ES2872339T3 - Separación por dispositivo de revestimiento modular - Google Patents
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Abstract
Un proceso para depositar un apilamiento de revestimiento de múltiples capas sobre un sustrato de vidrio plano que comprende depositar por pulverización al vacío al menos una primera capa en una primera zona de deposición que tiene un primer tipo de atmósfera y al menos una segunda capa en una segunda zona de deposición que tiene un segundo tipo de atmósfera que está separada del primer tipo de atmósfera por una zona de separación, en donde el sustrato de vidrio plano se mueve desde la primera zona de deposición a la segunda zona de deposición a través de la zona de separación a lo largo de una trayectoria de transporte de manera ininterrumpida, caracterizado por que un gas es inyectado en la zona de separación en las proximidades de la ruta de transporte para aumentar el factor de separación entre los dos tipos de atmósfera.
Description
DESCRIPCIÓN
Separación por dispositivo de revestimiento modular
La presente invención se refiere a un proceso para depositar al vacío un apilamiento de revestimiento de múltiples capas sobre un sustrato de vidrio plano y un aparato de revestimiento para la deposición de apilamientos de revestimiento de múltiples capas al vacío sobre sustratos de vidrio grandes, que tienen, por ejemplo, 2 o 3 o 4 metros de anchura, por ejemplo 3,21 metros, de forma ininterrumpida. Los sustratos de vidrio, o láminas de vidrio, se suceden en el aparato de revestimiento con unos pocos cm entre sí; entonces, hay un espacio entre ellos. Este aparato es un aparato de pulverización catódica y puede ser un aparato de pulverización mejorado magnéticamente, también denominado magnetrón.
Los revestimientos de múltiples capas pueden comprender una o más, y en particular tres o incluso cuatro, capas reflectantes de infrarrojos de plata rodeadas por capas dieléctricas, tales como capas de óxido metálico o nitruro metálico. El sustrato de vidrio revestido con tal revestimiento de múltiples capas puede servir para constituir un panel de acristalamiento de control solar o un panel de acristalamiento de baja emisividad. El sustrato de vidrio revestido se puede ensamblar con otro sustrato de vidrio para formar una Unidad de Vidrio Aislante (IGU) o laminar con otro sustrato de vidrio para formar una transparencia de vehículo como, por ejemplo, un parabrisas.
La expresión "al vacío" significa que la presión dentro de las zonas de deposición se reduce a un valor significativamente más bajo que la presión atmosférica normal, por ejemplo, a una presión comprendida entre 0,1 y 99 mTorr (10-3 Torr), preferiblemente, por ejemplo, entre 0,5 y 15 mTorr.
Cada capa o grupo de capas similares (por ejemplo, capas de metal) del revestimiento corresponde a una zona de pulverización, es decir, una zona de deposición, que comprende una o más posiciones (una posición es una bahía de origen) para el cátodo (objetivo) correspondiente a la capa que se va a depositar y en la que una atmósfera particular, que contiene argón solo o junto con oxígeno o nitrógeno u otro gas específico, se mantiene a una presión reducida. Un módulo de un dispositivo de revestimiento modular puede comprender generalmente tres (a veces cuatro) zonas de deposición asociadas con tres zonas de bombeo para mantener el bajo nivel de presión requerido en la zona de deposición. Debido a la mayor complejidad y al número creciente de capas de los nuevos apilamientos de revestimiento, especialmente para revestimientos que tienen al menos tres capas reflectantes de infrarrojos (capa de plata), el número de zonas de deposición requeridas aumenta y el aparato actual resulta demasiado pequeño.
También se requiere una mayor flexibilidad de los dispositivos de revestimiento de modo que se puedan producir varios revestimientos en la misma línea, por ejemplo, revestimientos tratables térmicamente y no tratables térmicamente. Esto aumenta el número de posiciones requeridas. El requisito también es reducir el tiempo necesario para producir el revestimiento.
