ES257610A1 - Procedimiento de fabricaciën de un dispositivo de efecto transistor - Google Patents
Procedimiento de fabricaciën de un dispositivo de efecto transistorInfo
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Abstract
Procedimiento de fabricación de un dispositivo de efecto transistorque se caracteriza porque entre tres electrodosde los cuales el central actúa de base y los dos exteriores de emisor y colector respectivamentese conectan eléctricamente dos diodos de tal manera que entre cada dos electrodos se encuentra intercalado un diodocuyos diodos se acoplarán de forma que el uno bloquee la corriente que el oro deje pasar.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ES0257610A ES257610A1 (es) | 1960-04-25 | 1960-04-25 | Procedimiento de fabricaciën de un dispositivo de efecto transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ES0257610A ES257610A1 (es) | 1960-04-25 | 1960-04-25 | Procedimiento de fabricaciën de un dispositivo de efecto transistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES257610A1 true ES257610A1 (es) | 1960-06-16 |
Family
ID=34490666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES0257610A Expired ES257610A1 (es) | 1960-04-25 | 1960-04-25 | Procedimiento de fabricaciën de un dispositivo de efecto transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| ES (1) | ES257610A1 (es) |
-
1960
- 1960-04-25 ES ES0257610A patent/ES257610A1/es not_active Expired
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