiketjussa on sarjaan kytkettynä kaksi diodia (V102, V108, V109, *” V111) molempiin suuntiin. Diodit ovat esimerkiksi tyyppiä Fairchild RS1M, jon- . 25 ka maksimiksi jatkuvaksi vastasuuntaiseksi jännitelujuuden nimellisarvoksi valmistaja ilmoittaa 1000V, mutta 25°C lämpötilassa läpilyöntijännite on noin » · * * > 120% nimellisarvostaan, joten kahden saman suuntaisen sarjaan kytketyn * | \,7 diodin yli olevan jännitteen ylittäessä 2400V tapahtuu vyöryläpilyönti. Diodiket- * * * · jun kanssa sarjassa on 300kQ resistanssi (R150) suojamaahan (PE), koska v·' 30 toimintavarmuuden lisäämiseksi edellä kuvatun diodi-resistanssiketjun rinnalle » » » * » on kytketty redundanttisesti toinen oleellisesti samanlainen ketju (V114, V113, 6 116176 V112, V110, R149). Resistanssit (R150.R149) on lisätty ketjuihin siksi, että diodien läpilyöntijännitteet eivät ole täysin identtisiä ja diodiketjujen rinnankyt-kennässä vain pienemmän läpilyöntijännitteen omaava ketju johtaisi, mutta lisäämällä resistanssi kumpaankin ketjuun läpilyöntivirta voidaan jakaa kahdel-5 le ketjulle. Mikäli oletetaan diodien läpilyöntijännitearvojen toleranssiksi 10%, niin ketjun läpilyöntijännitteeksi mitoitetaan Ub = 0,9*Uc, missä Uc on SELV-rajapinnan komponenttien (K1,N1) alin jännitekestoisuus. Mikäli ylijännitepiikin suurinta arvoa merkitään lyhenteellä Usmax ja vaiheeseen kytketyn etuvastuk-sen resistanssin arvoa Re, niin sarjavastuksen (R150, R149) arvo Rd voidaan 10 laskea Ohmin lain ja Kirchoffin jännitelain perusteella Rd = 0.rUc*Re / (Usmax-Uc). Kolmivaihemittauskytkennän yhteydessä on huomattava, että ylijännitekoe tehdään vaiheliitynnät yhteen kytkettyinä, jolloin esimerkkitapauksessa etuvas-tuksen resistanssi Re= 50Mohm / 3 = 16.7ΜΩ.

Jännitteenjakajavastukset (R101, R102, R103) ovat erittäin suu-15 riohmiset, nastojen 1 - 3 välisen kokonaisresistanssin ollessa edullisesti 50ΜΩ ja nastojen 2 - 3 välisen alaresistanssin suhde kokonaisresistanssiin ollessa 1:1000.

Koska jännitteenjakovastusten keskinastasta ulos tuleva vaihtojän- • · ; nite on bi-polaarinen eli symmetrinen kelluvan keinotekoisen nollapotentiaalin

• · I

‘ 20 suhteen, suoritetaan signaalin tason siirto kokonaan positiivisen jännitteen 0...+5V alueelle, jolloin voidaan käyttää edullista unipolaarista A/D-muunninta.

'•’I* Jännitteenjakajavastuksen (R102) nastan 2 ulostulojännite, suu- » »· ruusluokaltaan alle 1 V vaihtojännitettä ensin rajoitetaan mahdollisten ylijänni-tepiikkien varalta kytkemällä signaalijohdin kaksoisdiodin (V103) keskielektro- : 25 diin. Kaksoisdiodissa, esimerkiksi tyyppiä Philips BAV99W on yhteen koteloon * * * .··*' integroitu ja samansuuntaisesti sarjaan kytketty kaksi erittäin nopeaa diodia.

On myös mahdollista kytkeä diskreetti päästösuuntainen diodi elektroniik-kasyöttöjännitteen positiiviseen napaan ja estosuuntainen diodi vastaavasti • » negatiiviseen napaan. Vastus (R107) ja kapasitanssi (C142) muodostavat ali-'· ’ 30 päästösuotimen mittaussignaalissa mahdollisesti esiintyvien suurtaajuisten, kuten yli 15kHz häiriöiden varalta.