En dispositivos de revestimiento que funcionan al vacío, tales como el magnetrón, es necesario un sistema de aislamiento de gas entre las zonas de deposición (o cámaras) (también denominadas "zonas de revestimiento") para separar los diferentes procesos. Por ejemplo, en la producción de revestimiento de plata simple, doble o triple de baja emisividad sobre vidrio plano, la deposición de plata metálica que necesita inyección de argón puro y la pulverización de un dieléctrico que requiere la inyección de oxígeno (02) o nitrógeno (N2) los flujos están uno al lado del otro. Sin zonas de aislamiento de gas, la presión parcial del O2 o N2 en la cámara de pulverización metálica sería demasiado alta para obtener buenas propiedades del metal para la capa de Ag. Es por esto que estas dos zonas de deposición están separadas por una sección a menudo denominada zona de separación de gases, que tiene preferiblemente medios de bombeo (también denominados en este caso sección de bombeo). El diseño del aislamiento entre zonas de deposición depende del tipo de dispositivos de revestimiento. Los dos principales proveedores de revestimientos de gran superficie para la industria del vidrio son AMAT (ex: BOC) y Von Ardenne.
Para el dispositivo de revestimiento modular de tipo AMAT, el aislamiento lo proporcionan múltiples túneles bombeados. El túnel es una abertura que limita la conductancia unida a la periferia de la cámara. Hay previstos tres túneles en cada zona de separación de gases. La abertura es ajustable para acomodar vidrio (sustrato) de varios espesores. Se forma un espacio de bombeo entre las aberturas. Cada espacio es bombeado por una bomba de difusión (DP) dedicada de 16". Para un diseño estándar, se conectan un total de 6 DP a la sección de aislamiento. En este caso, la etapa adicional de aislamiento para revestimientos especialmente sensibles solo se puede realizar añadiendo una sección de túnel con 2 DP a cada lado del túnel. La longitud total de la sección de aislamiento estándar es de aproximadamente 2000 mm.
Para el dispositivo de revestimiento de tipo Von Ardenne, la zona de separación de gases se denomina "sección de bomba" en oposición a la "sección de pulverizador catódico" donde tiene lugar el proceso. La anchura de la sección de bomba es equivalente a la cámara de proceso y es igual a 780 mm. Está equipado con dos túneles de aislamiento. Uno de los túneles es una placa de metal completa colocada a unos 25 mm por encima de la línea de paso; hay aberturas a través de la cámara de proceso vecina en la pared lateral superior del dispositivo de revestimiento. El segundo túnel es una placa de metal con una hendidura en el centro a lo largo de la anchura del dispositivo de revestimiento (perpendicular a la dirección de transferencia del vidrio), el bombeo del gas en ese segmento se realiza a través de la hendidura. Cada uno de los dos segmentos de la sección de bomba se bombea con una a tres Bombas Turbo Moleculares (TMP). Las bombas se fijan
sobre la tapa a lo largo de dos líneas paralelas. Tal tipo de dispositivo de revestimiento se describe, por ejemplo, en el documento WO 2005/106069 A1.
El rendimiento de la sección de aislamiento colocada entre dos cámaras de pulverización se denomina factor de aislamiento o factor (SF) de separación de gases. Se mide evacuando la cámara de pulverización a un nivel de presión por debajo de 10-5 mbar. El gas argón se alimenta a una zona de deposición (zona 1) a un nivel de presión de 5x10-3 mbar (presión de llenado). En la zona de deposición (zona 2) en el otro lado de la zona de separación de gases se mide la presión (presión de prueba). A continuación, se repite la prueba introduciendo gas Ar en la zona 2, midiéndose la presión en la zona 1. El factor (SF) de separación de gases medio se calculará como: 0,5 ((zona 1 de presión de llenado / zona 2 de presión de prueba) (zona 2 de presión de llenado / zona 1 de presión de prueba)). Para este cálculo no hay vidrio presente en el túnel. De hecho, como hay un espacio entre los sustratos durante el proceso de deposición, regularmente hay momentos sin sustrato de vidrio, por lo que la separación debe ser efectiva sin sustrato de vidrio y el factor de separación debe ser evaluado sin sustrato de vidrio.
En las líneas industriales existentes, se ha medido el factor de separación. Los valores para una zona de aislamiento para el diseño de dispositivo de revestimiento modular AMAT están entre 25 y 50. Los valores para una sola sección de bomba de tipo Von Ardenne están comprendidos entre 30 y 200 dependiendo del número de bombas y la altura de la placa del túnel. Este factor aumenta a 400 cuando 2 secciones de bomba están una al lado de la otra.
En conclusión, se puede observar que las zonas de separación se basan todas en el mismo principio; es una zona larga (entre 780 y 2000 mm) entre dos zonas de deposición donde la conductancia se reduce ajustando la distancia entre la línea de paso y el túnel (placa de metal). La zona es más o menos abierta con aberturas junto a las cuales se instala el bombeo. Esto se puede definir como un diseño bastante estático.
Los dispositivos de revestimiento de la técnica anterior están diseñados con aislamiento de gas estático entre las zonas de deposición o las cámaras de pulverización. Esta configuración proporciona un factor de separación de gases mínimo de 30 de acuerdo con las especificaciones, pero los valores reales medidos en dispositivos de revestimiento son alrededor de 400 en el mejor de los casos.
El objetivo de la invención es mejorar la separación de gases entre dos zonas de deposición en un dispositivo revestimiento.
La invención se refiere a un proceso para depositar un apilamiento de revestimiento de múltiples capas sobre un sustrato de vidrio plano que comprende depositar al vacío al menos una primera capa en una primera zona de deposición que tiene un tipo de primera atmósfera y al menos una segunda capa en una segunda zona de deposición que tiene un segundo tipo de atmósfera que está separado del primer tipo de atmósfera por una zona de separación, en el que el sustrato de vidrio plano se mueve desde la primera zona de deposición a la segunda zona de deposición a través de la zona de separación a lo largo de una trayectoria de transporte, caracterizado por que se inyecta un gas en la zona de separación en las proximidades de la trayectoria de transporte para aumentar el factor de separación entre los dos tipos de atmósfera.
La expresión "en las proximidades de" significa una distancia de aproximadamente 1 mm a aproximadamente 500 mm. La inyección de gas se introduce como un flujo de gas ajustable que se puede ajustar fácilmente al proceso de deposición actual y a la configuración. La regulación del flujo del flujo de gas inyectado permite una adaptación dinámica del factor de separación.
Preferiblemente, el gas de la atmósfera dentro de la zona de separación se aspira mediante bombeo. Esto aumenta el factor de separación.
La invención se refiere también a un dispositivo de revestimiento modular para la deposición de capas delgadas al vacío sobre un sustrato plano que tiene al menos dos zonas de deposición con una zona de separación de gases entre ellas y que tiene una trayectoria de transporte para el sustrato de vidrio que pasa a través de aberturas desde una zona de deposición hacia la otra zona de deposición a través de la zona de separación, caracterizada por que la zona de separación de gases comprende al menos un inyector de gas en las proximidades de la trayectoria de transporte.
Preferiblemente, la zona de separación de gases comprende medios de bombeo adicionales para aspirar el gas fuera de la zona de separación de gases. Este es un medio conveniente para aumentar el factor de separación.
Preferiblemente, los medios de cobertura están dispuestos por encima de la trayectoria de transporte para definir un túnel junto con la trayectoria de transporte dentro de la zona de separación de gases cuando se transporta un sustrato de vidrio sobre la misma y por que al menos un inyector de gas está dispuesto dentro de dicho túnel. Esto es conveniente para obtener una buena eficiencia de la inyección de gas.
En la realización en la que el dispositivo de revestimiento es un aparato de pulverización catódica como un magnetrón, las zonas de deposición son las zonas de pulverización que tienen una o más bahías de cátodo.
Preferiblemente, el inyector o inyectores están dispuestos entre la trayectoria de transporte y una pared del techo dispuesta a una distancia entre 5 y 50 mm de la trayectoria de transporte para definir una parte de túnel con el sustrato moviéndose en la trayectoria de transporte. Preferiblemente, el inyector o inyectores de gas están dispuestos entre 10 mm y 100 mm,
ventajosamente entre 15 mm y 50 mm, por ejemplo, a aproximadamente 20 mm, de la trayectoria de transporte. El gas se inyecta por encima de la trayectoria de transporte, pero también se puede inyecta debajo de la trayectoria de transporte, además de inyectarse por encima.