7 116176

Operaatiovahvistin (A102-A) yhdessä vastusten (R109, R110) kanssa muodostavat ei-kääntävän vahvistinasteen, johon on lisätty kapasitanssi (C105) vaimentamaan signaalissa esiintyviä mahdollisia häiriöitä. Resistanssi (R110) mitoitetaan mitattavan jännitteen mukaisesti, käytännössä muita piiri-5 kaaviossa esitettyjä komponenttiarvoja vastaavasti R110 = 10kQ... 100kQ. Operaatiovahvistin (A102-B) yhdessä vastusten (R117, R120, R119, R118) ja kapasitanssien (C107, C106) kanssa muodostavat differentiaalivahvistimen. Kelluvan nollapisteen molemmin puolin symmetrisen vaihtojännitesignaalin siirto kokonaan positiiviselle puolelle tehdään niin, että ensimmäisessä as-10 teessä vahvistettu mittaussignaali kytketään differentiaalivahvistimen positiiviseen sisäänmenoon ja negatiiviseen sisäänmenoon kytketään teholähdeosas-sa (ei esitetty) muodostettu referenssijännite, joka on edullisesti suuruudeltaan puolet vahvistinpiirien negatiivisesta käyttöjännitteestä.

Resistanssin (R121) kautta mitattavaa vaihejännitettä vastaava sig-15 naali kytketään monikanavaiseen unipolaariseen A/D-muuntimeen (ei esitetty), esimerkiksi tyyppiä Texas Instruments ADS 7841. A/D-muuntimen sarjamuotoinen ulostulosignaali kytketään optoerottimen (ei esitetty), esimerkiksi Fair-child HCPL-0601 kautta SELV-piirin puolella esimerkiksi SPI-väylälle ja sitä i kautta edelleen siirrettäväksi automaatiojärjestelmään.

: 20 Oleellista edellä kuvatulle kytkennälle on maadoitus- ja ylijänni- tesuojausjärjestely, joka mahdollistaa riittävän jännitelujuuden saavuttamisen. Nimellisjännitteeltään 1000V vaihtojänniteverkon ja SELV-piirien välillä vaadi-;;; taan standardin IEC60947 mukaan vahvennetun eristyksen osoittamiseksi 14,8kV taso syöksyaallolle (1,2/50ps) impulssitestissä. Toisaalta maadoitta-. . 25 mattomissa IT-verkoissa vaaditaan riittävän suuri impedanssi mittauspiirin kel-

> 1 I

T./ luvan maan ja suojamaan välille eli hyvin pieni vuotovirta. Nämä vaatimukset

voidaan toteuttaa, kun maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestely alkaa päästää : vuotovirtaa lävitseen vasta jännitteen ylittäessä 820V pääjännitteeltään 1000V

kolmivaiheverkossa, mutta kuitenkin alle valittujen DC/DC-hakkuriteholähteen :,: : 30 sekä optoerottimen jännitelujuuden, joka on esimerkiksi 3kV. Koska jännitteen- : : jakajavastukset (R101, R102, R103) ovat hyvin suuriohmisia, jää maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestelyn vuotovirtataso impulssitesteissä alle 1mA tason, 8 116176 joten se voidaan toteuttaa käyttäen edullisia, mutta silti luotettavia ja nopeita tasasuuntausdiodeja, joiden estosuuntainen nimellinen läpilyöntijännite on 800V... 1000V.

Keksinnön mukaisen ratkaisun etu erotusmuuntajien käyttöön näh-5 den on pienempi koko ja komponenttien pienempi massa, edullinen hinta ja hyvä jännitelujuusrakenne. Suuriohmiset jännitteenjakajavastukset sietävät rikkoontumatta pahojakin verkon ylijännitetilanteita verrattuna jännitemuunta-jiin, jotka vaativat sulake- ja varistorisuojauksen. Tavanomaiseen suuriohmi-seen nollapisteen maadoitukseen nähden keksinnöllä on etuna se, ettei rin-10 nankytkettyjen laitteiden lukumäärää tarvitse rajoittaa. Verkon suureiden mittausjärjestely, jossa analogiset mittaustulokset muunnetaan digitaalimuotoon mahdollisimman lähellä mitattavaa kohdetta lisää järjestelmän häiriönsie-tosuutta. Keksintöä sovellettaessa erilaisiin elektroniikkapiireihin on suunnitteluvaiheessa huomioitava, että elektroniikkapiirin tulee toimia ilman galvaanista 15 yhteyttä maatasoon. Keksintöä voidaan soveltaa laajasti, esimerkiksi yksivaiheiseen virranmittaukseen. Sarjaan kytkettyjen diodien lukumäärä voi vaihdella, samoin kuin rinnakkaisten haarojen.