La invención proporciona una forma dinámica de modificar la separación de gases inyectando un flujo de gas ajustable en el túnel de baja conductancia que separa las dos zonas de deposición. El gas inyectado para mejorar la separación se puede bombear preferiblemente conectando idealmente las bombas en la parte superior del túnel; esto limita el aumento de presión en la zona de deposición.
Es bastante sorprendente que la inyección de gas en la zona de separación de gases mejore el factor de separación. Por el contrario, se podría pensar que perturbará el proceso de depósito en las zonas de deposición.
Hemos encontrado que, sorprendentemente, la invención proporciona la posibilidad de alcanzar factores de separación más altos, entre 2 y hasta 20 veces mejores. Esta mejora se puede combinar además con una reducción de costes debido a dos factores principales: una longitud reducida de la zona de separación de gases y un número reducido de bombas turbo-moleculares.
Otra ventaja de la invención es que esta inyección de gas hace que el factor de separación sea fácilmente ajustable y el rendimiento accesible es tan alto que las dimensiones pueden reducirse notablemente.
Este aumento del factor de separación proporciona una forma flexible de ajustar la eficiencia de la separación entre las zonas de deposición y se denomina túnel de separación dinámico.
Otras ventajas de la invención son que:
- el factor de separación es significativamente mayor que en el diseño de la técnica anterior;
- el factor de separación se puede ajustar modificando la cantidad de gas inyectado;
- el intervalo del factor de separación puede variar de 1 a 10000;
- el espacio necesario para la separación equivalente al diseño de la técnica anterior es más corto;
- la presión en la cámara de deposición se puede controlar mediante la capacidad de bombeo y puede permanecer dentro de valores aceptables para el proceso de pulverización (0,1 a 99 mTorr, preferiblemente 0,5 a 15 mTorr);
- se pueden instalar dos o más túneles de separación dinámica uno al lado del otro para aplicaciones especiales donde se necesita un factor de separación muy alto;
- dos zonas de deposición separadas por la zona de separación de gases de acuerdo con la invención pueden funcionar a diferentes niveles de presión.
La trayectoria de transporte podría ser un transporte sobre colchón de aire. Preferiblemente, en la práctica, la trayectoria de transporte es un transportador de rodillos. La utilización de un transportador de rodillos para transportar una sucesión de sustratos de vidrio impide la utilización de una abertura estrecha para entrar y salir de la zona de separación. Además, los sustratos de vidrio pueden tener diferentes grosores entre varias series de producción: eso también debe tenerse en cuenta para dimensionar las aberturas.
Las siguientes figuras se proporcionan solo con fines ilustrativos, pero no pueden limitar el alcance de la presente invención: La figura 1 se refiere a una primera realización de la invención que muestra dos zonas de deposición con una zona de separación entre ellas;
La figura 2 se refiere a una segunda realización de la invención que muestra dos zonas de deposición con una zona de separación entre ellas.
Las figuras 1 y 2 muestran esquemáticamente un módulo que comprende dos cámaras que forman la primera y segunda zonas (A) de deposición con una zona o cámara (B) de separación entre ellas. No se muestran los medios de bombeo opcionales de las zonas de deposición. La zona de separación comprende dos compartimentos (D) por encima de la trayectoria de transporte. Cada compartimento (D) comprende al menos un medio (C) de bombeo en la parte superior, que puede o no activarse, para mantener un nivel bajo de presión en el interior del compartimento y ajustar el factor de separación.
La trayectoria (H) de transporte es materializada por el transportador (F) de rodillos dentro de la cámara de separación. Entre la primera zona (A) de deposición y la zona (B) de separación, hay una abertura (G) para dejar el paso al sustrato de vidrio. De manera similar, existe una abertura (G) entre la zona (B) de separación y la segunda zona (A) de deposición. Cada compartimento (D) de bombeo se cierra por debajo mediante un medio de cobertura en forma de placa dispuesta a unos 10 a 50 mm por encima de la trayectoria de transporte, formando así una trayectoria de túnel junto con el sustrato,
cuando está presente, por encima de la trayectoria de transporte entre las dos zonas de deposición. En cada placa hay una hendidura (K) que permite que los medios de bombeo extraigan gas de la trayectoria del túnel.
Un inyector (E) de gas está dispuesto cerca de la entrada y la salida de la trayectoria del túnel y se fija en la placa que cubre la trayectoria del túnel. Cada inyector de gas es una tubería perforada con orificios para que el gas se inyecte en la dirección de la trayectoria de transporte a unos 20 mm por encima de ella.
En la figura 2, también hay una abertura lateral (J) entre cada zona (A) de deposición y el compartimento (D) de bombeo para permitir que el gas se extraiga de la zona de deposición a través del compartimento de bombeo.
El factor de aislamiento de gas o el factor (SF) de separación de gases se puede aumentar aún más ajustando y/o combinando diferentes parámetros. Entre ellos, se pueden encontrar dimensiones de la zona de separación de gases tales como la abertura (véase la referencia G en la fig.1) por encima de la línea (H) de paso, la longitud del túnel (B) de aislamiento, la anchura del dispositivo de revestimiento y la presencia de bombas (C). La modificación de las dimensiones y la adición de la capacidad de bombeo son formas comunes de realizar la separación, denominada separación estática. Una reducción de la longitud de la cámara (zona) de separación en un factor de tres puede reducir el factor de separación de gases en aproximadamente un 50%. Dividir la capacidad de bombeo por dos puede reducir el factor de separación en un 10%, siendo todos los demás parámetros constantes.
Para verificar el efecto de la invención en comparación con la técnica anterior, hemos realizado las siguientes pruebas.
Para demostrar el impacto de una inyección simple sin bombeo adicional en la zona de separación, añadimos una inyección de gas neutro, como argón, en la cámara de separación. El experimento muestra que una cantidad inyectada de 2000 sccm (Centímetros Cúbicos Estándar por Minuto, es decir, una medición del flujo de gas) puede multiplicar los factores de separación por aproximadamente 2,5. Una cantidad inyectada de 10000 sccm puede multiplicar los factores de separación por aproximadamente 20. Esto muestra la gran flexibilidad en el factor de separación que se puede conseguir con la invención.
Estos resultados se pueden mejorar añadiendo capacidad de bombeo a la zona de separación. Si consideramos una capacidad de bombeo similar a la que se encuentra en el diseño existente, la mejora tanto en la inyección del flujo de gas como en la capacidad de bombeo en la zona de separación representa un factor multiplicativo del factor de separación de 3,75 hasta 30.
Una modificación del diseño de la sección de bombeo en la zona de separación, que consiste en cerrar las aberturas laterales en la parte superior de la cámara de bombeo (fig.2 J), puede mejorar el valor del factor de separación en un 40%.
La invención abre la posibilidad de alcanzar valores de factor de separación equivalentes al valor de factor de separación estándar con una longitud de túnel más corta o de alcanzar mejores valores de factor de separación con una longitud de zona de separación estándar. La invención permite ajustar el factor de separación lo que es imposible en el diseño existente sin ventilar el dispositivo de revestimiento.
El nivel de presión dentro del dispositivo de revestimiento se controla ventajosamente mediante las bombas turbomoleculares, lo que garantiza un nivel de presión compatible con el proceso. El valor del factor de separación deseado se modula mediante la variación de la cantidad de gas inyectado.
El gas se inyecta en la zona de separación mediante inyector o inyectores y el gas puede provenir de la propia zona de separación o de las zonas de deposición vecinas.
El sistema de inyección de gas más adecuado se fabrica a partir de una tubería perforada con orificios fijados a lo largo de la anchura de la cámara (perpendicular a la dirección de transferencia). Preferiblemente, hay un inyector de gas cerca de cada una de las dos zonas de deposición. El flujo de gas de los orificios se puede dirigir hacia y perpendicularmente a la trayectoria de transporte o se puede dirigir hacia las aberturas de la zona de deposición correspondiente.
En una realización, el inyector o inyectores son tubos de metal de aproximadamente 20 mm de diámetro con orificios distribuidos a lo largo de su longitud, estando el tubo dispuesto a lo largo de la anchura de la trayectoria de transporte a una distancia de 20 mm de la trayectoria de transporte camino.