Keksinnön edullisuus korostuu silloin kun jännitetaso, ylijänniteluok- : · ka tai likaisuusaste nousevat. Teollisuuden jakelujännite on yhä useammin > > · v : 20 690V perinteisen 400V sijaan, samoin IEC 60947-1 standardin käyttö kojeiden •\i.: suunnittelussa esimerkiksi IEC 61131-2 sijaan korostaa keksinnön edullisuut- * · · ta.

* * r · ···*' Vaikka keksintö on tarkemmin kuvattu yhden suoritusmuodon avul- ( I t • · *···* la, pitää ymmärtää jotta käsillä olevaa keksintöä alan asiantuntija voi soveltaa 25 eri muodoissa patenttivaatimusten määrittelemissä rajoissa, kuten esimerkiksi ;; : tasasähköpiirien yhteydessä.

* * »

» * i I

* »

I · I

»il* » »

Claims (9)

116176

1. Elektronisen laitteen, kuten sähkönjakelujärjestelmän sähköisiä suureita mittaavan mittalaitteen maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestely, jonka 5 elektronisen laitteen nollapotentiaali (COM) on vähintään yhden resistanssin (R1,R11,R101,R102,R103) kautta suuriohmisesti yhdistetty sähkönjakelujärjestelmän potentiaaliin (L1,L2,L3,N) ja elektronisella laitteella on rajapinta vähintään yhden elektronisen komponentin (N1,K1) välityksellä SELV-pienoisjännitepiiriin tunnettu siitä, että laitteen nollapotentiaali 10 (COM) on yhdistetty vähintään yhden läpilyöntiin perustuvan ylijänni-tesuojan (F1, F101, F102) kautta suojamaahan (PE), ja että ylijänni-tesuojan (F1, F101, F102) nimellinen läpilyöntijännite (Ub) on suurempi kuin normaalissa käyttötilanteessa sen yli esiintyvä potentiaaliero (UV,U), mutta pienempi kuin elektronisen laitteen ja SELV-piirin välisen rajapinnan 15 muodostavan komponentin (N1, K1) alin jännitelujuus (Uc).

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestely tunnettu siitä, että ylijännitesuoja (F1, F101, F102) on muodostettu \ vähintään kahdesta vastakkain sarjaan kytketystä puolijohde-PN- • * * t rajapinnasta. : 20 3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen maadoitus-ja ylijännitesuojausjärjes- tely tunnettu siitä, että ylijännitesuoja (F1, F101, F102) on muodos-tettu vähintään kahdesta vastakkain sarjaan kytketystä diodista (V1, ] ·· V2,V102, V108, V109, V111, V110, V112,V113,V114).

4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestely Li! 25 tunnettu siitä, että diodit (V1, V2,V102,V108,V109,V111,V110, V112,V113,V114) ovat nopeita tasasuuntausdiodeja.

5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestely tunnettu siitä, että ylijännitesuoja (F1, F101, F102) on varistori.

6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen maadoitus- ja ylijännitesuojausjärjestely ·:·· 30 tunnettu siitä, että ylijännitesuoja (F1, F101, F102) on kipinävälisuoja. 116176

7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen maadoitus- ja ylijänni-tesuojausjärjestely tunnettu siitä, että ylijännitesuojan (F1 ,F101 ,F102) kanssa sarjaan on kytketty resistanssi (R3,R150,R149).

8. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen maadoitus- ja ylijänni-5 tesuojausjärjestely tunnettu siitä, että vähintään kolmivaiheisen sähkönjakeluverkon jännitteen mittausjärjestelyn yhteydessä on kytketty jännit-teenjakoresistanssien (R101 ,R102,R103) ensimmäiset päät kuhunkin vaiheeseen (L1,L2,L3) ja toiset päät on kytketty tähteen muodostamaan keinotekoinen nollapiste, joka muodostaa elektronisen laitteen nollapotentiaa-

10 Iin (COM). t · • » · • · · I · I • · 116176