Cualquier otra forma de inyectar gas en la zona de separación es adecuada para la aplicación actual cualquiera que sea la dimensión o la geometría del dispositivo de inyección. El flujo inyectado está controlado por un regulador como un medidor de flujo másico o cualquier otro dispositivo que pueda controlar el flujo de gas. El intervalo de flujo aplicable está entre 0 y 10000 sccm (centímetro cúbico estándar) obtenido controlando el flujo o la presión. El ángulo de expulsión del gas o la orientación de los orificios en la tubería puede variar de acuerdo con las limitaciones geométricas. Si se utilizan dos o más inyectores, el flujo se puede distribuir uniformemente o no entre las diferentes tuberías de los inyectores. Por ejemplo, si se utilizan dos tuberías como se muestra en la figura 1, y el flujo total es 2000 sccm, el flujo en una tubería puede ser 1000 y 1000 en la segunda, pero también puede ser 500 y 1500 sccm o cualquier otra distribución.
El principio de inyección de gas para separar dos zonas de deposición es válido para cualquier tipo de gas pero el experto sabe que la selección del gas dependerá de la atmósfera del proceso de deposición a separar.
El medio de bombeo más adecuado para combinar con la inyección de gas de acuerdo con la invención se basa en cuatro bombas Turbo Moleculares que tienen una capacidad nominal de bombeo de 2300 l/s, fijadas en la tapa de la cámara de separación. El intervalo de presión de proceso para el que la invención se beneficia mejor está preferiblemente comprendido entre 0, 1 y 15 mTorr idealmente. El número de bombas puede variar entre 0 y la cantidad máxima definida por el espacio disponible alrededor de la cámara. La capacidad de bombeo de la TMP (Bomba Turbo Molecular) debe estar diseñada para adaptarse al intervalo de presión. La inyección de gas en una zona de separación de acuerdo con la invención mientras se bombea para mejorar aún más el factor de separación entre dos zonas de deposición no se limita a la presión del proceso de pulverización con magnetrón. El proceso que se ejecuta a una presión más alta de hasta aproximadamente 100 mTorr se puede aislar entre sí mediante un túnel dinámico equipado con bombas de vacío toscas, tales como bombas mecánicas o raíces. En este caso el flujo de gas inyectado es mucho mayor que el descrito anteriormente.
Otro tipo de bombas tales como bombas de difusión, bomba mecánica o cualquier tipo de bomba que permita alcanzar la presión de trabajo es adecuado.
La geometría más adecuada se basa en la zona (B) de separación dividida en dos compartimentos (D). Cada compartimento es bombeado por dos bombas (C) colocadas en la tapa de la zona de separación. La parte inferior del compartimento es una placa con una hendidura (K) para bombear por encima de la trayectoria de transporte. El tamaño de la hendidura (K) puede variar entre 0 (sin bombeo) y la longitud total del compartimento (completamente abierto). La abertura de la hendidura no está necesariamente ubicada en el centro del túnel como en las figs. 1 y 2. La inyección (E) de gas se coloca en la cámara de separación por encima del transportador (F) entre la cámara de deposición y la hendidura (K) de bombeo. La longitud del túnel puede variar entre 100 y 2000 mm. La abertura (G) del túnel dinámico depende del grosor del sustrato y puede variar entre 1 y 100 mm por encima de la trayectoria (H) de transporte. Las aberturas (G) pueden ser diferentes entre la primera zona (A) de deposición y la segunda zona (A) de deposición. Idealmente, los compartimentos (D) no tienen una abertura directa (figura 2J) a la zona (A) de deposición, pero el rendimiento de un diseño de sección de bomba en un dispositivo de revestimiento existente se podría mejorar inyectando gas en el túnel y bombeándolo utilizando la configuración actual (abertura en el lateral de la sección de bomba fig. 2J). La anchura del túnel dinámico corresponde idealmente a la anchura del dispositivo de revestimiento. La anchura depende de la aplicación y del tamaño de los sustratos. El experto sabe que se alcanza un bombeo homogéneo si la hendidura está completamente abierta en la dirección de la anchura. Sin embargo, reducir la anchura de la hendidura (K) solo modificará la capacidad de bombeo.
Ejemplo 1.
Este ejemplo muestra la influencia del flujo de inyección de gas en el factor de separación.
Partiendo de un diseño estándar de la técnica anterior basado en un sistema de aislamiento por bombeo estático, medimos un factor (SF) de separación de gases, de acuerdo con la descripción anterior. Estos valores se compararon con los valores obtenidos tras modificaciones del diseño de acuerdo con la invención.
El diseño de referencia consistió en un túnel de separación de 1000 mm de longitud sin bombeo entre dos zonas de deposición. Se inyectó un flujo de 1000 sccm de Ar en cada cámara de deposición adyacente al túnel de separación. Se inyectó un flujo de 40 sccm de O2 en una sola cámara de deposición y se midió la presión parcial de O2 en la otra cámara de deposición. De acuerdo con la invención, se inyectó gas Ar en dos valores de flujo diferentes en la zona de separación dentro del túnel (véase la fig. 1). La siguiente tabla 1 resume los resultados medidos para los flujos crecientes de Ar inyectados en el túnel de separación. El SF se calcula en relación con el diseño de referencia sin inyección de gas (0 sccm de Ar).
Tabla 1.
Ejemplo comparativo 1.
El ejemplo comparativo 1 muestra la influencia del bombeo solo (sin inyección de gas) del túnel en el SF.
Aquí, el diseño de referencia consistió en un túnel de separación de 300 mm de longitud sin bombeo comparado con una capacidad total de bombeo de 9000 y 18000 l/s. Se inyectó un flujo de 1000 sccm de Ar en cada cámara de deposición adyacente al túnel. Se inyectó un flujo de 40 sccm de O2 en una cámara de deposición y se midió la presión parcial de O2 en la otra cámara de deposición. La siguiente tabla 2 resume los resultados medidos para aumentar la capacidad de bombeo en el túnel dinámico. El SF se calculó en relación con el diseño de referencia (sin bombeo).
Tabla 2.
Ejemplo 2.
El ejemplo 2 muestra una comparación de un dispositivo de revestimiento estándar de la técnica anterior del diseño de tipo Von Ardenne con un diseño de túnel de separación dinámico de acuerdo con la invención.
El diseño del dispositivo de revestimiento de tipo Von Ardenne de la técnica anterior se describe aquí anteriormente. La longitud del túnel de separación es de 780 mm. Hay cuatro bombas con una capacidad de 2300 l/s cada una. La tabla 3 a continuación proporciona el factor de separación absoluto experimental en ambos casos.
Tabla 3.
La invención se puede implementar en todos los dispositivos de revestimiento de magnetrón existentes. La invención también se puede utilizar para cualquier proceso (PECVD) que necesite separarse de manera eficiente cualquiera que sea la presión del proceso (de aproximadamente 0,1 mTorr a 100 mTorr). La principal ventaja es que la invención permite un buen factor de separación en espacios reducidos. Por lo tanto, es un sistema compacto que se puede utilizar en el diseño de dispositivos de revestimiento compactos para limitar el coste de la inversión, pero también para combinar diferentes procesos como el revestimiento de magnetrones en una cámara de deposición y PECVD (Deposición de Vapor Químico Mejorada por Plasma) en la otra al lado de ella.
Claims (13)
1. Un proceso para depositar un apilamiento de revestimiento de múltiples capas sobre un sustrato de vidrio plano que comprende depositar por pulverización al vacío al menos una primera capa en una primera zona de deposición que tiene un primer tipo de atmósfera y al menos una segunda capa en una segunda zona de deposición que tiene un segundo tipo de atmósfera que está separada del primer tipo de atmósfera por una zona de separación, en donde el sustrato de vidrio plano se mueve desde la primera zona de deposición a la segunda zona de deposición a través de la zona de separación a lo largo de una trayectoria de transporte de manera ininterrumpida, caracterizado por que un gas es inyectado en la zona de separación en las proximidades de la ruta de transporte para aumentar el factor de separación entre los dos tipos de atmósfera.
2. Un proceso según la reivindicación 1, caracterizado por que el gas de la atmósfera dentro de la zona de separación se aspira mediante bombeo.
3. Un proceso según cualquiera de las reivindicaciones 1 o 2, caracterizado por que el gas se inyecta a través de una tubería perforada con orificios.
4. Un proceso según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el gas se inyecta cerca de cada una de las dos zonas de deposición.
5. Un proceso según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el gas se inyecta hacia y perpendicularmente a la trayectoria de transporte.
6. Un proceso según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado por que el gas se inyecta hacia las aberturas de la zona de deposición cerrada.
7. Un proceso según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el gas se inyecta entre 10 mm y 100 mm, preferiblemente entre 15 mm y 50 mm, de la trayectoria de transporte.
8. Un proceso según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el gas se inyecta dentro de una trayectoria de túnel definida por encima del sustrato.
9. Un dispositivo de revestimiento modular para la deposición de capas delgadas mediante pulverización al vacío sobre un sustrato de vidrio plano que tiene al menos dos zonas de deposición con una zona de separación de gas entre ellas y que tiene una trayectoria de transporte para el sustrato de vidrio que pasa a través de aberturas desde una zona de deposición hacia la otra zona de deposición a través de la zona de separación de forma ininterrumpida, caracterizado por que la zona de separación de gas comprende al menos un inyector de gas en las proximidades de la trayectoria de transporte.
10. Un dispositivo de revestimiento modular según la reivindicación 9, caracterizado por que la zona de separación de gas comprende medios de bombeo para aspirar el gas fuera de la zona de separación de gas.
11. Un dispositivo de revestimiento modular según cualquiera de las reivindicaciones 9 o 10, caracterizado por que los medios de revestimiento están dispuestos por encima de la trayectoria de transporte para definir una trayectoria de túnel junto con la trayectoria de transporte dentro de la zona de separación de gas cuando se transporta un sustrato de vidrio sobre la misma y por que al menos un inyector de gas está dispuesto dentro de dicho túnel.
12. Un dispositivo de revestimiento modular según cualquiera de las reivindicaciones 9 a 11, caracterizado por que el inyector de gas comprende una tubería perforada con orificios posicionados a lo largo de la anchura de la zona perpendicularmente a la dirección de la trayectoria de transporte.
13. Un dispositivo de revestimiento modular según cualquiera de las reivindicaciones 9 a 12, caracterizado por que un inyector de gas está dispuesto entre 10 mm y 100 mm de cada una de las dos zonas de deposición.
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| US6336999B1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-01-08 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Apparatus for sputter-coating glass and corresponding method |
| US20040058293A1 (en) | 2002-08-06 | 2004-03-25 | Tue Nguyen | Assembly line processing system |
| DE10352144B8 (de) * | 2003-11-04 | 2008-11-13 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage zum Beschichten von längserstreckten Substraten |
| DE102004021734B4 (de) * | 2004-04-30 | 2010-09-02 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Beschichtung flacher Substrate mit optisch aktiven Schichtsystemen |
| US20070256934A1 (en) * | 2006-05-08 | 2007-11-08 | Perata Michael R | Apparatus and Method for Coating Substrates With Approximate Process Isolation |
| DE102007058052B4 (de) * | 2007-11-30 | 2013-12-05 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage |
| DE102008019427A1 (de) * | 2008-04-17 | 2009-10-29 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
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| US20100206229A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Vapor deposition reactor system |
| JP2010077508A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び基板処理装置 |
| FI122880B (fi) * | 2009-02-09 | 2012-08-15 | Beneq Oy | Sulkujärjestely, tuotantolinja ja menetelmä |
| DE102009029902A1 (de) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage mit zwei oder mehr Vakuumkammern und Verfahren zur Behandlung von Substraten in der Anlage |
| US8118982B2 (en) * | 2009-03-06 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Gas flow set-up for multiple, interacting reactive sputter sources |
| US8117987B2 (en) * | 2009-09-18 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Hot wire chemical vapor deposition (CVD) inline coating tool |
| WO2011097012A1 (en) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | Xunlight Corporation | An isolation chamber and method of using the isolation chamber to make solar cell material |
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| MX360285B (es) | 2018-10-26 |
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